KR20100020831A - Back metal process chamber - Google Patents

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이성원
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Abstract

PURPOSE: A back metal process chamber is provided to minimize a particle inside a chamber by depositing a metal layer on the backside of a wafer. CONSTITUTION: A back metal chamber comprises an upper heater assembly(10), a lower heater assembly(20), and a vent(30). The upper heater assembly comprises a plate(11), a motor, upper heating lines(12,13), and a nitrogen spray ball(14). A wafer is settled in the plate. The motor turns the plate 360 up and down. The upper heating line heats the plate. A nitrogen spray ball sprays the nitrogen in order to isolating the wafer. The lower assembly comprises a metal source receiving portion(29), a heating units(21,22,23,24), and a lower part nitrogen spray ball. A vent discharges the residue of a process gas.

Description

백 메탈 공정챔버{Back metal process chamber}Back metal process chamber

본 발명은 웨이퍼 후면에 메탈층을 증착시키는 백 메탈 공정챔버에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 증발법을 이용하여 웨이퍼의 후면에 메탈층을 증착시킴에 있어서 메탈소스를 고르게 녹여 원활한 증발이 이루어지도록 하여 웨이퍼 후면에 메탈층이 균일하게 증착되도록 함과 아울러 공정챔버 내부의 잔류물이 외부로 원활하게 배출되도록 하는 백 메탈 공정챔버에 관한 것이다.The present invention relates to a back metal process chamber for depositing a metal layer on the back side of a wafer, and more particularly, in order to deposit a metal layer on the back side of a wafer by using an evaporation method, evenly dissolving a metal source to achieve evaporation. The present invention relates to a back metal process chamber which allows a metal layer to be uniformly deposited on a back surface of a wafer, and allows residues inside the process chamber to be smoothly discharged to the outside.

반도체 제조에 있어서 일반적인 금속화 기술을 물리적 기상 증착(PVD; Physical Vapor Deposition)이라 한다. PVD 기술은 연혁적으로 필라멘트 증발에 이어서 전자빔 증발, 최근에는 스퍼터링에 의해 수행되고 있다.A common metallization technique in semiconductor manufacturing is called physical vapor deposition (PVD). PVD technology has historically been carried out by filament evaporation followed by electron beam evaporation and more recently sputtering.

상기 PVD 기술의 변화는 박막의 특성과 품질제어의 개선을 가져왔다.The change in PVD technology has resulted in the improvement of the characteristics and quality control of the thin film.

반도체 공정의 SSI(Small Scale Integration)와 MSI(Medium Scale Integration) 시대에서는 증발법(evaporation)이 주된 금속화 공정 기술이었다.In the era of small scale integration (SSI) and medium scale integration (MSI) of semiconductor processes, evaporation was the main metallization process technology.

상기 증발법은 증착층간의 막두께 특성인 스텝 커버리지(step coverage)의 단점으로 인하여 스퍼터링(sputtering)법으로 대체되었다.The evaporation method has been replaced by a sputtering method due to the disadvantage of step coverage, which is a film thickness between deposition layers.

하지만 증발법은 여전히 Ⅲ-Ⅳ족을 사용하는 반도체 기술의 연구와 응용분야 에서 사용되고 있으며, 또한 패키징이 진행되는 동안 C4 충돌(bump) 증착과 같은 특별한 영역에서도 사용되고 있다.However, evaporation is still used in the research and application of semiconductors using the III-IV group and also in special areas such as C4 bump deposition during packaging.

도 1은 종래 백 메탈 공정챔버의 구성도이다.1 is a block diagram of a conventional back metal process chamber.

공정챔버(10) 상부의 기판홀더(12)에는 웨이퍼(11)가 안착되며, 도 1에 도시된 도면상에는 기판홀더(12)에 웨이퍼(11) 4장을 안착시킨 모습이다. 일반적으로는 다수의 웨이퍼(11)를 수납하는 배쓰(bath)를 세트 단위로 기판홀더(12)에 안착시키고 공정을 진행한다. 예컨대, 1배쓰 당 4장씩 3세트의 배쓰에 총 12장의 웨이퍼(11)를 대상으로 하여 하나의 공정으로 진행하게 된다.The wafer 11 is seated on the substrate holder 12 above the process chamber 10, and in the drawing shown in FIG. 1, four wafers 11 are seated on the substrate holder 12. In general, a bath for accommodating a plurality of wafers 11 is mounted on the substrate holder 12 in units of sets, and the process is performed. For example, a total of 12 wafers 11 are subjected to one process in three sets of four baths per bath.

공정챔버(10)의 중앙부에 위치하는 메탈소스 수납부(14)는 라이너(Liner)라고도 지칭하며, 메탈소스인 NI,TI 등을 수납하는 공간이다. 상기 메탈소스 수납부(14)의 개폐는 그 상부에 구비된 셔터(13)의 개폐에 의해 이루어진다.The metal source accommodating part 14 located at the center of the process chamber 10 is also referred to as a liner, and is a space for accommodating the metal source NI and TI. Opening and closing of the metal source accommodating part 14 is performed by opening and closing the shutter 13 provided at an upper portion thereof.

상기 메탈소스 수납부(14)의 하측에는 빔포트(beam port, 15)가 위치하며, 상기 빔포트(15)에서 발생되는 빔 에너지에 의해 상기 메탈소스 수납부(14) 내의 메탈소스를 가열시켜 녹이게 된다. 이때 빔 에너지의 온도는 약 270℃ 정도의 고온 상태이고, 빔 에너지의 열에 의해 녹아서 증발하는 메탈소스는 상기 셔터(13)의 개방에 의해 상방향으로 증발하여 웨이퍼(11)의 후면에 증착된다.A beam port 15 is positioned below the metal source accommodating portion 14, and the metal source in the metal source accommodating portion 14 is heated by beam energy generated by the beam port 15. Will melt. At this time, the temperature of the beam energy is a high temperature state of about 270 ℃, the metal source melted and evaporated by the heat of the beam energy is evaporated upward by the opening of the shutter 13 is deposited on the back of the wafer (11).

웨이퍼(11)의 후면에는 드레인 전류가 인가되어 전극이 형성되므로, 상기 증발되는 메탈소스 가스를 웨이퍼(11) 후면으로 유도하여 증착이 이루어진다.Since a drain current is applied to the rear surface of the wafer 11 to form an electrode, deposition is performed by inducing the evaporated metal source gas to the rear surface of the wafer 11.

그러나 상기 종래의 백 메탈 공정챔버(10)의 경우, 메탈소스를 녹이는 과정에서 빔포트(15)의 빔 에너지만으로는 메탈소스가 전체적으로 골고루 원활히 녹지 않아서 녹지 않은 메탈소스가 튀는 스플래쉬(Splash) 현상을 유발하여 웨이퍼(11)에 구멍을 내서 공정 데이터의 불량을 유발하는 문제점이 있다.However, in the case of the conventional back metal process chamber 10, the metal source is not evenly melted evenly with the beam energy of the beam port 15 in the process of melting the metal source, thereby causing a splash phenomenon in which the unmelted metal source is splashed. As a result, holes in the wafer 11 are caused to cause defects in process data.

또한, 메탈층이 증착된 웨이퍼(11) 후면은 시트저항(Sheet Resistance)이 일정하지 않고, 메탈층의 증착두께가 웨이퍼(11)의 중앙부와 가장자리부에서 불균일하며, 메탈소스가 증발되어 웨이퍼(11)의 후면에 도달하는 동안 공정챔버(10) 내부의 부산물 등이 증발하는 메탈소스와 함께 섞인 상태로 웨이퍼(11)의 후면에 증착됨으로써 오염이 유발되어 결국에는 웨이퍼(11)의 생산수율을 떨어뜨리는 문제점이 있다.In addition, the sheet resistance of the back surface of the wafer 11 on which the metal layer is deposited is not constant, and the deposition thickness of the metal layer is uneven at the center and the edge of the wafer 11, and the metal source is evaporated to provide a wafer ( While reaching the rear surface of 11), by-products in the process chamber 10 are deposited on the rear surface of the wafer 11 in a state of being mixed with the evaporating metal source, thereby causing contamination, which eventually increases the yield of the wafer 11. There is a problem to drop.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 증발법을 이용하여 웨이퍼의 후면에 메탈층을 증착시킴에 있어서, 메탈소스를 전체적으로 고르게 녹일 수 있도록 하여 웨이퍼의 시트저항과 메탈층 증착 두께의 균일성을 확보함과 아울러 공정챔버 내부의 파티클의 발생을 최소화시킴으로써 웨이퍼의 생산수율을 높일 수 있도록 하는 백 메탈 공정챔버를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, in the deposition of the metal layer on the back surface of the wafer by using the evaporation method, so that the metal source can be dissolved evenly throughout the wafer sheet resistance and metal layer deposition thickness of the wafer It is an object of the present invention to provide a back metal process chamber that ensures uniformity of the wafer and minimizes the generation of particles in the process chamber to increase the yield of the wafer.

본 발명에 의한 백 메탈 공정챔버는 웨이퍼의 후면이 노출되도록 웨이퍼가 안착되는 플레이트, 상기 플레이트를상하 360도 회전시키기 위한 모터, 상기 플레이트를 가열하기 위한 상부히팅라인, 상기 웨이퍼를 격리시키기 위한 질소를 분사하는 질소분사공을 포함하는 상부히터어셈블리; 메탈소스 수납부와, 상기 메탈소스 수납부 내의 메탈소스를 가열시켜 녹이는 가열수단과, 상기 메탈소스 수납부의 외부에 형성되어 질소를 분사하는 하부질소분사공을 포함하는 하부히터어셈블리; 상기 공정가스의 잔류물이 배출되는 배출구를 포함하고 있다.The back metal process chamber according to the present invention includes a plate on which the wafer is placed so that the back side of the wafer is exposed, a motor for rotating the plate up and down 360 degrees, an upper heating line for heating the plate, and nitrogen for isolating the wafer. An upper heater assembly including a nitrogen injection hole for injection; A lower heater assembly including a metal source accommodating part, heating means for heating and melting the metal source in the metal source accommodating part, and a lower nitrogen injection hole formed outside the metal source accommodating part to inject nitrogen; And a discharge port through which residue of the process gas is discharged.

본 발명의 다른 바람직한 특징에 의하면, 상기 가열수단은 빔 에너지를 이용하여 상기 메탈소스를 가열시키는 빔포트와 하부히팅라인의 이중 구조로 이루어지고, 상기 빔포트는 메탈소스 수납부의 중앙부분을 위한 제1 빔포트와 가장자리부분을 위하여 서로 마주보는 위치에 설치된 제2, 제3빔포트를 포함하고 있다.According to another preferred feature of the invention, the heating means is made of a dual structure of a beam port and a lower heating line for heating the metal source using the beam energy, the beam port for the central portion of the metal source receiving portion It includes a first beam port and the second, the third beam port installed in a position facing each other for the edge portion.

본 발명의 다른 바람직한 특징에 의하면, 상기 메탈소스수납부에는 메탈소스 수납부의 중앙을 중심으로 서로 반대방향으로 회전하는 2개의 교반자가 설치되어 있다.According to another preferred feature of the present invention, the metal source housing is provided with two agitators rotating in opposite directions with respect to the center of the metal source housing.

본 발명의 다른 바람직한 특징에 의하면, 상기 상부히팅라인은 웨이퍼의 후면을 가열시키기 위한 제1상부히팅라인과 웨이퍼의 전면을 가열시키기 위한 제2상부히팅라인으로 구성되어 있다.According to another preferred feature of the invention, the upper heating line is composed of a first upper heating line for heating the back of the wafer and a second upper heating line for heating the front of the wafer.

본 발명에 따른 백 메탈 공정챔버에 의하면, 빔포트과 히트포트로 구성된 이중의 가열수단을 이용하여 메탈소스를 원활히 녹임으로써 메탈소스의 스플래쉬 현상을 방지함과 아울러 웨이퍼 후면의 시트저항과 메탈층의 증착두께의 균일성을 확보할 수 있고, 공정챔버 내부의 잔류물이 배기포트로 원활히 배출되도록 하여 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 장점이 있다.According to the back metal process chamber according to the present invention, by melting the metal source smoothly using a dual heating means consisting of a beam port and a heat port to prevent the splash phenomenon of the metal source and the deposition of the sheet resistance and the metal layer on the back of the wafer Uniformity of the thickness can be secured, and residues inside the process chamber can be smoothly discharged to the exhaust port, thereby preventing contamination of the wafer.

이하 예시도면에 의거하여 본 발명의 일실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명한다. 다만, 아래의 실시예는 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 충분히 이해할 수 있도록 제공되는 것이지, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the configuration and operation of an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the following examples are provided to enable those skilled in the art to fully understand the present invention, but the scope of the present invention is not limited by the embodiments described below.

도 2는 본 발명에 의한 백 메탈 공정챔버의 구성도이다. 도 2에서 보는 바와 같이 본 발명에 의한 백 메탈 공정챔버는 상부히터어셈블리(10),하부히터어셈블리20)와 배출구(30)를 포함하고 있다.2 is a block diagram of a back metal process chamber according to the present invention. As shown in FIG. 2, the back metal process chamber according to the present invention includes an upper heater assembly 10, a lower heater assembly 20, and an outlet 30.

이하 각 부분에 대하여 설명한다.Each part is demonstrated below.

도 3은 본 발명에 의한 상부히터어셈블리의 평면도이다. 상부히터어셈블리(10)는 플레이트(11), 모터(미도시), 상부히팅라인(12, 13), 상부질소분사공(14)을 포함하고 있다. 플레이트(11)는 웨이퍼의 후면이 노출되도록 웨이퍼가 안착되는 부분으로서 웨이퍼(W)를 흡착고정하기 위한 소정의 진공포트(미도시됨)를 포함하고 있다. 3 is a plan view of the upper heater assembly according to the present invention. The upper heater assembly 10 includes a plate 11, a motor (not shown), upper heating lines 12 and 13, and an upper nitrogen injection hole 14. The plate 11 includes a predetermined vacuum port (not shown) for adsorbing and fixing the wafer W as a portion on which the wafer is seated so that the rear surface of the wafer is exposed.

플레이트(11)에서 웨이퍼(W)가 안착된 부분의 웨이퍼 둘레에는 질소분사공(14)이 형성되어 있다. 상부질소분사공(14)은 질소공급시설(미도시)로부터 공급되는 질소가 분사되는 곳으로서, 질소분사공에서 분사되는 질소는 공정의 진행중에 웨이퍼를 격리시켜서 외부의 불순물로부터 웨이퍼를 보호한다. A nitrogen injection hole 14 is formed around the wafer in the portion where the wafer W is seated in the plate 11. The upper nitrogen injection hole 14 is a place where nitrogen supplied from a nitrogen supply facility (not shown) is injected, and nitrogen injected from the nitrogen injection hole isolates the wafer during the process and protects the wafer from external impurities.

플레이트(11)는 모터에 의하여 상하방향으로 360도 회전이 가능하다. 도 2에서 웨이퍼(W) 중에서 A, C는 웨이퍼의 후면이 상부를 향하는 상태이고, B는 웨이퍼의 후면이 하부를 향하는 상태이다.The plate 11 can be rotated 360 degrees in the vertical direction by the motor. In FIG. 2, A and C of the wafer W are in a state in which the rear surface of the wafer is upward, and B is a state in which the rear surface of the wafer is downward.

또한 상부히터어셈블리(10)에는 웨이퍼를 가열시키기 위한 상부히팅라 인(12,13)이 설치되어 있다. 상부히팅라인(12,13)은 상하로 위치하는 제1상부히팅라인(12)과 제2상부히팅라인(13)으로 구성되어 있다. 제1상부히팅라인(12)은 웨이퍼의 후면이 상부를 향하는 경우(A,C)에 웨이퍼의 후면부분을 가열시킬 수 있도록 웨이퍼의 후면의 상부 높이에 설치되어 있다. 제2상부히팅라인(13)은 웨이퍼의 후면이 하부를 향하는 경우(B)에 웨이퍼의 전면부분을 가열시킬 수 있도록 웨이퍼의 전면의 높이에 설치되어 있다.In addition, the upper heater assembly 10 is provided with upper heating lines 12 and 13 for heating the wafer. The upper heating lines 12 and 13 include a first upper heating line 12 and a second upper heating line 13 positioned vertically. The first upper heating line 12 is installed at an upper height of the rear surface of the wafer so that the rear portion of the wafer can be heated when the rear surface of the wafer faces upward (A, C). The second upper heating line 13 is provided at the height of the front surface of the wafer so that the front surface of the wafer can be heated when the rear surface of the wafer faces downward (B).

공정진행전에 제1상부히팅라인(12)에 의해 웨이퍼의 후면부분이 가열되고, 다시 모터에 의해 플레이트(11)가 360도 회전하여 제2상부히팅라인(13)에 의해 웨이퍼의 전면부분이 가열되도록 한다. 이러한 가열을 통하여 웨이퍼가 전체적으로 균일하게 가열되므로 백 메탈 공정 진행시에 증착이 원활하게 이루어질 수 있다.The back portion of the wafer is heated by the first upper heating line 12 before the process proceeds, and the plate 11 is rotated 360 degrees by the motor, and the front portion of the wafer is heated by the second upper heating line 13. Be sure to Through such heating, the wafer is uniformly heated as a whole, so that the deposition can be smoothly performed during the back metal process.

모터는 플레이트를 회전시킬 수 있는 곳에 설치하는데, 모터에 필요한 전원은 외부에 설치된 모터파워로부터 공급받는다.The motor is installed in a place where the plate can be rotated, and the power required for the motor is supplied from an externally installed motor power.

도 4는 본 발명에 의한 하부히터어셈블리(20)의 평면도이다. 도면에서 보는 바와 같이, 본 발명에 의한 하부히터어셈블리(20)는 메탈소스 수납부(29), 가열수단(21~24), 하부질소분사공(25)을 포함하고 있다. 4 is a plan view of the lower heater assembly 20 according to the present invention. As shown in the figure, the lower heater assembly 20 according to the present invention includes a metal source accommodating portion 29, heating means (21 ~ 24), the lower nitrogen injection hole (25).

메탈소스수납부(29)에는 메탈소스인 Ni,Ti 등을 수납하는 공간이며, 여기에 수납된 메탈소스를 가열시켜 녹이기 위한 가열수단으로서는 빔포트를 주로 사용한 다. 본 발명에서는 상기 메탈소스 수납부(29) 내의 메탈소스를 녹이는 가열수단으로서 빔포트외에 히팅라인을 사용하고 있다. 구체적으로 메탈소스 수납부(29) 내의 메탈소스는 1차로 빔파워(미도시)에 연결된 빔포트(21,22,23)에서 빔 에너지에 의한 간접적인 가열이 이루어지고, 2차로 히터파워(미도시)에 연결된 히팅라인(24)에서는 상기 빔포트(21,22,23)의 빔 에너지에 의해서 미처 녹지 않은 메탈소스를 히팅라인(24)과의 접촉에 의한 직접적인 가열로 완전히 녹게 된다.The metal source storage unit 29 is a space for storing Ni, Ti or the like which is a metal source, and a beam port is mainly used as a heating means for heating and melting the metal source stored therein. In the present invention, a heating line other than the beam port is used as a heating means for melting the metal source in the metal source accommodating portion 29. In detail, the metal source in the metal source accommodating part 29 is indirectly heated by beam energy in the beam ports 21, 22, and 23 connected to the beam power (not shown), and the heater power is second. In the heating line 24 connected to H), the metal source that is not melted by the beam energy of the beam ports 21, 22, and 23 is completely melted by direct heating by contact with the heating line 24.

또한 빔포트(21,22,23)는 메탈소스수납부의 하부, 본체의 양옆으로 서로 마주보는 위치에 2개가 설치되어 총 3개가 설치된다. 메탈소스수납부(29)의 하부에 위치하는 빔포트는 메탈소스수납부(29)의 가운데 부분을 가열시키는 역할을 하고, 본체에 양옆으로 서로 마주보는 위치에 설치된 2개는 메탈소스수납부(29)의 가장자리 부분을 가열시키는 역할을 한다. In addition, two beam ports 21, 22, and 23 are installed at positions facing each other on the lower side of the metal source housing and on both sides of the main body, and a total of three beam ports 21, 22, and 23 are installed. The beam port located at the lower portion of the metal source housing 29 serves to heat the center portion of the metal source storage unit 29, and the two installed at the positions facing each other on both sides of the main body of the metal source storage unit 29 ( 29) serves to heat the edge portion.

메탈소스수납부(29)에는 모터(26)에 의해 작동하는 교반자가 설치되어 있다. 교반자는 메탈소스수납부의 중심을 기준으로 회전하는 2개가 있으며, 가운데 부분의 제1교반자(27)는 가장자리부분의 제2교반자(28)와 서로 반대방향으로 회전하게 되어 메탈 소스가 균일하고 원활하게 녹게 만든다.The metal source storage unit 29 is provided with an agitator operated by the motor 26. There are two agitators that rotate about the center of the metal source housing, and the first stirrer 27 in the center part rotates in the opposite direction to the second stirrer 28 in the edge part so that the metal source is uniform. And melts smoothly.

하부질소분사공(25)은 메탈소스수납부(29)와 그 외부를 격리시키기 위하여 분사되는 것으로서, 외부에 설치된 질소공급시설(미도시)에서 공급되는 질소에 의 해서 운전된다.The lower nitrogen injection hole 25 is injected to insulate the metal source storage unit 29 and the outside thereof, and is operated by nitrogen supplied from an external nitrogen supply facility (not shown).

또한 공정 진행후에 백 메탈 장비내에 잔존하는 공정가스를 배출하기 위한 배출구(30)가 설치되어 있다.In addition, the outlet 30 for discharging the process gas remaining in the back metal equipment after the process is installed.

도 1은 종래 백 메탈 공정챔버의 구성도,1 is a configuration diagram of a conventional back metal process chamber,

도 2는 본 발명에 의한 백 메탈 공정챔버의 구성도,2 is a block diagram of a back metal process chamber according to the present invention;

도 3은 본 발명에 의한 상부히터어셈블리의 평면도,3 is a plan view of the upper heater assembly according to the present invention;

도 4는 본 발명에 의한 하부히터어셈블리(20)의 평면도이다.4 is a plan view of the lower heater assembly 20 according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 주요부호의 설명><Description of the major symbols for the main parts of the drawings>

10:상부히터어셈블리10: Upper heater assembly

20:하부히터어셈블리20: lower heater assembly

30:배출구30: outlet

Claims (4)

웨이퍼의 후면이 노출되도록 웨이퍼가 안착되는 플레이트, 상기 플레이트를상하 360도 회전시키기 위한 모터, 상기 플레이트를 가열하기 위한 상부히팅라인, 상기 웨이퍼를 격리시키기 위한 질소를 분사하는 질소분사공을 포함하는 상부히터어셈블리;An upper heater including a plate on which the wafer is seated so that the back side of the wafer is exposed, a motor for rotating the plate up and down 360 degrees, an upper heating line for heating the plate, and a nitrogen injection hole for injecting nitrogen for isolating the wafer. assembly; 메탈소스 수납부와, 상기 메탈소스 수납부 내의 메탈소스를 가열시켜 녹이는 가열수단과, 상기 메탈소스 수납부의 외부에 형성되어 질소를 분사하는 하부질소분사공을 포함하는 하부히터어셈블리;A lower heater assembly including a metal source accommodating part, heating means for heating and melting the metal source in the metal source accommodating part, and a lower nitrogen injection hole formed outside the metal source accommodating part to inject nitrogen; 상기 공정가스의 잔류물이 배출되는 배출구를 포함하여 이루어지는 백 메탈 공정챔버.A back metal process chamber comprising an outlet for discharging the residue of the process gas. 제1항에 있어서, 상기 가열수단은 빔 에너지를 이용하여 상기 메탈소스를 가열시키는 빔포트와 하부히팅라인의 이중 구조로 이루어지고, 상기 빔포트는 메탈소스 수납부의 중앙부분을 위한 제1 빔포트와 가장자리부분을 위하여 서로 마주보는 위치에 설치된 제2, 제3빔포트를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 백 메탈 공정챔버.The method of claim 1, wherein the heating means is a dual structure of a beam port and a lower heating line for heating the metal source using the beam energy, the beam port is a first beam for the central portion of the metal source receiving portion A back metal process chamber comprising a second and a third beam port installed at positions facing each other for the port and the edge portion. 제1항에 있어서, 상기 메탈소스수납부에는 메탈소스수납부의 중앙을 중심으 로 서로 반대방향으로 회전하는 2개의 교반자가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 백 메탈 공정챔버.The back metal process chamber of claim 1, wherein the metal source accommodating part is provided with two agitators which rotate in opposite directions with respect to the center of the metal source accommodating part. 제1항에 있어서, 상기 상부히팅라인은 웨이퍼의 후면을 가열시키기 위한 제1상부히팅라인과 웨이퍼의 전면을 가열시키기 위한 제2상부히팅라인으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 백 메탈 공정챔버.The back metal process chamber of claim 1, wherein the upper heating line comprises a first upper heating line for heating the rear surface of the wafer and a second upper heating line for heating the front surface of the wafer.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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