KR20100029811A - Organic light emitting display apparatus and driving method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명의 유기 발광 표시장치 및 그 구동방법에 관한 것으로, 특히 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 유지시키는 유기 발광 표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device and a driving method thereof, and more particularly, to an organic light emitting display device and a driving method thereof for maintaining a threshold voltage of a driving transistor.
일반적으로 유기 발광 표시 장치는 형광성 유기화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 표시 장치로서, 행렬 형태로 배열된 복수개의 유기 발광셀들을 전압 구동 혹은 전류 구동하여 영상을 표현할 수 있도록 되어 있다. 이러한 유기 발광셀들은 다이오드 특성을 가져서 유기발광 다이오드(OLED)로 불린다.In general, an organic light emitting display device is a display device for electrically exciting a fluorescent organic compound to emit light, and is capable of displaying an image by voltage driving or current driving a plurality of organic light emitting cells arranged in a matrix form. These organic light emitting cells have diode characteristics and are called organic light emitting diodes (OLEDs).
도 1은 유기 발광 소자의 개념도이다.1 is a conceptual diagram of an organic light emitting device.
도 1을 참조하면, 유기발광소자는 애노드(ITO), 유기 박막, 캐소드 전극층(금속)의 구조를 가진다. 유기 박막은 전자와 정공의 균형을 좋게 하여 발광 효율을 향상시키기 위해 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 발광층(emitting layer, EML), 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the organic light emitting diode has a structure of an anode (ITO), an organic thin film, and a cathode electrode layer (metal). The organic thin film has a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), and an electron transport layer (electron) to improve the emission efficiency by improving the balance between electrons and holes. transport layer (ETL) and electron injection layer (EIL).
이와 같이 이루어지는 유기 발광 소자를 구동하는 방식에는 단순 매트릭스(passive matrix) 방식과 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 또는 MOSFET을 이용한 능동 구동(active matrix) 방식이 있다. 단순 매트릭스 방식은 양극과 음극을 직교하도록 형성하고 라인을 선택하여 구동하는데 비해, 능동 구동 방식은 박막 트랜지스터를 각 ITO(indum tin oxide) 화소 전극에 연결하고 박막트랜지스터의 게이트에 연결된 커패시터 용량에 의해 유지된 전압에 따라 구동하는 방식이다. 한편, 능동 구동 방식은 커패시터에 전압을 기입하여 유지시키기 위해 인가되는 신호의 형태에 따라 전압 기입(voltage programming) 방식과 전류 기입(current programing) 방식으로 나누어진다.The organic light emitting device may be driven by a simple matrix method and an active matrix method using a thin film transistor (TFT) or a MOSFET. In the simple matrix method, the anode and the cathode are orthogonal and the line is selected and driven, whereas the active driving method connects a thin film transistor to each indium tin oxide (ITO) pixel electrode and is maintained by a capacitor capacity connected to the gate of the thin film transistor. It is driven according to the voltage. On the other hand, the active driving method is divided into a voltage programming method and a current programming method according to the type of signal applied to write and maintain a voltage in the capacitor.
도 2는 종래의 유기 발광 표시 장치에 채용된 화소의 회로도이다.2 is a circuit diagram of a pixel employed in a conventional organic light emitting display device.
도 2를 참조하면, 유기 발광 표시장치의 화소는 유기 발광 소자(OLED) 및 두 개의 트랜지스터(M1, M2)와 하나의 커패시터(Cst)를 구비하며, 일반적으로 상기 스위칭 트랜지스터(M1) 및 구동 트랜지스터(M2)로는 박막 트랜지스터(TFT)가 사용된다.Referring to FIG. 2, a pixel of an organic light emitting diode display includes an organic light emitting diode OLED, two transistors M1 and M2, and one capacitor C st , and generally the switching transistor M1 and the driving device. As the transistor M2, a thin film transistor TFT is used.
도 2의 화소 회로에서는 스위칭 트랜지스터(M1)의 제 1 전극이 데이터 신호선에 연결된다. 이때 게이트 전극에 인가되는 주사 신호(S[n])에 의하여 상기 스위칭 트랜지스터(M1)가 온 되어짐으로써, 데이터 신호(D[m])가 화소 회로로 인가된다.In the pixel circuit of FIG. 2, the first electrode of the switching transistor M1 is connected to the data signal line. At this time, the switching transistor M1 is turned on by the scan signal S [n] applied to the gate electrode, so that the data signal D [m] is applied to the pixel circuit.
한편, 상기 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(M2)의 제 1 전극과 게이트 전극 사이에 연결되어, 데이터 신호에 해당하는 데이터 전압을 일정 기간 유지한다. 또한, 상기 구동 트랜지스터(M2)는 커패시터(Cst)의 양 전극 사이에 걸린 전압에 대응하는 전류를 상기 유기 발광 소자(OLED)로 공급한다.The capacitor C st is connected between the first electrode and the gate electrode of the driving transistor M2 to maintain a data voltage corresponding to the data signal for a predetermined period of time. In addition, the driving transistor M2 supplies a current corresponding to the voltage applied between both electrodes of the capacitor C st to the organic light emitting diode OLED.
상기 스위칭 트랜지스터(M1)가 온 되어지면, 데이터 신호선을 통해 인가된 데이터 전압이 커패시터(Cst)에 저장되며, 이후 스위칭 트랜지스터(M1)가 오프 되어지는 경우에도 상기 커패시터(Cst)에 저장된 데이터 전압에 대응하는 전류가 구동 트랜지스터(M2)를 통해 유기 발광 소자(OLED)로 인가된다. 이에 따라 스위칭 트랜지스터(M1)가 오프된 경우에도 상기 유기 발광 소자(OLED)는 소정의 기간 동안 발광을 유지하게 된다.It said switching transistor (M1) is the ground is turned on, the data voltage applied through the data signal line is stored in the capacitor (C st), since stored in the switching transistor and the capacitor (C st) in the case that (M1) is turned off data A current corresponding to the voltage is applied to the organic light emitting diode OLED through the driving transistor M2. Accordingly, the organic light emitting diode OLED maintains light emission for a predetermined period even when the switching transistor M1 is turned off.
이때, 유기 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류는 다음의 수학식 1과 같다.At this time, the current flowing through the OLED is represented by
상기 수학식 1에서, IOLED 는 유기 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류, Vgs는 구동 트랜지스터(M2)의 게이트 전극과 제 1 전극 사이의 전압, Vth는 구동 트랜지스터(M2)의 문턱 전압, VDD는 전원전압, Vdata는 데이터 전압, β는 이득 계수(gain factor)를 나타낸다.In
그러나 상기 구동 트랜지스터(M2)의 게이터 전극에 양 또는 음의 전압이 계속 가해지면 전압 스트레스에 의하여 Vth 값이 시프트(shift) 된다. 따라서 일반적인 2 트랜지스터 1 캐패시터 구조의 회로를 사용하는 경우에는 구동 트랜지스터(M2)의 열화 현상이 발생하고, 몇 시간 후에는 Vth 값이 시프트 되어져 처음과 다른 휘도가 나오게 된다. 따라서 구동 트랜지스터(M2)의 Vth 값이 시프트 되는 현상을 방지할 필요가 대두되었다.However, if a positive or negative voltage is continuously applied to the gator electrode of the driving transistor M2, the V th value is shifted by the voltage stress. Therefore, when a circuit having a general two transistor one capacitor structure is used, deterioration of the driving transistor M2 occurs, and after a few hours, the V th value is shifted to give a luminance different from the first. Therefore, it is necessary to prevent the phenomenon in which the V th value of the driving transistor M2 is shifted.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 화소 회로에 구비된 구동 트랜지스터의 열화를 방지하는 유기 발광 표시장치 및 그 구동방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide an organic light emitting display device and a driving method thereof for preventing deterioration of a driving transistor provided in a pixel circuit.
상기 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 제1측면은 빛을 발생시키는 유기 발광 소자, 전원 전압이 인가되는 제 1 전극과 상기 유기 발광 소자에 전기적으로 연결되는 제2 전극과 게이트 전극을 구비하는 제 1 트랜지스터, 데이터 신호가 인가되는 제 1 전극과 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트 전극에 연결되는 제 2 전극과 제 1 주사 신호가 인가되는 게이트 전극을 구비하는 제 2 트랜지스터, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트 전극에 연결되는 제 1 단자와 상기 제1 트랜지스터의 상기 제 1 전극에 연결되는 제 2 단자를 구비하는 커패시터 및 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되는 제 1 전극과 접지 전압이 인가되는 제 2 전극과 제 2 주사 신호가 인가되는 게이트 전극을 구비하는 제 3 트랜지스터를 포함하며, 상기 제 2 주사 신호는 상기 제 1 주사 신호가 인가되기 직전에 인접 화소에 인가되는 주사 신호인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치를 제공한다.In order to solve the above technical problem, the first side of the present invention includes an organic light emitting device for generating light, a first electrode to which a power supply voltage is applied, and a second electrode and a gate electrode electrically connected to the organic light emitting device. A second transistor having a first transistor, a first electrode to which a data signal is applied, a second electrode connected to the gate electrode of the first transistor, and a gate electrode to which a first scan signal is applied, the second transistor of the first transistor A capacitor having a first terminal connected to a gate electrode and a second terminal connected to the first electrode of the first transistor, and a first electrode connected to a gate electrode of the first transistor and a second voltage applied with a ground voltage And a third transistor having an electrode and a gate electrode to which the second scan signal is applied, wherein the second scan signal is a phase. The provides an organic light emitting diode display, it characterized in that the scanning signal applied to a pixel adjacent to the right before applying the first scanning signal.
본 발명에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치는 화소 회로를 포함하는 화소 영역 및 상기 화소 영역의 외부에 구비되며, 상기 화소 회로를 구동하는 구동회로를 구비하는 비화소 영역을 포함할 수 있다.The organic light emitting diode display may include a pixel area including a pixel circuit and a non-pixel area disposed outside the pixel area and including a driving circuit driving the pixel circuit.
본 발명에 있어서, 상기 제 3 트랜지스터는 상기 화소 영역 또는 비화소 영역 중 어느 하나에 포함될 수 있다.In the present invention, the third transistor may be included in either the pixel region or the non-pixel region.
본 발명에 있어서, 상기 제 3 트랜지스터가 화소 영역에 포함되는 경우, 상기 유기 발광 표시장치는 전면발광 구조일 수 있다.In the present invention, when the third transistor is included in the pixel region, the organic light emitting diode display may have a top emission structure.
본 발명에 있어서, 상기 제 3 트랜지스터가 비화소 영역에 포함되는 경우, 상기 제 1 주사 신호 및 제 2 주사 신호를 전달하는 복수의 주사선들과 상기 복수의 주사선들에 제 1 주사 신호 및 제 2 주사 신호를 공급하는 주사 구동부, 상기 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선들과 상기 복수의 데이터선들에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부을 포함할 수 있다.In the present invention, when the third transistor is included in the non-pixel region, a plurality of scan lines for transmitting the first scan signal and a second scan signal and a first scan signal and a second scan to the plurality of scan lines. And a scan driver for supplying a signal, a plurality of data lines for transmitting the data signal, and a data driver for supplying a data signal to the plurality of data lines.
본 발명에 있어서, 상기 제 3 트랜지스터는 상기 주사 구동부와 상기 화소 영역 사이 구비될 수 있다.In example embodiments, the third transistor may be provided between the scan driver and the pixel region.
본 발명에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터일 수 있다.In the present invention, the first to third transistors may be NMOS transistors.
또한 본 발명에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3 트랜지스터는 산화물 TFT로 형성될 수 있다.In the present invention, the first to third transistors may be formed of oxide TFTs.
상기 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 제2측면은 a) 제 1 주사 신호 및 데이터 신호를 인가받아 상기 데이터 신호에 해당하는 전압을 커패시터에 충전하는 단계, b) 상기 충전한 전압을 사용하여 유기 발광 소자를 발광시키는 단계 및 c) 제 2 주사 신호에 따라서 상기 커패시터에 잔류하는 전하를 방전시키는 단계를 포함하는 유기 발광 표시장치의 구동방법을 제공한다.In order to solve the above technical problem, the second aspect of the present invention comprises the steps of: a) receiving a first scan signal and a data signal to charge a voltage corresponding to the data signal to a capacitor, b) using the charged voltage A method of driving an organic light emitting display device, the method comprising: emitting an organic light emitting element and c) discharging a charge remaining in the capacitor according to a second scan signal.
본 발명에 있어서, 상기 제 2 주사 신호는 상기 제 1 주사 신호가 인가되기 직전에 인접 화소에 인가되는 주사 신호일 수 있다.In example embodiments, the second scan signal may be a scan signal applied to an adjacent pixel immediately before the first scan signal is applied.
또한 본 발명에 있어서, 상기 c)단계는 상기 제 2 주사신호에 따라서 커패시터를 접지시킬 수 있다.In addition, in the present invention, step c) may ground the capacitor according to the second scan signal.
이와 같이, 유기 발광 소자의 발광이 종료하는 시점에 제 2 주사 신호를 제 3 트랜지스터에 인가하여 구동 트랜지스터인 제 1 트랜지스터의 게이트 전압에 가해지는 전압 스트레스를 제거함으로 인하여, 상기 제 1 트랜지스터의 열화를 방지하고 문턱 전압의 시프트를 방지하여 일정한 휘도의 화면을 제공할 수 있게 된다.As described above, when the light emission of the organic light emitting diode is terminated, the second scan signal is applied to the third transistor to remove the voltage stress applied to the gate voltage of the first transistor, which is the driving transistor, thereby deteriorating the first transistor. It is possible to provide a screen with a constant brightness by preventing and preventing the shift of the threshold voltage.
또한 제 1 트랜지스터의 열화를 방지함으로 인하여 화소 회로의 수명을 늘릴 수 있게 된다.In addition, since the degradation of the first transistor can be prevented, the life of the pixel circuit can be extended.
또한 제 3 트랜지스터를 비화소 영역에 구비함으로 인하여 발광방식에 상관없이 일반적인 화소 회로 구조에서의 개구율과 동일한 개구율을 가지도록 할 수 있다. In addition, since the third transistor is provided in the non-pixel region, the third transistor may have the same aperture ratio as that of the general pixel circuit structure regardless of the light emission method.
또한 제 3 트랜지스터를 비화소 영역에 구비함으로 인하여 필요한 트랜지스터의 개수를 감소시킬 수 있게 된다.In addition, since the third transistor is provided in the non-pixel region, the number of transistors required can be reduced.
도 1은 유기 전계 발광 소자의 개념도이다.
도 2는 종래의 유기 발광 표시 장치에 채용된 화소 회로의 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 회로의 회로도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 회로의 회로도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 회로의 회로도이다.
도 6은 도 3 내지 도 5에 도시된 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도이다.
도 7은 도 3에 따른 화소 회로를 포함하는 유기 발광 표시장치를 도시한 블록도이다.
도 8은 도 4에 따른 화소 회로를 포함하는 유기 발광 표시장치를 도시한 블록도이다.1 is a conceptual diagram of an organic EL device.
2 is a circuit diagram of a pixel circuit employed in a conventional organic light emitting display device.
3 is a circuit diagram of a pixel circuit of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a circuit diagram of a pixel circuit of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present invention.
5 is a circuit diagram of a pixel circuit of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a driving waveform diagram for driving the pixel circuit shown in FIGS. 3 to 5.
FIG. 7 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device including the pixel circuit of FIG. 3.
FIG. 8 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device including the pixel circuit of FIG. 4.
이하, 도 3 내지 도 8을 참조하여 바람직한 실시예들에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 8.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 화소 회로의 회로도이다. 도 3을 참조하면, 유기 발광 표시장치의 화소 회로에는 유기 발광 소자(OLED), 제 1 트랜지스터(Tr1), 제 2 트랜지스터(Tr2), 커패시터(C) 및 제 3 트랜지스터(Tr3)를 포함한다.3 is a circuit diagram of a pixel circuit of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, an organic light emitting diode OLED, a first transistor Tr 1 , a second transistor Tr 2 , a capacitor C, and a third transistor Tr 3 are included in a pixel circuit of an organic light emitting diode display. Include.
유기 발광 소자(OLED)는 전류를 인가받아 적색, 녹색, 청색 중에서 어느 하나의 색을 띠는 빛을 발생시킨다. 상기 유기 발광 소자(OLED)의 애노드는 제 1 트랜지스터(Tr1)의 제 2 전극에 연결된다. 또한 유기 발광 소자(OLED)의 캐소드에는 접지 전압이 인가된다.The organic light emitting diode OLED receives light and generates light having any one color among red, green, and blue. The anode of the organic light emitting diode OLED is connected to the second electrode of the first transistor Tr 1 . In addition, a ground voltage is applied to the cathode of the OLED.
제 1 트랜지스터(Tr1)는 제 1 전극에 전원 전압이 인가되고, 게이트 전극에 데이터 신호가 인가된다. 또한 상기 제 1 트랜지스터(Tr1)의 제 2 전극은 상기 유기 발광 소자(OLED)와 전기적으로 연결된다. 상기 제 1 트랜지스터(Tr1)는 구동 트랜지스터로서 상기 유기 발광 소자(OLED)에 전류를 인가한다.In the first transistor Tr 1 , a power supply voltage is applied to the first electrode, and a data signal is applied to the gate electrode. In addition, the second electrode of the first transistor Tr 1 is electrically connected to the organic light emitting diode OLED. The first transistor Tr 1 applies a current to the organic light emitting diode OLED as a driving transistor.
제 2 트랜지스터(Tr2)는 제 1 전극에 데이터 신호가 인가되고, 게이트 전극에는 제 1 주사선(S[n])을 통하여 제 1 주사 신호가 인가된다. 또한 상기 제 2 트랜지스터(Tr2)의 제 2 전극은 상기 제 1 트랜지스터(Tr1)의 게이트 전극에 연결된다. 상기 제 1 주사선(S[n])은 표시하고자 하는 화소 영역을 선택하는 주사선이다. 또한 제 1 주사 신호는 상기 제 1 주사선(S[n])을 통하여 인가되는 주사 신호이다.The data signal is applied to the first electrode of the second transistor Tr 2 , and the first scan signal is applied to the gate electrode through the first scan line S [n]. In addition, the second electrode of the second transistor Tr 2 is connected to the gate electrode of the first transistor Tr 1 . The first scan line S [n] is a scan line for selecting a pixel area to be displayed. The first scanning signal is a scanning signal applied through the first scanning line S [n].
커패시터(C)는 상기 제 1 트랜지스터(Tr1)의 상기 게이트 전극에 제 1 단자가 연결되고, 상기 제1 트랜지스터(Tr1)의 상기 제 1 전극에 제 2 단자가 연결된다.A capacitor (C) is the first and the second terminal is connected to the gate electrode of the transistor (Tr 1), it is a second terminal coupled to the first electrode of the first transistor (Tr 1).
또한 제 3 트랜지스터(Tr3)는 상기 제 1 트랜지스터(Tr1)의 게이트 전극에 제 1 전극이 연결된다. 상기 제 3 트랜지스터(Tr3)의 제 2 전극에 접지 전압이 인가되며, 게이트 전극에 제 2 주사선(S[n-1])을 통하여 제 2 주사 신호가 인가된다. 상기 제 2 주사선(S[n-1])은 표시하고자 하는 화소 영역 바로 위 행에 배열된 화소 영역들을 선택하는 주사 신호를 인가하는 주사선이다. 또한 상기 제 2 주사 신호는 상기 제 2 주사선(S[n-1])을 통하여 인가되는 주사 신호이다.In addition, a first electrode of the third transistor Tr 3 is connected to the gate electrode of the first transistor Tr 1 . The ground voltage is applied to the second electrode of the third transistor Tr 3 , and the second scan signal is applied to the gate electrode through the second scan line S [n-1]. The second scan line S [n-1] is a scan line for applying a scan signal for selecting pixel areas arranged in a row immediately above the pixel area to be displayed. In addition, the second scan signal is a scan signal applied through the second scan line S [n-1].
즉, 상기 제 2 주사 신호는 상기 제 1 주사 신호가 인가되기 직전에 인접 화소에 인가되는 주사 신호이다. 즉, n x m 매트릭스 형태로 형성된 유기 발광 표시장치에서 주사 신호가 행 방향으로 차례로 인가될 때, 제 1 주사 신호가 n 번째 행에 배열된 화소들의 화소 회로에 인가되는 주사 신호이면, 제 2 주사 신호는 상기 제 1 주사 신호가 인가되는 화소들 바로 위인 n-1 번째 행에 배열된 화소들의 화소 회로에 인가되는 주사 신호이다. 상기 n이 1인 경우, 즉 가장 위에 배열된 화소 회로의 경우, 상기 제 2 주사 신호는 가장 아래인 n 번째 행에 배열된 화소에 인가되는 주사 신호일 수 있다.That is, the second scan signal is a scan signal applied to an adjacent pixel immediately before the first scan signal is applied. That is, when the scan signals are sequentially applied in the row direction in the organic light emitting diode display formed in the form of nxm matrix, if the first scan signal is a scan signal applied to the pixel circuits of the pixels arranged in the nth row, the second scan signal is A scan signal is applied to a pixel circuit of pixels arranged in an n−1 th row that is directly above the pixels to which the first scan signal is applied. When n is 1, that is, in the case of the topmost pixel circuit, the second scan signal may be a scan signal applied to the pixel arranged in the bottom nth row.
상기 언급한 본 실시예에 따른 구동회로의 동작을 살펴보면, 제 1 주사 신호에 의하여 상기 제 2 트랜지스터(Tr2)가 온(ON) 되어짐으로써, 데이터 신호가 화소 회로로 인가된다. 상기 커패시터(C)는 상기 인가된 데이터 신호에 해당하는 데이터 전압을 일정 기간 유지한다. 상기 제 1 트랜지스터(Tr1)는 커패시터(C)의 양 전극 사이에 걸린 전압에 대응하는 전류를 상기 유기 발광 소자(OLED)로 공급한다.Referring to the operation of the driving circuit according to the above-described embodiment, the second transistor Tr 2 is turned on by the first scan signal, whereby a data signal is applied to the pixel circuit. The capacitor C maintains a data voltage corresponding to the applied data signal for a predetermined period of time. The first transistor Tr 1 supplies a current corresponding to the voltage applied between both electrodes of the capacitor C to the organic light emitting diode OLED.
한편, 상기 커패시터(C)에 데이터 전압이 저장된 후 상기 제 2 트랜지스터(Tr2)가 오프(OFF) 되는 경우에도, 상기 커패시터(C)에 저장된 데이터 전압에 대응하는 전류가 제 1 트랜지스터(Tr1)를 통해 유기 발광 소자(OLED)로 인가되어 상기 유기 발광 소자(OLED)는 소정의 기간 동안 발광을 유지하게 된다. 따라서 제 1 트랜지스터(Tr1)의 게이트 전극에는 상기 소정의 기간 동안 양의 전압 또는 음의 전압이 계속하여 인가된다.Meanwhile, even when the second transistor Tr 2 is turned off after the data voltage is stored in the capacitor C, a current corresponding to the data voltage stored in the capacitor C is applied to the first transistor Tr 1. The organic light emitting diode OLED is applied to the organic light emitting diode OLED to maintain light emission for a predetermined period of time. Therefore, a positive voltage or a negative voltage is continuously applied to the gate electrode of the first transistor Tr 1 during the predetermined period.
상기 제 1 주사 신호가 인가되어 소정 기간 동안 발광한 후, 다음 주기의 제 1 주사 신호가 상기 제 2 트랜지스터(Tr2)에 인가되기 전에 상기 제 3 트랜지스터(Tr3)의 게이트 전극에 제 2 주사 신호가 인가된다. 상기 제 2 주사 신호에 의하여 상기 제 3 트랜지스터(Tr3)가 온(ON) 되면, 상기 제 3 트랜지스터(Tr3)의 제 2 전극에 연결된 접지 전압에 의하여 상기 커패시터(C)가 방전된다. 즉, 커패시터(C)에 저장된 전하가 모두 방출되어 제 1 트랜지스터(Tr1)의 게이트 전극에 인가되는 전압이 제거된다.After the first scan signal is applied and emits light for a predetermined period, a second scan is performed on the gate electrode of the third transistor Tr 3 before the first scan signal of the next period is applied to the second transistor Tr 2 . Signal is applied. When the third transistor Tr 3 is turned on by the second scan signal, the capacitor C is discharged by a ground voltage connected to the second electrode of the third transistor Tr 3 . That is, all of the charges stored in the capacitor C are released to remove the voltage applied to the gate electrode of the first transistor Tr 1 .
상기 언급한 바와 같이, 유기 발광 소자(OLED)의 발광이 종료하는 시점에 제 2 주사 신호를 제 3 트랜지스터(Tr3)에 인가하여 제 1 트랜지스터(Tr1)의 게이트 전압에 가해지는 전압 스트레스를 제거함으로 인하여, 구동 트랜지스터인 제 1 트랜지스터(Tr1)의 열화를 방지하고 문턱 전압의 시프트를 방지하여 일정한 휘도의 화면을 제공할 수 있게 된다. 또한 제 1 트랜지스터(Tr1)의 열화를 방지함으로 인하여 화소 회로의 수명을 늘릴 수 있게 된다.As mentioned above, the second scan signal is applied to the third transistor Tr 3 at the end of the light emission of the organic light emitting diode OLED to apply the voltage stress applied to the gate voltage of the first transistor Tr 1 . Due to the removal, the degradation of the first transistor Tr 1 , which is the driving transistor, and the shift of the threshold voltage can be prevented, thereby providing a screen having a constant luminance. In addition, since the degradation of the first transistor Tr 1 may be prevented, the lifetime of the pixel circuit may be increased.
한편, 유기 발광 표시장치는 화소 회로를 포함하는 화소 영역과, 상기 화소 영역의 외부에 구비되며, 상기 화소 회로를 구동하는 구동회로를 구비하는 비화소 영역으로 이루어질 수 있다.The organic light emitting diode display may include a pixel area including a pixel circuit and a non-pixel area provided outside the pixel area and including a driving circuit for driving the pixel circuit.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시장치에서는 유기 발광 소자(OLED), 제 1 트랜지스터(Tr1), 제 2 트랜지스터(Tr2), 커패시터(C) 및 제 3 트랜지스터(Tr3)가 모두 상기 화소 영역에 포함된다. 상기 화소 영역에 제 3 트랜지스터(Tr3)를 포함하는 경우, 상기 유기 발광 표시장치는 전면발광 방식에 의하는 것이 바람직하다. 본 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 화소 회로는 일반적인 화소 회로 구조인 2 트랜지스터 1 캐패시터 구조에 의한 화소 회로보다 화소 영역에 하나의 트랜지스터가 더 구비되어 있으므로 배면발광 방식에 의할 경우 개구율을 감소시킬 수 있기 때문이다. 따라서 본 실시예에 따른 유기 발광 표시장치는 전면발광 구조로 형성하여 화면을 디스플레이함으로 인하여 제 1 트랜지스터(Tr1)의 열화를 방지함과 동시에 개구율의 감소를 방지할 수 있게 된다.In the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment, the organic light emitting diode OLED, the first transistor Tr 1 , the second transistor Tr 2 , the capacitor C, and the third transistor Tr 3 all have the pixel area. Included in When the third transistor Tr 3 is included in the pixel area, the organic light emitting diode display may be based on a top emission method. Since the pixel circuit of the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment includes one transistor in the pixel region than the pixel circuit having the two transistor one capacitor structure, which is a general pixel circuit structure, the aperture ratio of the organic light emitting display may be reduced. Because it can. Therefore, the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment has a front light emitting structure and displays the screen, thereby preventing deterioration of the first transistor Tr 1 and at the same time preventing a decrease in the aperture ratio.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 화소 회로의 회로도이다. 도 4에 따른 유기 발광 표시장치의 화소 회로의 실시예에서는 도 3에 따른 화소 회로와 구성 및 연결관계가 동일하다. 다만, 제 3 트랜지스터(Tr3)가 상기 비화소 영역에 포함되는 것을 특징으로 한다.4 is a circuit diagram of a pixel circuit of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present invention. In the embodiment of the pixel circuit of the organic light emitting diode display of FIG. 4, the configuration and the connection relationship of the pixel circuit of FIG. 3 are the same. However, the third transistor Tr 3 may be included in the non-pixel region.
상기 제 3 트랜지스터(Tr3)가 화소 영역에 포함되지 않으므로 인하여 본 실시예에 따른 유기 발광 표시장치는 전면발광 또는 배면발광 등의 발광방식에 상관없이 일반적인 2 트랜지스터 1 커패시터 구조에서의 개구율과 동일한 개구율을 가지도록 할 수 있다. 또한 도 3에 따른 실시예에서와 마찬가지로 제 2 주사 신호를 사용하여 제 1 트랜지스터(Tr1)에 가해지는 전압 스트레스를 제거함으로 인하여 상기 제 1 트랜지스터(Tr1)의 열화를 방지할 수 있게 된다.Since the third transistor Tr 3 is not included in the pixel region, the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment may have the same aperture ratio as that of the general two
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 화소 회로의 회로도이다. 도 5를 참조하면, 도 3 및 도 4와 마찬가지로 화소 회로는 유기 발광 소자, 제 1 트랜지스터(Tr1), 제 2 트랜지스터(Tr2), 커패시터(C) 및 제 3 트랜지스터(Tr3)를 포함한다.5 is a circuit diagram of a pixel circuit of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, similar to FIGS. 3 and 4, the pixel circuit includes an organic light emitting diode, a first transistor Tr 1 , a second transistor Tr 2 , a capacitor C, and a third transistor Tr 3 . do.
유기 발광 소자(OLED)는 애노드에 전원 전압이 인가된다. 또한 유기 발광 소자(OLED)의 캐소드는 제 1 트랜지스터(Tr1)의 제 1 전극과 전기적으로 연결된다.In the organic light emitting diode OLED, a power supply voltage is applied to the anode. In addition, the cathode of the organic light emitting diode OLED is electrically connected to the first electrode of the first transistor Tr 1 .
커패시터(C)의 제 1 전극은 제 1 트랜지스터(Tr1)의 게이트 전극에 연결되고, 상기 커패시터(C)의 제 2 전극은 제 1 트랜지스터(Tr1)의 제 2 전극에 연결된다.A first electrode of the capacitor (C) is connected to the gate electrode of the first transistor (Tr 1), a second electrode of the capacitor (C) is connected to a second electrode of the first transistor (Tr 1).
제 1 트랜지스터(Tr1), 제 2 트랜지스터(Tr2) 및 제 3 트랜지스터(Tr3)의 연결관계는 도 3 또는 도 4에 따른 실시예에 의한 화소 회로와 동일하다.The connection relationship between the first transistor Tr 1 , the second transistor Tr 2 , and the third transistor Tr 3 is the same as the pixel circuit according to the embodiment of FIG. 3 or 4.
상기 제 3 트랜지스터(Tr3)는 화소 영역 밖에 구비된다.The third transistor Tr 3 is provided outside the pixel region.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시장치는 도 4와 마찬가지로, 제 1 트랜지스터(Tr1)에 가해지는 전압 스트레스를 저감시켜 열화를 방지하고, 화소 회로의 수명을 늘린다. 또한 기존의 화소 회로보다 하나의 트랜지스터가 더 추가되었음에도 불구하고 기존의 화소 회로와 동일한 개구율을 가질 수 있다.In the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment, similar to FIG. 4, the voltage stress applied to the first transistor Tr 1 is reduced to prevent deterioration and the life of the pixel circuit is increased. In addition, although one transistor is added to the conventional pixel circuit, the transistor may have the same aperture ratio as the conventional pixel circuit.
상기 도 3 내지 도 5에 의한 실시예에서, 상기 제 1 트랜지스터(Tr1), 제 2 트랜지스터(Tr2) 및 제 3 트랜지스터(Tr3)는 NMOS 트랜지스터로 이루어질 수 있다. 상기 제 1 트랜지스터(Tr1) 및 제 3 트랜지스터(Tr3)가 NMOS 트랜지스터인 경우, 상기 제 1 트랜지스터(Tr1)를 온(ON) 시키는 제 1 주사 신호 및 상기 제 2 트랜지스터(Tr3)를 온(ON) 시키는 제 2 주사 신호는 하이(high) 신호이다. 상기 유기 발광 소자(OLED)를 발광시키도록 선택된 화소에 인가되는 데이터 신호도 하이(high) 신호이다.3 to 5, the first transistor Tr 1 , the second transistor Tr 2 , and the third transistor Tr 3 may be NMOS transistors. When the first transistor Tr 1 and the third transistor Tr 3 are NMOS transistors, the first scan signal and the second transistor Tr 3 that turn on the first transistor Tr 1 are turned on. The second scan signal that turns ON is a high signal. The data signal applied to the pixel selected to emit the organic light emitting diode OLED is also a high signal.
한편 상기 제 1 트랜지스터(Tr1), 제 2 트랜지스터(Tr2) 및 제 3 트랜지스터(Tr3)는 산화물 TFT(Thin Film Transitor)로 형성하는 것이 가능하다. 산화물 TFT OLED 패널 생산공정은 기존의 실리콘을 이용한 것보다 제조공정이 단순해 제조원가를 크게 낮출 수 있다. 실리콘 대신 산화물에 반도체층을 증착하면 PE-CVD(화학기상증착기)와 같은 고온 증착공정을 하지 않고도 상온에서 바로 스퍼터로 박막을 증착할 수 있는 등 기존 실리콘 생산라인의 설비투자비를 크게 줄일 수 있기 때문이다. 또한 산화물 TFT는 비정질 실리콘(a-Si)의 장점인 전압 균일도와 저온폴리실리콘(LTPS)의 장점인 높은 전자 이동도를 구현할 수 있어 패널 수명 향상과 고해상도에 유리하다. 상기 산화물로서 ZnO 등이 사용될 수 있다.The first transistor Tr 1 , the second transistor Tr 2 , and the third transistor Tr 3 may be formed of an oxide thin film transistor (TFT). The production process of oxide TFT OLED panel is simpler than that of conventional silicon, which can greatly reduce the manufacturing cost. If the semiconductor layer is deposited on the oxide instead of the silicon, the equipment investment cost of the existing silicon production line can be greatly reduced, such as the deposition of the thin film directly by sputtering at room temperature without the high temperature deposition process such as PE-CVD (chemical vapor deposition). to be. In addition, the oxide TFT can realize voltage uniformity, which is an advantage of amorphous silicon (a-Si), and high electron mobility, which is an advantage of low temperature polysilicon (LTPS), which is advantageous in improving panel life and high resolution. ZnO or the like may be used as the oxide.
도 6은 도 3 내지 도 5에 도시된 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도이다. 도 6을 참조하면, 제 1 주사선(S[n]), 데이터선(D[m]), 제 2 주사선(S[n-1]) 및 노드 A의 전압 변화를 나타내고 있다.FIG. 6 is a driving waveform diagram for driving the pixel circuit shown in FIGS. 3 to 5. Referring to FIG. 6, voltage changes of the first scan line S [n], the data line D [m], the second scan line S [n-1], and the node A are shown.
제 1 구간(T1)에 제 1 주사 신호 및 데이터 신호가 동일한 타이밍에 화로 회로로 인가되어 커패시터에 상기 데이터 신호에 해당하는 데이터 전압을 충전한다.In the first period T1, the first scan signal and the data signal are applied to the brazier circuit at the same timing to charge the capacitor with a data voltage corresponding to the data signal.
제 2 구간(T2)에서는 상기 데이터 전압에 해당하는 전류가 제 1 트랜지스터(Tr1)에 의하여 유기 발광 소자(OLED)에 인가된다. 상기 인가되는 전류에 의하여 유기 발광 소자(OLED)는 빛을 발생시킨다.In the second period T2, a current corresponding to the data voltage is applied to the organic light emitting diode OLED by the first transistor Tr 1 . The OLED generates light by the applied current.
유기 발광 소자(OLED)가 일정 시간동안 발광한 후, 제 3 구간(T3)에서는 다음 주기의 제 1 주사 신호 및 데이터 신호가 인가되기 전에 제 2 주사 신호가 먼저 화소 회로에 인가된다. 상기 제 2 주사 신호에 따라서 상기 커패시터에 잔류한 전하가 방전된다. 즉, 상기 제 2 주사 신호가 인가되면 제 3 트랜지스터(Tr3)가 온(ON)되어 상기 제 3 트랜지스터(Tr3)의 제 1 전극과 제 2 전극이 도통되며, 따라서 상기 제 1 트랜지스터(Tr1)의 게이트 전극에 접지 전압이 인가된다.After the organic light emitting diode OLED emits light for a predetermined time, the second scan signal is first applied to the pixel circuit in the third section T3 before the first scan signal and the data signal of the next period are applied. The charge remaining in the capacitor is discharged in accordance with the second scan signal. That is, when the second scan signal is applied, the third transistor Tr 3 is turned on so that the first electrode and the second electrode of the third transistor Tr 3 are turned on, so that the first transistor Tr is turned on. The ground voltage is applied to the gate electrode of 1 ).
노드 A는 제 1 트랜지스터(Tr1)의 게이트 전극과 연결되는 노드이다. 상기 노드 A의 전압 변화를 살펴보면, 제 1 구간(T1)에서 데이터 신호에 해당하는 전압까지 상승하고, 제 2 구간(T2) 동안에 상기 노드 A의 전압이 약간 감소한다. 상기 제 2 구간(T2)이 종료되면 제 3 구간(T3)에서 노드 A에 접지 전압이 인가되어 상기 노드 A의 전압이 0이 된다. 즉, 제 1 트랜지스터(Tr1)의 게이트 전극에 가해지는 전압 스트레스가 제거된다.Node A is a node connected to the gate electrode of the first transistor Tr 1 . Looking at the voltage change of the node A, the voltage rises to the voltage corresponding to the data signal in the first period T1, and the voltage of the node A decreases slightly during the second period T2. When the second section T2 ends, the ground voltage is applied to the node A in the third section T3 so that the voltage of the node A becomes zero. That is, the voltage stress applied to the gate electrode of the first transistor Tr 1 is removed.
상기 제 1 구간(T1) 내지 제 3 구간(T3)의 반복에 의하여 제 1 트랜지스터(Tr1)의 게이트 전극에 가해지는 전압 스트레스를 제거하고, 열화를 방지하게 된다.By repetition of the first section T1 to the third section T3, voltage stress applied to the gate electrode of the first transistor Tr 1 is eliminated and degradation is prevented.
도 7은 도 3에 따른 화소 회로를 포함하는 유기 발광 표시장치를 도시한 블록도이다.FIG. 7 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device including the pixel circuit of FIG. 3.
도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시장치(70)는 주사 구동부(72), 데이터 구동부(73) 및 화상 표시부(74)를 포함한다.Referring to FIG. 7, the organic light emitting
화상 표시부(74)는 n x m 개의 화소 영역(71), 행 방향으로 형성된 n개의 주사선(S[1]…S[n]), 열 방향으로 형성된 m개의 데이터선(D[1]…D[m]), 전원 전압선(VDD) 및 접지 전압선(VSS)을 포함한다.The
각 화소 영역(71)은 유기 발광 소자 및 화소 회로를 구비한다. 상기 화소 회로는 제 1 트랜지스터, 제 2 트랜지스터, 제 3 트랜지스터 및 커패시터를 포함한다. 주사선(S[1]…S[n])은 화소 영역(71)에 주사 신호를 전달한다. 또한, 데이터선(D[1]…D[m]) 및 전원선은 화소 영역(71)에 각각 데이터 신호 및 전원 전압을 전달한다.Each
주사 구동부(72)는 주사선(S[1]…S[n])에 주사 신호를 인가한다. 주사 신호는 주사선들에 순차적으로 인가되며, 상기 주사 신호들에 맞춰 데이터 신호가 화소 회로에 인가된다.The
데이터 구동부(73)는 데이터선(D[1]…D[m])에 데이터 신호를 인가한다. 데이터 신호는 데이터 구동부 내의 전압원 또는 전류원으로부터 출력될 수 있다.The
상술한 주사 구동부(72) 및/또는 데이터 구동부(73)는 디스플레이 패널과 같은 화상 표시부(74)에 와이어 본딩 등을 통해 전기적으로 연결될 수 있고, 또한 화상 표시부(74)에 접착되어 전기적으로 연결되는 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package: TCP) 등에 칩의 형태로 장착될 수도 있다. 또한, 주사 구동부(72) 및/또는 데이터 구동부(73)는 화상 표시부(74)에 접착되어 전기적으로 연결되는 연성 인쇄 회로 기판(flexible printed circuit: FPC) 또는 필름 등에 칩 형태로 장착될 수 있는데, 이러한 구조를 통상 COF(chip on film) 방식이라고 한다. 또한, 스캔 구동부(72) 및/또는 데이터 구동부(73)는 화상 표시부(74)의 유리 기판 위에 직접 장착될 수 있으며, 유리 기판 위에 주사선, 데이터선 및 TFT와 동일한 층들로 형성되어 있는 구동 회로 내에 장착될 수도 있다.The above-described
전원 전압선(VDD) 및 접지 전압선(VSS)은 공통 전극에 의하여 일괄적으로 화상 표시부(74)의 화소 영역(71)들에 제공될 수 있다. 또는 별도의 배선을 형성하여 상기 화소 영역(71)들에 제공될 수도 있다.The power supply voltage line V DD and the ground voltage line V SS may be provided to the
또한 도 7에 도시된 주사선들에 있어서, 가장 위에 형성된 주사선(S[n])은 가장 아래에 형성된 주사선(S[n])과 동일한 선일 수 있다. 또는 가장 아래에 형성된 주사선(S[n])과 동일한 주사 신호가 인가되는 새로운 선을 첫 번째 행에 배열된 화소 영역에 주사 신호를 인가하는 주사선(S[1]) 위에 별도로 형성할 수도 있을 것이다.In addition, in the scan lines illustrated in FIG. 7, the scan line S [n] formed at the top may be the same line as the scan line S [n] formed at the bottom. Alternatively, a new line to which the same scan signal as the scan line S [n] formed at the bottom is applied may be separately formed on the scan line S [1] to apply the scan signal to the pixel area arranged in the first row. .
도 8은 도 4에 따른 화소 회로를 포함하는 유기 발광 표시장치를 도시한 블록도이다.FIG. 8 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device including the pixel circuit of FIG. 4.
도 8을 참조하면, 도 7과 마찬가지로 유기 발광 표시장치(80)는 주사 구동부(82), 데이터 구동부(83) 및 화상 표시부(84)를 포함한다.Referring to FIG. 8, similar to FIG. 7, the organic light emitting
한편, 상기 화상 표시부(84)에 포함된 복수의 화소 영역(81)들은 제 3 트랜지스터(Tr3)를 포함하지 않는다. 도 8에서 나타난 바와 같이 제 3 트랜지스터(Tr3)들은 주사 구동부(82)와 상기 화소 영역(81) 사이에 구비될 수 있다.Meanwhile, the plurality of
도 8과 같이 제 3 트랜지스터(Tr3)가 주사 구동부(82)와 화소 영역(81) 사이에 구비되는 경우, 트랜지스터의 개수를 감소시킬 수 있다. 도 7과 같이 제 3 트랜지스터(Tr3)가 화소 영역 내부에 포함되는 경우에는 각 화소 영역마다 제 3 트랜지스터(Tr3)를 구비하여야 하므로 총 n x m 개의 트랜지스터를 형성하여야 한다. 그러나 도 8과 같이 동일한 주사 신호가 인가되는 동일한 행의 화소 영역(81)들이 하나의 제 3 트랜지스터(Tr3)를 공동으로 사용하는 경우, 행의 개수인 n 개의 트랜지스터만 필요하다.As shown in FIG. 8, when the third transistor Tr 3 is provided between the
가장 위에 구비된 제 3 트랜지스터(Tr3)에 연결되는 주사선(S[n])은 도 7에서와 마찬가지로 가장 아래에 구비된 주사선과 동일한 주사선을 표시한 것일 수 있다. 또는 가장 아래의 주사선과는 별도의 주사선이나 동일한 주사 신호가 인가되는 것일 수도 있다.As illustrated in FIG. 7, the scan line S [n] connected to the third transistor Tr 3 provided at the top may display the same scan line as the scan line provided at the bottom. Alternatively, a separate scan line or the same scan signal may be applied to the bottom scan line.
이와 같이, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시장치는 구동 트랜지스터인 제 1 트랜지스터의 열화를 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 제 3 트랜지스터(Tr3)를 비화소 영역에 구비함으로 인하여 필요한 트랜지스터의 개수를 감소시킬 수 있게 된다.As described above, the organic light emitting diode display according to the present embodiment not only prevents deterioration of the first transistor, which is a driving transistor, but also reduces the number of transistors required by providing the third transistor Tr 3 in the non-pixel region. You can do it.
상기 발명의 상세한 설명과 도면은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 따라서 이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 기술적 보호 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.The above detailed description and drawings are merely exemplary of the present invention, but are used only for the purpose of illustrating the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention as defined in the meaning or claims. Therefore, those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical protection scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.
Claims (13)
상기 충전된 전압에 대응하는 전류를 제1트랜지스터를 통해 유기 발광 소자로 인가하여 상기 유기 발광 소자를 발광시키는 단계; 및
제2주사신호에 의해 제3트랜지스터를 온 시켜 상기 커패시터의 일 단자에 접지 전압을 인가하여 상기 커패시터에 잔류하는 전하를 방전시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 구동방법.Turning on the second transistor by the first scan signal to receive a data signal, and charging a capacitor with a voltage corresponding to the data signal;
Illuminating the organic light emitting device by applying a current corresponding to the charged voltage to the organic light emitting device through a first transistor; And
And turning on the third transistor by the second scan signal to apply a ground voltage to one terminal of the capacitor to discharge the charge remaining in the capacitor.
상기 제2주사신호는 상기 제1주사신호가 인가되기 직전에 인접 화소에 인가되는 주사 신호인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 구동방법.The method of claim 1,
And the second scan signal is a scan signal applied to an adjacent pixel immediately before the first scan signal is applied.
상기 인접 화소는 이전 행의 화소인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 구동방법.The method of claim 2,
And the adjacent pixels are pixels of a previous row.
상기 제1 내지 제3트랜지스터들은 NMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 구동방법.The method of claim 1,
And the first to third transistors are NMOS transistors.
상기 제1 내지 제3트랜지스터들은 산화물 TFT인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 구동방법.The method of claim 1,
And the first to third transistors are oxide TFTs.
전원 전압이 인가되는 제1전극, 상기 유기 발광 소자에 전기적으로 연결되는 제2전극, 및 게이트 전극을 구비하는 제1트랜지스터;
데이터 신호가 인가되는 제1전극, 상기 제1트랜지스터의 상기 게이트 전극에 연결되는 제2전극, 및 제1주사신호가 인가되는 게이트 전극을 구비하는 제2트랜지스터;
상기 제1트랜지스터의 상기 게이트 전극에 연결되는 제1단자, 및 상기 제1트랜지스터의 상기 제1전극에 연결되는 제2단자를 구비하는 커패시터; 및
상기 제1트랜지스터의 게이트 전극에 연결되는 제1전극, 접지 전압이 인가되는 제2전극, 및 제2주사신호가 인가되는 게이트 전극을 구비하고, 상기 제2주사신호에 의해 온 되면 상기 커패시터의 상기 제1단자에 상기 접지 전압을 인가하여 상기 커패시터에 잔류하는 전하를 방전하는 제3트랜지스터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.Organic light emitting device;
A first transistor having a first electrode to which a power voltage is applied, a second electrode electrically connected to the organic light emitting element, and a gate electrode;
A second transistor having a first electrode to which a data signal is applied, a second electrode connected to the gate electrode of the first transistor, and a gate electrode to which a first scan signal is applied;
A capacitor having a first terminal connected to the gate electrode of the first transistor and a second terminal connected to the first electrode of the first transistor; And
A first electrode connected to the gate electrode of the first transistor, a second electrode to which a ground voltage is applied, and a gate electrode to which a second scan signal is applied, and when turned on by the second scan signal, And a third transistor configured to discharge the charge remaining in the capacitor by applying the ground voltage to the first terminal.
상기 제 2 주사 신호는 상기 제 1 주사 신호가 인가되기 직전에 인접 화소에 인가되는 주사 신호인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 6,
And the second scan signal is a scan signal applied to an adjacent pixel immediately before the first scan signal is applied.
상기 인접 화소는 이전 행의 화소인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 7, wherein
And the adjacent pixels are pixels of a previous row.
상기 유기 발광 표시 장치는 화소 회로를 포함하는 화소 영역; 및
상기 화소 영역의 외부에 구비되며, 상기 화소 회로를 구동하는 구동회로를 구비하는 비화소 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 6,
The organic light emitting diode display may include a pixel area including a pixel circuit; And
And a non-pixel area disposed outside the pixel area and including a driving circuit for driving the pixel circuit.
상기 유기 발광 표시장치는 전면발광 구조인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치.The method of claim 10,
The organic light emitting diode display may have a top light emitting structure.
상기 제1 내지 제3트랜지스터들은 NMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 6,
The first to third transistors are NMOS transistors.
상기 제1 내지 제3트랜지스터들은 산화물 TFT인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 6,
The first to third transistors are oxide TFTs.
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