KR20100079292A - Ｐｉｍｄ에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 ｒｆ 캐비티 필터 및 이에 적용되는 튜닝 구조 - Google Patents

Abstract

PIMD에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 RF 캐비티 필터가 개시된다. 개시된 필터는, 격벽들에 의해 내부에 다수의 캐비티가 정의되는 하우징; 상기 캐비티에 수용되는 다수의 공진기; 상기 하우징 상부에 결합되는 커버; 상기 커버에서 상기 캐비티 내부로 삽입되며 회전 가능하게 설치되는 다수의 회전 부재; 상기 회전 부재의 하부에 결합되며 상기 공진기 상부에 소정 거리 이격되어 배치되는 다수의 튜닝 엘리먼트를 포함하되, 상기 회전 부재는 상기 튜닝 엘리먼트의 중앙에서 소정 거리 치우친 위치에서 상기 튜닝 엘리먼트와 결합되며, 상기 회전 부재의 회전에 의해 상기 공진기와 상기 튜닝 엘리먼트가 상하로 오버랩되는 면적이 변화되면서 튜닝이 이루어진다. 개시된 필터에 의하면, 본 발명에 의한 RF 캐비티 필터는 PIMD로 인한 특성 저하를 방지할 수 있으며, 하이 파워로 인한 유전체 브레이크 다운 현상을 방지할 수 있는 장점이 있으며, 하이 파워가 요구되는 환경에서도 RF 캐비티 필터가 소형으로 제작될 수 있는 장점이 있다.

필터, PIMD, 회전

Description

ＰＩＭＤ에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 ＲＦ 캐비티 필터 및 이에 적용되는 튜닝 구조{RF Cavity Filter For Preventing Deterioration by PIMD and Tuning Structure Applied to the Filter}

본 발명은 필터에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 RF 캐비티 필터의 튜닝 구조에 관한 것이다.

필터는 입력되는 주파수 신호 중 특정 주파수 대역의 신호만을 통과시키기 위한 장치로서 다양한 형식으로 구현되고 있다. 이동통신 시스템의 기지국에는 고주파 신호에 대한 필터링을 위해 일반적으로 캐비티(Cavity) 필터가 구비되며, 캐비티 필터는 다수의 캐비티 내에 공진기가 구비되는 구조의 필터이다.

도 1은 일반적인 캐비티 필터의 구조를 도시한 도면이다.

도 1을 참조하면, 캐비티 필터는 하우징(100), 입력 커넥터(102), 출력 커넥터(104), 커버(106), 다수의 캐비티(108) 및 공진기(110)를 포함한다.

필터 내부에는 다수의 월이 형성되어 있으며 다수의 월에 의해 각각의 공진기가 수용되는 캐비티(108)가 정의된다. 커버(106)에는 하우징(100)과 커버(106)를 결합하기 위한 결합 홀 및 튜닝 볼트(112)가 구비된다.

튜닝 볼트(112)는 커버(106)에 결합되어 하우징 내부로 관통한다. 튜닝 볼트(112)는 공진기에 대응하는 위치 또는 캐비티 내부의 소정의 위치에 상응하여 커버(106)에서 하우징 내부로 관통한다.

RF 신호는 입력 커넥터(102)에 의해 입력되어 출력 커넥터(104)로 출력되며 RF 신호는 각 캐비티에 형성되어 있는 커플링 윈도우를 통해 진행한다. 각 캐비티(108) 및 공진기(110)에 의해 RF 신호의 공진 현상이 발생하며, 공진 현상에 의해 RF 신호를 필터링한다.

튜닝 볼트(112)는 RF 캐비티 필터의 제작 후 필터의 주파수 대역 및 대역폭과 같은 특성을 미세하게 조정하기 위해 구비되며, 필터의 제작 후 작업자 또는 튜닝 머신 등을 이용하여 튜닝 볼트(112)를 회전시켜 미세 튜닝을 수행한다.

도 2는 종래의 RF 캐비티 필터에서 하나의 캐비티의 단면도를 도시한 도면이다.

도 2를 참조하면, 튜닝 볼트(112)는 커버(106)로부터 관통되어 공진기 상부에 위치된다. 튜닝 볼트(112)는 금속 재질로 이루어지며 커버와 나사 결합에 의해 고정된다.

따라서, 튜닝 볼트(112)는 회전에 의해 공진기와의 거리가 조절될 수 있으며 공진기(110)와 튜닝 볼트(112)와의 거리를 가변함으로써 튜닝이 이루어진다. 전술한 바와 같이, 튜닝 볼트(112)는 수작업에 의해 회전될 수도 있으며, 튜닝 볼트의 회전을 위한 별도의 튜닝 머신이 이용될 수도 있다. 적절한 위치에서 튜닝이 이루어진 경우 너트에 의해 튜닝 볼트가 고정된다.

종래의 필터에서, 튜닝 볼트의 회전에 의해 튜닝 볼트와 공진기 사이의 거리가 변경됨으로써 캐패시턴스 역시 변경되며, 이를 통해 필터의 특성을 튜닝한다.

이와 같은 튜닝 볼트를 이용한 종래의 RF 캐비티 필터에서의 튜닝은 다음과 같은 문제점이 있었다.

첫째, 튜닝 볼트가 회전에 의해 공진기와 가깝게 배치될 경우 하이 파워로 인한 유전체 브레이크다운(Breakdown) 현상이 발생하는 문제점이 있었다. 이와 같은 유전체 브레이크다운 현상의 방지를 위해 종래의 RF 캐비티 필터는 튜닝 볼트와 공진기 사이에 일정한 거리를 확보하여야 하였으며, 이는 필터의 사이즈가 증가하는 주요한 요인중 하나로 작용하였다.

둘째, 하우징 내부로 관통되는 튜닝 볼트에는 나사산(Thread)이 형성되어 있는데, 이러한 나사산은 불연속 구조이기 때문에 이 구조로 인해 PIMD(Passiver Inter Modulation Distortion)가 발생하였으며, 이러한 PIMD는 캐비티 필터의 특성을 저하시키는 문제점이 있었다.

본 발명에서는 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해, PIMD로 인한 특성 저하를 방지할 수 있는 RF 캐비티 필터 및 이에 적용되는 필터 튜닝 구조를 제안하고자 한다.

본 발명의 다른 목적은 필터에서 하이 파워로 인한 유전체 브레이크 다운 현상을 방지할 수 있는 RF 캐비티 필터 및 이에 적용되는 필터 튜닝 구조를 제안하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 하이 파워가 요구되는 환경에서도 소형으로 제작될 수 있는 RF 캐비티 필터 및 이에 적용되는 필터 튜닝 구조를 제안하는 것이다.

본 발명의 다른 목적들은 하기의 실시예를 통해 당업자에 의해 도출될 수 있을 것이다.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 격벽들에 의해 내부에 다수의 캐비티가 정의되는 하우징; 상기 캐비티에 수용되는 다수의 공진기; 상기 하우징 상부에 결합되는 커버; 상기 커버에서 상기 캐비티 내부로 삽입되며 회전 가능하게 설치되는 다수의 회전 부재; 상기 회전 부재의 하부에 결합되며 상기 공진기 상부에 소정 거리 이격되어 배치되는 다수의 튜닝 엘리먼트를 포함하되, 상기 회전 부재는 상기 튜닝 엘리먼트의 중앙에서 소정 거리 치우친 위치에서 상기 튜닝 엘리먼트와 결합되며, 상기 회전 부재의 회전에 의해 상기 공 진기와 상기 튜닝 엘리먼트가 상하로 오버랩되는 면적이 변화되면서 튜닝이 이루어지는 PIMD에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 RF 캐비티 필터가 제공된다.

상기 회전 부재는 유전체 재질로 이루어지며, 튜닝이 완료된 후 너트에 의해 고정된다.

상기 커버에는 상기 회전 부재가 상기 캐비티 내부로 삽입될 수 있도록 삽입홀이 형성된다.

상기 회전 부재의 상부 측면에는 상기 회전 부재의 회전에 의한 튜닝 완료 후 회전 부재를 커버에 고정하도록 너트가 결합될 수 있는 나사산이 형성된다.

상기 회전 부재 측면의 소정 지점에는 튜닝 과정에서 상기 튜닝 엘리먼트와 상기 공진기 사이의 거리가 일정하게 유지되도록 상기 커버 하부에 밀착되는 걸림부가 돌출되어 형성된다.

상기 튜닝 엘리먼트는 금속 재질로 이루어지며 원판 형태인 것이 바람직하다.

한편, 본 발명의 다른 측면에 따르면, RF 캐비티 필터의 내부로 삽입되며 회전 가능하게 RF 캐비티 필터의 커버에 설치되는 회전 부재; 및 상기 회전 부재의 하부에 결합되며 RF 필터의 캐비티 내부에 구비되는 공진기 상부에 소정 거리 이격되어 배치되는 튜닝 엘리먼트를 포함하되, 상기 회전 부재는 상기 튜닝 엘리먼트의 중앙에서 소정 거리 치우친 위치에서 상기 튜닝 엘리먼트와 결합되며, 상기 회전 부재의 회전에 상응하여 상기 튜닝 엘리먼트가 회전되면서 튜닝을 수행하는 RF 캐비티 필터의 튜닝 장치가 제공된다.

상기 튜닝 엘리먼트의 회전에 의해 상기 공진기와 상기 튜닝 엘리먼트가 상하로 오버랩되는 면적이 변화되면서 튜닝이 이루어진다.

상기 회전 부재는 유전체 재질로 이루어지며, 상기 튜닝 엘리먼트는 금속 재질로 이루어진다.

본 발명에 의한 RF 캐비티 필터는 PIMD로 인한 특성 저하를 방지할 수 있으며, 하이 파워로 인한 유전체 브레이크 다운 현상을 방지할 수 있는 장점이 있다.

또한, 본 발명에 의하면, 하이 파워가 요구되는 환경에서도 RF 캐비티 필터가 소형으로 제작될 수 있는 장점이 있다.

이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 PIMD에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 RF 캐비티 필터 및 이에 적용되는 튜닝 구조의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.

도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 PIMD에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 RF 캐비티 필터의 분해 사시도를 도시한 도면이고 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 PIMD에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 RF 캐비티 필터의 사시도를 도시한 도면이다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 캐비티 필터는 하우징(300), 커버(302), 회전 부재(304), 튜닝 엘리먼트(306), 다수의 캐비티(308), 다수의 공진기(310), 입력 커넥터(312) 및 출력 커넥터(314)를 포함할 수 있다.

하우징(300)은 필터 내부의 공진기 등의 구성 요소를 보호하고 전자기파의 차폐 역할을 수행한다. 하우징(300)은 알루미늄 재질로 베이스를 형성하고 이에 도금을 한 하우징이 사용될 수 있다. 통상적으로 필터, 도파관과 같은 RF 장비에는 손실을 최소화하기 위해 전기 전도도가 뛰어난 은도금을 사용한다. 근래에 들어 내식성과 같은 특성 향상을 위해 은도금 이외의 도금법이 사용되기도 하며, 이러한 도금법을 사용한 하우징이 사용될 수도 있다.

필터 내부에는 다수의 격벽들이 형성되어 있으며, 이러한 격벽들은 필터의 하우징(300)과 함께 공진기들(310)이 수용되는 캐비티(308)를 정의한다. 캐비티 및 공진기의 수는 필터의 차수와 연관되어 있으며, 도 3에는 차수가 8인, 즉 공진기가 8개인 경우가 도시되어 있다. 필터의 차수는 삽입 손실 및 스커트 특성과 연관되어 있다. 필터의 차수가 높아질수록 스커트 특성은 높아지나 삽입 손실은 나빠지는 트레이드 오프 관계가 있으며, 요구되는 삽입 손실 및 스커트 특성에 의해 필터의 차수가 설정된다.

격벽 중 일부에는 RF 신호의 진행 방향에 상응하여 커플링 윈도우(320)가 형성된다. 캐비티 및 공진기에 의해 공진이 되는 RF 신호는 커플링 윈도우를 통해 다음 캐비티로 진행한다.

각각의 캐비티(308) 내부에는 공진기(310)가 수용된다. 공진기는 금속 재질로 이루어질 수도 있으며, 유전체 재질로 이루어질 수도 있다. RF 신호의 진행 모드에 따라 금속 또는 유전체 재질의 공진기가 선택적으로 사용된다.

공진기(310)는 하우징(300)이 제조될 때 하우징과 함께 일체형으로 제조될 수도 있으며, 하우징(300)이 제조된 후 나사 결합등에 의해 하우징(300)의 바닥부에 결합될 수도 있다.

도 3에는 원통형 바디에 원판이 결합되어 있는 디스크형 공진기가 도시되어 있으나, 원통형 공진기가 사용될 수도 있다는 점은 당업자에게 있어 자명할 것이다.

입력 커넥터(312)에는 RF 신호가 인가되며, 입력 커넥터(312)의 중심 도체는 루프(미도시)와 전기적으로 연결되며, 상기 루프는 입력 커넥터의 중심 도체와 입력 커넥터와 인접한 공진기를 전기적으로 연결시킨다. 필터에서 필터링된 신호는 출력 커넥터(314)를 통해 출력된다.

커버(302)에는 다수의 홀(350)이 형성되어 있으며, 홀(350)을 통해 회전 부재(304)가 하우징 내부로 관통된다. 회전 부재(304)는 유전체 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.

회전 부재(304)의 하부에는 튜닝 엘리먼트(306)가 결합된다. 튜닝 엘리먼트(306)는 금속 재질로 이루어진다. 튜닝 엘리먼트는 얇은 원판 형태인 것이 바람직하다. 회전 부재(304)와 튜닝 엘리먼트(306)는 본딩 결합에 의해 결합될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 결합 방식이 사용될 수 있다.

회전 부재(304) 및 튜닝 엘리먼트(306)의 수는 필터에 구비된 공진기(310)의 수에 상응하며, 도 3에는 8개의 공진기가 구비되어 있으므로, 회전 부재(304) 및 이에 결합되는 튜닝 엘리먼트(306) 역시 8개가 구비되어 있다. 물론, 회전 부재 및 튜닝 엘리먼트보다 공진기보다 많은 수가 구비될 수도 있다.

회전 부재(304)는 회전 가능하게 필터의 커버(302)에 결합되며, 회전 부재(304)의 회전에 상응하여 이와 결합된 튜닝 엘리먼트(306)도 회전한다. 종래에는 튜닝 볼트가 회전할 때 튜닝 볼트와 공진기 사이의 거리가 변경되면서 튜닝이 이루어졌으나, 본 발명에서는 튜닝 엘리먼트(306)와 공진기(310) 사이의 거리가 변경되지는 않으며, 튜닝 엘리먼트(306) 자체의 회전에 의해서만 튜닝이 이루어진다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 PIMD에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 RF 캐비티 필터에서 회전 부재와 튜닝 엘리먼트의 결합 상태를 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 PIMD에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 RF 캐비티 필터에서 하나의 캐비티에 대한 단면도를 도시한 도면이다.

도 5에 도시된 바와 같이, 회전 부재는 원판 형태의 튜닝 엘리먼트의 중앙부에서 결합되지 않고 중앙부에서 소정 거리 이격된 위치에서 튜닝 엘리먼트와 결합한다. 이와 같이, 회전 부재(304)가 튜닝 엘리먼트(306)의 중앙부에서 소정 거리 이격된 지점에서 튜닝 엘리먼트(306)와 결합되는 것은 회전에 의해 튜닝 엘리먼트(306)와 공진기(310)가 상하로 오버랩되는 면적을 변화시키기 위함이다. 튜닝 엘리먼트(306)의 회전에 의해 공진기와 튜닝 엘리먼트의 상하로 겹치는 면적이 변화되는 구조는 별도의 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

한편, 회전 부재(304)의 상부측에는 나사산(500)이 형성되며, 나사산(500)은 튜닝 완료 후 회전 부재를 고정시키기 위한 너트가 결합되기 위한 것이다.

회전 부재(304)에는 걸림부(502)가 돌출되어 형성된다. 걸림부(502)는 작업 자 또는 튜닝 머신에 의한 튜닝 작업 시 튜닝 엘리먼트와 공진기 사이의 높이를 일정하게 유지하기 위해 형성된다. 예를 들어, 작업자는 회전 부재(304)를 끌어올린 상태에서 튜닝을 하고, 도 6에 도시된 바와 같이, 회전 부재(304)는 걸림부(502)에 의해 필터의 커버 하부에 밀착되며, 이로 인해 튜닝 과정에서 튜닝 엘리먼트와 공진기 사이의 거리를 일정하게 유지할 수 있다.

도 6을 참조하면, 회전 부재(304)는 커버(302)의 삽입홀(350)을 통해 캐비티 내부로 관통되며, 회전 부재(304)의 하부에는 튜닝 엘리먼트(306)가 결합된다. 전술한 바와 같이, 회전 부재(304)는 튜닝 엘리먼트의 중앙에서 소정 거리 치우친 부분에서 튜닝엘리먼트와 결합한다.

회전 부재(304)는 드라이버와 같은 공구를 이용하여 회전시킬 수 있으며, 튜닝이 완료되면, 회전 부재(304)는 너트(600)를 이용하여 고정한다.

회전 부재(304)에서 캐비티 내부로 삽입된 부분에는 나사산이 형성되지 않는다. 종래의 튜닝 볼트는 회전에 의해 삽입되는 깊이가 변화되는 구조이기 때문에 캐비티 내부로 삽입된 부분에도 나사산이 형성되었다.

이와 같이 튜닝 볼트에 형성된 나사산은 원하지 않는 PIMD를 발생시키는 주요한 요인 중 하나였다.

IMD(Inter Modulation Distortion)란 두 개 이상의 신호 주파수들이 서로 간섭 현상을 일으켜 원치 않는 기생 신호를 발생시키는 것으로 이와 같은 현상이 수동(Passive) 소자에서 나타날 때 PIMD (Passive Inter Mmodulation Distortion)라고 한다. PIMD는 능동 소자에서 발생하는 능동 IMD와는 달리, 얼마 전까지만 해도 위성통신과 같은 고전력 통신 시스템에서만 고려되어 온 현상으로 상용 이동통신에서는 거의 무시되어져 왔다.

그러나, 이동통신 서비스가 확장됨에 따라 인접 기지국간의 간섭이 증가하고 그에 따른 IMD 문제도 증가하여 액티브 IMD뿐만 아니라 PIMD에 대한 문제도 함께 부상하고 있다. 액티브 IMD는 오래 전부터 꾸준한 연구 대상이었던 부분이라 큰 문제가 없으나, PIMD의 경우 근래까지 통신 시스템 구축에 있어 고려되지 않은 요소라 더욱 더 큰 문제를 야기 시키고 있다.

RF 부품에서 PIMD 발생 원인은 접촉 비선형성 (Contact Nonlinearity)과 재료 비선형성(Material Nonlinearity)으로 크게 구분할 수 있다. 접촉 비선형성의 원인에는 도체들 사이의 얇은 산화층에 의한 접합 용량, 금속 접촉에서 도체들 사이의 반도체 작용에 의한 터널 효과, 금속들 사이의 빈틈 공간과 미소 균열에 의한 마이크로 방전, 금속 표면의 먼지와 금속 입자들에 연관된 비선형성, 금속결합에서 발생되는 수축저항(Constriction resistance) 등이 있다.

튜닝 볼트의 나사산 구조는 이러한 접촉 비선형성을 야기시키는 구조인 바, 필터의 특성을 저하시키는 한 요인이었으나, 본 발명의 회전 부재에서 캐비티 내부로 삽입되는 부분에는 나사산이 형성되어 있지 않으므로 종래의 튜닝 볼트에 비해 PIMD의 발생을 줄일 수 있다.

회전 부재(304)가 튜닝 엘리먼트(306)의 중앙부에서 소정 거리 치우친 부분에서 결합되기 때문에, 회전 부재(304)가 회전할 경우 튜닝 엘리먼트(306)와 공진기(310)가 상하로 오버랩되는 면적이 변화된다. 주지된 바와 같이, 캐패시턴스는 두 금속 사이의 거리, 두 금속 사이의 단면적 및 두 금속 사이의 유전율에 대한 함수이다. 따라서, 튜닝 엘리먼트의 회전에 의해 공진기와 튜닝 엘리먼트가 상하로 오버랩되는 면적이 변화되면서 캐패시턴스가 변화되기 때문에 튜닝이 가능하다.

이와 같은 튜닝 구조에서 튜닝 엘리먼트(306)와 공진기(310) 사이의 거리가 변화되지 않는다. 종래의 튜닝 볼트에 의한 튜닝 구조에서는 튜닝 볼트가 삽입되는 깊이가 변화되면서 튜닝 볼트와 공진기 사이의 거리가 가까워질 수 있으며, 이 경우 하이 파워에 의한 유전체 브레이크다운 현상이 발생하는 문제점이 있었다. 그러나, 본 발명의 튜닝 구조에서는 튜닝 엘리먼트와 공진기 사이의 거리가 변화되지 않으므로 하이 파워에 의한 유전체 브레이크다운 현상을 설계 시부터 방지할 수 있으며, 이로 인해 보다 소형으로 RF 캐비티 필터를 구현하는 것이 가능하다.

도 6에 도시된 바와 같이, 회전에 따라 오버랩되는 면적의 변화를 보다 크게 하기 위해, 튜닝 엘리먼트(306)는 공진기의 중앙부에서 소정 거리 치우친 부분에서 공진기 위에 배치되는 것이 바람직하다.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 튜닝 엘리먼트의 회전에 따라 튜닝 엘리먼트와 공진기가 상하로 오버랩되는 면적이 변화되는 상태도를 도시한 도면이다.

도 7의 (a)는 초기 상태에서 공진기와 튜닝 엘리먼트 사이의 위치 관계를 도시한 것이고, 도 7의 (b)는 회전 부재를 회전시킨 후의 공진기과 튜닝 엘리먼트 사이의 위치 관계를 도시한 것이다.

도 7에 도시된 바와 같이, 회전축이 튜닝 엘리먼트의 중앙부가 아닌 중앙부에서 소정거리 치우친 부분에 존재하기 때문에 회전축(회전 부재)을 중심으로 튜닝 엘리먼트를 회전시킬 경우, 공진기와 튜닝 엘리먼트가 상하로 오버랩되는 면적은 변화된다.

도 7에서 (b) 상태는 (a) 상태에 비해 공진기와 튜닝 엘리먼트가 상하로 오버랩되는 면적이 줄어들므로, 캐패시턴스도 이에 상응하여 작아지며, 이와 같은 캐패시턴스의 변화로 인해 필터 특성의 튜닝이 가능하다.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 캐비티 필터에서 회전 부재의 회전 각도의 변화에 따른 공진 주파수 변화를 도시한 그래프이다.

도 8을 참조하면, 회전 부재의 회전 각도를 변화시킴에 따라 공진 주파수가 1000MHz에서 984MHz까지 점차적으로 변화되는 것을 확인할 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 일 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

도 1은 일반적인 캐비티 필터의 구조를 도시한 도면.

도 2는 종래의 RF 캐비티 필터에서 하나의 캐비티의 단면도를 도시한 도면.

도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 PIMD에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 RF 캐비티 필터의 분해 사시도를 도시한 도면.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 PIMD에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 RF 캐비티 필터의 사시도를 도시한 도면.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 PIMD에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 RF 캐비티 필터에서 회전 부재와 튜닝 엘리먼트의 결합 상태를 도시한 평면도.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 PIMD에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 RF 캐비티 필터에서 하나의 캐비티에 대한 단면도를 도시한 도면.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 튜닝 엘리먼트의 회전에 따라 튜닝 엘리먼트와 공진기가 상하로 오버랩되는 면적이 변화되는 상태도를 도시한 도면.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 캐비티 필터에서 회전 부재의 회전 각도의 변화에 따른 공진 주파수 변화를 도시한 그래프.

Claims (10)

1. 격벽들에 의해 내부에 다수의 캐비티가 정의되는 하우징;

   상기 캐비티에 수용되는 다수의 공진기;

   상기 하우징 상부에 결합되는 커버;

   상기 커버에서 상기 캐비티 내부로 삽입되며 회전 가능하게 설치되는 다수의 회전 부재;

   상기 회전 부재의 하부에 결합되며 상기 공진기 상부에 소정 거리 이격되어 배치되는 다수의 튜닝 엘리먼트를 포함하되,

   상기 회전 부재는 상기 튜닝 엘리먼트의 중앙에서 소정 거리 치우친 위치에서 상기 튜닝 엘리먼트와 결합되며, 상기 회전 부재의 회전에 의해 상기 공진기와 상기 튜닝 엘리먼트가 상하로 오버랩되는 면적이 변화되면서 튜닝이 이루어지는 것을 특징으로 하는 PIMD에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 RF 캐비티 필터.
2. 제1항에 있어서,

   상기 회전 부재는 유전체 재질로 이루어지며, 튜닝이 완료된 후 너트에 의해 고정되는 것을 특징으로 하는 PIMD에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 RF 캐비티 필터.
3. 제2항에 있어서,

   상기 커버에는 상기 회전 부재가 상기 캐비티 내부로 삽입될 수 있도록 삽입홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 PIMD에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 RF 캐비티 필터.
4. 제3항에 있어서,

   상기 회전 부재의 상부 측면에는 상기 회전 부재의 회전에 의한 튜닝 완료 후 회전 부재를 커버에 고정하도록 너트가 결합될 수 있는 나사산이 형성되는 것을 특징으로 하는 PIMD에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 RF 캐비티 필터.
5. 제4항에 있어서,

   상기 튜닝 엘리먼트는 금속 재질로 이루어지며 원판 형태인 것을 특징으로 하는 PIMD에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 RF 캐비티 필터.
6. 제4항에 있어서,

   상기 회전 부재 측면의 소정 지점에는 튜닝 과정에서 상기 튜닝 엘리먼트와 상기 공진기 사이의 거리가 일정하게 유지되도록 상기 커버 하부에 밀착되는 걸림부가 돌출되어 형성되는 것을 특징으로 하는 PIMD에 의한 특성 저하를 방지하기 위한 RF 캐비티 필터.
7. RF 캐비티 필터의 내부로 삽입되며 회전 가능하게 RF 캐비티 필터의 커버에 설치되는 회전 부재; 및

   상기 회전 부재의 하부에 결합되며 RF 필터의 캐비티 내부에 구비되는 공진기 상부에 소정 거리 이격되어 배치되는 튜닝 엘리먼트를 포함하되,

   상기 회전 부재는 상기 튜닝 엘리먼트의 중앙에서 소정 거리 치우친 위치에서 상기 튜닝 엘리먼트와 결합되며, 상기 회전 부재의 회전에 상응하여 상기 튜닝 엘리먼트가 회전되면서 튜닝을 수행하는 RF 캐비티 필터의 튜닝 장치.
8. 제7항에 있어서,

   상기 튜닝 엘리먼트의 회전에 의해 상기 공진기와 상기 튜닝 엘리먼트가 상하로 오버랩되는 면적이 변화되면서 튜닝이 이루어지는 것을 특징으로 하는 RF 캐비티 필터의 튜닝 장치.
9. 제8항에 있어서,

   상기 회전 부재는 유전체 재질로 이루어지며, 상기 튜닝 엘리먼트는 금속 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 RF 캐비티 필터의 튜닝 장치.
10. 제9항에 있어서,

    상기 튜닝 엘리먼트는 원판 형태인 것을 특징으로 하는 RF 캐비티 필터의 튜닝 장치.

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