KR20100106214A - Photo mask, semiconductor device, and charged beam drawing device - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A photo mask, a semiconductor device, and a charged beam drawing device are provided to manufacture a precise photomask by controlling the deflection of a charged beam based on control data. CONSTITUTION: A charged beam drawing device includes an electron gun(21), a deflector(22), a stage maintain a mask substrate(1), and a charge beam control data device. The charged beam drawing device of a pattern is divided into a plurality of first regions. The position of the stage for maintaining the substrate is set. The projection position of the charged beam is controlled by the deflector to display the pattern inside the first pattern. The pattern inside of the second pattern is displayed by controlling the projection position of the charge beam.

Description

포토마스크, 반도체 장치, 하전 빔 묘화 장치{PHOTO MASK, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND CHARGED BEAM DRAWING DEVICE}Photomask, Semiconductor Device, Charge Beam Writing Device {PHOTO MASK, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND CHARGED BEAM DRAWING DEVICE}

본 출원은 일본 특허 출원 제2009-071009호(2009년 3월 23일)에 기초한 것으로서, 그 우선권을 주장하며, 그 전체 내용이 본 명세서에서 참조로서 인용된다.This application is based on Japanese Patent Application No. 2009-071009 (March 23, 2009), which claims priority thereof, the entire contents of which are incorporated herein by reference.

본 발명은 포토마스크, 반도체 장치, 하전 빔 묘화 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to a photomask, a semiconductor device, and a charged beam drawing apparatus.

반도체 디바이스의 제조 공정에서 사용되는 반도체 회로 패턴의 원판인 포토마스크의 제조에는, 주로 전자 빔 묘화 장치를 사용한 패턴 형성 방법이 널리 이용되고 있다. 그 패턴 형성 방법은, 표면에 레지스트를 도포한 기판을 묘화 장치 내의 묘화 스테이지 상에 유지하고, 스테이지를 이동하면서 기판에 대하여 전자 빔을 조사함으로써 레지스트 중에 에너지를 축적시키고, 그 후, 기판에 대하여 현상, 에칭 등의 처리를 실시함으로써 축적 에너지에 따른 패턴을 기판 상에 형성하는 것이다.The pattern formation method using the electron beam drawing apparatus is widely used for manufacture of the photomask which is an original plate of the semiconductor circuit pattern used at the manufacturing process of a semiconductor device. The pattern forming method maintains a substrate coated with a resist on a drawing stage in a drawing apparatus, accumulates energy in the resist by irradiating an electron beam to the substrate while moving the stage, and then develops the substrate. , Etching or the like is performed to form a pattern according to the stored energy on the substrate.

묘화 장치의 스테이지 이동 제어나 빔 조사 제어를, 미리 작성되어 묘화 장치에 입력된 반도체 디바이스 패턴 데이터에 따라서 행함으로써, 기판 상에는 원하는 디바이스 패턴을 형성하는 것이 가능해진다.By performing the stage movement control and the beam irradiation control of the writing apparatus in accordance with the semiconductor device pattern data which has been prepared in advance and input to the writing apparatus, it is possible to form a desired device pattern on the substrate.

하전 빔의 조사 위치 제어는 묘화 장치 내에 조립된 편향 장치에 의해 행하여지지만, 일반적으로는 편향 장치에 의해 제어 가능한 편향 영역은 기판 크기에 비교하면 작기 때문에, 기판 유지 스테이지의 이동과 조합함으로써, 기판 전체면으로의 묘화가 가능하게 되어 있다.Irradiation position control of the charged beam is performed by the deflection apparatus assembled in the drawing apparatus, but since the deflection region which is generally controllable by the deflection apparatus is small compared with the substrate size, by combining with the movement of the substrate holding stage, the entire substrate Drawing to the cotton is possible.

편향 영역을 순차적 혹은 연속적으로 이동시키면서 기판 전체면의 묘화를 행하는 묘화 방식에서는, 레지스트의 대전에 의한 패턴 위치 정밀도의 열화가 문제로 된다.In the drawing method which draws the whole board | substrate surface, moving a deflection area sequentially or continuously, deterioration of the pattern position precision by charging of a resist becomes a problem.

최근, 포토마스크 상의 패턴 위치 정밀도에 대한 요구 정밀도가 점점 더 엄격해지고 있어, 레지스트 차지 업에 기인하여 발생하는 패턴 위치 정밀도 열화도 무시할 수 없는 양으로 되고 있다. 이로 인해, 묘화 장치에 입력되는 패턴 데이터로부터, 사전에 레지스트 차지 업 기인으로 발생하는 패턴 위치 편차를 예측하고, 예측된 패턴 위치 편차를 보정하는 묘화 보정 파라미터를 작성하고, 이 보정 파라미터를 사용한 묘화를 행함으로써 패턴 위치 정밀도를 개선하는 방법이 제안되어 있다.In recent years, the required precision for pattern position precision on a photomask is becoming more and more strict, and the pattern position precision deterioration which arises due to resist charge-up also becomes a quantity which cannot be ignored. For this reason, from the pattern data input into the drawing apparatus, the pattern position deviation which arises in advance by the resist charge-up origin, the drawing correction parameter which corrects the predicted pattern position deviation is created, and the drawing using this correction parameter is performed. A method of improving the pattern position accuracy by performing the method has been proposed.

그러나, 레지스트 차지 업 현상의 상세한 원리는 지금으로서는 해명되어 있지 않고, 독자의 모델에 기초하여 안출된 근사에 의한 보정으로 되고 있다. 이로 인해, 기존의 보정 방법에서는 레지스트 종류의 차이, 묘화 장치의 차이 등의 외적 요인에 의해 보정 정밀도가 변화하게 된다. 즉, 단순히 묘화 패턴 데이터에 의존한 보정만으로는 충분한 보정 정밀도를 얻을 수 없어, 고정밀도의 보정 방법이 기대되고 있다.However, the detailed principle of the resist charge-up phenomenon has not been elucidated at this time, and is corrected by approximation drawn out based on the original model. For this reason, in the existing correction method, the correction accuracy is changed by external factors such as difference in resist type and difference in drawing apparatus. In other words, only a correction depending on the drawing pattern data does not provide sufficient correction accuracy, and a high precision correction method is expected.

또한, 일본 특허 공개 제2002-158167호 공보에는, 하전 입자선을 노광 표면에 대하여 국소적으로 조사하는 예비 노광을 행함으로써 취득한 노광 표면의 표면 전위 분포에 기초하여, 전자기학적 운동 방정식을 푸는 것에 의해, 노광 표면의 대전에 기인하는 하전 입자선의 궤적 편차를 구하고, 이 궤적 편차에 기초하여 하전 입자선의 편향 각도를 보정하는 것이 제안되어 있다.Further, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-158167 discloses an electromagnetic kinetic equation based on a surface potential distribution of an exposure surface obtained by performing preliminary exposure by locally irradiating a charged particle beam to an exposure surface. It is proposed to calculate the trajectory deviation of the charged particle beam resulting from the charging of the exposure surface, and to correct the deflection angle of the charged particle beam based on this trajectory deviation.

일본특허공개제2002-158167호공보Japanese Patent Laid-Open No. 2002-158167

그러나, 전위 분포를 취득하기 위해 실제로 노광을 행하여 측정하고 있기 때문에 수고와 시간이 든다.However, since the exposure is actually performed in order to obtain the potential distribution, labor and time are required.

본 발명의 일 형태에 따르면, 하전 빔 제어 데이터에 기초한 하전 빔의 묘화에 의해 형성된 패턴을 갖는 포토마스크이며, 상기 하전 빔 제어 데이터는, 패턴 데이터 상의 묘화 영역에 복수의 보정점을 설정하고, 상기 패턴 데이터에 기초하여 하전 빔에 의한 묘화 시뮬레이션을 행하여, 상기 각 보정점을 묘화하는 시점에서, 이미 묘화가 완료되어 있는 묘화 완료 영역과, 아직 묘화가 행하여지고 있지 않은 미묘화 영역으로 상기 묘화 영역을 구분하고, 상기 패턴 데이터 중 상기 묘화 완료 영역에 속하는 패턴 데이터를 사용하여, 상기 각 보정점 주변에서의 포깅(fogging) 효과에 의한 제1 대전량 분포를 상기 각 보정점마다 도출하고, 상기 하전 빔이 조사된 위치에서는 상기 포깅 효과에 의한 대전량이 완화되는 효과에 기초하여, 상기 제1 대전량 분포를 수정한 제2 대전량 분포를 상기 각 보정점마다 도출하고, 상기 제2 대전량 분포에 기초하여, 상기 각 보정점에 있어서의 패턴 위치 편차량을 도출하고, 상기 패턴 위치 편차량에 기초하여, 패턴 위치의 보정 파라미터를 도출함으로써 작성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크가 제공된다.According to one aspect of the present invention, there is provided a photomask having a pattern formed by writing a charged beam based on charged beam control data, wherein the charged beam control data sets a plurality of correction points in a drawing area on the pattern data, and Based on the pattern data, the drawing simulation is performed by the charged beam, and at the time of writing each of the correction points, the drawing region is already drawn, and the drawing region is not drawn yet. Classifying and using the pattern data belonging to the drawing-completed area among the pattern data, a first charge amount distribution due to a fogging effect around each correction point is derived for each of the correction points, and the charged beam At this irradiated position, the first charge amount distribution is determined based on the effect of the charge amount due to the fogging effect being relaxed. A second charge amount distribution is derived for each of the correction points, and based on the second charge amount distribution, a pattern position deviation amount at each of the correction points is derived, and a pattern is calculated based on the pattern position deviation amount. A photomask is provided which is created by deriving a correction parameter of a position.

또한, 본 발명의 다른 일 형태에 따르면, 상기 포토마스크를 사용하여, 상기 포토마스크에 형성된 상기 패턴에 대응하는 패턴이 형성된 반도체 장치가 제공된다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a semiconductor device in which a pattern corresponding to the pattern formed on the photomask is formed using the photomask.

또한, 본 발명의 또 다른 일 형태에 따르면, 묘화용의 패턴 데이터를 입력하는 입력 장치와, 상기 패턴 데이터에 기초하여 하전 빔에 의한 묘화 시뮬레이션을 행하여, 상기 패턴 데이터 상의 묘화 영역에 복수 설정된 보정점에 있어서의 각 보정점을 묘화하는 시점에서, 이미 묘화가 완료되어 있는 묘화 완료 영역과, 아직 묘화가 행하여지고 있지 않은 미묘화 영역으로 상기 묘화 영역을 구분하는 처리와, 상기 패턴 데이터 중 상기 묘화 완료 영역에 속하는 패턴 데이터를 사용하여, 상기 각 보정점 주변에서의 포깅(fogging) 효과에 의한 제1 대전량 분포를 상기 각 보정점마다 도출하는 처리와, 상기 하전 빔이 조사된 위치에서는 상기 포깅 효과에 의한 대전량이 완화되는 효과에 기초하여, 상기 제1 대전량 분포를 수정한 제2 대전량 분포를 상기 각 보정점마다 도출하는 처리와, 상기 제2 대전량 분포에 기초하여, 상기 각 보정점에 있어서의 패턴 위치 편차량을 도출하는 처리와, 상기 패턴 위치 편차량에 기초하여, 패턴 위치의 보정 파라미터를 도출하는 처리를 실행하는 처리 장치와, 하전 빔원과, 상기 패턴 위치의 보정 파라미터에 기초하여, 상기 하전 빔원으로부터 발하여진 하전 빔을 편향 제어하는 편향기를 구비한 것을 특징으로 하는 하전 빔 묘화 장치가 제공된다.According to still another aspect of the present invention, there is provided an input device for inputting pattern data for drawing, a drawing simulation by a charged beam based on the pattern data, and a plurality of correction points set in a drawing area on the pattern data. At the time of drawing each correction point in the drawing, a process of dividing the drawing area into a drawing complete area which has already been drawn and an undrawing area that has not been drawn yet; Processing for deriving a first charge amount distribution for each of the correction points by using a fogging effect around each correction point using pattern data belonging to an area, and the fogging effect at the position where the charged beam is irradiated The correction points of the second charge amount distribution in which the first charge amount distribution is corrected, A process for deriving a pattern, a process for deriving the pattern position deviation amount at each of the correction points based on the second charge amount distribution, and a correction parameter for the pattern position based on the pattern position deviation amount A charged beam drawing apparatus is provided comprising a processing apparatus for executing a process, a deflector for deflecting a charged beam emitted from the charged beam source based on a charged beam source and a correction parameter of the pattern position.

도 1a는 기판 상에 형성된 레지스트에 묘화되는 패턴의 일례를 도시하고, 도 1b는 레지스트의 대전에 의한 하전 빔 입사 궤도의 편차를 도시하는 모식도.
도 2는 본 실시 형태에 관한 하전 빔 제어 데이터 작성 장치의 구성을 예시하는 블록도.
도 3은 본 실시 형태에 관한 하전 빔 제어 데이터 작성 방법의 흐름도.
도 4는 본 실시 형태에 있어서, 묘화 패턴 데이터 상의 묘화 영역을 도시하는 모식도.
도 5는 본 실시 형태에 있어서 사용하는 각종 함수의 일례를 도시하는 그래프.
도 6은 본 실시 형태에 관한 하전 빔 묘화 장치의 모식도.
도 7a 내지 도 7c는 본 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 도시하는 모식 단면도.FIG. 1A shows an example of a pattern drawn on a resist formed on a substrate, and FIG. 1B is a schematic diagram showing the deviation of the charge beam incident trajectory due to charging of the resist.
2 is a block diagram illustrating a configuration of a charged beam control data generating device according to the present embodiment.
3 is a flowchart of a charged beam control data generating method according to the present embodiment.
4 is a schematic diagram showing a drawing region on the drawing pattern data in the present embodiment.
5 is a graph showing an example of various functions used in the present embodiment.
6 is a schematic view of a charged beam writing apparatus according to the present embodiment.
7A to 7C are schematic cross-sectional views showing the semiconductor device manufacturing method of the present embodiment.

본 실시 형태에서는, 기판 상에 형성된 레지스트에 대하여, 하전 빔으로서 전자 빔을 조사하면서 원하는 패턴을 묘화하는 예에 대하여 설명한다.In this embodiment, the example which draws a desired pattern, irradiating an electron beam as a charged beam with respect to the resist formed on the board | substrate is demonstrated.

도 6은, 본 실시 형태에 관한 묘화 장치를 도시한다.6 shows a drawing device according to the present embodiment.

이 묘화 장치는, 하전 빔원인 전자 총(21)과, 편향기(22)와, 마스크 기판(1)을 유지하는 스테이지(23)와, 하전 빔 제어 데이터 작성 장치(20)를 갖는다.This drawing apparatus has the electron gun 21 which is a charged beam source, the deflector 22, the stage 23 holding the mask substrate 1, and the charged beam control data creation apparatus 20. As shown in FIG.

도 1a는, 기판(1) 상에 형성된 레지스트(5)에 묘화되는 패턴(2)의 일례를 도시한다. 패턴(2)의 묘화 영역은, 하전 빔의 편향 제어 범위 내인 복수의 영역(점선으로 나타냄) a로 구분된다.FIG. 1A shows an example of the pattern 2 drawn on the resist 5 formed on the substrate 1. The drawing region of the pattern 2 is divided into a plurality of regions (indicated by dashed lines) a within the deflection control range of the charged beam.

예를 들어, 우선 영역 a1 내가 하전 빔의 편향 가능 범위로 되도록, 기판(1)을 유지하는 스테이지(23)의 위치를 세트한 후, 묘화 장치의 편향기(22)에 의해 하전 빔 조사 위치를 제어하면서 영역 a1 내의 패턴을 묘화한다. 다음에, 영역 a2 내가 하전 빔의 편향 가능 범위로 되도록 스테이지(23)를 이동하고, 편향기(22)에 의해 하전 빔 조사 위치를 제어하면서 영역 a2 내의 패턴을 묘화한다. 이러한 동작을 각 영역 a에 대하여 반복하면서 원하는 패턴(2)의 묘화를 행한다.For example, first, after setting the position of the stage 23 holding the board | substrate 1 so that area | region a1 may become the deflectable range of a charged beam, the charged beam irradiation position is set by the deflector 22 of the drawing apparatus. The pattern in the area a1 is drawn while controlling. Next, the stage 23 is moved so that the area a2 is within the deflectable range of the charged beam, and the pattern in the area a2 is drawn while the charged beam irradiation position is controlled by the deflector 22. This operation is repeated for each area a, and the desired pattern 2 is drawn.

이때, 각 영역 a에 대한 조사마다 스테이지 이동을 한 후에, 일단 스테이지(23)를 정지하고, 대상 영역 a 내의 패턴 묘화를 행하고, 그 후 다음 묘화 대상 영역까지 스테이지(23)를 이동시키는 「스텝 앤드 리피트 방식」으로 행하여도 되고, 혹은 스테이지(23)를 정지시키지 않고 각 영역 a를 트래킹 동작에 의해 연속적으로 추종시키면서 묘화 동작을 행하는 「스테이지 연속 이동 방식」으로 행하여도 된다.At this time, after the stage movement is performed for each area a irradiation, the stage 23 is once stopped, the pattern writing in the target area a is performed, and then the stage 23 is moved to the next drawing target area. Repeat method ”or the“ stage continuous movement method ”in which the drawing operation is performed while continuously following each area a by the tracking operation without stopping the stage 23.

하전 빔의 편향 가능 영역을 순차적 혹은 연속적으로 이동하면서 기판 전체면에 대하여 묘화를 행하는 묘화 방식에서는, 레지스트(5)의 대전에 의한 패턴 위치 정밀도의 열화의 문제가 있다.In the drawing method which draws the whole surface of a board | substrate, moving the deflectable area | region of a charged beam sequentially or continuously, there exists a problem of deterioration of the pattern position precision by the charging of the resist 5.

도 1b는, 도 1a에 있어서의 인접하는 2 영역 a1과 a2의 단면을 도시한다. 여기서, 영역 a1에는 이미 하전 빔에 의한 묘화가 행하여지고, 영역 a2에는 아직 묘화가 행하여지고 있지 않은 것으로 한다.FIG. 1B shows a cross section of two adjacent regions a1 and a2 in FIG. 1A. In this case, it is assumed that the area a1 is already drawn by the charged beam, and the area a2 is not yet drawn.

일반적인 수지계 재료의 레지스트는 부도체이기 때문에, 하전 빔(전자 빔)의 조사를 이미 받은 영역 a1의 레지스트는 대전하고, 주변 영역에 전계(점선으로 모식적으로 나타냄)를 발생하고 있다. 이 전계의 영향은, 인접하는 미묘화 영역인 영역 a2에까지 미치고 있다. 이로 인해, 다음에 영역 a2를 묘화하기 위해 영역 a2에 입사한 전자 빔에 있어서는, 본래 원하고 있었던 궤도(실선)가, 영역 a1의 대전에 의해 발생한 전계에 의해, 1점 쇄선으로 나타낸 궤도와 같이 왜곡되게 된다. 결과적으로, 형성되는 패턴 위치의 편이가 발생하여 패턴 위치 정밀도가 열화된다.Since the resist of a general resin type material is an insulator, the resist of the area a1 which has already been irradiated with a charged beam (electron beam) is charged, and an electric field (represented by dashed lines) is generated in the peripheral area. The influence of this electric field extends to the area a2 which is an adjacent subtle area. For this reason, in the electron beam which entered the area a2 next to draw the area a2, the desired trajectory (solid line) is similar to the track indicated by the dashed-dotted line by the electric field generated by the charging of the area a1. It becomes distorted. As a result, the shift of the pattern position to be formed occurs and the pattern position precision deteriorates.

본 발명자 등에 의한 레지스트에의 대전 현상의 연구 결과에서는, 레지스트로 대전하는 전하는 포깅(fogging) 현상에 기인하여 발생하는 산란 전자에 의한 것이 주요인이며, 또한, 패턴 형성을 위해 조사된 전자는 포깅 현상에 의해 대전한 전하량을 완화시키는 역할을 하고 있는 것이라 고려된다는 결론을 얻는 것에 이르렀다.In the research results of the charging phenomenon to the resist by the inventors and the like, the charges to the resist are mainly caused by scattering electrons generated due to the fogging phenomenon, and the electrons irradiated for the pattern formation are affected by the fogging phenomenon. This led to the conclusion that it is considered to play a role in mitigating the charged amount.

포깅 현상이라 함은, 시료면에서의 쿨롬 반발에 의해 산란한 입사 전자가 시료면 주변의 구조체(전자기 렌즈 등)에 의해 반사ㆍ산란하여 다시 시료에 입사하는 현상이다.The fogging phenomenon is a phenomenon in which incident electrons scattered by the coulomb repulsion on the sample surface are reflected and scattered by a structure (electromagnetic lens or the like) around the sample surface and incident again on the sample.

따라서, 레지스트 차지 업에 의한 패턴 위치 편차의 보정을 행하기 위해서는, 포깅 효과에 의한 레지스트의 대전과, 조사 전하에 의한 대전량의 완화 효과를 고려하여, 보정 개소 주변에서의 대전량 분포를 산출하고, 이 대전량 분포를 기초로 보정 위치에서의 패턴 위치 편차량을 계산하는 것이 유효하다.Therefore, in order to correct the pattern position deviation due to resist charge-up, the charge amount distribution around the correction point is calculated in consideration of the charging of the resist due to the fogging effect and the relaxation effect of the charging amount due to the irradiation charge. It is effective to calculate the pattern position deviation amount at the corrected position based on this charge amount distribution.

도 2는, 본 실시 형태에 관한 하전 빔 제어 데이터 작성 장치(20)의 구성을 예시하는 블록도이다. 본 실시 형태에 관한 하전 빔 제어 데이터 작성 장치(20)는, 묘화용의 패턴 데이터를 입력하는 입력 장치(11)와, 연산 등의 각종 처리를 행하는 처리 장치(10)와, 처리 장치(10)에 의한 처리에 의해 얻어진 후술하는 보정 파라미터 등의 처리 결과를 출력하는 출력 장치(12)를 구비한다.2 is a block diagram illustrating a configuration of the charged beam control data generating device 20 according to the present embodiment. The charged beam control data generating device 20 according to the present embodiment includes an input device 11 that inputs pattern data for drawing, a processing device 10 that performs various processing such as calculation, and a processing device 10. The output device 12 which outputs processing results, such as a correction parameter mentioned later obtained by the process by this, is provided.

본 하전 빔 제어 데이터 작성 장치(20)는, 묘화 장치 또는 묘화 장치의 제어 시스템(하전 빔을 가속하는 고압 전원계, 하전 빔을 편향 제어하는 빔 제어계, 스테이지 제어계 등)과는 별도로 설치된 구성으로 해도 되고, 묘화 장치에 조립하거나, 혹은 묘화 장치의 제어 시스템이 본 실시 형태에 관한 하전 빔 제어 데이터 작성 장치를 겸용하는 구성으로 해도 된다. 묘화 장치의 제어 시스템에 본 실시 형태에 관한 하전 빔 제어 데이터 작성을 담당시키면, 일련의 묘화 공정에 있어서의 인라인 처리로서 보정 파라미터의 산출을 행할 수 있다. 또한, 산출된 보정 파라미터의 형태, 보정 파라미터의 묘화 장치로의 도입 방법에 대해서는, 개개의 시스템에 적합한 방법을 이용할 수 있다.The charged beam control data generating device 20 may be provided separately from the drawing apparatus or the control system of the drawing apparatus (a high-voltage power supply system for accelerating the charged beam, a beam control system for deflecting the charged beam, a stage control system, and the like). It is good also as a structure which may be assembled to a drawing apparatus, or the control system of a drawing apparatus also combines the charged-beam control data creation apparatus which concerns on this embodiment. If charge control data creation according to the present embodiment is in charge of the control system of the drawing device, the correction parameter can be calculated as an inline process in a series of drawing steps. In addition, the method suitable for an individual system can be used about the calculated form of the correction parameter, and the introduction method of the correction parameter to the drawing apparatus.

처리 장치(10)는, 입력 장치(11)를 통해 입력된 묘화 패턴 데이터를 기초로, 이하에 설명하는 일련의 처리를 실행한다. 이 일련의 처리는, 본 실시 형태에 관한 하전 빔 제어 데이터 작성 프로그램을 처리 장치(10)가 판독하여 그 프로그램의 명령하에 실행된다.The processing device 10 executes a series of processes described below based on the drawing pattern data input through the input device 11. This series of processes is executed by the processing apparatus 10 by reading the charged beam control data generating program according to the present embodiment and under the command of the program.

도 3은, 본 실시 형태에 관한 하전 빔 제어 데이터 작성 방법의 흐름도이다.3 is a flowchart of the charged beam control data generating method according to the present embodiment.

우선, 전술한 입력 장치(11)를 통해 묘화 패턴 데이터를 처리 장치(10)에 판독시킨다(스텝 S1). 본 실시 형태에서는, 예를 들어 도 4a에 도시한 패턴(2)의 묘화를 예시한다.First, the drawing pattern data is read into the processing device 10 through the above-described input device 11 (step S1). In this embodiment, drawing of the pattern 2 shown, for example in FIG. 4A is illustrated.

다음에, 도 4a에 도시한 바와 같이, 패턴 데이터 상의 묘화 영역에 복수의 보정점 P(검정색 동그라미로 나타냄)를 설정한다(스텝 S2). 도 4a에는, 등간격으로 격자점 형상으로 복수의 보정점 P가 설정된 예를 도시한다.Next, as shown in Fig. 4A, a plurality of correction points P (indicated by black circles) are set in the drawing area on the pattern data (step S2). 4A shows an example in which a plurality of correction points P are set in a grid point shape at equal intervals.

다음에, 복수의 보정점 P 중 임의의 1점을 선택한다(스텝 S3). 여기서는, 예를 들어 보정점 P1을 선택한 것으로 한다.Next, any one of the plurality of correction points P is selected (step S3). Here, for example, the correction point P1 is selected.

다음에, 패턴 데이터에 기초하여 하전 빔에 의한 묘화 시뮬레이션을 행하여, 도 4b에 도시한 바와 같이, 보정점 P1을 묘화하는 시점에서, 이미 묘화가 완료되어 있는 묘화 완료 영역 A1과, 아직 묘화가 행하여지고 있지 않은 미묘화 영역 A2로 구분한다(스텝 S4).Next, drawing simulation by the charged beam is performed based on the pattern data, and as shown in FIG. 4B, at the time of drawing the correction point P1, the drawing completed area A1 which has already been drawn and still drawing is performed. It divides into the non-studded drawing area A2 (step S4).

실제로 패턴(2)의 묘화를 행하는 데 있어서는, 묘화 순서를 나타내는 묘화 시퀀스가 설정되어 있다. 여기서는, 그 설정된 묘화 시퀀스에 기초하여, 보정점 P1을 묘화하는 시점에서, 이미 묘화가 완료되어 있는 묘화 완료 영역 A1과, 아직 묘화가 행하여지고 있지 않은 미묘화 영역 A2가 판별된다.In actual drawing of the pattern 2, a drawing sequence indicating the drawing sequence is set. Here, based on the set drawing sequence, at the time of drawing the correction point P1, the drawing completed area A1 which has already been drawn and the drawing area A2 which has not been drawn yet are discriminated.

다음에, 보정점 P1 주변에서의 포깅 효과에 의한 제1 대전량 분포를 산출한다(스텝 S5). 이때, 대전량 분포를 계산하는 데 사용하는 패턴 데이터로서는, 상기 스텝 S4에서의 구분에 의해 얻어진, 묘화 완료 영역 A1에 속하는 패턴 데이터만을 사용한다.Next, the first charge amount distribution due to the fogging effect around the correction point P1 is calculated (step S5). At this time, only the pattern data belonging to the drawing completed area | region A1 obtained by the division | segmentation in said step S4 is used as pattern data used for calculating charge quantity distribution.

포깅 효과에 의한 레지스트 표면 상에서의 대전량을 어림잡는 방법에 대해는, 포깅 효과에 의한 레지스트의 감광에 기인하는 패턴 치수를, 하전 빔 조사량을 변조하여 보정하는 것을 목적으로 하여 다양하게 제안되어 있고, 같은 방법을 이용하는 것이 가능하다.Various methods for estimating the charge amount on the resist surface by the fogging effect have been proposed in various ways for the purpose of correcting the pattern dimension resulting from the photosensitive of the resist due to the fogging effect by modulating the charge beam irradiation amount. It is possible to use the same method.

본 실시 형태에서는, 입사 빔의 산란 분포를 가우스 분포로 가정하여, 포깅 효과에 의한 제1 대전량 분포 함수 F1(x)를,In this embodiment, assuming that the scattering distribution of the incident beam is a Gaussian distribution, the first charge quantity distribution function F1 (x) based on the fogging effect is

F1(x)=(α/πσf2)∬D(x')exp(-(x-x')2/σf2)dx'F1 (x) = (α / πσf 2 ) ∬ D (x ') exp (-(x-x') 2 / σf 2 ) dx '

로 표현할 수 있다. 여기서, σf는 포깅 효과의 영향 반경, D(x')는 시료(레지스트)에의 전자 빔의 조사량 분포 함수(패턴 피복률의 분포 함수)이며, 전술한 묘화 완료 영역 A1에 속하는 패턴 데이터로부터 도출된다. α는 임의 계수이다.Can be expressed as Is the radius of influence of the fogging effect, and D (x ') is the dose distribution function (distribution function of the pattern coverage) of the electron beam to the sample (resist), and is derived from the pattern data belonging to the above described drawing area A1. . α is an arbitrary coefficient.

즉, 도 5a에 도시한 바와 같은 D(x')의 경우, 이에 대해 Gaussian에 의한 중첩 계산을 행함으로써, 도 5b에 도시한 바와 같은, 포깅 효과에 의한 제1 대전량 분포 함수 F1(x)가 얻어진다.That is, in the case of D (x ') as shown in Fig. 5A, the superposition calculation by Gaussian is performed on this, so that the first charge amount distribution function F1 (x) due to the fogging effect as shown in Fig. 5B. Is obtained.

다음에, 하전 빔이 조사된 위치에서는 포깅 효과에 의한 대전량이 완화되는 효과에 기초하여, 상기 제1 대전량 분포 함수 F1(x)를 수정하고, 제2 대전량 분포 함수 F2(x)를 산출한다(스텝 S6).Next, at the position where the charged beam is irradiated, the first charge quantity distribution function F1 (x) is corrected and the second charge amount distribution function F2 (x) is calculated based on the effect of the charge amount being relaxed by the fogging effect. (Step S6).

즉, 하전 빔(전자 빔)이 조사된 위치에서는, 타입된 전자에 의해, 포깅 효과에 의해 대전한 전하를 레지스트막 아래로 빠지게 하는 등 이동시켜 대전량이 완화된다(전하량이 감소된다)는 효과를 고려할 수 있고, 이것을 고려함으로써, 보다 실측값에 맞는 대전량 분포를 산출할 수 있다.That is, at the position where the charged beam (electron beam) is irradiated, the effect of reducing the charge amount (reduced charge amount) by moving the charged electrons by the fogging effect under the resist film is moved by the typed electrons. This can be considered, and by taking this into consideration, it is possible to calculate a charge amount distribution more suited to the measured value.

하전 빔 조사에 의한 대전량의 완화를 표현하는 함수를 fr(x)로 하고, F1(x)를 수정한 제2 대전량 분포 함수 F2(x)는,A function representing the relaxation of the charge amount due to charged beam irradiation is set to fr (x), and the second charge amount distribution function F2 (x) in which F1 (x) is modified is

F2(x)=F1(x)ㆍ∬D(x')fr(x-x')dx'로 표현할 수 있다. F2(x)의 일례를, 도 5c에 도시한다.F2 (x) = F1 (x) 占 D (x ') fr (x-x') dx '. An example of F2 (x) is shown in FIG. 5C.

다음에, 제2 대전량 분포 함수 F2(x)에 기초하여, 보정점 P1에 있어서의 패턴 위치 편차량을 산출한다(스텝 S7). 여기서, 패턴 위치 편차량은, 레지스트의 차지 업에 의해 발생한 전계의 영향에 의한, 본래의 하전 빔 조사 위치(초기 설정 위치)에 대한 하전 빔 조사 위치의 편차량을 나타낸다.Next, based on the second charge amount distribution function F2 (x), the pattern position deviation amount at the correction point P1 is calculated (step S7). Here, the pattern position deviation amount represents the amount of deviation of the charged beam irradiation position with respect to the original charged beam irradiation position (initial setting position) due to the influence of the electric field generated by the charge up of the resist.

본 실시 형태에서는, 미리 설정된 변환 함수와 제2 대전량 분포 함수 F2(x)와의 중첩 계산에 의해 패턴 위치 편차량을 구한다. 제2 대전량 분포 함수 F2(x)로부터 패턴 위치 편차량으로의 변환 함수를 fc(x)로 하면, 보정점 P1에 있어서의 패턴 위치 편차량 ΔPos(x)는,In this embodiment, the pattern position deviation amount is calculated by overlap calculation of the preset conversion function and the second charge amount distribution function F2 (x). When the conversion function from the second charge amount distribution function F2 (x) to the pattern position deviation amount is fc (x), the pattern position deviation amount ΔPos (x) at the correction point P1 is

ΔPos(x)=γ∬F2(x')fc(x-x')dx'로 표현할 수 있다. 여기서, γ는 임의 계수이다.ΔPos (x) = γ∬F2 (x ') fc (x-x') dx '. Is a random coefficient.

도 5d에, 패턴 위치 편차량 ΔPos(x)의 일례를 도시한다. 이것은, 전하량의 피크 위치를 사이에 둔 양측에서는, 하전 빔의 조사 위치가 역방향으로 어긋나는 것을 도시한다. 도 5e에 도시한 실제 위치 편차 분포와 비교하면, 대략 같은 경향의 분포가 얻어지고 있는 것을 알 수 있다.5D shows an example of the pattern position deviation amount ΔPos (x). This shows that the irradiation position of the charged beam is shifted in the reverse direction on both sides with the peak position of the charge amount therebetween. Compared with the actual positional deviation distribution shown in FIG. 5E, it can be seen that a distribution of approximately the same trend is obtained.

변환 함수 fc(x)와 제2 대전량 분포 함수 F2(x)와의 중첩 계산에 의해, 패턴 위치 편차량 ΔPos(x)를 구함으로써, 하전 빔의 궤도 시뮬레이션을 행하여 구하는 것보다도 계산을 간결하게 행할 수 있어, 계산 시간의 단축을 도모할 수 있고, 또한 계산 능력이 낮은 계산기(처리 장치)로도 실행 가능해진다.By calculating the pattern position deviation amount ΔPos (x) by the superposition calculation between the conversion function fc (x) and the second charge quantity distribution function F2 (x), the calculation can be made more concise than by calculating the trajectory simulation of the charged beam. It is possible to shorten the calculation time, and also to execute a calculator (processing device) having a low calculation power.

전술한 스텝 S3으로부터 스텝 S7까지의 처리를, 모든 보정점 P에 대하여 실행하고, 각 보정점 P에 있어서의 패턴 위치 편차량을 산출한다. 그리고, 전체 보정점 P에 대한 패턴 위치 편차량에 기초하여, 패턴 위치의 보정 파라미터를 산출한다(스텝 S8).The process from step S3 to step S7 mentioned above is performed with respect to all the correction points P, and the amount of pattern position deviation in each correction point P is calculated. Then, the correction parameter of the pattern position is calculated based on the pattern position deviation amount with respect to all correction points P (step S8).

그리고, 이상의 처리에 의해 얻어진 보정 파라미터를 도 6에 도시한 묘화 장치에 입력하고, 그 보정 파라미터에 기초하여 하전 빔 제어 데이터의 초기 설정값을 보정한다. 이 보정된 제어 데이터에 기초하여 하전 빔의 편향 제어를 행하여 묘화를 행함으로써, 레지스트 차지 업에 의한 패턴 위치 편차가 해소된 고정밀도의 포토마스크를 제조하는 것이 가능해진다. 패턴 묘화 후에는, 현상이 행하여지고, 도 7a에 도시한 바와 같이 원하는 패턴(차광막 혹은 하프톤막)(6)이 마스크 기판(1) 상에 형성된다.And the correction parameter obtained by the above process is input to the drawing apparatus shown in FIG. 6, and the initial setting value of the charged beam control data is correct | amended based on the correction parameter. By performing the deflection control of the charged beam on the basis of the corrected control data and drawing, it becomes possible to manufacture a high-precision photomask in which the pattern position deviation due to resist charge-up is eliminated. After pattern writing, development is performed, and a desired pattern (light shielding film or halftone film) 6 is formed on the mask substrate 1 as shown in Fig. 7A.

그리고, 이 포토마스크(7)를 사용하여, 도 7a에 도시한 바와 같이, 레지스트(9)가 형성된 반도체 웨이퍼(8)에 대한 노광이 행하여지고, 레지스트(9)에 패턴상이 전사된다. 그 후, 도 7b에 도시한 바와 같이, 현상을 행하여, 레지스트(9)를 패터닝하고, 그 레지스트 패턴(9)을 마스크로 하여, 도 7c에 도시한 바와 같이, 피가공막에 대한 에칭 등의 처리가 행하여진다. 이에 의해, 포토마스크(7)에 형성된 패턴(6)에 대응하는 패턴이 형성된 반도체 장치가 얻어진다. 본 실시 형태에 따르면 마스크 패턴 정밀도를 높일 수 있기 때문에, 결과적으로, 웨이퍼에 대한 처리 정밀도를 향상시켜 고품질의 제품을 제조할 수 있다.Using this photomask 7, the semiconductor wafer 8 on which the resist 9 is formed is exposed as shown in FIG. 7A, and the pattern image is transferred to the resist 9. Thereafter, as shown in FIG. 7B, development is performed to pattern the resist 9, and the resist pattern 9 is used as a mask, and as shown in FIG. 7C, such as etching of a process film. The process is performed. Thereby, the semiconductor device in which the pattern corresponding to the pattern 6 formed in the photomask 7 was formed is obtained. According to this embodiment, since the mask pattern precision can be improved, as a result, the processing precision with respect to a wafer can be improved and a high quality product can be manufactured.

또한, 본 실시 형태는, 하전 빔에 의해 패턴 묘화를 실제로 행한 후, 대전량을 측정함으로써 대전량 분포를 취득하는 것이 아니라, 입력된 패턴 데이터로부터 시뮬레이션에 의해 대전량 분포를 예측하므로, 효율적이고, 또한 저비용이다.In addition, in the present embodiment, since the charging amount distribution is not obtained by actually measuring the charging amount after the pattern drawing is performed by the charged beam, but the charging amount distribution is predicted by the simulation from the input pattern data, it is efficient, It is also low cost.

또한, 패턴 위치 편차량을 구하는 데 있어서는, 제2 대전량 분포 함수 F2(x)로부터, 전자기학에 따라서, 묘화 장치 구조체 등을 고려한 후에 하전 빔 조사 궤도를 차례로 시뮬레이션함으로써 구하여도 된다. 이 경우, 고정밀도로 패턴 위치 편차량을 구할 수 있다.In addition, in determining the pattern position deviation amount, it may be obtained from the second charge quantity distribution function F2 (x) by simulating the charged beam irradiation trajectory in order after considering the drawing device structure or the like in accordance with electromagnetics. In this case, the pattern position deviation amount can be obtained with high accuracy.

혹은, 제2 대전량 분포를 미분한 분포와, 미리 설정된 변환 함수를 사용하여, 패턴 위치 편차량을 구하여도 된다.Alternatively, the pattern position deviation amount may be obtained using a distribution obtained by differentiating the second charge amount distribution and a preset conversion function.

이 경우도, 전술한 방법과 마찬가지로, 스텝 S6까지 진행되고, 제2 대전량 분포 함수 F2(x)를 산출한다.Also in this case, it advances to step S6 similarly to the method mentioned above, and computes 2nd electric charge distribution function F2 (x).

다음에, F2(x)를 미분함으로써, 제3 분포 함수 F3(x)를 도출한다.Next, by differentiating F2 (x), the third distribution function F3 (x) is derived.

F3(x)는, F3(x)=dF2(x)/dx로 표현된다.F3 (x) is represented by F3 (x) = dF2 (x) / dx.

다음에, 제3 분포 함수 F3(x)에 기초하여, 보정점 P1에 있어서의 패턴 위치 편차량을 산출한다(스텝 S7').Next, based on the third distribution function F3 (x), the pattern position deviation amount at the correction point P1 is calculated (step S7 ').

본 실시 형태에서는, 제3 분포 함수 F3(x)의 출력을, 좌표 정보를 포함하지 않는 임의 파라미터 세트의 변환 함수에 입력함으로써, 패턴 위치 편차량을 도출한다.In the present embodiment, the amount of pattern position deviation is derived by inputting the output of the third distribution function F3 (x) into a conversion function of an arbitrary parameter set that does not include coordinate information.

변환 함수를, fc(Ai;x)(Ai는 임의 개수의 파라미터 세트, A1, A2, …, An을 나타냄. X는 입력 변수를 나타냄)로 한 경우, 보정점 P1에 있어서의 패턴 위치 편차량 ΔPos(x)는, ΔPos(x)=fc(Ai;F3(x))로 표현할 수 있다.Assuming that the conversion function is fc (Ai; x) (Ai represents any number of parameter sets, A1, A2, ..., An. X represents an input variable), the pattern position deviation amount at the correction point P1. ΔPos (x) can be expressed as ΔPos (x) = fc (Ai; F3 (x)).

일례로서, fc를 2차의 다항식으로 한 경우, 상기 식은,As an example, when fc is a second order polynomial, the above formula is

ΔPos(x)=A1+A2ㆍF3(x)+A3ㆍF3(x)ㆍF3(x)ΔPos (x) = A1 + A2 · F3 (x) + A3 · F3 (x) · F3 (x)

로 표현된다.Lt; / RTI >

변환 함수 fc는 더 고차의 다항식이어도 되고, 비선형 함수, 복소 함수, 초함수 등이어도 된다.The conversion function fc may be a higher-order polynomial, or may be a nonlinear function, a complex function, a superfunction, or the like.

전술한 스텝 S3으로부터 스텝 S7'까지의 처리를, 모든 보정점 P에 대하여 실행하여, 각 보정점 P에 있어서의 패턴 위치 편차량을 산출한다. 그리고, 전체 보정점 P에 대한 패턴 위치 편차량에 기초하여, 패턴 위치의 보정 파라미터를 산출한다(스텝 S8).The process from step S3 to step S7 'mentioned above is performed with respect to all the correction points P, and the amount of pattern position deviation in each correction point P is calculated. Then, the correction parameter of the pattern position is calculated based on the pattern position deviation amount with respect to all correction points P (step S8).

그리고, 이상의 처리에 의해 얻어진 보정 파라미터를 묘화 장치에 입력하고, 그 보정 파라미터에 기초하여 하전 빔 제어 데이터의 초기 설정값을 보정한다. 이 보정된 제어 데이터에 기초하여 하전 빔의 편향 제어를 행하여 묘화를 행함으로써, 레지스트 차지 업에 의한 패턴 위치 편차가 해소된 고정밀도의 포토마스크를 제조하는 것이 가능해진다. 패턴 묘화 후에는, 현상이 행하여져, 원하는 패턴이 마스크 기판 상에 형성된다.And the correction parameter obtained by the above process is input to a drawing apparatus, and the initial setting value of charged beam control data is correct | amended based on the correction parameter. By performing the deflection control of the charged beam on the basis of the corrected control data and drawing, it becomes possible to manufacture a high-precision photomask in which the pattern position deviation due to resist charge-up is eliminated. After pattern drawing, image development is performed and a desired pattern is formed on a mask substrate.

그리고, 이 마스크를 사용하여, 레지스트가 형성된 반도체 웨이퍼에 대한 노광이 행하여져, 레지스트에 패턴상이 전사된다. 그 후, 현상을 행하여, 레지스트를 패터닝하고, 그 레지스트 패턴을 마스크로 하여 피가공막에 대한 에칭 등의 처리가 행하여진다. 본 실시 형태에 따르면 마스크 패턴 정밀도를 높일 수 있기 때문에, 결과적으로, 웨이퍼에 대한 처리 정밀도를 향상시켜 고품질의 제품을 제조할 수 있다.Using this mask, exposure to a semiconductor wafer on which a resist is formed is performed, and a pattern image is transferred to the resist. Thereafter, development is performed to pattern the resist, and processing such as etching on the film to be processed is performed using the resist pattern as a mask. According to this embodiment, since the mask pattern precision can be improved, as a result, the processing precision with respect to a wafer can be improved and a high quality product can be manufactured.

전술한 각 실시 형태에 있어서는, 설명의 간편화를 위해 입력 좌표로서 x좌표만을 사용한 1차원 좌표계로의 표현을 취하고 있지만, 일반적으로는 입력 좌표는 2차원 좌표계로 표현되는 것이며, 결과적으로, 입력값, 출력값 모두 (x, y)라는 형태로 나타내어지는 벡터의 형태를 취하게 된다.In each of the above-described embodiments, a representation in a one-dimensional coordinate system using only x-coordinates is used as input coordinates for the sake of simplicity. However, in general, input coordinates are expressed in a two-dimensional coordinate system. As a result, input values, All of the outputs take the form of a vector of the form (x, y).

이상, 구체예를 참조하면서 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명하였다. 그러나, 본 발명은 그들에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 기술적 사상에 기초하여 다양한 변형이 가능하다.As mentioned above, embodiment of this invention was described referring a specific example. However, the present invention is not limited to them, and various modifications are possible based on the technical idea of the present invention.

본 발명은, 포토마스크의 제조에 한정되지 않고, EUV(Extreme Ultra Violet)광을 사용한 패턴 형성에 사용되는 반사형 마스크의 제조, 나노임프린트법에 의한 패턴 형성에서 사용되는 템플릿의 제조, 그 밖의 리소그래피 원판의 제조에 적용 가능하다. 혹은, 마스크나 템플릿을 사용하지 않고, 반도체 웨이퍼에 대하여 직접 하전 빔으로 패턴을 묘화하는 묘화법에도 본 발명은 적용 가능하다.The present invention is not limited to the manufacture of photomasks, but the production of reflective masks used for pattern formation using EUV (Extreme Ultra Violet) light, the production of templates used in pattern formation by the nanoimprint method, and other lithography Applicable to the manufacture of negatives. Or this invention is applicable also to the drawing method which draws a pattern with a charged beam directly with respect to a semiconductor wafer, without using a mask or a template.

또한, 하전 빔으로서는, 전자 빔에 한정되지 않고, 이온 빔 등의 그 밖의 하전 빔을 사용하는 것도 가능하다.The charged beam is not limited to the electron beam, but other charged beams such as an ion beam can also be used.

Claims (13)

하전 빔 제어 데이터에 기초한 하전 빔의 묘화에 의해 형성된 패턴을 갖는 포토마스크로서,
상기 하전 빔 제어 데이터는,
패턴 데이터 상의 묘화 영역에 복수의 보정점을 설정하고,
상기 패턴 데이터에 기초하여 하전 빔에 의한 묘화 시뮬레이션을 행하여, 상기 각 보정점을 묘화하는 시점에서, 이미 묘화가 완료되어 있는 묘화 완료 영역과, 아직 묘화가 행하여지고 있지 않은 미묘화 영역으로 상기 묘화 영역을 구분하고,
상기 패턴 데이터 중 상기 묘화 완료 영역에 속하는 패턴 데이터를 사용하여, 상기 각 보정점 주변에서의 포깅(fogging) 효과에 의한 제1 대전량 분포를 상기 각 보정점마다 도출하고,
상기 하전 빔이 조사된 위치에서는 상기 포깅 효과에 의한 대전량이 완화되는 효과에 기초하여, 상기 제1 대전량 분포를 수정한 제2 대전량 분포를 상기 각 보정점마다 도출하고,
상기 제2 대전량 분포에 기초하여, 상기 각 보정점에 있어서의 패턴 위치 편차량을 도출하고,
상기 패턴 위치 편차량에 기초하여, 패턴 위치의 보정 파라미터를 도출함으로써 작성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크.A photomask having a pattern formed by writing a charged beam based on charged beam control data,
The charged beam control data,
A plurality of correction points are set in the drawing area on the pattern data,
Based on the pattern data, a drawing simulation is performed by a charged beam, and at the time of drawing each of the correction points, a drawing completed area which has already been drawn and a drawing area which has not been drawn yet have been drawn. , Then
Using the pattern data belonging to the drawing completed area among the pattern data, a first charge amount distribution due to a fogging effect around each correction point is derived for each of the correction points,
At the position where the charged beam is irradiated, a second charge amount distribution in which the first charge amount distribution is corrected is derived for each of the correction points, based on the effect of the charge amount being relaxed by the fogging effect.
Based on the second charge amount distribution, the pattern position deviation amount at each of the correction points is derived,
A photomask, which is prepared by deriving a correction parameter of a pattern position based on the pattern position deviation amount. 제1항에 있어서, 상기 제1 대전량 분포를, 상기 묘화 영역에 대한 상기 하전 빔의 조사량 분포 함수와 가우스 함수와의 중첩 계산에 의해 도출하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.The photomask according to claim 1, wherein the first charge quantity distribution is derived by a superposition calculation between a dose distribution function and a Gaussian function of the charged beam with respect to the drawing region. 제1항에 있어서, 상기 패턴 위치 편차량을, 상기 제2 대전량 분포와 미리 설정된 변환 함수와의 중첩 계산에 의해 도출하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.The photomask according to claim 1, wherein the pattern position deviation amount is derived by superimposition calculation between the second charge amount distribution and a preset conversion function. 제1항에 있어서, 상기 패턴 위치 편차량을, 상기 제2 대전량 분포를 미분한 분포와 미리 설정된 변환 함수를 사용하여 도출하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.The photomask according to claim 1, wherein the pattern position deviation amount is derived using a distribution obtained by differentiating the second charge amount distribution and a preset conversion function. 제4항에 있어서, 상기 변환 함수는, 상기 묘화 영역의 좌표 정보를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 포토마스크.The photomask according to claim 4, wherein the conversion function does not include coordinate information of the drawing area. 제1항에 있어서, 상기 패턴 위치 편차량을, 상기 제2 대전량 분포에 기초하여, 상기 하전 빔의 궤도 시뮬레이션을 행함으로써 도출하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.The photomask according to claim 1, wherein the pattern position deviation amount is derived by conducting orbital simulation of the charged beam based on the second charge amount distribution. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 포토마스크를 사용하여, 상기 포토마스크에 형성된 상기 패턴에 대응하는 패턴이 형성된, 반도체 장치.The semiconductor device in which the pattern corresponding to the said pattern formed in the said photomask was formed using the photomask in any one of Claims 1-6. 하전 빔 묘화 장치로서,
묘화용의 패턴 데이터를 입력하는 입력 장치와,
상기 패턴 데이터에 기초하여 하전 빔에 의한 묘화 시뮬레이션을 행하여, 상기 패턴 데이터 상의 묘화 영역에 복수 설정된 보정점에 있어서의 각 보정점을 묘화하는 시점에서, 이미 묘화가 완료되어 있는 묘화 완료 영역과, 아직 묘화가 행하여지고 있지 않은 미묘화 영역으로 상기 묘화 영역을 구분하는 처리와, 상기 패턴 데이터 중 상기 묘화 완료 영역에 속하는 패턴 데이터를 사용하여, 상기 각 보정점 주변에서의 포깅(fogging) 효과에 의한 제1 대전량 분포를 상기 각 보정점마다 도출하는 처리와, 상기 하전 빔이 조사된 위치에서는 상기 포깅 효과에 의한 대전량이 완화되는 효과에 기초하여, 상기 제1 대전량 분포를 수정한 제2 대전량 분포를 상기 각 보정점마다 도출하는 처리와, 상기 제2 대전량 분포에 기초하여, 상기 각 보정점에 있어서의 패턴 위치 편차량을 도출하는 처리와, 상기 패턴 위치 편차량에 기초하여, 패턴 위치의 보정 파라미터를 도출하는 처리를 실행하는 처리 장치와,
하전 빔원과,
상기 패턴 위치의 보정 파라미터에 기초하여, 상기 하전 빔원으로부터 발하여진 하전 빔을 편향 제어하는 편향기를 구비한 것을 특징으로 하는 하전 빔 묘화 장치.As a charged beam drawing device,
An input device for inputting pattern data for drawing,
At the time of drawing drawing simulation by the charged beam based on the said pattern data, and drawing each correction point in the correction point set in multiple in the drawing area on the said pattern data, the drawing completion area | region already drawing already completed, and A process by which the drawing region is divided into undrawn regions, and pattern data belonging to the drawing completion region among the pattern data, and using a fogging effect around the respective correction points. A second charge amount in which the first charge amount distribution is corrected based on a process of deriving one charge amount distribution for each of the correction points and an effect of reducing the charge amount due to the fogging effect at the position where the charged beam is irradiated; A process for deriving a distribution for each of the correction points and a pattern at each of the correction points based on the second charge amount distribution. And a processing apparatus for value Pt based on the processing, and the pattern position shift amount for deriving a vehicle, a process of deriving a correction parameter of the pattern position,
The charged beam source,
And a deflector for deflecting the charged beam emitted from the charged beam source based on the correction parameter of the pattern position. 제8항에 있어서, 상기 처리 장치는,
상기 제1 대전량 분포를, 상기 묘화 영역에 대한 상기 하전 빔의 조사량 분포 함수와 가우스 함수와의 중첩 계산에 의해 도출하는 것을 특징으로 하는 하전 빔 묘화 장치.The method of claim 8, wherein the processing apparatus,
The first charged amount distribution is derived by a superposition calculation of a dose distribution function and a Gaussian function of the charged beam with respect to the drawing region. 제8항에 있어서, 상기 처리 장치는,
상기 패턴 위치 편차량을, 상기 제2 대전량 분포와 미리 설정된 변환 함수와의 중첩 계산에 의해 도출하는 것을 특징으로 하는 하전 빔 묘화 장치.The method of claim 8, wherein the processing apparatus,
The pattern beam deviation apparatus is derived by superimposition calculation of the second charge amount distribution and a preset conversion function. 제8항에 있어서, 상기 처리 장치는,
상기 패턴 위치 편차량을, 상기 제2 대전량 분포를 미분한 분포와 미리 설정된 변환 함수를 사용하여 도출하는 것을 특징으로 하는 하전 빔 묘화 장치.The method of claim 8, wherein the processing apparatus,
A charged beam drawing apparatus, wherein the pattern position deviation amount is derived using a derivative obtained by differentiating the second charge amount distribution and a preset conversion function. 제11항에 있어서, 상기 변환 함수는, 상기 묘화 영역의 좌표 정보를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 하전 빔 묘화 장치.The charged beam drawing apparatus according to claim 11, wherein the transform function does not include coordinate information of the drawing area. 제8항에 있어서, 상기 처리 장치는,
상기 패턴 위치 편차량을, 상기 제2 대전량 분포에 기초하여, 상기 하전 빔의 궤도 시뮬레이션을 행함으로써 도출하는 것을 특징으로 하는 하전 빔 묘화 장치.The method of claim 8, wherein the processing apparatus,
The charged beam drawing apparatus is derived by performing an orbital simulation of the charged beam based on the second charge amount distribution.
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