KR20100036908A - Organic light emitting diodde desplay device and fabricating method therof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An OLED(Organic Light Emitting Diode) display device and a manufacturing method thereof are provided to reduce the number of processes and process costs by forming the same electroluminescent layer on magenta, red, blue, and green light emitting cells. CONSTITUTION: First to third light emitting cells emit red light and blue light and include the same cell structure. A fourth light emitting cell emits green light and has a different structure from the first to third light emitting cells. A first color filter(RCF) is formed on the second light emitting cell. A first color filter blocks the blue light and transmits the red light. A second color filter(BCF) is formed on a third light emitting cell. The second color filter transmits the blue light and blocks the red light.

Description

유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODDE DESPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEROF}Organic light emitting diode display device and its manufacturing method {ORGANIC LIGHT EMITTING DIODDE DESPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEROF}

본 발명은 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting diode display device and a manufacturing method thereof.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 한다), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 한다) 및 전계발광소자(Electroluminescence Device) 등이 있다. Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. Such flat panel displays include liquid crystal displays (hereinafter referred to as "LCDs"), field emission displays (FEDs), plasma display panels (hereinafter referred to as "PDPs") and electric fields. Light emitting devices; and the like.

전계발광소자는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광소자와 유기발광다이오드소자로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있어 차세대 표시소자로써 가장 주목받고 있다. Electroluminescent devices are classified into inorganic electroluminescent devices and organic light emitting diode devices according to the material of the light emitting layer, and are self-light emitting devices that emit light by themselves, and have the advantages of fast response speed, high luminous efficiency, brightness, and viewing angle. have.

액티브 매트릭스 타입의 유기발광다이오드 표시소자(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor 이하, "TFT"라 함)를 이용하여 유기발광다이오드소자에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다. An active matrix type organic light emitting diode display (AMOLED) uses a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) to control the current flowing through the organic light emitting diode element to control an image. Is displayed.

최근에는 화이트 유기발광다이오드소자를 이용하여 컬러 표시소자를 구현하는 기술을 중심으로 유기발광다이오드 표시소자가 개발되고 있다. 화이트 유기발광다이오드소자의 구조는 캐소드전극과 애노드전극 사이에 적색 발광층(Emission layer, EML), 녹색 발광층 및 청색 발광층의 적층 구조로 제작되고 있다. 그런데, 화이트 유기발광다이오드소자에서 반사체들 간의 광학적 두께에 따른 마이크로 캐비티효과(micro-cavity)로 인하여 원하는 백색광을 얻기가 쉽지 않고 그로 인하여 색 표현 능력이 떨어진다. 또한, 기존의 화이트 유기발광다이오드소자는 비교적 소비전력이 높다. Recently, an organic light emitting diode display device has been developed based on a technology for implementing a color display device using a white organic light emitting diode device. The white organic light emitting diode device has a structure in which a red light emitting layer (EML), a green light emitting layer, and a blue light emitting layer are stacked between a cathode electrode and an anode electrode. However, due to the micro-cavity according to the optical thickness between the reflectors in the white organic light emitting diode device, it is not easy to obtain the desired white light, thereby degrading the color expression ability. In addition, the conventional white organic light emitting diode device has a relatively high power consumption.

유기발광 다이오드소자에서 RGB 별로 광학적 두께를 다르게 하여 색좌표를 최적화할 수 있는데, 이 경우 RGB 셀의 구조가 다르기 때문에 그 구조가 복잡해지고 공정 수가 많아질 수 밖에 없다. In the organic light emitting diode device, color coordinates may be optimized by changing the optical thickness for each RGB. In this case, since the structure of the RGB cells is different, the structure becomes complicated and the number of processes becomes large.

따라서, 본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출된 발명으로써 공정 수와 공정 비용을 줄일 수 있으며, 색표현능력을 높이고 소비전력을 낮출 수 있는 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법을 제공하는데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display device and a method for manufacturing the same, which can reduce the number of processes and the cost of the process, increase the color express ability, and lower the power consumption. To provide.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 적색광과 청색광을 방출하는 제1 발광셀; 상기 제1 발광셀과 동일한 셀 구조를 가지며 상기 적색광과 상기 청색광을 방출하는 제2 발광셀; 상기 제1 및 제2 발광셀과 동일한 셀 구조를 가지며 상기 적색광과 상기 청색광을 방출하는 제3 발광셀; 상기 제1 내지 제3 발광셀들과는 다른 구조를 가지며 녹색광을 방출하는 제4 발광셀; 제2 발광셀 위에 형성되어 상기 제2 발광셀로부터 입사되는 적색광을 투과시키고 청색광을 차단하는 제1 컬러필터; 및 상기 제3 발광셀 위에 형성되어 상기 제3 발광셀로부터 입사되는 청색광을 투과시키고 적색광을 차단하는 제2 컬러필터를 구비한다. 상기 제1 발광셀 위에는 컬러필터가 없거나 무색 컬러필터가 형성된다. In order to achieve the above object, the organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention includes a first light emitting cell for emitting red light and blue light; A second light emitting cell having the same cell structure as the first light emitting cell and emitting the red light and the blue light; A third light emitting cell having the same cell structure as the first and second light emitting cells and emitting the red light and the blue light; A fourth light emitting cell having a structure different from the first to third light emitting cells and emitting green light; A first color filter formed on a second light emitting cell to transmit red light incident from the second light emitting cell and block blue light; And a second color filter formed on the third light emitting cell to transmit blue light incident from the third light emitting cell and block red light. A color filter or a colorless color filter is formed on the first light emitting cell.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 캐소드전극과 애노드 전극 사이에 형성되고 백색광을 발생하는 화이트 유기발광 다이오드소자; 상기 화이트 유기 발광다이오드 소자로부터 발생되는 백색광에서 적색광 파장을 투과시키는 제1 컬러필터를 포함한 적색 발광셀; 상기 화이트 유기 발광다이오드 소자로부터 발생되는 백색광에서 녹색광 파장을 투과시키는 제2 컬러필터를 포함한 녹색 발광셀; 상기 화이트 유기 발광다이오드 소자로부터 발생되는 백색광에서 청색광 파장을 투과시키는 제3 컬러필터를 포함한 청색 발광셀; 상기 화이트 유기 발광다이오드 소자로부터 발생되는 백색광에서 청록색광 파장을 투과시키는 제4 컬러필터를 포함한 적색 발광셀; 상기 화이트 유기 발광다이오드 소자로부터 발생되는 백색광에서 청록색광 파장을 투과시키는 제5 컬러필터를 포함한 적색 발광셀; 및 상기 화이트 유기 발광다이오드 소자로부터 발생되는 백색광에서 녹색광 파장을 차단하고 적색광 파장과 청색광 파장을 투과시키는 제6 컬러필터를 포함한 자홍색 발광셀을 구비한다. According to another embodiment of the present invention, an organic light emitting diode display device includes: a white organic light emitting diode device formed between a cathode electrode and an anode electrode to generate white light; A red light emitting cell including a first color filter configured to transmit a red light wavelength from white light generated from the white organic light emitting diode device; A green light emitting cell including a second color filter which transmits a green light wavelength in white light generated from the white organic light emitting diode device; A blue light emitting cell including a third color filter which transmits a blue light wavelength in white light generated from the white organic light emitting diode device; A red light emitting cell including a fourth color filter configured to transmit a cyan light wavelength in white light generated from the white organic light emitting diode device; A red light emitting cell including a fifth color filter configured to transmit a cyan light wavelength in white light generated from the white organic light emitting diode device; And a magenta light emitting cell including a sixth color filter which blocks the green light wavelength and transmits the red light wavelength and the blue light wavelength from white light generated from the white organic light emitting diode device.

본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법은 적색광과 청색광을 방출하는 제1 발광셀, 상기 제1 발광셀과 동일한 셀 구조를 가지며 상기 적색광과 상기 청색광을 방출하는 제2 발광셀, 상기 제1 및 제2 발광셀과 동일한 셀 구조를 가지며 상기 적색광과 상기 청색광을 방출하는 제3 발광셀, 및 상기 제1 내지 제3 발광셀들과는 다른 구조를 가지며 녹색광을 방출하는 제4 발광셀을 제1 기판 상에 형성하는 단계; 및 상기 제2 발광셀로부터 입사되는 적색광을 투과시키고 청색광을 차단하는 제1 컬러필터와, 상기 제3 발광셀로부터 입사되는 청색광을 투과시키고 적색광을 차단하는 제2 컬러필터를 제2 기판 상에 형성하는 단계를 포함한다. A method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention includes a first light emitting cell that emits red light and blue light, a second light emitting cell that has the same cell structure as the first light emitting cell and emits the red light and the blue light. And a third light emitting cell having the same cell structure as the first and second light emitting cells and emitting the red light and the blue light, and a fourth light emitting cell emitting a green light having a different structure from the first to third light emitting cells. Forming on the first substrate; And a first color filter for transmitting the red light incident from the second light emitting cell and blocking the blue light, and a second color filter for transmitting the blue light incident from the third light emitting cell and blocking the red light on the second substrate. It includes a step.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법은 적색광과 청색광을 방출하는 제1 발광셀, 상기 제1 발광셀과 동일한 셀 구조를 가지며 상기 적색광과 상기 청색광을 방출하는 제2 발광셀, 상기 제1 및 제2 발광셀과 동일한 셀 구조를 가지며 상기 적색광과 상기 청색광을 방출하는 제3 발광셀, 및 상기 제1 내지 제3 발광셀들과는 다른 구조를 가지며 녹색광을 방출하는 제4 발광셀을 기판 상에 형성하는 단계; 및 상기 제2 발광셀로부터 입사되는 적색광을 투과시키고 청색광을 차단하는 제1 컬러필터를 상기 제2 발광셀 상에 형성하고, 상기 제3 발광셀로부터 입사되는 청색광을 투과시키고 적색광을 차단하는 제2 컬러필터를 상기 제3 발광셀 상에 형성하는 단계를 포함한다. A method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to another embodiment of the present invention includes a first light emitting cell emitting red light and blue light, a second light emitting cell having the same cell structure as the first light emitting cell, and emitting the red light and the blue light. A third light emitting cell having the same cell structure as that of the cell, the first and second light emitting cells, and emitting the red light and the blue light, and a fourth light emission having a different structure from the first to third light emitting cells and emitting green light Forming a cell on the substrate; And a second color filter on the second light emitting cell, the first color filter transmitting red light incident from the second light emitting cell and blocking blue light, and transmitting blue light incident from the third light emitting cell and blocking red light. And forming a color filter on the third light emitting cell.

본 발명의 실시예들에 따른 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법은 자홍색 발광셀, 적색 발광셀, 청색 발광셀 및 녹색 발광셀에 동일한 전계발광층을 형성하고, 다른 발광셀들에 비하여 녹색 발광셀에서 마이크로 캐비티의 광학적 두께를 줄이기 위하여 반사체들 간의 거리를 좁게 한다. 그 결과, 본 발명은 공정 수와 공정 비용을 줄일 수 있으며, 색표현능력을 높일 수 있고 소비전력을 낮출 수 있다. An organic light emitting diode display device and a method of manufacturing the same according to embodiments of the present invention form the same electroluminescent layer in a magenta light emitting cell, a red light emitting cell, a blue light emitting cell, and a green light emitting cell, and a green light emitting cell compared to other light emitting cells. In order to reduce the optical thickness of the micro cavity, the distance between the reflectors is narrowed. As a result, the present invention can reduce the number of processes and the process cost, can increase the color express ability and lower the power consumption.

이하, 도 1 내지 도 18을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 18.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 다수의 픽셀들 포함한다. 픽셀들 각각은 자홍색(Magenta) 발광셀, 적색(Red) 발광셀, 청색(Blue) 발광셀, 및 녹색(Green) 발광셀을 포함한다. Referring to FIG. 1, the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention includes a plurality of pixels. Each of the pixels includes a magenta light emitting cell, a red light emitting cell, a blue light emitting cell, and a green light emitting cell.

자홍색, 적색 및 청색 발광셀들은 화이트 OLED, 투명 애노드전극(ANO) 및 버퍼층(BUF)을 사이에 두고 d2 만큼 떨어진 반투과 캐소드전극(Transflective cathod electrode, CAT)과 제1 반사전극(REFL1)을 포함하는 동일한 셀 구조를 갖는다. 자 홍색, 적색 및 청색 발광셀들에서, 반투과 캐소드전극(CAT)과 제1 반사전극(REFL1) 사이의 광학적 두께(Optical thickness, d2)는 도 3과 같이 적색 빛의 파장과 청색 빛의 파장을 동시에 방출할 수 있는 마이크로 캐비티의 조건

Figure 112008083195479-PAT00001
를 만족한다. 여기서, n은 양의 정수이며, λ는 빛의 파장이다. 광학적 두께와 빛의 파장에 관한 상관관계는 1994 American Institute of Physics에 개시된 "Microcavity effects in organic semiconductors by A. Dodabalapur, L.J. Rothberg, T.M. Miller, and E.W. Kwock" 등에서 공지된 바 있다. The magenta, red and blue light emitting cells include a transflective cathode electrode (CAT) and a first reflective electrode (REFL1) separated by d2 with a white OLED, a transparent anode electrode (ANO), and a buffer layer (BUF) interposed therebetween. Have the same cell structure. In the magenta, red and blue light emitting cells, the optical thickness d2 between the transflective cathode electrode CAT and the first reflective electrode REFL1 is the wavelength of red light and the wavelength of blue light, as shown in FIG. 3. Conditions for microcavities capable of emitting simultaneously
Figure 112008083195479-PAT00001
. Where n is a positive integer and λ is the wavelength of light. Correlation with respect to optical thickness and wavelength of light has been known from the 1994 Microbial Effects in Organic Semiconductors by A. Dodabalapur, LJ Rothberg, TM Miller, and EW Kwock, published in the 1994 American Institute of Physics.

적색 발광셀 위에는 적색 발광셀로부터 입사되는 자홍색광에서 적색 파장의 빛을 투과시키고 청색 파장의 빛을 흡수하는 컬러필터(RCF)가 형성된다. 청색 발광셀 위에는 청색 발광셀로부터 입사되는 자홍색광에서 청색 파장의 빛을 투과시키고 적색 파장의 빛을 흡수하는 컬러필터(BCF)가 형성된다. 반면에, 자홍색 발광셀 위에는 자홍색 발광셀로부터 입사되는 자홍색광을 그대로 투과시키기 위하여 컬러필터가 형성되지 않거나 무색 컬러필터(또는 투명 컬러필터)가 형성된다(No CF). 컬러필터들(RCF, BCF)은 적색 발광셀과 청색 발광셀 상에 직접 형성될 수 있고, 그 발광셀들이 형성된 기판과 합착되는 다른 기판 상에 형성될 수도 있다. A color filter (RCF) is formed on the red light emitting cell to transmit light of red wavelength and absorb light of blue wavelength from magenta light incident from the red light emitting cell. A color filter (BCF) is formed on the blue light emitting cell to transmit light of the blue wavelength and absorb light of the red wavelength from the magenta light incident from the blue light emitting cell. On the other hand, a color filter is not formed or a colorless color filter (or a transparent color filter) is formed on the magenta light emitting cell to transmit the magenta light incident from the magenta light emitting cell as it is (No CF). The color filters RCF and BCF may be directly formed on the red light emitting cell and the blue light emitting cell, or may be formed on another substrate bonded to the substrate on which the light emitting cells are formed.

녹색 발광셀은 화이트 OLED 및 투명 애노드전극(ANO)을 사이에 두고 d1 만큼 떨어진 반투과 캐소드전극(CAT)과 제2 반사전극(REFL2)을 포함하여 R 및 B 발광셀과 다른 구조를 갖는다. 녹색 발광셀에서, 반투과 캐소드전극(CAT)과 제2 반사전극(REFL2) 사이의 광학적 두께(d1)는 도 3과 같이 녹색 빛의 파장을 방출할 수 있 는 마이크로 캐비티의 조건

Figure 112008083195479-PAT00002
를 만족한다. 여기서, n은 양의 정수이며, λ는 빛의 파장이다. 녹색 발광셀에서 마이크로 캐비티 효과를 만족하는 반사체들 간의 광학적 두께(d1)는 R 및 B 발광셀들에서 마이크로 캐비티 효과를 만족하는 반사체들 간의 광학적 두께(d2)보다 작다. 녹색 발광셀 위에는 녹색 발광셀로부터 입사되는 녹색광을 그대로 투과시키기 위하여 컬러필터가 형성되지 않거나 녹색 컬러필터가 형성될 수 있다(No CF). 다시 말하여, 녹색 발광셀 위에는 반사체들 간의 광학적 두께가 녹색 빛을 방출하는 마이크로 캐비티 조건을 만족하여 녹색 빛만을 방출하므로 컬러필터를 반드시 형성할 필요는 없으나, 색순도를 높이기 위하여 컬러필터를 형성할 수도 있다.The green light emitting cell has a structure different from that of the R and B light emitting cells including the transmissive cathode electrode CAT and the second reflective electrode REFL2 separated by d1 with the white OLED and the transparent anode electrode ANO interposed therebetween. In the green light emitting cell, the optical thickness d1 between the transflective cathode electrode CAT and the second reflective electrode REFL2 is a condition of a microcavity capable of emitting a wavelength of green light as shown in FIG. 3.
Figure 112008083195479-PAT00002
. Where n is a positive integer and λ is the wavelength of light. The optical thickness d1 between the reflectors satisfying the micro cavity effect in the green light emitting cell is smaller than the optical thickness d2 between the reflectors satisfying the micro cavity effect in the R and B light emitting cells. A color filter may not be formed or a green color filter may be formed on the green light emitting cell to transmit green light incident from the green light emitting cell as it is (No CF). In other words, since the optical thickness between the reflectors meets the microcavity condition that emits green light and emits only green light on the green light emitting cell, it is not necessary to form a color filter, but a color filter may be formed to increase color purity. have.

도 3은 도 1과 같은 유기발광다이오드소자의 각 발광셀들의 파장 스펙트럼 실험결과를 보여 주는 도면이다. 이 실험에서, 화이트 OLED(WOLED)는 대략 2000Å의 두께로 형성되었고 투명 애노드전극(ANO)은 대략 500Å 두께의 ITO로 형성되었다. 버퍼층(BUF)은 대략 650Å 두께의 질화 실리콘(SiNx)으로 형성되었다. FIG. 3 is a diagram illustrating a wavelength spectrum test result of each light emitting cell of the organic light emitting diode device of FIG. 1. In this experiment, the white OLED (WOLED) was formed to a thickness of approximately 2000 kW and the transparent anode electrode (ANO) was formed of ITO of approximately 500 kW thick. The buffer layer BUF is formed of silicon nitride (SiNx) having a thickness of approximately 650 Å.

이 실험에서 R 및 B 발광셀에서 반투과 캐소드전극(CAT)과 제1 반사전극(REFL1) 사이의 광학적 두께(d2)는 대략 3150Å이었다. 이러한 반사체들 간의 광학적 두께(d2)에 의해서 자홍색 발광셀, 적색 발광셀 및 청색 발광셀들은 적색 빛과 청색 빛을 방출하는 마이크로 캐비티 조건을 만족하여 적색 빛과 청색 빛을 동시에 방출한다.In this experiment, the optical thickness d2 between the transflective cathode electrode CAT and the first reflective electrode REFL1 in the R and B light emitting cells was about 3150 mW. By the optical thickness d2 between the reflectors, the magenta light emitting cells, the red light emitting cells, and the blue light emitting cells satisfy the microcavity conditions of emitting red light and blue light, thereby simultaneously emitting red light and blue light.

녹색 발광셀에서 반투과 캐소드전극(CAT)과 제2 반사전극(REFL2) 사이의 광 학적 두께(d1)는 대략 2500Å이었다. 이러한 반사체들 간의 광학적 두께(d1)에 의해서 녹색 발광셀은 녹색 빛을 방출하는 마이크로 캐비티 조건을 만족하여 녹색 빛을 방출한다. In the green light emitting cell, the optical thickness d1 between the semi-transmissive cathode CAT and the second reflective electrode REFL2 was approximately 2500 mW. By the optical thickness d1 between the reflectors, the green light emitting cell emits green light by satisfying the microcavity condition of emitting green light.

본 발명에서, 각 발광셀들에서 마이크로 캐비티 조건을 만족하는 반사체들 간의 광학적 두께(d1, d2)는 원하는 파장에 따라 여러값이 존재하므로 전술한 실험에 한정되지 않는다. 녹색 발광셀에서 녹색 빛을 방출하는 반사체들 간의 광학적 두께(d1)는 화이트 OLED(WOLED)에서 정공주입층(HIL)의 두께를 조절하여 최적화할 수 있다. 여기서, 정공주입층(HIL)은 녹색 발광셀에 존재하는 정공주입층(HIL) 만을 의미하는 것이 아니라, 자홍색 발광셀, 적색 발광셀, 청색 발광셀 및 녹색 발광셀에 공통층으로 형성된 정공주입층이다. 따라서, 녹색 빛을 방출하는 마이크로 캐비티 조건을 만족하기 위한 것으로 최적화된 정공주입층(HIL)의 두께는 R, G 및 B 발광셀에서 동일하다. 자홍색 발광셀, 적색 발광셀, 및 청색 발광셀들에서 적색 및 청색 빛을 동시에 방출하는 반사체들 간의 광학적 두께(d2)는 버퍼층(BUF)의 두께를 조절하여 최적화될 수 있다. In the present invention, the optical thicknesses d1 and d2 between the reflectors satisfying the microcavity condition in each of the light emitting cells are not limited to the above-described experiment because there are various values depending on the desired wavelength. The optical thickness d1 between the reflectors emitting green light in the green light emitting cell may be optimized by adjusting the thickness of the hole injection layer HIL in the white OLED. Here, the hole injection layer HIL does not mean only the hole injection layer HIL present in the green light emitting cell, but the hole injection layer formed as a common layer in the magenta light emitting cell, the red light emitting cell, the blue light emitting cell, and the green light emitting cell. to be. Therefore, the thickness of the hole injection layer HIL optimized to satisfy the microcavity condition of emitting green light is the same in the R, G, and B light emitting cells. The optical thickness d2 between the magenta light emitting cell, the red light emitting cell, and the reflectors emitting red and blue light simultaneously in the blue light emitting cells may be optimized by adjusting the thickness of the buffer layer BUF.

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 유기발광다이오드 표시소자의 픽셀 구조를 나타낸다. 2 shows a pixel structure of an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 다수의 픽셀들 포함한다. 픽셀들 각각은 자홍색 발광셀, 적색 발광셀, 청색 발광셀, 및 녹색 발광셀을 포함한다. 이 실시예에서 자홍색 발광셀, 적색 발광셀, 및 청색 발광셀은 도 1의 제1 실시예와 실질적으로 동일하므로 그에 대한 상세한 설명을 생략하기로 한다. Referring to FIG. 2, the organic light emitting diode display according to the second exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of pixels. Each of the pixels includes a magenta light emitting cell, a red light emitting cell, a blue light emitting cell, and a green light emitting cell. In this embodiment, the magenta light emitting cell, the red light emitting cell, and the blue light emitting cell are substantially the same as in the first embodiment of FIG. 1, and thus a detailed description thereof will be omitted.

녹색 발광셀은 자홍색 발광셀, 적색 발광셀, 및 청색 발광셀과는 다른 셀 구조를 갖는다. 녹색 발광셀은 제1 반사전극(REFL1)과 반투과 캐소드전극(CAT)과 사이에 형성된 투명 애노드전극(ANO)과 화이트 OLED(WOLED)를 포함한다. 이 녹색 발광셀은 자홍색 발광셀, 적색 발광셀, 및 청색 발광셀과 달리, 버퍼층(BUF)이 제거된다. 버퍼층(BUF)의 제거로 인하여, 녹색 발광셀에서 제1 반사전극(REF1)과 반투과 캐소드전극(CAT) 간의 광학적 두께(d1)는 녹색 빛을 방출할 수 있는 마이크로 캐비티 조건을 만족하는 광학적 두께로 최적화될 수 있다. The green light emitting cell has a cell structure different from the magenta light emitting cell, the red light emitting cell, and the blue light emitting cell. The green light emitting cell includes a transparent anode electrode ANO formed between the first reflective electrode REFL1, the transflective cathode electrode CAT, and the white OLED WOLED. Unlike the magenta light emitting cell, the red light emitting cell, and the blue light emitting cell, the green light emitting cell is removed from the buffer layer BUF. Due to the removal of the buffer layer BUF, the optical thickness d1 between the first reflective electrode REF1 and the transflective cathode electrode CAT in the green light emitting cell satisfies the microcavity condition that can emit green light. Can be optimized.

녹색 발광셀에서 화이트 OLED(WOLED)와 투명 애노드전극(ANO)을 사이에 두고 대향하는 반사체들(CAT, REFL2) 간의 광학적 두께(d1)는 전술한 바와 같이 정공주입층(HIL)의 두께를 조절로 최적화될 수 있다. 자홍색 발광셀, 적색 발광셀, 및 청색 발광셀들에서 화이트 OLED(WOLED), 투명 애노드전극(ANO) 및 버퍼층(BUF)을 사이에 두고 대향하는 반사체들(CAT, REFL1) 간의 광학적 두께(d2)는 버퍼층(BUF)의 두께 조절로 최적화될 수 있다. In the green light emitting cell, the optical thickness d1 between the reflectors CAT and REFL2 facing each other between the white OLED and the transparent anode electrode ANO is adjusted as described above to control the thickness of the hole injection layer HIL. Can be optimized. Optical thickness (d2) between opposing reflectors CAT and REFL1 between white OLED (WOLED), transparent anode electrode (ANO) and buffer layer (BUF) in magenta light emitting cell, red light emitting cell, and blue light emitting cell May be optimized by adjusting the thickness of the buffer layer BUF.

녹색 발광셀 위에는 녹색 발광셀로부터 입사되는 녹색광을 그대로 투과시키기 위하여 컬러필터가 형성되지 않거나 녹색 컬러필터가 형성될 수 있다(No CF). 녹색 발광셀 위에는 반사체들 간의 광학적 두께가 녹색 빛을 방출하는 마이크로 캐비티 조건을 만족하여 녹색 빛만을 방출하므로 컬러필터를 반드시 형성할 필요는 없으나, 색순도를 높이기 위하여 녹색 컬러필터를 형성할 수도 있다.A color filter may not be formed or a green color filter may be formed on the green light emitting cell to transmit green light incident from the green light emitting cell as it is (No CF). Since the optical thickness between the reflectors meets the microcavity condition of emitting green light on the green light emitting cell and emits only green light, it is not necessary to form a color filter, but a green color filter may be formed to increase color purity.

적색 발광셀 위에는 적색 발광셀로부터 입사되는 자홍색광에서 적색 파장의 빛을 투과시키고 청색 파장의 빛을 흡수하는 컬러필터(RCF)가 형성된다. 청색 발광셀 위에는 청색 발광셀로부터 입사되는 자홍색광에서 청색 파장의 빛을 투과시키고 적색 파장의 빛을 흡수하는 컬러필터(BCF)가 형성된다. 반면에, 자홍색 발광셀 위에는 자홍색 발광셀로부터 입사되는 자홍색광을 그대로 투과시키기 위하여 컬러필터가 형성되지 않거나 무색 컬러필터(또는 투명 컬러필터)가 형성될 수 있다(No CF). 컬러필터들(RCF, BCF)은 적색 발광셀과 청색 발광셀 상에 형성될 수 있고, 그 발광셀들과 분리된 다른 기판 상에 형성될 수도 있다. A color filter (RCF) is formed on the red light emitting cell to transmit light of red wavelength and absorb light of blue wavelength from magenta light incident from the red light emitting cell. A color filter (BCF) is formed on the blue light emitting cell to transmit light of the blue wavelength and absorb light of the red wavelength from the magenta light incident from the blue light emitting cell. On the other hand, a color filter may not be formed or a colorless color filter (or a transparent color filter) may be formed on the magenta light emitting cell to transmit the magenta light incident from the magenta light emitting cell as it is (No CF). The color filters RCF and BCF may be formed on the red light emitting cell and the blue light emitting cell, and may be formed on another substrate separated from the light emitting cells.

자홍색 발광셀(M), 적색 발광셀(R), 청색 발광셀(B) 및 녹색 발광셀(G)은 도 4와 같이 일열로 배치되거나 도 4와 같이 두 행에 걸쳐 배치될 수도 있다. The magenta light emitting cell M, the red light emitting cell R, the blue light emitting cell B, and the green light emitting cell G may be arranged in one row as shown in FIG. 4 or in two rows as shown in FIG. 4.

전술한 실시예들에서 백색광은 자홍색 발광셀과 녹색 발광셀을 턴-온시킴으로써 발생될 수 있다. In the above-described embodiments, the white light may be generated by turning on the magenta light emitting cell and the green light emitting cell.

도 5는 기존 RGB 픽셀구조와 본 발명의 MRGB 픽셀 구조의 동작 특성을 이론치로 보여 주는 도면이다. 5 is a diagram showing the operating characteristics of the conventional RGB pixel structure and the MRGB pixel structure of the present invention as a theoretical value.

도 5를 참조하면, 본 발명의 유기발광 다이오드 표시소자는 자홍색광, 적색광, 청색광 및 녹색광의 합을 '1'이라 할 때, 적색광, 청색광 및 녹색광의 합이 0.75이며 자홍색광이 0.25이다. 이에 비하여, 기존 RGB 픽셀구조는 자홍색 발광셀이 없기 때문에 적색광, 청색광 및 녹색광의 합이 1이다. Referring to FIG. 5, when the sum of magenta light, red light, blue light and green light is '1', the sum of red light, blue light and green light is 0.75 and magenta light is 0.25. In contrast, in the conventional RGB pixel structure, since there is no magenta light emitting cell, the sum of red light, blue light and green light is 1.

기존 RGB 픽셀구조의 소비전력은 110.8(W)이다. 이에 비하여, 본 발명의 유기발광 다이오드 표시소자는 그 소비전력이 59.8(W)이다. 따라서, 본 발명의 유기발광 다이오드 표시소자는 기존 RGB 픽셀구조에 비하여 대략 54%의 소비전력으로 더 풍부한 색표현력을 얻을 수 있다. The power consumption of the existing RGB pixel structure is 110.8 (W). In contrast, the organic light emitting diode display device of the present invention has a power consumption of 59.8 (W). Therefore, the organic light emitting diode display device of the present invention can obtain a richer color expressive power with approximately 54% power consumption compared to the conventional RGB pixel structure.

도 6은 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 색좌표를 기존 NTSC 색좌표계(삼각형)와 비교한 도면이다. 본 발명은 자홍색의 색좌표를 기존 NTSC 색좌표계 밖으로 구현할 수 있기 때문에 색표현범위가 기존에 비하여 더 넓어질 수 있다. 6 is a view comparing color coordinates of an organic light emitting diode display device according to the present invention with a conventional NTSC color coordinate system (triangle). According to the present invention, since the magenta color coordinate can be implemented outside the existing NTSC color coordinate system, the color representation range can be wider than the conventional one.

도 7은 도 1과 같은 픽셀 구조의 TFT&OLED 어레이를 상세히 보여 주는 단면도이다. FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a TFT & OLED array having a pixel structure as shown in FIG. 1 in detail.

도 7을 참조하면, 본 발명은 알루미늄(Al), 알루미늄 네오듐(AlNd), 몰리브덴(Mo) 중에서 어느 한 금속 또는 2 이상의 금속이나 합금을 스퍼터링(Sputtering) 공정으로 유리기판(GLS) 상에 증착한 후에 포토리소그래피(Photolithograph) 공정과 식각공정으로 패터닝하여, TFT의 게이트전극, 게이트전극에 연결된 게이트라인, 게이트라인의 끝단에 연결된 게이트 패드 등을 포함한 게이트 금속패턴을 형성한다. 이어서, 본 발명은 CVD(chemical vapor deposition) 공정으로 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)을 증착하여 게이트 금속패턴을 덮도록 유리기판(GLS) 상에 게이트 절연막(GI)을 형성한다. Referring to FIG. 7, the present invention deposits any one of aluminum (Al), aluminum neodium (AlNd), molybdenum (Mo), or two or more metals or alloys on a glass substrate (GLS) by a sputtering process. After that, patterning is performed by a photolithography process and an etching process to form a gate metal pattern including a gate electrode of the TFT, a gate line connected to the gate electrode, and a gate pad connected to an end of the gate line. Next, the present invention forms a gate insulating film GI on the glass substrate GLS to cover the gate metal pattern by depositing silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) by a chemical vapor deposition (CVD) process.

본 발명은 CVD 공정으로 비정질 실리콘을 게이트 절연막(GI) 상에 증착한 후에 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 패터닝하여 TFT의 액티브패턴(ACT)을 형성한다. 이어서, 본 발명은 액티브패턴(ACT)을 덮도록 CVD 공정으로 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)을 증착하여 제1 버퍼층(BUF1)을 게이트 절연 막(GI)과 액티브패턴(ACT) 상에 형성한 후에, 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 제1 버퍼층(BUF1)을 식각하여 TFT의 소스전극(S)과 드레인전극(D) 위치에서 액티브패턴(ACT)을 노출시키는 콘택홀들을 형성한다. According to the present invention, an amorphous silicon is deposited on a gate insulating film GI by a CVD process, and then patterned by a photolithography process and an etching process to form an active pattern ACT of a TFT. Subsequently, the present invention deposits silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) by a CVD process to cover the active pattern ACT, thereby forming the first buffer layer BUF1 as the gate insulating film GI and the active pattern ACT. After forming on the substrate, the first buffer layer BUF1 is etched through a photolithography process and an etching process to form contact holes exposing the active pattern ACT at positions of the source electrode S and the drain electrode D of the TFT. do.

본 발명은 스퍼터링 공정으로 몰리브덴(Mo), 알루미늄 네오듐(AlNd), 크롬(Cr), 구리(Cu) 등에서 선택된 금속, 이들의 적층 또는 합금으로 이루어진 소스/드레인 금속을 게이트 절연막(GI) 상에 증착한 후에 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 패터닝하여 액티브패턴(ACT)에 접속되는 TFT의 소스전극(S) 및 드레인전극(D), 게이트라인들과 직교하는 데이터라인들, 데이터라인들 각각의 끝단에 연결된 데이터 패드 등을 포함한 소스/드레인 금속 패턴을 제1 버퍼층(BUF1) 상에 형성한다. TFT의 소스전극(S)과 드레인전극(D) 각각은 제1 버퍼층(BUF1)에 형성된 콘택홀들을 통해 액티브층(ACT)에 접속된다. 이어서, 본 발명은 소스/드레인 금속 패턴을 덮도록 제1 버퍼층(BUF1) 상에 아크릴(acryl)계 유기 화합물, BCB(benzo-cyclo-butene) 또는 PFCB(perfluorocyclobutane)와 같은 유기 절연재료를 전면 도포하거나, 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)와 같은 무기 절연재료를 전면 증착하여 패시베이션층(PAS)을 형성하고, 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 거쳐 TFT의 소스전극(S)을 노출하는 콘택홀들을 패시베이션층(PAS)에 형성한다. In the sputtering process, a source / drain metal made of a metal selected from molybdenum (Mo), aluminum neodium (AlNd), chromium (Cr), copper (Cu), a stack or an alloy thereof, and the like is formed on a gate insulating film GI. After deposition, the photolithography process and the etching process are performed to pattern the source electrode S and the drain electrode D of the TFT connected to the active pattern ACT, the data lines perpendicular to the gate lines, and the ends of the data lines. A source / drain metal pattern including a data pad connected thereto is formed on the first buffer layer BUF1. Each of the source electrode S and the drain electrode D of the TFT is connected to the active layer ACT through contact holes formed in the first buffer layer BUF1. Subsequently, the present invention front-side coating an organic insulating material such as acryl-based organic compound, benzo-cyclo-butene (BCB) or perfluorocyclobutane (PFCB) on the first buffer layer (BUF1) to cover the source / drain metal pattern Or passivate an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) to form a passivation layer (PAS), and expose the source electrode S of the TFT through a photolithography process and an etching process. Contact holes are formed in the passivation layer PAS.

본 발명은 스퍼터링 방법으로 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 그 합금을 패시베이션층(PAS) 상에 증착한 후에 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 그 금속을 패터닝하여 모든 발광셀들에서 제1 반사전극(REFL1)을 형성하거나, 도면과 같이 자홍색 발광셀, 적색 발광셀, 및 청색 발광셀에서만 제1 반사전극(REFL1)을 형성한 다. 제1 반사전극(REFL1)은 패시베이션층(PAS)을 관통하는 콘택홀을 통해 TFT의 소스전극(S)에 접속된다. 이어서, 본 발명은 제1 반사전극들(REFL1)을 덮도록 스퍼터링 방법으로 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)을 제1 반사전극들(REFL1)과 패시베이션층(PAS) 상에 증착하여 제2 버퍼층(BUF2)을 형성한 후, 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 녹색 발광셀에서 TFT의 소스전극(S)을 노출하는 콘택홀과, 자홍색 발광셀, 적색 발광셀, 및 청색 발광셀에서 제1 반사전극(REFL1)을 노출하는 콘택홀들을 제2 버퍼층(BUF2)에 형성한다. According to the present invention, after depositing aluminum (Al), silver (Ag), or an alloy thereof on a passivation layer (PAS), the metal is patterned through a photolithography process and an etching process to sputter a first reflection in all light emitting cells. The electrode REFL1 is formed or the first reflective electrode REFL1 is formed only in the magenta light emitting cell, the red light emitting cell, and the blue light emitting cell as shown in the drawing. The first reflective electrode REFL1 is connected to the source electrode S of the TFT through a contact hole passing through the passivation layer PAS. Subsequently, according to the present invention, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) is deposited on the first reflective electrodes REFL1 and the passivation layer PAS so as to cover the first reflective electrodes REFL1. After the second buffer layer BUF2 is formed, the contact hole exposing the source electrode S of the TFT in the green light emitting cell through the photolithography process and the etching process, the magenta light emitting cell, the red light emitting cell, and the blue light emitting cell Contact holes exposing the first reflective electrode REFL1 are formed in the second buffer layer BUF2.

본 발명은 스퍼터링 방법으로 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 그 합금을 제2 버퍼층(BUF2) 상에 형성한 후에 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 그 금속을 부분적으로 제거하여 녹색 발광셀에서만 잔류하는 제2 반사전극(REFL2)을 제2 버퍼층(BUF2) 상에 형성한다. 이어서, 본 발명은 스퍼터링 방법으로 ITO와 같은 투명도전체를 제2 버퍼층(BUF2)과 제2 반사전극(REFL2) 상에 증착하고 포토리소그래피 공정과 식각공정을 통해 그 투명 도전체를 패터닝하여 각 발광셀들에서 투명 애노드전극(ANO)을 형성한다. 녹색 발광셀에서 투명 애노드전극(ANO)은 제2 반사전극(REFL2) 상에 형성되고, 제2 버퍼층(BUF2)을 관통하는 콘택홀과 제2 반사전극(REFL2)을 경유하여 TFT의 소스전극(S)과 전기적으로 접속된다. 자홍색 발광셀, 적색 발광셀, 및 청색 발광셀에서 투명 애노드전극(ANO)은 제2 버퍼층(BUF2)을 관통하는 콘택홀들을 통해 제1 반사전극(REFL1)과 접속되고, 제1 반사전극(REFL1)을 경유하여 TFT의 소스전극(S)에 전기적으로 접속된다. According to the present invention, after forming aluminum (Al), silver (Ag), or an alloy thereof on the second buffer layer BUF2 by a sputtering method, the metal is partially removed through a photolithography process and an etching process to remain only in the green light emitting cell. The second reflective electrode REFL2 is formed on the second buffer layer BUF2. Subsequently, according to the present invention, a transparent conductor such as ITO is deposited on the second buffer layer BUF2 and the second reflective electrode REFL2 by sputtering, and the transparent conductor is patterned through a photolithography process and an etching process to emit light cells. To form a transparent anode electrode (ANO). In the green light emitting cell, the transparent anode electrode ANO is formed on the second reflective electrode REFL2 and passes through the contact hole penetrating through the second buffer layer BUF2 and the second reflective electrode REFL2. Electrically connected to S). In the magenta light emitting cell, the red light emitting cell, and the blue light emitting cell, the transparent anode electrode ANO is connected to the first reflective electrode REFL1 through contact holes penetrating through the second buffer layer BUF2 and the first reflective electrode REFL1. Is electrically connected to the source electrode S of the TFT via?

본 발명은 CVD 공정으로 산화 실리콘(SiO2), 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기 절연재료 또는 전술한 유기 절연재료들을 제2 버퍼층(BUF2)과 투명 애노드전극(ANO) 상에 형성한 후에, 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 그 절연재료를 패터닝한다. 그 결과, 자홍색 발광셀, 적색 발광셀, 청색 발광셀, 및 녹색 발광셀을 구획하고 제2 버퍼층(BUF2)을 관통하는 콘택홀들에 매립된 뱅크패턴(BANK)이 제2 버퍼층(BUF2)과 투명 애노드전극(ANO) 상에 형성된다. 이어서, 본 발명은 열 증착(thermal evaporation) 공정으로 정공주입층 재료, 정공수송층 재료, 발광층 재료, 전자수송층 재료, 전자주입층 재료를 연속 증착하여 투명 애노드전극(ANO)으로부터 순차적으로 적층된 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL)을 포함한 전계발광층(EL)을 형성한다. 발광층(EML)은 하나 이상의 발광층들을 포함할 수 있다. 이어서, 본 발명은 스퍼터링 방법으로 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 그 합금을 반투과가 가능한 얇은 두께로 전자주입층(EIL) 상에 증착하여 반투과 캐소드전극(CAT)을 전자주입층(EIL) 상에 형성한다. 반투과 캐소드전극(CAT)은 화이트 OLED로부터 입사되는 빛의 대략 50%를 반사하고 나머지 50% 정도의 빛을 투과시킨다. According to the present invention, after forming an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx) or the above-described organic insulating materials on the second buffer layer BUF2 and the transparent anode electrode ANO by a CVD process, The insulating material is patterned through a lithography process and an etching process. As a result, a bank pattern BANK is formed in the contact holes penetrating the magenta light emitting cell, the red light emitting cell, the blue light emitting cell, and the green light emitting cell and penetrating through the second buffer layer BUF2, and the second buffer layer BUF2. It is formed on the transparent anode electrode ANO. Subsequently, the present invention sequentially deposits a hole injection layer material, a hole transport layer material, a light emitting layer material, an electron transport layer material, and an electron injection layer material in a thermal evaporation process, and sequentially deposits a hole from a transparent anode electrode (ANO). An electroluminescent layer EL including a layer HIL, a hole transport layer HTL, a light emitting layer EML, an electron transport layer ETL and an electron injection layer EIL is formed. The emission layer EML may include one or more emission layers. Subsequently, the present invention deposits aluminum (Al), silver (Ag), or an alloy thereof on the electron injection layer (EIL) in a thin thickness capable of transflecting by sputtering, thereby forming a semi-transmissive cathode electrode CAT. EIL). The transflective cathode (CAT) reflects approximately 50% of the light incident from the white OLED and transmits the remaining 50% of the light.

이렇게 TFT&OLED 어레이 기판이 완성되면, 본 발명은 TFT&OLED 어레이 기판과 컬러필터가 형성된 컬러필터 어레이 기판을 실런트로 합착한다. When the TFT & OLED array substrate is completed as described above, the present invention bonds the TFT & OLED array substrate and the color filter array substrate on which the color filter is formed with the sealant.

도 8은 도 2와 같은 픽셀 구조의 TFT&OLED 어레이를 상세히 보여 주는 단면도이다. 이 실시예에서, 게이트 금속패턴 공정부터 패시베이션 공정까지는 전술한 도 7의 실시예와 실질적으로 동일하므로 그 공정들에 대한 상세한 설명을 생략하기 로 한다. FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a TFT & OLED array having a pixel structure as shown in FIG. 2 in detail. In this embodiment, since the gate metal pattern process to the passivation process are substantially the same as the above-described embodiment of FIG. 7, detailed description of the processes will be omitted.

도 8을 참조하면, 본 발명은 게이트 금속패턴, 게이트 절연막(GI), 액티브패턴(ACT), 소스/드레인 금속 패턴, 및 패시베이션층(PAS)을 순차적으로 형성한 다음, 스퍼터링 방법으로 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 그 합금을 패시베이션층(PAS) 상에 증착한 후에 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 그 금속을 패터닝하여 모든 발광셀들에서 제1 반사전극(REFL1)을 형성한다. 제1 반사전극은(REFL1)은 패시베이션층(PAS)을 관통하는 콘택홀을 통해 TFT의 소스전극(S)에 접속된다. 이어서, 본 발명은 제1 반사전극들(REFL1)을 덮도록 스퍼터링 방법으로 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)을 제1 반사전극들(REFL1)과 패시베이션층(PAS) 상에 증착하여 제2 버퍼층(BUF2)을 형성한 후, 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 녹색 발광셀에서 제2 버퍼층(BUF2)의 두께를 낮추거나 제2 버퍼층(BUF2)을 완전히 제거한다. 그리고 본 발명은 자홍색 발광셀, 적색 발광셀, 및 청색 발광셀에서 제1 반사전극(REFL1)을 노출하는 콘택홀들을 제2 버퍼층(BUF2)에 형성한다. 따라서, 녹색 발광셀에 형성된 제2 버퍼층(BUF2)의 두께는 R 및 B 발광셀에 형성된 제2 버퍼층(BUF2)의 두께보다 낮아진다. Referring to FIG. 8, the present invention sequentially forms a gate metal pattern, a gate insulating layer GI, an active pattern ACT, a source / drain metal pattern, and a passivation layer PAS, and then aluminum (Al) by a sputtering method. ), Silver (Ag) or an alloy thereof is deposited on the passivation layer (PAS), and then the metal is patterned through a photolithography process and an etching process to form the first reflective electrode REFL1 in all light emitting cells. The first reflective electrode REFL1 is connected to the source electrode S of the TFT through a contact hole passing through the passivation layer PAS. Subsequently, according to the present invention, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) is deposited on the first reflective electrodes REFL1 and the passivation layer PAS so as to cover the first reflective electrodes REFL1. After forming the second buffer layer BUF2, the thickness of the second buffer layer BUF2 is reduced or the second buffer layer BUF2 is completely removed from the green light emitting cell through a photolithography process and an etching process. In the present invention, contact holes exposing the first reflective electrode REFL1 are formed in the second buffer layer BUF2 in the magenta light emitting cell, the red light emitting cell, and the blue light emitting cell. Therefore, the thickness of the second buffer layer BUF2 formed in the green light emitting cell is lower than the thickness of the second buffer layer BUF2 formed in the R and B light emitting cells.

본 발명은 스퍼터링 방법으로 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 그 합금을 제2 버퍼층(BUF2) 상에 형성한 후에 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 그 금속을 부분적으로 제거하여 녹색 발광셀에서만 잔류하는 제2 반사전극(REFL2)을 낮은 두께의 제2 버퍼층(BUF2) 또는 패시베이션층(PAS) 상에 형성한다. 제2 반사전극(REFL2)은 콘택홀을 통해 TFT의 소스전극(S)에 접속된다. 이어서, 본 발명은 스 퍼터링 방법으로 ITO와 같은 투명도전체를 제2 버퍼층(BUF2)과 제2 반사전극(REFL2) 상에 증착하고 포토리소그래피 공정과 식각공정을 통해 그 투명 도전체를 패터닝하여 각 발광셀들에서 투명 애노드전극(ANO)을 형성한다. 녹색 발광셀에서 투명 애노드전극(ANO)은 제2 반사전극(REFL2) 상에 형성되고, 콘택홀과 제2 반사전극(REFL2)을 경유하여 TFT의 소스전극(S)과 전기적으로 접속된다. 자홍색 발광셀, 적색 발광셀, 및 청색 발광셀에서 투명 애노드전극(ANO)은 콘택홀들을 통해 제1 반사전극(REFL1)과 접속되고, 제1 반사전극(REFL1)을 경유하여 TFT의 소스전극(S)에 전기적으로 접속된다. According to the present invention, after forming aluminum (Al), silver (Ag), or an alloy thereof on the second buffer layer BUF2 by a sputtering method, the metal is partially removed through a photolithography process and an etching process to remain only in the green light emitting cell. The second reflective electrode REFL2 is formed on the second buffer layer BUF2 or the passivation layer PAS of low thickness. The second reflective electrode REFL2 is connected to the source electrode S of the TFT through the contact hole. Subsequently, the present invention deposits a transparent conductor, such as ITO, on the second buffer layer BUF2 and the second reflective electrode REFL2 by sputtering, and patterns the transparent conductor through a photolithography process and an etching process. A transparent anode electrode ANO is formed in the light emitting cells. In the green light emitting cell, the transparent anode electrode ANO is formed on the second reflective electrode REFL2 and is electrically connected to the source electrode S of the TFT via the contact hole and the second reflective electrode REFL2. In the magenta light emitting cell, the red light emitting cell, and the blue light emitting cell, the transparent anode electrode ANO is connected to the first reflecting electrode REFL1 through contact holes, and the source electrode of the TFT via the first reflecting electrode REFL1. Is electrically connected to S).

본 발명은 CVD 공정으로 산화 실리콘(SiO2), 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기 절연재료 또는 전술한 유기 절연재료를 제2 버퍼층(BUF2)과 투명 애노드전극(ANO) 상에 증착한 후에 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 그 절연재료를 패터닝한다. 그 결과, 자홍색 발광셀, 적색 발광셀, 청색 발광셀, 및 녹색 발광셀들을 구획하고 제2 버퍼층(BUF2)을 관통하는 콘택홀들에 매립된 뱅크패턴(BANK)이 제2 버퍼층(BUF2)과 투명 애노드전극(ANO) 상에 형성된다. 이어서, 본 발명은 열 증착 공정으로 정공주입층 재료, 정공수송층 재료, 발광층 재료, 전자수송층 재료, 전자주입층 재료를 연속 증착하여 투명 애노드전극(ANO)으로부터 순차적으로 적층된 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL)을 포한한 포함한 전계발광층(EL)을 형성한다. 이렇게 형성된 화이트 OLED의 구조 및 두께는 모든 발광셀들에서 동일하다. 이어서, 본 발명은 스퍼터링 방법으로 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 그 합금을 반투과가 가능한 얇은 두께로 전자주 입층(EIL) 상에 증착하여 반투과 캐소드전극(CAT)을 전자주입층(EIL) 상에 형성한다. According to the present invention, the inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx) or the above-described organic insulating material is deposited on the second buffer layer BUF2 and the transparent anode electrode ANO by a CVD process. The insulating material is patterned through a process and an etching process. As a result, a bank pattern BANK is formed in the contact holes penetrating the magenta light emitting cell, the red light emitting cell, the blue light emitting cell, and the green light emitting cells and penetrating through the second buffer layer BUF2, and the second buffer layer BUF2. It is formed on the transparent anode electrode ANO. Subsequently, the present invention sequentially deposits a hole injection layer material, a hole transport layer material, a light emitting layer material, an electron transport layer material, and an electron injection layer material by a thermal deposition process, and sequentially deposits a hole injection layer (HIL) from a transparent anode electrode (ANO). And the electroluminescent layer EL including the hole transport layer HTL, the light emitting layer EML, the electron transport layer ETL, and the electron injection layer EIL. The structure and thickness of the white OLED thus formed are the same in all light emitting cells. Subsequently, in the present invention, aluminum (Al), silver (Ag), or an alloy thereof is deposited on the electron injection layer (EIL) in a thin thickness capable of semi-transmission by sputtering, thereby forming the semi-transmissive cathode electrode CAT. EIL).

전술한 실시예들에서 게이트 절연막(GI), 버퍼층(BUF1, BUF2) 및 패시베이션층(PAS)은 투명 절연층이다. In the above-described embodiments, the gate insulating layer GI, the buffer layers BUF1 and BUF2 and the passivation layer PAS are transparent insulating layers.

이렇게 TFT&OLED 어레이 기판이 완성되면, 본 발명은 TFT&OLED 어레이 기판과 컬러필터가 형성된 컬러필터 어레이 기판을 실런트로 합착한다. When the TFT & OLED array substrate is completed as described above, the present invention bonds the TFT & OLED array substrate and the color filter array substrate on which the color filter is formed with the sealant.

전술한 본 발명의 제1 및 제2 실시예들에 따른 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법은 자홍색 발광셀, 적색 발광셀, 청색 발광셀 및 녹색 발광셀에 동일한 전계발광층을 형성하고, 다른 발광셀들에 비하여 녹색 발광셀에서 마이크로 캐비티의 광학적 두께를 줄이기 위하여 반사체들 간의 거리를 좁게 한다. 그 결과, 본 발명은 공정 수와 공정 비용을 줄일 수 있으며, 색표현능력을 높일 수 있고 소비전력을 낮출 수 있다. The organic light emitting diode display device and the method of manufacturing the same according to the first and second embodiments of the present invention described above form the same electroluminescent layer in the magenta light emitting cell, the red light emitting cell, the blue light emitting cell and the green light emitting cell, and emit different light. The distance between the reflectors is narrowed in order to reduce the optical thickness of the micro cavity in the green light emitting cell as compared to the cells. As a result, the present invention can reduce the number of processes and the process cost, can increase the color express ability and lower the power consumption.

이하의 본 발명의 제3 실시예는 동일한 구조의 화이트 OLED와 컬러필터를 이용하여 R, G, B 셀들 이외의 자홍색(Magenta) 셀과 청록색(Cyan)을 구현함으로써 색표현 범위를 넓히고 색재현율을 향상시킨다. According to the third embodiment of the present invention, a magenta cell and cyan other than R, G, and B cells are implemented by using a white OLED and a color filter having the same structure to broaden the range of color expression and improve color reproducibility. Improve.

도 9는 본 발명의 실시예들에 적용되는 화이트 OLED(WOLED)의 파장 스펙트럼을 나타낸다. 화이트 OLED(WOLED)는 430nm~780nm까지 R,G,B 파장은 물론 자홍색과 청록색 파장 영역의 빛까지 발생한다. 9 shows a wavelength spectrum of a white OLED (WOLED) applied to embodiments of the present invention. White OLEDs (WOLEDs) emit light in the R, G and B wavelengths, as well as magenta and cyan wavelengths, from 430nm to 780nm.

도 10a 내지 도 10f는 본 발명의 제3 실시예에 적용되는 컬러필터들의 투과율을 보여주는 그래프들이다. 도 10a 내지 도 10c는 RGB 파장의 빛만을 선택적으 로 투과하는 RGB 컬러필터들의 파장 스펙트럼들이다. 도 10d 및 도 10e는 청록색 파장의 빛만을 선택하는 C(Cyan) 컬러필터의 파장 스펙트럼이다. C 컬러필터는 최대 투과율의 파장 범위가 450nm < λ(파장) < 550nm , 70nm <반가폭 < 150nm 가 되는 가우시안 형태(Gaussian shape)의 파장 스펙트럼으로 구현되거나 λ < 550nm 에서 투과율이 50% 이상을 만족하는 파장 스펙트럼을 만족하여 녹색 파장과 청색 파장 사이의 파장에서 빛을 방출하여야 한다. 도 10f는 녹색 파장 영역을 제외하고 청색 파장과 적색 파장의 빛을 투과시켜 자홍색을 표현하는 M(Magenta) 컬러필터의 스펙트럼이다. 10A to 10F are graphs showing transmittances of color filters applied to the third embodiment of the present invention. 10A through 10C are wavelength spectra of RGB color filters selectively transmitting only light having an RGB wavelength. 10D and 10E are wavelength spectra of a C (Cyan) color filter for selecting only light of a cyan wavelength. The C color filter is implemented in a Gaussian shape with a maximum transmittance of 450 nm <λ (wavelength) <550 nm, 70 nm <half width <150 nm, or satisfies 50% or more at λ <550 nm. It must satisfy the wavelength spectrum to emit light at a wavelength between the green and blue wavelengths. FIG. 10F is a spectrum of an M (Magenta) color filter which transmits light of a blue wavelength and a red wavelength except for a green wavelength region to express magenta.

도 11 및 도 12에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 동일한 화이트 OLED 소자를 이용하여 RGB 파장 이외에 자홍색(Cyan)과 청록색(Magenta) 파장의 빛을 통과하는 컬러필터들을 이용하여 색표현 범위를 넓히고 색재현율을 향상시킨다. 예컨대, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 픽셀들 각각은 RGB 서브픽셀들 이외에 자홍색(Cyan)과 청록색(Magenta) 서브픽셀들을 더 포함함으로써 도 13a 및 도 14와 같이 1931 CIE 색좌표에서 기존 RGB NTSC 색좌표(RGB) 대비 대략 14% 정도 색재현율을 높이는 색좌표(RGBCM)를 구현할 수 있고, 도 13b 및 도 14와 같이 1976 CIE 색좌표에서 RGB NTSC 색좌표(RGB) 대비 25% 정도 색재현율을 높이는 색좌표(RGBCM)를 구현할 수 있다. As can be seen in FIGS. 11 and 12, the organic light emitting diode display according to the third exemplary embodiment of the present invention uses the same white OLED device to emit light of magenta (Cyan) and cyan (Magenta) wavelengths in addition to the RGB wavelength. The color filters that pass through widen the range of color expression and improve color reproduction. For example, each of the pixels of the organic light emitting diode display according to the third exemplary embodiment of the present invention further includes magenta (Cyan) and cyan (Magenta) subpixels in addition to the RGB subpixels. In the color coordinates, the color coordinates (RGBCM) can be implemented to increase the color reproducibility by about 14% compared to the existing RGB NTSC color coordinates (RGB). As shown in FIGS. 13B and 14, the color reproducibility is about 25% compared to the RGB NTSC color coordinates (RGB) in the 1976 CIE color coordinates. Color coordinates (RGBCM) can be implemented.

본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 픽셀들 각각은 도 15a 내지 도 15c와 같이 다양한 형태로 구현 가능하다. 도 15a 내지 도 15c와 같이, 픽셀들 각각은 R(Red), G(Green), B(Blue), C(Cyan), M(Magenta) 서브픽셀들을 포함하며, 휘도와 화이트 밸런스 등을 높이기 위하여 컬러필터가 없거나 무색 컬러필터를 가지는 화이트 서브픽셀을 포함한다. 이들 서브픽셀들은 동일한 구조의 화이트 OLED(WOLED)를 포함한다.Each pixel of the organic light emitting diode display according to the third exemplary embodiment of the present invention can be implemented in various forms as shown in FIGS. 15A to 15C. As shown in FIGS. 15A to 15C, each of the pixels includes R (Red), G (Green), B (Blue), C (Cyan), and M (Magenta) subpixels, to increase luminance and white balance. It includes a white subpixel with no color filter or with a colorless color filter. These subpixels comprise a white OLED (WOLED) of the same structure.

본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 도 16 내지 도 18과 같이 탑 에미션(Top emission) 또는 보텀 에미션(bottom emission) 구조로 구현될 수 있다. The organic light emitting diode display device according to the third exemplary embodiment of the present invention may be implemented as a top emission or bottom emission structure as shown in FIGS. 16 to 18.

도 16 및 도 17은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 보텀 에미션 구조를 보여 주는 단면도들이다. 16 and 17 are cross-sectional views illustrating a bottom emission structure of an organic light emitting diode display device according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 16을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 투명한 제1 기판(SUBS1), 제1 기판(SUBS1) 상에 형성되는 TFT의 게이트전극(GE), 게이트 전극(GE)을 덮는 게이트 절연막(GI), 게이트 절연막(GI) 상에 반도체로 형성되는 액티브 패턴(ACT), 액티브 패턴(ACT)을 덮는 층간 절연막(INT), 층간 절연막(INT)을 관통하여 액티브 패턴(ACT)에 접속되는 TFT의 소스전극(SE), 소스전극(SE)을 덮는 오버 코트층(OCT), 오버 코트층(OCT)과 층간 절연막(INT)을 관통하여 액티브 패턴(ACT)에 접속되는 TFT의 드레인전극(DE) 및 컬러필터들(CFR, CFG, CFB, CFC, CFM), 오버 콘트층(OCT) 상에 형성되어 TFT의 드레인전극(DE)에 접속되는 투명 애노드전극(ANO), 투명 애노드전극(ANO) 상에 형성되는 화이트 OLED(WOLED), 화이트 OLED(WOLED) 상에 형성되는 반사형 캐소드전극(CAT), 및 반사형 캐소드전극(CAT)과 제2 기판(SUBS2) 사이에 형성되는 실런트(SLT)를 포함한다. 실런트(SLT)는 유기물 또는, 유기물과 무기물의 적층 구조를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 16, an organic light emitting diode display device according to a third exemplary embodiment of the present invention includes a transparent first substrate SUBS1, a gate electrode GE, and a gate electrode of a TFT formed on the first substrate SUBS1. Active pattern through gate insulating film GI covering GE, active pattern ACT formed of semiconductor on gate insulating film GI, interlayer insulating film INT covering active pattern ACT, interlayer insulating film INT Connected to the active pattern ACT through the source electrode SE of the TFT connected to the ACT, the overcoat layer OCT covering the source electrode SE, the overcoat layer OCT and the interlayer insulating film INT. A transparent anode electrode ANO formed on the drain electrode DE and the color filters CFR, CFG, CFB, CFC, CFM and the over-contact layer OCT of the TFT to be connected to the drain electrode DE of the TFT. , White OLED (WOLED) formed on the transparent anode electrode (ANO), reflective cathode electrode (CAT) formed on the white OLED (WOLED), and reflective cathode And a sealant (SLT) defined between pole (CAT) and the second substrate (SUBS2). The sealant SLT may include an organic material or a stacked structure of organic material and inorganic material.

도 16에 도시된 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법을 단계적으로 설명하면, 본 발명은 알루미늄(Al), 알루미늄 네오듐(AlNd), 몰리브덴(Mo) 중에서 어느 한 금속 또는 2 이상의 금속이나 합금을 스퍼터링 공정으로 게이트 금속을 제1 기판(SUBS1) 상에 증착한 후에 포토리소그래피 공정과 식각공정으로 그 게이트 금속을 패터닝하여, TFT의 게이트전극(GE), 게이트전극에 연결된 게이트라인, 게이트라인의 끝단에 연결된 게이트 패드 등을 포함한 게이트 금속패턴을 형성한다. 이어서, 본 발명은 CVD 공정으로 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)을 증착하여 게이트 금속패턴을 덮도록 제1 기판(SUBS1) 상에 게이트 절연막(GI)을 형성한다. Referring to the method of manufacturing the organic light emitting diode display device shown in FIG. 16 step by step, the present invention is sputtering any one metal or two or more metals or alloys of aluminum (Al), aluminum neodium (AlNd), molybdenum (Mo). After the gate metal is deposited on the first substrate SUBS1 by the process, the gate metal is patterned by the photolithography process and the etching process, and the gate electrode GE of the TFT, the gate line connected to the gate electrode, and the end of the gate line A gate metal pattern including a connected gate pad and the like is formed. Next, the present invention forms a gate insulating film GI on the first substrate SUBS1 to cover the gate metal pattern by depositing silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) by a CVD process.

본 발명은 CVD 공정으로 비정질 실리콘을 게이트 절연막(GI) 상에 증착한 후에 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 패터닝하여 TFT의 액티브패턴(ACT)을 형성한다. 이어서, 본 발명은 액티브패턴(ACT)을 덮도록 CVD 공정으로 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)을 증착하여 층간 절연막(INT)을 게이트 절연막(GI)과 액티브패턴(ACT) 상에 형성한 다음, 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 층간 절연막(INT)을 관통하여 TFT의 소스전극(SE)을 노출하는 콘택홀들을 형성한다. According to the present invention, an amorphous silicon is deposited on a gate insulating film GI by a CVD process, and then patterned by a photolithography process and an etching process to form an active pattern ACT of a TFT. Next, the present invention deposits silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) by CVD to cover the active pattern ACT, thereby forming the interlayer insulating film INT on the gate insulating film GI and the active pattern ACT. Next, contact holes are formed through the interlayer insulating film INT to expose the source electrode SE of the TFT through a photolithography process and an etching process.

본 발명은 몰리브덴(Mo), 알루미늄 네오듐(AlNd), 크롬(Cr), 구리(Cu) 등에서 선택된 금속, 이들의 적층 또는 합금으로 이루어진 소스/드레인 금속을 증착한 후, 그 소스 드레인 금속을 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 패터닝하여 콘택 홀들을 통해 액티브 패턴(ACT)에 접속되는 TFT의 소스전극(SE)을 형성한다. 이어서, 본 발명은 도 10a 내지 도 10f의 스펙트럼 특성을 만족하는 컬러필터들(CFR, CFG, CFB, CFC, CFM)을 층간 절연막(INT) 상에 형성한다. The present invention deposits a source / drain metal made of a metal selected from molybdenum (Mo), aluminum neodium (AlNd), chromium (Cr), copper (Cu), a laminate or an alloy thereof, and then deposits the source drain metal. Patterning is performed by a lithography process and an etching process to form a source electrode SE of a TFT connected to the active pattern ACT through contact holes. Next, the present invention forms color filters CFR, CFG, CFB, CFC, and CFM satisfying the spectral characteristics of FIGS. 10A to 10F on the interlayer insulating film INT.

본 발명은 층간 절연막(INT) 상에 아크릴계 유기 화합물, BCB 또는 PFCB와 같은 유기 절연재료를 전면 도포하여 표면이 평탄한 오버 코트층(OCT)을 형성한 후에 오버 코트층(OCT)과 층간 절연막(INT)을 선택적으로 식각하여 오버 코트층(OCT)과 층간 절연막(INT)을 관통하여 앤티브 패턴(ACT)을 노출하는 콘택홀들을 형성한다. 이어서, 본 발명은 오버 코트층(OCT)과 층간 절연막(INT)을 관통하는 콘택홀들 내에 매립되도록 상기 소스/드레인 금속을 오버 코트층(OCT) 상에 형성하고 그 소스/드레인 금속을 패터닝하여 액티브 패턴(ACT)에 접속되는 TFT의 드레인전극(DE)을 형성한다. 이어서, 본 발명은 TFT의 드레인전극(DE)에 접촉되도록 ITO와 같은 투명도전체를 증착하고 그 투명 도전체를 패터닝하여 각 발광셀들에서 투명 애노드전극(ANO)을 형성한다. According to the present invention, an overcoat layer (OCT) and an interlayer insulating film (INT) are formed by coating an entire surface of an organic insulating material such as an acrylic organic compound, BCB, or PFCB on the interlayer insulating film INT to form a flat overcoat layer OCT. ) Is selectively etched to form contact holes through the overcoat layer OCT and the interlayer insulating film INT to expose the anti-pattern ACT. Subsequently, the present invention forms the source / drain metal on the overcoat layer OCT and fills the source / drain metal so as to be buried in contact holes penetrating through the overcoat layer OCT and the interlayer insulating film INT. The drain electrode DE of the TFT connected to the active pattern ACT is formed. Subsequently, the present invention deposits a transparent conductor such as ITO so as to contact the drain electrode DE of the TFT and patterns the transparent conductor to form a transparent anode electrode ANO in each of the light emitting cells.

본 발명은 열 증착 공정으로 정공주입층 재료, 정공수송층 재료, 발광층 재료, 전자수송층 재료, 전자주입층 재료를 연속 증착하여 투명 애노드전극(ANO)으로부터 순차적으로 적층된 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL)을 포함한 화이트 OLED(WOLED)의 전계발광층을 형성한 다음, 그 위에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 그 합금을 증착하여 반사형 캐소드전극(CAT)을 형성한다. 이어서, 실런트(SLT)를 캐소드전극(CAT) 상에 형성하여 제2 기판(SUBS2)을 반사형 캐소드전극(CAT)에 접착시킨다. The present invention sequentially deposits a hole injection layer (HIL), a hole sequentially deposited from a transparent anode electrode (ANO) by continuously depositing a hole injection layer material, a hole transport layer material, a light emitting layer material, an electron transport layer material, an electron injection layer material in a thermal deposition process Form an electroluminescent layer of white OLED (WOLED) including a transport layer (HTL), a light emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (EIL), and then thereon aluminum (Al), silver (Ag) or its An alloy is deposited to form a reflective cathode electrode CAT. Subsequently, a sealant SLT is formed on the cathode electrode CAT to bond the second substrate SUBS2 to the reflective cathode electrode CAT.

도 17을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 투명한 제1 기판(SUBS1), 제1 기판(SUBS1) 상에 형성되는 블랙 매트릭스(BM) 및 컬러필터(CFR, CFG, CFB, CFC, CFM), 블랙 매트릭스(BM)와 컬러필터(CFR, CFG, CFB, CFC, CFM)를 덮는 제1 오버 코트층(OCT1), 제1 오버 코트층(OCT1) 상에 형성되는 TFT의 게이트전극(GE), 게이트 전극(GE)을 덮는 게이트 절연막(GI), 게이트 절연막(GI) 상에 반도체로 형성되는 액티브 패턴(ACT), 액티브 패턴(ACT)을 덮는 층간 절연막(INT), 층간 절연막(INT)을 관통하여 액티브 패턴(ACT)에 접속되는 TFT의 소스전극(SE), 소스전극(SE)을 덮는 제2 오버 코트층(OCT2), 제2 오버 코트층(OCT2)과 층간 절연막(INT)을 관통하여 액티브 패턴(ACT)에 접속되는 TFT의 드레인전극(DE), 오버 콘트층(OCT) 상에 형성되어 TFT의 드레인전극(DE)에 접속되는 투명 애노드전극(ANO), 투명 애노드전극(ANO) 상에 형성되는 화이트 OLED(WOLED), 화이트 OLED(WOLED) 상에 형성되는 반사형 캐소드전극(CAT), 및 반사형 캐소드전극(CAT)과 제2 기판(SUBS2) 사이에 형성되는 실런트(SLT)를 포함한다. 실런트(SLT)는 유기물 또는, 유기물과 무기물의 적층 구조를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 17, an organic light emitting diode display device according to a third exemplary embodiment of the present invention may include a transparent first substrate SUBS1, a black matrix BM and a color filter CFR, formed on the first substrate SUBS1. Formed on the first overcoat layer OCT1 and the first overcoat layer OCT1 covering CFG, CFB, CFC, CFM), black matrix (BM) and color filters (CFR, CFG, CFB, CFC, CFM) A gate insulating film GI covering the gate electrode GE, a gate insulating film GI covering the gate electrode GE, an active pattern ACT formed of a semiconductor on the gate insulating film GI, and an interlayer insulating film INT covering the active pattern ACT ), The second overcoat layer OCT2 and the second overcoat layer OCT2 that cover the source electrode SE, the source electrode SE of the TFT that penetrates the interlayer insulating film INT and is connected to the active pattern ACT. And a transparent electrode formed on the drain electrode DE and the over-contact layer OCT of the TFT connected to the active pattern ACT through the interlayer insulating film INT and connected to the drain electrode DE of the TFT. Anode, white OLED formed on the transparent anode electrode ANO, a reflective cathode electrode CAT formed on the white OLED, and a reflective cathode electrode CAT and the second The sealant SLT is formed between the substrate SUBS2. The sealant SLT may include an organic material or a stacked structure of organic material and inorganic material.

도 17에 도시된 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법을 단계적으로 설명하면, 본 발명은 수지 또는 금속재료로 블랙 매트릭스(BM)의 패턴들을 제1 기판(SUBS1) 상에 형성한 후에 블랙 매트릭스(BM) 사이의 발광셀 영역들에 도 10a 내지 도 10f의 스펙트럼 특성을 만족하는 컬러필터들(CFR, CFG, CFB, CFC, CFM)을 형성한다. 이어서, 본 발명은 블랙 매트릭스(BM)와 컬러필터들(CFR, CFG, CFB, CFC, CFM)를 덮도록 유기 절연재료를 도포하여 표면이 평탄한 제1 오버 코트층(OCT1)을 형성한 다음, 그 위에 게이트 금속을 증착하고 패터닝하여 TFT의 게이트전극(GE), 게이트전극에 연결된 게이트라인, 게이트라인의 끝단에 연결된 게이트 패드 등을 포함한 게이트 금속패턴을 형성한다. 이어서, 본 발명은 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)을 증착하여 게이트 금속패턴을 덮도록 제1 오버 코트층(OCT1) 상에 게이트 절연막(GI)을 형성한다. Referring to the manufacturing method of the organic light emitting diode display device illustrated in FIG. 17 step by step, the present invention forms the patterns of the black matrix BM on the first substrate SUBS1 after the black matrix BM is formed of a resin or a metal material. Color filters CFR, CFG, CFB, CFC, and CFM satisfying the spectral characteristics of FIGS. 10A to 10F are formed in the light emitting cell regions between the? Subsequently, the present invention applies an organic insulating material to cover the black matrix BM and the color filters CFR, CFG, CFB, CFC, and CFM to form a first overcoat layer OCT1 having a flat surface. The gate metal is deposited and patterned thereon to form a gate metal pattern including a gate electrode GE of the TFT, a gate line connected to the gate electrode, a gate pad connected to the end of the gate line, and the like. Subsequently, the present invention forms a gate insulating layer GI on the first overcoat layer OCT1 to cover the gate metal pattern by depositing silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx).

본 발명은 비정질 실리콘을 게이트 절연막(GI) 상에 증착한 후에 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 패터닝하여 TFT의 액티브패턴(ACT)을 형성한다. 이어서, 본 발명은 액티브패턴(ACT)을 덮도록 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)을 증착하여 층간 절연막(INT)을 게이트 절연막(GI)과 액티브패턴(ACT) 상에 형성한 다음, 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통해 층간 절연막(INT)을 관통하여 TFT의 소스전극(SE)을 노출하는 콘택홀들을 형성한다. In the present invention, the amorphous silicon is deposited on the gate insulating film GI and then patterned by a photolithography process and an etching process to form an active pattern ACT of the TFT. Next, the present invention forms an interlayer insulating film INT on the gate insulating film GI and the active pattern ACT by depositing silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) to cover the active pattern ACT. Through the photolithography process and the etching process, contact holes are formed through the interlayer insulating film INT to expose the source electrode SE of the TFT.

본 발명은 층간 절연막(INT) 상에 소스/드레인 금속을 증착한 후, 그 소스 드레인 금속을 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 패터닝하여 콘택홀들을 통해 액티브 패턴(ACT)에 접속되는 TFT의 소스전극(SE)을 형성한다. 이어서, 본 발명은 층간 절연막(INT) 상에 유기 절연재료를 전면 도포하여 표면이 평탄한 제2 오버 코트층(OCT2)을 형성한 후에 제2 오버 코트층(OCT2)과 층간 절연막(INT)을 선택적으로 식각하여 오버 코트층(OCT)과 층간 절연막(INT)을 관통하여 앤티브 패턴(ACT)을 노출하는 콘택홀들을 형성한다. 이어서, 본 발명은 오버 코트층(OCT)과 층간 절연막(INT)을 관통하는 콘택홀들 내에 매립되도록 상기 소스/드레인 금속을 오버 코트 층(OCT) 상에 형성하고 그 소스/드레인 금속을 패터닝하여 액티브 패턴(ACT)에 접속되는 TFT의 드레인전극(DE)을 형성한다. 이어서, 본 발명은 TFT의 드레인전극(DE)에 접촉되도록 ITO와 같은 투명도전체를 증착하고 그 투명 도전체를 패터닝하여 각 발광셀들에서 투명 애노드전극(ANO)을 형성한다. According to the present invention, a source / drain metal is deposited on an interlayer insulating film INT, and then the source / drain metal is patterned by a photolithography process and an etching process to connect a source electrode of a TFT connected to the active pattern ACT through contact holes. SE). Subsequently, in the present invention, the second overcoat layer OCT2 and the interlayer insulating film INT are selectively selected after the entire surface of the organic insulating material is coated on the interlayer insulating film INT to form a second overcoat layer OCT2 having a flat surface. Etching to form contact holes exposing the anti-pattern ACT through the overcoat layer OCT and the interlayer insulating layer INT. Subsequently, the present invention forms the source / drain metal on the overcoat layer OCT and forms the source / drain metal so as to be buried in contact holes penetrating through the overcoat layer OCT and the interlayer insulating film INT. The drain electrode DE of the TFT connected to the active pattern ACT is formed. Subsequently, the present invention deposits a transparent conductor such as ITO so as to contact the drain electrode DE of the TFT and patterns the transparent conductor to form a transparent anode electrode ANO in each of the light emitting cells.

본 발명은 열 증착 공정으로 정공주입층 재료, 정공수송층 재료, 발광층 재료, 전자수송층 재료, 전자주입층 재료를 연속 증착하여 투명 애노드전극(ANO)으로부터 순차적으로 적층된 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL)을 포함한 화이트 OLED(WOLED)의 전계발광층을 형성한 다음, 그 위에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 그 합금을 증착하여 반사형 캐소드전극(CAT)을 형성한다. 이어서, 실런트(SLT)를 캐소드전극(CAT) 상에 형성하여 제2 기판(SUBS2)을 캐소드전극(CAT)에 접착시킨다. The present invention sequentially deposits a hole injection layer (HIL), a hole sequentially deposited from a transparent anode electrode (ANO) by continuously depositing a hole injection layer material, a hole transport layer material, a light emitting layer material, an electron transport layer material, an electron injection layer material in a thermal deposition process Form an electroluminescent layer of white OLED (WOLED) including a transport layer (HTL), a light emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (EIL), and then thereon aluminum (Al), silver (Ag) or its An alloy is deposited to form a reflective cathode electrode CAT. Subsequently, a sealant SLT is formed on the cathode electrode CAT to bond the second substrate SUBS2 to the cathode electrode CAT.

도 18은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 탑 에미션 구조를 보여 주는 단면도이다. 18 is a cross-sectional view illustrating a top emission structure of an organic light emitting diode display device according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 18을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 제1 기판(SUBS1), 제1 기판(SUBS1) 상에 형성되는 TFT의 게이트전극(GE), 게이트 전극(GE)을 덮는 게이트 절연막(GI), 게이트 절연막(GI) 상에 반도체로 형성되는 액티브 패턴(ACT), 액티브 패턴(ACT)을 덮는 층간 절연막(INT), 층간 절연막(INT)을 관통하여 액티브 패턴(ACT)에 접속되는 TFT의 소스전극(SE), 소스전극(SE)을 덮는 오버 코트층(OCT), 오버 코트층(OCT)과 층간 절연막(INT)을 관통하여 액티브 패턴(ACT)에 접속되는 TFT의 드레인전극(DE), 오버 코트층(OCT) 상에서 TFT의 드레인전극(DE)에 접속되는 반사전극(REFL), 반사전극(REFL)을 덮는 버퍼층(BUF), 버퍼층(BUF), 버퍼층(BUF)을 관통하여 반사전극(REFL)에 접속되는 투명 애노드전극(ANO), 오버 코트층(OCT)과 투명 애노드전극(ANO) 상에 형성된 뱅크패턴(BANK), 뱅크패턴(BANK)과 투명 애노드전극(ANO) 상에 형성되는 화이트 OLED(WOLED), 화이트 OLED(WOLED) 상에 형성되는 반투과 캐소드전극(CAT), 반투과 캐소드전극(CAT)과 접하는 컬러필터들(CFR, CFG, CFB, CFC, CFM)과 블랙 매트릭스들(BM), 및 실런트로 컬러필터들(CFR, CFG, CFB, CFC, CFM)과 블랙 매트릭스들(BM)에 접착되는 제2 기판(SUBS2)을 구비한다. Referring to FIG. 18, an organic light emitting diode display device according to a third exemplary embodiment of the present invention may include a first substrate SUBS1, a gate electrode GE, and a gate electrode GE of a TFT formed on the first substrate SUBS1. ) Through the gate insulating film GI, the active pattern ACT formed of a semiconductor on the gate insulating film GI, the interlayer insulating film INT covering the active pattern ACT, and the interlayer insulating film INT. Connected to the active pattern ACT through the source electrode SE of the TFT connected to the ACT, the overcoat layer OCT covering the source electrode SE, the overcoat layer OCT and the interlayer insulating film INT. The drain electrode DE of the TFT, the reflective electrode REFL connected to the drain electrode DE of the TFT on the overcoat layer OCT, the buffer layer BUF covering the reflective electrode REFL, the buffer layer BUF, and the buffer layer ( The bank pattern BAN formed on the transparent anode electrode ANO, the overcoat layer OCT, and the transparent anode electrode ANO, which penetrates through the BUF and is connected to the reflective electrode REFL. K), the white OLED (WOLED) formed on the bank pattern BANK and the transparent anode electrode ANO, the transflective cathode electrode CAT formed on the white OLED (WOLED), the transflective cathode electrode CAT Adhered to adjacent color filters (CFR, CFG, CFB, CFC, CFM) and black matrices (BM), and sealant color filters (CFR, CFG, CFB, CFC, CFM) and black matrices (BM) A second substrate SUBS2 is provided.

도 18에 도시된 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법을 단계적으로 설명하면, 본 발명은 게이트 금속을 제1 기판(SUBS1) 상에 증착한 후에 그 게이트 금속을 패터닝하여, TFT의 게이트전극(GE), 게이트전극에 연결된 게이트라인, 게이트라인의 끝단에 연결된 게이트 패드 등을 포함한 게이트 금속패턴을 형성한다. 이어서, 본 발명은 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)을 증착하여 게이트 금속패턴을 덮도록 제1 기판(SUBS1) 상에 게이트 절연막(GI)을 형성한다. Referring to the method of manufacturing the organic light emitting diode display device shown in FIG. 18 step by step, the present invention deposits the gate metal on the first substrate SUBS1 and then pattern the gate metal to form the gate electrode GE of the TFT. And a gate metal pattern including a gate line connected to the gate electrode and a gate pad connected to an end of the gate line. Subsequently, the present invention forms a gate insulating layer GI on the first substrate SUBS1 to cover the gate metal pattern by depositing silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx).

본 발명은 비정질 실리콘을 게이트 절연막(GI) 상에 증착한 후에 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 패터닝하여 TFT의 액티브패턴(ACT)을 형성한다. 이어서, 본 발명은 액티브패턴(ACT)을 덮도록 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)을 증착하여 층간 절연막(INT)을 게이트 절연막(GI)과 액티브패턴(ACT) 상에 형성한 다음, 층간 절연막(INT)을 관통하여 TFT의 소스전극(SE)을 노출하는 콘 택홀들을 형성한다. In the present invention, the amorphous silicon is deposited on the gate insulating film GI and then patterned by a photolithography process and an etching process to form an active pattern ACT of the TFT. Next, the present invention forms an interlayer insulating film INT on the gate insulating film GI and the active pattern ACT by depositing silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) to cover the active pattern ACT. Contact holes exposing the source electrode SE of the TFT are formed through the interlayer insulating film INT.

본 발명은 소스/드레인 금속을 증착한 후, 그 소스 드레인 금속을 패터닝하여 콘택홀들을 통해 액티브 패턴(ACT)에 접속되는 TFT의 소스전극(SE)을 형성한다. 이어서, 본 발명은 층간 절연막(INT) 상에 유기 절연재료를 전면 도포하여 표면이 평탄한 오버 코트층(OCT)을 형성한 후에 오버 코트층(OCT)과 층간 절연막(INT)을 선택적으로 식각하여 오버 코트층(OCT)과 층간 절연막(INT)을 관통하여 앤티브 패턴(ACT)을 노출하는 콘택홀들을 형성한다. 이어서, 본 발명은 오버 코트층(OCT)과 층간 절연막(INT)을 관통하는 콘택홀들 내에 매립되도록 상기 소스/드레인 금속을 오버 코트층(OCT) 상에 형성하고 그 소스/드레인 금속을 패터닝하여 액티브 패턴(ACT)에 접속되는 TFT의 드레인전극(DE)을 형성한다. 이어서, 본 발명은 TFT의 드레인전극(DE)에 접촉되도록 상기 소스/드레인 금속을 증착 및 패터닝하여 반사전극들(REFL)을 오버 코트층(OCT) 상에 형성한 후, 그 위에 유기 절연재료를 전면 도포하여 버퍼층(BUF)을 형성한 다음, 버퍼층(BUF)을 패터닝하여 반사전극들(REFL)을 노출하는 콘택홀을 형서한다. After depositing a source / drain metal, the source drain metal is patterned to form a source electrode SE of a TFT connected to the active pattern ACT through contact holes. Subsequently, the present invention forms an overcoat layer (OCT) having a flat surface by applying an organic insulating material over the interlayer insulating film INT, and then selectively overetchs the overcoat layer OCT and the interlayer insulating film INT. Contact holes are formed through the coat layer OCT and the interlayer insulating layer INT to expose the antipattern pattern ACT. Subsequently, the present invention forms the source / drain metal on the overcoat layer OCT and fills the source / drain metal so as to be buried in contact holes penetrating through the overcoat layer OCT and the interlayer insulating film INT. The drain electrode DE of the TFT connected to the active pattern ACT is formed. Next, the present invention forms the reflective electrodes REFL on the overcoat layer OCT by depositing and patterning the source / drain metal so as to contact the drain electrode DE of the TFT, and then, an organic insulating material is deposited thereon. The entire surface is coated to form the buffer layer BUF, and then the buffer layer BUF is patterned to form a contact hole exposing the reflective electrodes REFL.

본 발명은 버퍼층(BUF) 상에 TFT의 드레인전극(DE)에 접촉되도록 ITO와 같은 투명도전체를 증착하고 그 투명 도전체를 패터닝하여 각 발광셀들에서 투명 애노드전극(ANO)을 형성한다. 이어서, 본 발명은 투명 애노드전극(ANO)과 버퍼층(BUF) 상에 유기 절연재료를 도포하고 패터닝하여 발광셀들을 구획하고 투명 애노드전극(ANO)이 형성된 콘택홀 내에 매립된 뱅크패턴(BANK)을 형성한 후, 그 위에 열증착 방법으로 정공주입층 재료, 정공수송층 재료, 발광층 재료, 전자수송층 재료, 전자주입층 재료를 연속 증착하여 화이트 OLED(WOLED)의 전계발광층을 형성한 다음, 그 위에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 그 합금을 반투과가 가능한 얇은 두께로 증착하여 반투과 캐소드전극(CAT)을 형성한다. According to the present invention, a transparent conductor such as ITO is deposited on the buffer layer BUF to contact the drain electrode DE of the TFT, and the transparent conductor is patterned to form a transparent anode electrode ANO in each of the light emitting cells. Subsequently, in the present invention, an organic insulating material is coated and patterned on the transparent anode electrode ANO and the buffer layer BUF to partition light emitting cells, and a bank pattern BANK embedded in a contact hole in which the transparent anode electrode ANO is formed. After the formation, the hole injection layer material, the hole transport layer material, the light emitting layer material, the electron transport layer material, and the electron injection layer material were continuously deposited thereon to form an electroluminescent layer of white OLED (WOLED), and then aluminum was deposited thereon. (Al), silver (Ag), or an alloy thereof is deposited to a thin thickness capable of transflecting to form a transflective cathode electrode CAT.

본 발명은 반투과 캐소드전극(CAT) 상에 블랙 매트릭스(BM)와 컬러필터들(CFR, CFG, CFB, CFC, CFM)을 형성하고, 그 위에 실런트로 투명한 제2 기판(SUB2)을 접착시킨다. The present invention forms a black matrix (BM) and color filters (CFR, CFG, CFB, CFC, CFM) on the transflective cathode electrode (CAT), and adheres the transparent second substrate (SUB2) with a sealant thereon. .

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아 니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 발광셀 구조를 개략적으로 나타내는 단면도. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating a light emitting cell structure of an organic light emitting diode display device according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 발광셀 구조를 개략적으로 나타내는 단면도. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating a light emitting cell structure of an organic light emitting diode display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 발광셀들의 파장 스펙트럼을 보여 주는 그래프들이다.3 is a graph illustrating wavelength spectrums of light emitting cells illustrated in FIGS. 1 and 2.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광다이오드 표시소자에서 자홍색 발광셀, 적색 발광셀, 청색 발광셀, 및 녹색 발광셀의 배치 예들을 보여 주는 도면들이다. 4A and 4B illustrate layout examples of magenta light emitting cells, red light emitting cells, blue light emitting cells, and green light emitting cells in an organic light emitting diode display device according to example embodiments.

도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 동작 특성(이론치)을 보여 주는 도면이다. 5 is a view illustrating operating characteristics (theoretical values) of the organic light emitting diode display device according to the exemplary embodiments of the present invention.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 색좌표를 보여 주는 도면이다. 6 is a view showing color coordinates of an organic light emitting diode display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 7은 도 1과 같은 픽셀 구조의 TFT&OLED 어레이를 상세히 보여 주는 단면도이다. FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a TFT & OLED array having a pixel structure as shown in FIG. 1 in detail.

도 8은 도 2와 같은 픽셀 구조의 TFT&OLED 어레이를 상세히 보여 주는 단면도이다. FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a TFT & OLED array having a pixel structure as shown in FIG. 2 in detail.

도 9는 본 발명의 실시예들에 적용되는 화이트 OLED(WOLED)의 파장 스펙트럼을 나타낸다. 9 shows a wavelength spectrum of a white OLED (WOLED) applied to embodiments of the present invention.

도 10a 내지 도 10f는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자에 적용 가능한 컬러필터들의 특성을 보여주는 그래프들이다. 10A to 10F are graphs illustrating characteristics of color filters applicable to an organic light emitting diode display device according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 11 및 도 12는 도 9에 도시된 화이트 OLED의 스펙트럼 특성 내에서 구현되는 자홍색(Cyan)과 청록색(Magenta) 파장의 컬러필터들의 스펙트럼을 보여 주는 그래프들이다. 11 and 12 are graphs showing the spectra of the color filters of the magenta and cyan wavelengths implemented within the spectral characteristics of the white OLED shown in FIG. 9.

도 13b 내지 도 14는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 색좌표(RGBCM)를 보여 주는 도면들이다. 13B to 14 illustrate color coordinates RGBCM of the organic light emitting diode display according to the third exemplary embodiment of the present invention.

도 15a 내지 도 15c는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 한 픽셀 구조를 보여 주는 도면들이다. 15A to 15C are diagrams illustrating one pixel structure of an organic light emitting diode display device according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 16 내지 도 18은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 다양한 단면 구조를 보여 주는 단면도들이다. 16 to 18 are cross-sectional views illustrating various cross-sectional structures of an organic light emitting diode display device according to a third exemplary embodiment of the present invention.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉Description of the Related Art

WOLED : 화이트 OLED CAT : 반투과 캐소드전극WOLED: White OLED CAT: Transflective cathode

ANO : 투명 애노드전극 BUF, BUF1, BUF2 : 버퍼층ANO: transparent anode electrode BUF, BUF1, BUF2: buffer layer

REFL, REFL1, REF2 : 반사전극REFL, REFL1, REF2: reflective electrode

Claims (10)

적색광과 청색광을 방출하는 제1 발광셀; A first light emitting cell emitting red light and blue light; 상기 제1 발광셀과 동일한 셀 구조를 가지며 상기 적색광과 상기 청색광을 방출하는 제2 발광셀; A second light emitting cell having the same cell structure as the first light emitting cell and emitting the red light and the blue light; 상기 제1 및 제2 발광셀과 동일한 셀 구조를 가지며 상기 적색광과 상기 청색광을 방출하는 제3 발광셀; A third light emitting cell having the same cell structure as the first and second light emitting cells and emitting the red light and the blue light; 상기 제1 내지 제3 발광셀들과는 다른 구조를 가지며 녹색광을 방출하는 제4 발광셀; A fourth light emitting cell having a structure different from the first to third light emitting cells and emitting green light; 제2 발광셀 위에 형성되어 상기 제2 발광셀로부터 입사되는 적색광을 투과시키고 청색광을 차단하는 제1 컬러필터; 및 A first color filter formed on a second light emitting cell to transmit red light incident from the second light emitting cell and block blue light; And 상기 제3 발광셀 위에 형성되어 상기 제3 발광셀로부터 입사되는 청색광을 투과시키고 적색광을 차단하는 제2 컬러필터를 구비하고; A second color filter formed on the third light emitting cell to transmit blue light incident from the third light emitting cell and block red light; 상기 제1 발광셀 위에는 컬러필터가 없거나 무색 컬러필터가 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드 표시소자. And no color filter or a colorless color filter formed on the first light emitting cell. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 내지 제3 발광셀들은,The first to third light emitting cells, 반투과 캐소드전극과 투명 애노드전극, 상기 반투과 캐소드전극과 상기 투명 애노드전극 사이에 형성되는 전계발광층, 상기 투명 애노드전극의 아래에 형성되는 투명 절연층, 및 상기 투명 절연층 아래에 형성되는 제1 반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드 표시소자. A transmissive cathode electrode and a transparent anode electrode, an electroluminescent layer formed between the transflective cathode electrode and the transparent anode electrode, a transparent insulating layer formed under the transparent anode electrode, and a first formed under the transparent insulating layer An organic light emitting diode display device comprising a reflective layer. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 제4 발광셀은,The fourth light emitting cell, 상기 반투과 캐소드전극과 상기 투명 애노드전극, 상기 전계발광층, 상기 투명 애노드전극의 아래에 형성되는 제2 반사층을 포함하고, A second reflective layer formed under the transflective cathode electrode, the transparent anode electrode, the electroluminescent layer, and the transparent anode electrode, 상기 제4 발광셀 위에는 컬러필터가 없거나 녹색 컬러필터가 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드 표시소자. The organic light emitting diode display device of claim 4, wherein a color filter is absent or a green color filter is formed on the fourth light emitting cell. 캐소드전극과 애노드 전극 사이에 형성되고 백색광을 발생하는 화이트 유기발광 다이오드소자; A white organic light emitting diode device formed between the cathode electrode and the anode electrode and generating white light; 상기 화이트 유기 발광다이오드 소자로부터 발생되는 백색광에서 적색광 파장을 투과시키는 제1 컬러필터를 포함한 적색 발광셀; A red light emitting cell including a first color filter configured to transmit a red light wavelength from white light generated from the white organic light emitting diode device; 상기 화이트 유기 발광다이오드 소자로부터 발생되는 백색광에서 녹색광 파장을 투과시키는 제2 컬러필터를 포함한 녹색 발광셀; A green light emitting cell including a second color filter which transmits a green light wavelength in white light generated from the white organic light emitting diode device; 상기 화이트 유기 발광다이오드 소자로부터 발생되는 백색광에서 청색광 파장을 투과시키는 제3 컬러필터를 포함한 청색 발광셀; A blue light emitting cell including a third color filter which transmits a blue light wavelength in white light generated from the white organic light emitting diode device; 상기 화이트 유기 발광다이오드 소자로부터 발생되는 백색광에서 청록색광 파장을 투과시키는 제4 컬러필터를 포함한 적색 발광셀; A red light emitting cell including a fourth color filter configured to transmit a cyan light wavelength in white light generated from the white organic light emitting diode device; 상기 화이트 유기 발광다이오드 소자로부터 발생되는 백색광에서 청록색광 파장을 투과시키는 제5 컬러필터를 포함한 적색 발광셀; 및 A red light emitting cell including a fifth color filter configured to transmit a cyan light wavelength in white light generated from the white organic light emitting diode device; And 상기 화이트 유기 발광다이오드 소자로부터 발생되는 백색광에서 녹색광 파장을 차단하고 적색광 파장과 청색광 파장을 투과시키는 제6 컬러필터를 포함한 자홍색 발광셀을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드 표시소자. And a magenta light emitting cell including a sixth color filter which blocks a green light wavelength and transmits a red light wavelength and a blue light wavelength from white light generated from the white organic light emitting diode device. 적색광과 청색광을 방출하는 제1 발광셀, 상기 제1 발광셀과 동일한 셀 구조를 가지며 상기 적색광과 상기 청색광을 방출하는 제2 발광셀, 상기 제1 및 제2 발광셀과 동일한 셀 구조를 가지며 상기 적색광과 상기 청색광을 방출하는 제3 발광셀, 및 상기 제1 내지 제3 발광셀들과는 다른 구조를 가지며 녹색광을 방출하는 제4 발광셀을 제1 기판 상에 형성하는 단계; 및 A first light emitting cell emitting red light and blue light, the same cell structure as the first light emitting cell, a second light emitting cell emitting the red light and the blue light, and a same cell structure as the first and second light emitting cells Forming a third light emitting cell emitting red light and the blue light and a fourth light emitting cell having a structure different from the first to third light emitting cells and emitting green light on the first substrate; And 상기 제2 발광셀로부터 입사되는 적색광을 투과시키고 청색광을 차단하는 제1 컬러필터과, 상기 제3 발광셀로부터 입사되는 청색광을 투과시키고 적색광을 차단하는 제2 컬러필터를 제2 기판 상에 형성하는 단계를 포함하고, Forming a first color filter transmitting red light incident from the second light emitting cell and blocking blue light, and a second color filter transmitting blue light incident from the third light emitting cell and blocking red light on a second substrate; Including, 상기 제2 기판 상에서 상기 제1 발광셀과 대향하는 면에는 컬러필터가 형성되지 않거나 무색 컬러필터가 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드 표시소자의 제조방법. The method of manufacturing an organic light emitting diode display device, wherein a color filter is not formed or a colorless color filter is formed on a surface of the second substrate facing the first light emitting cell. 제 5 항에 있어서, The method of claim 5, 상기 제1 내지 제3 발광셀들은,The first to third light emitting cells, 반투과 캐소드전극과 투명 애노드전극, 상기 반투과 캐소드전극과 상기 투명 애노드전극 사이에 형성되는 전계발광층, 상기 투명 애노드전극의 아래에 형성되는 투명 절연층, 및 상기 투명 절연층 아래에 형성되는 제1 반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드 표시소자의 제조방법. A transmissive cathode electrode and a transparent anode electrode, an electroluminescent layer formed between the transflective cathode electrode and the transparent anode electrode, a transparent insulating layer formed under the transparent anode electrode, and a first formed under the transparent insulating layer A manufacturing method of an organic light emitting diode display device comprising a reflective layer. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제4 발광셀은,The fourth light emitting cell, 상기 반투과 캐소드전극과 상기 투명 애노드전극, 상기 전계발광층, 상기 투명 애노드전극의 아래에 형성되는 제2 반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드 표시소자의 제조방법. And a second reflective layer formed under the transflective cathode electrode, the transparent anode electrode, the electroluminescent layer, and the transparent anode electrode. 제 5 항에 있어서, The method of claim 5, 상기 제4 발광셀 위에는 컬러필터가 없거나 녹색 컬러필터가 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드 표시소자의 제조방법. And a green color filter is formed on the fourth light emitting cell. 적색광과 청색광을 방출하는 제1 발광셀, 상기 제1 발광셀과 동일한 셀 구조를 가지며 상기 적색광과 상기 청색광을 방출하는 제2 발광셀, 상기 제1 및 제2 발광셀과 동일한 셀 구조를 가지며 상기 적색광과 상기 청색광을 방출하는 제3 발광셀, 및 상기 제1 내지 제3 발광셀들과는 다른 구조를 가지며 녹색광을 방출하는 제4 발광셀을 기판 상에 형성하는 단계; 및 A first light emitting cell emitting red light and blue light, the same cell structure as the first light emitting cell, a second light emitting cell emitting the red light and the blue light, and a same cell structure as the first and second light emitting cells Forming a third light emitting cell emitting red light and the blue light, and a fourth light emitting cell having a structure different from the first to third light emitting cells and emitting green light on a substrate; And 상기 제2 발광셀로부터 입사되는 적색광을 투과시키고 청색광을 차단하는 제1 컬러필터를 상기 제2 발광셀 상에 형성하고, 상기 제3 발광셀로부터 입사되는 청색광을 투과시키고 적색광을 차단하는 제2 컬러필터를 상기 제3 발광셀 상에 형성하는 단계를 포함하고, A second color is formed on the second light emitting cell to form a first color filter that transmits the red light incident from the second light emitting cell and blocks the blue light, and transmits the blue light incident from the third light emitting cell and blocks the red light. Forming a filter on the third light emitting cell; 상기 제1 발광셀 위에는 컬러필터가 형성되지 않거나 무색 컬러필터가 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드 표시소자의 제조방법. A color filter is not formed or a colorless color filter is formed on the first light emitting cell. 제 9 항에 있어서, The method of claim 9, 상기 제4 발광셀 위에는 컬러필터가 없거나 녹색 컬러필터가 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광다이오드 표시소자의 제조방법.And a green color filter is formed on the fourth light emitting cell.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140037678A (en) * 2012-09-19 2014-03-27 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display
KR20140086124A (en) * 2012-12-28 2014-07-08 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diodes
CN109638037A (en) * 2018-11-15 2019-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 A kind of true color display module and preparation method thereof
US10468474B2 (en) 2016-11-29 2019-11-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Top-emission type organic light emitting diode display substrate
GB2615876A (en) * 2021-12-30 2023-08-23 Lg Display Co Ltd Display apparatus

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210024836A (en) 2019-08-26 2021-03-08 엘지디스플레이 주식회사 Display Panel and Head Mounted Display Device Having the Same Therein

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4731865B2 (en) 2003-10-03 2011-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140037678A (en) * 2012-09-19 2014-03-27 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display
KR20140086124A (en) * 2012-12-28 2014-07-08 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diodes
US10468474B2 (en) 2016-11-29 2019-11-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Top-emission type organic light emitting diode display substrate
EP3549184A4 (en) * 2016-11-29 2020-09-30 BOE Technology Group Co., Ltd. Top-emission type organic light emitting diode display substrate, top-emission type organic light emitting diode display apparatus, and method of forming top-emission type organic light emitting diode display substrate
CN109638037A (en) * 2018-11-15 2019-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 A kind of true color display module and preparation method thereof
CN109638037B (en) * 2018-11-15 2021-04-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Full-color display module and manufacturing method thereof
US11223031B2 (en) 2018-11-15 2022-01-11 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Full color display module and manufacturing method of same
GB2615876A (en) * 2021-12-30 2023-08-23 Lg Display Co Ltd Display apparatus

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