KR20100026102A - Method for growing nanostructure on tip and method for adhering material on tip - Google Patents
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Abstract
Description
본 개시(disclosure)는 대체로 팁 상에 나노구조물을 성장시키는 방법 및 팁 상에 물질을 부착시키는 방법에 관한 것이다The present disclosure generally relates to a method of growing nanostructures on a tip and a method of attaching material on the tip.
최근에 활발한 연구가 진행되고 있는 탄소나노튜브는 그 응용이 기대되고 있는 신물질 중의 하나이다. 탄소나노튜브를 전계 방출 장치의 전자 방출원으로 적용하는 연구는 그 응용 분야 중 하나에 해당된다. 전계 방출 장치는 전자 방출원 표면에 외부 전계를 인가하여 전자 방출원 표면의 전자를 양자역학적 터널링 현상에 의하여 외부로 방출하는 장치이다. 탄소나노튜브는 전도성 및 전계 집중 효과가 우수하고, 일함수가 낮아서 전계 방출 특성이 우수하다. 또, 탄소나노튜브는 내화학적 특성 및 기계적 강도가 우수하여 내구성이 좋은 전자 방출원을 제작할 수 있다.Carbon nanotubes, which are being actively researched recently, are one of the new materials that are expected to be applied. The application of carbon nanotubes as electron emission sources in field emission devices is one of its applications. The field emission device is a device that emits electrons on the surface of the electron emission source to the outside by quantum mechanical tunneling by applying an external electric field to the surface of the electron emission source. Carbon nanotubes have excellent conductivity and electric field concentration effects, and have a low work function, and thus have excellent field emission characteristics. In addition, carbon nanotubes are excellent in chemical resistance and mechanical strength, and thus can be fabricated as an excellent electron emission source.
최근에 Chem. Phys. Lett. 292, 567(1988)에서 J.Kong 등과 Chem. Phys Lett. 296, 195(1998)에서 J.Hafner 등에 의해 촉매로 금속인 Fe 및 Mo 또는 Fe 입 자들을 사용하고 열화학기상증착법을 적용하여 탄소나노튜브를 형성하는 방법이 보고되었다. Recently Chem. Phys. Lett. 292, 567 (1988), J. Kong et al. Chem. Phys Lett. In 296, 195 (1998), a method for forming carbon nanotubes by using Fe and Mo or Fe particles as metals as a catalyst and thermochemical vapor deposition was reported by J. Hafner et al.
그 이후로, 금속 촉매를 이용하여 전계 방출원으로서 탄소나노튜브를 음극 전극 상에 형성하는 방법이 연구되고 있다. Applied Phys. Lett. 90, 183109(2007)에서는 S.H. Heo 등에 의해 니켈 촉매를 사용하고 플라즈마-촉진 화학기상증착법을 적용하여 텅스텐 팁 위에 다중 벽 탄소나노튜브를 형성하는 방법이 개시되고 있다.Since then, a method of forming carbon nanotubes on a cathode electrode as a field emission source using a metal catalyst has been studied. Applied Phys. Lett. 90, 183109 (2007) to S.H. Heo et al. Disclose a method of forming multi-walled carbon nanotubes on a tungsten tip using a nickel catalyst and applying plasma-promoted chemical vapor deposition.
일 구현 예에 따른 팁 상에 나노구조물을 성장시키는 방법으로, 상기 나노구조물의 합성을 위한 촉매(catalyst for synthesizing the nanostructure)를 포함하는 용액을 세공(pore)을 통하여 노출시킨다. 상기 촉매를 상기 노출시킨 용액에서 상기 팁으로 전이시킨다. 상기 촉매를 이용하여 상기 팁 상에 상기 나노구조물을 성장시킨다.In a method of growing a nanostructure on a tip according to an embodiment, a solution containing a catalyst for synthesizing the nanostructure is exposed through a pore. The catalyst is transferred from the exposed solution to the tip. The nanostructure is grown on the tip using the catalyst.
또, 일 구현 예에 따른 팁 상에 물질을 부착시키는 방법으로, 상기 물질을 포함하는 용액을 세공(pore)을 통하여 노출시킨다. 상기 물질을 노출된 상기 용액에서 상기 팁으로 전이시킨다.In addition, by attaching a material on the tip according to an embodiment, the solution containing the material is exposed through a pore (pore). The material is transferred from the exposed solution to the tip.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 개시의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 개시된 기술은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 개시된 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면에서는 여러 층(또는 막), 영역 및 형상을 명확하게 표현하기 위하여 구조물들의 폭, 두께 또는 형상을 확대하여 나타낼 수도 있다. 층, 막, 영역 등의 부분이 다른 부분 “상부에 또는 위에”있다고 할 때, 이는 다른 부분 “바로 상부에 또는 바로 위에”있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the disclosed technology is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to fully convey the spirit of the present disclosure to those skilled in the art. In the drawings, the width, thickness, or shape of structures may be enlarged in order to clearly express various layers (or layers), regions, and shapes. When a part of a layer, film, region, etc. is said to be "on or over" another part, this includes not only the other part "on or directly above" but also another part in the middle.
팁 상에 촉매를 부착시키는 방법How to attach catalyst on the tip
도 1은 일 실시 예에 있어서, 팁 상에 촉매를 형성하는 방법을 설명하는 흐름도이다. 도 1을 참조하면, 110 블록에서, 촉매를 포함하는 용액을 하나 이상의(one or more) 세공들(pores)을 통하여 노출시킨다. 상기 촉매는 나노구조물의 합성을 위한 촉매이다. 120 블록에서, 상기 촉매를 노출된 상기 용액으로부터 팁으로 전이시킴으로써, 상기 팁 상에 상기 촉매를 형성한다. 1 is a flowchart illustrating a method of forming a catalyst on a tip, according to one embodiment. Referring to FIG. 1, at 110 block, a solution comprising a catalyst is exposed through one or more pores. The catalyst is a catalyst for the synthesis of nanostructures. At 120 blocks, the catalyst is formed on the tip by transferring the catalyst from the exposed solution to the tip.
상기 방법을 이용하면, 상기 팁 상에 촉매가 형성되는 영역을 제어할 수 있다. 예로서, 상기 팁이 세공을 통하여 상기 용액과 접촉하는 경우에, 세공의 면적이 작아질수록 팁과 용액의 접촉 면적도 작아지고 따라서 팁 상에 촉매가 형성되는 영역도 작아진다. 또한, 상기의 방법을 이용하면, 포토리소그래피 공정이나, 진공 장비를 사용하는 공정과 같은 고비용의 공정이 요구되지 아니한다. Using this method, it is possible to control the area where the catalyst is formed on the tip. For example, when the tip contacts the solution through the pores, the smaller the area of the pores, the smaller the contact area between the tip and the solution, and thus the smaller the area on which the catalyst is formed. Further, using the above method, no expensive process such as a photolithography process or a process using vacuum equipment is required.
도 2 및 3은 일 실시 예에 있어서, 도 1의 110 블록에 도시된, 촉매를 포함하는 용액을 하나 이상의 세공을 통하여 노출시키는 공정을 설명하기 위한 도면이다. 박막(220)의 평면도 및 단면도를 각각 나타내는 도 2의 (a) 및 (b)를 참조하면, 하나 또는 그 이상의 세공(210)이 형성된 박막(220)을 제공한다. 세공(210)의 내면(211)은 친수성이고, 박막(220)의 상면(221)은 소수성일 수 있다. 또한, 박막(220)은 친수성 물질(223, 예컨대 AAO anodic aluminum oxide) 및 상기 친수성 물질(223) 상에 형성된 소수성 막(225)을 구비할 수 있다. AAO는 다양한 나노구조물들의 제조에 사용되고 있으며, 세공(210)의 크기 및 피치를 제어할 수 있다는 장점을 가진다. 소수성 막(225)은 일례로 탄화플루오르 막(fluorocarbon film)일 수 있다. 상기 탄화플루오르 막은 일례로 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)를 사용하여 상기 AAO 상에 형성될 수 있다. 탄화플루오르 막의 두께는 일례로 약 50nm 내지 약 100nm일 수 있다. 도면에는 세공(210)이 원형으로 표현되어 있으나, 도면과 달리 다각형 또는 타원 등의 다른 형태일 수 있다. 세공(210)은 일례로 나노세공들(nanopores)을 구비할 수 있다. 나노세공들은 지름(나노세공들의 단면이 원이 아닌 경우, 상기 단면의 테두리(circumference) 상의 점들 간의 최장 거리)이 나노 미터 단위 즉 1nm 이상이고 100 μm 미만인 세공들을 의미한다. 2 and 3 are diagrams for describing a process of exposing a solution including a catalyst through one or more pores, shown in
도 3을 참조하면, 금속 나노입자 형태의 촉매(310)를 포함하는 용액(320) 상에 세공(210)을 구비한 박막(220)을 띄운다. 세공(210)의 내면(211)은 친수성으로, 모세관 힘에 의하여 용액(320)이 세공(210)의 상부까지 올라갈 수 있고, 박막(220)의 상면(221)은 소수성므로, 용액(320)이 박막(220)의 상면(221)으로 퍼지는 것이 방지된다. 따라서, 액적(droplet) 형태의 용액(320)이 세공(210) 안에 안정적으로 존재할 수 있다. 상기 금속 나노입자 형태의 촉매(310)는 나노구조물의 합성을 위한 촉매로써, 일례로, 상기 나노구조물은 탄소 나노튜브이고, 금속 나노입자 형태의 촉매(310)로는 니켈, 코발트, 몰리브덴 및 철로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 들 수 있다. Referring to FIG. 3, a
도 4는 일 실시 예에 있어서, 도 1의 120 블록에 도시된, 촉매를 노출된 용액으로부터 팁으로 전이시키는 공정을 설명하기 위한 도면이다. 도 4를 참조하면, 팁(410)을 금속 나노입자 형태의 촉매(310)를 포함하는 용액(320)에 접촉시킴으로써, 용액(320)을 팁(410)에 부착시킨다. 팁(410)은 전도성 재질일 수 있으며, 일례 로서, 텅스텐, 니켈, 알루미늄, 몰리브텐, 탄탈륨, 니오븀 등과 같은 금속 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 4 is a diagram for describing a process of transferring a catalyst from an exposed solution to a tip, illustrated in
수산화 용액(예: 수산화 칼륨 또는 수산화 나트륨 용액) 내에서 금속 와이어를 전기화학적으로 식각함으로써, 뾰족한(sharp) 팁(410)을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 0.3mm의 지름을 가지는 텅스텐 와이어를 1.5 몰 농도의 수산화 칼륨 용액에 담고, 용액과 텅스텐 와이어 각각에 0V 및 30V의 전압들을 인가하는 전기화학적 식각 방식을 이용하여 뾰족한 텅스텐 팁을 형성한다. 이와 같은 방식으로 형성된 텅스텐 팁의 첨단의 곡률 반경(radius of curvature)은 일례로 250nm일 수 있다.The
용액(320)은 일 실시 예에서, 금속 나노입자(nanoparticle) 형태의 촉매(310)를 포함하는 콜로이드 용액(colloidal solution)일 수 있다. 상기 금속 나노입자는 일례로, 약 5nm 내지 약 20nm의 지름을 가질 수 있다. 다른 몇몇 실시 예들에서, 용액(320)은 일례로서, 유기 용매 또는 순수(deionized water)일 수 있다. 유기 용매는 일례로서, IPA(isopropyl alcohol) 또는 헥산(hexane)일 수 있다. 또, 다른 실시 예에서, 용액(320)은 금속 이온 형태의 촉매를 포함하는 전해질 용액일 수 있다. The
팁(410)을 용액(320)에 접촉시킨 후 이격하면, 금속 나노입자 형태의 촉매(310)을 포함하는 용액(320)중의 일부분이 팁(410)의 제한된 영역으로 전이되고, 이후의 건조 공정에 의하여 전이된 용액(320)이 증발되면, 전이된 용액(320) 내에 분산되어 있던 금속 나노입자 형태의 촉매(310)가 팁(410)에 부착된다.When the
도 4에 도시된 바와 같이, 팁(410)은 세공(210) 중 하나를 통하여 노출된 용액(320)과 접촉하기 때문에, 바로 용액(320)과 접촉하는 경우와는 달리 용액(320)은 팁(410)의 첨단(apex)의 제한된 영역(일례로 수 백 nm의 제곱)에만 접촉된다. 또한, 도면에 도시되지 않은 다른 실시 예에서, 팁(410)이 세공(210) 중 여러 개를 통하여 노출된 용액(320)과 접촉할 수 있으며, 이 경우에도 용액은 팁(410)의 첨단의 제한된 영역에 접촉할 수 있다.As shown in FIG. 4, the
이후에, 팁(410)에 부착된 용액(320)을 건조시킴으로써, 팁의 첨단의 제한된 영역에만 금속 나노입자 형태의 촉매(310)가 부착된 팁(410)을 얻을 수 있다. Thereafter, by drying the
도 5는 다른 실시 예에 있어서, 도 1의 120 블록에 도시된, 촉매를 노출된 용액으로부터 팁으로 전이시키는 공정을 설명하기 위한 도면이다. 도 5를 참조하면, 전기도금(electroplating)의 방법을 사용하여 금속 이온 형태의 촉매(510)가 녹아있는 전해질 용액(520)으로부터 금속 이온 형태의 촉매(510)를 팁(410)에 부착시키고, 환원시켜 금속 원소 형태의 촉매(530)을 형성할 수 있다. 상기 금속 이온 형태의 촉매(510)를 팁(410)에 부착시키고 환원시키는 공정은 동시에 진행될 수 있다. 상기 금속 이온 형태의 촉매(510)는 니켈 이온, 코발트 이온, 몰리브덴 이온 및 철 이온으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상의 금속 이온을 포함할 수 있다. FIG. 5 is a diagram for describing a process of transferring a catalyst from an exposed solution to a tip, shown in
보다 구체적으로, 팁(410)이 전해질 용액(520)과 접촉하고 있는 기간 중 적어도 일부분의 기간에 전해질 용액(520)과 팁(410)에 각각 제1 전압(V1) 및 제1 전압보다 낮은 레벨의 제2 전압(V2)을 인가한다. 이와 같이 전압들이 인가되면, 전해 질 용액(520)에 포함된 금속 이온 형태의 촉매(510)가 팁(410)에 부착되고, 전도성 재질인 팁(410)으로부터 전자를 수령하여, 금속 원소 형태의 촉매(530)로 환원된다. 전기도금의 방법을 사용하는 경우에, 전류 및 도금 시간을 제어함으로써 팁(410)에 부착 및 환원되는 촉매(530)의 양을 제어할 수 있다.More specifically, a level lower than the first voltage V1 and the first voltage in the
이후에, 팁(410)에 부착된 용액(520)을 건조시킴으로써, 팁의 첨단의 제한된 영역에만 촉매(530)가 부착된 팁(410)을 얻을 수 있다. Thereafter, by drying the
도 6은 또 다른 실시 예에 있어서, 도 1의 120 블록에 도시된, 촉매를 노출된 용액으로부터 팁으로 전이시키는 공정을 설명하기 위한 도면이다. 도 6을 참조하면, 먼저, 팁(410)을 용액(620)에 이격되게 배치한다. 용액(620)은 금속 이온 형태의 촉매(615)를 포함하는 전해질 용액일 수 있다. 금속 이온 형태의 촉매(615)는 니켈 이온, 코발트 이온, 몰리브덴 이온 및 철 이온으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상의 금속 이온을 포함할 수 있다. FIG. 6 is a view for explaining a process of transferring a catalyst from an exposed solution to a tip, shown in
도시된 바와 같이, 용액(620) 및 팁(410)에 각각 제1 전압(Va) 및 제2 전압(Vb)을 인가한다. 제2 전압(Vb)은 제1 전압(Va)보다 낮은 레벨을 가진다. 이와 같이 전압들을 인가하면, 용액(620)에 포함된 금속 이온 형태의 촉매(615)가 용액(620)으로부터 방출된다. 방출된 금속 이온 형태의 촉매(615)는 팁(610)에 부착되고, 전도성 재질인 팁(410)으로부터 전자를 수령하여, 금속 원소 형태의 촉매(630)로 환원된다. 제1 전압(Va)과 제2 전압(Vb) 사이의 요구되는 전압 차는 팁(410)과 용액(620) 사이의 거리가 증가함에 따라 증가된다. 일례로, 팁(410)과 용액(620)을 1μm 이격하고, 5V의 전압 차를 가지도록 제1 및 제2 전압들(Va, Vb) 을 인가할 수 있다. 전류 및 전압들(Va, Vb)을 인가하는 시간을 제어함으로써 팁(410)에 부착 및 환원되는 촉매(630)의 양을 제어할 수 있다.As shown, a first voltage Va and a second voltage Vb are applied to the
팁 상에 나노구조물을 성장시키는 방법How to grow nanostructures on tips
도 7은 일 실시 예에 있어서, 팁 상에 나노구조물을 성장시키는 방법을 설명하는 흐름도이다. 도 7을 참조하면, 710 블록에서, 상기 팁 상에 촉매를 부착시킨다. 본 실시예에 따른 팁 상에 촉매를 부착시키는 방법은 도 1 내지 도 6과 관련되어 상술된 본 개시의 일 실시예에 따른 팁 상에 촉매를 부착시키는 방법과 실질적으로 동일하다. 따라서, 상기 팁 상에 상기 촉매를 부착시키는 방법에 대한 상세한 설명은 중복을 피하기 위해 생략한다. 720 블록에서, 상기 촉매 입자를 이용하여 상기 팁 상에 상기 나노구조물을 성장시킨다. 7 is a flowchart illustrating a method of growing a nanostructure on a tip, according to one embodiment. Referring to FIG. 7, at 710, a catalyst is attached onto the tip. The method of attaching the catalyst on the tip according to this embodiment is substantially the same as the method of attaching the catalyst on the tip according to one embodiment of the present disclosure described above in connection with FIGS. 1 to 6. Therefore, detailed description of the method of attaching the catalyst on the tip is omitted to avoid duplication. In
도 8은 일 실시 예에 있어서, 도 7의 720 블록에 도시된, 촉매를 이용하여 팁 상에 나노구조물을 성장시키는 공정을 설명하기 위한 도면이다. 도 8을 참조하면, 도 1 내지 도 6과 관련되어 상술한 팁(410)의 첨단에 부착된 여러 형태의 촉매(310, 530 or 630)로부터 나노구조물(810)을 성장시킨다. 나노구조물(810)은 일례로 탄소나노튜브, 나노와이어 또는 나노로드를 포함할 수 있다. 이하, 나노구조물(810)의 일 실시 예로서 탄소나노튜브의 형성 방법을 기술한다. 편의상 도면에서, 상기 탄소나노튜브를 도면부호 810으로 도시하기로 한다.8 is a diagram for describing a process of growing a nanostructure on a tip using a catalyst, shown in
일 실시 예에 의하면, 탄화수소를 포함하는 반응 기체(830)를 촉매 입자(310, 530 or 630)에 도입하여, 촉매 입자(310, 530 or 630)로부터 탄소나노튜 브(810)를 형성한다. 탄화수소는 일산화탄소, 아세틸렌, 에틸렌, 에탄, 메탄, 프로판 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 탄소나노튜브(810)를 형성하는 방법은 일례로서, 열, 플라즈마 또는 마이크로웨이브를 에너지원으로 하는 화학기상증착법에 의해 수행될 수 있다. According to one embodiment, the
상기 탄화수소를 포함하는 반응 기체(830)는 촉매 입자(310, 530 or 630)상에서 일례로서, 상기 열, 플라즈마 또는 마이크로웨이브 등에 의해 분해된다. 분해된 반응 기체(830) 내 상기 탄화수소로부터 분리된 탄소 원자가 촉매 입자(310, 530 or 630) 내부로 확산되고, 상기 탄소 원자가 촉매 입자(310, 530 or 630) 내에 채워진다. 상기 탄소 원자가 촉매 입자(310, 530 or 630) 내의 탄소의 고용도를 초과하여 채워질 때 석출 반응이 일어난다. 상기 석출 반응에 의하여 상기 탄소 원자가 촉매 입자(310, 530 or 630) 밖으로 추출된다. 이때 상기 추출된 탄소 원자가 촉매 입자(310, 530 or 630)와의 계면에서 재배열되면서 팁(410) 상에서 탄소나노튜브(810)를 형성할 수 있다. 촉매 입자(310, 530 or 630)는 탄소나노튜브(810)가 형성된 이후에도, 탄소나노튜브(810)상에 잔존할 수 있다.The
탄소나노튜브(810) 이외의 나노구조물은 도 8과 관련하여 설명한 탄소나노튜브(810)의 형성 방법과 유사한 방법에 의해 형성될 수 있다. 즉, 상기 나노구조물에 대응하는 소정의 소스 가스가 금속 촉매 입자 상에 제공되고 분해될 수 있다. 상기 나노구조물은 상기 분해된 소스 가스와 상기 금속 촉매 입자 사이의 반응에 의해 형성될 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 탄화 실리콘 나노로드는 소스 가스로서, 기화된 C6H18Si2 가스를 사용하고, 상기 금속 촉매 입자로서 철 입자를 사용하 여 화학기상증착 방법에 의하여 형성할 수 있다. 다른 실시 예에 있어서, 산화 실리콘 나노와이어는 소스 가스로서 기화된 SiO 가스를 이용하고, 상기 금속 촉매 입자로서 철 입자를 사용하여 증발법(evaporation)에 의하여 형성할 수 있다.Nanostructures other than the
상술한 방법으로 팁(410) 상에 나노구조물(810)을 성장시키면, 촉매(310, 530, 630)가 부착되어 있는 제한된 영역의 팁(410)의 첨단에만 나노구조물(810)을 성장시킬 수 있다. By growing the
상기에서는 개시된 기술의 실시예를 바탕으로 상술하였으나, 해당 기술 분야의 당업자는 개시된 기술의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 개시된 기술을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 일례로, 도 1 내지 6에 표현된 팁 상에 촉매를 부착시키는 방법은 촉매 이외의 다른 물질을 팁 상에 부착하는 경우에도 적용될 수 있다. 상기 다른 물질은 예로서 유기물 또는 나노구조물(일례로 나노입자)일 수 있다. Although the above has been described above based on the embodiments of the disclosed technology, those skilled in the art will understand that various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the disclosed technology. As an example, the method of attaching a catalyst on the tip as shown in FIGS. 1 to 6 may also be applied when attaching a material other than the catalyst onto the tip. The other material may be, for example, an organic or nanostructure (eg nanoparticles).
도 1은 일 실시 예에 있어서, 팁 상에 촉매를 형성하는 방법을 설명하는 흐름도이다.1 is a flowchart illustrating a method of forming a catalyst on a tip, according to one embodiment.
도 2 및 3은 일 실시 예에 있어서, 도 1의 110 블록에 도시된, 촉매를 포함하는 용액을 하나 이상의 세공을 통하여 노출시키는 공정을 설명하기 위한 도면이다. 2 and 3 are diagrams for describing a process of exposing a solution including a catalyst through one or more pores, shown in
도 4는 일 실시 예에 있어서, 도 1의 120 블록에 도시된, 촉매를 노출된 용액으로부터 팁으로 전이시키는 공정을 설명하기 위한 도면이다. 4 is a diagram for describing a process of transferring a catalyst from an exposed solution to a tip, illustrated in
도 5는 다른 실시 예에 있어서, 도 1의 120 블록에 도시된, 촉매를 노출된 용액으로부터 팁으로 전이시키는 공정을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 5 is a diagram for describing a process of transferring a catalyst from an exposed solution to a tip, shown in
도 6은 또 다른 실시 예에 있어서, 도 1의 120 블록에 도시된, 촉매를 노출된 용액으로부터 팁으로 전이시키는 공정을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a view for explaining a process of transferring a catalyst from an exposed solution to a tip, shown in
도 7은 일 실시 예에 있어서, 팁 상에 나노구조물을 성장시키는 방법을 설명하는 흐름도이다.7 is a flowchart illustrating a method of growing a nanostructure on a tip, according to one embodiment.
도 8은 일 실시 예에 있어서, 도 7의 720 블록에 도시된, 촉매를 이용하여 팁 상에 나노구조물을 성장시키는 공정을 설명하기 위한 도면이다.8 is a diagram for describing a process of growing a nanostructure on a tip using a catalyst, shown in
Claims (21)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080084964A KR20100026102A (en) | 2008-08-29 | 2008-08-29 | Method for growing nanostructure on tip and method for adhering material on tip |
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KR1020080084964A KR20100026102A (en) | 2008-08-29 | 2008-08-29 | Method for growing nanostructure on tip and method for adhering material on tip |
Publications (1)
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KR20100026102A true KR20100026102A (en) | 2010-03-10 |
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KR1020080084964A KR20100026102A (en) | 2008-08-29 | 2008-08-29 | Method for growing nanostructure on tip and method for adhering material on tip |
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KR (1) | KR20100026102A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200124105A (en) | 2019-04-23 | 2020-11-02 | 연세대학교 산학협력단 | A tip in which spontaneously-aligned one dimensional nanostructure is exposed on the fractured surface by fracture mode control and method for manufacturing the same |
-
2008
- 2008-08-29 KR KR1020080084964A patent/KR20100026102A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
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KR20200124105A (en) | 2019-04-23 | 2020-11-02 | 연세대학교 산학협력단 | A tip in which spontaneously-aligned one dimensional nanostructure is exposed on the fractured surface by fracture mode control and method for manufacturing the same |
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