KR20100068740A - Light quantity detecting circuit and liquid crystal display device using the same and driving method thereof - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 171
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 33
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 14
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 4
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 abstract 1
- 101001092912 Haloferax volcanii (strain ATCC 29605 / DSM 3757 / JCM 8879 / NBRC 14742 / NCIMB 2012 / VKM B-1768 / DS2) Small archaeal modifier protein 1 Proteins 0.000 description 12
- 101000801088 Homo sapiens Transmembrane protein 201 Proteins 0.000 description 12
- 102100033708 Transmembrane protein 201 Human genes 0.000 description 12
- 101710176973 Small archaeal modifier protein 2 Proteins 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 7
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 101000885321 Homo sapiens Serine/threonine-protein kinase DCLK1 Proteins 0.000 description 1
- 102100039758 Serine/threonine-protein kinase DCLK1 Human genes 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/4228—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors arrangements with two or more detectors, e.g. for sensitivity compensation
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J2001/444—Compensating; Calibrating, e.g. dark current, temperature drift, noise reduction or baseline correction; Adjusting
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/043—Compensation electrodes or other additional electrodes in matrix displays related to distortions or compensation signals, e.g. for modifying TFT threshold voltage in column driver
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
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Abstract
Description
본 발명은 광량 검출회로에 관한 것으로 특히, 주변 환경의 변화에 의해 광량 검출신호가 왜곡되는 것을 방지하여 광량 검출의 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 한 광량 검출회로와 이를 이용한 액정 표시장치 및 그의 구동방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
최근 대두되고 있는 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel) 및 발광 표시장치(Light Emitting Display) 등이 있다. 이러한 평판 표시장치들은 해상도, 컬러표시 및 화질 등이 우수하여 노트북, 데스크 탑 모니터 및 모바일용 단말기에 활발하게 적용되고 있다. Recently, flat panel displays include liquid crystal displays, field emission displays, plasma display panels, and light emitting displays. These flat panel display devices are actively applied to laptops, desktop monitors, and mobile terminals due to their excellent resolution, color display, and image quality.
평판 표시장치 중 액정 표시장치는 비디오 신호에 따라 액정셀들의 광투과율을 조절하여 화상을 표시하게 된다. 액정셀마다 스위칭 소자가 형성된 액티브 매트릭스(Active Matrix) 타입의 액정 표시장치는 동영상을 표시하기에 적합하다. 이때, 스위칭 소자로는 주로 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)가 이용되고 있다. 이러한, 액정 표시장치는 화상을 표시하기 위하여 액정셀에 항상 일정한 밝기의 광을 조사하는 백 라이트 유닛(Back Light Unit)을 포함한다. Among the flat panel display devices, the liquid crystal display device displays an image by adjusting light transmittance of the liquid crystal cells according to a video signal. An active matrix type liquid crystal display device in which switching elements are formed for each liquid crystal cell is suitable for displaying moving images. In this case, a thin film transistor is mainly used as the switching element. Such a liquid crystal display includes a back light unit that irradiates light of constant brightness to a liquid crystal cell in order to display an image.
이와 같은 종래의 액정 표시장치는 항상 일정한 밝기의 광을 발생하는 백 라이트로 인하여 소비전력이 증가하게 된다. 다시 말하여, 액정 표시장치는 주위환경의 밝기에 상관없이 액정 셀의 밝기를 일정하게 유지시키므로 백 라이트의 소비전력이 증가하게 된다. 이에 따라, 백 라이트의 소비전력을 감소시키기 위해 광량 검출회로를 구비하여 광량 검출신호에 따라 백라이트의 밝기를 조절하기도 한다. In the conventional liquid crystal display, power consumption is increased due to the backlight which generates light having a constant brightness. In other words, since the liquid crystal display maintains the brightness of the liquid crystal cell constant regardless of the brightness of the surrounding environment, the power consumption of the backlight is increased. Accordingly, in order to reduce the power consumption of the backlight, a light amount detection circuit may be provided to adjust brightness of the backlight according to the light amount detection signal.
하지만, 광량 검출회로에서 발생된 광량 검출신호가 주변의 환경 변화에 의해 왜곡되는 문제점이 발생한다. 구체적으로, 광량 검출회로들은 다수의 공정 요인들에 의해 서로 다른 편차를 가지게 될 수도 있고, 주변의 온도 변화에 민감하기 때문에 온도 및 조도 변화율에 따라 그 출력 특성이 왜곡될 수도 있다. 특히, 광량 검출회로가 액정 셀들이 형성된 액정패널에 구비되는 경우 광량 검출신호가 주변의 액정 셀 구동 신호들에 의해 왜곡되기 때문에 광량 검출의 신뢰성이 떨어진다. However, a problem arises in that the light amount detection signal generated by the light amount detection circuit is distorted by the change of the surrounding environment. In detail, the light quantity detection circuits may have different deviations due to a plurality of process factors, and the output characteristics may be distorted according to the temperature and illuminance rate of change because they are sensitive to changes in ambient temperature. In particular, when the light amount detection circuit is provided in the liquid crystal panel in which the liquid crystal cells are formed, the light amount detection signal is distorted by the surrounding liquid crystal cell driving signals, thereby reducing the reliability of the light amount detection.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 주변 환경의 변화에 의해 광량 검출신호가 왜곡되는 것을 방지하여 광량 검출의 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 한 광량 검출회로와 이를 이용한 액정 표시장치 및 그의 구동방법에 관한 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and the light quantity detection circuit and the liquid crystal display using the same and the driving thereof to prevent the light quantity detection signal is distorted by the change of the surrounding environment to improve the reliability of the light quantity detection It is about a method.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 광량 검출회로는 외부로부터의 제 1 전원신호와 제 1 검출 제어신호에 따라 입사되는 광량에 대응하는 광 검출신호를 출력하는 광 센서; 상기 광 센서와 병렬로 연결되어 외부로부터의 제 2 전원신호와 제 2 검출 제어신호에 따라 자체적으로 구비된 소자의 특성에 대응하는 소자 특성신호를 출력하는 다크 센서; 및 상기 병렬로 연결된 광 센서 및 다크 센서의 출력단에 연결되어 상기 광 검출신호와 상기 소자 특성신호의 차이 전류를 광량 전류신호로 검출하고, 상기 검출된 광량 전류신호를 외부로부터의 기준 전압원에 따라 보정하여 광량 신호를 생성 및 출력하는 광량 검출 보정부를 구비한 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a light amount detection circuit, including: an optical sensor configured to output a light detection signal corresponding to an amount of light incident according to a first power signal and a first detection control signal from the outside; A dark sensor connected in parallel with the optical sensor and outputting an element characteristic signal corresponding to a characteristic of an element provided in accordance with a second power signal and a second detection control signal from the outside; And a difference current between the light detection signal and the device characteristic signal as a light quantity current signal, connected to the output terminals of the optical sensor and the dark sensor connected in parallel, and correcting the detected light quantity current signal according to a reference voltage source from the outside. And a light amount detection correction unit for generating and outputting a light amount signal.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 광량 검출회로는 외부로부터 입사되는 광량에 대응하는 광 검출신호와 자체적으로 구비된 소자의 특성에 대응하는 소자 특성신호를 검출 및 출력하는 검출 센서부; 외부로부터의 리셋 제어신호에 따라 자체 리셋을 수행함과 아울러 상기 검출 센서부로부터 광 검출신호와 소자 특성신호가 각각 입력되면 각각의 전류를 전압으로 변환하여 출력하는 I/V 변환부; 및 상기 I/V 변환부를 통해 전압으로 변환된 광량 검출전압과 소자 특성전압의 차 전압을 검출함과 아울러 상기 검출된 차 전압의 레벨을 사용자로부터 설정된 게인 값에 따라 보정함으로써 광량 신호를 생성 및 출력하는 광량 신호 보정부를 구비한 것을 특징으로 한다. In addition, the light amount detection circuit according to an embodiment of the present invention for achieving the above object detects and outputs a light detection signal corresponding to the amount of light incident from the outside and a device characteristic signal corresponding to the characteristics of the device provided itself A detection sensor unit; An I / V conversion unit for performing self reset according to a reset control signal from the outside and converting each current into a voltage when the photo detection signal and the device characteristic signal are respectively input from the detection sensor unit; And generating and outputting a light quantity signal by detecting a difference voltage between a light quantity detection voltage and a device characteristic voltage converted into a voltage through the I / V converter, and correcting the detected level of the difference voltage according to a gain value set by a user. And a light amount signal correcting unit.
아울러, 상기와 같은 목적들 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치는 복수의 화소영역을 구비한 액정패널; 상기 액정패널의 게이트 및 데이터 라인들을 구동하는 게이트 및 데이터 드라이버; 상기 액정패널의 외부 밝기에 대응하는 광량 신호를 생성 및 출력하는 상기에서 상술한 어느 하나의 광량 검출회로; 데이터 및 게이트 제어신호를 생성하여 상기 데이터 및 게이트 드라이버를 제어함과 아울러 상기 광량 검출회로를 제어하기 위한 다수의 제어신호를 생성하여 상기 광량 검출회로를 제어하는 타이밍 컨트롤러를 구비한 것을 특징으로 한다. In addition, the liquid crystal display according to the embodiment of the present invention for achieving the above objects is a liquid crystal panel having a plurality of pixel areas; A gate and data driver driving gate and data lines of the liquid crystal panel; Any one of the above-described light amount detection circuits for generating and outputting a light amount signal corresponding to an external brightness of the liquid crystal panel; And a timing controller for generating data and gate control signals to control the data and gate drivers, and generating a plurality of control signals for controlling the light quantity detection circuits to control the light quantity detection circuits.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 광량 검출회로의 구동방법은 광 센서를 이용하여 외부로부터의 제 1 전원신호와 제 1 검출 제어신호에 따라 입사되는 광량에 대응하는 광 검출신호를 출력하는 단계; 상기 광 센서와 병렬로 연결된 다크 센서를 이용하여 외부로부터의 제 2 전원신호와 제 2 검출 제어신호에 따라 자체적으로 구비된 소자의 특성에 대응하는 소자 특성신호를 출력하는 단계; 및 상기 병렬로 연결된 광 센서 및 다크 센서의 출력단에서 상기 광 검출신호와 상기 소자 특성신호의 차이 전류를 광량 전류신호로 검출하고 상기 검출된 광량 전류신호를 외부로부터의 기준 전압원에 따라 보정하여 광량 신호를 생성 및 출력하는 단계를 포함한 것을 특징으로 한다. The driving method of the light amount detection circuit according to an embodiment of the present invention for achieving the above object is a light detection corresponding to the amount of light incident according to the first power signal and the first detection control signal from the outside using an optical sensor Outputting a signal; Outputting an element characteristic signal corresponding to a characteristic of an element provided in accordance with a second power signal and a second detection control signal from the outside by using a dark sensor connected in parallel with the optical sensor; And detecting a difference current between the light detection signal and the device characteristic signal as a light quantity current signal at the output terminals of the optical sensor and the dark sensor connected in parallel, and correcting the detected light quantity current signal according to a reference voltage source from the outside. It characterized in that it comprises a step of generating and outputting.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 광량 검출회로의 구동방법은 검출 센서부를 이용하여 외부로부터 입사되는 광량에 대응하는 광 검출신호와 자체적으로 구비된 소자의 특성에 대응하는 소자 특성신호를 검출 및 출력하는 단계; I/V 변환부를 이용하여 외부로부터의 리셋 제어신호에 따라 자체 리셋을 수행함과 아울러 광 검출신호와 소자 특성신호가 각각 입력되면 각각의 전류를 전압으로 변환하여 출력하는 단계; 및 상기 전압으로 변환된 광량 검출전압과 소자 특성전압의 차 전압을 검출함과 아울러 상기 검출된 차 전압의 레벨을 사용자로부터 설정된 게인 값에 따라 보정함으로써 광량 신호를 생성 및 출력하는 단계를 포함한 것을 특징으로 한다. In addition, the driving method of the light amount detection circuit according to an embodiment of the present invention for achieving the above object corresponds to the light detection signal corresponding to the light amount incident from the outside using the detection sensor unit and the characteristics of the device itself provided Detecting and outputting device characteristic signals; Performing self reset according to a reset control signal from the outside using an I / V converter, and converting each current into a voltage when the photodetection signal and the device characteristic signal are respectively input; And generating and outputting a light quantity signal by detecting a difference voltage between the light quantity detection voltage and the device characteristic voltage converted into the voltage and correcting the level of the detected difference voltage according to a gain value set by a user. It is done.
아울러, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 구동방법은 복수의 화소영역을 구비한 액정패널과 상기 액정패널의 게이트 및 데이터 라인들을 구동하는 게이트 및 데이터 드라이버를 구비한 액정 표시장치의 구동방법에 있어서, 광의 투과율을 조절하여 영상을 표시하는 단계; 및 상기 액정패널의 외부 밝기에 대응하는 광량 신호를 생성 및 출력하기 위해 상기에서 상술한 광량 검출 회로의 구동방법을 포함한 것을 특징으로 한다. In addition, a method of driving a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention for achieving the above object includes a liquid crystal panel having a plurality of pixel regions, a gate and a data driver for driving gates and data lines of the liquid crystal panel. A method of driving a liquid crystal display device, the method comprising: displaying an image by adjusting light transmittance; And a driving method of the above-described light amount detection circuit for generating and outputting a light amount signal corresponding to the external brightness of the liquid crystal panel.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명의 실시 예에 따른 광량 검출회로와 이를 이용한 액정 표시장치 및 그의 구동방법은 주변 환경의 변화에 의해 광량 검출신호가 왜곡되는 것을 방지하여 광량 검출의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. The light amount detection circuit according to the embodiment of the present invention having the above characteristics, the liquid crystal display using the same, and a driving method thereof can improve the reliability of light amount detection by preventing the light amount detection signal from being distorted due to a change in the surrounding environment. have.
이하, 상기와 같은 특징을 갖는 본 발명의 실시 예에 따른 광량 검출회로와 이를 이용한 액정 표시장치 및 그의 구동방법을 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, a light amount detecting circuit according to an embodiment of the present invention having the above characteristics, a liquid crystal display using the same, and a driving method thereof will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 광량 검출회로를 나타낸 구성도이다. 1 is a block diagram showing a light amount detection circuit according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 광량 검출회로는 외부로부터의 제 1 전원신호(VDD)와 제 1 검출 제어신호(VG1)에 따라 입사되는 광량에 대응하는 광 검출신호(P_V)를 출력하는 광 센서(PS1); 광 센서(PS1)와 병렬로 연결되어 외부로부터의 제 2 전원신호(VSS)와 제 2 검출 제어신호(VG2)에 따라 자체적으로 구비된 소자의 특성에 대응하는 소자 특성신호(D_V)를 출력하는 다크 센서(PS2); 및 병렬로 연결된 광 센서(PS1) 및 다크 센서(PS2)의 출력단에 연결되어 광 검출신호(P_V)와 소자 특성신호(D_V)의 차이 전류를 광량 전류신호(P_I)로 검출하고, 검출된 광량 전류신호(P_I)를 외부로부터의 기준 전압원(Vref)에 따라 보정하여 광량 신호(Lout)를 생성 및 출력하는 광량 검출 보정부(GVM)를 구비한다. 1 is a light sensor PS1 that outputs a light detection signal P_V corresponding to a light amount incident according to a first power signal VDD and a first detection control signal VG1 from the outside. ; It is connected in parallel with the optical sensor PS1 and outputs the device characteristic signal D_V corresponding to the characteristics of the device provided in accordance with the second power signal VSS and the second detection control signal VG2 from the outside. Dark sensor PS2; And a difference current between the light detection signal P_V and the device characteristic signal D_V, which is connected to the output terminals of the optical sensor PS1 and the dark sensor PS2 connected in parallel, as the light quantity current signal P_I, and detected light quantity. A light amount detection correction unit GVM is provided to generate and output a light amount signal Lout by correcting the current signal P_I according to a reference voltage source Vref from the outside.
상술한 바와 같이, 광 센서(PS1)는 외부로부터 광을 인가받도록 구성되기 때문에 광 센서(PS1)를 이루는 소자의 고유 특성과, 입사되는 광량에 대응하여 그 전류 또는 전압이 가변하게 된다. 하지만, 다크 센서(PS2)는 외부로부터 광을 인가받을 수 없도록 구성되어 다크 센서(PS2)를 이루는 자체 소자의 특성에 따라서만 그 전류 또는 전압이 가변하게 된다. 여기서, 광 센서(PS1)와 다크 센서(PS2)는 적어도 하나의 NMOS 트랜지스터(NMOS TFT)들로 각각 구성될 수 있다. As described above, since the optical sensor PS1 is configured to receive light from the outside, its current or voltage is variable in response to the inherent characteristics of the element constituting the optical sensor PS1 and the amount of incident light. However, the dark sensor PS2 is configured not to receive light from the outside so that its current or voltage is variable only according to the characteristics of its own element forming the dark sensor PS2. Here, the light sensor PS1 and the dark sensor PS2 may be configured of at least one NMOS transistor (NMOS TFT), respectively.
이와 같이 구성된 광 센서(PS1)와 다크 센서(PS2)는 제 1 전원신호(VDD)와 제 2 전원신호(VSS)를 각각 입력받고, 동시에 입력되는 제 1 및 제 2 검출 제어신호(VG1,VG2)에 응답하여 각각의 출력신호 즉, 광 검출신호(P_V)와 소자 특성신호(D_V)를 출력하게 된다. 이렇게 동시 출력된 광 검출신호(P_V)와 소자 특성신호(D_V)는 광량 검출 보정부(GVM)의 입력 노드(P)에서 상쇄되기 때문에 그 차이 전류(P_I)만이 남게 된다. The optical sensor PS1 and the dark sensor PS2 configured as described above receive the first power signal VDD and the second power signal VSS, respectively, and simultaneously input the first and second detection control signals VG1 and VG2. Each output signal, i.e., the light detection signal P_V and the device characteristic signal D_V, is outputted. Since the photodetection signal P_V and the device characteristic signal D_V simultaneously outputted are canceled at the input node P of the light amount detection correction unit GVM, only the difference current P_I remains.
상기의 차이 전류(P_I)는 광량 전류신호(P_I)로써 광량 검출 보정부(GVM)에 입력되며 광량 검출 보정부(GVM)는 외부로부터 입력되는 기준 전압원(Vref)에 따라 광량 전류신호(P_I)의 전류량을 보정하여 외부로 출력하게 된다. 여기서, 광량 검출 보정부(GVM)는 적어도 하나의 연산 증폭기(AMP)와 상기 연산 증폭기(AMP)의 입력단과 출력단에 병렬 연결된 제 1 커패시터(C1)로 이루어질 수 있다. The difference current P_I is input to the light quantity detection correcting unit GVM as the light quantity current signal P_I, and the light quantity detection correcting unit GVM is the light quantity current signal P_I according to the reference voltage source Vref input from the outside. The amount of current is corrected and output to the outside. The light quantity detection correcting unit GVM may include at least one operational amplifier AMP and a first capacitor C1 connected in parallel to an input terminal and an output terminal of the operational amplifier AMP.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 광량 검출회로는 광이 입사되는 광 센서(PS1)와 광이 차단되는 다크 센서(PS2)를 함께 구비하여, 광 검출신호(P_V)에서 내부 소자의 특성에 따라 가변되는 소자 특성신호(D_V)를 뺀 그 차이 전류 값((P_V-D_V))만을 광량 전류신호(P_I)로 사용하게 된다. 광 센서(PS1)와 다크 센서(PS2)는 광의 입사 여부에 따른 차이점만 있을 뿐, 온도나 습도 등의 주변환경의 영향을 동일하게 받는다. 따라서, 광 센서(PS1)부로부터 검출되는 광 검출 신호(P_V)에서 서로 동일하게 영향을 받는 소자 특성 신호(D_V)를 뺀 차이 값을 광량 검출 전류 신호(P_I)로 사용하기 때문에 광량 검출회로의 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다. As described above, the light amount detecting circuit according to the embodiment of the present invention includes a light sensor PS1 through which light is incident and a dark sensor PS2 through which light is blocked, so that the internal element of the light detection signal P_V Only the difference current value (P_V-D_V) minus the device characteristic signal D_V that varies according to the characteristic is used as the light quantity current signal P_I. The light sensor PS1 and the dark sensor PS2 have only a difference depending on whether light is incident or not, and are equally affected by the surrounding environment such as temperature or humidity. Therefore, since the difference value obtained by subtracting the element characteristic signals D_V which are equally influenced from the light detection signal P_V detected by the optical sensor PS1 is used as the light quantity detection current signal P_I, The reliability can be further improved.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광량 검출회로를 나타낸 구성도이다. 그리고, 도 3은 도 2에 도시된 광량 검출회로를 구동하기 위한 제어신호들을 나타낸 파형도이다. 2 is a block diagram showing a light amount detecting circuit according to another embodiment of the present invention. 3 is a waveform diagram illustrating control signals for driving the light amount detection circuit shown in FIG. 2.
도 2에 도시된 광량 검출회로는 외부로부터 입사되는 광량에 대응하는 광 검출 신호(P_V)와 자체적으로 구비된 소자의 특성에 대응하는 소자 특성 신호(D_V)를 검출 및 출력하는 검출 센서부(DS); 외부로부터의 리셋 제어신호(Rst)에 따라 자체 리셋을 수행함과 아울러, 상기 검출 센서부(DS)로부터 광 검출 신호(P_V)와 소자 특성 신호(D_V)가 각각 입력되면 각각의 전류를 전압으로 변환하여 출력하는 I/V 변환부(RS); 및 상기 I/V 변환부(RS)를 통해 전압으로 변환된 광량 검출 전압(PV_V)과 소자 특성 전압(DV_V)의 차 전압을 검출함과 아울러, 상기 검출된 차 전압의 레벨을 사용자로부터 설정된 게인 값(k)에 따라 보정함으로써 광량 신호(Lout)를 생성 및 출력하는 광량 신호 보정부(GMS)를 구비한다. The light amount detecting circuit shown in FIG. 2 detects and outputs a light detection signal P_V corresponding to the amount of light incident from the outside and an element characteristic signal D_V corresponding to the characteristic of the device provided therein. ); The self reset is performed according to the reset control signal Rst from the outside, and when the light detection signal P_V and the device characteristic signal D_V are respectively input from the detection sensor unit DS, each current is converted into a voltage. An I / V converter RS for outputting the same; And detecting a difference voltage between the light amount detection voltage PV_V and the device characteristic voltage DV_V converted into a voltage through the I / V conversion unit RS, and setting the level of the detected difference voltage by a user. A light quantity signal correcting section (GMS) for generating and outputting a light quantity signal (Lout) by correcting according to the value k is provided.
아울러, 본 발명의 광량 검출회로는 필요에 따라 상기 광량 신호(Lout)를 디지털 데이터 값으로 변환하여 광 검출 데이터(L_Data)를 생성하는 AC/DC 변환기(ADC)를 더 구비하기도 한다. In addition, the light amount detection circuit of the present invention may further include an AC / DC converter ADC for converting the light amount signal Lout into a digital data value to generate light detection data L_Data as necessary.
상기의 검출 센서부(DS)는 외부로부터의 제 1 전원신호(VDD)와 제 1 검출 제어신호(VG1)에 따라 입사되는 광량에 대응하는 광 검출 신호(P_V)를 생성 및 출력하는 광 센서(PS1), 및 외부로부터의 제 2 전원신호(VSS)와 제 2 검출 제어신호(VG2)에 따라 자체적으로 구비된 소자의 특성에 대응하는 소자 특성 신호(D_V)를 출력하는 다크 센서(PS2)를 구비한다. The detection sensor unit DS may include an optical sensor configured to generate and output a light detection signal P_V corresponding to the amount of incident light according to the first power signal VDD and the first detection control signal VG1 from the outside. PS1 and the dark sensor PS2 which outputs an element characteristic signal D_V corresponding to a characteristic of an element provided in accordance with the second power signal VSS and the second detection control signal VG2 from the outside. Equipped.
여기서, 광 센서(PS1)는 외부로부터 광을 인가받도록 구성되기 때문에 광 센서(PS1)를 이루는 소자의 고유 특성과 입사되는 광량에 대응하여 그 전류량이 가변하게 된다. 하지만, 다크 센서(PS2)는 외부로부터 광을 인가받을 수 없도록 구성되어 다크 센서(PS2)를 이루는 자체 소자의 특성에 따라서만 그 전류량이 가변하게 된다. 여기서, 광 센서(PS1)와 다크 센서(PS2)는 적어도 하나의 NMOS 트랜지스터(NMOS TFT)들로 각각 구성될 수 있다. Here, since the optical sensor PS1 is configured to receive light from the outside, the amount of current varies according to the inherent characteristics of the element constituting the optical sensor PS1 and the amount of incident light. However, the dark sensor PS2 is configured to not receive light from the outside so that the amount of current varies only according to the characteristics of its own element forming the dark sensor PS2. Here, the light sensor PS1 and the dark sensor PS2 may be configured of at least one NMOS transistor (NMOS TFT), respectively.
이와 같이 구성된 광 센서(PS1)와 다크 센서(PS2)는 제 1 전원신호(VDD)와 제 2 전원신호(VSS)를 각각 입력받고, 동시에 입력되는 제 1 및 제 2 검출 제어신호(VG1,VG2)에 응답하여 각각 발생된 출력신호 즉, 광 검출 신호(P_V)와 소자 특성 신호(D_V)를 상기의 I/V 변환부(RS)에 각각 공급하게 된다. The optical sensor PS1 and the dark sensor PS2 configured as described above receive the first power signal VDD and the second power signal VSS, respectively, and simultaneously input the first and second detection control signals VG1 and VG2. In response to the output signal, i.e., the photodetection signal P_V and the device characteristic signal D_V, which are generated respectively, are supplied to the I / V converter RS.
I/V 변환부(RS)는 외부로부터의 기준 전압원(Vref)을 이용하여 상기 광 센서(PS1)로부터 입력된 광 검출 신호(P_V)의 전류를 전압으로 변환하는 제 1 변환기(SAMP1), 상기 제 1 변환기(SAMP1) 입력단과 출력단에 병렬 연결된 제 2 커패시터(C2), 상기 제 1 변환기(SAMP1) 입력단과 출력단에 병렬 연결되어 외부로부터의 리셋 제어신호(Rst)에 따라 상기 제 1 변환기(SAMP1)를 리셋 시키는 제 1 리셋 스위칭 소자(T1), 외부로부터의 제 3 검출 제어신호(VG3)에 응답하여 상기 제 1 변환기(SAMP1)를 통해 출력되는 광량 검출전압(PV_V)을 검출 및 출력하는 제 1 검출 스위칭 소자(T3), 상기의 기준 전압원(Vref)을 이용하여 상기 다크 센서(PS2)로부터 입력된 소자 특성 신호(D_V)의 전류를 전압으로 변환하는 제 2 변환기(SAMP2), 상기 제 2 변환기(SAMP2) 입력단과 출력단에 병렬 연결된 제 2 커패시터(C2), 상기 제 2 변환기(SAMP2) 입력단과 출력단에 병렬 연결되어 상기 리셋 제어신호(Rst)에 따라 상기 제 2 변환기(SAMP2)를 리셋 시키는 제 2 리셋 스위칭 소자(T2), 상기의 제 3 검출 제어신호(VG3)에 응답하여 상기 제 2 변환기(SAMP2)를 통해 출력되는 소자 특성전압(DV_V)을 검출 및 출력하는 제 2 검출 스위칭 소자(T4)를 구비한다. The I / V converter RS converts a current of the photodetection signal P_V input from the optical sensor PS1 into a voltage using a reference voltage source Vref from the outside, and the first converter SAMP1. A second capacitor C2 connected in parallel to an input terminal and an output terminal of the first converter SAMP1 and a first capacitor SAMP1 connected in parallel to the input terminal and the output terminal of the first converter SAMP1 according to a reset control signal Rst from the outside. Is a first reset switching element T1 for resetting), and is configured to detect and output the light amount detection voltage PV_V output through the first converter SAMP1 in response to a third detection control signal VG3 from the outside. A second converter SAMP2 for converting a current of the device characteristic signal D_V input from the dark sensor PS2 into a voltage using the first detection switching device T3 and the reference voltage source Vref, and the second Second capacitor connected in parallel with the converter (SAMP2) input and output (C2), a second reset switching element T2 connected in parallel to the input terminal and the output terminal of the second converter SAMP2 to reset the second converter SAMP2 according to the reset control signal Rst, and the third The second detection switching device T4 detects and outputs the device characteristic voltage DV_V output through the second converter SAMP2 in response to the detection control signal VG3.
도 3을 참조하면, 제 1 및 제 2 리셋 스위칭 소자(T1,T2)는 외부로부터 리셋 제어신호(Rst)가 입력되면 턴-온되어 각각 연결된 제 1 및 제 2 변환기(SAMP1,SAMP2)의 입력 단자와 출력 단자에 걸리는 전류 및 전압을 동일하게 보정한다. 이러한 제 1 및 제 2 리셋 스위칭 소자(T1,T2)는 적어도 하나의 NMOS 트랜지스터(NMOT TFT)로 이루어진다. Referring to FIG. 3, the first and second reset switching devices T1 and T2 are turned on when the reset control signal Rst is input from the outside and are connected to the inputs of the first and second converters SAMP1 and SAMP2, respectively. Correct the current and voltage across the terminal and output terminal in the same way. The first and second reset switching elements T1 and T2 may include at least one NMOS transistor NMOT TFT.
제 1 변환기(SAMP1)는 제 1 검출 제어신호(VG1)에 의해 광 센서(PS1)로부터 광 검출 신호(P_V)가 입력되면, 외부로부터의 기준 전압원(Vref)을 이용하여 입력된 광 검출 신호(P_V)의 전류(I)를 전압(V)으로 변환함으로써 광량 검출전압(PV_V)을 생성한다. 이러한, 광량 검출전압(PV_V) 레벨은 상기 광 센서(PS1)에 인가되는 광량과 외부 환경의 영향을 동시에 받으므로, 광 센서(PS1)에 인가된 광량 및 그 환경요소에 따라 매 검출시 그 레벨이 변화될 수 있다. 여기서, 제 1 변환기(SAMP1)는 적어도 하나의 연산 증폭기를 이용하여 구현 가능하다. When the photodetector signal P_V is input from the photo sensor PS1 by the first detection control signal VG1, the first converter SAMP1 receives the photodetection signal input using the reference voltage source Vref from the outside. The light amount detection voltage PV_V is generated by converting the current I of P_V into the voltage V. FIG. Since the light quantity detection voltage PV_V is simultaneously affected by the amount of light applied to the optical sensor PS1 and the external environment, the level is detected at every detection according to the amount of light applied to the optical sensor PS1 and its environmental elements. This can be changed. Here, the first converter SAMP1 may be implemented using at least one operational amplifier.
제 2 변환기(SAMP2)는 제 1 검출 제어신호(VG1)와 동일하게 입력되는 제 2 검출 제어신호(VG2)에 따라 다크 센서(PS2)로부터 소자 특성신호(D_V)가 입력되면, 외부로부터의 기준 전압원(Vref)을 이용하여 입력된 소자 특성신호(D_V)의 전류(I)를 전압(V)으로 변환함으로써 소자 특성전압(DV_V)을 생성한다. 이러한, 소자 특 성전압(DV_V) 레벨은 상기 다크 센서(PS2)에 인가되는 외부 환경요소 예를 들어, 온도 및 습도 등에 따른 영향만을 받는다. 따라서, 다크 센서(PS2)에 인가된 환경적 요소들에 따라 매 검출시 그 레벨이 변화될 수 있지만, 그 변화 폭은 광량의 영향까지 받는 광량 검출전압(PV_V)의 레벨 변화 폭 보다는 작다. 여기서, 제 2 변환기(SAMP2)는 제 1 변환기(SAMP1)와 같이 적어도 하나의 연산 증폭기를 이용하여 구현 가능하다. When the element characteristic signal D_V is input from the dark sensor PS2 according to the second detection control signal VG2 input in the same manner as the first detection control signal VG1, the second converter SAMP2 receives a reference from the outside. The device characteristic voltage DV_V is generated by converting the current I of the device characteristic signal D_V input to the voltage V using the voltage source Vref. The device characteristic voltage DV_V is only affected by external environmental factors applied to the dark sensor PS2, for example, temperature and humidity. Therefore, although the level may change at every detection depending on the environmental factors applied to the dark sensor PS2, the change width is smaller than the level change width of the light quantity detection voltage PV_V which is affected by the light quantity. Here, the second converter SAMP2 may be implemented using at least one operational amplifier like the first converter SAMP1.
제 1 검출 스위칭 소자(T3)는 상기 제 1 변환기(SAMP1)의 출력단에 구비되며, 제 3 검출 제어신호(VG3)에 따라 턴-온되어 상기 제 1 변환기(SAMP1)를 통해 출력되는 광량 검출전압(PV_V)을 광량 신호 보정부(GMS)에 공급한다. The first detection switching device T3 is provided at an output terminal of the first converter SAMP1, and is turned on according to a third detection control signal VG3 to be output through the first converter SAMP1. (PV_V) is supplied to the light quantity signal correcting section (GMS).
마찬가지로, 제 2 검출 스위칭 소자(T4)는 상기 제 2 변환기(SAMP2)의 출력단에 구비되며, 제 3 검출 제어신호(VG3)에 따라 턴-온되어 상기 제 2 변환기(SAMP2)를 통해 출력되는 소자 특성전압(DV_V)을 광량 신호 보정부(GMS)에 공급한다. Similarly, the second detection switching device T4 is provided at the output terminal of the second converter SAMP2, and is turned on according to the third detection control signal VG3 to be output through the second converter SAMP2. The characteristic voltage DV_V is supplied to the light quantity signal corrector GMS.
광량 신호 보정부(GMS)는 제 1 변환기(SAMP1) 및 제 1 검출 스위칭 소자(T3)를 통해 입력되는 광량 검출전압(PV_V)과 제 2 변환기(SAMP2) 및 제 2 검출 스위칭 소자(T4)를 통해 입력되는 소자 특성전압(DV_V)의 차 저압을 검출한다. 구체적으로, 광량 신호 보정부(GMS)는 광량 검출전압(PV_V)과 소자 특성 전압(DV_V)을 동시 입력받는다. 이렇게 동시 입력된 광량 검출전압(PV_V)과 소자 특성전압(DV_V)은 광량 신호 보정부(GMS)에 구비된 보정 연산기(GAMP)에서 상쇄되기 때문에 그 차이 전압((PV_V)-(DV_V))만이 남게 된다. The light quantity signal correcting unit GMS may control the light quantity detection voltage PV_V, the second converter SAMP2, and the second detection switching element T4 input through the first converter SAMP1 and the first detection switching element T3. The differential low voltage of the device characteristic voltage DV_V input through the signal is detected. In detail, the light quantity signal corrector GMS receives the light quantity detection voltage PV_V and the device characteristic voltage DV_V simultaneously. Since the light amount detection voltage PV_V and the device characteristic voltage DV_V simultaneously inputted are canceled by the correction calculator GAMP included in the light amount signal correcting unit GMS, only the difference voltages (PV_V)-(DV_V) are provided. Will remain.
아울러, 광량 신호 보정부(GMS)에 구비된 보정 연산기(GAMP)는 광량 검출 전압(PV_V)과 소자 특성 전압(DV_V)의 차이 전압((PV_V)-(DV_V))을 검출한 다음, 외부로부터 입력되는 게인 값(k)에 따라 검출되었던 상기의 차이 전압((PV_V)-(DV_V))의 레벨을 보정하여 광량 신호(Lout)를 출력하게 된다. 여기서, 외부로부터 입력되는 상기의 게인 값(k)은 사용자로부터 미리 설정된 보정 전압 값이 될 수 있다. 이러한, 보정 전압 값은 광량 검출회로의 공정 편차, 광량 검출회로가 구성되는 환경적 편차 및 광량 검출회로들의 구동 편차에 따라 상기의 편차들을 보상하기 위해 미리 설정된 값이다. 여기서, 게인 값(k)은 상기 편차들의 기울기를 보정하기 위해 사용되므로 연속적인 값을 가지도록 미리 셋팅될 수 있다. In addition, the correction calculator GAMP included in the light amount signal correcting unit GMS detects the difference voltage (PV_V)-(DV_V) between the light amount detection voltage PV_V and the device characteristic voltage DV_V. The light amount signal Lout is output by correcting the level of the difference voltages (PV_V)-(DV_V) detected according to the input gain value k. Here, the gain value k input from the outside may be a correction voltage value preset by the user. The correction voltage value is a preset value for compensating the deviations according to the process deviation of the light quantity detection circuit, the environmental deviation in which the light quantity detection circuit is configured, and the drive deviation of the light quantity detection circuits. In this case, the gain value k is used to correct the slope of the deviations, and thus may be preset to have a continuous value.
상술한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광량 검출회로는 광이 입사되는 광 센서(PS1)와 광이 차단되는 다크 센서(PS2)를 함께 구비하여, 광량 검출전압(PV_V)에서 내부 소자의 특성에 따라 가변되는 소자 특성전압(DV_V)를 뺀 그 차이 전압 값((PV_V-DV_V))만을 광량 신호(Lout)의 검출 값으로 사용하게 된다. 광 센서(PS1)와 다크 센서(PS2)는 광의 입사 여부에 따른 차이점만 있을 뿐, 온도나 습도 등의 주변환경의 영향을 동일하게 받는다. 따라서, 광 센서(PS1)부로부터 검출되는 광량 검출전압(PV_V)에서 서로 동일하게 영향을 받는 소자 특성전압(DV_V)를 뺀 차이 값을 광량 신호(Lout)의 검출 값로 사용하여 게인 값(k)으로 보정하기 때문에 광량 검출회로의 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다. As described above, the light amount detection circuit according to another embodiment of the present invention includes an optical sensor PS1 to which light is incident and a dark sensor PS2 to block light, thereby providing an internal element at a light amount detection voltage PV_V. Only the difference voltage value (PV_V-DV_V) obtained by subtracting the device characteristic voltage DV_V that varies according to the characteristics of is used as the detection value of the light quantity signal Lout. The light sensor PS1 and the dark sensor PS2 have only a difference depending on whether light is incident or not, and are equally affected by the surrounding environment such as temperature or humidity. Therefore, the gain value k is obtained by using the difference value obtained by subtracting the device characteristic voltage DV_V that is equally influenced from the light quantity detection voltage PV_V detected by the optical sensor PS1 as the detection value of the light quantity signal Lout. In this way, the reliability of the light amount detection circuit can be further improved.
도 4는 도 1 또는 도 2에 도시된 광량 검출회로를 구비한 액정 표시장치를 나타낸 구성도이다. 4 is a configuration diagram illustrating a liquid crystal display device including the light amount detection circuit illustrated in FIG. 1 or 2.
도 4에 도시된 액정 표시장치는 복수의 화소영역을 구비한 액정패널(2); 액정패널(2)의 데이터 라인들(DL1 내지 DLm)을 구동하는 데이터 드라이버(4); 액정패널(2)의 게이트 라인들(GL1 내지 GLn)을 구동하는 게이트 드라이버(6); 도 1 및 도 2를 참조하여 상술한 상기의 특징들을 가지고 상기 액정패널(2)의 외부 밝기에 대응하는 광량 신호(Lout)을 생성 및 출력하는 광량 검출회로(12); 데이터 및 게이트 제어신호(GCS,DCS)를 생성하여 데이터 및 게이트 드라이버(4,6)를 제어함과 아울러 상기 광량 검출회로(12)를 제어하기 위한 다수의 제어신호(VG1 내지 VG3,Rst)를 생성하여 상기 광량 검출회로(12)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(8); 상기 액정패널(2)에 광을 조사하는 백 라이트(10); 및 상기 광량 신호(Lout)에 따라 상기 백 라이트(10)를 구동하여 상기 액정패널(2)에 조사되는 광의 휘도를 조절하는 백 라이트 구동부(14)를 구비한다. The liquid crystal display shown in FIG. 4 includes a
액정패널(2)은 복수의 게이트 라인(GL1 내지 GLn)과 복수의 데이터 라인(DL1 내지 DLm)에 의해 정의되는 각 화소영역에 형성된 박막 트랜지스터(TFT; Thin Film Transistor), TFT와 접속된 액정 커패시터(Clc)를 구비한다. 액정 커패시터(Clc)는 TFT와 접속된 화소전극과, 화소전극과 액정을 사이에 두고 대면하는 공통전극으로 구성된다. TFT는 각각의 게이트 라인(GL1 내지 GLn)으로부터의 스캔펄스에 응답하여 각각의 데이터 라인(DL1 내지 DLm)으로부터의 데이터 신호를 화소전극에 공급한다. 액정 커패시터(Clc)는 화소전극에 공급된 데이터 신호와 공통전극에 공급된 공통전압의 차전압을 충전하고, 그 차전압에 따라 액정 분자들의 배열을 가변시켜 광 투과율을 조절함으로써 계조를 구현한다. 그리고 액정 커패시터(Clc)에는 스토리지 커패시터(Cst)가 병렬로 접속되어 액정 커패시터(Clc)에 충전된 전압이 다음 데이터 신호가 공급될 때까지 유지되게 한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 화소전극이 이전 게이트 라인과 절연막을 사이에 두고 중첩되어 형성된다. 이와 달리 스토리지 커패시터(Cst)는 화소전극이 스토리지 라인과 절연막을 사이에 두고 중첩되어 형성되기도 한다. The
데이터 드라이버(4)는 타이밍 컨트롤러(8)로부터의 데이터 제어신호(DCS) 예를 들어, 소스 스타트 펄스(SSP; Source Start Pulse), 소스 쉬프트 클럭(SSC; Source Shift Clock), 소스 출력 인에이블(SOE; Source Output Enable) 신호 등을 이용하여, 타이밍 컨트롤러(8)로부터 정렬된 영상 데이터(VData)를 아날로그 전압 즉, 영상신호로 변조한다. 구체적으로, 데이터 드라이버(4)는 SSC에 따라 입력되는 영상 데이터(VData)를 래치한 후, SOE 신호에 응답하여 각 게이트 라인(GL1 내지 GLn)에 스캔펄스가 공급되는 1수평 주기마다 1수평 라인분의 영상신호를 각 데이터 라인(DL1 내지 DLm)에 공급한다. 이때, 데이터 드라이버(4)는 영상 데이터(VData)의 계조값에 따라 소정 레벨을 가지는 정극성 또는 부극성의 감마전압을 선택하고 선택된 감마전압을 영상신호로 각 데이터 라인(DL1 내지 DLm)에 공급한다. The
게이트 드라이버(6)는 타이밍 컨트롤러(8)로부터의 게이트 제어신호(GCS) 예를 들어, 게이트 스타트 펄스(GSP; Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC; Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블(GOE; Gate Output Enable) 신호에 응답하여 스캔펄스를 순차 발생하고, 이를 게이트 라인들(GL1 내지 GLn)에 순차적으로 공급한다. 다시 말하여, 게이트 드라이버(6)는 타이밍 컨트롤러(8)로부터의 GSP를 GSC에 따라 쉬프트 시켜서 게이트 라인들(GL1 내지 GLn)에 스캔펄스 예를 들어, 게이트 온 전압을 순차적으로 공급한다. 그리고, 게이트 라인들(GL1 내지 GLn)에 게이트 온 전압이 공급되지 않는 기간에는 게이트 오프 전압을 공급한다. 여기서, 게이트 드라이버(6)는 스캔펄스의 펄스 폭을 GOE 신호에 따라 제어한다. The
타이밍 컨트롤러(8)는 외부로부터 입력되는 영상 데이터(RGB)를 액정패널(2)의 구동에 알맞도록 정렬하여 데이터 드라이버(4)에 공급한다. 그리고, 외부로부터의 동기신호들(DCLK,DE,Hsync,Vsync)을 이용하여 게이트 제어신호(GCS)와 데이터 제어신호(DCS)를 생성하여 데이터 드라이버(4)와 게이트 드라이버(6)를 제어한다. 또한, 타이밍 컨트롤러(8) 상기 액정패널(2)에 구비된 본 발명의 광량 검출회로(12)를 구동하기 위한 다수의 제어신호 즉, 제 1 내지 제 3 검출 제어신호(VG1 내지 VG3) 및 리셋 제어신호(Rst)를 생성하여 광량 검출회로(12)에 공급한다. The
광량 검출회로(12)는 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 본 발명의 실시 예들에 따른 광량 검출회로와 동일한 구성을 갖는다. 이에 따라, 광량 검출회로(12)에 대한 상세한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다.The light
이러한 광량 검출회로(12)는 액정패널(2)의 주변부에 부착되어 액정패널(2)의 외부 밝기에 대응되는 광량 신호(Lout)을 발생하여, 광량 신호(Lout)를 사용하는 다수의 구동회로 예를 들어, 타이밍 컨트롤러(8)나 데이터 드라이버(4) 또는 백 라이트 구동부(14) 등에 공급한다. The light
본 발명의 광량 검출회로(12)는 각 액정 셀의 박막 트랜지스터(TFT)의 형성 과 함께 액정패널(2)에 형성되어, 액정패널(2)의 외부 밝기에 대응되는 광량 신호(Lout)를 생성할 수 있다. 이때, 도 1 및 도 2에 도시된 광량 검출회로(12)는 모든 구성이 액정패널(2)에 형성되거나, 검출 센서부(DS)만이 액정패널(2)에 형성될 수 있다. The light
백 라이트 구동부(14)는 광량 검출회로(12)로부터의 광량 신호(Lout)에 따라 백 라이트(10)를 구동하기 위한 백 라이트 구동전압(VL)을 생성하는 백 라이트 구동전압 생성부를 포함한다. The
백 라이트(10)는 백 라이트 구동부(14)로부터 공급되는 백 라이트 구동전압(VL)에 따라 광을 발생하여 액정패널(2)에 조사한다. 이를 위해, 백 라이트(10)는 백 라이트 구동전압(VL)에 의해 점등되어 광을 발생하는 적어도 하나의 램프를 포함하여 구성되거나, 백 라이트 구동전압(VL)에 의해 발광하여 광을 발생하는 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하여 구성된다. The
이와 같은, 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치는 액정패널(2)의 외부 밝기에 따라 백 라이트(10)를 구동하여 액정패널(2)의 휘도를 조절함으로써 백 라이트(10)의 소비 전력을 감소시킬 수도 있다.As described above, the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention drives the
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. The present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, and it is common in the art that various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 광량 검출회로를 나타낸 구성도.1 is a block diagram showing a light amount detection circuit according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광량 검출회로를 나타낸 구성도.2 is a block diagram showing a light amount detecting circuit according to another embodiment of the present invention.
도 3은 도 2에 도시된 광량 검출회로를 구동하기 위한 제어신호들을 나타낸 파형도.FIG. 3 is a waveform diagram illustrating control signals for driving the light amount detection circuit shown in FIG.
도 4는 도 1 또는 도 2에 도시된 광량 검출회로를 구비한 액정 표시장치를 나타낸 구성도.FIG. 4 is a configuration diagram illustrating a liquid crystal display device having the light amount detection circuit shown in FIG. 1 or 2.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명** Brief description of symbols for the main parts of the drawings *
2 : 액정 패널 4 : 데이터 드라이버2: liquid crystal panel 4: data driver
6 : 게이트 드라이버 8 : 타이밍 컨트롤러6: gate driver 8: timing controller
10 : 백 라이트 12 : 광량 검출회로10: backlight 12: light amount detection circuit
14 : 백 라이트 구동부 GVM : 광량 검출 보정부14: backlight drive unit GVM: light amount detection correction unit
DS : 검출 센서부 RS : I/V 변환부DS: Detection sensor part RS: I / V conversion part
GMS : 광량 신호 보정부 GMS: Light quantity signal corrector
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080127197A KR20100068740A (en) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | Light quantity detecting circuit and liquid crystal display device using the same and driving method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080127197A KR20100068740A (en) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | Light quantity detecting circuit and liquid crystal display device using the same and driving method thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100068740A true KR20100068740A (en) | 2010-06-24 |
Family
ID=42366947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080127197A KR20100068740A (en) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | Light quantity detecting circuit and liquid crystal display device using the same and driving method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20100068740A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US11315514B2 (en) | 2020-09-03 | 2022-04-26 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Driver circuit and driving method thereof |
-
2008
- 2008-12-15 KR KR1020080127197A patent/KR20100068740A/en not_active Application Discontinuation
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