KR20100092111A - Apparatus for fabricating solar cell and method for fabricating solar cell uesing the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: The manufacturing method of the manufacturing device of the solar battery and solar battery using the same forms the thin film patterns of the solar battery on the predetermined position. CONSTITUTION: The camera(110) in advance takes a photograph of the location examining laser. The laser-irradiated region(120) examines laser in the thin film material. The error determining unit(130) decides error between the search point of the laser which in advance in advance records with the fixed the laser irradiation route and camera. It controls the laser-irradiated region and the controller(140) revises error.

Description

태양전지의 제조장치 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법{Apparatus For Fabricating Solar Cell And Method For Fabricating Solar Cell Uesing the same} Apparatus For Fabricating Solar Cell And Method For Fabricating Solar Cell Uesing the same}

본 발명은 태양전지에 관한 것으로 특히, 태양전지의 제조 공정에서의 불량을 방지할 수 있는 태양전지의 제조장치 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell, and more particularly, to a manufacturing apparatus of a solar cell capable of preventing defects in the manufacturing process of the solar cell and a method of manufacturing a solar cell using the same.

일반적으로 태양전지는 태양에너지를 전기에너지로 변환시켜주는 반도체 소자로써 p형의 반도체와 n형의 반도체의 접합형태를 가지며 그 기본구조는 다이오드와 동일하다. 대부분 보통의 태양전지는 대면적의 pn 접합 다이오드(pn junction diode)로 이루어져 있으며, 광전 에너지 변환(photovoltaic energy conversion)을 위해 태양전지가 기본적으로 갖춰야 하는 요건은 반도체 구조 내에서 전자들이 비대칭적으로 존재해야 한다는 것이다. 즉, n형 반도체 영역은 큰 전자밀도(electron density)와 작은 정공밀도(holedensity)를 가지고 있고 p형 반도체 영역은 그와 정반대로 이루어져 있다. 따라서, 열적 평형상태에서 p형 반도체와 n형 반도체의 접합으로 이루어진 다이오드에서는 캐리어(carrier)의 농도 구배에 의한 확산으로 전하의 불균형이 생기고, 이 때문에 전기장(electric field)이 형성되어 더 이상 캐 리어의 확산이 일어나지 않게 된다. 이때, pn 접합 다이오드에 그물질의 전도대(conduction band)와 가전자대(valence band) 사이의 에너지 차이인 밴드 갭 에너지(band gap energy) 이상의 빛을 가했을 경우, 빛 에너지를 받은 전자들은 가전자대에서 전도대로 여기(excite) 되게 된다. 이때, 전도대로 여기된 전자들은 자유롭게 이동할 수 있게 되며, 가전자대에는 전자들이 빠져나간 자리에 정공이 생성된다. 이것을 과잉(excess) 캐리어라고 하며 상기 과잉 캐리어들은 전도대 또는 가전자대 내에서 농도차이에 의해서 확산하게 된다. 이때, p형 반도체에서 여기된 전자들과 n형 반도체에서 만들어진 정공을 각각의 소수캐리어(minority carrier)라고 부르며, 기존 접합 전의 p형 또는 n형 반도체내의 캐리어(즉, p형의 정공 및 n형의 전자)는 이와 구분해 다수캐리어(majority carrier)라고 부른다. 이때, 상기 다수캐리어들은 전기장으로 인한 에너지 장벽(energy barrier) 때문에 흐름의 방해를 받지만 p형의 소수캐리어인 전자는 n형 쪽으로 이동할 수 있게 된다. 상기 소수캐리어의 확산에 의해 pn 접합 다이오드 내부에 전압차(potential drop)가 생기게 되며, 상기 pn 접합 다이오드의 양극단에 발생된 기전력을 외부 회로에 연결하면 태양전지로서 작용하게 된다.In general, a solar cell is a semiconductor device that converts solar energy into electrical energy, and has a junction type of a p-type semiconductor and an n-type semiconductor. The basic structure is the same as that of a diode. Most ordinary solar cells consist of large area pn junction diodes, and the basic requirement for solar cells for photovoltaic energy conversion is that the electrons are asymmetric in the semiconductor structure. It should be. In other words, the n-type semiconductor region has a large electron density and a small hole density, and the p-type semiconductor region is formed in the opposite direction. Therefore, in the thermal equilibrium, a diode composed of a junction of a p-type semiconductor and an n-type semiconductor has an imbalance of electric charge due to diffusion due to a concentration gradient of carriers, and thus an electric field is formed so that a carrier no longer exists. Does not occur. In this case, when light is applied to the pn junction diode above the band gap energy, which is the energy difference between the conduction band and the valence band of the material, the electrons subjected to the light energy are transferred from the valence band to the conduction band. Here it is. At this time, the electrons excited by the conduction band can move freely, and holes are generated in the valence band where electrons escape. This is called an excess carrier, and the excess carriers diffuse by concentration differences in the conduction band or the valence band. At this time, electrons excited in the p-type semiconductor and holes made in the n-type semiconductor are called respective minority carriers, and carriers in the p-type or n-type semiconductor (ie, p-type holes and n-type semiconductors) before conventional bonding are formed. The former is called a majority carrier. At this time, the majority carriers are disturbed by the flow due to the energy barrier due to the electric field, but electrons, which are p-type minority carriers, can move toward the n-type. The diffusion of the minority carrier causes a potential drop in the pn junction diode, and when the electromotive force generated at the anode terminal of the pn junction diode is connected to an external circuit, it acts as a solar cell.

한편, 실리콘을 이용한 태양전지는 크게 단결정(single crystal) 형태와 다결정 (polycrystalline) 형태의 재료로 나뉘며 기본적으로 pn 동종접합(homojunction)으로서 태양전지에 사용된다. 단결정은 순도가 높고 결정 결함밀도가 낮은 고품위의 재료로서 높은 효율을 달성할 수 있으나 고가이고, 다결정 재료는 상대적으로 낮은 비용으로 상용화가 가능한 정도의 효율의 전지를 제조할 수 있다.On the other hand, solar cells using silicon are largely divided into single crystal and polycrystalline materials and are basically used in solar cells as pn homojunctions. Single crystal is a high quality material with high purity and low crystal defect density, which can achieve high efficiency, but is expensive, and polycrystalline material can manufacture a battery having an efficiency that can be commercialized at a relatively low cost.

이러한, 태양전지는 기판 상에 순차적으로 형성된 제1 전극(또는 "애노드 전극" 이라 한다), 반도체 패턴 및 제2 전극(또는 "캐소드 전극" 이라 한다.)으로 구성되고, 필요한 양의 전기를 공급하기 위하여 다수개의 서브 태양전지들이 직렬로 연결된 구조를 갖는다. 그리고, 종래의 태양전지의 제1 전극, 반도체 패턴 및 제2 전극들은 포토리쏘그래피 공정이 아닌 레이저를 이용하여 형성된다. 예를 들어, 기판 상에 투명전극 물질을 증착하고 제거하고자 하는 영역에 레이저 빔을 조사하여 특정부위를 제거하는 방법으로 제1 전극을 형성한다. 그러나, 레이저 빔을 이용한 조사방법은 기판의 위치가 다소 흐트러지거나 레이저 조사 공정에서의 오차 등에 비정상적인 박막 패턴이 형성됨에 따라 태양전지의 제조공정에서의 불량이 발생 된다. Such a solar cell is composed of a first electrode (or "anode electrode"), a semiconductor pattern and a second electrode (or "cathode electrode") sequentially formed on a substrate, and supplies a required amount of electricity. In order to have a plurality of sub solar cells are connected in series. In addition, the first electrode, the semiconductor pattern, and the second electrodes of the conventional solar cell are formed using a laser rather than a photolithography process. For example, the first electrode is formed by depositing a transparent electrode material on a substrate and irradiating a laser beam to a region to be removed to remove a specific portion. However, in the irradiation method using the laser beam, a defect occurs in the manufacturing process of the solar cell as the position of the substrate is somewhat disturbed or an abnormal thin film pattern is formed in the laser irradiation process.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로 특히, 태양전지의 박막 패턴들을 정 위치에 형성하여 제조 공정에서의 불량을 방지할 수 있는 태양전지의 제조장치 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법을 제공하는 데 있다. The present invention is to solve the above problems, in particular, to provide a solar cell manufacturing apparatus and a method for manufacturing a solar cell using the same to form a thin film pattern of the solar cell in place to prevent defects in the manufacturing process. There is.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 태양전지의 제조장치는 박막 물질을 증착하는 증착 장치와; 상기 박막 물질에 레이저를 조사하는 레이저 장치를 포함하고, 상기 레이저 장치는 레이저가 조사될 위치를 미리 촬영하 는 카메라와; 레이저를 상기 박막 물질에 조사하는 레이저 조사부와; 상기 카메라로부터 촬영된 지점의 위치정보를 이용하여 미리 설정된 레이저 조사경로와 상기 카메라에 의해 미리 촬영된 레이저의 조사지점 간의 오차를 레이저 조사 전에 판단하는 오차 판단부와; 상기 레이저 조사부를 제어하여 상기 오차를 보정하고 상기 보정된 결과에 따라 레이저를 조사시키는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.An apparatus for manufacturing a solar cell according to an embodiment of the present invention for achieving the above object includes a deposition apparatus for depositing a thin film material; A laser device for irradiating a laser onto the thin film material, the laser device comprising: a camera for photographing a position to be irradiated with a laser in advance; A laser irradiator for irradiating a laser onto the thin film material; An error determination unit that determines an error between a laser irradiation path preset in advance by using the position information of the point photographed by the camera and an irradiation point of the laser photographed by the camera before laser irradiation; And controlling the laser irradiation unit to correct the error and irradiate the laser according to the corrected result.

상기 카메라는 상기 레이저 조사부의 진행방향에서 상기 레이저 장치의 앞쪽에 설치되고 상기 레이저 조사부는 상기 레이저 장치의 뒤쪽 설치되는 것을 특징으로 한다.The camera is installed in the front of the laser device in the advancing direction of the laser irradiation unit, characterized in that the laser irradiation unit is installed behind the laser device.

본 발명에 따른 태양전지의 제조방법은 기판 위에 일정 간격을 두고 위치하는 라인 형태의 제1 홀들을 형성함과 아울러 상기 제1 홀들에 의해 전기적으로 분리되는 제1 전극들을 형성하는 제1 단계와; 상기 제1 전극을 노출시키고 일정 간격을 두고 위치하며 상기 제1 홀들과 나란한 제2 홀들을 형성함과 아울러 상기 제2 홀들에 의해 전기적으로 분리되는 반도체 패턴들을 형성하는 제2 단계와; 상기 반도체 패턴을 노출시키고 일정 간격을 두고 위치하며 상기 제2 홀과 나란한 제3 홀들을 형성함과 아울러 상기 제3 홀들에 의해 전기적으로 분리되는 제2 전극을 형성하는 제3 단계를 포함하고, 상기 제1 내지 제3 단계는 박막 물질을 증착하는 단계와; 레이저가 조사되기 전에 카메라를 이용하여 레이저의 조사경로를 미리 촬영하는 단계와; 미리 설정된 레이저 조사경로와 상기 카메라에 의해 촬영된 레이저의 조사경로 간의 오차를 레이저 조사 전에 판단하는 단계와; 상기 오차를 보정하여 상기 미리 설정된 레이저 조사경로로 레이저가 조사되는 단계를 포함하는 것을 특 징으로 한다. A method of manufacturing a solar cell according to the present invention includes a first step of forming first holes in a line shape positioned at predetermined intervals on a substrate and forming first electrodes electrically separated by the first holes; A second step of exposing the first electrode and spaced apart from each other and forming second holes parallel to the first holes, and forming semiconductor patterns electrically separated by the second holes; And forming a third hole exposing the semiconductor pattern and spaced apart from each other, the third holes being parallel to the second hole, and forming a second electrode electrically separated by the third holes. The first to third steps include depositing a thin film material; Photographing the irradiation path of the laser in advance using a camera before the laser is irradiated; Determining an error between a preset laser irradiation path and an irradiation path of a laser photographed by the camera before laser irradiation; And correcting the error so that the laser is irradiated with the preset laser irradiation path.

상기 레이저의 조사경로를 미리 촬영하는 단계, 상기 오차를 레이저 조사전에 판단하는 단계 및 상기 오차를 보정하는 단계는 상기 레이저 조사공정이 종료될때까지 반복되는 것을 특징으로 한다.The step of photographing the irradiation path of the laser in advance, the step of determining the error before the laser irradiation and the step of correcting the error is characterized in that it is repeated until the laser irradiation process is finished.

상기 제1 내지 제3 홀은 상기 박막 물질에 상기 레이저가 조사되어 형성되는 것을 특징으로 한다.The first to third holes may be formed by irradiating the laser on the thin film material.

본 발명의 실시 예에 따른 태양전지의 제조장치 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법은 레이저가 조사되기 전에 레이저가 조사될 영역을 촬영하고 촬영결과를 이용하여 실제 레이저가 조사될 때 발생될 오차를 보정함으로써 사용자가 미리 설정한 레이저 조사경로에 레이저가 정확하게 조사될 수 있게 된다. 그 결과, 태양전지를 구성하는 박막들이 정 위치에 정확하게 형성될 수 있게 됨에 따라 제조 공정에서의 불량을 방지할 수 있게 된다.An apparatus for manufacturing a solar cell and a method for manufacturing a solar cell using the same according to an exemplary embodiment of the present invention photograph an area to be irradiated before the laser is irradiated and correct an error generated when the actual laser is irradiated using the photographing result. As a result, the laser can be accurately irradiated to the laser irradiation path preset by the user. As a result, the thin films constituting the solar cell can be accurately formed in position, thereby preventing defects in the manufacturing process.

이하, 상기와 같은 특징을 갖는 본 발명의 실시 예에 따른 태양전지의 제조장치 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, a solar cell manufacturing apparatus and a manufacturing method of a solar cell using the same according to an embodiment of the present invention having the above characteristics will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 1은 본 발명에서의 태양전지를 나타내는 단면도이다. First, FIG. 1 is sectional drawing which shows the solar cell in this invention.

도 1을 참조하면, 태양전지는 기판(200) 위에 순차적으로 적층된 제1 전극(10), 반도체 패턴(20) 및 제2 전극(30)으로 이루어지는 서브 태양전지(P)가 직 렬로 연결된 구조를 갖는다. 직렬연결방법은 제1 서브 태양전지(P1)의 제2 전극(30)은 제2 서브 태양전지(P2)의 제1 전극(10)과 접속되고, 제2 서브 태양전지(P2)의 제2 전극(30)은 제3 서브 태양전지(P3)의 제1 전극(10)과 접속됨으로써 제1 내지 제3 서브 태양전지(P1,P2,P3)는 직렬로 접속된다. 제1 전극(10)들은 라인 형태로 형성된 제1 홀(12)에 의해 전기적으로 분리되고, 반도체 패턴(20)들은 라인 형태로 형성된 제2 홀(22)에 의해 전기적으로 분리되고, 제3 전극(30)들은 라인 형태로 형성된 제3 홀(32)에 의해 전기적으로 분리된다. 그리고, 제1 내지 제3 홀(12,22,32) 들은 서로 나란하게 형성된다. Referring to FIG. 1, a solar cell has a structure in which a sub solar cell P including a first electrode 10, a semiconductor pattern 20, and a second electrode 30 sequentially stacked on a substrate 200 is connected in series. Has In the series connection method, the second electrode 30 of the first sub solar cell P1 is connected to the first electrode 10 of the second sub solar cell P2 and the second of the second sub solar cell P2 is connected. The electrode 30 is connected to the first electrode 10 of the third sub solar cell P3 so that the first to third sub solar cells P1, P2, and P3 are connected in series. The first electrodes 10 are electrically separated by the first hole 12 formed in a line shape, and the semiconductor patterns 20 are electrically separated by the second hole 22 formed in a line shape, and the third electrode The 30 are electrically separated by the third hole 32 formed in the form of a line. The first to third holes 12, 22, and 32 are formed to be parallel to each other.

본 발명에 따른 태양전지의 제조장치는 기판(200) 상에 박막 물질을 증착하기 위한 증착장치와, 기판(200) 상에 증착된 박막 물질을 레이저를 이용하여 패터닝하기 위한 레이저 장치를 포함한다. The solar cell manufacturing apparatus according to the present invention includes a deposition apparatus for depositing a thin film material on the substrate 200, and a laser apparatus for patterning the thin film material deposited on the substrate 200 using a laser.

증착장치로는 화학기상증착 장치, 스퍼터링 장치 등 증착하고자 하는 물질에 따라 여러가지 증착장치가 이용될 수 있다. Various vapor deposition apparatuses may be used as the vapor deposition apparatus according to a material to be deposited, such as a chemical vapor deposition apparatus and a sputtering apparatus.

레이저 장치는 박막 물질에 레이저를 조사하여 원하는 형상의 박막 패턴을 형성할 수 있는 장치로써 도 2에 나타내었다. The laser device is shown in FIG. 2 as a device capable of forming a thin film pattern having a desired shape by irradiating a laser to the thin film material.

도 2는 레이저 장치(100)가 기판(200)의 배면(200a)으로 레이저(22)를 조사하고 레이저는 기판(200)을 경유하여 박막물질(10a)에 조사됨을 나타내고 있다. 2 shows that the laser device 100 irradiates the laser 22 to the back surface 200a of the substrate 200 and the laser is irradiated onto the thin film material 10a via the substrate 200.

도 2를 참조하면, 레이저 장치(100)는 CCD 카메라(110)와, 레이저(122)가 조사되는 레이저 조사부(120), 오차 판단부(130) 및 제어부(140)를 포함한다. Referring to FIG. 2, the laser device 100 includes a CCD camera 110, a laser irradiator 120 to which the laser 122 is irradiated, an error determiner 130, and a controller 140.

CCD 카메라(110)는 레이저 장치의 진행 방향의 앞쪽에 위치하여 레이저가 조 사될 레이저 조사경로를 미리 촬영한다. 그리고, CCD 카메라(110)는 촬영된 조사경로의 위치정보를 오차 판단부(130)에 공급하는 역할을 한다. 여기서, 위치정보는 예를 들어, X 방향(가로방향)에서의 좌표 및 Y 방향(세로방향)에서의 좌표를 나타낸다. The CCD camera 110 is located in front of the advancing direction of the laser device to photograph the laser irradiation path to be irradiated with the laser in advance. In addition, the CCD camera 110 supplies position information of the photographed irradiation path to the error determining unit 130. Here, the positional information indicates coordinates in the X direction (horizontal direction) and coordinates in the Y direction (vertical direction), for example.

오차 판단부(130)에는 미리 설정된 레이저 조사경로에 대한 위치 정보가 저장되어 있다. 이에 따라, 오차 판단부(130)는 미리 설정된 레이저 조사경로에 대한 위치정보와 CCD 카메라(110)로부터 촬영된 지점의 위치정보를 이용하여 미리 설정된 레이저 조사경로와 레이저 조사부(120)로부터 조사될 레이저의 조사지점 간의 오차를 미리 판단한다. The error determining unit 130 stores position information on a preset laser irradiation path. Accordingly, the error determination unit 130 uses the position information of the preset laser irradiation path and the position information of the point photographed by the CCD camera 110 to set the laser irradiation path and the laser to be irradiated from the laser irradiation unit 120. Pre-determine the error between survey points.

제어부(140)는 레이저 조사부(120)의 구동 및 위치를 제어한다. 또한, 제어부(140)는 오차 판단부(130)로부터 판단된 오차를 이용하여 레이저 조사부(120)로부터 출사되는 레이저의 조사경로를 보정하여 레이저(22)를 조사시킨다. The controller 140 controls the driving and the position of the laser irradiation unit 120. In addition, the control unit 140 irradiates the laser 22 by correcting the irradiation path of the laser emitted from the laser irradiation unit 120 using the error determined by the error determining unit 130.

레이저 조사부(120)는 레이저 장치의 진행방향의 뒤쪽에 위치하며 제어부(140)의 제어하에 도 1에 도시된 바와 같이 기판(200) 위에 형성된 박막(10a)에 레이저(22)를 조사한다. 여기서, 레이저(122)가 조사되는 영역은 도 1에서의 제1 내지 제3 홀(12,22,32)이 형성될 영역이다. The laser irradiator 120 is positioned behind the traveling direction of the laser device and irradiates the laser 22 to the thin film 10a formed on the substrate 200 as shown in FIG. 1 under the control of the controller 140. Here, the region to which the laser 122 is irradiated is the region where the first to third holes 12, 22, and 32 are to be formed in FIG. 1.

이하, 도 2에 도시된 레이저 장치를 이용한 태양전지의 제조방법을 도 3에 도시된 흐름도 및 도 4a 내지 4c를 참조하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, a method of manufacturing a solar cell using the laser device shown in FIG. 2 will be described with reference to the flowchart shown in FIG. 3 and FIGS. 4A to 4C.

먼저, 기판(200) 상에 스퍼터링 등의 증착방법을 이용하여 투명 전도성 산화물(TCO:transparent conductive oxide) 증착한다. First, transparent conductive oxide (TCO) is deposited on the substrate 200 using a deposition method such as sputtering.

이후, 레이저 조사를 시작하기 전에 먼저 CCD 카메라(110)는 미리 설정된 레이저 조사경로의 시작 좌표를 확인한다.(S10) 그리고, CCD 카메라(110)가 촬영하는 지점이 미리 설정된 레이저 조사경로의 시작점이라 판단되면 레이저 조사부(120)로부터 레이저(22)가 조사되면서 레이저 조사공정이 실시된다.(S12) 그리고, 레이저 공정이 진행되는 동안 레이저(22)가 조사될 영역은 미리 CCD 카메라(110)에 의해 지속적으로 촬영되고(S14) 촬영된 위치 정보 또는 좌표 정보는 즉시 오차 판단부(130)로 공급된다.(S16) Thereafter, before starting the laser irradiation, the CCD camera 110 first checks the start coordinates of the preset laser irradiation path (S10). The point photographed by the CCD camera 110 is a starting point of the preset laser irradiation path. If it is determined that the laser 22 is irradiated from the laser irradiator 120, the laser irradiation process is performed (S12). The area to be irradiated with the laser 22 during the laser process is previously performed by the CCD camera 110. Continuously photographed (S14) and the photographed position information or coordinate information is immediately supplied to the error determining unit 130 (S16).

오차 판단부(130)는 미리 설정된 레이저 조사경로에 대한 위치 정보와 CCD 카메라(110)로부터 촬영된 지점의 위치정보를 이용하여 미리 설정된 레이저 조사경로와 레이저 조사부(120)로부터 조사될 레이저의 조사지점 간의 오차를 미리 판단한다.(S18) 그리고, 제어부(140)는 오차 판단부(130)로부터 판단된 오차를 이용하여 레이저 조사부(120)로부터 출사되는 레이저의 조사지점을 보정하여 레이저를 조사시킨다.(S20) 이후, S14 단계 및 S20 단계가 반복적으로 진행됨에 따라 홀을 형성하기 위해 미리 설정된 레이저 조사경로에 레이저(122)가 정확하게 조사될 수 있게 된다. 이에 따라, 도 4a에 도시된 바와 같이 기판(200)의 배면 방향으로 레이저(122)가 조사된다. 여기서, 레이저(122)가 조사되는 레이저 조사경로는 제1 홀(12)들이 형성될 영역이다. 이후, 레이저 조사공정이 종료되면 도 4b에 도시된 바와 같이 기판(200)을 노출시키는 라인 형태의 제1 홀(12) 및 제1 전극(10)이 기판(200) 상에 정상적으로 형성될 수 있게 된다. The error judging unit 130 uses the predetermined position information of the laser irradiation path and the position information of the point photographed by the CCD camera 110 to set the laser irradiation path and the irradiation point of the laser to be irradiated from the laser irradiation unit 120. (S18) And the controller 140 corrects the irradiation point of the laser emitted from the laser irradiation unit 120 to irradiate the laser by using the error determined by the error determination unit 130. After S20, as the steps S14 and S20 are repeatedly performed, the laser 122 can be accurately irradiated to the laser irradiation path preset to form the hole. Accordingly, as shown in FIG. 4A, the laser 122 is irradiated in the rear direction of the substrate 200. Here, the laser irradiation path to which the laser 122 is irradiated is an area where the first holes 12 are to be formed. Thereafter, when the laser irradiation process is completed, as shown in FIG. 4B, the first hole 12 and the first electrode 10 having a line shape exposing the substrate 200 may be normally formed on the substrate 200. do.

제1 전극(10)이 형성된 기판(200) 상에 P형 반도체, 진성(intrinsic) 반도체 및 n형 반도체가 순차적으로 적층 된다. The P-type semiconductor, the intrinsic semiconductor, and the n-type semiconductor are sequentially stacked on the substrate 200 on which the first electrode 10 is formed.

이후, S10 단계 내지 S20 단계의 과정을 반복함에 따라 도 4c에 도시된 바와 같이 제1 전극(10)을 노출시키는 라인형태의 제2 홀(22) 및 반도체 패턴(20)이 형성된다. Subsequently, as the processes of steps S10 to S20 are repeated, a second hole 22 and a semiconductor pattern 20 having a line shape exposing the first electrode 10 are formed as shown in FIG. 4C.

반도체 패턴(20)이 형성된 기판(200) 상에 알루미늄(Al), 알루미늄네오듐(AlNd) 등의 금속물질이 증착된 후 S10 단계 내지 S20 단계의 과정을 다시 반복함에 따라 도 1에 도시된 바와 같이 반도체 패턴(20)을 노출시키는 라인형태의 제3 홀(32) 및 제2 전극(30)이 형성된다. 여기서, 앞단 서브 태양전지(P)의 제2 전극(20)은 제2 홀(22)을 통해 다음 단 서브 태양전지(P)의 제1 전극(10)과 접촉된다. As a metal material such as aluminum (Al) or aluminum neodium (AlNd) is deposited on the substrate 200 on which the semiconductor pattern 20 is formed, the process of steps S10 to S20 is repeated, as shown in FIG. 1. Similarly, the third hole 32 and the second electrode 30 in the form of a line exposing the semiconductor pattern 20 are formed. Here, the second electrode 20 of the front sub solar cell P is in contact with the first electrode 10 of the next sub solar cell P through the second hole 22.

이에 따라, 종래와 달리 레이저가 원하는 영역에 정상적으로 조사되어 태양전지를 구성하는 박막 패턴들이 정상적으로 형성할 수 있게 된다. 이와 같은 효과를 도 5 내지 도 7을 참조하여 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다. Accordingly, unlike the related art, the laser is normally irradiated onto a desired area so that the thin film patterns constituting the solar cell can be normally formed. This effect will be described in more detail with reference to FIGS. 5 to 7 as follows.

레이저를 이용하여 박막을 패터닝하는 경우 기판(200)의 위치가 다소 흐트러지거나 레이저 조사 공정에서의 오차 등에 의하여 미리 설정된 레이저 조사경로를 벗어난 영역에 레이저가 조사되는 일어날 수 있다. 예를 들어, 정상적으로 레이저 조사공정이 실시되면 도 5에 도시된 사진과 같은 형상을 나타나도록 박막 패턴들이 형성된다. 여기서, 도 5는 도 1에서의 A영역을 나타내는 평면 사진이다. 도 5에서의 Pattern1은 도 1에서의 제1 홀(12)에 대응되는 영역이고, 도 5에서의 Pattern2는 도 1에서의 제2 홀(22)과 대응되는 영역이다. 즉, 도 1과 같이 앞단 서브 태양 전지(P)의 제2 전극(30)은 반도체 패턴(20)을 관통하여 다음단 서브 태양전지(P)의 제1 전극(10)을 노출시키는 제2 홀(22)을 통해 다음단 서브 태양전지(P)의 제1 전극(10)과 접속되어야 한다. 그러나, 레이저 조사공정이 정상적으로 실시되지 않게 되면 도 6에 도시된 바와 같이 레이저 조사공정이 진행됨에 따라 Pattern1과 Pattern2 사이의 간격이 일정하게 유지되지 않고 좁아지게 된다. 즉, 레이저가 조사된 라인형태의 영역 상단부에서의 Pattern1과 Pattern2 사이의 간견은 80㎛이지만 점차 50㎛, 30㎛ 으로 줄어들다가 레이저가 조사된 라인형태의 영역 하단부에는 0㎛가 됨을 알 수 있다. 그 결과, 앞단 서브 태양전지(P)의 제2 전극(30)이 다음 단 서브 태양전지(P)의 제1 전극(10)과 접속되지 않거나 또는 앞단 서브 태양전지(P)의 제2 전극(30)이 다음 단이 아닌 앞단 서브 태양전지(P)의 제1 전극(10)과 접속되는 문제가 발생될 수 있다. 그러나, 본원발명에서의 레이저 장치를 이용하여 레이저를 조사하게 되면 레이저 조사가 진행되기 전에 미리 CCD 카메라(110)로 레이저의 조사지점을 촬영하고 오차 판단부(130)에서 미리 지정된 조사지점으로부터의 오차를 판단하고 이를 보정함으로써 레이저가 미리 설정된 조사경로에 정확하게 조사될 수 있게 된다. When the thin film is patterned using a laser, the position of the substrate 200 may be slightly disturbed, or the laser may be irradiated to a region outside the preset laser irradiation path due to an error in the laser irradiation process. For example, when a laser irradiation process is normally performed, thin film patterns are formed to have a shape as illustrated in FIG. 5. Here, FIG. 5 is a plane photograph which shows area | region A in FIG. Pattern1 in FIG. 5 is an area corresponding to the first hole 12 in FIG. 1, and Pattern2 in FIG. 5 is an area corresponding to the second hole 22 in FIG. 1. That is, as shown in FIG. 1, the second electrode 30 of the front sub solar cell P passes through the semiconductor pattern 20 to expose the first electrode 10 of the next sub solar cell P. It is to be connected to the first electrode 10 of the next sub solar cell P through 22. However, when the laser irradiation process is not normally performed, as shown in FIG. 6, as the laser irradiation process proceeds, the distance between the Pattern 1 and the Pattern 2 is not kept constant but becomes narrow. That is, the gap between the pattern 1 and the pattern 2 at the upper end of the line-shaped region irradiated with the laser is 80 μm, but gradually decreases to 50 μm and 30 μm, and the lower end of the line-type region is 0 μm. As a result, the second electrode 30 of the front sub solar cell P is not connected to the first electrode 10 of the next sub solar cell P or the second electrode of the front sub solar cell P ( A problem may occur in which 30) is connected to the first electrode 10 of the front sub solar cell P instead of the next stage. However, when the laser is irradiated using the laser device of the present invention, before the laser irradiation proceeds, the irradiation point of the laser is photographed by the CCD camera 110 in advance, and the error from the irradiation point previously designated by the error determining unit 130 is determined. By judging and correcting this, the laser can be accurately irradiated to the preset irradiation path.

도 7은 상술한 레이저 장치를 이용하여 태양전지를 형성한 경우 임의의 지점 세지점에서의 박막 패턴들의 형성상태를 시뮬레이션한 결과를 나타내는 도면이다. 도 6을 참조하면, 세지점에서의 각각의 패턴들의 폭은 47㎛, 50㎛, 53㎛ 정도로 큰 오차가 발생되지 않음을 확인할 수 있다. FIG. 7 is a diagram illustrating a result of simulating the formation of thin film patterns at three arbitrary points when a solar cell is formed using the laser device described above. Referring to FIG. 6, it can be seen that the widths of the patterns at the three points do not have errors as large as 47 μm, 50 μm, and 53 μm.

이와 같이, 본 발명에 따른 태양전지의 제조장치 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법은 레이저가 조사되기 전에 레이저가 조사될 영역을 촬영하고 촬영결과를 이용하여 실제로 레이저가 조사될 경우 사용자가 미리 설정한 레이저 조사경로에 레이저가 정확하게 조사될 수 있도록 한다, 그 결과, 태양전지를 구성하는 제1 전극(10), 제2 전극(30) 및 반도체 패턴(20)이 정 위치에 정확하게 형성될 수 있게 됨에 따라 제조 공정에서의 불량을 방지할 수 있게 된다.As described above, in the apparatus for manufacturing a solar cell according to the present invention and a method for manufacturing the solar cell using the same, a user presets the area to be irradiated before the laser is irradiated and the laser is irradiated using the photographing result. The laser irradiation path can be accurately irradiated with the laser, as a result, the first electrode 10, the second electrode 30 and the semiconductor pattern 20 constituting the solar cell can be formed accurately in place. Therefore, the defect in the manufacturing process can be prevented.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of.

도 1은 본 발명에서의 태양전지를 나타내는 단면도.1 is a cross-sectional view showing a solar cell in the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 태양전지의 제조장치를 나타내는 도면.2 is a view showing an apparatus for manufacturing a solar cell according to the present invention.

도 3은 도 2에 도시된 태양전지의 제조장치를 이용한 태양전지의 제조방법을 나타내는 흐름도.3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a solar cell using the apparatus for manufacturing a solar cell shown in FIG. 2.

도 4a 내지 4c는 도 2에 도시된 태양전지의 제조장치를 이용한 태양전지의 제조방법을 나타내는 공정도. Figures 4a to 4c is a process chart showing a method of manufacturing a solar cell using the apparatus for manufacturing a solar cell shown in FIG.

도 5는 레이저 조사공정이 정상적으로 실시된 경우의 박막 패턴의 형상을 나타내는 시뮬레이션 도면.Fig. 5 is a simulation diagram showing the shape of a thin film pattern when the laser irradiation step is normally performed.

도 6은 레이저 조사공정이 비정상적으로 실시된 경우의 박막 패턴의 형상을 나타내는 시뮬레이션 도면.Fig. 6 is a simulation diagram showing the shape of a thin film pattern when the laser irradiation step is abnormally performed.

도 7은 본 발명에 따른 태양전지 제조장치를 이용하여 태양전지를 형성한 경우 박막 패턴의 형성을 나타내는 시뮬레이션 도면.7 is a simulation diagram showing the formation of a thin film pattern when the solar cell is formed using the solar cell manufacturing apparatus according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명* * Brief description of symbols for the main parts of the drawings.

100 : 레이저 장치 110 : CCD 카메라 100: laser device 110: CCD camera

120 : 레이저 조사부 130 : 오차 판단부120: laser irradiation unit 130: error determination unit

200 : 기판 10 : 제1 전극200 substrate 10 first electrode

12 : 제1 홀 20 : 반도체 패턴12: first hole 20: semiconductor pattern

22 : 제2 홀 30 : 제2 전극 22: second hole 30: second electrode

32 : 제3 홀 32: third hole

Claims (5)

박막 물질을 증착하는 증착 장치와; A deposition apparatus for depositing a thin film material; 상기 박막 물질에 레이저를 조사하는 레이저 장치를 포함하고, A laser device for irradiating a laser to the thin film material, 상기 레이저 장치는 The laser device 레이저가 조사될 위치를 미리 촬영하는 카메라와; A camera which photographs a position to be irradiated with a laser in advance; 레이저를 상기 박막 물질에 조사하는 레이저 조사부와; A laser irradiator for irradiating a laser onto the thin film material; 상기 카메라로부터 촬영된 지점의 위치정보를 이용하여 미리 설정된 레이저 조사경로와 상기 카메라에 의해 미리 촬영된 레이저의 조사지점 간의 오차를 레이저 조사 전에 판단하는 오차 판단부와; An error determination unit that determines an error between a laser irradiation path preset in advance by using the position information of the point photographed by the camera and an irradiation point of the laser photographed by the camera before laser irradiation; 상기 레이저 조사부를 제어하여 상기 오차를 보정하고 보정된 결과에 따라 레이저를 조사시키는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조장치. And a control unit which controls the laser irradiation unit to correct the error and irradiates a laser according to the corrected result. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 카메라는 상기 레이저 조사부의 진행방향에서 상기 레이저 장치의 앞쪽에 설치되고 상기 레이저 조사부는 상기 레이저 장치의 뒤쪽 설치되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조장치. The camera is installed in front of the laser device in the direction of the laser irradiation unit and the laser irradiation unit is a solar cell manufacturing apparatus, characterized in that installed on the back of the laser device. 기판 위에 일정 간격을 두고 위치하는 라인 형태의 제1 홀들을 형성함과 아울러 상기 제1 홀들에 의해 전기적으로 분리되는 제1 전극들을 형성하는 제1 단계 와; Forming a first hole in a line shape spaced apart from the substrate and forming first electrodes electrically separated by the first holes; 상기 제1 전극을 노출시키고 일정 간격을 두고 위치하며 상기 제1 홀들과 나란한 제2 홀들을 형성함과 아울러 상기 제2 홀들에 의해 전기적으로 분리되는 반도체 패턴들을 형성하는 제2 단계와; A second step of exposing the first electrode and spaced apart from each other and forming second holes parallel to the first holes, and forming semiconductor patterns electrically separated by the second holes; 상기 반도체 패턴을 노출시키고 일정 간격을 두고 위치하며 상기 제2 홀과 나란한 제3 홀들을 형성함과 아울러 상기 제3 홀들에 의해 전기적으로 분리되는 제2 전극을 형성하는 제3 단계를 포함하고, And forming a third hole exposing the semiconductor pattern and spaced apart from each other, and forming third holes parallel to the second hole, and forming a second electrode electrically separated by the third holes. 상기 제1 내지 제3 단계는 The first to third steps 박막 물질을 증착하는 단계와; Depositing a thin film material; 레이저가 조사되기 전에 카메라를 이용하여 레이저의 조사경로를 미리 촬영하는 단계와; Photographing the irradiation path of the laser in advance using a camera before the laser is irradiated; 미리 설정된 레이저 조사경로와 상기 카메라에 의해 촬영된 레이저의 조사경로 간의 오차를 레이저 조사 전에 판단하는 단계와; Determining an error between a preset laser irradiation path and an irradiation path of a laser photographed by the camera before laser irradiation; 상기 오차를 보정하여 상기 미리 설정된 레이저 조사경로로 레이저가 조사되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조장치의 제조방법. And correcting the error so that the laser is irradiated with the predetermined laser irradiation path. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 레이저의 조사경로를 미리 촬영하는 단계, 상기 오차를 레이저 조사전에 판단하는 단계 및 상기 오차를 보정하는 단계는 상기 레이저 조사공정이 종료될때까지 반복되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조장치의 제조방법. Photographing the irradiation path of the laser in advance, determining the error before laser irradiation, and correcting the error are repeated until the laser irradiation process is completed. . 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 제1 내지 제3 홀은 상기 박막 물질에 상기 레이저가 조사되어 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조장치의 제조방법. And the first to third holes are formed by irradiating the thin film with the laser.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2017118798A (en) * 2015-12-25 2017-06-29 三星ダイヤモンド工業株式会社 Manufacturing method of thin film solar cell, and control device therefor

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