KR20100073710A - Senor for detecting degradation - Google Patents
Senor for detecting degradation Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100073710A KR20100073710A KR1020080132456A KR20080132456A KR20100073710A KR 20100073710 A KR20100073710 A KR 20100073710A KR 1020080132456 A KR1020080132456 A KR 1020080132456A KR 20080132456 A KR20080132456 A KR 20080132456A KR 20100073710 A KR20100073710 A KR 20100073710A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light
- magneto
- output
- detection sensor
- rotor
- Prior art date
Links
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 title claims abstract description 8
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 14
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 5
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/12—Testing dielectric strength or breakdown voltage ; Testing or monitoring effectiveness or level of insulation, e.g. of a cable or of an apparatus, for example using partial discharge measurements; Electrostatic testing
- G01R31/1218—Testing dielectric strength or breakdown voltage ; Testing or monitoring effectiveness or level of insulation, e.g. of a cable or of an apparatus, for example using partial discharge measurements; Electrostatic testing using optical methods; using charged particle, e.g. electron, beams or X-rays
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/12—Testing dielectric strength or breakdown voltage ; Testing or monitoring effectiveness or level of insulation, e.g. of a cable or of an apparatus, for example using partial discharge measurements; Electrostatic testing
- G01R31/1227—Testing dielectric strength or breakdown voltage ; Testing or monitoring effectiveness or level of insulation, e.g. of a cable or of an apparatus, for example using partial discharge measurements; Electrostatic testing of components, parts or materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/34—Testing dynamo-electric machines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 센서에 관한 것으로, 보다 자세하게는 광을 이용하여 전력기기, 변압기 또는 도체 등에 흐르는 전류와 열을 동시에 측정하여 기기 또는 도체의 열화 정도를 측정할 수 있는 열화(劣化) 감지센서에 관한 것이다.The present invention relates to a sensor, and more particularly, to a deterioration detection sensor that can measure the degree of deterioration of the device or the conductor by simultaneously measuring the current and heat flowing to the power device, transformer or conductor using light. .
근대 에디슨의 발명이 이후 전기는 우리 생활에 가장 밀접한 에너지가 되었다. 디지털 카메라와 같은 초소형 고정밀 기기로부터 대규모의 공장에 이르기까지 현재 전기 에너지가 이용되지 않는 곳은 찾아보기 힘든 상황에 이르렀다.Since the invention of modern Edison, electricity has become the closest energy to our lives. From ultra-high precision devices such as digital cameras to large-scale factories, it's hard to find where no electrical energy is currently available.
한편, 앞서 말한 공장과 같이 대규모의 전력을 다루는 전력설비의 경우 전력의 감시 및 제어의 편의를 위해 배전반을 이용한다.On the other hand, in the case of a power plant that handles a large amount of power, such as the factory mentioned above, the switchboard is used for the convenience of monitoring and control of power.
이러한 배전반의 내부에는 변압기, 차단기, 단로기, 전력용 개폐기, 계기용 변압 변류기, 모선 및 접속도체와 감시제어에 필요한 각종 전력기기가 내장되어 있는데, 각 기기의 절연물질은 배전반의 통전이 이루어지면서 발생하는 열(熱)과 같은 요인에 의해 팽창 또는 수축을 반복하다가 점점 열화(劣化)되면서 절연이상을 발생시킨다.Inside these switchboards are transformers, breakers, disconnectors, power switchgears, transformer transformer current transformers, buses, and various power devices necessary for supervision and control. The insulation material of each device is generated when the switchboard is energized. Repeated expansion or contraction due to factors such as heat and deterioration gradually leads to insulation failure.
또한, 이렇게 절연 이상이 발생한 절연물질은 부분방전을 야기할 수 있고, 최악의 경우에는 절연파괴로 인해 전력설비의 화재로 진전된다.In addition, the insulation material in which the insulation abnormality occurs may cause a partial discharge, and in the worst case, the insulation breaks down to a fire of the power equipment.
따라서, 대형 사고로 이어지기 이전에 기기와 도체의 열화 상태를 측정하는 것은 매우 중요하다.Therefore, it is very important to measure the deterioration status of equipment and conductors before they lead to major accidents.
더욱이 국내는 1960년대 산업화가 시작된 이후 대규모의 전력설비가 도입되기 시작하였는데, 이들이 노후화함에 따라 사고의 위험성은 더욱더 높아지고 있다.Moreover, since industrialization began in the 1960s, large-scale power facilities were introduced, and as they age, the risk of accidents increases.
본 발명은 위와 같은 요구에 의해 창출된 것으로, 광출력을 이용하여 전력기기나 변압기 또는 도체에 흐르는 전류를 측정함과 동시에, 해당 기기 또는 도체에서 발생되는 열(熱)을 측정함으로써 기기 또는 도체의 열화 정도를 측정할 수 있는 열화감지 센서를 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention has been created by the above-described demands, and by measuring the current flowing through a power device, transformer or conductor using optical power, and measuring heat generated in the device or conductor, An object of the present invention is to provide a deterioration detection sensor capable of measuring the degree of deterioration.
위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 열화 감지센서는, 외부의 기준광원과 신호광원으로부터 각각 입사되는 기준광과 신호광을 혼합하여 혼합광을 생성하는 광커플러; 상기 혼합광을 인가받으며, 인접한 측정대상의 온도에 따라 상기 혼합광에 포함된 상기 신호광의 투과광량을 조절 출력하는 광흡수소자; 상기 기준광원으로부터 기준광을 인가받아 편광시키는 편광자; 상기 편광자로부터 편광을 인가받아 45°위상변환시키는 회전자; 상기 회전자로부터의 출력광을 인가받으며, 인접한 측정대상을 통해 흐르는 전류의 크기에 따라 변화되는 자계에 비례하여 상기 출력광의 광량을 조절 출력하는 자기광학소자; 및 상기 자기광학소자로부터 출력된 광 및 회전각도를 편광시키는 검광자;를 포함한다.Deterioration detection sensor of the present invention for achieving the above object, an optical coupler for generating a mixed light by mixing the reference light and the signal light incident from the external reference light source and the signal light source, respectively; A light absorbing element which receives the mixed light and adjusts the amount of transmitted light of the signal light included in the mixed light according to a temperature of an adjacent measurement object; A polarizer configured to polarize the reference light from the reference light source; A rotor for receiving a polarization from the polarizer and converting the phase by 45 °; A magneto-optical device that receives the output light from the rotor and adjusts and outputs the light amount of the output light in proportion to a magnetic field that changes according to a magnitude of a current flowing through an adjacent measurement target; And an analyzer for polarizing the light and the rotation angle output from the magneto-optical device.
상기 광흡수소자, 상기 편광자, 상기 회전자, 상기 자기광학소자 및 상기 검광자를 내부에 수용하며, 상기 측정대상에 흡착 고정되기 위한 흡착수단이 일측에 구비된 몰딩케이스;를 더 포함할 수 있다.And a molding case accommodating the light absorbing element, the polarizer, the rotor, the magneto-optical element, and the analyzer therein, and having a suction unit provided at one side for adsorption and fixing to the measurement target.
나아가, 상기 기준광의 파장은 1300nm이며, 상기 신호광의 파장은 940nm인 것이 바람직하다.Further, it is preferable that the wavelength of the reference light is 1300 nm, and the wavelength of the signal light is 940 nm.
그리고, 상기 검광자와 상기 광흡수소자의 출력부에는 집광(集光)을 위한 집광수단이 구비되는 것이 더욱 바람직하다.Further, it is more preferable that a light collecting means for collecting light is provided at the output of the analyzer and the light absorbing element.
덧붙여, 상기 자기광학소자는 희토류가 첨가된 YIG소자인 것이 바람직하다.In addition, the magneto-optical device is preferably a YIG device to which rare earth is added.
또한, 상기 광흡수소자는 InP반도체소자인 것이 바람직하다.In addition, the light absorbing device is preferably an InP semiconductor device.
본 발명에 따르면, 광출력을 이용하여 기기 또는 도체에 흐르는 전류를 측정함과 동시에, 해당 기기 또는 도체에서 발생되는 열(熱)을 측정함으로써 기존에는 전류측정과 온도측정의 이원화된 체계에 의해 개별적으로 이루어지던 기기 또는 도체의 열화 정도를 단 하나의 센서를 이용하여 용이하게 측정할 수 있는 장점이 있다.According to the present invention, by measuring the current flowing through the device or conductor using the light output, and by measuring the heat generated from the device or conductor, conventionally by the dual system of current measurement and temperature measurement The deterioration degree of the device or the conductors made by using a single sensor has the advantage that can be easily measured.
또한, 본 발명은 온도와 전류의 측정에 모두 광(光)을 이용하므로, 매우 빠른 측정이 가능한 장점이 있다.In addition, since the present invention uses light for both the measurement of temperature and current, there is an advantage that a very fast measurement is possible.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms or words used in the present specification and claims should not be construed as being limited to the common or dictionary meanings, and the inventors should properly explain the concept of terms in order to best explain their own invention. Based on the principle that can be defined, it should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.
이하에서는 도 1을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 열화 감지센서를 설명하도록 한다. 도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 열화 감지센서의 구성도이다. Hereinafter, a deterioration detecting sensor according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1. 1 is a block diagram of a degradation sensor according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 열화 감지센서(100)는 광커플러(110)와 편광자(120)와 회전자(130)와 자기광학소자(140)와 검광자(150) 및 광흡수소자(160)을 포함한다.As shown in FIG. 1, the
광커플러(110)는 센서 외부에 위치하는 외부의 기준광원(LS1)과 신호광원(LS2)으로부터 각각 입사되는 기준광(A)과 신호광(B)을 혼합하여 온도측정에 이용될 혼합광(C)을 생성한다.The
이때 기준광(A)은 전류의 측정에도 이용되므로 기준광의 일부만이 광커플러로 입사되고, 나머지는 차후에 설명할 편광자(120)로 입사된다.At this time, since the reference light A is also used to measure the current, only a part of the reference light is incident on the optocoupler, and the rest is incident on the
편광자(120)는 도 1에 도시된 것과 같이 기준광원(LS1)으로부터 기준광(A)을 인가받아 편광시킨다.The
회전자(130)는 교류 전류 측정에서 측정 정밀도를 높이기 위해, 편광자(120)를 통해 출력된 편광(D)을 45°만큼 회전시켜 광학 바이어스를 걸어준다.The
여기서, 편광을 45°만큼 회전시키는 이유는 자기광학소자(140)에서 편광면의 변화량에 대해서 선형적 출력특성을 갖는 각이 45°부근이기 때문이다.The reason why the polarization is rotated by 45 ° is because the angle having the linear output characteristic with respect to the amount of change of the polarization plane in the magneto-
자기광학소자(140)는 회전자(130)를 통해 위상 변환된 편광(E)을 인가받으며, 패러데이 이론에 의해 측정대상(미도시)을 통해 흐르는 전류의 크기에 따라 변화하는 자계에 비례하여 상기 편광(E)의 광량을 조절 출력한다.The magneto-
도 2에는 외부로부터의 자계 인가에 따라 광량이 조절되는 일 예가 도시되어 있다. 본 발명은 이러한 성질(패러데이 효과)을 이용하여 기기에 흐르는 전류의 크기에 따라 발생되는 자계의 영향으로 변화되는 자기광학소자(140) 내의 자구에 의해 광량과 회전각도가 조절되도록 한다.2 shows an example in which the amount of light is adjusted according to the application of a magnetic field from the outside. The present invention uses this property (Faraday effect) to adjust the amount of light and the rotation angle by the magnetic domain in the magnetic
여기서, 자기광학소자(140)는 패러데이 상수가 크고 온도특성이 우수한 희토류가 첨가된 YIG계열의 BIRIG 가넷 반도체 소자가 사용되는 것이 가장 바람직하나, 본 발명이 반드시 이에 의해서만 구현될 수 있는 것은 아니다.Herein, the magneto-
검광자(150)는 자기광학소자(140)로부터 출력된 광(F)을 변광시켜 외부로 출력되도록 한다. 이렇게 검광자(140)를 통해 편광된 광은 외부의 검출시스템(미도시)으로 전송되어 전기신호로 변환된 후 광의 회전각도와 광량에 따라 전류값을 산출하는데 이용된다. The
이하에서는 본 발명을 이용한 온도측정 원리를 설명하도록 한다.Hereinafter will be described the temperature measurement principle using the present invention.
전류측정에서는 기준광(A)만을 이용하였으나, 온도측정에서는 기준광(A)과 신호광(B)이 모두 이용된다.In the current measurement, only the reference light A was used, but in the temperature measurement, both the reference light A and the signal light B were used.
이때, 기준광(A)의 파장은 1300nm이며, 신호광(B)의 파장은 940nm인 것이 바람직한데, 익히 알려진 바와 같이 빛은 파장이 클수록 온도에 따른 광의 흡수율이 적으며, 그 반대로 파장이 작을수록 온도에 따른 광의 흡수율이 커지므로, 본 발명 의 센서(100)는 이러한 원리에 의해 혼합된 두 광(A,B)의 흡수율 차이를 측정함으로써 온도를 측정하도록 한다.In this case, the wavelength of the reference light A is 1300 nm, and the wavelength of the signal light B is preferably 940 nm. As is well known, the light has a higher absorption rate according to temperature, and the smaller the wavelength, the lower the temperature. Since the absorption rate of the light increases, the
또한, 본 발명에서는 측정 정밀도를 높이기 위하여 온도 측정 부문에서는 두 파장에서 검출된 두 개의 출력전압 비를 계산하고, 전류 측정부분에서는 교류와 직류의 비를 취하여 광섬유에 유입되는 외란의 영향을 줄이는 방법을 택하였다.In addition, the present invention calculates the ratio of the two output voltages detected at the two wavelengths in the temperature measurement section to increase the measurement accuracy, and takes the ratio of alternating current and direct current in the current measurement section to reduce the influence of disturbances flowing into the optical fiber. Selected.
광흡수소자(160)는 온도가 증가할 경우 광투과율이 변화되는데, 1300nm의 파장을 갖는 기준광(A)은 이러한 투과율에 영향을 거의 받지 않으나, 940nm의 짧은 파장을 갖는 신호광(B)은 광흡수소자(160)을 투과하면서 광량이 감소하게 된다.Light transmittance of the
즉, 도 1에 도시된 것과 같이 광흡수소자(160)를 통과하기 이전에 서로 다른 파장(λ1, λ2)을 갖는 두 광(A, B)은 같은 광량을 갖고 있으나, 광흡수소자(160)를 통과한 후 외부로 출력될 때에는, 신호광이 흡수됨에 따라 광량이 변화하게 되는데, 이러한 광의 흡수량은 온도에 따라 달라지므로 이를 비교하여 온도를 알 수 있는 것이다.That is, as shown in FIG. 1, the two light beams A and B having different wavelengths λ1 and λ2 have the same amount of light before passing through the
다시 말해, 혼합광(C) 중에서 파장이 긴 기준광(A)은 광량의 변화없이 광흡수소자(160)를 통과하나, 파장이 짧은 신호광(B)은 광흡수소자(160)가 갖는 일정 파장대에서의 온도변화특성에 따라 변화되는 것이다.In other words, the reference light A having a long wavelength among the mixed light C passes through the
한편, 광흡수소자(160)를 통해 흡수가 이루어진 혼합광은 90°프리즘(170)을 통해 센서(100)의 외부로 출력되며, 흡수가 이루어진 혼합광은 외부의 검출시스템(미도시)으로 전송되어 기준광(A) 및 신호광(B)의 흡수 차이가 전기신호로 변환된 후 해당 기기 또는 도체의 온도 산출에 이용된다. On the other hand, the mixed light absorbed through the
90°프리즘(170)은 본 발명의 실시를 위해 반드시 필요한 구성은 아니나, 도 1에 도시된 것과 같이 센서의 일면을 통해 광의 입력과 출력이 모두 이루어지도록 하는 것이 바람직하므로, 광의 진로를 변경하기 위해 이용될 수 있다.90 °
또한, 광흡수소자(160)는 측정하고자 하는 기기 또는 도체로부터 열을 용이하게 전달받을 수 있도록 해당 기기 또는 도체에 접촉될 수 있도록 구비되는 것이 바람직하다.In addition, the
이때, 본 발명에서는 광흡수소자(160)가 광흡수특성이 우수한 InP반도체소자로 구현되는 것이 가장 바람직하나 본 발명의 구성이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.At this time, in the present invention, the
본 발명은 이러한 구성을 통해 종래에는 기기의 열화 측정을 위해 각각 개별적으로 측정되어 오던 전류와 온도를 동시에 측정할 수 있도록 하는 효과를 제공한다.The present invention provides an effect of simultaneously measuring the current and the temperature, which have been measured separately for the measurement of deterioration of the device.
또한, 본 발명에 따르면, 도 1에 도시된 것과 같이 검광자(150)와 광흡수소자(160)가 광을 출력하게 되는 출력부와 광이 센서로 입력되는 입력부에는 집광(集光)을 위한 집광수단(180)을 구비할 수 있다.In addition, according to the present invention, as shown in Figure 1, the
이렇게 집광수단(180)이 구비됨으로써 본 발명은 검광자(150)와 광흡수소자(160)가 출력하는 광을 더욱 또렷이 할 수 있고, 이에 의해 더욱 정확한 검출이 가능해지는데, 집광수단으로는 셀폭렌즈 또는 콜리메이터 등이 이용될 수 있다.Thus, by providing the light collecting means 180, the present invention can more clearly the light output from the
또한, 이와 같은 집광수단(180)은 도 1에 도시된 바와 같이 몰딩케이스(190)의 내에 고정되는데, 집광수단을 통해 입력되거나 출력되는 광은 피그테일(Pig Tail)형으로 본딩된 광섬유(P)에 의해 케이스 외측과 연결되는 것이 바람직하다.In addition, the condensing means 180 is fixed in the
이러한 구성을 통해 본 발명은 광 전달의 신뢰성을 높일 수 있으며, 나아가 외부의 충격이나 압력에 의해 광의 진로가 변경됨으로써 센서가 오동작하는 것을 방지할 수 있다.Through this configuration, the present invention can increase the reliability of light transmission, and further prevent the sensor from malfunctioning by changing the path of the light due to external impact or pressure.
나아가, 광섬유의 끝단에는 본 발명의 센서(100)와 광원(LS1,LS2) 및 외부의 검출시스템(미도시)을 연결하거나 분리할 수 있도록 커넥터(191)가 구비되는 것이 바람직하나, 본 발명이 이에 반드시 한정되는 것은 아니다.Furthermore, the
예를 들어, 집광수단(180)으로부터 광원까지 하나의 광섬유로 연결되어 구성되는 것도 얼마든지 가능하다.For example, it is also possible to be configured by connecting one optical fiber from the light collecting means 180 to the light source.
앞서 설명한 바와 같은 구성을 통해 본 발명의 센서는 대상 기기 또는 도체에 흐르는 전류와 온도를 동시에 측정하는데 이용될 수 있으며, 이렇게 측정된 전류와 온도는 해당 기기의 열화 정도를 가늠하는데 지표로 이용될 수 있다.Through the above-described configuration, the sensor of the present invention can be used to simultaneously measure the current and temperature flowing in the target device or conductor, and the measured current and temperature can be used as an indicator to measure the degree of deterioration of the corresponding device. have.
예를 들어, 대상 기기 또는 도체에서 과도한 열이 감지되며, 누설전류로 인해 전류값이 감소한 경우 열화된 것으로 판정할 수 있다.For example, when excessive heat is detected in a target device or a conductor, and the current value decreases due to leakage current, it may be determined that it is degraded.
한편, 본 발명에서는 앞서 설명한 편광자(120), 회전자(130), 자기광학소자(140), 검광자(150), 광흡수소자(160), 90°프리즘(170) 및 집광수단(180)을 내부에 수용하는 몰딩케이스(190)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, in the present invention, the
또한, 편광자(120), 회전자(130), 자기광학소자(140), 검광자(150), 광흡수소자(160), 90°프리즘(170)은 광의 경로가 어긋나 오동작하는 것을 방지하기 위해 알루미늄과 같은 금속케이스(도 4의 S)에 고정 수용된 후 이 금속케이스가 몰딩케 이스에 삽입되도록 하는 것이 바람직하다.In addition, the
몰딩케이스는 에폭시와 같이 재질의 합성수지가 몰딩되어 형성될 수 있으며, 좀 더 바람직하게는 내열내후성을 갖는 재질로 형성될 수 있다.The molding case may be formed by molding a synthetic resin material such as epoxy, and more preferably, may be formed of a material having heat resistance and weather resistance.
또한, 도 4에 도시된 것과 같이 몰딩케이스(190)의 저면 일측에는 센서를 벽면과 같은 특정위치에 고정시킬 수 있는 흡착식 빨판(192)이 구비될 수 있으며, 이때에는 흡착식 빨판(192)이 형성된 일측이 금속케이스(S)의 저면보다 더 아래측에 위치하여 흡착식 빨판(192)의 부착을 위해 케이스 전체가 충분한 압축운동을 할 수 있는 공간(194)이 형성되는 것이 바람직하다.In addition, as shown in FIG. 4, one side of the bottom surface of the
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허 청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.As mentioned above, although this invention was demonstrated by the limited embodiment and drawing, this invention is not limited by this, The person of ordinary skill in the art to which this invention belongs, Of course, various modifications and variations are possible within the scope of equivalent claims.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 열화 감지센서의 구성도,1 is a block diagram of a degradation sensor according to an embodiment of the present invention,
도 2는 외부 자계에 따라 변화되는 빛의 성질을 도시한 예시도,2 is an exemplary view showing the property of light that changes according to an external magnetic field;
도 3은 몰딩케이스의 요부를 도시한 요부확대도이다.3 is an enlarged view illustrating main parts of a molding case.
< 도면의 주요 부분에 대한 설명><Description of Main Parts of Drawing>
110 : 광커플러 120 : 편광자110: optocoupler 120: polarizer
130 : 회전자 140 : 자기광학소자130: rotor 140: magneto optical element
150 : 검광자 160 : 광흡수소자150: analyzer 160: light absorption element
170 : 90°프리즘 180 : 집광수단170: 90 ° Prism 180: Condensing means
190 : 몰딩케이스190: Molding Case
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080132456A KR101038214B1 (en) | 2008-12-23 | 2008-12-23 | Senor for detecting degradation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080132456A KR101038214B1 (en) | 2008-12-23 | 2008-12-23 | Senor for detecting degradation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100073710A true KR20100073710A (en) | 2010-07-01 |
KR101038214B1 KR101038214B1 (en) | 2011-06-01 |
Family
ID=42636620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080132456A KR101038214B1 (en) | 2008-12-23 | 2008-12-23 | Senor for detecting degradation |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101038214B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230106208A (en) | 2022-01-05 | 2023-07-13 | 동의대학교 산학협력단 | Semiconductor package and detection of deterioration of materials inside semiconductor packages |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4046778B2 (en) | 1995-04-05 | 2008-02-13 | ソニー株式会社 | Optical disk recording / reproducing device |
JP4337804B2 (en) * | 2005-11-01 | 2009-09-30 | セイコーエプソン株式会社 | LIGHT EMITTING DEVICE, DRIVE CIRCUIT, DRIVE METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE |
US7711217B2 (en) | 2007-04-13 | 2010-05-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Active sensor, multipoint active sensor, method for diagnosing deterioration of pipe, and apparatus for diagnosing deterioration of pipe, and apparatus for diagnosis deterioration of pipe |
-
2008
- 2008-12-23 KR KR1020080132456A patent/KR101038214B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101038214B1 (en) | 2011-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102159420B1 (en) | Optical sensor | |
JP4987055B2 (en) | Compensation for a simple fiber optic Faraday effect sensor | |
CN102753986B (en) | For the MS master-slave fibre optic current sensor of differential protection scheme | |
CN111492252B (en) | Device for measuring an electric and/or magnetic field in an electrical energy transmission conductor | |
CN108918940A (en) | Full optical-fiber current mutual induction system and method with temperature-compensating | |
CN102830258B (en) | Optical current sensor-based system and current measuring method | |
JP2016538547A (en) | Power transformer using optical current sensor | |
CN105445519B (en) | A kind of optical fiber current mutual inductor that dual wavelength works and the method for measuring electric current | |
KR101038214B1 (en) | Senor for detecting degradation | |
CN103869135A (en) | All-fiber current transformer with dual-protection function | |
JPS648413B2 (en) | ||
KR101100873B1 (en) | System for diagnosing degradation | |
JP2004020348A (en) | Measuring instrument of measuring photoelectric voltage, method of measuring electric power or electric energy, and protection system for electric equipment | |
KR100659564B1 (en) | Optical Current Sensor | |
KR101800360B1 (en) | Optical Current Transformer for Verifying Voltage Integrity at Switchgear | |
RU2767166C1 (en) | Optical interference current meter | |
Ye et al. | New optical fiber voltage transformer | |
KR100288157B1 (en) | Optoelectronic Overcurrent Protection Relay System | |
CN116990573A (en) | All-fiber current transformer | |
WO2023215681A2 (en) | A temperature stable optical pockels electric field sensor and methods thereof | |
JPH10111319A (en) | Signal processing method and device for photo-voltage/ photo-current sensor | |
KR20220074247A (en) | Multi-functional current transformer with triple core | |
Yoshida et al. | Development of an optical current transducer using a flint glass fiber for a gas circuit breaker | |
Wang et al. | Study on characteristics of Fiber Optic Current Transformer and the impact on reliability of protection | |
CN116047158A (en) | Single-light-path double-channel optical current sensor device and self-compensation testing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140708 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150514 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160418 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170511 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180411 Year of fee payment: 8 |