KR20100091060A - A reflectance measurement system of euv photolithography apparatus - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A reflectance measurement system of an extremely ultra-violet light(EUV) photolithography machine is provided to optimize an EUV photolithography process by obtaining accurate information related to light. CONSTITUTION: Light source generates the light in an EUV wavelength region. Relay mirrors(20b, 20c) collect and transmit the light from the light source. A photo-mask mirror(30) receives and reflects the light from the relay mirrors. A first light receiving unit is arranged on a light path from the photo-mask mirror and collects the light. A reflective mirror system receives the light from the photo-mask mirror. A second light receiving unit(60) collects the light from the reflective mirror system.

Description

ＥＵＶ 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템{A Reflectance Measurement System of EUV Photolithography Apparatus}A Reflectance Measurement System of EUV Photolithography Apparatus

본 발명은 EUV (Extremely Ultra-Violet light) 빛을 사용하는 조명 시스템에서 반사도를 측정하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for measuring reflectivity in an illumination system using Extreme Ultra-Violet light (EUV) light.

차세대 미세 반도체 패턴을 구현하기 위한 포토리소그래피 장비로, EUV 빛을 이용한 포토리소그래피 장비가 주목을 받고 있다. EUV 빛은 유리 등의 매질을 투과할 때 흡수되는 비율이 매우 높다. 그래서 EUV 빛을 사용하는 조명 시스템에서는 거울을 이용한 이미지 전사 시스템을 구현하고 있다.Photolithography equipment using EUV light is drawing attention as a photolithography apparatus for implementing next-generation fine semiconductor patterns. EUV light has a very high rate of absorption when penetrating a medium such as glass. Thus, lighting systems using EUV light are implementing image transfer systems using mirrors.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, EUV 포토리소그래피 장비에서 빛의 반사도를 정확하게 측정할 수 있는 시스템을 제공함에 있다.An object of the present invention is to provide a system that can accurately measure the reflectance of light in EUV photolithography equipment.

본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당 업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problem, another task that is not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템은, EUV 파장 영역의 빛을 발생시키는 광원, 상기 광원에서 발생된 빛을 모아 전달하는 릴레이 미러들, 상기 릴레이 미러들을 거쳐 전달되는 빛을 전달 받아 반사하는 포토마스크 미러, 상기 포토마스크 미러로 조사되는 빛의 경로 상에 배치되어 빛을 수집하는 제1 수광부, 상기 포토마스크 미러에서 반사되는 빛을 전달 받는 반사 미러 시스템, 및 상기 반사 미러 시스템으로부터 전달되는 빛을 수집하는 제2 수광부를 포함한다.Reflective measurement system of the EUV photolithography apparatus according to an embodiment of the present invention for achieving the problem to be solved, a light source for generating light in the EUV wavelength region, relay mirrors for collecting and transmitting the light generated from the light source And a photomask mirror for receiving and reflecting light transmitted through the relay mirrors, a first light receiving unit disposed on a path of light irradiated to the photomask mirror to collect light, and transmitting the light reflected from the photomask mirror A receiving reflective mirror system, and a second light receiving portion for collecting light transmitted from the reflective mirror system.

상기 릴레이 미러들은 빛을 모으는 다수개의 콘덴싱 미러와 릴레이 미러를 포함할 수 있다.The relay mirrors may include a plurality of condensing mirrors and relay mirrors that collect light.

상기 제1 수광부는 상기 빛의 경로의 연장선 상에 배치될 수 있다.The first light receiver may be disposed on an extension line of the light path.

상기 제2 수광부는 웨이퍼에 조사되는 빛의 경로 상에 배치될 수 있다.The second light receiving unit may be disposed on a path of light irradiated onto the wafer.

상기 포토마스크 미러와 상기 반사 미러 시스템 사이에 배치되는 제3 수광부 를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a third light receiver disposed between the photomask mirror and the reflective mirror system.

상기 반사 미러 시스템은 서로 마주 보는 상부 미러와 하부 미러를 포함할 수 있다.The reflective mirror system may include an upper mirror and a lower mirror facing each other.

상기 상부 미러와 하부 미러는 평면형 미러들일 수 있다.The upper mirror and the lower mirror may be planar mirrors.

상기 상부 미러와 하부 미러는 서로 평행하게 배치될 수 있다.The upper mirror and the lower mirror may be arranged parallel to each other.

상기 상부 미러와 하부 미러는 각각 이동 및 분리가 가능하도록 배치될 수 있다.The upper mirror and the lower mirror may be arranged to be movable and separated, respectively.

상기 상부 미러와 하부 미러는 서로의 간격이 조절될 수 있다.The upper mirror and the lower mirror may be adjusted to each other.

상기 상부 미러와 하부 미러는 각각 그 크기가 조절될 수 있다.The upper and lower mirrors may be adjusted in size, respectively.

상기 상부 미러는 상부 미러 기판 상에 다수개의 단위 미러들이 각각 부착되어 형성될 수 있고, 상기 하부 미러는 하부 미러 기판 상에 다수개의 단위 미러들이 각각 부착되어 형성될 수 있다.The upper mirror may be formed by attaching a plurality of unit mirrors on the upper mirror substrate, respectively, and the lower mirror may be formed by attaching a plurality of unit mirrors on the lower mirror substrate, respectively.

상기 반사 미러 시스템은 상기 포토마스크 미러로부터 전달되어 오는 빛의 입사 각도가 다양하게 조절되도록 설치될 수 있다.The reflective mirror system may be installed to variously adjust the incident angle of the light transmitted from the photomask mirror.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.

상술한 바와 같이 본 발명의 실시예들에 의한 EUV 포토리소그래피 시스템의 반사도 측정 시스템은 직접적으로 여러 포인트에서 빛을 수집하여 그 반사도, 위상, 에너지 등의 차이를 직접적으로 측정하여 비교할 수 있으므로, 매우 정확한 빛 의 정보를 얻을 수 있고, 또 그 정보를 기초로 EUV 포토리소그래피 공정을 최적화할 수 있다.As described above, the reflectivity measuring system of the EUV photolithography system according to the embodiments of the present invention directly collects light at various points, and directly measures and compares differences in reflectance, phase, energy, etc. Information on light can be obtained and the EUV photolithography process can be optimized based on that information.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. In the drawings, the sizes and relative sizes of layers and regions may be exaggerated for clarity. Like reference numerals refer to like elements throughout.

EUV 포토리소그래피 장비를 이용하여 패턴을 형성하는 기술 분야에서, 보다 안정적으로 패턴을 형성하기 위하여 고려되어야 하는 많은 조건이 있다. 본 발명자는 그 중, 광원에서 시작된 빛이 최종 웨이퍼에 도달할 때, 웨이퍼 상에 패턴을 형성할 수 있을 정도로 충분한 에너지와 해상력을 유지하는 방법에 대한 연구를 진행하였다. 통상 EUV 빛이라고 하면 약 13.5㎚ 정도의 파장(λ)을 가진 빛으로 알려져 있다. 그러나, 실제로는 파장이 13.5㎚인 빛을 전후하여 수 십㎚에 이르는 넓은 스펙트럼을 가진 빛들이 동시에 발생된다. 빛의 파장이 서로 다르다는 것은 각 빛들의 반사도가 서로 다르다는 것을 의미한다. 빛의 광학적 반사도는 반사형 조명계에서 매우 큰 공정 변수이다. 각 빛들의 파장에 따라 다른 반사도 때문에, 웨이퍼 상 에 도달되는 각 빛들은 광원에서의 첫 조사될 때 보이던 위상 차이 및 경로 차이와 크게 달라진 위상 차이 및 경로 차이를 갖게 된다. 이렇게 달라진 위상 및 경로 차이는 패턴 형성에 좋지 않은 영향을 주어 웨이퍼 상에 형성되는 패턴들의 모양이 포토마스크 상에 형성되어 있는 모양과 차이를 보이게 된다. 그 해결 방법으로, 빛의 반사도 차이에 따라 조명계를 최적의 상태로 유지하는 것이 중요하다는 결과를 얻었다. 따라서, 보다 정확하게 반사도를 측정할 수 있는 방법에 대한 연구를 진행하였다. 다양한 실험 결과, 우선 실제 반사도에 최대한 비슷한 결과를 얻는 것이 중요하고, 다음으로 시스템이 간단하여야 한다는 조건을 설정할 수 있었다. 이에, 본 발명자는 포토마스크로부터 웨이퍼에 이르는 경로에 위치되는 미러들의 반사도를 보다 정확하게 측정하기 위한 반사도 측정 시스템을 연구, 실험하였고, 그 결과에 따른 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템을 제안한다.In the art of forming patterns using EUV photolithography equipment, there are many conditions that must be considered in order to form patterns more stably. The inventors of the present invention have studied how to maintain sufficient energy and resolution enough to form a pattern on the wafer when the light started from the light source reaches the final wafer. In general, EUV light is known as light having a wavelength? Of about 13.5 nm. In reality, however, light having a broad spectrum of several tens of nm is generated simultaneously before and after light having a wavelength of 13.5 nm. Different wavelengths of light mean that the reflectivity of each light is different. Optical reflectivity of light is a very large process variable in reflective illumination systems. Because of the different reflectivity of each light wavelength, each light that reaches the wafer has a phase difference and path difference that are significantly different from the phase difference and path difference seen when the light is first emitted from the light source. This different phase and path difference adversely affects the pattern formation, so that the shapes of the patterns formed on the wafer are different from the shapes formed on the photomask. As a solution, it has been found that it is important to keep the illumination system in an optimal state according to the difference in reflectance of light. Therefore, the research on the method to measure the reflectivity more accurately. As a result of various experiments, it was possible to set the conditions that it is important to first obtain the result as close as possible to the actual reflectivity, and then the system should be simple. Accordingly, the present inventors studied and experimented with a reflectivity measuring system for more accurately measuring reflectivity of mirrors located in a path from a photomask to a wafer, and proposes a reflectivity measuring system of EUV photolithography equipment according to the result.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템을 개념적으로 도시한 개략도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템(100, reflection degree measurement system)은, 광원(10, light source), 포토마스크 미러(30, photomask mirror), 제1 수광부(40, light detector), 적어도 2개의 미러들을 포함하는 반사 미러 시스템(50a, reflective mirror system), 및 제2 수광부(60)를 포함한다.1 is a schematic diagram conceptually illustrating a reflectivity measuring system of an EUV photolithography apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a reflection degree measurement system 100 of an EUV photolithography apparatus according to an embodiment of the present invention may include a light source 10, a photomask mirror 30, A first light detector 40, a reflective mirror system 50a including at least two mirrors, and a second light receiver 60 are included.

광원(10)은 EUV 파장 영역의 빛을 발생시킬 수 있다. 광원(10)은 플라즈마 에너지에 의하여 여기 됨으로써 EUV 영역의 빛들을 방출할 수 있다. EUV 영역의 빛들은 약 13.5㎚의 파장(wavelength)을 보이는 주 광선(major light)과 그와는 다른 파장을 보이는 부 광선들(minor lights)을 포함한다. 부 광선들은 주 광선에 비해 낮은 세기(intensity) 또는 에너지를 가지며, 파장 차이가 크게는 수 십㎚에 이를 수도 있는 다양한 파장대의 빛들이다.The light source 10 may generate light in the EUV wavelength region. The light source 10 may be excited by plasma energy to emit light in the EUV region. The lights in the EUV region include major light showing a wavelength of about 13.5 nm and minor lights showing a different wavelength. Secondary light rays are light of various wavelengths having a lower intensity or energy compared to the main light, and whose wavelength difference may be up to several tens of nm.

반사도 측정 시스템(100)은 광원(10)으로부터 발생된 빛을 모으고 포토마스크 미러(30)로 빛의 방향을 바꾸어주는 적어도 둘 이상의 릴레이 미러 세트(20a, 20b, 20c, relay mirror set)를 더 포함할 수 있다. 릴레이 미러 세트(20a, 20b, 20c)는 콘덴싱 미러들(20a), 제1 릴레이 미러(20b) 및 제2 릴레이 미러(20c)를 포함할 수 있다. 콘덴싱 미러들(20a)는 특히 광원(10)에서 발생된 빛들이 경로 밖으로 빠져나가는 것을 방지할 수 있다.The reflectivity measuring system 100 further includes at least two relay mirror sets 20a, 20b, 20c for collecting light generated from the light source 10 and redirecting the light to the photomask mirror 30. can do. The relay mirror sets 20a, 20b, and 20c may include condensing mirrors 20a, a first relay mirror 20b, and a second relay mirror 20c. The condensing mirrors 20a can prevent light emitted from the light source 10, in particular, from escaping out of the path.

포토마스크 미러(30)는 EUV 포토리소그래피 기술에서 사용되는 반사형 포토마스크(reflective photomask)의 한 예이다. 포토마스크 미러(30)는 실제 공정에 사용되는 EUV 포토마스크이거나, 또는 반사도 측정 공정에서 사용되는 측정용 포토마스크를 의미한다. 본 발명의 기술적 사상에서, 두 포토마스크는 모두 적용될 수 있으므로 구분하여 설명하지 않는다. 그래서 본 발명의 기술적 사상을 이해하기 쉽도록, 포토마스크 미러라 통칭한다. 포토마스크 미러(30)는 EUV 영역에 속하는 파장을 가진 빛들을 반사한다. EUV 포토리소그래피 기술에서 사용되는 포토마스크 미러는 잘 알려져 있으므로, 상세한 설명을 생략한다.The photomask mirror 30 is an example of a reflective photomask used in EUV photolithography technology. The photomask mirror 30 refers to an EUV photomask used in an actual process or a measurement photomask used in a reflectivity measurement process. In the technical idea of the present invention, since both photomasks may be applied, they are not described separately. Therefore, the technical concept of the present invention will be referred to collectively as a photomask mirror. The photomask mirror 30 reflects light having a wavelength belonging to the EUV region. The photomask mirrors used in the EUV photolithography technique are well known and will not be described in detail.

제1 수광부(40)는 포토마스크 미러(30)로 입사되는 빛을 수집할 수 있다. 수집된 빛은 컴퓨터 등을 통해 측정 및 분석되고, 컴퓨터 모니터 등의 시각적 표현 장치로 보여질 수 있다. 제1 수광부(40)는 광원(10)으로부터 릴레이 미러 세 트(20a, 20b, 20c)를 거쳐 포토마스크 미러(30)로 입사되는 빛의 에너지, 위상 등을 측정할 수 있다. 제1 수광부(40)는 릴레이 미러 세트(20a, 20b, 20c)와 포토마스크 미러(30)의 빛의 진행 경로 상, 빛의 진행 경로의 연장선 상에 위치할 수 있다. 제1 수광부(40)는 수집한 빛들의 파장에 따른 세기(intensity), 즉 에너지 스펙트럼을 시각적으로 전환하여 시각적으로 확인 할 수 있도록 컴퓨터 모니터 등에 나타나도록 할 수 있다. 일반적으로, 빛들의 에너지 스펙트럼은 가우시안 분포(Gaussian distribution)와 유사한 모양을 보인다.The first light receiver 40 may collect light incident on the photomask mirror 30. The collected light may be measured and analyzed by a computer or the like, and may be viewed by a visual expression device such as a computer monitor. The first light receiver 40 may measure energy, phase, and the like of light incident from the light source 10 to the photomask mirror 30 via the relay mirror sets 20a, 20b, and 20c. The first light receiver 40 may be positioned on an extension line of the light propagation path of the relay mirror sets 20a, 20b, and 20c and the photomask mirror 30. The first light receiving unit 40 may be displayed on a computer monitor so that the intensity of the collected light, that is, the energy spectrum, may be visually converted and visually confirmed. In general, the energy spectrum of the lights has a shape similar to the Gaussian distribution.

반사 미러 시스템(50a)은 포토마스크 미러(30)로부터 전달되어 오는 빛을 수 회 반사하여 제2 수광부(60)로 조사할 수 있다. 반사 미러 시스템(50a)이 빛을 반사하는 횟수는 측정하고자 하는 EUV 포토리소그래피 장비의 조명 시스템(illumination system)에 따라 달라질 수 있다. 본 실시예에서는 예시적으로 여섯 번의 반사가 일어나는 것으로 도시 및 설명된다. 여섯 번의 반사가 일어난다는 것은 여섯 개의 미러가 설치된 것과 동일한 효과를 가질 수 있다는 것을 의미할 수 있다. 본 실시예에서는, 예시적으로 반사 미러 시스템(50a)이 두 개의 미러, 즉 상부 미러(51a)와 하부 미러(56a)를 포함하는 것으로 도시 및 설명된다. 상부 미러(51a) 및 하부 미러(56a)는 평면 모양일 수 있다. 또는, 상부 미러(51a)와 하부 미러(56a)는 평평한 기판들(53a, 57a)의 한 면에 단위 미러(54a, 58a)가 형성되거나 부착됨으로써 형성될 수 있다. 상부 미러(51a) 및 하부 미러(56a)는 서로 평행하게 위치된 것으로 도시 및 설명된다. 두 미러들(51a, 56a)은 각각 이동 및 분리가 가능하도록 설치될 수 있다.The reflective mirror system 50a may reflect light transmitted from the photomask mirror 30 to the second light receiver 60 several times. The number of times that the reflective mirror system 50a reflects light may vary according to an illumination system of the EUV photolithography equipment to be measured. In this embodiment, six reflections are illustrated and described as an example. Six reflections can mean that six mirrors can have the same effect. In this embodiment, by way of example, the reflective mirror system 50a is shown and described as including two mirrors, an upper mirror 51a and a lower mirror 56a. The upper mirror 51a and the lower mirror 56a may have a planar shape. Alternatively, the upper mirror 51a and the lower mirror 56a may be formed by forming or attaching unit mirrors 54a and 58a to one surface of the flat substrates 53a and 57a. The upper mirror 51a and the lower mirror 56a are shown and described as being located parallel to each other. The two mirrors 51a and 56a may be installed to be movable and separated, respectively.

두 미러들(51a, 56a)로 여섯 번의 반사가 일어나게 하는 방법은 여러 가지를 생각할 수 있다. 우선, 본 실시예에 도시되었듯이, 두 미러들(51a, 56a) 간의 거리(d)를 조절하는 방법이다. 두 미러들(51a, 56a) 간의 거리(d)를 조절함으로써 반사 횟수를 원하는 횟수로 조절할 수 있다. 또 다른 방법들로는 두 미러들(51a, 56a)의 길이나 면적 같은 크기를 조절하는 방법과 빛의 입사 각도 및 출사 각도를 조절하는 방법 등이 있다. 이러한 응용 실시예들은 후술될 것이다. There are various ways to cause six reflections to occur with the two mirrors 51a and 56a. First, as shown in this embodiment, a method of adjusting the distance d between two mirrors 51a and 56a. The number of reflections may be adjusted to a desired number of times by adjusting the distance d between the two mirrors 51a and 56a. Further methods include adjusting the size such as the length or area of the two mirrors 51a and 56a, and adjusting the incident angle and the exit angle of the light. Such application embodiments will be described later.

제2 수광부(60)는 최종적으로 웨이퍼에 전달되는 빛들을 수집할 수 있는 곳에 위치된다. 즉, 반사 미러 시스템(50a)과 웨이퍼의 빛의 경로 상에 위치될 수 있다. 반사 미러 시스템(50a)과 웨이퍼의 사이 또는 그 연장선 상에 위치될 수 있다. 제2 수광부(60)는 최종적으로 각 빛들의 파장에 따른 변화들을 측정하는데 사용될 수 있다. 구체적으로, 파장에 따른 빛들의 반사도 차이, 위상 차이, 에너지 차이 등을 측정하는데 사용될 수 있다.The second light receiver 60 is located where it can collect the light finally delivered to the wafer. That is, it may be located on the reflection mirror system 50a and the path of light of the wafer. It may be located between the reflective mirror system 50a and the wafer or on an extension thereof. The second light receiver 60 may be used to finally measure changes according to the wavelengths of the lights. Specifically, it may be used to measure reflectance difference, phase difference, energy difference, etc. of light according to wavelength.

반사 미러 시스템(50a)은 포토마스크 미러(30)와 반사 미러 시스템(50a) 사이에 위치된 제3 수광부(70)를 더 포함할 수 있다. 제3 수광부(70)는 포토마스크 미러(30)로부터 반사되어 오는 빛을 측정할 수 있다. 즉, 제3 수광부(70)에서 빛을 측정한 결과를 제1 수광부(40)에서 빛을 측정한 결과와 비교하여 포토마스크 미러(30)의 반사도를 측정하는데 사용될 수 있다. 즉, 실제 공정에 사용되는 EUV 포토마스크의 반사도를 직접 측정하거나, 측정용 포토마스크를 사용하여 포토마스크의 반사도를 미리 예측할 수 있다.The reflective mirror system 50a may further include a third light receiver 70 positioned between the photomask mirror 30 and the reflective mirror system 50a. The third light receiver 70 may measure light reflected from the photomask mirror 30. That is, the result of measuring the light from the third light receiver 70 may be used to measure the reflectivity of the photomask mirror 30 by comparing the result of the light from the first light receiver 40. That is, the reflectivity of the EUV photomask used in the actual process may be directly measured, or the reflectance of the photomask may be predicted in advance by using a measuring photomask.

또, 제3 수광부(70)에서 빛을 측정한 결과를 제2 수광부(60)에서 빛을 측정 한 결과와 비교하여 EUV 포토리소그래피 장비의 조명 시스템의 미러 조합에 의한 빛의 변화를 비교적 정확하게 예측할 수 있다. 빛의 변화라 함은 각 빛의 파장에 따른 반사도, 위상 에너지 등의 변화와 차이를 의미할 수 있다.In addition, it is possible to accurately predict the change of light due to the mirror combination of the illumination system of the EUV photolithography equipment by comparing the light measurement result in the third light receiving unit 70 with the light measurement result in the second light receiving unit 60. have. The change in light may mean a change and a difference in reflectivity, phase energy, etc. according to the wavelength of each light.

도 2a 및 2b는 본 발명의 다른 실시예들에 의한 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템의 반사 미러 시스템들을 개념적으로 도시한 개략도들이다. 도 2a 및 2b를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예들에 의한 반사 미러 시스템들(50b, 50c)은, 빛이 입사하는 각도(θi) 및 출사하는 각도(θo)를 조절함으로써, 반사 미러 시스템들(50b, 50c) 내에서 빛이 반사되는 횟수를 조절할 수 있다. 반사 횟수는 EUV 포토리소그래피 장비의 조명 시스템이 포함하고 있는 미러들의 개수와 같을 수 있다.2A and 2B are schematic diagrams conceptually showing reflective mirror systems of a reflectivity measuring system of EUV photolithography equipment according to other embodiments of the present invention. Referring to FIGS. 2A and 2B, the reflective mirror systems 50b and 50c according to other embodiments of the present invention may adjust the reflection mirror system by adjusting an angle θi and a angle θo at which light is incident. The number of times that light is reflected in the fields 50b and 50c may be adjusted. The number of reflections may be equal to the number of mirrors included in the illumination system of the EUV photolithography equipment.

특히, 도 2a에서는, 반사 미러 시스템(50b)에 입사하는 빛의 각도(θ1i)를 작게 함으로써, 반사 미러 시스템(50b)에서 빛이 반사되는 횟수를 줄일 수 있다. 반면 도 2b에서는 반사 미러 시스템(50c)에 입사되는 빛의 각도(θ2i)를 크게 함으로써, 반사 미러 시스템(50c)에서 빛이 반사되는 횟수를 늘일 수 있다. 이 방법들은 EUV 포토리소그래피 장비의 조명 시스템 및 그 조명 시스템이 포함하는 미러들의 수에 따라 다양하게 응용될 수 있음을 설명하기 위한 것이다.In particular, in FIG. 2A, the number of times the light is reflected by the reflection mirror system 50b can be reduced by reducing the angle θ1i of the light incident on the reflection mirror system 50b. On the other hand, in FIG. 2B, by increasing the angle θ2i of the light incident on the reflection mirror system 50c, the number of times that light is reflected by the reflection mirror system 50c may be increased. These methods are intended to explain various applications depending on the illumination system of EUV photolithography equipment and the number of mirrors included in the illumination system.

도 3a 및 3b는 본 발명의 또 다른 실시예들에 의한 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템의 반사 미러 시스템들을 개념적으로 도시한 개략도들이다. 도 3a 및 3b를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예들에 의한 반사 미러 시스템들(50d, 50e)은, 미러들의 크기들(S1u, S2u, S1l, S2l)를 조절함으로써, 반사 미러 시스템들(50d, 50e) 내에서 빛이 반사되는 횟수를 조절할 수 있다. 반사 횟수는 EUV 포토리소그래피 장비의 조명 시스템이 포함하고 있는 미러들의 개수와 같을 수 있다.3A and 3B are schematic diagrams conceptually showing reflective mirror systems of a reflectivity measuring system of EUV photolithography equipment according to still another embodiment of the present invention. 3A and 3B, the reflective mirror systems 50d and 50e according to still other embodiments of the present invention adjust the size of the mirrors S1u, S2u, S1l and S2l, thereby reflecting the reflective mirror systems. The number of times the light is reflected within 50d and 50e can be adjusted. The number of reflections may be equal to the number of mirrors included in the illumination system of the EUV photolithography equipment.

특히 도 3a에서는, 반사 미러 시스템(50d)에 포함된 미러들(51d, 56d)의 크기들(S1u, S1l)를 줄임으로써, 반사 미러 시스템(50d)에서 빛이 반사되는 횟수를 줄일 수 있다. 이 경우, 상부 미러의 크기(S1u)는 상관이 없고, 하부 미러의 크기(S1l)만을 조절할 수도 있다. 도 3b에서는 반사 미러 시스템(50e)에 포함된 미러들의 크기(S2u, S2l)를 늘임으로써, 반사 미러 시스템(50e)에서 빛이 반사되는 횟수를 늘일 수 있다. 이 경우, 상부 미러 및 하부 미러의 크기들(S1u, S2u, S1l, S2l)를 모두 크게 할 수 있다.In particular, in FIG. 3A, by reducing the sizes S1u and S1l of the mirrors 51d and 56d included in the reflective mirror system 50d, the number of times that light is reflected by the reflective mirror system 50d may be reduced. In this case, the size S1u of the upper mirror does not matter, and only the size S1l of the lower mirror may be adjusted. In FIG. 3B, by increasing the sizes S2u and S2l of the mirrors included in the reflective mirror system 50e, the number of times that light is reflected by the reflective mirror system 50e may be increased. In this case, the sizes S1u, S2u, S1l and S2l of the upper mirror and the lower mirror can be made large.

도 4a는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템의 반사 미러 시스템(50f)을 개념적으로 도시한 개략도이다. 도 4a를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 반사 미러 시스템(50f)은, 미러용 패널들(53f, 57f)과 미러용 패널들(53f, 57f) 상에 배치된 다수 개의 미러들(54f1, 54f2, 54f3, 58f1, 58f2, 58f3)을 포함할 수 있다. 미러용 패널들(53f, 57f)은 평면 모양일 수 있고, 상부 미러용 패널(53f) 및 하부 미러용 패널(57f)의 두 개로 형성될 수 있다. 두 개로 형성될 경우 서로 평행하게 배치될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 의한 반사 미러 시스템(51f)은 다수개의 분리된 미러들(54f1, 54f2, 54f3, 58f1, 58f2, 58f3)을 포함하므로, 반사 미러 시스템(50f)을 수리 또는 교환해야 할 경우, 수리 또는 교환이 필요한 패널이나 미러들만을 따로 분리하여 수리 또는 교환될 수 있으므로 유지 및 보수가 용이할 수 있다.4A is a schematic diagram conceptually illustrating a reflection mirror system 50f of a reflectivity measuring system of an EUV photolithography apparatus according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4A, the reflective mirror system 50f according to another embodiment of the present invention includes a plurality of mirrors disposed on the mirror panels 53f and 57f and the mirror panels 53f and 57f. (54f1, 54f2, 54f3, 58f1, 58f2, 58f3). The mirror panels 53f and 57f may have a planar shape, and may be formed of two of the upper mirror panel 53f and the lower mirror panel 57f. When formed in two can be arranged parallel to each other. Since the reflective mirror system 51f according to another embodiment of the present invention includes a plurality of separate mirrors 54f1, 54f2, 54f3, 58f1, 58f2 and 58f3, it is necessary to repair or replace the reflective mirror system 50f. In this case, only a panel or mirrors requiring repair or replacement may be separated and repaired or replaced, thereby facilitating maintenance and repair.

도 4b는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템의 반사 미러 시스템을 개념적으로 도시한 개략도이다. 도 4b를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템의 반사 미러 시스템(50g)은 요철을 가진 패널들(51g, 56g) 상에 배치된 다수개의 미러들(54g1, 54g2, 54g3, 58g1, 58g2, 58g3)을 포함할 수 있다. 미러들(54g1, 54g2, 54g3, 58g1, 58g2, 58g3)이 특정한 규칙이 없이 배치된 것처럼 도시된 이유는 본 발명의 기술적 사상이 다양하게 응용될 수 있다는 것을 암시하기 위함이다. 예를 들어, 더 많은 수의 미러들이 설치될 수 있고, 다양한 경로 및 위치에 배치될 수 있다는 것을 의미한다.4B is a schematic diagram conceptually illustrating a reflection mirror system of a reflectivity measuring system of an EUV photolithography apparatus according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4B, the reflection mirror system 50g of the reflectivity measuring system of the EUV photolithography apparatus according to another embodiment of the present invention may include a plurality of mirrors disposed on the panels 51g and 56g having irregularities. 54g1, 54g2, 54g3, 58g1, 58g2, 58g3). The reason why the mirrors 54g1, 54g2, 54g3, 58g1, 58g2, 58g3 are shown as being arranged without a specific rule is to imply that the technical spirit of the present invention can be variously applied. For example, it means that a larger number of mirrors can be installed and placed in various paths and locations.

빛을 최종적으로 측정한 결과에 의하면, 빛의 파장에 따른 스펙트럼이 최초 광원에서 발생될 때와 달라진 결과를 보일 수 있다. 즉, EUV 포토리소그래피 장비의 조명 시스템에서, 각 빛의 파장에 따른 스펙트럼은 가우시안 분포 모양을 보일 것이다. 반사도를 측정한 결과는 가우시안 분포 모양의 최고점이 중앙에 위치되도록 하고, 가우시안 분포 모양의 폭을 최대한 좁히기 위한 근거로 사용될 수 있다.According to the final measurement of the light, the wavelength according to the wavelength of the light may be different from when the first light source is generated. That is, in the illumination system of EUV photolithography equipment, the spectrum according to the wavelength of each light will have a Gaussian distribution shape. The result of measuring the reflectivity allows the peak of the Gaussian distribution shape to be centered and can be used as a basis for narrowing the width of the Gaussian distribution shape as much as possible.

그 외, 도면에 참조 부호가 표시되지 않은 구성 요소들은 본 명세서의 다른 도면들 및 그 설명들로부터 그 이름과 기능 등이 쉽게 이해될 수 있을 것이다.In addition, the components that are not indicated by reference numerals in the drawings will be easily understood from the names and functions of the other drawings and descriptions thereof.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 개략적으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다 는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해되어야 한다.While the embodiments of the present invention have been schematically described with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. I can understand that you can. Therefore, the embodiments described above are to be understood in all respects as illustrative and not restrictive.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템을 개념적으로 도시한 개략도이다.1 is a schematic diagram conceptually illustrating a reflectivity measuring system of an EUV photolithography apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2a 및 2b는 본 발명의 다른 실시예들에 의한 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템의 반사 미러 시스템들을 개념적으로 도시한 개략도들이다.2A and 2B are schematic diagrams conceptually showing reflective mirror systems of a reflectivity measuring system of EUV photolithography equipment according to other embodiments of the present invention.

도 3a 및 3b는 본 발명의 또 다른 실시예들에 의한 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템의 반사 미러 시스템들을 개념적으로 도시한 개략도들이다.3A and 3B are schematic diagrams conceptually showing reflective mirror systems of a reflectivity measuring system of EUV photolithography equipment according to still another embodiment of the present invention.

도 4a 및 4b 는 본 발명의 또 다른 실시예들에 의한 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템의 반사 미러 시스템들을 개념적으로 도시한 개략도들이다.4A and 4B are schematic diagrams conceptually showing reflective mirror systems of a reflectivity measuring system of EUV photolithography equipment according to still another embodiment of the present invention.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

10: 광원 20: 릴레이 미러 세트10: light source 20: relay mirror set

20a: 콘덴싱 미러들 20b: 제1 릴레이 미러20a: condensing mirrors 20b: first relay mirror

20c: 제2 릴레이 미러 30: 포토마스크 미러20c: second relay mirror 30: photomask mirror

40: 제1 수광부 50: 반사 미러 시스템40: first light receiver 50: reflective mirror system

51: 상부 미러 53: 상부 미러 기판51: upper mirror 53: upper mirror substrate

54: 단위 상부 미러 56: 하부 미러54: unit upper mirror 56: lower mirror

57: 하부 미러 기판 58: 단위 하부 미러57: lower mirror substrate 58: unit lower mirror

60: 제2 수광부 70: 제3 수광부60: second light receiver 70: third light receiver

Claims (10)

EUV 파장 영역의 빛을 발생시키는 광원,A light source for generating light in the EUV wavelength region, 상기 광원에서 발생된 빛을 모아 전달하는 릴레이 미러들,Relay mirrors for collecting and transmitting the light generated from the light source, 상기 릴레이 미러들을 거쳐 전달되는 빛을 전달 받아 반사하는 포토마스크 미러,A photomask mirror for receiving and reflecting light transmitted through the relay mirrors; 상기 포토마스크 미러로 조사되는 빛의 경로 상에 배치되어 빛을 수집하는 제1 수광부,A first light receiving unit disposed on a path of light irradiated by the photomask mirror to collect light; 상기 포토마스크 미러에서 반사되는 빛을 전달 받는 반사 미러 시스템, 및A reflection mirror system receiving light reflected from the photomask mirror, and 상기 반사 미러 시스템으로부터 전달되는 빛을 수집하는 제2 수광부를 포함하는 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템.And a second light receiver for collecting light transmitted from the reflective mirror system. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 릴레이 미러들은 빛을 모으는 다수개의 콘덴싱 미러와 릴레이 미러를 포함하는 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템.And the relay mirrors comprise a plurality of condensing mirrors and relay mirrors for collecting light. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 수광부는 상기 빛의 경로의 연장선 상에 배치되는 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템.And the first light receiver is disposed on an extension line of the light path. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 수광부는 웨이퍼에 조사되는 빛의 경로 상에 배치되는 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템.And the second light receiving unit is disposed on a path of light irradiated onto a wafer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 포토마스크 미러와 상기 반사 미러 시스템 사이에 배치되는 제3 수광부를 더 포함하는 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템.And a third light receiver disposed between the photomask mirror and the reflection mirror system. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사 미러 시스템은 서로 마주 보는 상부 미러와 하부 미러를 포함하는 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템.The reflective mirror system includes a top mirror and a bottom mirror facing each other reflectivity measuring system of the EUV photolithography equipment. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 상부 미러와 하부 미러는 평면형 미러들인 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템.And the upper and lower mirrors are planar mirrors. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 상부 미러와 하부 미러는 서로 평행하는 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템.The upper and lower mirrors are parallel to each other reflectivity measuring system of EUV photolithography equipment. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 상부 미러와 하부 미러는 각각 이동 및 분리가 가능한 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템.The upper mirror and the lower mirror is a reflectivity measuring system of the EUV photolithography equipment that can be moved and separated respectively. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 상부 미러와 하부 미러는 서로의 간격이 조절될 수 있는 EUV 포토리소그래피 장비의 반사도 측정 시스템.The upper mirror and the lower mirror reflectivity measuring system of the EUV photolithography equipment that can be adjusted to each other.
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