KR20100068845A - Method for depositing w thin film - Google Patents
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Abstract
본 발명은 붕소 함량을 조절할 수 있는 텅스텐 박막 증착방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 텅스텐 박막 증착방법은 기판 상에 실리콘을 함유하는 가스를 침착시킨 후, 기판 상에 붕소를 함유하는 가스를 침착시켜 기판 상에 실리콘-붕소 희생층을 형성한다. 그리고 실리콘-붕소 희생층을 텅스텐 함유 전구체에 노출시켜 텅스텐층을 형성한다.The present invention relates to a tungsten thin film deposition method capable of adjusting the boron content. The tungsten thin film deposition method according to the present invention deposits a gas containing silicon on a substrate, and then forms a silicon-boron sacrificial layer on the substrate by depositing a gas containing boron on the substrate. The silicon-boron sacrificial layer is then exposed to a tungsten containing precursor to form a tungsten layer.
Description
본 발명은 박막 증착방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 텅스텐 박막을 증착하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition method, and more particularly to a method for depositing a tungsten thin film.
일반적으로 반도체 소자의 집적도가 높아짐에 따라 게이트 전극의 선폭 감소와 함께 게이트 전극의 저항이 증가한다. 게이트 전극의 저항 증가는 소자의 속도(speed)를 저하시켜 집적도를 높이는데 장애 요인이 된다. 따라서 이러한 문제를 극복하기 위하여 게이트 전극 물질을 폴리 실리콘(poly Si)에서 텅스텐 폴리사이드(W polycide)로의 전환에 대한 많은 연구가 이루어졌다. 텅스텐 폴리사이드 게이트 전극은 950 ℃까지 열적 안정성을 갖고, 비저항이 낮은 장점이 있다. 텅스텐 폴리사이드 전극은 텅스텐 박막을 실리콘 상에 증착한 후 열처리하여 형성한다. 또한, 텅스텐 박막은 비아 홀(via hole), 콘택 홀(contact hole) 및 플러그(plug)에 이용되는 등 그 이용범위가 점점 넓어지고 있는 추세이다. 따라서 낮은 온도에서 비저항이 낮으며 표면 거칠기가 우수한 텅스텐 박막을 증착하는 것이 요구된다.In general, as the degree of integration of semiconductor devices increases, the resistance of the gate electrode increases with decreasing the line width of the gate electrode. Increasing the resistance of the gate electrode lowers the speed of the device and becomes an obstacle to increasing the degree of integration. Therefore, in order to overcome this problem, much research has been conducted on the conversion of the gate electrode material from poly Si to tungsten polyside. Tungsten polyside gate electrode has the advantage of having a thermal stability up to 950 ℃, low resistivity. The tungsten polyside electrode is formed by depositing a tungsten thin film on silicon and then heat treatment. In addition, the tungsten thin film is used in via holes, contact holes, plugs, and the like, and its use range is gradually increasing. Therefore, it is required to deposit a tungsten thin film having a low specific resistance and excellent surface roughness at low temperature.
텅스텐 박막을 증착하기 위해서는, 일반적으로 불화텅스텐(WF6)을 텅스텐 전 구체로 이용한다. 그리고 불화텅스텐을 수소(H2)와 같은 환원가스로 환원시킴으로써 텅스텐 박막을 증착한다. 그리고 접착력(adhesion)을 향상시키고, 기판과의 확산을 방지하기 위하여 티타늄(Ti) 박막과 질화티타튬(TiN) 박막이 순차적으로 적층된 확산 방지막(TiN/Ti)을 기판 상에 형성시킨 후, 이 확산 방지막 상에 텅스텐 박막을 증착하게 된다. 그러나 불화텅스텐과 수소를 이용하여 TiN/Ti 확산 방지막 상에 텅스텐 박막을 증착하는 경우, 볼케이노(volcano)가 발생하는 문제점이 있다. 이는 불화텅스텐의 불소(F) 원자가 확산 방지막과 반응하여, 불화티타늄(TiF3)을 형성함으로써 발생되는 것이다. In order to deposit a tungsten thin film, tungsten fluoride (WF 6 ) is generally used as a tungsten precursor. The tungsten thin film is deposited by reducing tungsten fluoride with a reducing gas such as hydrogen (H 2 ). In order to improve adhesion and prevent diffusion with the substrate, a diffusion barrier layer (TiN / Ti) in which a titanium (Ti) thin film and a titanium nitride (TiN) thin film are sequentially stacked is formed on the substrate. A tungsten thin film is deposited on this diffusion barrier. However, when the tungsten thin film is deposited on the TiN / Ti diffusion barrier using tungsten fluoride and hydrogen, there is a problem in that volcano occurs. This occurs when the fluorine (F) atoms of tungsten fluoride react with the diffusion barrier to form titanium fluoride (TiF 3 ).
이러한 볼케이노가 생성되는 것을 방지하기 위하여, 텅스텐 박막을 증착하기에 앞서, 텅스텐 핵형성층을 형성함으로써, 불화텅스텐이 확산 방지막과 반응하는 것을 방지하는 방법이 연구되고 있다. 텅스텐 핵형성층은 디보레인(B2H6)을 먼저 기판 상에 침착시켜 붕소 희생층을 형성한 후, 불화텅스텐을 기판 상에 공급하는 방식으로 형성된다. 이와 같은 방법으로 텅스텐 핵형성층을 형성하게 되면, 불화텅스텐과 확산 방지막이 반응하는 것을 방지할 수 있게 된다.In order to prevent such volcanoes from being produced, a method of preventing tungsten fluoride from reacting with the diffusion barrier layer by forming a tungsten nucleation layer prior to depositing a tungsten thin film has been studied. The tungsten nucleation layer is formed by first depositing diborane (B 2 H 6 ) on the substrate to form a boron sacrificial layer and then supplying tungsten fluoride on the substrate. When the tungsten nucleation layer is formed in this manner, it is possible to prevent the tungsten fluoride and the diffusion barrier from reacting.
그러나 이와 같은 방식으로 텅스텐 핵형성층을 형성하게 되면, 텅스텐 핵형성층의 붕소함량을 조절할 수 없는 문제점이 있다.However, when the tungsten nucleation layer is formed in this manner, there is a problem in that the boron content of the tungsten nucleation layer cannot be adjusted.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 붕소 함유량을 조절할 수 있는 텅스텐 박막 증착방법을 제공하는 것이다.The technical problem to be solved by the present invention is to provide a tungsten thin film deposition method that can adjust the boron content.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 텅스텐 박막 증착방법의 바람직한 일 실시예는 (a1) 기판 상에 실리콘을 함유하는 가스를 침착시키는 단계; (a2) 상기 기판 상에 붕소를 함유하는 가스를 침착시켜 상기 기판 상에 실리콘-붕소 희생층을 형성하는 단계; 및 (a3) 상기 실리콘-붕소 희생층을 텅스텐 함유 전구체에 노출시켜 텅스텐층을 형성하는 단계;를 갖는다.In order to solve the above technical problem, a preferred embodiment of the tungsten thin film deposition method according to the present invention comprises the steps of (a1) depositing a gas containing silicon on the substrate; (a2) depositing a boron containing gas on the substrate to form a silicon-boron sacrificial layer on the substrate; And (a3) exposing the silicon-boron sacrificial layer to a tungsten-containing precursor to form a tungsten layer.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 텅스텐 박막 증착방법의 바람직한 다른 실시예는 (b1) 기판 상에 실리콘을 함유하는 가스와 붕소를 함유하는 가스를 함께 침착시켜 실리콘-붕소 희생층을 형성하는 단계; 및 (b2) 상기 실리콘-붕소 희생층을 텅스텐 함유 전구체에 노출시켜 상기 기판 상에 텅스텐층을 형성하는 단계;를 갖는다.In order to solve the above technical problem, another preferred embodiment of the tungsten thin film deposition method according to the present invention (b1) by depositing a gas containing silicon and a gas containing boron on the substrate to form a silicon-boron sacrificial layer Forming; And (b2) exposing the silicon-boron sacrificial layer to a tungsten-containing precursor to form a tungsten layer on the substrate.
본 발명에 따르면, 기판 상에 실리콘을 함유하는 가스와 붕소를 함유하는 가스를 이용하여 실리콘-붕소 희생층을 형성시킨 후, 이를 이용하여 텅스텐층을 형성하므로 실리콘을 함유하는 가스와 붕소를 함유하는 가스의 유량 또는 공급시간을 조절하여 텅스텐층이 함유하는 붕소의 함량을 조절할 수 있다.According to the present invention, a silicon-boron sacrificial layer is formed using a gas containing silicon and a gas containing boron on a substrate, and then a tungsten layer is formed using the silicon-containing gas and boron. The amount of boron contained in the tungsten layer may be adjusted by adjusting the flow rate or supply time of the gas.
이하에서 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 텅스텐 박막 증착방법의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the tungsten thin film deposition method according to the present invention. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you.
도 1은 본 발명에 따른 텅스텐 박막 증착방법에 이용되는 텅스텐 박막 증착장치의 일 예를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an example of a tungsten thin film deposition apparatus used in the tungsten thin film deposition method according to the present invention.
도 1을 참조하면, 텅스텐 박막 증착장치(100)는 반응기(110), 기판 지지부(120), 가스 분사부(130), 실리콘 함유가스 공급원(140), 붕소 함유가스 공급원(150), 텅스텐 전구체 공급원(160), 환원가스 공급원(170) 및 퍼지가스 공급원(180)을 구비한다.Referring to FIG. 1, the tungsten thin
반응기(110)는 수용부가 형성되어 있는 매엽식 챔버가 이용된다. 반응기(110)에는 기판(w)이 출입하는 기판(w) 이송통로(도면 미도시)와 반응기(110) 내부에 잔존하는 불필요 가스 및 파티클을 배출하기 위한 배기구(도면 미도시)가 마련되어 있다.The
기판 지지부(120)는 기판(w)이 안착될 서셉터(susceptor)와 기판(w)의 온도를 조절하기 위한 히터(도면 미도시)를 구비한다. The
가스 분사부(130)는 실리콘을 함유하는 가스, 붕소를 함유하는 가스, 텅스텐 함유 전구체, 텅스텐을 환원시키는 환원가스 및 퍼지가스르 기판(w) 상으로 공급하 는 장치로서, 통상적인 샤워헤드(showerhead) 형태일 수 있다.The
실리콘 함유가스 공급원(140)은 실리콘을 함유하는 가스를 저장하는 장치이다. 이때 실리콘을 함유하는 가스는 사일렌(SiH4)일 수 있다. 붕소 함유가스 공급원(150)은 붕소를 함유하는 가스를 저장하는 장치이다. 이때 붕소를 함유하는 가스는 디보레인(B2H6)일 수 있다. 텅스텐 함유가스 공급원(160)은 텅스텐 함유 전구체를 저장하는 장치이다. 이때 텅스턴 함유 전구체는 불화텅스텐(WF6)일 수 있다. 환원가스 공급원(170)은 텅스텐을 환원시키는 환원가스를 공급하는 장치이다. 이때 환원가스는 수소(H2)일 수 있다. 퍼지가스 공급원(180)은 실리콘을 함유하는 가스, 붕소를 함유하는 가스 및 텅스텐 함유 전구체를 퍼지하는 퍼지가스를 저장하는 장치이다. 이때 퍼지가스는 아르곤(Ar)과 같은 불활성 가스일 수 있다.Silicon-containing
실리콘 함유가스 공급원(140), 붕소 함유가스 공급원(150), 텅스텐 전구체 공급원(160), 환원가스 공급원(170) 및 퍼지가스 공급원(180)은 가스 라인 등을 통해 가스 분사부(130)와 연결된다. 텅스텐 함유 전구체는 실리콘을 함유하는 가스, 붕소를 함유하는 가스 및 환원가스와 반응할 수 있다. 가스 라인 내부에서 텅스텐 함유 전구체와 실리콘을 함유하는 가스 및 환원가스와의 반응을 방지하고, 텅스텐 박막 형성시 텅스텐 함유 전구체의 퍼지의 용이성을 위하여 텅스텐 전구체 공급원(160)과 가스 분사부(130)와 연결되는 가스 라인은 다른 가스가 혼입되지 않도록 독립적으로 형성된다. 그리고 가스 분사부(130)는 하나의 확산공간을 갖는 샤워헤드 형태일 수도 있으며, 텅스텐 함유 전구체가 다른 가스와 혼합되지 않도록, 텅스 텐 함유 전구체만을 기판(w) 상으로 공급하는 별도의 가스 분사기를 구비하거나 독립적인 가스 확산 공간을 갖는 샤워헤드 형태로 구성될 수도 있다.The silicon-containing
도 2는 본 발명에 따른 텅스텐 박막 증착방법에 대한 바람직한 일 실시예의 수행과정을 나타내는 흐름도이다.Figure 2 is a flow chart showing the implementation of a preferred embodiment for the tungsten thin film deposition method according to the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 텅스텐 박막 증착방법은 텅스텐 핵형성층을 형성한 후, 텅스텐 박막을 형성하는 방식으로 이루어진다. 텅스텐 핵형성층 두 가지 방법으로 이루어질 수 있다. 하나는 S210 단계 내지 S240 단계로 이루어지고, 다른 하나는 S250 단계 내지 S270 단계로 이루어진다. 설명의 편의상 S210 단계 내지 S240 단계의 방법으로 텅스텐 핵형성층을 형성하는 방법을 제1 텅스텐 핵형성층 형성방법이라 하고, S250 단계 내지 S270 단계의 방법으로 텅스텐 핵형성층을 형성하는 방법은 제2 텅스텐 핵형성층 형성방법이라 한다. 제1 텅스텐 핵형성층 형성방법을 이용하여 텅스텐 박막을 증착하기 위한 가스 공급 순서를 도 3에 나타내었고, 제2 텅스텐 핵형성층 형성방법을 이용하여 텅스텐 박막을 증착하기 위한 가스 공급 순서를 도 4에 나타내었다.As shown in FIG. 2, the tungsten thin film deposition method according to the present invention is formed by forming a tungsten nucleation layer and then forming a tungsten thin film. Tungsten nucleation layer can be made in two ways. One is made up of steps S210 to S240, and the other is made up of steps S250 to S270. For convenience of description, the method of forming the tungsten nucleation layer by the method of steps S210 to S240 is called a first tungsten nucleation layer forming method, and the method of forming the tungsten nucleation layer by the method of steps S250 to S270 is a second tungsten nucleation layer. It is called forming method. The gas supply sequence for depositing a tungsten thin film using the first tungsten nucleation layer formation method is shown in FIG. 3, and the gas supply sequence for depositing a tungsten thin film using the second tungsten nucleation layer formation method is shown in FIG. 4. It was.
도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 텅스텐 핵형성층 형성방법은 우선, 기판(w) 상에 실리콘을 함유하는 가스를 침착시킨다(S210). 실리콘을 함유하는 가스는 사일렌(SiH4)일 수 있다. 그리고 실리콘을 함유하는 가스를 퍼지한다(S215). 실리콘을 함유하는 가스를 퍼지할 때 사용되는 퍼지가스는 아르곤과 같은 불활성 가스일 수 있다.2 and 3, the first tungsten nucleation layer forming method first deposits a gas containing silicon on the substrate w (S210). The gas containing silicon may be silylene (SiH 4 ). And the gas containing silicon is purged (S215). The purge gas used when purging the gas containing silicon may be an inert gas such as argon.
다음으로, 기판(w) 상에 붕소를 함유하는 가스를 침착시켜 실리콘-붕소 희생층을 형성한다(S220). 붕소를 함유하는 가스는 디보레인(B2H6)일 수 있다. 그리고 붕소를 함유하는 가스를 퍼지한다(S225). 붕소를 함유하는 가스를 퍼지할 때 사용되는 퍼지가스는 아르곤과 같은 불활성 가스일 수 있다.Next, a gas containing boron is deposited on the substrate w to form a silicon-boron sacrificial layer (S220). The gas containing boron may be diborane (B 2 H 6 ). And purge the gas containing boron (S225). The purge gas used when purging the gas containing boron may be an inert gas such as argon.
다음으로, 실리콘-붕소 희생층을 텅스텐 함유 전구체에 노출시켜 기판(w) 상에 텅스텐층을 형성한다(S230). 텅스텐 함유 전구체는 불화텅스텐(WF6)일 수 있다. 그리고 텅스텐 함유 전구체를 퍼지한다(S235). 텅스텐 함유 전구체를 퍼지할 때 사용되는 퍼지가스는 아르곤과 같은 불활성 가스일 수 있다.Next, the silicon-boron sacrificial layer is exposed to the tungsten-containing precursor to form a tungsten layer on the substrate (W230). The tungsten containing precursor may be tungsten fluoride (WF 6 ). And tungsten-containing precursor is purged (S235). The purge gas used when purging the tungsten containing precursor may be an inert gas such as argon.
그리고 텅스텐 핵형성층의 형성이 완료되었는지 여부를 확인하여(S240), 텅스텐 핵형성층의 형성이 완료될 때까지 S210 단계 내지 S235 단계를 반복 수행한다. Then, it is checked whether the formation of the tungsten nucleation layer is completed (S240), and steps S210 to S235 are repeatedly performed until the formation of the tungsten nucleation layer is completed.
이와 같이, 실리콘-붕소 희생층을 먼저 기판(w) 상에 형성한 후, 불화텅스텐과 같은 텅스텐 함유 전구체를 공급하면, 텅스텐 함유 전구체가 직접 기판(w)과 접촉되지 않으므로, 텅스텐 함유 전구체에 의해 기판(w)이 손상되어 볼케이노와 같은 결함이 발생되지 않는다. 그리고 붕소를 함유하는 가스만을 기판(w)에 침착시켜 붕소 희생층을 형성시킬 경우에는 텅스텐층에 함유된 붕소의 함량을 조절할 수 없다. 그러나 제1 텅스텐 핵형성층 형성방법과 같이 실리콘을 함유하는 가스를 먼저 기판(w)에 침착시킨 후, 붕소를 함유하는 가스를 기판(w)에 침착시키면, 실리콘을 함유하는 가스와 붕소를 함유하는 가스의 공급 유량이나 공급 시간을 조절하여 텅스 텐층에 함유되는 붕소의 함량을 손쉬운 방법으로 조절할 수 있다. 그리고 붕소 희생층에 비해 실리콘-붕소 희생층은 접착력(adhesion)이 우수하다는 장점이 있다.As such, when the silicon-boron sacrificial layer is first formed on the substrate w and then a tungsten-containing precursor such as tungsten fluoride is supplied, the tungsten-containing precursor is not directly in contact with the substrate w. The substrate w is damaged so that a defect such as a volcano does not occur. In addition, when only the gas containing boron is deposited on the substrate w to form the boron sacrificial layer, the content of boron contained in the tungsten layer cannot be controlled. However, as in the method of forming the first tungsten nucleation layer, a gas containing silicon is first deposited on the substrate w, and then a gas containing boron is deposited on the substrate w, thereby containing a gas containing silicon and boron. The amount of boron contained in the tungsten layer can be easily adjusted by adjusting the supply flow rate or the supply time of the gas. In addition, the silicon-boron sacrificial layer has an advantage of excellent adhesion (adhesion) compared to the boron sacrificial layer.
도 2 및 도 4를 참조하면, 제2 텅스텐 핵형성층 형성방법은 우선, 기판(w) 상에 실리콘을 함유하는 가스와 붕소를 함유하는 가스를 함께 침착시켜, 실리콘-붕소 희생층을 형성한다(S250). 실리콘을 함유하는 가스는 사일렌(SiH4)일 수 있고, 붕소를 함유하는 가스는 디보레인(B2H6)일 수 있다. 그리고 실리콘을 함유하는 가스와 붕소를 함유하는 가스를 퍼지한다(S255). 실리콘을 함유하는 가스와 붕소를 함유하는 가스를 퍼지할 때 사용되는 퍼지가스는 아르곤과 같은 불활성 가스일 수 있다.2 and 4, in the method of forming the second tungsten nucleation layer, first, a gas containing silicon and a gas containing boron are deposited together on the substrate w to form a silicon-boron sacrificial layer ( S250). The gas containing silicon may be silylene (SiH 4 ) and the gas containing boron may be diborane (B 2 H 6 ). Then, the gas containing silicon and the gas containing boron are purged (S255). The purge gas used when purging the gas containing silicon and the gas containing boron may be an inert gas such as argon.
다음으로, 실리콘-붕소 희생층을 텅스텐 함유 전구체에 노출시켜 기판(w) 상에 텅스텐층을 형성한다(S260). 텅스텐 함유 전구체는 불화텅스텐(WF6)일 수 있다. 그리고 텅스텐 함유 전구체를 퍼지한다(S265). 텅스텐 함유 전구체를 퍼지할 때 사용되는 퍼지가스는 아르곤과 같은 불활성 가스일 수 있다.Next, the silicon-boron sacrificial layer is exposed to a tungsten-containing precursor to form a tungsten layer on the substrate w (S260). The tungsten containing precursor may be tungsten fluoride (WF 6 ). And tungsten-containing precursor is purged (S265). The purge gas used when purging the tungsten containing precursor may be an inert gas such as argon.
그리고 텅스텐 핵형성층의 형성이 완료되었는지 여부를 확인하여(S270), 텅스텐 핵형성층의 형성이 완료될 때까지 S250 단계 내지 S265 단계를 반복 수행한다. Then, it is checked whether the formation of the tungsten nucleation layer is completed (S270), and the steps S250 to S265 are repeatedly performed until the formation of the tungsten nucleation layer is completed.
제2 텅스텐 핵형성층 형성방법은 제1 핵형성층 형성방법과 마찬가지로, 그리고 붕소 희생층에 비해 실리콘-붕소 희생층은 접착력이 우수하고, 텅스텐 함유 전구체가 직접 기판(w)과 접촉되지 않으므로, 텅스텐 함유 전구체에 의해 기판(w)이 손상되어 볼케이노와 같은 결함이 발생되지 않는다. 그리고 실리콘을 함유하는 가스와 붕소를 함유하는 가스를 함께 침착시켜, 실리콘-붕소 희생층을 형성시키므로, 실리콘을 함유하는 가스와 붕소를 함유하는 가스의 공급 유량이나 공급 시간을 조절하여 텅스텐층에 함유되는 붕소의 함량을 손쉬운 방법으로 조절할 수 있다. The method of forming the second tungsten nucleation layer is the same as the method of forming the first nucleation layer, and the silicon-boron sacrificial layer has better adhesion than the boron sacrificial layer, and the tungsten-containing precursor is not directly in contact with the substrate w. The substrate w is damaged by the precursor so that defects such as volcano do not occur. The silicon-boron sacrificial layer is formed by depositing a gas containing silicon and a gas containing boron together, so that the supply flow rate or supply time of the gas containing silicon and the gas containing boron is controlled to be contained in the tungsten layer. The content of boron can be adjusted by an easy method.
도 2 및 도 3에 도시된 제1 텅스텐 핵형성층 형성방법과 도 2 및 도 4에 도시된 제2 텅스텐 핵형성층 형성방법은 원자층증착법(ALD)에 의해 이루어지나, 이에 한정되지 않고, 각각의 퍼지단계(S215, S225, S235, S255, S265)를 생략하면 사이클릭 CVD(cyclic CVD)에 의해 이루어질 수도 있다.The method of forming the first tungsten nucleation layer shown in FIGS. 2 and 3 and the method of forming the second tungsten nucleation layer shown in FIGS. 2 and 4 may be formed by atomic layer deposition (ALD), but are not limited thereto. Omitting the purge steps S215, S225, S235, S255, and S265 may be performed by cyclic CVD.
제1 텅스텐 핵형성층 형성방법과 제2 텅스텐 핵형성층 형성방법으로 텅스텐 핵형성층의 형성이 완료되면, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 텅스텐 함유 전구체와 텅스텐을 환원시키는 환원가스를 공급하여 원하는 두께의 텅스텐 박막을 형성한다(S280). 텅스텐 함유 전구체는 불화텅스텐(WF6)일 수 있고, 환원가스는 수소(H2)일 수 있다. S280 단계는 일반적인 CVD 또는 ALD로 수행될 수 있다.When the formation of the tungsten nucleation layer is completed by the method of forming the first tungsten nucleation layer and the method of forming the second tungsten nucleation layer, as shown in FIGS. A thin tungsten thin film is formed (S280). The tungsten containing precursor may be tungsten fluoride (WF 6 ) and the reducing gas may be hydrogen (H 2 ). The S280 step may be performed by general CVD or ALD.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.Although the preferred embodiments of the present invention have been shown and described above, the present invention is not limited to the specific preferred embodiments described above, and the present invention belongs to the present invention without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims. Various modifications can be made by those skilled in the art, and such changes are within the scope of the claims.
도 1은 본 발명에 따른 텅스텐 박막 증착방법에 이용되는 텅스텐 박막 증착장치의 일 예를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an example of a tungsten thin film deposition apparatus used in the tungsten thin film deposition method according to the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 텅스텐 박막 증착방법에 대한 바람직한 일 실시예의 수행과정을 나타내는 흐름도이다.Figure 2 is a flow chart showing the implementation of a preferred embodiment for the tungsten thin film deposition method according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따라 텅스텐 박막을 증착하기 위한 가스 공급 순서의 일 예를 나타내는 도면이다.3 is a view showing an example of a gas supply sequence for depositing a tungsten thin film according to the present invention.
도 4는 본 발명에 따라 텅스텐 박막을 증착하기 위한 가스 공급 순서의 다른 예를 나타내는 도면이다.4 is a view showing another example of a gas supply sequence for depositing a tungsten thin film according to the present invention.
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