KR20100038937A - Light emitting deving package - Google Patents
Light emitting deving package Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100038937A KR20100038937A KR1020080098105A KR20080098105A KR20100038937A KR 20100038937 A KR20100038937 A KR 20100038937A KR 1020080098105 A KR1020080098105 A KR 1020080098105A KR 20080098105 A KR20080098105 A KR 20080098105A KR 20100038937 A KR20100038937 A KR 20100038937A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- electrode pads
- package
- package substrate
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 발광소자 패키지, 특히, 어레이 구조를 갖는 발광소자 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device package, particularly a light emitting device package having an array structure.
최근, 질화물계 반도체를 이용한 발광 다이오드를 백색 광원으로 활용하여 이를 키패드, 백라이트, 신호등, 공항 활주로의 안내등, 조명등 등으로 다양한 분야에서 활용하고 있다. 이와 같이 발광 다이오드 칩의 활용성이 다양해지면서 발광소자 패키지의 중요성이 부각되고 있다. 특히, 발광 다이오드 칩에서 발생하는 열을 외부로 효율적으로 방출하기 위해 다양한 구조의 패키지가 사용되고 있다.Recently, a light emitting diode using a nitride-based semiconductor is used as a white light source and used in various fields as a keypad, a backlight, a traffic light, a guide light of an airport runway, a light, and the like. As the utilization of light emitting diode chips is diversified, the importance of light emitting device packages is increasing. In particular, packages of various structures are used to efficiently radiate heat generated from light emitting diode chips to the outside.
도 1 및 도 2는 각각 일반적인 발광소자 패키지를 나타내는 단면도 및 평면도이다. 우선, 도 1을 참조하면, 종래의 발광소자 패키지(10)는 기판(17) 상에 발광 다이오드 칩이 플립 칩(Flip-Chip) 형태로 실장되어 열 방출을 원활하게 하는 것이 일반적이다. 즉, 상기 발광 다이오드 칩은 사파이어 기판(11), n형 반도체층(12), 활성층(13), p형 반도체층(14), n형 및 p형 전극(15a, 15b)를 구비하는 발광 구조물로서, 범프(16)에 의해 상기 기판(17)과 플립 칩 본딩된다. 이 경우, 도 2를 참조하면, 상기 범프(16)는 지름이 약 100㎛인 도전성 볼 형상으로서 상기 기판(17) 상면에 형성된 패드 전극(18a, 18b)에 위에 5 ~ 20개 정도 형성된다.1 and 2 are a cross-sectional view and a plan view showing a general light emitting device package, respectively. First, referring to FIG. 1, in the conventional light
이러한 범프(16)를 이용한 플립 칩 본딩 방식의 경우, 접합 과정에서 발광 다이오드, 특히, p형 반도체층(14)에 손상을 입힐 수 있으며, 이에 따라, 발광소자 패키지의 신뢰성이 저하되는 문제가 있다.In the case of the flip chip bonding method using the
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 접합 과정에서 발광 다이오드에 미치는 손실이 최소화될 수 있는 발광소자 패키지를 제공하는 것에 있다. 나아가, 본 발명의 다른 목적은 간소화된 공정을 통하여 기판에 발광 다이오드를 직접 패키지할 수 있는 어레이 구조의 발광소자 패키지를 제공하는 것에 있다.The present invention is to solve the above problems of the prior art, an object of the present invention is to provide a light emitting device package that can minimize the loss to the light emitting diode during the bonding process. Furthermore, another object of the present invention is to provide a light emitting device package having an array structure that can directly package a light emitting diode on a substrate through a simplified process.
상기 기술적 과제를 실현하기 위해서, 본 발명의 일 실시 형태는,In order to realize the above technical problem, an embodiment of the present invention,
패키지 기판과, 상기 패키지 기판의 일면에 형성되며, 서로 다른 극성을 갖는 제1 및 제2 전극 패드와, 서로 다른 극성의 제1 및 제2 전극을 갖는 발광소자 및 상기 제1 및 제2 전극 패드와 상기 제1 및 제2 전극이 각각 전기적으로 연결된 상태로 상기 발광소자가 상기 패키지 기판에 접합되도록 상기 발광소자와 상기 제1 및 제2 전극 패드 사이에 개재된 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film, ACF)을 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.A light emitting device having a package substrate, first and second electrode pads formed on one surface of the package substrate and having different polarities, first and second electrodes having different polarities, and the first and second electrode pads. And an anisotropic conductive film (ACF) interposed between the light emitting device and the first and second electrode pads such that the light emitting device is bonded to the package substrate while the first and second electrodes are electrically connected to each other. Provided is a light emitting device package comprising a).
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 발광소자는 플립 칩(Flip-Chip) 형태로 상기 패키지 기판에 접합될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the light emitting device may be bonded to the package substrate in the form of a flip chip.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 전극은 상기 발광소자에서 동일 한 방향을 향하여 형성될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first and second electrodes may be formed in the same direction in the light emitting device.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 전극 패드는 Au를 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first and second electrode pads may be made of a material containing Au.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 발광소자는 발광 다이오드일 수 있으며, 이 경우, 상기 발광소자는 질화물 반도체 발광 다이오드일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the light emitting device may be a light emitting diode, in this case, the light emitting device may be a nitride semiconductor light emitting diode.
본 발명의 다른 실시 형태는,Another embodiment of the present invention,
패키지 기판과, 상기 패키지 기판 상면에 형성되며, 서로 다른 극성을 가지고 평행하게 배치되되, 일 방향의 길이가 타 방향의 길이보다 긴 로드(rod) 형상을 갖는 제1 및 제2 전극 패드와, 서로 다른 극성의 제1 및 제2 전극을 구비하되, 상기 제1 및 제2 전극이 각각 상기 제1 및 제2 전극 패드 상에 위치하도록 각각 상기 로드 형상의 제1 및 제2 전극 패드의 길이 방향으로 서로 이격되어 배치된 복수의 발광소자 및 상기 제1 및 제2 전극 패드와 상기 제1 및 제2 전극이 각각 전기적으로 연결된 상태로 상기 복수의 발광소자가 상기 패키지 기판에 각각 접합되도록 상기 복수의 발광소자와 상기 제1 및 제2 전극 패드 사이에 개재된 이방성 도전 필름을 포함하는 발광소자 패키지을 제공한다.First and second electrode pads formed on an upper surface of the package substrate and disposed in parallel with different polarities, each having a rod shape having a length longer in one direction than a length in another direction; First and second electrodes of different polarity, wherein the first and second electrodes are positioned on the first and second electrode pads, respectively, in the longitudinal direction of the rod-shaped first and second electrode pads, respectively. A plurality of light emitting devices arranged to be spaced apart from each other, and the plurality of light emitting devices to be bonded to the package substrate with the plurality of light emitting devices being electrically connected to the first and second electrode pads and the first and second electrodes, respectively; Provided is a light emitting device package including an anisotropic conductive film interposed between a device and the first and second electrode pads.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 전극 패드는 각각 복수 개 구비되며, 상기 길이 방향에 수직인 방향으로 서로 교대로 배치될 수 있다.In one embodiment of the present invention, a plurality of first and second electrode pads may be provided, respectively, and may be alternately disposed in a direction perpendicular to the length direction.
본 발명에 따르면, 접합 과정에서 발광 다이오드에 미치는 손실이 최소화될 수 있는 발광소자 패키지를 얻을 수 있으며, 나아가, 간소화된 공정을 통하여 기판에 발광 다이오드를 직접 패키지할 수 있는 어레이 구조의 발광소자 패키지를 얻을 수 있다.According to the present invention, it is possible to obtain a light emitting device package that can minimize the loss of the light emitting diode during the bonding process, and furthermore, to provide a light emitting device package of the array structure that can directly package the light emitting diode on the substrate through a simplified process You can get it.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.However, embodiments of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. In addition, embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 것으로서 각각 측면도 및 평면도에 해당한다. 도 3 및 도 4를 함께 참조하면, 본 실시 형태에 따른 발광소자 패키지(100)는 발광 다이오드(110)가 패키지 기판(107)에 이방성 도전 필름(106, Anisotropic Conductive Film - ACF)를 매개로 접합된 구조이다. 상기 발광 다이오드(110)는 기판(101), n형 반도체층(102), 활성 층(103), p형 반도체층(104), n형 및 p형 전극(105a, 105b)를 구비한다. 상기 기판(101)은 질화물 반도체 성장용 기판으로 유용한 사파이어 기판을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 실리콘 기판, GaN 기판 등 같이 반도체 단결정 성장용으로 제공되는 다양한 기판을 사용할 수 있으며, 본 발명에서 필수적 구성 요소는 아니므로, 경우에 따라서는 발광 다이오드(110)에 포함되지 않을 수도 있다.3 and 4 illustrate a light emitting device package according to an embodiment of the present invention and correspond to a side view and a plan view, respectively. 3 and 4 together, in the light
상기 n형 반도체층(102), 활성층(103), p형 반도체층(104)은 질화물 반도체로 이루어질 수 있으며, 특히 상기 활성층(103)은 전자와 정공이 재결합함으로써 그 밴드갭 에너지 크기만큼의 광을 방출하는 발광층으로 기능 하며, 복수의 양자장벽층 및 양자우물층이 서로 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다. 상기 n형 및 p형 전극(105a, 105b)은 질화물 반도체와 오믹 컨택을 형성할 수 있는 물질로 채용될 수 있으며, 특히, 본 실시 형태와 같은 플립 칩 본딩 구조에서는 반사도가 높은 Ag, Al 등과 같은 금속을 사용할 수 있다.The n-
상기 패키지 기판(107)은 실리콘 등으로 이루어지며, 상면에 Au 등으로 이루어진 n형 및 p형 전극 패드(108a, 108b)가 형성되어 있다. 상기 n형 및 p형 전극 패드(108a, 108b)은 각각 상기 발광 다이오드(110)의 n형 및 p형 전극(105a, 105b)과 전기적으로 연결되며, 그 사이에는 접합 매개체로서 이방성 도전 필름(106)이 개재된다. 상기 이방성 도전 필름(106)은 이방성 도전 접착제가 보호용 필름 위에 부착된 것으로서 도전성 볼이 접착성 수지에 산포된 구조로 되어 있다. 이 경우, 상기 도전성 볼은 얇은 절연막으로 둘러싸인 도전성 구체로서 압력에 의해 절연막이 깨지면서 도체와 도체를 서로 전기적으로 접속시킬 수 있다. 상기 도전성 구체는 Au 등으로 이루어지며, 그 크기는 약 3㎛ 정도이다. The
이와 같이, 본 실시 형태에서는 종래의 도전성 범프를 사용한 접합 방식이 아닌 이방성 도전 필름(106)에 압력을 가하여 발광 다이오드(110)를 패키지 기판(107)에 접합시키며, 이에 따라, 공정을 단순화할 수 있을 뿐만 아니라, 발광 다이오드(110), 특히, p형 반도체층에 미치는 손상을 최소화할 수 있다.As described above, in the present embodiment, the
한편, 도 3 및 도 4에서는 n형 및 p형 전극 패드(108a, 108b)에 각각 하나씩의 이방성 도전 필름(106)을 형성한 것을 도시하였으나, 하나의 이방성 도전 필름을 활용할 수도 있다. 즉, 상술한 바와 같이, 이방성 도전 필름(106)은 압력을 가하여 절연막이 깨질 경우에만 도전성을 가지므로, 상기 n형 및 p형 전극 패드(108a, 108b) 위에 일체로 형성된 하나의 이방성 도전 필름을 발광 다이오드(110)와 패키지 기판(107)의 접합 영역에 한해서만 가압한다면 도 3 및 도 4에서와 동일한 기능으로 사용할 수 있을 것이다.3 and 4 illustrate that one anisotropic
도 5은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 평면도로서, 어레이 형태로 발광소자가 배열된 것이다. 도 5를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 발광소자 패키지(200)는 복수 개의 발광 다이오드(210)가 어레이 형태로 패키지 기판(207)에 직접 패키징된 구조이다. 패키지 기판(207), 발광 다이오드(210), 이방성 도전 필름(206)에 대해서는, 이전 실시 형태와 동일한 설명이 적용될 수 있으므로, 이하에서는 어레이 구조를 중심으로 설명한다. 5 is a plan view showing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention, in which the light emitting devices are arranged in an array form. Referring to FIG. 5, the light
본 실시 형태의 경우, 발광 다이오드(210)가 어레이 형태로 패키징되기 위하여 n형 및 p형 전극 패드(208a, 208b)는 일 방향의 길이가 타 방향보다 긴 로드(rod) 형상을 가지며, 서로 이격되어 상기 패키지 기판(207) 상면에 배치된다. 또한, 상기 n형 및 p형 전극 패드(208a, 208b)는 그 길이 방향에 수직 방향으로 이격 되어 교대로 배치됨으로써 보다 높은 출력을 갖는 면 광원을 형성할 수 있다. 상기 n형 및 p형 전극 패드(208a, 208b) 상에는 접합을 위한 매개체인 이방성 도전 필름(206)이 위치되며, 상기 발광 다이오드(210)는 서로 인접한 n형 및 p형 전극 패드(208a, 208b)와 접합되어 이들의 길이 방향으로 배치된다.In the present embodiment, the n-type and p-
상기 어레이 구조의 발광소자 패키지(200)는 보다 높은 출력이 요구되는 조명 분야 등에 유용하게 활용될 수 있다. 이 경우, 본 실시 형태와 같이, 이방성 도전 필름(206)을 이용하여 발광 다이오드(210)와 패키지 기판(207)을 접합시킬 경우, 각각의 발광 다이오드(210)를 직접 본딩할 수 있어 공정이 간소화될 수 있다.The light
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.The present invention is not limited by the above-described embodiments and the accompanying drawings, but is defined by the appended claims. Therefore, it will be apparent to those skilled in the art that various forms of substitution, modification, and alteration are possible without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims, and the appended claims. Will belong to the technical spirit described in.
도 1 및 도 2는 각각 일반적인 발광소자 패키지를 나타내는 단면도 및 평면도이다. 1 and 2 are a cross-sectional view and a plan view showing a general light emitting device package, respectively.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 것으로서 각각 측면도 및 평면도에 해당한다.3 and 4 illustrate a light emitting device package according to an embodiment of the present invention and correspond to a side view and a plan view, respectively.
도 5은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 평면도로서, 어레이 형태로 발광소자가 배열된 것이다.5 is a plan view showing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention, in which the light emitting devices are arranged in an array form.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
101: 기판 102: n형 반도체층101: substrate 102: n-type semiconductor layer
103: 활성층 104: p형 반도체층103: active layer 104: p-type semiconductor layer
105a, 105b: n형 및 p형 전극 106: 이방성 도전 필름105a, 105b: n-type and p-type electrodes 106: Anisotropic conductive film
107: 패키지 기판 108a, 108b: n형 및 p형 전극 패드107:
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080098105A KR20100038937A (en) | 2008-10-07 | 2008-10-07 | Light emitting deving package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080098105A KR20100038937A (en) | 2008-10-07 | 2008-10-07 | Light emitting deving package |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100038937A true KR20100038937A (en) | 2010-04-15 |
Family
ID=42215583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080098105A KR20100038937A (en) | 2008-10-07 | 2008-10-07 | Light emitting deving package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20100038937A (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120009830A (en) * | 2010-07-21 | 2012-02-02 | 엘지이노텍 주식회사 | Light-emitting element package |
KR101476207B1 (en) * | 2012-06-08 | 2014-12-24 | 엘지전자 주식회사 | Display device using semiconductor light emitting device |
WO2015026033A1 (en) * | 2013-08-20 | 2015-02-26 | Lg Electronics Inc. | Display device using semiconductor light emitting device |
WO2015026032A1 (en) * | 2013-08-20 | 2015-02-26 | Lg Electronics Inc. | Display device using semiconductor light emitting device |
CN105914268A (en) * | 2016-05-30 | 2016-08-31 | 深圳市德润达光电股份有限公司 | LED upside-down mounting process and LED upside-down mounting structure |
US9472742B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-10-18 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light unit having the same |
KR20200112425A (en) | 2019-03-22 | 2020-10-05 | (주)아이펜 | Method for connecting LED chip to substrate |
-
2008
- 2008-10-07 KR KR1020080098105A patent/KR20100038937A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120009830A (en) * | 2010-07-21 | 2012-02-02 | 엘지이노텍 주식회사 | Light-emitting element package |
KR101476207B1 (en) * | 2012-06-08 | 2014-12-24 | 엘지전자 주식회사 | Display device using semiconductor light emitting device |
CN105493625A (en) * | 2013-08-20 | 2016-04-13 | Lg电子株式会社 | Display device using semiconductor light emitting device |
WO2015026032A1 (en) * | 2013-08-20 | 2015-02-26 | Lg Electronics Inc. | Display device using semiconductor light emitting device |
KR20150021235A (en) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | 엘지전자 주식회사 | Display |
CN105474747A (en) * | 2013-08-20 | 2016-04-06 | Lg电子株式会社 | Display device using semiconductor light emitting device |
WO2015026033A1 (en) * | 2013-08-20 | 2015-02-26 | Lg Electronics Inc. | Display device using semiconductor light emitting device |
EP3036969A1 (en) * | 2013-08-20 | 2016-06-29 | LG Electronics Inc. | Display device using semiconductor light emitting device |
US9425173B2 (en) | 2013-08-20 | 2016-08-23 | Lg Electronics Inc. | Display device using semiconductor light emitting device |
EP3036969A4 (en) * | 2013-08-20 | 2017-05-03 | LG Electronics Inc. | Display device using semiconductor light emitting device |
US9837388B2 (en) | 2013-08-20 | 2017-12-05 | Lg Electronics Inc. | Display device using semiconductor light emitting device |
US9472742B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-10-18 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light unit having the same |
CN105914268A (en) * | 2016-05-30 | 2016-08-31 | 深圳市德润达光电股份有限公司 | LED upside-down mounting process and LED upside-down mounting structure |
KR20200112425A (en) | 2019-03-22 | 2020-10-05 | (주)아이펜 | Method for connecting LED chip to substrate |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10170455B2 (en) | Light emitting device with buffer pads | |
US9553243B2 (en) | Light emitting device | |
TWI535077B (en) | Light emitting?apparatus and light emitting module thereof | |
KR100686416B1 (en) | Composite light-emitting device, semiconductor light-emitting unit and method for fabricating the unit | |
US7589351B2 (en) | Light-emitting device | |
US20110140078A1 (en) | Light-emitting device and method of making the same | |
KR20100038937A (en) | Light emitting deving package | |
KR101092063B1 (en) | Light emitting device package and method for fabricating the same | |
TW554553B (en) | Sub-mount for high power light emitting diode | |
US20130062632A1 (en) | Light emitting device package and lighting system including the same | |
TWI570962B (en) | A light emitting unit and a semiconductor light emitting device | |
TW200610191A (en) | Semiconductor light emitting device with flexible substrate | |
JP6273945B2 (en) | Light emitting device | |
WO1998034285A1 (en) | Light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for manufacturing them | |
JP2012084900A (en) | Light emitting diode package and manufacturing method thereof | |
KR101876008B1 (en) | Light emitting diode assembly and method for transfering thereof | |
US20080057603A1 (en) | Light Emitting Diode and Method of Making the Same | |
US10727373B2 (en) | Light emitting diode, method for manufacturing light emitting diode, light emitting diode display device, and method for manufacturing light emitting diode display device | |
JP5266349B2 (en) | Light emitting device | |
An et al. | Study on flip chip assembly of high density micro-LED array | |
JP2002057374A (en) | Semiconductor light-emitting device | |
JP2006073618A (en) | Optical element and manufacturing method thereof | |
KR20160026604A (en) | Method for microsoldering led of flip chip type | |
JP6067408B2 (en) | Flip-chip type semiconductor light emitting device, semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2022102279A (en) | Led module and display device including the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
WITN | Withdrawal due to no request for examination |