KR20100026465A - 플라즈마 디스플레이 장치 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 스캔 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 상기 스캔 전극에 충전된 전압으로 서스테인 신호를 공급하는 스캔 구동부를 포함하며, 상기 스캔 구동부는 상기 서스테인 신호의 전압이 서스테인 전압으로 유지되는 전압 유지 기간에 제1 기준 전압을 공급하고, 상기 서스테인 신호의 전압 하강 기간에 상기 제1 기준 전압보다 낮은 제2 기준 전압을 공급하는 전압 보상부를 포함한다.
플라즈마, 서스테인 신호, 서스테이너

Description

플라즈마 디스플레이 장치{PLASMA DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 장치는 화상을 표시하는 플라즈마 디스플레이 장치와 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키기 위한 구동부가 플라즈마 디스플레이 패널의 배면에 부착되어 형성된다.
플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 표시되는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)의 전면기판과 후면기판 사이에 형성된 격벽에 의해 형성된 복수의 방전 셀을 가지는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온 및 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논을 함유하는 불활성 가스가 충전되어 있다. 이러한 방전 셀들은 복수 개가 모여 하나의 픽셀(Pixel)을 이룬다. 예컨대 적색 방전 셀, 녹색 방전 셀, 청색 방전 셀이 모여 하나의 픽셀을 이룬다.
플라즈마 디스플레이 패널 내부에서 고주파 전압에 의해 방전이 일어날 때, 플라즈마 디스플레이 패널의 내부에 충진된 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현 된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 표시장치로서 각광받고 있다.
본 발명은 구동 회로의 스트레스를 줄일 수 있는 플라즈마 디스플레이 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 스캔 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 상기 스캔 전극에 충전된 전압으로 서스테인 신호를 공급하는 스캔 구동부를 포함하며, 상기 스캔 구동부는 상기 서스테인 신호의 전압이 서스테인 전압으로 유지되는 전압 유지 기간에 제1 기준 전압을 공급하고, 상기 서스테인 신호의 전압 하강 기간에 상기 제1 기준 전압보다 낮은 제2 기준 전압을 공급하는 전압 보상부를 포함한다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 서스테이너의 기준 전압을 변경함으로써 구도 회로의 스트레스를 줄일 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있 다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치를 나타낸 것이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 신호를 나타낸다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 플라즈마 디스플레이 패널(100), 스캔 구동부(110), 서스테인 구동부(120) 및 데이터 구동부(130)를 포함한다.
플라즈마 디스플레이 패널(100)은 소정 간격만큼 거리를 두고 결합된 상부 패널(미도시)과 하부 패널(미도시)을 포함한다. 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 상부 패널은 서로 나란한 스캔 전극(Y1~Yn)과 서스테인 전극(Z1~Zn)을 포함하고, 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 하부 패널은 스캔 전극(Y1~Yn) 및 서스테인 전극(Z1~Zn)과 교차하는 데이터 전극(X1~Xm)을 포함한다. 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 스캔 전극(Y1~Yn) 및 서스테인 전극(Z1~Zn)과, 데이터 전극(X1~Xm)이 교차하는 영역에 해당하는 방전 셀(C)을 포함한다.
스캔 구동부(110)는 리셋 기간의 셋업 기간에 1 전압(V1)까지 점진적으로 상승하는 셋업 신호를 스캔 전극(Y1~Yn)에 공급한다. 셋업 신호의 공급에 따라 스캔 전극(Y1~Yn) 상에는 충분한 벽전하가 형성된다.
셋업 신호의 공급 후 스캔 구동부(110)는 제2 전압(V2)까지 점진적으로 하강하는 셋다운 신호를 스캔 전극(Y1~Yn)에 공급한다. 이에 따라 스캔 전극(Y1~Yn) 상 에는 셋업 기간에 형성된 벽전하 중 일부가 소거되어 어드레스 방전이 일어나기에 적당한 벽전하가 형성된다.
어드레스 기간에 스캔 구동부(110)는 스캔 전압(-Vy)까지 하강하는 스캔 신호를 스캔 전극(Y1~Yn)에 공급하고, 데이터 구동부(130)는 데이터 전압(Vd)까지 상승하는 데이터 신호를 데이터 전극(X1~Xm)에 공급한다. 이에 따라 빛을 방출할 방전 셀을 선택하기 위한 어드레스 방전이 일어난다.
서스테인 구동부(120)는 어드레스 기간에 서스테인 바이어스 전압(Vbias)을 서스테인 전극(Z1~Zn)에 공급함으로써 스캔 전극(Y1~Yn)과 데이터 전극(X1~Xn) 사이의 어드레스 방전이 원활하게 이루어지도록 한다. 서스테인 바이어스 전압(Vbias)은 셋다운 기간과 어드레스 기간에 공급될 수도 있다.
서스테인 기간에 스캔 구동부(110)와 서스테인 구동부(120)는 선택된 방전 셀로부터 빛을 방출시키기 위하여 스캔 전극(Y1~Yn) 및 서스테인 전극(Z1~Zn)의 전압차가 서스테인 전압(Vs)이 되도록 하는 서스테인 신호를 공급한다.
본 발명의 실시예에서 스캔 구동부(110)는 서스테인 신호의 공급시 기준 전압을 변경한다. 기준 전압의 변경에 대해서는 다음의 도면을 참조하여 상세히 설명된다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 스캔 구동부를 나타낸다. 도 3에 도시된 바와 같이, 스캔 구동부(110)는 서스테이너(sustainer)(111), 셋업 신호 공급부(113), 셋다운 신호 공급부(115), 스캔 신호 공급부(117) 및 스캔 드라이버(119)를 포함한다.
서스테이너(111)는 서스테인 신호와, 서스테인 신호의 최고 전압인 서스테인 전압을 공급한다. 서스테이너(111)는 인덕터(L)와 플라즈마 디스플레이 패널의 (Cp)의 공진을 통하여 캐패시터(C)에 저장된 에너지를 플라즈마 디스플레이 패널(Cp)에 공급하고 플라즈마 디스플레이 패널(Cp)로부터 에너지를 캐패시터(C)로 회수한다. 제3 스위치(S3)는 에너지가 공급될 때 턴온되고, 제4 스위치(S4)는 에너지가 회수될 때 턴온된다.
또한 서스테이너(111)는 전압 보상부(310)를 포함하며 서스테인 신호의 공급시 기준 전압을 변경함으로써 전압을 보상한다. 서스테이너(111)의 전압 보상부(310)는 이후에 상세히 설명된다.
셋업 신호 공급부(113)는 캐패시터(Csetup)와 셋업 스위치(Ssetup)를 포함한다. 캐패시터(Csetup)는 셋업 전압(Vsetup)을 충전하고 있으므로 서스테이너(111)로부터 서스테인 전압(Vs)을 공급받고 셋업 스위치(Ssetup)가 턴온되면, 서스테인 전압(Vs)부터 셋업 신호의 최고 전압(Vs+Vsetup)까지 점진적으로 상승하는 셋업 신호가 스캔 드라이버(119)를 통하여 스캔 전극에 공급된다. 이 때 셋업 스위치(Ssetup)는 액티브 영역에서 동작하며 셋업 스위치(Ssetup)와 연결된 가변 저항(Rv)에 의하여 셋업 신호의 기울기가 결정된다.
셋다운 신호 공급부(115)는 셋업 신호의 공급 후 셋다운 기간에 셋다운 전압(-Vstd)까지 점진적으로 하강하는 셋다운 신호를 공급한다. 셋다운 신호 공급부(115)는 셋다운 신호의 공급을 위하여 셋다운 스위치(Sstd)를 포함한다. 이 때 셋다운 스위치(Sstd)는 액티브 영역에서 동작하며 셋다운 스위치(Sstd)와 연결된 가변 저항(Rv)에 의하여 셋다운 신호의 기울기가 결정된다.
서스테이너(111)는 셋업 신호와 셋다운 신호의 공급 사이에 제4 스위치(S4)를 턴온한 후 그라운드 전압(GND)을 공급하는 제2 스위치(S2)를 턴온할 수 있다. 이에 따라 플라즈마 디스플레이 패널(Cp)로부터 에너지가 캐패시터(C)로 회수된 후 그라운드 전압(GND)이 스캔 전극에 공급된다. 이와 같이 셋업 신호와 셋다운 신호의 공급 사이에 에너지의 회수 과정 없이 그라운드 레벨의 전압이 공급되면, 스캔 전극의 전압이 셋업 전압에서 그라운드 전압(GND)으로 급격하게 변하므로 노이즈가 발생할 수 있다. 따라서 에너지가 회수된 후 그라운드 전압이 공급되어 스캔 전극의 전압이 점진적으로 변하므로 노이즈가 줄어든다.
스캔 신호 공급부(117)는 어드레스 기간에 빛을 방출할 방전 셀을 선택하기 위한 스캔 신호를 공급한다. 이를 위하여 스캔 신호 공급부(117)는 스캔 스위치(Sscan)를 포함한다. 스캔 스위치(Sscan)가 턴온되면 스캔 전압(-Vy)이 스캔 전극에 공급된다.
스캔 드라이버(119)는 탑 스위치(St)와 바텀 스위치(Sb)를 포함하며, 스캔 구동부에서 공급되는 다양한 구동 신호를 스캔 전극에 공급한다.
서스테이너(111)는 서스테인 기간에 서스테인 신호를 공급한다. 앞서 설명된 바와 같이 셋업 신호와 셋다운 신호의 공급 사이에서 에너지가 서스테이너(111)의 캐패시터로 회수될 수 있으므로 서스테이너(111)의 캐패시터(C)는 Vs/2 보다 큰 전압을 충전할 수 있다. 이와 같이 캐패시터(C)가 Vs/2 보다 큰 전압을 충전할 경우 서스테이너(111)가 서스테인 신호의 공급을 위하여 에너지를 회수하는 과정에서 스 트레스를 받을 수 있다.
즉, 도 4의 (a)는 캐패시터(C)가 서스테인 전압의 1/2배를 충전했을 때의 서스테인 신호를 나타내고, 도 4의 (b)는 캐패시터(C)가 서스테인 전압의 1/2배보다 큰 전압(1/2Vs+VB)을 충전했을 때의 서스테인 신호를 나타낸다.
도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 제3 스위치(S3)의 턴온에 의하여 캐패시터(C)의 에너지가 인덕터(L)을 통하여 플라즈마 디스플레이 패널(Cp)로 공급될 경우, 캐패시터(C)에 서스테인 전압(Vs)의 1/2배보다 큰 전압(1/2Vs+VB)이 충전되므로 인덕터(L)에 흐르는 전류(i)의 최대값(ib1)은 캐패시터(C)에 서스테인 전압의 1/2배가 충전될 때의 전류(i)의 최대값(ia1)보다 크다.
따라서 에너지의 공급시 스캔 전극의 전압은 2*(1/2Vs+VB)까지 상승할 수 있으나 서스테인 방전을 위해 필요한 전압은 서스테인 전압(Vs) 이상이면 되므로 스캔 전극의 전압은 2*(1/2Vs+VB)까지 상승하기 전에 제1 스위치(S1)가 턴온된다. 이에 따라 캐패시터(C)에 서스테인 전압의 1/2배보다 큰 전압이 충전될 때의 전압 상승 기간(Tup_b)이 서스테인 전압의 1/2배가 충전될 때의 전압 상승 기간(Tup_a)보다 작다. 전압 상승 기간이 작아지므로 한정된 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 신호의 개수를 증가시킬 수 있다.
한편, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 제4 스위치(S4)의 턴온에 의하여 에너지가 인덕터(L)을 통하여 플라즈마 디스플레이 패널(Cp)로부터 캐패시터(C)로 회 수될 경우, 캐패시터(C)에 서스테인 전압의 1/2배보다 큰 전압(1/2Vs+VB)이 충전되므로 인덕터(L)에 흐르는 전류(i)의 최대값(ib2)은 캐패시터(C)에 서스테인 전압의 1/2배가 충전될 때의 전류의 최대값(ia2)보다 작다.
따라서 캐패시터(C)에 서스테인 전압의 1/2배보다 큰 전압(1/2Vs+VB)이 충전될 경우, 에너지의 회수시 스캔 전극의 전압이 그라운드 전압(GND)이 되기 이전에 인덕터(L)에 흐르는 전류(i)는 최소가 된다. 이와 같은 상태에서 제2 스위치(S2)가 턴온되므로 제2 스위치(S2)는 하드 스위칭(hard switching) 동작을 수행한다. 이에 따라 제2 스위치(S2)는 스트레스를 받게 되고 열이 많이 발생한다.
서스테이너(111)의 전압 보상부(310)는 캐패시터(C)에 충전된 전압의 기준 전압을 변경하여 캐패시터(C)에 과충전된 전압을 보상함으로써 제2 스위치(S2)가 받는 스트레스를 줄인다. 전압 보상부(310)의 동작은 도 3 및 도 5를 참조하여 상세히 설명된다. 도 5는 도 3의 스캔 구동부의 스위칭 타이밍을 나타낸다.
전압 보상부(310)는 스캔 전극의 전압이 점진적으로 하강하는 기간 동안에제1 기준 전압(Vref1) 보다 낮은 제2 기준 전압(Vref2)을 공급함으로써 캐패시터(C)에 과충전된 전압을 보상한다. 제1 기준 전압(Vref1)은 그라운드 전압(GND)일 수 있다. 전압 보상부(310)는 제1 기준 전압(Vref1)을 공급하는 제1 기준 스위치(Sref1)와 제2 기준 전압(Vref2)을 공급하는 제2 기준 스위치(Sref2)를 포함할 수 있다. 제1 기준 스위치(Sref1)와 제2 기준 스위치(Sref2)의 공통단은 서스테이너(111)의 캐패시터(C)에 연결된다.
도 5에 도시된 바와 같이, 전압 상승 기간 동안 제1 기준 스위치(Sref1)는 턴온되어 제1 기준 전압(Vref1)을 캐패시터(C)에 공급한다. 또한 제3 스위치(S3)가 턴온되어 과충전된 캐패시터(C)의 에너지는 인덕터(L)을 통하여 플라즈마 디스플레이 패널(Cp)에 공급된다.
전압 유지 기간 동안 제1 기준 스위치(Sref1)와 제3 스위치(S3)는 턴온 상태를 유지하고, 제1 스위치(S1)는 턴온된다. 이에 따라 스캔 전극의 전압은 서스테인 전압(Vs)으로 유지된다. 이 때, 전압 하강 기간 이전에 제1 기준 스위치(Sref1)는 턴오프되고, 제2 기준 스위치(Sref2)는 턴온된다. 전압 하강 기간에 제2 기준 스위치(Sref2)가 턴온되면 전압 하강 기간 중 제1 기준 스위치(Sref1)의 턴온 상태가 유지 되는 기간이 존재하므로 도 4의 (b)와 같이 하드 스위칭이 발생할 수 있다. 따라서 하드 스위칭을 막기 위하여 제2 기준 스위치(Sref2)는 전압 하강 기간 이전에 턴온된다.
또한 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 기준 스위치(Sref1)의 턴오프 후 소정 시간(t)이 지난 후 제2 기준 스위치(Sref2)가 턴온된다. 이와 같이 제1 기준 스위치(Sref1)와 제2 기준 스위치(Sref2)의 스위칭 동작이 동시에 이루어거나 제1 기준 스위치(Sref1)의 턴오프 이전에 제2 기준 스위치(Sref2)가 턴온되면, 제1 기준 스위치(Sref1)와 제2 기준 스위치(Sref2)가 단락될 수 있다. 따라서 제1 기준 스위치(Sref1)와 제2 기준 스위치(Sref2)의 스위칭 동작 사이에 소정 시간이 있으면 제1 기준 스위치(Sref1)와 제2 기준 스위치(Sref2)의 단락이 방지될 수 있다.
전압 하강 기간에 제1 스위치(S1)과 제3 스위치(S3)가 턴오프되고 제4 스위 치(S4)가 턴온된다. 또한 제2 기준 스위치(Sref2)는 턴온 상태를 유지한다. 이에 따라 캐패시터(C)의 한쪽 단(N1)에는 제1 기준 전압(Vref1)보다 낮은 제2 기준 전압(Vref2)가 공급되고, 캐패시터(C)는 과충전된 상태이므로 다른쪽 단(N2)의 전압은 캐패시터(C )에 충전된 전압보다 낮아지게 된다.
예를 들어, 캐패시터(C)에 1/2Vs보다 큰 전압(1/2Vs+VB)이 충전되고 제2 기준 전압(Vref2)이 -VB이면, 제2 기준 스위치(Sref2)의 턴온에 의하여 캐패시터(C)의 한쪽 단(N1)에 -VB가 공급되므로 캐패시터(C)의 다른쪽 단(N2)의 전압은 1/2Vs(=1/2Vs+VB-VB)가 된다.
이에 따라 제2 스위치(S2)는 전압 유지 기간 동안 하드 스위칭없이 턴온되어 그라운드 전압을 스캔 전극에 공급한다.
한편, 서브필드에 할당된 서스테인 신호의 개수가 작으면 도 5와 같은 스위칭 동작이 이루어질 수 있다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 서브필드(SF1)의 가중치가 제2 서브필드(SF2)의 가중치보다 작을 때 제1 서브필드(SF1)의 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 신호의 개수는 제2 서브필드(SF2)의 서스테인 기간에 공급되는 서스테인 신호의 개수보다 작다.
서스테인 기간 이전에 캐패시터(C)가 과충전 상태일지라도 공급되는 서스테인 신호가 증가하여 공진을 통한 에너지의 회수 및 공급 횟수가 증가하면 캐패시터(C)의 과충전 상태가 해소된다. 예를 들어, 서스테인 기간 이전에 캐패시터(C)에 충전된 전압이 1/2Vs+VB이더라도 에너지의 회수 및 공급 횟수가 증가하면 캐패시터(C)에 충전된 전압은 1/2Vs로 수렴된다.
따라서 캐패시터(C)의 과충전 상태가 해소되면 제2 기준 전압(Vref2)이 공급되지 않더라도 제2 스위치(S2)는 하드 스위칭없이 동작할 수 있다.
반면에 공급되는 서스테인 신호의 개수가 줄어들면 캐패시터(C)의 과충전 상태가 해소되기 어려우므로 도 5와 같은 스위칭 동작이 이루어짐으로써 하드 스위칭없이 서스테인 신호가 공급될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 다른 스캔 구동부를 나타내고, 도 7은 도 6의 스캔 구동부의 스위칭 타이밍을 나타낸다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 전압 보상부(310)는 제1 기준 전압(Vref1)보다 높은 제3 기준 전압(Vref3)을 공급하는 제3 기준 스위치(Sref3)를 더 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 기준 스위치(Sref1, Sref2, Sref3)의 공통단은 캐패시터(C)에 연결된다. 전압 보상부(310)를 제외한 나머지 구성 요소들에 대한 설명은 앞서 이루어졌으므로 생략된다.
도 7에 도시된 바와 같이, 전압 유지 기간 동안 제1 기준 스위치(Sref1) 및 제2 스위치(S2)는 턴온되어 스캔 전극에 그라운드 전압이 공급된다.
전압 상승 기간 동안에 제1 기준 스위치(Sref1)는 턴오프되고, 제3 기준 스위치(Sref3)는 턴온된다. 또한 제3 스위치(S3)가 턴온된다. 이 때 제1 기준 스위치(Sref1)와 제3 기준 스위치(Sref3)의 단락을 방지하기 위하여 제1 기준 스위 치(Sref1)는 턴오프되어 소정 시간(t1)이 지난 후에 제3 기준 스위치(Sref3)는 턴온된다.
이에 따라 캐패시터(C)의 한쪽 단(N1)에는 제1 기준 전압(Vref1)보다 높은 제3 기준 전압(Vref3)이 공급되므로 캐패시터(C)의 다른쪽 단(N2)의 전압은 캐패시터(C)에 충전된 전압보다 높아지게 된다.
예를 들어, 캐패시터(C)에 1/2Vs보다 큰 전압(1/2Vs+VB)이 충전되고 제3 기준 전압(Vref3)이 VB이면, 제3 기준 스위치(Sref3)의 턴온에 의하여 캐패시터(C)의 한쪽 단(N1)에 VB가 공급되므로 캐패시터(C)의 다른쪽 단(N2)의 전압은 1/2Vs+2VB가 된다.
이와 같이 캐패시터(C)의 다른쪽 단으로부터 공급되는 전압이 높아지므로 전압 상승 기간 동안 인덕터(L)와 플라즈마 디스플레이 패널(Cp)의 공지에 의하여 형성되는 스캔 전압의 전압은 충분히 서스테인 전압(Vs)에 도달할 수 있다. 따라서 향상된 서스테인 방전이 이루어질 수 있다.
전압 유지 기간 동안 제1 기준 스위치(Sref1)가 턴온되고 제3 기준 스위치(Sref3)는 턴오프된다. 또한, 제3 스위치(S3)는 턴온 상태를 유지하고, 제1 스위치(S1)는 턴온된다. 이에 따라 스캔 전극의 전압은 서스테인 전압(Vs)으로 유지된다. 마찬가지로 제1 기준 스위치(Sref1)와 제3 기준 스위치(Sref3)의 단락을 방지하기 위하여 제1 기준 스위치(Sref1)는 제3 기준 스위치(Sref3)의 턴오프 후 소정 시간(t2) 이후에 턴온된다.
이후 서스테이너(111)의 동작은 도 5를 통하여 설명되었으므로 생략된다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 신호를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 스캔 구동부를 나타낸다.
도 4는 서스테이너의 캐패시터의 전압에 따른 서스테인 신호를 나타낸 것이다.
도 5는 도 3의 스캔 구동부의 스위칭 타이밍을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 다른 스캔 구동부를 나타낸다.
도 7은 도 6의 스캔 구동부의 스위칭 타이밍을 나타낸다.

Claims (10)

  1. 스캔 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널; 및
    상기 스캔 전극에 충전된 전압으로 서스테인 신호를 공급하는 스캔 구동부를 포함하며,
    상기 스캔 구동부는
    상기 서스테인 신호의 전압이 서스테인 전압으로 유지되는 전압 유지 기간에 제1 기준 전압을 공급하고, 상기 서스테인 신호의 전압 하강 기간에 상기 제1 기준 전압보다 낮은 제2 기준 전압을 공급하는 전압 보상부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스캔 구동부는
    캐패시터를 포함하는 서스테이너와, 상기 캐패시터에 상기 제1 기준 전압 및 상기 제2 기준 전압을 공급하는 상기 전압 보상부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 캐패시터는 상기 서스테인 전압의 0.5배보다 높은 전압을 충전하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 전압 보상부는 상기 제1 기준 전압을 공급하도록 하는 제1 기준 스위치와 상기 제2 기준 전압을 공급하도록 하는 제2 기준 스위치를 포함하며,
    상기 제1 기준 스위치가 상기 전압 유지 기간에 턴오프된 후 소정 시간 이후에 상기 제2 기준 스위치가 턴온되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 기준 스위치와 상기 제2 기준 스위치의 공통단은 상기 캐패시터에 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제2 기준 스위치는 상기 전압 유지 기간에 턴온되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 스캔 구동부는 제2 서브필드에 비해서 가중치가 작은 제1 서브필드 동안에 상기 제1 기준 전압 및 상기 제2 기준 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 전압 보상부는 상기 서스테인 신호의 전압 상승 기간에 상기 제1 기준 전압보다 높은 제3 기준 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 프라즈마 디스플레이 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 전압 보상부는 상기 제1 기준 전압, 상기 제2 기준 전압 및 상기 제3 기준 전압을 각각 공급하도록 하는 제1 기준 스위치, 제2 기준 스위치, 및 제3 기준 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 기준 스위치가 턴오프되어 소정 시간 이후에 상기 제3 기준 스위치가 턴온되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
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