KR20100056660A - Organic electro luminescence device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: The organic electro luminescence device and a method of manufacture thereof can multiply the amount of discharging light by forming the semi permeable reflection metal material or the high-deflection buffer layer. CONSTITUTION: The bottom electrode layer(20) is formed on substrate. The organic layer(30) is formed on the bottom electrode layer. The top electrode layer(40) is formed on the organic layer. The half mirror layer(50) is in other words at least formed for substrate and top electrode layer on the top of the top electrode layer one. The half mirror layer is composed of the semi permeable reflection metal material.

Description

유기전계발광소자 및 그 제조방법{ORGANIC ELECTRO LUMINESCENCE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}Organic electroluminescent device and its manufacturing method {ORGANIC ELECTRO LUMINESCENCE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반투과 반사성 금속의 하프미러(half-mirror)를 형성하여 유기전계발광소자의 광 방출량을 증대시키는 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to an organic electroluminescent device for forming a half-mirror of a semi-transmissive reflective metal to increase the light emission amount of the organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same. will be.

유기전계발광소자(Organic Electro Luminescence Device)는 전자주입전극(cathode)과 정공주입전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 유기물층내의 발광부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다. 유기전계발광소자는 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.An organic electroluminescent device (exciton) is formed by injecting electrons and holes from the electron injection electrode (cathode) and the hole injection electrode (anode) into the light emitting part in the organic material layer, respectively, the injected electrons and holes are combined Is a device that emits light when falling from the excited state to the ground state. The organic light emitting display device is a self-light emitting device that emits light by itself and has a fast response speed and high luminous efficiency, brightness, and viewing angle.

일반적인 유기전계발광소자는 먼저 투명 기판 상에 투명 하부전극층을 형성한다. 상기 투명 하부전극층은 통상 ITO(Indium Tin Oxide) 양전극이 사용되며, ITO 상부에 유기물층, 상부전극층이 순차적으로 형성된다. In general, an organic light emitting display device first forms a transparent lower electrode layer on a transparent substrate. An indium tin oxide (ITO) positive electrode is generally used as the transparent lower electrode layer, and an organic material layer and an upper electrode layer are sequentially formed on the ITO.

이러한 기존의 유기전계발광소자는 발광효율이 높으나 일반적으로 기판 및 ITO와 유기물층을 통해 소실되는 빛의 양이 80% 이상이다. 즉, 소자내부에서 발생한 빛 중에 일부만이 기판을 통과하여 밖으로 나온다. 유기전계발광소자의 80% 이상 소실되는 빛을 방출 유도하기 위하여 유기전계발광소자에 분산 브래그 반사 소자(Distributed Bragg Reflector : DBR)를 응용하여 미세공동(micro-cavity) 효과를 얻을 수 있다. 이러한 분산 브래그 반사 소자는 굴절률이 다른 두 개의 투명재료를 반복적으로 적층하여 하프미러(half-mirror)의 형성으로 가능하다.The conventional organic light emitting device has a high luminous efficiency, but generally 80% or more of the light lost through the substrate, the ITO and the organic material layer. That is, only a part of the light generated inside the device passes through the substrate and comes out. In order to induce emission of more than 80% of the light emitted from the organic light emitting device, a micro-cavity effect may be obtained by applying a distributed Bragg reflector (DBR) to the organic light emitting device. Such a distributed Bragg reflector can be formed by repeatedly stacking two transparent materials having different refractive indices to form a half-mirror.

그러나, 분산 브래그 반사 소자가 구비된 유기전계발광소자는 광 방출량이 증가되기는 하나 광 방출량 증가의 효과가 미미하며, 분산 브래그 반사 소자의 제작 공정이 복잡하고 제조비용이 높은 단점이 있다.However, the organic electroluminescent device having a distributed Bragg reflector has a disadvantage in that the amount of emitted light is increased but the effect of increasing the amount of emitted light is insignificant, and the manufacturing process of the distributed Bragg reflector is complicated and manufacturing costs are high.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 손실되는 광 방출량을 최소화시켜 유기물층에서 발생된 광이 외부로 최대한 많이 방출될 수 있도록 한 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, to provide an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same to minimize the amount of light emission lost so that the light generated in the organic layer can be emitted as much as possible to the outside. .

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해되어질 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자는 소자를 지지하는 기판, 상기 기판상에 형성되는 하부전극층, 상기 하부전극층 상에 형성되는 유기물층, 상기 유기물층 상에 형성되는 상부전극층 및 상기 기판과 상기 상부전극층 사이 또는 상기 상부전극층의 상부에 적어도 하나 형성되며, 반투과 반사성 금속물질로 이루어지는 하프미러층을 포함하여 구성될 수 있다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention for achieving the above object is a substrate supporting a device, a lower electrode layer formed on the substrate, an organic material layer formed on the lower electrode layer, an upper portion formed on the organic material layer At least one electrode layer is formed between the substrate and the upper electrode layer or on the upper electrode layer, and may include a half mirror layer made of a semi-transparent reflective metal material.

또한, 상기 반투과 반사성 금속물질은 Ag, Al, Au중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성되며 투과와 반사의 특성을 고려하여 1~10nm의 두께를 가지는 것이 바람직하다.In addition, the semi-transmissive reflective metal material is formed to include at least one of Ag, Al, Au and preferably has a thickness of 1 ~ 10nm in consideration of the characteristics of transmission and reflection.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자는 상기 기판과 상기 하부전극층 사이 또는 상기 상부전극층 상부에 적어도 하나 형성되는 고굴절버퍼층(buffer layer)을 더 포함할 수 있다. 상기 고굴절버퍼층은 페브리-페롯(fabry-perot) 간섭을 더욱 효과적으로 구현하기 위한 것으로 TiO2, WO2, CrOx, ZnSe중 하나 이상으로 이루어 진 것으로 굴절률이 높은 층을 형성한다.The organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention for achieving the above object may further include a high refractive buffer layer (buffer layer) formed between the substrate and the lower electrode layer or on the upper electrode layer. The high refractive buffer layer is made of one or more of TiO 2, WO 2, CrOx, and ZnSe to more effectively implement Fabry-Perot interference to form a high refractive index layer.

또한, 상기 하부전극층, 상부전극층 및 고굴절버퍼층은 페브리-페롯 간섭효과를 극대화하기 위해

Figure 112008079996710-PAT00001
의 광학적 두께를 가진다.(여기서, n은 각각 하부전극층, 상부전극층 및 고굴절버퍼층의 굴절률,
Figure 112008079996710-PAT00002
는 방출되는 빛의 파장을 나타낸다.)In addition, the lower electrode layer, the upper electrode layer and the high refractive buffer layer to maximize the Fabry-Perot interference effect
Figure 112008079996710-PAT00001
Where n is the refractive index of the lower electrode layer, the upper electrode layer, and the high refractive buffer layer, respectively.
Figure 112008079996710-PAT00002
Indicates the wavelength of the emitted light.)

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.

상기한 바와 같은 본 발명의 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 따르면 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상이 있다.According to the organic light emitting device and the method of manufacturing the same of the present invention as described above has one or more of the following effects.

첫째, 반투과 반사성 금속물질 또는 고굴절버퍼층을 형성함으로써 일반적인 유기전계발광소자 대비 60% 가까이 광 방출량이 증가하였다.First, by forming a semi-transparent reflective metal material or a high refractive buffer layer, the amount of light emission increased by nearly 60% compared to the general organic light emitting device.

둘째, 반투과 반사성 금속물질을 형성함으로써 분산 브래그 반사 소자의 제작 공정이 단순하고 제조비용을 절감할 수 있다.Second, by forming a semi-transmissive reflective metal material it is possible to simplify the manufacturing process of the distributed Bragg reflective element and to reduce the manufacturing cost.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings.

그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 상세히 설명하기로 한다. 참고로 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail to avoid unnecessarily obscuring the subject matter of the present invention.

도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반투과 반사성 금속의 하프미러층을 포함하는 유기전계발광소자를 개략적으로 도시한 도면이다.1 to 4 schematically illustrate an organic light emitting display device including a half mirror layer of a semi-transmissive reflective metal according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자는 기판(10), 하부전극층(20), 유기물층(30), 상부전극층(40), 및 하프미러층(50)(half-mirror layer) 등을 포함하여 구성될 수 있다.1 to 4, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate 10, a lower electrode layer 20, an organic material layer 30, an upper electrode layer 40, and a half mirror layer. 50 may be configured to include a half-mirror layer.

기판(10)은 유기전계발광소자를 지지하는 역할을 하며 통상 기판은 빛이 통과해야 하기 때문에 투명해야 한다. 기판의 재질은 유리(glass) 혹은 플라스틱이 될 수 있다.The substrate 10 serves to support the organic light emitting display device and the substrate 10 should be transparent because light must pass through. The material of the substrate may be glass or plastic.

하부전극층(20)은 기판(10)상에 형성되는 양극이며, 이 전극의 재질은 ITO(Indium Tin Oxide) 혹은 IZO(Indium Zinc Oxide)이 될 수 있다. The lower electrode layer 20 is an anode formed on the substrate 10, and the material of the lower electrode layer 20 may be indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

하부전극층(20)은 스퍼터링(sputtering)법, 이온 플레이팅(ion plating)법, 전자총(e-gun)등을 이용한 열 증착법을 이용하여 형성할 수 있다.The lower electrode layer 20 may be formed using a thermal evaporation method using a sputtering method, an ion plating method, an electron gun, or the like.

유기물층(30)은 하부전극층(20)상에 형성되며, 홀의 주입을 용이하게 하는 홀 주입층, 홀의 전달을 용이하게 하는 홀 전달층, 발광층, 전자의 전달을 용이하게 하는 전자 전달층, 전자의 주입을 용이하게 하는 전자 주입층으로 구성될 수 있다.The organic layer 30 is formed on the lower electrode layer 20, and includes a hole injection layer to facilitate the injection of holes, a hole transfer layer to facilitate the transfer of holes, a light emitting layer, an electron transfer layer to facilitate the transfer of electrons, and the like. It may be composed of an electron injection layer to facilitate the injection.

유기물층(30)내의 홀 주입층은 하부전극층(20)으로부터 홀 전달층으로 홀을 주입하며, 홀 주입층으로부터 전달된 홀은 홀 전달층을 통하여 발광층으로 전달된다. 한편 전자 주입층은 상부전극층(40)으로부터 전자를 전자 전달층으로 전달하며, 전자 전달층은 전자 주입층으로부터 주입된 전자를 발광층으로 전달하게 된다. 하부전극층(20)과 상부전극층(40)으로부터 전달된 홀과 전자는 발광층에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 엑시톤이 여기상태로부터 기저상태로 되돌아 가면서 빛을 방출하게 된다.The hole injection layer in the organic material layer 30 injects holes from the lower electrode layer 20 into the hole transfer layer, and the holes transferred from the hole injection layer are transferred to the light emitting layer through the hole transfer layer. Meanwhile, the electron injection layer transfers electrons from the upper electrode layer 40 to the electron transfer layer, and the electron transfer layer transfers electrons injected from the electron injection layer to the light emitting layer. Holes and electrons transferred from the lower electrode layer 20 and the upper electrode layer 40 recombine in the emission layer to form excitons, and the excitons emit light as they return from the excited state to the ground state.

상부전극층(40)은 유기물층(30)상에 형성되는 음극이며, 배면발광(bottom emission)의 경우에 Al이 사용될 수 있으나 전면발광(top emission)의 경우에는 ITO, IZO 또는 50nm 이하 두께의 Mg:Ag 등이 사용될 수 있다.The upper electrode layer 40 is a cathode formed on the organic material layer 30, Al may be used in the case of bottom emission, but in the case of top emission, ITO, IZO or Mg having a thickness of 50 nm or less: Ag and the like can be used.

하프미러층(50)은 기판(10)과 상부전극층(40) 사이 또는 상부전극층(40)의 상부에 적어도 하나 형성된다.At least one half mirror layer 50 is formed between the substrate 10 and the upper electrode layer 40 or on the upper electrode layer 40.

하프미러층(50)은 반투과 반사성 금속물질이며 Ag, Al, Au중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 금속물질은 얇은 두께로 유기전계발광소자에 적층함으로써, 분산 브래그 반사 소자와 유사한 하프미러층(50)을 구성한다. 하프미러층(50)의 두께는 1nm 이하인 경우 반투과 반사성 효과가 저감되며, 10nm 이상인 경우 구동전압이 올라가므로 적정한 두께는 1~10nm 범위를 갖는 것이 바람직하다.The half mirror layer 50 is a transflective metal material and is characterized in that it comprises at least one of Ag, Al, Au. The metal material is laminated on the organic light emitting diode with a thin thickness, thereby forming a half mirror layer 50 similar to the distributed Bragg reflector. When the half mirror layer 50 has a thickness of 1 nm or less, the transflective effect is reduced. When the thickness of the half mirror layer 50 is 10 nm or more, the driving voltage is increased, so that the appropriate thickness has a range of 1 to 10 nm.

도 1 내지 도 3은 반투과 반사성 금속물질로 이루어진 하프미러층(50)을 유기물층(30) 하부에 형성함으로써 배면발광(bottom emission) 이 일어나게 할 수 있음을 나타낸 도면이다.1 to 3 are diagrams illustrating that bottom emission may occur by forming a half mirror layer 50 made of a semi-transmissive reflective metal material under the organic material layer 30.

도 4는 반투과 반사성 금속물질로 이루어진 하프미러층(50)을 유기물층(30) 상부에 적어도 하나 형성함으로써 전면발광(top emission)이 일어나게 할 수 있음을 나타낸 도면이다. 전면발광이 일어나는 경우, 상부전극층(40)은 투명해야 하므로 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 Mg:Ag 등의 투명전극이 사용될 수 있다.FIG. 4 is a diagram illustrating that top emission may occur by forming at least one half mirror layer 50 formed of a semi-transparent reflective metal material on the organic material layer 30. When the top emission occurs, since the upper electrode layer 40 should be transparent, a transparent electrode such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or Mg: Ag may be used.

도 5 내지 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광소자를 도시한 것으로, 기판(10)과 하부전극층(20) 사이 또는 상부전극층(40)의 상부에 적어도 하나 형성되는 고굴절버퍼층(60)(buffer layer)을 더 포함하는 유기전계발광소자를 도시한 도면이다.5 to 8 illustrate an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention, wherein at least one high refractive buffer layer is formed between the substrate 10 and the lower electrode layer 20 or on the upper electrode layer 40. FIG. 60 illustrates an organic light emitting display device further including a buffer layer.

고굴절버퍼층(60)은 페브리-페롯(fabry-perot) 간섭을 더욱 효과적으로 구현 하기 위해 TiO2, WO2, CrOx, ZnSe 중 적어도 어느 하나의 고굴절 물질을 포함한다.The high refractive buffer layer 60 includes a high refractive material of at least one of TiO 2, WO 2, CrOx, and ZnSe in order to more effectively implement Fabry-Perot interference.

도 5 내지 도 7은 반투과 반사성 금속으로 이루어진 하프미러층(50) 또는 고굴절버퍼층(60)이 유기물층(30) 하부에 형성된 것으로 배면발광(bottom emission)이 일어나게 할 수 있음을 나타낸 도면이다.5 to 7 illustrate that a half mirror layer 50 or a high refractive buffer layer 60 made of a semi-transmissive reflective metal is formed under the organic layer 30 so that bottom emission may occur.

도 8은 반투과 반사성 금속으로 이루어진 하프미러층(50) 또는 고굴절버퍼층(60)이 유기물층(30) 상부에 형성된 것으로 전면발광(top emission)이 일어나게 할 수 있음을 나타낸 도면이다. 전면발광이 일어나는 경우, 상부전극층(40)은 투명해야 하므로 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 Mg:Ag 등의 투명전극이 사용될 수 있다.FIG. 8 illustrates that a half mirror layer 50 or a high refractive buffer layer 60 made of a semi-transmissive reflective metal is formed on the organic material layer 30 to cause top emission. When the top emission occurs, since the upper electrode layer 40 should be transparent, a transparent electrode such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or Mg: Ag may be used.

또한, 유기전계발광소자의 광 방출량 시뮬레이션(simulation)을 수행한 결과 고굴절버퍼층(60)은 페브리-페롯(fabry-perot) 간섭효과를 극대화하기 위해

Figure 112008079996710-PAT00003
의 광학적 두께를 가지는 것이 바람직하다(여기서, n은 고굴절버퍼층(60)의 굴절률,
Figure 112008079996710-PAT00004
는 방출되는 빛의 파장을 나타낸다).In addition, as a result of performing light emission simulation of the organic light emitting diode, the high refractive buffer layer 60 is used to maximize the Fabry-Perot interference effect.
Figure 112008079996710-PAT00003
It is preferable to have an optical thickness of (where n is the refractive index of the high refractive buffer layer 60,
Figure 112008079996710-PAT00004
Indicates the wavelength of light emitted).

또한, 앞에서와 같이 광 방출량 시뮬레이션 결과, 상기 도 1 내지 도 8의 하부전극층(20) 또는 상부전극층(40)은 페브리-페롯 간섭효과를 극대화 하기 위해

Figure 112008079996710-PAT00005
의 광학적 두께를 가지는 것이 바람직하다(여기서, n은 각각 하부전극층(20), 상부전극층(40)의 굴절률,
Figure 112008079996710-PAT00006
는 방출되는 빛의 파장을 나타낸다).In addition, as described above, as a result of the light emission simulation, the lower electrode layer 20 or the upper electrode layer 40 of FIGS. 1 to 8 is used to maximize the Fabry-Perot interference effect.
Figure 112008079996710-PAT00005
It is preferable to have an optical thickness of (where n is the refractive index of the lower electrode layer 20, the upper electrode layer 40,
Figure 112008079996710-PAT00006
Indicates the wavelength of light emitted).

본 발명에 의한 유기전계발광소자의 제조방법은 먼저 기판(10)을 제공하는 단계, 이어서 하부전극층(20)을 형성하는 단계, 이어서 유기물층(30)을 형성하는 단계, 이어서 상부전극층을 형성하는 단계, 및 마지막으로 하프미러층(50)을 형성하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다. 기판(10)은 유기전계발광소자를 지지하기 위한 것으로 투명한 유리(glass) 혹은 플라스틱이 사용될 수 있다. In the method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention, first, providing a substrate 10, and then forming a lower electrode layer 20, and then forming an organic material layer 30, and then forming an upper electrode layer. And finally forming the half mirror layer 50. The substrate 10 is used to support the organic light emitting diode, and transparent glass or plastic may be used.

또한, 하부전극층(20)은 기판(10) 상에 스퍼터링(sputtering)법, 이온 플레이팅(ion plating)법, 전자총(e-gun)등을 이용하여 형성할 수 있다.In addition, the lower electrode layer 20 may be formed on the substrate 10 by using a sputtering method, an ion plating method, an electron gun, or the like.

유기물층(30)은 홀 주입층, 홀 전달층, 발광층, 전자 전달층, 전자 주입층등으로 이루어지며, 스핀코팅(spin coating)법, 열증착(thermal evaporation)법, 스핀캐스팅(spin casting)법, 스퍼터링(sputtering)법, 전자빔 증착(e-beam evaporation)법, 화학기상증착(chemical vapor deposition: CVD)법 등과 같은 방법에 의해 형성할 수 있다.The organic layer 30 is formed of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like, and are spin coated, thermal evaporation, and spin casting methods. , Sputtering, e-beam evaporation, chemical vapor deposition (CVD), or the like.

상부전극층(40)은 유기물층(30)상에 형성되며, 열증착법, 스퍼터링법, 화학기상증착법, 이온 플레이팅법 등을 사용하여 형성할 수 있다.The upper electrode layer 40 is formed on the organic layer 30, and may be formed using a thermal deposition method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, an ion plating method, or the like.

또한, 본 발명에 의한 유기전계발광소자의 제조방법은 기판(10)과 하부전극층(20) 사이 또는 상부전극층(40)의 상부에 고굴절버퍼층(60)을 적어도 하나 더 형성하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다. In addition, the method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention includes forming at least one high refractive buffer layer 60 between the substrate 10 and the lower electrode layer 20 or on the upper electrode layer 40. Can be.

상기 고굴절버퍼층(60)은 스퍼터링법, 화학기상증착법, 이온 플레이팅법 등을 이용하여 형성할 수 있다.The high refractive buffer layer 60 may be formed using a sputtering method, a chemical vapor deposition method, an ion plating method and the like.

[표 1]은 일반적인 유기전계발광소자와 본 발명인 반투과 반사성 금속 또는 고굴절버퍼층(60)을 적용한 유기전계발광소자(Al/ITO, TiO2/ITO, Al/TiO2/ITO)의 광 방출량 시뮬레이션 결과를 나타낸 것이다.[Table 1] shows the light emission simulation results of the general organic electroluminescent device and the organic electroluminescent device (Al / ITO, TiO2 / ITO, Al / TiO2 / ITO) to which the present invention is applied a semi-transparent reflective metal or high refractive buffer layer 60. It is shown.

상기 시뮬레이션 결과 일반적인 유기전계발광소자(ITO)에 비해 반투과 반사성 금속물질의 하프미러층(50)으로 형성된 유기전계발광소자(Al/ITO)가 60% 가까이 광 방출량이 증가되었음을 알 수가 있다.The simulation result shows that the organic light emitting diode (Al / ITO) formed of the half-mirror layer 50 of the semi-transparent reflective metal material has a light emission increase of nearly 60% compared to the general organic light emitting diode (ITO).

또한, 하프미러층(50)과 고굴절버퍼층(60)이 형성된 유기전계발광소자(Al/TiO2/ITO)의 경우에도 일반적인 유기전계발광소자에 비해 26% 가까이 광 방출량이 증가되었음을 알 수가 있다.In addition, in the case of the organic light emitting diode (Al / TiO 2 / ITO) having the half mirror layer 50 and the high refractive buffer layer 60, the amount of light emission increased by nearly 26% compared to the general organic light emitting diode.

Figure 112008079996710-PAT00007
Figure 112008079996710-PAT00007

도면 9는 [표 1]의 광 방출량 시뮬레이션 결과를 그래프로 도시한 것이다. 그래프에 나타낸 바와 같이 방출되는 빛의 파장이 494~539nm 범위에서, 일반적인 유기전계발광소자(ITO)에 비해 반투과 반사성 금속물질의 하프미러층(50)으로 형성된 유기전계발광소자(Al/ITO)가 60% 가까이 광 방출량이 증가되었음을 알 수가 있다.9 is a graph showing the light emission amount simulation results in [Table 1]. As shown in the graph, an organic light emitting diode (Al / ITO) formed of a half-mirror layer 50 of semi-transmissive reflective metal material, compared to a general organic light emitting diode (ITO), has a wavelength of emitted light ranging from 494 to 539 nm. It can be seen that the light emission increased by nearly 60%.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that.

그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the above description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반투과 반사성 금속의 하프미러층을 구비한 유기전계발광소자를 개략적으로 도시한 도면이다.1 to 4 schematically illustrate an organic light emitting display device having a half mirror layer of a semi-transmissive reflective metal according to an embodiment of the present invention.

도 5 내지 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 하프미러층 및 고굴절버퍼층을 구비하는 유기전계발광소자를 개략적으로 도시한 도면이다.5 to 8 schematically illustrate an organic light emitting display device having a half mirror layer and a high refractive buffer layer according to another embodiment of the present invention.

도 9는 일반적인 유기전계발광소자와 본 발명에 따른 반투과 반사성 금속물질로 이루어진 하프미러층 또는 고굴절버퍼층을 적용한(Al/ITO, TiO2/ITO, Al/TiO2/ITO) 유기전계발광소자의 광 방출량 시뮬레이션 결과를 나타낸 그래프이다.9 is a light emission amount of an organic electroluminescent device to which a half mirror layer or a high refractive buffer layer made of a general organic electroluminescent device and a semi-transparent reflective metal material according to the present invention (Al / ITO, TiO2 / ITO, Al / TiO2 / ITO) is applied. A graph showing the simulation results.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10 : 기판 20 : 하부전극층10 substrate 20 lower electrode layer

30 : 유기물층 40 : 상부전극층30: organic material layer 40: upper electrode layer

50 : 하프미러층 60 : 고굴절버퍼층50: half mirror layer 60: high refractive buffer layer

Claims (9)

기판;Board; 상기 기판 상에 형성되는 하부전극층;A lower electrode layer formed on the substrate; 상기 하부전극층 상에 형성되는 유기물층;An organic material layer formed on the lower electrode layer; 상기 유기물층 상에 형성되는 상부전극층; 및An upper electrode layer formed on the organic material layer; And 상기 기판과 상기 상부전극층 사이 또는 상기 상부전극층의 상부에 적어도 하나 형성되며, 반투과 반사성 금속물질로 이루어지는 하프미러층을 포함하는 유기전계발광소자.At least one organic light emitting device is formed between the substrate and the upper electrode layer or on the upper electrode layer, and comprises a half mirror layer made of a semi-transparent reflective metal material. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 반투과 반사성 금속물질은 Ag, Al, Au 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The semi-transmissive reflective metal material comprises at least one of Ag, Al, Au. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 반투과 반사성 금속물질은 1~10nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자. The semi-transmissive reflective metal material has an organic light emitting device, characterized in that having a thickness of 1 ~ 10nm. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 하부전극층 또는 상기 상부전극층은
Figure 112008079996710-PAT00008
의 광학적 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The lower electrode layer or the upper electrode layer
Figure 112008079996710-PAT00008
An organic light emitting device, characterized in that it has an optical thickness of. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 기판과 상기 하부전극층 사이 또는 상기 상부전극층의 상부에 적어도 하나 형성되는 고굴절버퍼층을 더 포함하는 유기전계발광소자.Organic light emitting device further comprises a high refractive buffer layer formed between the substrate and the lower electrode layer or on the upper electrode layer. 제 5 항에 있어서, The method of claim 5, 상기 고굴절버퍼층은 TiO2, WO2, CrOx, ZnSe 중 적어도 어느 하나의 고굴절물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The high refractive buffer layer is an organic electroluminescent device characterized in that it comprises a high refractive material of at least one of TiO2, WO2, CrOx, ZnSe. 제 5 항에 있어서, The method of claim 5, 상기 고굴절버퍼층은
Figure 112008079996710-PAT00009
의 광학적 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The high refractive buffer layer is
Figure 112008079996710-PAT00009
An organic light emitting device, characterized in that it has an optical thickness of. (a) 기판을 제공하는 단계;(a) providing a substrate; (b) 상기 기판 상에 하부전극층을 형성하는 단계;(b) forming a lower electrode layer on the substrate; (c) 상기 하부전극층 상에 유기물층을 형성하는 단계;(c) forming an organic material layer on the lower electrode layer; (d) 상기 유기물층 상에 상부전극층을 형성하는 단계; 및(d) forming an upper electrode layer on the organic material layer; And (e) 상기 기판과 상기 상부전극층 사이 또는 상기 상부전극층의 상부에 반투과 반사성 금속물질로 이루어지는 하프미러층을 적어도 하나 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.(e) forming at least one half mirror layer made of a semi-transparent reflective metal material between the substrate and the upper electrode layer or on the upper electrode layer. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, (f) 상기 기판과 상기 하부전극층 사이 또는 상기 상부전극층의 상부에 고굴절버퍼층을 적어도 하나 형성하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.(f) forming at least one high refractive buffer layer between the substrate and the lower electrode layer or on the upper electrode layer.
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