KR20100046439A - Organic light emitting display - Google Patents

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KR20100046439A
KR20100046439A KR1020080105280A KR20080105280A KR20100046439A KR 20100046439 A KR20100046439 A KR 20100046439A KR 1020080105280 A KR1020080105280 A KR 1020080105280A KR 20080105280 A KR20080105280 A KR 20080105280A KR 20100046439 A KR20100046439 A KR 20100046439A
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Abstract

PURPOSE: An organic electroluminescent display device is provided to improve display quality of a panel by preventing a characteristic deviation between a plurality of sub pixels of a unit pixel. CONSTITUTION: An organic electroluminescent display device includes a substrate and a unit pixel(R,G,B). The unit pixel is positioned on the substrate. The unit pixel is comprised of first to third sub pixels. The first to third sub pixels emit light with different colors. A channel area of a driving transistor included in the second sub pixel is greater than the channel area of the driving transistor included in the first or third sub pixel. The second sub pixel is a green sub pixel. An opening region of the second sub pixel is smaller than the opening area of the first or second sub pixel.

Description

유기전계발광표시장치{Organic Light Emitting Display}Organic Light Emitting Display

본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device.

유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 기판 상에 위치하는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자였다.An organic light emitting display device used in an organic light emitting display device is a self-light emitting device in which a light emitting layer is formed between two electrodes positioned on a substrate.

유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식 등이 있다. 그리고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어져 있다.The organic light emitting display includes a top emission type, a bottom emission type, or a dual emission type according to a direction in which light is emitted. According to the driving method, it is divided into a passive matrix type and an active matrix type.

유기전계발광표시장치는 증착공정과 식각공정 등을 병행하는 제조공정을 통해 트랜지스터, 커패시터 및 유기 발광다이오드 등을 포함하는 복수의 서브 픽셀이 기판 상에 매트릭스 형태로 형성된다.In the organic light emitting display device, a plurality of subpixels including a transistor, a capacitor, an organic light emitting diode, and the like are formed in a matrix form on a substrate through a manufacturing process in which a deposition process and an etching process are performed in parallel.

위와 같은 공정을 통해 제조된 유기전계발광표시장치는 매트릭스 형태로 형성된 복수의 서브 픽셀에 스캔 신호, 데이터 신호 및 전원 등이 공급되면 선택된 서브 픽셀이 발광을 하게 됨으로써 패널에 영상을 표시할 수 있다.In the organic light emitting display device manufactured through the above process, when a scan signal, a data signal, and a power are supplied to a plurality of subpixels formed in a matrix form, the selected subpixels emit light to display an image on the panel.

한편, 패널에 형성된 복수의 서브 픽셀은 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀이 하나의 단위픽셀로 구성된다. 유기전계발광표시장치의 경우 이를 제조하는 과정에서 단위픽셀을 구성하는 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀 간의 특성 편차가 발생하게 된다. 이와 같이, 단위픽셀을 구성하는 서브 픽셀 간의 특성 편차가 발생하면, 패널에 휘도가 불균일 하게 나타나게 되어 표시품질이 저하 하게 되므로 이의 개선이 요구된다.Meanwhile, in the plurality of subpixels formed in the panel, red, green, and blue subpixels are configured as one unit pixel. In the case of the organic light emitting display device, a characteristic deviation between the red, green, and blue subpixels constituting the unit pixel occurs during the manufacturing process. As described above, when the characteristic deviation between the sub-pixels constituting the unit pixel occurs, luminance is unevenly displayed on the panel and the display quality is lowered.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 실시예는, 단위픽셀을 구성하는 서브 픽셀 간의 발광 효율 편차에 따른 문제를 해결하여 패널의 표시품질을 개선할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다.Embodiments of the present invention for solving the above-described problems of the background art provide an organic light emitting display device that can improve display quality of a panel by solving a problem caused by variation in emission efficiency between subpixels constituting a unit pixel. It is.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명의 실시예는, 기판; 및 기판 상에 위치하고 서로 다른 색을 발광하는 3개 이상의 서브 픽셀을 포함하는 단위픽셀을 포함하고, 단위픽셀 중 적어도 하나의 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널의 면적은 다른 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적보다 넓은 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.Embodiments of the present invention as a means for solving the above problems, the substrate; And a unit pixel including three or more subpixels positioned on the substrate and emitting different colors, wherein an area of a channel of the driving transistor included in at least one subpixel of the unit pixels is included in another subpixel. An organic light emitting display device is characterized in that it is wider than a channel area of a transistor.

구동 트랜지스터의 채널의 면적이 넓은 서브 픽셀은, 녹색 서브 픽셀일 수 있다.The subpixel having a large area of the channel of the driving transistor may be a green subpixel.

녹색 서브 픽셀의 개구영역은, 다른 서브 픽셀의 개구영역보다 상대적으로 작을 수 있다.The opening area of the green subpixel may be relatively smaller than the opening area of another subpixel.

3개 이상의 서브 픽셀의 개구영역은, 하나 이상 다를 수 있다.The aperture regions of the three or more subpixels may differ one or more.

단위픽셀 중 청색 서브 픽셀의 개구영역은, 다른 서브 픽셀의 개구영역보다 상대적으로 클 수 있다.The opening area of the blue subpixel among the unit pixels may be relatively larger than the opening area of other subpixels.

단위픽셀 중 청색 서브 픽셀의 개구영역이 가장 크고, 녹색 서브 픽셀의 개 구영역이 가장 작을 수 있다.The opening area of the blue subpixel may be the largest and the opening area of the green subpixel may be the smallest among the unit pixels.

한편, 다른 측면에서 본 발명의 실시예는, 기판; 및 기판 상에 위치하고 서로 다른 색을 발광하는 복수의 서브 픽셀을 포함하는 단위픽셀을 포함하고, 복수의 서브 픽셀은, 개구영역과 구동 트랜지스터의 채널의 면적이 하나 이상 다른 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.On the other hand, in another aspect, an embodiment of the present invention, a substrate; And a unit pixel including a plurality of subpixels positioned on a substrate to emit different colors, wherein the plurality of subpixels have at least one area of an opening region and a channel of a driving transistor. Provide a display device.

단위픽셀은, 녹색 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널의 면적이 가장 클 수 있다.The unit pixel may have the largest area of the channel of the driving transistor included in the green subpixel.

단위픽셀 중 청색 서브 픽셀의 개구영역이 가장 크고, 녹색 서브 픽셀의 개구영역이 가장 작을 수 있다.Among the unit pixels, the opening area of the blue subpixel may be the largest, and the opening area of the green subpixel may be the smallest.

단위픽셀은, 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀을 포함할 수 있다.The unit pixel may include red, green, and blue subpixels.

본 발명의 실시예는, 단위픽셀에 포함된 서브 픽셀 중 발광 효율이 가장 높은 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적(W×L)을 다른 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적보다 상대적으로 넓게 하여 패널의 휘도 균일도 및 표시품질을 향상시키는 효과가 있다. 본 발명의 실시예는, 휘도 균일도 및 표시품질을 향상시켜 스테인(stain; 얼룩) 불량을 개선하는 효과와 패널의 장기 구동에 따른 열화로 인한 화이트 밸런스 수명을 개선하는 효과와 고온/저온 환경 상에서의 표시품질 성능을 개선하는 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, the channel area (W × L) of the driving transistor included in the subpixel having the highest luminous efficiency among the subpixels included in the unit pixel is relatively larger than the channel area of the driving transistor included in the other subpixel. It is effective in making the brightness uniformity and display quality of the panel wider. Embodiments of the present invention improve the luminance uniformity and display quality to improve stain defects, and to improve the white balance life due to deterioration due to long-term operation of the panel, and in a high temperature / low temperature environment. There is an effect of improving the display quality performance.

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the specific content for the practice of the present invention will be described.

도 1은 유기전계발광표시장치의 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view of an organic light emitting display device.

도 1에 도시된 바와 같이, 유기전계발광표시장치는 기판(110) 상에 위치하고 서로 다른 색을 발광하는 복수의 서브 픽셀을 포함하는 단위픽셀(R,G,B)을 포함하는 표시부(130)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, the organic light emitting display device includes a display unit 130 that is disposed on the substrate 110 and includes unit pixels R, G, and B including a plurality of sub pixels emitting different colors. It may include.

기판(110)은 소자를 형성하기 위한 재료로 기계적 강도나 치수 안정성이 우수한 것을 선택할 수 있다. 기판(110)의 재료로는, 유리판, 금속판, 세라믹판 또는 플라스틱판(폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 염화비닐 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 불소수지 등) 등을 예로 들 수 있다.The substrate 110 may be selected as a material for forming an element having excellent mechanical strength or dimensional stability. As the material of the substrate 110, a glass plate, a metal plate, a ceramic plate or a plastic plate (polycarbonate resin, acrylic resin, vinyl chloride resin, polyethylene terephthalate resin, polyimide resin, polyester resin, epoxy resin, silicone resin, fluorine) Resin, etc.) is mentioned.

기판(110) 상에 위치하는 단위픽셀(R,G,B)은 수분이나 산소에 취약하다. 이에 따라, 밀봉기판(140)을 구비하고, 표시부(130)의 외곽 기판(110)에 접착부재(150)를 형성하여 기판(110)과 밀봉기판(140)을 봉지할 수 있다. 여기서, 밀봉기판(140)의 재료는 기판(110)과 동일하거나 다른 재료를 이용할 수 있다.The unit pixels R, G, and B disposed on the substrate 110 are vulnerable to moisture or oxygen. Accordingly, the sealing substrate 140 may be provided, and the adhesive member 150 may be formed on the outer substrate 110 of the display unit 130 to encapsulate the substrate 110 and the sealing substrate 140. Here, the material of the sealing substrate 140 may be the same or different materials from the substrate 110.

단위픽셀(R,G,B)은 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀과 같이 서로 다른 색을 발광하는 3개의 서브 픽셀을 포함할 수 있으나 이 밖에 다른 색을 발광하는 서브 픽셀을 더 포함할 수도 있다. 단위픽셀(R,G,B)이 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀을 포함하는 경우, 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀이 모두 발광을 하면 단위픽셀(R,G,B) 은 백색을 나타낼 수 있다. 단위픽셀(R,G,B)에 포함된 모든 서브 픽셀은 트랜지스터와 트랜지스터 상에 위치하는 유기 발광다이오드를 각각 포함할 수 있다.The unit pixels R, G, and B may include three subpixels emitting different colors, such as red, green, and blue subpixels, but may further include subpixels emitting different colors. When the unit pixels R, G, and B include red, green, and blue sub pixels, when the red, green, and blue sub pixels all emit light, the unit pixels R, G, and B may represent white. All subpixels included in the unit pixels R, G, and B may include transistors and organic light emitting diodes positioned on the transistors, respectively.

단위픽셀(R,G,B)에 포함된 모든 서브 픽셀은 기판(110) 상에 위치하는 구동부(160)에 의해 구동되어 영상을 표현할 수 있다. 구동부(160)는 외부로부터 공급된 각종 신호에 대응하여 스캔 신호 및 데이터 신호 등을 생성할 수 있으며, 생성된 신호 등을 표시부(130)에 공급할 수 있다.All of the subpixels included in the unit pixels R, G, and B may be driven by the driver 160 positioned on the substrate 110 to represent an image. The driver 160 may generate a scan signal and a data signal in response to various signals supplied from the outside, and may supply the generated signal to the display unit 130.

구동부(160)는 표시부(130)에 스캔 신호를 공급하는 스캔 구동부와 표시부(130)에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부를 포함할 수 있다. 여기서, 구동부(160)는 스캔 구동부 및 데이터 구동부가 하나의 칩에 형성된 것을 일례로 개략적으로 도시한 것일 뿐 스캔 구동부와 데이터 구동부 중 하나 이상은 기판(110) 또는 기판(110)의 외부에 구분되어 위치할 수 있다.The driver 160 may include a scan driver for supplying a scan signal to the display unit 130 and a data driver for supplying a data signal to the display unit 130. Here, the driver 160 is schematically illustrated as an example that the scan driver and the data driver are formed on one chip, but at least one of the scan driver and the data driver is separated from the substrate 110 or the outside of the substrate 110. Can be located.

이하, 도 1에 도시된 단위픽셀(R,G,B)에 포함된 서브 픽셀의 다양한 회로 구성에 대해 설명한다.Hereinafter, various circuit configurations of the subpixels included in the unit pixels R, G, and B shown in FIG. 1 will be described.

도 2는 2T1C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도이다.2 is a circuit configuration diagram of a subpixel having a 2T1C structure.

도 2를 참조하면, 2T(Transistor)1C(capacitor) 구조를 갖는 서브 픽셀은 스캔배선(SCAN)에 게이트가 연결되고 데이터배선(DATA)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 트랜지스터(STFT)와, 제1노드(A)에 게이트가 연결되고 제1전원배선(VDD)에 일단이 연결된 구동 트랜지스터(DTFT)와, 제1전원배선(VDD)과 제1노드(A) 사이에 연결된 커패시터(CST)와, 구동 트랜지스터(DTFT)의 타단에 제1전극 이 연결되고 제2전원배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, a subpixel having a 2T (capacitor) structure has a gate connected to the scan line SCAN, one end connected to the data line DATA, and the other end connected to the first node A. Between the transistor STFT, the driving transistor DTFT having a gate connected to the first node A and one end connected to the first power line VDD, and between the first power line VDD and the first node A. The organic light emitting diode OLED may include a capacitor CST connected to the second electrode and an organic light emitting diode OLED having a first electrode connected to the other end of the driving transistor DTFT and a second electrode connected to the second power supply line VSS.

여기서, 트랜지스터(STFT)는 스캔배선(SCAN)을 통해 공급된 스캔신호에 의해 턴온되며 데이터배선(DATA)을 통해 공급된 데이터신호를 전달한다. 그리고 커패시터(CST)는 트랜지스터(STFT)를 통해 공급된 데이터신호를 저장한다. 그리고 구동 트랜지스터(DTFT)는 커패시터(CST)에 저장된 데이터신호에 대응하여 구동한다. 그리고 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DTFT)가 구동하면, 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전류에 의해 발광한다.Here, the transistor STFT is turned on by the scan signal supplied through the scan line SCAN and transfers the data signal supplied through the data line DATA. The capacitor CST stores the data signal supplied through the transistor STFT. In addition, the driving transistor DTFT drives in response to the data signal stored in the capacitor CST. When the driving transistor DTFT is driven, the organic light emitting diode OLED emits light by a current supplied through the first power line VDD.

도 3은 3T1C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도이다.3 is a circuit diagram of a subpixel having a 3T1C structure.

도 3을 참조하면, 3T1C 구조를 갖는 서브 픽셀은 제1스캔배선(SCAN1)에 게이트가 연결되고 데이터배선(DATA)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제1트랜지스터(STFT1)와, 제2스캔배선(SCAN2)에 게이트가 연결되고 제3전원배선(VREF)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제2트랜지스터(STFT2)와, 제1노드(A)에 게이트가 연결되고 제1전원배선(VDD)에 일단이 연결된 구동 트랜지스터(DTFT)와, 제1전원배선(VDD)과 제1노드(A) 사이에 연결된 커패시터(CST)와, 구동 트랜지스터(DTFT)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, a subpixel having a 3T1C structure has a first transistor STFT1 having a gate connected to the first scan line SCAN1, one end connected to the data line DATA, and the other end connected to the first node A. ), A second transistor STFT2 having a gate connected to the second scan line SCAN2, one end connected to the third power line VREF, and the other end connected to the first node A, and a first node A ), A driving transistor DTFT connected to a gate thereof and one end connected to a first power wiring VDD, a capacitor CST connected between the first power wiring VDD and the first node A, and a driving transistor ( The organic light emitting diode OLED may include an organic light emitting diode OLED having a first electrode connected to the other end of the DTFT and a second electrode connected to the second power line VSS.

여기서, 제1트랜지스터(STFT1)는 제1스캔배선(SCAN1)을 통해 공급된 제1스캔신호에 의해 턴온되며 데이터배선(DATA)을 통해 공급된 데이터신호를 전달한다. 그리고 제2트랜지스터(STFT2)는 제2스캔배선(SCAN2)을 통해 공급된 제2스캔신호에 의 해 턴온되며 제3전원배선(VREF)을 통해 공급된 참조전압을 전달한다. 커패시터(CST)는 트랜지스터(STFT)를 통해 공급된 데이터신호를 저장한다. 그리고 구동 트랜지스터(DTFT)는 커패시터(CST)에 저장된 데이터신호에 대응하여 구동한다. 그리고 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DTFT)가 구동하면, 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전류에 의해 발광한다.Here, the first transistor STFT1 is turned on by the first scan signal supplied through the first scan wiring SCAN1 and transfers the data signal supplied through the data wiring DATA. The second transistor STFT2 is turned on by the second scan signal supplied through the second scan line SCAN2 and transfers the reference voltage supplied through the third power line VREF. The capacitor CST stores the data signal supplied through the transistor STFT. In addition, the driving transistor DTFT drives in response to the data signal stored in the capacitor CST. When the driving transistor DTFT is driven, the organic light emitting diode OLED emits light by a current supplied through the first power line VDD.

도 4는 4T2C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도이다.4 is a circuit diagram of a subpixel having a 4T2C structure.

도 4를 참조하면, 4T2C 구조를 갖는 서브 픽셀은 제1스캔배선(SCAN1)에 게이트가 연결되고 데이터배선(DATA)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제1트랜지스터(STFT1)와, 제1노드(A)와 제1전원배선(VDD) 사이에 연결된 제1커패시터(CST1)와, 제1노드(A)와 제2노드(B) 사이에 연결된 제2커패시터(CST2)와, 제2노드(B)에 게이트가 연결되고 제1전원배선(VDD)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 구동 트랜지스터(DTFT)와, 제2스캔배선(SCAN2)에 게이트가 연결되고 제2노드(B)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 제2트랜지스터(STFT2)와, 제3스캔배선(SCAN3)에 게이트가 연결되고 제3노드(C)에 일단이 연결된 제3트랜지스터(STFT3)와, 제3트랜지스터(STFT3)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, a sub-pixel having a 4T2C structure has a first transistor STFT1 having a gate connected to the first scan line SCAN1, one end connected to the data line DATA, and the other end connected to the first node A. ), A first capacitor CST1 connected between the first node A and the first power line VDD, and a second capacitor CST2 connected between the first node A and the second node B. And a driving transistor DTFT connected to a gate of the second node B, one end of which is connected to the first power line VDD, and the other end of which is connected to the third node C, and a second scan line SCAN2. A gate is connected, one end is connected to the second node B, and the other end is connected to the second node STFT2 and the third scan wiring SCAN3, and the third node C is connected to the third node CFT. ) And an organic light emitting diode (OLED) having one end connected to the third transistor (STFT3), the first electrode is connected to the other end of the third transistor (STFT3) and the second electrode is connected to the second power supply line (VSS).There.

여기서, 제1트랜지스터(STFT1)는 제1스캔배선(SCAN1)을 통해 공급된 제1스캔신호에 의해 턴온되며 데이터배선(DATA)을 통해 공급된 데이터신호를 전달한다. 그리고 제1커패시터(CST1)는 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전압과 제1트랜지스터(STFT1)를 통해 공급된 전압의 차전압을 유지한다. 그리고 제2커패시터(CST2)는 제1트랜지스터(STFT1)를 통해 공급된 데이터신호와 제1커패시터(CST1)에 유지된 전압에 의한 데이터신호를 저장한다. 그리고 제2트랜지스터(STFT2)는 제2스캔배선(SCAN2)을 통해 공급된 제2스캔신호에 의해 턴온되며 구동 트랜지스터(DTFT)의 문턱전압을 제어한다. 그리고 구동 트랜지스터(DTFT)는 제2커패시터(CST2)에 저장된 데이터신호에 대응하여 구동한다. 제3트랜지스터(STFT3)는 제3스캔배선(SCAN3)을 통해 공급된 제3스캔신호에 의해 턴온되며 구동 트랜지스터(DTFT)를 통해 흐르는 전류를 제어한다. 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DTFT)가 구동을 하고 제3트랜지스터(STFT3)가 턴온 상태가 되면, 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전류에 의해 발광한다.Here, the first transistor STFT1 is turned on by the first scan signal supplied through the first scan wiring SCAN1 and transfers the data signal supplied through the data wiring DATA. The first capacitor CST1 maintains a difference voltage between the voltage supplied through the first power line VDD and the voltage supplied through the first transistor STFT1. The second capacitor CST2 stores the data signal supplied through the first transistor STFT1 and the data signal based on the voltage held in the first capacitor CST1. The second transistor STFT2 is turned on by the second scan signal supplied through the second scan wiring SCAN2 and controls the threshold voltage of the driving transistor DTFT. In addition, the driving transistor DTFT drives in response to the data signal stored in the second capacitor CST2. The third transistor STFT3 is turned on by the third scan signal supplied through the third scan wiring SCAN3 and controls a current flowing through the driving transistor DTFT. When the driving transistor DTFT is driven and the third transistor STFT3 is turned on, the organic light emitting diode OLED emits light by a current supplied through the first power line VDD.

도 5는 5T1C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도이다.5 is a circuit diagram illustrating a subpixel having a 5T1C structure.

도 5를 참조하면, 5T1C 구조를 갖는 서브 픽셀은 제1스캔배선(SCAN1)에 게이트가 연결되고 데이터배선(DATA)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제1트랜지스터(STFT1)와, 제1노드(A)와 제2노드(B) 사이에 연결된 커패시터(CST)와, 제2노드(B)에 게이트가 연결되고 제1전원배선(VDD)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 구동 트랜지스터(DTFT)와, 제3스캔배선(SCAN3)에 게이트가 연결되고 제1노드(A)에 일단이 연결되며 제3전원배선(VREF)에 타단이 연결된 제2트랜지스터(STFT2)와, 제2스캔배선(SCAN2)에 게이트가 연결되고 제2노드(B)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 제3트랜지스터(STFT3)와, 제3스캔배선(SCAN3)에 게이트가 연결되고 제3노드(C)에 일단이 연결된 제4트랜지스터(STFT4)와, 제4트랜지스터(STFT4)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선(VSS)에 제2전 극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, a subpixel having a 5T1C structure has a first transistor STFT1 having a gate connected to the first scan line SCAN1, one end connected to the data line DATA, and the other end connected to the first node A. Referring to FIG. ), A capacitor CST connected between the first node A and the second node B, a gate connected to the second node B, and one end connected to the first power line VDD, and a third A driving transistor DTFT having the other end connected to the node C, a gate connected to the third scan line SCAN3, one end connected to the first node A, and the other end connected to the third power line VREF. A third transistor (STFT3), a gate connected to the second transistor (STFT2), a second scan wiring (SCAN2), one end connected to the second node (B), and the other end connected to the third node (C), and a third A fourth transistor STFT4 having a gate connected to the scan line SCAN3 and one end connected to the third node C, a first electrode connected to the other end of the fourth transistor ST4, and a second power line The organic light emitting diode OLED may be connected to the VSS.

여기서, 제1트랜지스터(STFT1)는 제1스캔배선(SCAN1)을 통해 공급된 제1스캔신호에 의해 턴온되며 데이터배선(DATA)을 통해 공급된 데이터신호를 전달한다. 그리고 제2트랜지스터(STFT2)는 제3스캔배선(SCAN3)을 통해 공급된 제3스캔신호에 의해 턴온되며 제3전원배선(VREF)를 통해 공급된 참조전압을 전달한다. 그리고 커패시터(CST)는 제1트랜지스터(STFT1)를 통해 공급된 데이터신호를 저장한다. 그리고 제3트랜지스터(STFT3)는 제2스캔배선(SCAN2)을 통해 공급된 제2스캔신호에 의해 턴온되며 구동 트랜지스터(DTFT)의 문턱전압을 제어한다. 그리고 구동 트랜지스터(DTFT)는 커패시터(CST)에 저장된 데이터신호에 대응하여 구동한다. 그리고 제4트랜지스터(STFT4)는 제3스캔배선(SCAN3)을 통해 공급된 제3스캔신호에 의해 턴온되며 구동 트랜지스터(DTFT)를 통해 흐르는 전류를 제어 한다. 그리고 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DTFT)가 구동을 하고 제4트랜지스터(STFT4)가 턴온 상태가 되면, 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전류에 의해 발광한다.Here, the first transistor STFT1 is turned on by the first scan signal supplied through the first scan wiring SCAN1 and transfers the data signal supplied through the data wiring DATA. The second transistor ST2 is turned on by the third scan signal supplied through the third scan line SCAN3 and transfers the reference voltage supplied through the third power line VREF. The capacitor CST stores the data signal supplied through the first transistor STFT1. The third transistor STFT3 is turned on by the second scan signal supplied through the second scan line SCAN2 and controls the threshold voltage of the driving transistor DTFT. In addition, the driving transistor DTFT drives in response to the data signal stored in the capacitor CST. The fourth transistor STFT4 is turned on by the third scan signal supplied through the third scan wiring SCAN3 and controls the current flowing through the driving transistor DTFT. When the driving transistor DTFT is driven and the fourth transistor STFT4 is turned on, the organic light emitting diode OLED emits light by the current supplied through the first power line VDD.

도 6은 5T2C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도이다.6 is a circuit diagram illustrating a subpixel having a 5T2C structure.

도 6을 참조하면, 5T2C 구조를 갖는 서브 픽셀은 제1스캔배선(SCAN1)에 게이트가 연결되고 데이터배선(DATA)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제1트랜지스터(STFT1)와, 제1노드(A)와 제1전원배선(VDD) 사이에 연결된 제1커패시터(CST1)와, 제1노드(A)와 제2노드(B) 사이에 연결된 제2커패시터(CST2)와, 제2스캔배선(SCAN2)에 게이트 연결되고 제3전원배선(VREF)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된 제2트랜지스터(STFT2)와, 제2노드(B)에 게이트가 연결되고 제1전원배선(VDD)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 구동 트랜지스터(DTFT)와, 제2스캔배선(SCAN2)에 게이트가 연결되고 제2노드(B)에 일단이 연결되며 제3노드(C)에 타단이 연결된 제3트랜지스터(STFT3)와, 제3스캔배선(SCAN3)에 게이트가 연결되고 제3노드(C)에 일단이 연결된 제4트랜지스터(STFT4)와, 제4트랜지스터(STFT4)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, a sub-pixel having a 5T2C structure has a first transistor STFT1 having a gate connected to the first scan line SCAN1, one end connected to the data line DATA, and the other end connected to the first node A. ), A first capacitor CST1 connected between the first node A and the first power line VDD, and a second capacitor CST2 connected between the first node A and the second node B. And a second transistor STFT2 having a gate connected to the second scan line SCAN2, one end connected to the third power line VREF, and the other end connected to the first node A, and a second node B. A gate is connected, one end is connected to the first power line VDD, and the other end is connected to the third node C, and the gate is connected to the second scan line SCAN2, and the second node B is connected. ) Is connected to the third transistor (STFT3), the other end of which is connected to the third node (C) and the fourth transistor (the gate of which is connected to the third scan wiring (SCAN3) and one end of the third node (C). STFT4 ) And an organic light emitting diode OLED having a first electrode connected to the other end of the fourth transistor ST4 and a second electrode connected to the second power line VSS.

여기서, 제1트랜지스터(STFT1)는 제1스캔배선(SCAN1)을 통해 공급된 제1스캔신호에 의해 턴온되며 데이터배선(DATA)을 통해 공급된 데이터신호를 전달한다. 그리고 제2트랜지스터(STFT2)는 제2스캔배선(SCAN2)을 통해 공급된 제2스캔신호에 의해 턴온되며 제3전원배선(VREF)를 통해 공급된 참조전압을 전달한다. 제1커패시터(CST1)는 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전압과 제1트랜지스터(STFT1)를 통해 공급된 전압의 차전압을 유지한다. 그리고 제2커패시터(CST2)는 제1트랜지스터(STFT1)를 통해 공급된 데이터신호와 제1커패시터(CST1)에 유지된 전압에 의한 데이터신호를 저장한다. 그리고 구동 트랜지스터(DTFT)는 제2커패시터(CST2)에 저장된 데이터신호에 대응하여 구동한다. 그리고 제3트랜지스터(STFT4)는 제2스캔배선(SCAN3)을 통해 공급된 제2스캔신호에 의해 턴온되며 구동 트랜지스터(DTFT)의 문턱전압을 제어한다. 제4트랜지스터(STFT4)는 제3스캔배선(SCAN3)을 통해 공급된 제3스캔신호에 의해 턴온되며 구동 트랜지스터(DTFT)를 통해 흐르는 전류를 제어 한다. 그리고 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DTFT)가 구동을 하고 제4트랜지스터(STFT4)가 턴온 상태가 되면, 제1전원배선(VDD)을 통해 공급된 전류에 의해 발광한다.Here, the first transistor STFT1 is turned on by the first scan signal supplied through the first scan wiring SCAN1 and transfers the data signal supplied through the data wiring DATA. The second transistor ST2 is turned on by the second scan signal supplied through the second scan line SCAN2 and transfers the reference voltage supplied through the third power line VREF. The first capacitor CST1 maintains a difference voltage between the voltage supplied through the first power line VDD and the voltage supplied through the first transistor STFT1. The second capacitor CST2 stores the data signal supplied through the first transistor STFT1 and the data signal based on the voltage held in the first capacitor CST1. In addition, the driving transistor DTFT drives in response to the data signal stored in the second capacitor CST2. The third transistor STFT4 is turned on by the second scan signal supplied through the second scan wiring SCAN3 and controls the threshold voltage of the driving transistor DTFT. The fourth transistor STFT4 is turned on by the third scan signal supplied through the third scan wiring SCAN3 and controls the current flowing through the driving transistor DTFT. When the driving transistor DTFT is driven and the fourth transistor STFT4 is turned on, the organic light emitting diode OLED emits light by the current supplied through the first power line VDD.

이상 단위픽셀(R,G,B)에 포함된 서브 픽셀의 회로 구성은 도 2 내지 도 6을 참조하여 설명한 것과 같이 다양한 방식으로 구성될 수 있다. 그러나, 이는 실시예의 일례를 설명하기 위한 것일 뿐, 서브 픽셀의 회로 구성은 도 2 내지 도 6에 한정되지 않는다.The circuit configuration of the subpixels included in the unit pixels R, G, and B may be configured in various ways as described with reference to FIGS. 2 to 6. However, this is merely to illustrate an example of the embodiment, and the circuit configuration of the subpixels is not limited to FIGS. 2 to 6.

한편, 단위픽셀(R,G,B)에 포함된 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀은 유기 발광다이오드(OLED)에 포함된 발광층의 재료에 따라 발광 효율 편차가 발생한다. 단위픽셀(R,G,B)을 구성하는 서브 픽셀 간의 발광 효율 편차가 발생하면, 패널의 휘도가 불균일하게 나타나므로 표시품질이 저하 하게 된다.On the other hand, the red, green, and blue subpixels included in the unit pixels R, G, and B generate light emission efficiency variations depending on the material of the light emitting layer included in the organic light emitting diode OLED. If the luminous efficiency deviation occurs between the subpixels constituting the unit pixels R, G, and B, the luminance of the panel appears unevenly, and thus the display quality is deteriorated.

본 발명의 실시예는 이와 같은 문제를 해결하기 위해 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적을 증가 시킨다. 여기서, 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적을 증가시킬 때에는 채널의 폭(Width) 및 길이(Length)를 일정 비율로 동일 또는 유사하게 증가시킨다.In order to solve this problem, the embodiment of the present invention increases the channel area of the driving transistor included in the subpixel. Here, when the channel area of the driving transistor included in the subpixel is increased, the width and length of the channel are equally or similarly increased at a constant ratio.

이하, 구동 트랜지스터의 채널 면적 증가에 따른 소자의 문턱전압 및 이동도 특성 변화에 대해 설명한다.Hereinafter, changes in the threshold voltage and mobility characteristics of the device as the channel area of the driving transistor increases.

도 7은 채널 면적과 문턱전압 균일도에 대한 관계도 이고, 도 8은 채널 면적과 이동도 균일도에 대한 관계도이다. (도 7 및 도 8에서 CV는 coefficient variable 이다.)FIG. 7 is a relationship diagram between channel area and threshold voltage uniformity, and FIG. 8 is a relationship diagram between channel area and mobility uniformity. (CV is a coefficient variable in FIGS. 7 and 8.)

도 7 및 도 8을 참조하면, 구동 트랜지스터의 채널 면적이 증가할수록 소자의 균일도가 향상됨을 알 수 있다. 이와 같이, 구동 트랜지스터의 채널 면적이 증가할수록 소자의 균일도 향상에는 유리하다. 그러나, 모든 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적을 이와 같은 형태로 증가시킬 경우 모든 서브 픽셀의 개구율은 좁아지게 된다.7 and 8, it can be seen that the uniformity of the device is improved as the channel area of the driving transistor increases. As such, as the channel area of the driving transistor increases, the uniformity of the device is improved. However, when the channel area of the driving transistors included in all the subpixels is increased in this manner, the aperture ratio of all the subpixels becomes narrow.

앞서 설명한 바와 같은 문제를 해결하기 위해 본 발명의 실시예는 단위픽셀(R,G,B) 중 발광 효율이 가장 높은 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널의 면적을 다른 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적보다 크게 형성한다.In order to solve the problem as described above, an embodiment of the present invention provides a driving transistor in which the area of the channel of the driving transistor included in the subpixel having the highest luminous efficiency among the unit pixels R, G, and B is included in another subpixel. It is formed larger than the channel area of.

통상 휘도 및 화질 균일도에 가장 지배적인 영향을 미치는 서브 픽셀은 녹색 서브 픽셀(G)이다. 이는 녹색 서브 픽셀(G)의 발광 효율이 가장 높으며, 단위픽셀(R,G,B)의 휘도 비율 중 화이트 밸런스를 위해 녹색 서브 픽셀(G)이 차지하는 비율이 가장 크기 때문이다.In general, the subpixel which most predominantly affects luminance and image quality uniformity is the green subpixel G. This is because the luminous efficiency of the green sub-pixel G is the highest, and the ratio of the green sub-pixel G to the white balance among the luminance ratios of the unit pixels R, G, and B is the largest.

따라서, 본 발명의 실시예에서는 서브 픽셀 전체의 개구율을 감소시키지 않고, 균일도를 향상시키기 위해 녹색 서브 픽셀(G)에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적을 다른 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적보다 넓게 한다. 다만, 본 발명의 실시예에서는 단위픽셀(R,G,B) 중 발광 효율이 가장 높은 서브 픽셀이 녹색 서브 픽셀(G)인 것을 일례로 할 뿐, 서브 픽셀의 발광 효율에 따라 적색 또는 청색 서브 픽셀 중 하나 이상에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적을 넓게 형성할 수도 있다.Therefore, in the exemplary embodiment of the present invention, the channel area of the driving transistor included in the green subpixel G is larger than the channel area of the driving transistor included in the other subpixels to improve the uniformity without reducing the aperture ratio of the entire subpixel. Widen. However, in the exemplary embodiment of the present invention, only the subpixel having the highest luminous efficiency among the unit pixels R, G, and B is the green subpixel G. The channel area of the driving transistor included in at least one of the pixels may be widened.

이하, 본 발명의 실시예에 대한 이해를 돕기 위해 앞서 도시한 도 2 내지 도 6 중에서 도 2에 도시된 2T1C의 평면도와 도 5에 도시된 5T1C의 평면도를 통해 휘도 균일도 향상 방법에 대해 더욱 자세히 설명한다.Hereinafter, a method of improving luminance uniformity will be described in more detail through a plan view of 2T1C shown in FIG. 2 and a plan view of 5T1C shown in FIG. 5 of FIG. 2 to FIG. 6 to help understand the embodiments of the present invention. do.

도 9는 2T1C 서브 픽셀 구조로 구성된 단위픽셀의 평면 구조도이고, 도 10은 5T1C 서브 픽셀 구조로 구성된 단위픽셀의 평면 구조도 이다.9 is a planar structure diagram of a unit pixel constituted by a 2T1C subpixel structure, and FIG. 10 is a planar structure diagram of a unit pixel constituted by a 5T1C subpixel structure.

도 9를 참조하면, 2T1C 서브 픽셀 구조로 구성된 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀을 포함하는 단위픽셀(R,G,B)이 도시되고, 도 10을 참조하면, 5T1C 서브 픽셀 구조로 구성된 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀을 포함하는 단위픽셀(R,G,B)이 도시된다.Referring to FIG. 9, unit pixels R, G, and B including red, green, and blue subpixels having a 2T1C subpixel structure are illustrated. Referring to FIG. 10, red, green, having a 5T1C subpixel structure, are illustrated. And unit pixels R, G, and B including blue sub pixels.

도시된 도 9 및 도 10에서, CH1은 적색 서브 픽셀(R)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 영역을 나타내고, CH2는 녹색 서브 픽셀(G)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 영역을 나타내고, CH3는 청색 서브 픽셀(B)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 영역을 나타낸다.9 and 10, CH1 represents a channel region of the driving transistor DTFT included in the red subpixel R, and CH2 represents a channel region of the driving transistor DTFT included in the green subpixel G. In FIG. CH3 represents a channel region of the driving transistor DTFT included in the blue subpixel B. In FIG.

도 9의 CH1 내지 CH3을 참조하면, 단위픽셀(R,G,B) 중 녹색 서브 픽셀(G)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 면적이 적색 및 청색 서브 픽셀(R,B)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 면적보다 넓게 형성됨을 알 수 있다.Referring to CH1 to CH3 of FIG. 9, the channel areas of the driving transistor DTFT included in the green subpixel G among the unit pixels R, G and B are included in the red and blue subpixels R and B. It can be seen that it is formed larger than the channel area of the driving transistor DTFT.

도 10의 CH1 내지 CH3을 참조하면, 녹색 서브 픽셀(G)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 면적이 가장 넓게 형성되고 적색 서브 픽셀(R)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 면적이 가장 좁게 형성됨을 알 수 있다.Referring to CH1 to CH3 of FIG. 10, the channel area of the driving transistor DTFT included in the green sub-pixel G is formed to be the widest, and the channel area of the driving transistor DTFT included in the red sub-pixel R is represented. It can be seen that the narrowest formation.

이와 같이, 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널의 면적을 달리한 이유는 화질 균일도에 가장 지배적인 영향을 미치는 서브 픽셀이 녹색 서브 픽셀(G)이라는 가정 하에 구성된 것이다. 여기서, 녹색 서브 픽셀(G)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 면적을 다른 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 면적보다 넓게 형성하면, 서브 픽셀 전체의 개구율을 감소시키지 않고 균일도를 향상시킬 수 있다.As such, the reason for varying the area of the channel of the driving transistor DTFT is that it is configured under the assumption that the sub-pixel which most influences the image quality uniformity is the green sub-pixel G. In this case, when the channel area of the driving transistor DTFT included in the green sub-pixel G is formed to be wider than the channel area of the driving transistor DTFT included in the other sub-pixels, uniformity can be achieved without reducing the aperture ratio of the entire sub-pixel. Can be improved.

녹색 서브 픽셀(G)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 면적을 증가시킬 때에는 패널의 화이트 밸런스 조절을 위해 녹색 서브 픽셀(G)의 개구영역을 다른 서브 픽셀의 개구영역보다 작게할 수도 있다. 여기서, 특정 서브 픽셀의 채널 면적을 달리할 때에는 발광 효율이 낮은 서브 픽셀의 개구영역을 발광 효율이 높은 서브 픽셀의 개구영역보다 크게할 수도 있다.When increasing the channel area of the driving transistor DTFT included in the green subpixel G, the opening area of the green subpixel G may be smaller than the opening area of other subpixels in order to adjust the white balance of the panel. Here, when the channel area of the specific subpixel is changed, the opening area of the subpixel having low luminous efficiency may be larger than the opening area of the subpixel having high luminous efficiency.

그러므로, 패널의 화이트 밸런스 조절을 위해 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀 중 하나의 서브 픽셀의 개구영역을 달리하거나 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀 모두의 개구영역을 달리할 수 있다.Therefore, it is possible to change the opening area of one of the red, green and blue subpixels or the opening area of all of the red, green and blue subpixels to adjust the white balance of the panel.

일예를 설명하면, 도 9에 도시된 2T1C 서브 픽셀과 같이, 적색 서브 픽셀(R) 및 청색 서브 픽셀(B)의 개구영역을 동일하게 하고 녹색 서브 픽셀(G)의 개구영역을 적색 서브 픽셀(R) 및 청색 서브 픽셀(B)의 개구영역보다 작게한다. 이 경우, 적색 서브 픽셀(R) 및 청색 서브 픽셀(B)의 발광 효율이 유사하다는 가정 하에 녹색 서브 픽셀(G)의 개구영역을 작게함과 동시에 녹색 서브 픽셀(G)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 면적을 증가시킨 예이다.As an example, like the 2T1C subpixel illustrated in FIG. 9, the opening regions of the red subpixel R and the blue subpixel B are the same, and the opening regions of the green subpixel G are represented by the red subpixel ( R) and the blue subpixel B are smaller than the opening area. In this case, the driving transistor included in the green sub-pixel G while reducing the opening area of the green sub-pixel G under the assumption that the luminous efficiency of the red sub-pixel R and the blue sub-pixel B is similar. DTFT) is an example of increasing the channel area.

다른 예를 설명하면, 도 10에 도시된 5T1C 서브 픽셀과 같이, 적색 서브 픽셀(R), 녹색 서브 픽셀(G) 및 청색 서브 픽셀(B)의 개구영역을 모두 달리한다. 이는 청색 서브 픽셀(B)의 개구영역을 가장 크게 하고, 녹색 서브 픽셀(G)의 개구영역을 가장 작게한 것이다. 이 경우, 녹색 서브 픽셀(G)의 발광 효율이 가장 우수하고 청색 서브 픽셀(B)의 발광 효율이 가장 저조하다는 가정 하에 녹색 서브 픽셀(G)의 개구영역을 작게함과 동시에 녹색 서브 픽셀(G)에 포함된 구동 트랜지스터(DTFT)의 채널 면적을 증가시킨 예이다.As another example, like the 5T1C subpixel illustrated in FIG. 10, all of the opening regions of the red subpixel R, the green subpixel G, and the blue subpixel B are different. This makes the opening area of the blue subpixel B the largest and the opening area of the green subpixel G the smallest. In this case, under the assumption that the luminous efficiency of the green sub-pixel G is the best and the luminous efficiency of the blue sub-pixel B is the lowest, the opening area of the green sub-pixel G is made smaller and the green sub-pixel G is at the same time. In this case, the channel area of the driving transistor DTFT included in FIG. 1 is increased.

그러므로, 패널의 화이트 밸런스 조절을 위한 방법은 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀 각각에 포함된 구동 트랜지스터의 채널의 면적을 달리하는 방법 또는 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀의 개구영역을 달리하는 방법 중 하나 이상을 사용할 수 있다.Therefore, the method for adjusting the white balance of the panel is one or more of a method of changing the area of the channel of the driving transistor included in each of the red, green, and blue subpixels, or a method of changing the opening area of the red, green, and blue subpixels. Can be used.

이상 본 발명의 실시예는, 단위픽셀에 포함된 서브 픽셀 중 발광 효율이 가장 높은 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적(W×L)을 다른 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터이 채널 면적보다 상대적으로 넓게 하여 패널의 휘도 균일도 및 표시품질을 향상시키는 효과가 있다. 본 발명의 실시예는, 휘도 균일도 및 표시품질을 향상시켜 스테인(stain; 얼룩) 불량을 개선하는 효과와 패널의 장기 구동에 따른 열화로 인한 화이트 밸런스 수명을 개선하는 효과와 고온/저온 환경 상에서의 표시품질 성능을 개선하는 효과가 있다.As described above, according to the exemplary embodiment of the present invention, the channel area (W × L) of the driving transistor included in the subpixel having the highest luminous efficiency among the subpixels included in the unit pixel is relatively smaller than that of the driving transistor included in the other subpixel. It is effective in making the brightness uniformity and display quality of the panel wider. Embodiments of the present invention improve the luminance uniformity and display quality to improve stain defects, and to improve the white balance life due to deterioration due to long-term operation of the panel, and in a high temperature / low temperature environment. There is an effect of improving the display quality performance.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the technical configuration of the present invention described above may be modified in other specific forms by those skilled in the art to which the present invention pertains without changing its technical spirit or essential features. It will be appreciated that it may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is shown by the claims below, rather than the above detailed description. Also, it is to be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention.

도 1은 유기전계발광표시장치의 개략적인 평면도.1 is a schematic plan view of an organic light emitting display device.

도 2는 2T1C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도.2 is a circuit configuration diagram of a subpixel having a 2T1C structure.

도 3은 3T1C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도.3 is a circuit configuration diagram of a subpixel having a 3T1C structure.

도 4는 4T2C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도.4 is a circuit configuration diagram of a subpixel having a 4T2C structure.

도 5는 5T1C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도.5 is a circuit configuration diagram of a subpixel having a 5T1C structure.

도 6은 5T2C 구조를 갖는 서브 픽셀의 회로 구성도.6 is a circuit configuration diagram of a subpixel having a 5T2C structure.

도 7은 채널 면적과 문턱전압 균일도에 대한 관계도.7 is a relationship between channel area and threshold voltage uniformity.

도 8은 채널 면적과 이동도 균일도에 대한 관계도.8 is a relationship diagram for channel area and mobility uniformity.

도 9는 2T1C 서브 픽셀 구조로 구성된 단위픽셀의 평면 구조도.9 is a planar structure diagram of a unit pixel composed of a 2T1C subpixel structure.

도 10은 5T1C 서브 픽셀 구조로 구성된 단위픽셀의 평면 구조도.10 is a planar structural diagram of a unit pixel composed of a 5T1C subpixel structure;

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>

110: 기판 130: 표시부110: substrate 130: display unit

140: 밀봉기판 150: 접착부재140: sealing substrate 150: adhesive member

160: 구동부160: drive unit

Claims (10)

기판; 및Board; And 상기 기판 상에 위치하고 서로 다른 색을 발광하는 3개 이상의 서브 픽셀을 포함하는 단위픽셀을 포함하고,A unit pixel including three or more subpixels positioned on the substrate and emitting different colors; 상기 단위픽셀 중 적어도 하나의 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널의 면적은 다른 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널 면적보다 넓은 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The area of the channel of the driving transistor included in at least one sub-pixel of the unit pixels is larger than the channel area of the driving transistor included in another sub-pixel. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 구동 트랜지스터의 채널의 면적이 넓은 서브 픽셀은,A subpixel having a large area of a channel of the driving transistor is 녹색 서브 픽셀인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device, wherein the organic light emitting display device is a green subpixel. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 녹색 서브 픽셀의 개구영역은,The opening area of the green subpixel is 다른 서브 픽셀의 개구영역보다 상대적으로 작은 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device, characterized in that it is relatively smaller than the opening area of another subpixel. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 3개 이상의 서브 픽셀의 개구영역은,The opening area of the three or more subpixels is 하나 이상 다른 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device, characterized in that at least one other. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 단위픽셀 중 청색 서브 픽셀의 개구영역은,The opening area of the blue subpixel of the unit pixel is 다른 서브 픽셀의 개구영역보다 상대적으로 큰 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device, wherein the organic light emitting display device is larger than an opening area of another subpixel. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 단위픽셀 중 청색 서브 픽셀의 개구영역이 가장 크고, 녹색 서브 픽셀의 개구영역이 가장 작은 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And an opening area of the blue subpixel is the largest and the opening area of the green subpixel is the smallest of the unit pixels. 기판; 및Board; And 상기 기판 상에 위치하고 서로 다른 색을 발광하는 복수의 서브 픽셀을 포함하는 단위픽셀을 포함하고,A unit pixel including a plurality of subpixels positioned on the substrate and emitting different colors; 상기 복수의 서브 픽셀은,The plurality of subpixels, 개구영역과 구동 트랜지스터의 채널의 면적이 하나 이상 다른 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device, characterized in that at least one area of an opening region and a channel of a driving transistor is different. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 단위픽셀은,The unit pixel, 녹색 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 채널의 면적이 가장 큰 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device, wherein the area of a channel of a driving transistor included in a green subpixel is largest. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 단위픽셀 중 청색 서브 픽셀의 개구영역이 가장 크고, 녹색 서브 픽셀의 개구영역이 가장 작은 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And an opening area of the blue subpixel is the largest and the opening area of the green subpixel is the smallest of the unit pixels. 제1항 또는 제7항에 있어서,The method according to claim 1 or 7, 상기 단위픽셀은,The unit pixel, 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀을 포함하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device comprising red, green, and blue subpixels.
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