KR20100067935A - Apparatus for generating semiconductor plasma - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An apparatus for generating a semiconductor plasma are provided to cool down a chamber with mixed air by inflowing an outside air into a chamber and mixing with inside air. CONSTITUTION: A semiconductor plasma apparatus comprises a chamber(100) and a multiple cooling part(200). The chamber generates plasma atmosphere having constant temperature therein. The multiple cooling part inflows outside air to the chamber and cools down the inside air of the chamber.

Description

반도체 플라즈마 형성 장치{Apparatus for Generating Semiconductor Plasma}Apparatus for Generating Semiconductor Plasma

본 발명은 반도체 플라즈마 형성 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 대한 플라즈마 처리 공정 이후에, 챔버의 내부에 외기를 유입시키어 이를 챔버의 내부 공기와 혼합시키고, 이 혼합된 외기를 챔버의 외부로 다중으로 냉각시키어 배출시킬 수 있는 반도체 플라즈마 형성 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor plasma forming apparatus, and more particularly, after a plasma treatment process for a substrate, inlet air is introduced into the chamber and mixed with the air inside the chamber, and the mixed outside air is moved out of the chamber. The present invention relates to a semiconductor plasma forming apparatus that can be cooled and discharged in multiple ways.

전형적으로, 반도체 소자의 제조공정에서 반도체 기판으로 사용되는 웨이퍼(wafer) 상에는 다결정막, 산화막, 질화막 및 금속막 등과 같은 복수의 막질이 증착된다. 상기한 막질 위에는 포토레지스트막이 코팅되고, 노광 공정에 의해 포토마스크에 그려진 패턴은 상기 포토레지스트막으로 전사된다. 이후, 식각공정에 의해서 웨이퍼 상에는 원하는 패턴이 형성된다.Typically, a plurality of films such as a polycrystalline film, an oxide film, a nitride film, and a metal film are deposited on a wafer used as a semiconductor substrate in a semiconductor device manufacturing process. The photoresist film is coated on the film, and the pattern drawn on the photomask by the exposure process is transferred to the photoresist film. Thereafter, a desired pattern is formed on the wafer by an etching process.

상술한 공정들이 수행된 웨이퍼의 상부면 가장자리 또는 하부면에는 각종 막질이나 포토레지스트 등과 같은 불필요한 이물질들이 잔류하게 된다. 이 상태에서 웨이퍼의 가장자리가 파지된 채로 이송되면, 이물질이 웨이퍼로부터 이탈되어 비산하게 된다. 이들 이물질들은 장치를 오염시키고 후속공정에서 파티클로 작용한다. 따라서 웨이퍼의 가장자리를 식각하는 공정이 필요하다.Unnecessary foreign substances such as various films or photoresist remain on the edge or bottom surface of the wafer on which the above-described processes are performed. In this state, when the edge of the wafer is transferred while being held, the foreign matter is separated from the wafer and scattered. These debris contaminate the device and act as particles in subsequent processes. Therefore, a process of etching the edge of the wafer is required.

웨이퍼를 식각하는 방법으로는 크게 건식 식각 방법과 습식 식각 방법이 있다. 종래에는 웨이퍼 가장자리를 식각하기 위해서 패턴이 형성된 웨이퍼의 상부면중 식각하고자 하는 웨이퍼 가장자리를 제외한 부분(식각을 요하지 않는 부분, 이하 비식각부)을 보호용 액 또는 마스크로 보호한다. 이후에, 웨이퍼를 식각액이 채워진 배쓰에 담가 식각하는 습식 식각 방법이 주로 사용되었다. 그러나 상술한 습식 식각 방법 사용시 식각 속도는 우수하나, 등방성 식각(isotropic etching)으로 인해 웨이퍼의 비식각부와 가장자리 간 경계면에서 막질이 경사지도록 식각되고, 이로 인해 수율이 저하된다. 또한, 상술한 방법은 보호용 액 또는 마스크로 패턴부가 형성된 부분을 보호하는 과정과, 식각 후에 이들을 다시 제거하는 과정을 가지므로 작업시간이 오래 걸린다.There are two methods of etching a wafer, a dry etching method and a wet etching method. Conventionally, in order to etch the edge of the wafer, a portion of the upper surface of the patterned wafer except for the edge of the wafer to be etched (the portion that does not require etching, hereinafter, the non-etched portion) is protected with a protective liquid or a mask. Later, a wet etching method was mainly used in which a wafer was immersed in an etchant-filled bath. However, although the etching speed is excellent when the above-described wet etching method is used, the film quality is etched at the interface between the non-etched portion and the edge of the wafer due to the isotropic etching, thereby lowering the yield. In addition, the above-described method takes a long time because it has a process of protecting the portion formed with the pattern portion with a protective solution or mask, and the process of removing them again after etching.

또한, 플라즈마를 이용하여 건식 식각 방법으로 웨이퍼를 식각하는 장치는 상압 상태에서 글로우 방전을 만드는 것이 어렵기 때문에 고진공 상태에서 공정을 진행한다. 따라서 고진공 유지를 위해 많은 비용이 소요되고, 장비 또한 고가이다. 최근에 상압 상태에서 플라즈마를 발생하는 장치가 연구중이다. In addition, the apparatus for etching the wafer by the dry etching method using the plasma proceeds the process in a high vacuum state because it is difficult to create a glow discharge in the normal pressure state. Therefore, it is expensive to maintain a high vacuum, and the equipment is also expensive. Recently, an apparatus for generating a plasma at atmospheric pressure has been studied.

여기서 사용되는 플라즈마 발생기는 플라즈마가 발생되는 챔버를 구비하는데, 이 챔버에는 플라즈마를 발생하는 동안에 발생되는 열기가 채워진다.The plasma generator used herein includes a chamber in which plasma is generated, which is filled with heat generated during plasma generation.

따라서, 챔버의 내부 열기를 냉각시키기 위하여 종래에는 다수의 팬들을 설치하여 외기를 챔버의 내부에 유입시키고, 이 내부에 유입된 외기를 다시 챔버의 외부로 배출시킴으로써, 챔버의 내부 열기를 냉각하였다.Therefore, in order to cool the internal heat of the chamber, conventionally, a plurality of fans are installed to introduce external air into the chamber, and the internal air introduced into the chamber is discharged to the outside of the chamber, thereby cooling the internal heat of the chamber.

그러나, 이러한 경우에, 팬들 중 어느 하나가 오작동되는 경우에 외기가 챔버의 내부로 유입되지 않음과 아울러 챔버의 외부로 용이하게 배출되지 않는 문제점이 있다.However, in this case, when one of the fans malfunctions, there is a problem that outside air is not introduced into the chamber and is not easily discharged to the outside of the chamber.

이에 따라, 팬의 고장에 의하여 플라즈마 형성 장치 전체의 공정을 중지시켜야 하는 문제점이 있다.Accordingly, there is a problem that the process of the entire plasma forming apparatus must be stopped due to the failure of the fan.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있도록 안출된 것으로서, 본 발명의 과제는 기판에 대한 플라즈마 처리 공정 이후에, 챔버의 내부에 외기를 유입시키어 이를 챔버의 내부 공기와 혼합시키고, 이 혼합된 외기를 챔버의 외부로 다중으로 냉각시키어 배출시킬 수 있는 반도체 플라즈마 형성 장치를 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems, the object of the present invention is to introduce the outside air into the interior of the chamber after the plasma treatment process for the substrate, mixed with the internal air of the chamber, the mixed outside air It is to provide a semiconductor plasma forming apparatus that can be discharged by cooling the multiple to the outside of the chamber.

본 발명의 다른 과제는 챔버에 설치되는 다수개의 팬들 중 어느 하나가 오작동되더라도 챔버의 내부를 효율적으로 냉각시킬 수 있는 반도체 플라즈마 형성 장치를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor plasma forming apparatus capable of efficiently cooling the inside of a chamber even if any one of a plurality of fans installed in the chamber malfunctions.

상기에 언급된 문제점을 해결하기 위한 본 발명에 따른 반도체 플라즈마 형성 장치는 내부에 일정 온도를 갖는 플라즈마 분위기가 형성되는 챔버 및 상기 챔버의 내부로 외기를 유입시키어 상기 내부로 유입되어 상기 챔버의 내부 공기와 혼합된 외기를 다중으로 냉각시키어 상기 챔버의 외부로 배출시키는 다중 냉각부를 포함한다.The semiconductor plasma forming apparatus according to the present invention for solving the above-mentioned problems is a chamber in which a plasma atmosphere having a predetermined temperature is formed and the outside air is introduced into the chamber by introducing external air into the chamber, thereby allowing the internal air of the chamber. And a plurality of cooling units for cooling the outside air mixed with a plurality to discharge to the outside of the chamber.

여기서, 상기 다중 냉각부는 상기 챔버의 측벽 및 저측벽에 설치되어 외기를 상기 챔버의 내로 유입시키는 다수개의 제 1팬들과, 상기 챔버의 상측벽에 설치되어 상기 챔버의 내부 공기와 혼합된 외기를 상기 챔버의 외부로 배출시키는 다수개의 제 2팬들과, 상기 제 2팬들의 근방에 설치되며 상기 외부로 배출되는 외기를 일차적으로 냉각시키는 방열판과, 상기 방열판에 설치되며 상기 방열판에 노출되어 유동되는 외기를 이차적으로 냉각시키는 히팅 파이프와, 상기 제 1팬들과 상기 제 2팬들의 작동을 제어하는 제어부를 구비하는 것이 바람직하다.Here, the plurality of cooling units are provided on the side wall and the bottom wall of the chamber and a plurality of first fans for introducing outside air into the chamber, and the outside air is installed on the upper wall of the chamber and mixed with the air inside the chamber. A plurality of second fans discharged to the outside of the chamber, a heat sink installed in the vicinity of the second fans and primarily cooling external air discharged to the outside, and external air installed on the heat sink and exposed to the heat sink to flow It is preferable to have a heating pipe for secondary cooling, and a control unit for controlling the operation of the first fans and the second fans.

그리고, 상기 방열판은 상기 제 2팬의 상측에 배치되는 원판형의 방열판 몸체로 이루어지되, 상기 방열판 몸체의 중앙부에는 상기 제 2팬의 작동에 의하여 유동되는 외기의 흐름을 안내하는 일차 냉각홀이 형성되는 것이 바람직하다.And, the heat sink is made of a disk-shaped heat sink body disposed on the upper side of the second fan, the central portion of the heat sink body is formed with a primary cooling hole for guiding the flow of outside air flows by the operation of the second fan It is desirable to be.

또한, 상기 히팅 파이프는 상기 방열판 몸체의 상측에 배치되며 상기 일차 냉각홀과 연통되어 상기 일차 냉각홀을 통과한 외기를 이차적으로 냉각시키는 이차 냉각홀이 형성되는 히팅 파이프 몸체로 이루어지되, 상기 이차 냉각홀의 내경은 상기 일차 냉각홀로부터 멀어짐에 따라 점진적으로 좁아지는 것이 바람직하다.The heating pipe may include a heating pipe body disposed on an upper side of the heat sink body and having a secondary cooling hole communicating with the primary cooling hole to secondaryly cool outside air that has passed through the primary cooling hole. The inner diameter of the hole is preferably gradually narrowed away from the primary cooling hole.

또한, 상기 히팅 파이프 몸체는 서로 일정 거리 이격되고, 다수개의 방열핀들에 의하여 서로 지지되도록 이중으로 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, the heating pipe body is spaced apart from each other by a predetermined distance, preferably made of a double so as to be supported by each other by a plurality of heat radiation fins.

또한, 상기 챔버의 내부에는 상기 제어부와 전기적으로 연결되는 온도 센서가 설치되되, 상기 온도 센서는 상기 챔버의 내부 온도를 측정하여 상기 제어부로 전송하고, 상기 제어부는 상기 온도 센서로부터 측정된 온도를 전송 받아 기설정된 기준 온도에 이르면 상기 제 1팬들과 상기 제 2팬들의 작동을 중지시키는 것이 바람직하다.In addition, a temperature sensor electrically connected to the control unit is installed inside the chamber, and the temperature sensor measures an internal temperature of the chamber and transmits the measured temperature to the control unit, and the control unit transmits the temperature measured from the temperature sensor. In response to the predetermined reference temperature, it is preferable to stop the operation of the first fans and the second fans.

본 발명은 기판에 대한 플라즈마 처리 공정 이후에, 챔버의 내부에 외기를 유입시키어 이를 챔버의 내부 공기와 혼합시키고, 이 혼합된 외기를 챔버의 외부로 다중으로 냉각시키어 배출시킬 수 있다.After the plasma treatment process for the substrate, the outside air may be introduced into the chamber and mixed with the air inside the chamber, and the mixed outside air may be cooled and discharged to the outside of the chamber multiplely.

또한, 본 발명은 챔버에 설치되는 다수개의 팬들 중 어느 하나가 오작동되더라도 챔버의 내부를 효율적으로 냉각시킬 수 있다.In addition, the present invention can efficiently cool the inside of the chamber even if any one of a plurality of fans installed in the chamber malfunctions.

이하, 첨부되는 도면들을 참조로 하여, 본 발명의 반도체 플라즈마 형성 장치를 설명하도록 한다.Hereinafter, a semiconductor plasma forming apparatus of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 반도체 플라즈마 형성 장치를 보여주는 사시도이고, 도 2는 본 발명의 반도체 플라즈마 형성 장치를 보여주는 단면도이며, 도 3은 본 발명에 따르는 다중 냉각부를 보여주는 블록도이다.1 is a perspective view showing a semiconductor plasma forming apparatus of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view showing a semiconductor plasma forming apparatus of the present invention, Figure 3 is a block diagram showing a multiple cooling unit according to the present invention.

도 1 및 도 2에 있어서, 본 발명의 반도체 플라즈마 형성 장치는 내부에 일정 온도를 갖는 플라즈마 분위기가 형성되는 챔버(100)와, 상기 챔버(100)의 내부로 외기를 유입시키어 상기 내부로 유입되어 상기 챔버(100)의 내부 공기와 혼합된 외기를 다중으로 냉각시키어 상기 챔버(100)의 외부로 배출시키는 다중 냉각부(200)를 갖는다.1 and 2, the semiconductor plasma forming apparatus of the present invention includes a chamber 100 in which a plasma atmosphere having a predetermined temperature is formed, and an outside air introduced into the chamber 100 to be introduced into the chamber 100. It has a plurality of cooling unit 200 for cooling the outside air mixed with the internal air of the chamber 100 in multiple to discharge to the outside of the chamber 100.

여기서, 상기 챔버(100)는 내부에 가스가 유입되는 공간이 형성된 몸체와, 상기 몸체 내로 유입되는 가스를 플라즈마 상태로 전환하는 에너지를 공급하는 전극부(미도시)와, 상기 몸체 내에서 발생된 플라즈마에 가속력을 제공하기 위해 상기 플라즈마의 이동경로에 자기장을 형성하는 자석(미도시)을 구비하는 플라즈마 발생기 일 수 있다.Here, the chamber 100 includes a body having a space in which gas is introduced therein, an electrode unit (not shown) for supplying energy for converting the gas introduced into the body into a plasma state, and generated in the body. It may be a plasma generator having a magnet (not shown) to form a magnetic field in the movement path of the plasma to provide an acceleration force to the plasma.

한편, 상기 다중 냉각부(200)는 상기 챔버(100)의 측벽 및 저측벽에 설치되어 외기를 상기 챔버(100)의 내로 유입시키는 다수개의 제 1팬들(210)과, 상기 챔 버(100)의 상측벽에 설치되어 상기 챔버(100)의 내부 공기와 혼합된 외기를 상기 챔버(100)의 외부로 배출시키는 다수개의 제 2팬들(220)과, 상기 제 2팬들(220)의 근방에 설치되며 상기 외부로 배출되는 외기를 일차적으로 냉각시키는 방열판(240)과, 상기 방열판(240)에 설치되며 상기 방열판(240)에 노출되어 유동되는 외기를 이차적으로 냉각시키는 히팅 파이프(250)와, 상기 제 1팬들(210)과 제 2팬들(220)의 작동을 제어하는 제어부(230)로 구성된다.On the other hand, the multiple cooling unit 200 is installed on the side wall and the bottom side wall of the chamber 100 and a plurality of first fans 210 for introducing the outside air into the chamber 100, the chamber 100 A plurality of second fans 220 installed in the upper wall of the chamber 100 to discharge the outside air mixed with the internal air of the chamber 100 to the outside of the chamber 100, and installed near the second fans 220. And a heat dissipation plate 240 for cooling the outside air discharged to the outside first, a heating pipe 250 installed in the heat dissipation plate 240 and cooling the outside air secondarily exposed to the heat dissipation plate 240, and the The controller 230 is configured to control operations of the first fans 210 and the second fans 220.

상기 방열판(240)은 상기 제 2팬(220)의 상측에 배치되는 원판형의 방열판 몸체(241)로 이루어지되, 상기 방열판 몸체(241)의 중앙부에는 상기 제 2팬(220)의 작동에 의하여 유동되는 외기의 흐름을 안내하는 일차 냉각홀(242)이 형성된다.The heat sink 240 is made of a disk-shaped heat sink body 241 disposed on the upper side of the second fan 220, the central portion of the heat sink body 241 by the operation of the second fan 220 The primary cooling hole 242 is formed to guide the flow of external air flowing.

그리고, 상기 히팅 파이프(250)는 상기 방열판 몸체(241)의 상측에 배치되며 상기 일차 냉각홀(242)과 연통되어 상기 일차 냉각홀(242)을 통과한 외기를 이차적으로 냉각시키는 이차 냉각홀(252)이 형성되는 히팅 파이프 몸체(251)로 이루어진다.In addition, the heating pipe 250 is disposed on an upper side of the heat sink body 241 and communicates with the primary cooling hole 242 to cool the outside air passing through the primary cooling hole 242 secondary cooling hole ( 252 is formed of a heating pipe body 251 is formed.

특히, 상기 이차 냉각홀(252)의 내경은 상기 일차 냉각홀(242)로부터 멀어짐에 따라 점진적으로 좁아지도록 형성된다.In particular, the inner diameter of the secondary cooling hole 252 is formed to gradually narrow as it moves away from the primary cooling hole 242.

이에 더하여, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 히팅 파이프 몸체(251)는 서로 일정 거리 이격되고, 다수개의 방열핀들(243)에 의하여 서로 지지되도록 이중으로 이루어진다.In addition, as shown in FIG. 2, the heating pipe body 251 is spaced apart from each other by a predetermined distance, and is dually formed to be supported by each other by a plurality of heat dissipation fins 243.

또 한편, 상기 챔버(100)의 내부에는 상기 제어부(230)와 전기적으로 연결되는 온도 센서(260)가 설치될 수 있다.In addition, a temperature sensor 260 electrically connected to the controller 230 may be installed in the chamber 100.

여기서, 상기 온도 센서(260)는 상기 챔버(100)의 내부 온도를 측정하여 상기 제어부(230)로 전송하고, 상기 제어부(230)는 상기 온도 센서(260)로부터 측정된 온도를 전송 받아 기설정된 기준 온도에 이르면 상기 제 1팬들(210)과 상기 제 2팬들(220)의 작동을 중지시킬 수 있다.Here, the temperature sensor 260 measures the internal temperature of the chamber 100 and transmits it to the controller 230, and the controller 230 receives the temperature measured from the temperature sensor 260 and is preset. When the reference temperature is reached, the operation of the first fans 210 and the second fans 220 may be stopped.

다음은, 상기와 같이 구성되는 반도체 플라즈마 형성 장치의 작용을 설명하도록 한다.Next, the operation of the semiconductor plasma forming apparatus configured as described above will be described.

도 1 내지 도 3에 있어서, 챔버(100)의 내부에는 기판이 배치된다. 상기 챔버(100)의 내부에는 플라즈마 분위기가 형성된다.1 to 3, a substrate is disposed inside the chamber 100. The plasma atmosphere is formed in the chamber 100.

이러한 공정 중 또는 공정 이후에는 챔버(100)의 내부 온도는 일정 온도 이상의 고온이 형성된다.During or after such a process, the internal temperature of the chamber 100 is a high temperature of a predetermined temperature or more.

여기서, 본 발명에 따르는 다중 냉각부(200)는 챔버(100) 내부의 열기를 다중으로 냉각시킬 수 있다.Here, the multiple cooling unit 200 according to the present invention can cool the heat inside the chamber 100 multiplely.

챔버(100)의 온도 센서(260)는 챔버(100) 내부의 온도를 실시간으로 측정하여 제어부(230)로 전송한다. 이때, 측정 온도는 제어부(230)에 기설정되는 기준 온도 보다 일정 이상으로 높게 형성된 고온이다.The temperature sensor 260 of the chamber 100 measures the temperature inside the chamber 100 in real time and transmits the temperature to the controller 230. In this case, the measured temperature is a high temperature formed higher than or equal to a predetermined temperature higher than the reference temperature preset in the controller 230.

이어, 상기 제어부(230)는 제 1팬들(210)을 작동시킨다. 따라서, 제 1팬들(210)의 작동에 의하여 챔버(100)의 외부에는 챔버(100)의 양측 및 저측으로부터 외기가 유입될 수 있다.Subsequently, the controller 230 operates the first fans 210. Accordingly, outside air may be introduced into the outside of the chamber 100 by the operation of the first fans 210 from both sides and the bottom of the chamber 100.

그리고, 상기 제어부(230)는 제 2팬들(220)을 작동시킨다.In addition, the control unit 230 operates the second fans 220.

따라서, 챔버(100)의 내부로 유입되는 외기는 챔버(100)의 내부 공기와 혼합 된다.Therefore, the outside air introduced into the chamber 100 is mixed with the air inside the chamber 100.

이 혼합된 외기는 제 2팬들(220)의 작동에 의하여 챔버(100)의 상측을 통하여 배출될 수 있다.The mixed outside air may be discharged through the upper side of the chamber 100 by the operation of the second fans 220.

이때, 제 2팬들(220)에 의하여 챔버(100)의 상측으로 유동되어 배출되는 혼합된 외기는 방열판(240)에 의하여 일차적으로 냉각된다.At this time, the mixed outdoor air flowing and discharged to the upper side of the chamber 100 by the second fans 220 is primarily cooled by the heat sink 240.

즉, 상기 혼합된 외기는 방열판 몸체(241)에 마련되는 일차 냉각홀(242)을 통과하면서 일차적으로 냉각된다.That is, the mixed outside air is primarily cooled while passing through the primary cooling holes 242 provided in the heat sink body 241.

이에 더하여, 본 발명에서의 방열판 몸체(241)는 다수의 방열핀들(243)에 의하여 지지되도록 이중으로 구성되기 때문에, 상기 혼합된 외기와의 접촉 면적이 증가된다.In addition, since the heat sink body 241 in the present invention is dually configured to be supported by a plurality of heat radiation fins 243, the contact area with the mixed outside air is increased.

따라서, 상기 혼합된 외기는 일차 냉각홀(242)을 통과하면서 효율적으로 냉각될 수 있다.Therefore, the mixed outside air can be efficiently cooled while passing through the primary cooling hole 242.

이어, 상기 방열판 몸체(241)의 일차 냉각홀(242)을 통과한 혼합된 외기는 방열판 몸체(241)의 상부에 배치되는 히팅 파이프(250)의 이차 냉각홀(252)로 유입된다.Subsequently, the mixed outside air passing through the primary cooling hole 242 of the heat sink body 241 is introduced into the secondary cooling hole 252 of the heating pipe 250 disposed above the heat sink body 241.

이때, 상기 히팅 파이프(250)의 경우 내부가 비어있는데 상기 비어있는 곳에 액체가 저장된다.In this case, the heating pipe 250 is empty, but the liquid is stored in the empty place.

이에 따라, 열에 의해서 액체가 기화되고 차가운 공기를 만나서 식으면 다시 액체로 바뀌어서 냉각을 이루어줌으로써, 상기 방열판(240)만 있는 것보다 냉각 성능을 향상시킬 수 있다.Accordingly, when the liquid is vaporized by heat and cool air meets and cools, the liquid is converted back into liquid to cool, thereby improving the cooling performance than the heat sink 240 alone.

이와 같이 이차적으로 냉각되는 혼합된 외기는 이차 냉각홀(252)의 상단으로 갈수록 내경이 좁아짇록 형성되기 때문에, 이차 냉각홀(252)의 상단으로 유동될수록 유동 속도가 증가되어 신속히 히팅 파이프(250)의 외부로 배출될 수 있다.Since the mixed outdoor air cooled as described above is formed to have an inner diameter narrower toward the upper end of the secondary cooling hole 252, the flow rate increases as the upper air flows toward the upper end of the secondary cooling hole 252, thereby rapidly heating the heating pipe 250. Can be discharged to the outside.

이에 따라, 본 발명의 다중 냉각부(200)는 챔버(100) 내부의 열기를 다중으로 냉각시킴과 아울러 챔버(100)의 외부로 신속하게 배출시킴으로써, 빠른 시간에 효율적으로 냉각시킬 수 있다.Accordingly, the multi-cooling unit 200 of the present invention cools the heat inside the chamber 100 multiplely and quickly discharges it to the outside of the chamber 100, thereby efficiently cooling in a short time.

또한, 제 1팬들(210) 또는 제 2팬들(220) 중 어느 하나가 오작동되는 경우에 있어서, 제 2팬들(220)의 상부에 방열판(240) 및 히팅 파이프(250)가 설치되기 때문에, 챔버(100)의 내부 열기를 일정의 온도로 냉각시킬 수 있다.In addition, when any one of the first fans 210 or the second fans 220 malfunctions, since the heat sink 240 and the heating pipe 250 are installed on the upper part of the second fans 220, the chamber The internal heat of the 100 can be cooled to a predetermined temperature.

이에 따라, 팬 고장으로 인하여 공정을 중지하여야 하는 종래의 문제점을 효율적으로 개선할 수 있다.Accordingly, the conventional problem of stopping the process due to a fan failure can be efficiently improved.

도 1은 본 발명의 반도체 플라즈마 형성 장치를 보여주는 사시도.1 is a perspective view showing a semiconductor plasma forming apparatus of the present invention.

도 2는 본 발명의 반도체 플라즈마 형성 장치를 보여주는 단면도.2 is a cross-sectional view showing a semiconductor plasma forming apparatus of the present invention.

도 3은 본 발명에 따르는 다중 냉각부를 보여주는 블록도.3 is a block diagram showing multiple cooling units according to the invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호설명><Code Description of Main Parts of Drawing>

100 : 챔버 200 : 다중 냉각부100: chamber 200: multiple cooling unit

210 : 제 1팬 220 : 제 2팬210: first fan 220: second fan

230 : 제어부 240 : 방열판230: control unit 240: heat sink

241 : 방열판 몸체 250 : 히팅 파이프241: heat sink body 250: heating pipe

251 : 히팅 파이프 몸체 260 : 온도 센서251: heating pipe body 260: temperature sensor

Claims (5)

내부에 일정 온도를 갖는 플라즈마 분위기가 형성되는 챔버; 및A chamber in which a plasma atmosphere having a predetermined temperature is formed therein; And 상기 챔버의 내부로 외기를 유입시키어 상기 내부로 유입되어 상기 챔버의 내부 공기와 혼합된 외기를 다중으로 냉각시키어 상기 챔버의 외부로 배출시키는 다중 냉각부를 포함하는 반도체 플라즈마 형성 장치.And a plurality of cooling units configured to introduce outside air into the chamber and to cool the outside air mixed into the inside of the chamber and mixed with the air inside the chamber, and to discharge the outside air to the outside of the chamber. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다중 냉각부는 상기 챔버의 측벽 및 저측벽에 설치되어 외기를 상기 챔버의 내로 유입시키는 다수개의 제 1팬들과, 상기 챔버의 상측벽에 설치되어 상기 챔버의 내부 공기와 혼합된 외기를 상기 챔버의 외부로 배출시키는 다수개의 제 2팬들과, 상기 제 2팬들의 근방에 설치되며 상기 외부로 배출되는 외기를 일차적으로 냉각시키는 방열판과, 상기 방열판에 설치되며 상기 방열판에 노출되어 유동되는 외기를 이차적으로 냉각시키는 히팅 파이프와, 상기 제 1팬들과 상기 제 2팬들의 작동을 제어하는 제어부를 구비하는 반도체 플라즈마 형성 장치.The multi-cooling unit is provided on the side wall and the bottom wall of the chamber and a plurality of first fans for introducing outside air into the chamber, and the outside air is installed on the upper wall of the chamber and mixed with the air inside the chamber of the chamber A plurality of second fans discharged to the outside, a heat sink installed in the vicinity of the second fans and cooling the outside air discharged to the outside, and external air installed on the heat sink and exposed to the heat sink for secondary flow And a heating pipe for cooling, and a control unit for controlling the operations of the first fans and the second fans. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 방열판은 상기 제 2팬의 상측에 배치되는 원판형의 방열판 몸체로 이루어지되, 상기 방열판 몸체의 중앙부에는 상기 제 2팬의 작동에 의하여 유동되는 외기의 흐름을 안내하는 일차 냉각홀이 형성되고,The heat sink is made of a disk-shaped heat sink body disposed on the upper side of the second fan, the central portion of the heat sink body is formed with a primary cooling hole for guiding the flow of outside air flows by the operation of the second fan, 상기 히팅 파이프는 상기 방열판 몸체의 상측에 배치되며 상기 일차 냉각홀과 연통되어 상기 일차 냉각홀을 통과한 외기를 이차적으로 냉각시키는 이차 냉각홀이 형성되는 히팅 파이프 몸체로 이루어지되,The heating pipe is disposed on the upper side of the heat sink body and is made of a heating pipe body in communication with the primary cooling hole is formed a secondary cooling hole for secondary cooling the outside air passing through the primary cooling hole, 상기 이차 냉각홀의 내경은 상기 일차 냉각홀로부터 멀어짐에 따라 점진적으로 좁아지는 것 반도체 플라즈마 형성 장치.The inner diameter of the secondary cooling hole is gradually narrowed as it moves away from the primary cooling hole. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 히팅 파이프 몸체는 서로 일정 거리 이격되고, 다수개의 방열핀들에 의하여 서로 지지되도록 이중으로 이루어지는 반도체 플라즈마 형성 장치.The heating pipe body is spaced apart from each other by a predetermined distance, the semiconductor plasma forming apparatus consisting of a double so as to be supported by each other by a plurality of heat radiation fins. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 챔버의 내부에는 상기 제어부와 전기적으로 연결되는 온도 센서가 설치되되,A temperature sensor electrically connected to the controller is installed inside the chamber. 상기 온도 센서는 상기 챔버의 내부 온도를 측정하여 상기 제어부로 전송하고,The temperature sensor measures the internal temperature of the chamber and transmits it to the controller, 상기 제어부는 상기 온도 센서로부터 측정된 온도를 전송 받아 기설정된 기준 온도에 이르면 상기 제 1팬들과 상기 제 2팬들의 작동을 중지시키는 반도체 플라즈마 형성 장치.The controller receives the temperature measured by the temperature sensor and stops the operation of the first fans and the second fan when a predetermined reference temperature is reached.
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