KR20100012621A - A partially pixelated scintillator x-ray sensor - Google Patents

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KR20100012621A
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Abstract

PURPOSE: A partial pixel type scintillator x-rays sensor is provided to obtain a clear X-ray image by guiding light to unit pixels through a light guide under a certain depth. CONSTITUTION: The partial pixel type scintillator x-rays sensor(200) comprises a scintillator layer(210) and a pixel array layer(220). The pixel array layer comprises a plurality of unit pixels(222) and a thin film transistor. The scintillator layer is composed of scintillators and a light guide(214) under a certain depth from the X-ray incident surface, and of scintillators only above the certain depth.

Description

부분 화소형 섬광체 엑스선 센서{A partially pixelated scintillator X-ray sensor}A partially pixelated scintillator X-ray sensor

본 발명은 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서에 관한 것으로, 보다 자세하게는 일정 깊이 이하에 광을 단위 화소별로 분리되도록 하는 광가이드를 구비한 섬광체층(또는 광변환층)을 포함하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서를 제공함으로써, 상기 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서에 입사되는 대부분의 엑스선을 광으로 변환한 후 상기 광을 화소 어레이층에서 수신하여 고품질의 엑스선 영상을 획득할 수 있는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서에 관한 것이다.The present invention relates to a partial pixel scintillator x-ray sensor, and more particularly, to a partial pixel scintillator x-ray sensor including a scintillator layer (or light conversion layer) having an optical guide for separating light into unit pixels at a predetermined depth or less. The present invention relates to a partial pixel scintillator X-ray sensor capable of obtaining a high quality X-ray image by converting most of the X-rays incident to the partial pixel scintillator X-ray sensor into light and then receiving the light in a pixel array layer. .

엑스선(X-ray) 센서는 의료 분야를 포함하는 다양한 분야에서 비파괴 검사법으로 이용되는 엑스선 검사 장치의 엑스선 검출부의 핵심 부품으로 이용되고 있다.X-ray (X-ray) sensor is used as a core component of the X-ray detection unit of the X-ray inspection apparatus that is used as a non-destructive inspection method in various fields including the medical field.

의료 분야에서는 래디오그래피, 토모그래피 및 맘모그래피 등 다양한 분야에서 이용되고 있다.In the medical field, it is used in various fields such as radiography, tomography and mammography.

이들 중 맘모그래피(Mammography)는 유방암을 진단할 수 있는 엑스선 촬영 기법 중에 하나이다.Among them, mammography is one of the X-ray techniques for diagnosing breast cancer.

일반적으로 유방은 연조직(soft tissue)으로 이루어져 있어 엑스선 촬영 시 조사되는 엑스선이 쉽게 통과하여 암조직을 찾아내기 어렵다는 문제점이 있다.In general, breasts are composed of soft tissues, and thus, X-rays irradiated during X-ray imaging pass easily so that it is difficult to find cancer tissues.

또한, 유방 내에 분포된 유선들이 쌓이게 되면 엑스선 촬영 후 촬영 영상으로 암조직과 유선이 구분되지 않는다는 문제도 있다.In addition, when the mammary glands distributed in the breast are stacked, there is a problem in that cancer tissue and mammary gland are not distinguished by an image taken after X-ray imaging.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 많은 연구 및 개발이 이루어지고 있으나, 가장 좋은 방법은 보다 선명한 촬영 영상을 획득할 수 있는 엑스선 센서를 제공하는 것에 있다.Although many researches and developments have been made to solve the above problems, the best method is to provide an X-ray sensor capable of obtaining a clearer captured image.

상기 엑스선 센서는 크게 직접 검출 방식과 간접 검출 방식의 두 가지 방식으로 나눌 수 있는데, 상기 직접 검출 방식은 엑스선을 직접 전기신호로 변환시켜 검출하는 방식이고 간접 검출 방식은 엑스선을 광으로 변환시킨 후 상기 광을 검출하는 방식이다.The X-ray sensor can be classified into two types, a direct detection method and an indirect detection method. The direct detection method is a method of detecting X-rays by converting the X-rays directly into an electrical signal. It is a method of detecting light.

상기 두 검출 방식은 각각 장단점이 있으며, 현재로는 흉부 등 일반 의료영상 촬영의 경우 상기 간접 검출 방식이, 그리고 맘모그래피의 경우 상기 직접 검출 방식이 더 나은 영상을 제공한다.The two detection methods have advantages and disadvantages, and at present, the indirect detection method for general medical imaging such as the chest and the direct detection method for mammography provide better images.

도 1은 간접 검출 방식임에도 불구하고, 직접 검출 방식과 같은 고해상도의 영상을 제공할 수 있는 구조화된 섬광체 기술에 의한 엑스선 센서를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an X-ray sensor using a structured scintillator technology capable of providing a high resolution image such as a direct detection method despite being an indirect detection method.

도 1을 참조하여 설명하면, 구조화된 섬광체 기술에 의한 엑스선 센서(100)는 크게 섬광체층(110) 및 화소 어레이층(120)을 포함하고 있다.Referring to FIG. 1, the X-ray sensor 100 by the structured scintillator technology largely includes the scintillator layer 110 and the pixel array layer 120.

상기 섬광체층(110)은 입사되는 엑스선들(130)을 광(140)으로 변환시키는 역할을 하며, 상기 화소 어레이층(120)은 상기 광(140)을 수신하여 전기적 신호로 변환시켜주는 역할을 한다.The scintillator layer 110 converts incident X-rays 130 into light 140, and the pixel array layer 120 receives the light 140 and converts the light 140 into an electrical signal. do.

이때, 상기 화소 어레이층(120)은 복수개의 단위 화소(122)들이 매트릭스 형태로 배열되어 있고, 상기 단위 화소(122)들이 상기 광(140)을 수신하여 전기적 신호로 변환시키는 역할을 한다.In this case, the pixel array layer 120 has a plurality of unit pixels 122 arranged in a matrix form, and the unit pixels 122 receive the light 140 and convert the light 140 into an electrical signal.

이때, 상기 섬광체층(110)은 입사되는 엑스선들(130)을 광(140)으로 변환시키는 섬광체(112) 및 상기 섬광체(112)를 구획하며, 상기 섬광체(112)에서 변환된 광(140)들을 대응되는 단위 화소(122)로 입사시키도록 반사시키거나 차단하는 역할을 하는 광가이드(114)들로 이루어진다.In this case, the scintillator layer 110 partitions the scintillator 112 and the scintillator 112 for converting incident X-rays 130 into the light 140, and the light 140 converted by the scintillator 112. And light guides 114 that reflect or block the light to enter the corresponding unit pixel 122.

따라서 종래의 엑스선 센서(100)는 상기 단위 화소(122)에 대응되는 섬광체(112)에 입사되는 엑스선들(132)을 광(140)으로 변환시켜 전기적 신호로 검출할 수 있으나, 반면 상기 섬광체(112)를 구획하는 광가이드(114)로 입사되는 엑스선들(134)은 광으로 변환되지 않고 소멸되어 상기 광가이드(114)로 입사되는 엑스선들(134)이 가지고 있는 정보를 획득하지 못하여 불충분한 정보들로 엑스선 촬영 영상을 획득한다는 의료영상에서 치명적인 문제점이 있었다.Accordingly, the conventional X-ray sensor 100 may convert the X-rays 132 incident on the scintillator 112 corresponding to the unit pixel 122 into light 140 and detect the light as an electrical signal. The X-rays 134 incident to the light guide 114 partitioning 112 are extinguished without being converted into light and thus insufficient information is obtained by the X-rays 134 incident to the light guide 114. There was a fatal problem in the medical image of obtaining the X-ray image with the information.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 엑스선이 입사되는 일측면에서 일정 깊이까지는 섬광체로만 이루어져 입사되는 엑스선 거의 모두가 광으로 변환되도록 하고, 상기 일정 깊이 이하에서는 광가이드를 구비하여 단위 화소들로 광을 가이드할 수 있는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서를 제공함에 본 발명의 목적이 있다.Therefore, the present invention is to solve the above-mentioned disadvantages and problems of the prior art, the X-rays from one side of the incident side to a certain depth made of only the scintillator so that almost all incident X-rays are converted to light, below the predetermined depth An object of the present invention is to provide a partial pixel scintillator X-ray sensor having an optical guide that can guide light to unit pixels.

본 발명의 상기 목적은 입사된 엑스선을 광으로 변환시키는 섬광체층; 및 상기 섬광체층에서 변환된 광을 수신하는 화소 어레이층;을 포함하며, 상기 화소 어레이층;은 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 단위 화소; 및 상기 단위 화소들 각각에 연결되며, 연결된 단위 화소를 온/오프시키는 박막트랜지스터;를 포함하며, 상기 섬광체층:은 상기 엑스선을 광으로 변환시키는 섬광체; 및 상기 광을 반사시키는 광가이드;를 포함하되, 상기 엑스선이 입사되는 일측 표면에서 일정 깊이까지의 섬광체층은 상기 섬광체로만 이루어져 있으며, 상기 엑스선이 입사되는 일측 표면에서의 일정 깊이 이하의 섬광체층은 섬광체 및 광가이드로 이루어져 있되, 상기 단위 화소들 상부에는 섬광체부재로 이루어져 있고, 상기 단위 화소들 사이의 상부에는 광가이드로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서에 의해 달성된다.The object of the present invention is a scintillator layer for converting the incident X-rays to light; And a pixel array layer configured to receive light converted by the scintillator layer, wherein the pixel array layer comprises: a plurality of unit pixels arranged in a matrix form; And a thin film transistor connected to each of the unit pixels and to turn on / off the connected unit pixel, wherein the scintillator layer comprises: a scintillator for converting the X-rays into light; And a light guide for reflecting the light, wherein the scintillator layer from one surface to which the X-ray is incident to a predetermined depth is composed of only the scintillator, and the scintillator layer having a predetermined depth or less from one surface to which the X-ray is incident is It consists of a scintillator and a light guide, the upper part of the unit pixel is composed of a scintillator member, the upper part between the unit pixel is achieved by a partial pixel type scintillator X-ray sensor.

또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 일정 깊이가 QAE = 1-e-μt(이때, 상기 QAE는 양자흡수효율을 의미하며, t는 섬광체의 일정 깊이를 의미하며, 상기 μ는 선형감쇠계수(linear attenuation coefficient)을 의미함.)의 t로부터 획득되는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서에 의해서도 달성된다.In addition, the object of the present invention is that the constant depth is QAE = 1-e -μt (wherein the QAE means quantum absorption efficiency, t means a constant depth of the scintillator, the μ is a linear attenuation coefficient (linear It is also achieved by a partial pixel scintillator x-ray sensor characterized in that it is obtained from t of a).

또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 섬광체가 Gd2O2S:Tb 혹은 CsI:Tl로 이루어진 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서에 의해서도 달성된다.The object of the present invention is also achieved by a partial pixel scintillator X-ray sensor, characterized in that the scintillator consists of Gd 2 O 2 S: Tb or CsI: Tl.

또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 광가이드가 실리콘 또는 폴리머로 이루어진 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서에 의해서도 달성된다.The above object of the present invention is also achieved by a partial pixel scintillator X-ray sensor, wherein the light guide is made of silicon or polymer.

또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 광가이드에서의 광의 반사 효율을 높이기 위해 실리콘 또는 폴리머로 이루어진 광가이드 벽면에 TiO2 및 SiO2 등의 산화막, 또는 Cr 및 Al 등의 금속막 등 제반 반사체 물질을 코팅한 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서에 의해서도 달성된다.In addition, the above object of the present invention is to provide an overall reflector material such as an oxide film such as TiO 2 and SiO 2 , or a metal film such as Cr and Al on the wall of the light guide made of silicon or polymer in order to increase the light reflection efficiency of the light guide. It is also achieved by a partially pixelated scintillator x-ray sensor characterized by being coated.

또한, 본 발명의 상기 목적은 광의 전달 효율을 높이기 위해 어떠한 형태로의 광가이드 기하학적 구조의 형상을 가진 형태인 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서에 의해서도 달성된다.In addition, the above object of the present invention is also achieved by a partial pixel scintillator X-ray sensor, characterized in that the shape having a shape of the optical guide geometry in any form in order to increase the light transmission efficiency.

또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 광가이드는 상기 일측 표면에 가까운 단부의 단면은 이등변 삼각형의 형상을 가지고, 상기 단부 이외의 영역의 단면은 사각형의 형상을 가진 형태인 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서에 의해서도 달성된다.In addition, the object of the present invention is that the light guide has a cross-section of the end portion close to the one side surface is an isosceles triangle shape, the cross section of the region other than the end portion is a shape having a rectangular shape Also achieved by a scintillator x-ray sensor.

또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 단위 화소는 포토다이오드를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서에 의해서도 달성된다.The above object of the present invention is also achieved by a partial pixel scintillator X-ray sensor, wherein the unit pixel comprises a photodiode.

또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서는 맘모그래피의 엑스선 검출부로 이용되는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서에 의해서도 달성된다.The above object of the present invention is also achieved by the partial pixel scintillator X-ray sensor, wherein the partial pixel scintillator X-ray sensor is used as an X-ray detector of mammography.

또한, 본 발명의 상기 목적은 상기 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서는 구강내에 삽입하여 엑스선 영상을 촬영하는 치과용 영상 검출부로 이용되는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서에 의해서도 달성된다.In addition, the above object of the present invention is also achieved by the partial pixel scintillator X-ray sensor is used as a dental image detection unit for inserting in the oral cavity to take an X-ray image.

본 발명의 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서는 입사되는 거의 모든 엑스선을 광으로 변환시킴으로써 광변환 효율이 높다는 효과가 있다.The partial pixel scintillator X-ray sensor of the present invention has an effect of high light conversion efficiency by converting almost all incident X-rays into light.

또한 본 발명의 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서는 광을 가이드하는 광가이드를 구비함으로써 화소간의 광의 산란을 최소화하는 반면, 단위 화소가 최대한의 광을 수신할 수 있도록 함으로써 선명한 엑스선 촬영 영상을 획득할 수 있는 엑스선 센서를 제공하는 효과가 있다.In addition, the partial pixel scintillator X-ray sensor of the present invention includes a light guide for guiding light, thereby minimizing light scattering between pixels, while allowing a unit pixel to receive maximum light, thereby obtaining a clear X-ray photographed image. It is effective to provide an X-ray sensor.

또한 본 발명의 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서는 엑스선을 광으로 변환시키는 섬광체층의 일정 깊이, 즉, 엑스선의 광 변환이 가장 많이 발생하는 영역에는 광가이드를 구비하지 않아 광변환 효율을 높이고, 상기 일정 깊이 이후의 깊이부터는 광을 가이드하는 광가이드를 구비함으로써 DQE의 특성이 우수한 엑스선 센서를 제공하는 효과가 있다.In addition, the partial pixel scintillator X-ray sensor of the present invention does not include a light guide at a predetermined depth of the scintillator layer that converts X-rays to light, that is, a region where light conversion of X-rays occurs most often, thereby increasing light conversion efficiency. From the depth after the depth is provided with an optical guide for guiding light has the effect of providing an X-ray sensor excellent in the characteristics of the DQE.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Details of the above objects and technical configurations and the effects thereof according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention. In addition, in the drawings, the length, thickness, etc. of layers and regions may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.

도 2 및 도 3은 본 발명의 제1실시 예에 따른 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서의 사시도 및 단면도이다. 이때, 도 3은 도 2의 A-A'선을 따라 절취한 단면도이다.2 and 3 are a perspective view and a cross-sectional view of a partial pixel scintillator x-ray sensor according to a first embodiment of the present invention. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면, 본 발명의 제1실시 예에 따른 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서(200)는 크게 섬광체층(210) 및 화소 어레이층(220)을 포함하고 있다.Referring to FIGS. 2 and 3, the partial pixel scintillator X-ray sensor 200 according to the first exemplary embodiment includes a scintillator layer 210 and a pixel array layer 220.

이때, 상기 섬광체층(210)은 입사되는 엑스선(230)을 광(240)으로 변환시키는 역할을 하고, 상기 화소 어레이층(220)은 상기 변환된 광(240)을 수신하여 전기적 신호로 변환시키는 역할을 한다. 한편, 상기 섬광체층(210)은 신틸레이터(scintillator) 패널이라고도 불리우며, 상기 화소 어레이층(220)은 TFT 패널이라고도 불리운다.In this case, the scintillator layer 210 converts incident X-rays 230 into light 240, and the pixel array layer 220 receives the converted light 240 and converts the converted light 240 into an electrical signal. Play a role. Meanwhile, the scintillator layer 210 is also called a scintillator panel, and the pixel array layer 220 is also called a TFT panel.

한편, 상기 섬광체층(210)은 크게 두 개의 영역으로 구분될 수 있다.Meanwhile, the scintillator layer 210 may be largely divided into two regions.

첫 번째 영역(211)은 상기 엑스선(230)이 입사되는 섬광체층(210)의 일측 표면에서 일정 깊이까지의 영역이고, 두 번째(212) 영역은 상기 엑스선(230)이 입사되는 섬광체층(210)의 일측 표면에서 일정 깊이 이하의 영역이다.The first region 211 is an area from one surface of the scintillator layer 210 to which the X-ray 230 is incident to a predetermined depth, and the second 212 region is the scintillator layer 210 to which the X-ray 230 is incident It is an area of a certain depth or less on one surface of).

이때, 상기 첫 번째 영역(211)의 일정 깊이는 상기 입사되는 엑스선(230)이 대부분 광(240)으로 변환되는 깊이까지로 정의될 수 있다.In this case, a predetermined depth of the first region 211 may be defined as a depth at which the incident X-rays 230 are mostly converted into the light 240.

상기 섬광체에서 발생하는 광의 양은 궁극적으로 전체 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서(200)의 신호의 크기를 결정하게 되는데, 발생하게 되는 광의 양은 섬광체에서 흡수되는 엑스선의 에너지에 비례하게 된다.The amount of light generated by the scintillator ultimately determines the magnitude of the signal of the entire partial pixel scintillator X-ray sensor 200. The amount of light generated is proportional to the energy of X-rays absorbed by the scintillator.

따라서, Lambert-Beer's law에 의하면, 양자흡수효율은 QAE = 1-e-μx 간단히 주어진다.Therefore, according to Lambert-Beer's law, the quantum absorption efficiency is QAE = 1-e -μx Simply given.

여기서 QAE는 양자흡수효율을 의미하며, x는 엑스선이 입사한 지점부터의 임의의 깊이를 의미한다. 그리고 μ는 선형감쇠계수(linear attenuation coefficient)로써, 쉽게 말하자면 엑스선 포톤이 단위길이를 움직이면서 그 매질과 반응을 할 확률이다.Here, QAE means quantum absorption efficiency, and x means any depth from the point where the X-ray is incident. And μ is the linear attenuation coefficient, which is simply the probability that the X-ray photon will react with the medium as it moves through the unit.

상기 선형감쇠계수는 엑스선 포톤의 에너지에 대한 함수이다. 따라서, 만약 섬광체의 두께가 t라고 한다면, 그 섬광체의 QAE는 QAE = 1-e-μt이다.The linear attenuation coefficient is a function of the energy of the X-ray photons. Therefore, if the thickness of the scintillator is t, then the QAE of the scintillator is QAE = 1-e- μt .

따라서, 입사하는 엑스선의 에너지를 안다면, 이 식으로부터 필요한 섬광체의 두께(t)를 계산할 수 있다.Therefore, if the energy of incident X-rays is known, the thickness t of the scintillator required can be calculated from this equation.

한편, 상기 첫 번째 영역(211)의 섬광체층(210)은 상기 엑스선(230)을 광(240)으로 변환시키는 섬광체(213)로만 이루어진 것이 바람직하다.Meanwhile, the scintillator layer 210 of the first region 211 may be made of only the scintillator 213 for converting the X-ray 230 into the light 240.

이는 입사되는 엑스선(230) 거의 모두(이때, 거의 모두라고 하는 것은 상기 엑스선(230)이 입사되더라도 일정 깊이 이내에서 광(240)으로 변환되지 않을 정도로 높은 에너지를 가진 경우가 있을 수 있기 때문이지 일정 에너지 이하를 가진 엑스선은 모두 광으로 변환됨)가 광(240)으로 변환되어 많은 정보를 얻기 위해서이다.This is because almost all of the incident X-rays 230 (in this case, almost all of them) may have a high energy so that the X-rays 230 are not converted into the light 240 within a predetermined depth even though the X-rays 230 are incident. X-rays having energy or less are all converted to light) so as to obtain a lot of information.

상기 두 번째 영역(212)의 섬광체층(210)은 섬광체(213)와 광가이드(214)로 이루어진다.The scintillator layer 210 of the second region 212 includes the scintillator 213 and the light guide 214.

상기 섬광체(213)는 상기에서 상술한 바와 같이 입사된 엑스선(230)을 광(240)으로 변환시키는 역할을 하는 반면, 상기 광가이드(214)는 상기 광(240)이 이후 설명될 화소 어레이(220)의 단위화소(222)에 조사되도록 가이드하는 역할을 한다.The scintillator 213 serves to convert the incident X-rays 230 into the light 240 as described above, while the light guide 214 has a pixel array in which the light 240 will be described later. It serves to guide the irradiation to the unit pixel 222 of 220.

이때, 상기 광가이드(214)는 상기 두 번째 영역(212)의 섬광체(213)를 일정 영역으로 구획하는 역할을 하여 이후 설명될 단위화소(222)들과 각각 일정 영역으로 구획된 섬광체(213)가 대응되도록 한다.In this case, the light guide 214 serves to partition the scintillator 213 of the second region 212 into a predetermined region, and the unit pixels 222 to be described later and the scintillator 213 divided into the predetermined region, respectively. To match.

즉, 상기 광가이드(214)는 단위화소(222)들 사이의 상부에 위치하여 상기 섬광체(213)에서 생성 또는 진행하는 광(214)을 직하부에 위치한 단위화소(222)에 입사되도록 가이드하는 역할을 한다.That is, the light guide 214 is positioned above the unit pixels 222 to guide the light 214 generated or traveling in the scintillator 213 to be incident on the unit pixel 222 located directly below. Play a role.

한편, 상기 섬광체(213)는 엑스선에 반응하여 광을 생성하는 어떠한 물질을 사용하여도 무방하나, 상기 섬광체(213)는 Gd2O2S:Tb 혹은 CsI:Tl인 것이 바람직하며, 상기 광가이드(214)는 광이 투과되지 않는 또는 투과시키지 않으면서 반사 특성이 우수한 어떠한 물질을 사용하여도 무방하나, 상기 광가이드(214)는 실리콘 또는 폴리머인 것이 바람직하다.On the other hand, the scintillator 213 may be any material that generates light in response to X-rays, the scintillator 213 is preferably Gd 2 O 2 S: Tb or CsI: Tl, the light guide 214 may be any material that does not transmit or have excellent reflection characteristics without transmitting, but the light guide 214 is preferably silicon or polymer.

또한, 상기 광가이드(214)는 그 표면 또는 벽면에 광을 반사하기 위한 광 반사체 물질이 코팅되어 있을 수 있는데, 상기 광 반사체 물질은 TiO2 또는 SiO2 등을 포함하는 산화막일 수도 있고, Cr 또는 Al 등을 포함하는 금속막일 수도 있는데, 광 반사 효율이 높은 물질을 코팅하는 것이 바람직하다.In addition, the light guide 214 may be coated with a light reflector material for reflecting light on its surface or wall surface, the light reflector material may be an oxide film including TiO 2 or SiO 2 , Cr or Although it may be a metal film containing Al or the like, it is preferable to coat a material having high light reflection efficiency.

한편, 상기 화소 어레이층(220)은 기판(221) 상에 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 단위 화소(222)를 포함하며, 상기 단위 화소(222)들 각각에 연결되며, 연결된 단위 화소(222)를 온/오프시키는 박막트랜지스터(미도시)를 포함하고 있다.Meanwhile, the pixel array layer 220 includes a plurality of unit pixels 222 arranged in a matrix form on a substrate 221, and are connected to each of the unit pixels 222 and connected to the unit pixels 222. It includes a thin film transistor (not shown) to turn on / off.

이때, 상기 단위 화소(222)는 포토다이오드를 구비하고 있어 상기 광(240)을 수신하여 전기적 신호로 변환시켜 준다.In this case, the unit pixel 222 includes a photodiode to receive the light 240 and convert the light 240 into an electrical signal.

한편, 본 발명의 제1실시 예에 따른 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서(200)의 작동에 대하여 설명하면, 엑스선 광원(미도시)로부터 조사된 엑스선(230)이 환자 또는 대상물을 통과한 후, 본원 발명의 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서(200)로 입사하게 된다.Meanwhile, referring to the operation of the partial pixel scintillator X-ray sensor 200 according to the first embodiment of the present invention, after the X-ray 230 irradiated from an X-ray light source (not shown) passes through a patient or an object, the present application It is incident on the partial pixel scintillator X-ray sensor 200 of the present invention.

입사된 상기 엑스선(230)은 상기에서 상술한 바와 같이 상기 섬광체층(210)의 첫번째 영역(211)에서 대부분 광(240)으로 변환된다.As described above, the incident X-rays 230 are mostly converted into light 240 in the first region 211 of the scintillator layer 210.

이때, 변환된 광(240)은 여러 방향으로 방사되어 하부에 위치한 화소 어레이층(220)의 단위 화소(222)에 입사된다.In this case, the converted light 240 is emitted in various directions and is incident on the unit pixels 222 of the pixel array layer 220 disposed below.

도 3에서 도시하고 있는 바와 같이 입사된 엑스선(230) 중 상기 단위 화소(222)의 상부에 대응되는 위치에 입사되는 엑스선(231)에서 변환된 광(241)들은 대부분 다른 단위 화소(222)에는 입사되지 않고, 직하부에 위치한 단위 화소(222)로 입사될 확률이 높다.As illustrated in FIG. 3, the light 241 converted from the X-rays 231 incident to a position corresponding to the upper portion of the unit pixels 222 among the incident X-rays 230 is mostly provided to the other unit pixels 222. There is a high probability of incidence of incident on the unit pixel 222 located directly below the light.

그러나, 단위 화소(222)들 사이, 정확하게는 광가이드(214) 상부로 입사되는 엑스선(232)에서 변환된 광(242)들은 두 개 이상의 단위 화소(222)들로 입사될 가능성이 있다. 그러나 이렇게 두 개 이상의 단위 화소(222)들로 광(242)들이 입사된다 하여도 이것이 비록 영상에서의 해상도를 다소 저하시킬 수 있으나, 광신호의 공간적인 퍼짐 현상에 의해 오히려 상기 직접 검출 방식에서 문제가 되고 있는 노이즈 앨리어싱(noise aliasing)을 막을 수 있기 때문에 보다 향상된 DQE를 얻을 수 있다.However, the light 242 converted between the unit pixels 222 and the X-rays 232 incident to the upper portion of the light guide 214 may be incident to two or more unit pixels 222. However, even if the light 242 is incident on the two or more unit pixels 222, although this may slightly reduce the resolution in the image, it is a problem in the direct detection method due to the spatial spreading of the optical signal. Improved DQE is achieved because noise aliasing can be avoided.

또한, 도 1에 도시한 종래 기술에 의한 엑스선 센서(100)의 경우에는 각 단위 화소(122)들에 대응되는 섬광체층(110)이 구획되어 분리됨으로써 각 구획에서 발생된 광(140)들이 다른 단위 화소(122)들로 입사될 가능성은 낮으나 광가이드(134) 상으로 입사되는 엑스선(134)은 소실되고, 이러한 엑스선(134)이 담고 있는 정보는 소실되는 문제점이 있었으나 본원 발명에는 이러한 문제점을 해결할 수 있다.In addition, in the case of the X-ray sensor 100 according to the related art illustrated in FIG. 1, the scintillator layer 110 corresponding to each of the unit pixels 122 is partitioned and separated so that the light 140 generated in each partition is different. Although it is unlikely to be incident on the unit pixels 122, the X-rays 134 incident on the light guide 134 are lost, and the information contained in the X-rays 134 is lost. I can solve it.

한편, 상기 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서(200)의 섬광체층(210)은 크게 두 단계로 제조될 수 있다.Meanwhile, the scintillator layer 210 of the partial pixel scintillator X-ray sensor 200 may be manufactured in two steps.

첫번째 단계는 섬광체 몰드를 제조하는 단계이고, 두 번째 단계는 상기 섬광체 몰드에 섬광물질을 충진하는 단계일 수 있다.The first step is to prepare a scintillator mold, and the second step may be to fill the scintillator mold with scintillation material.

상기 섬광체 몰드를 제조하는 단계는 여러 가지 방법이 있을 수 있으나 크게 RIE(Reactive ion etching)을 이용한 섬광체 몰드 제조 방법, 핫-엠보싱(hot embossing)을 이용한 섬광체 몰드 제조 방법 및 습식 식각을 이용한 섬광체 몰드 제조 방법이 있다.The step of manufacturing the scintillator mold may have various methods, but the scintillator mold manufacturing method using Reactive ion etching (RIE), the scintillator mold manufacturing method using hot embossing, and the scintillator mold manufacturing using wet etching There is a way.

상기 섬광체 몰드에 섬광물질을 충진하는 단계는 상기 섬광체 몰드에 섬광물질의 수용성을 이용하여 충진하여 건조시킴으로서 충진하는 방법, 상기 섬광물질의 수용성을 이용하되 용액 내에서 침전하는 성질을 이용하여 상기 섬광체 몰드에 상기 섬광물질이 수용된 용액을 채운 후 상기 섬광물질이 침전하도록 하여 섬광물질을 충진하는 방법, 상기 섬광물질을 진공장치 내에서 열증착법(Thermal evaporation)을 이용하여 상기 섬광체 몰드에 충진하는 방법 및 분말형태의 섬광물질을 상기 섬광체 몰드에 충진한 후 열처리를 통해 소결하여 충진하는 방법 등이 있을 수 있다.Filling the scintillator material with the scintillator mold is filled by drying the scintillator mold using the water solubility of the scintillation material, and using the water solubility of the scintillator material to precipitate in the solution. Filling the solution containing the scintillation material in the method and filling the scintillation material by causing the scintillation material to settle, and filling the scintillator mold by thermal evaporation in the vacuum apparatus and powder. There may be a method of filling the scintillation material of the form into the scintillator mold, followed by sintering through heat treatment.

상기와 같은 두 단계를 진행함으로써 상기 섬광체층(210)을 제조할 수 있다.The scintillator layer 210 may be manufactured by performing the above two steps.

도 4는 본원 발명의 제2실시 예에 따른 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a partial pixel scintillator X-ray sensor according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 4를 참조하여 설명하면, 본원 발명의 제2실시 예에 따른 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서(300)는 상기 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한 제1실시 예에 따른 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서(200)와 비교하여 광가이드(314)의 형태만이 차이가 있을 뿐, 섬광체층(310), 기판(321) 상에 형성된 단위 화소(322)들을 포함하는 화소 어레이층(320)은 동일한 구조 및 역할을 한다.Referring to FIG. 4, the partial pixel scintillator X-ray sensor 300 according to the second exemplary embodiment of the present invention may include the partial pixel scintillator X-ray sensor according to the first embodiment described with reference to FIGS. 2 and 3. Only the shape of the light guide 314 is different from that of the 200, and the pixel array layer 320 including the scintillator layer 310 and the unit pixels 322 formed on the substrate 321 may have the same structure and Play a role.

본 실시 예에서의 광가이드(314)는 상기 섬광체층(310)의 일측 표면(즉, 엑스선(330)이 입사되는 표면)에서 가까운 단부(314a)의 단면이 이등변 삼각형의 형상을 가지고, 상기 단부(314a) 이외의 영역, 즉 몸통부(314b)의 단면이 사각형의 형상을 가진 것이 특징이며, 상기 제1실시 예에서 설명한 광가이드(214)와의 차이점이다. 이때, 상기 이등변 삼각형의 꼭지점의 각은 예각을 이루는 것이 바람직하다.In the present embodiment, the light guide 314 has an isosceles triangular cross section of an end portion 314a near one surface of the scintillator layer 310 (that is, the surface on which the X-ray 330 is incident). A region other than 314a, that is, a cross section of the trunk portion 314b has a rectangular shape, which is different from the light guide 214 described in the first embodiment. At this time, it is preferable that the angle of the vertex of the isosceles triangle forms an acute angle.

상기 광가이드(314)의 단부(314a)가 이등변 삼각형의 형상을 가짐으로써, 상기 엑스선(330)이 상기 광가이드(314) 상부로 입사되어 광들을 발생시킬 때, 상기 광들 중 일부 광(도면 부호 314로 도시된 광)이 상기 광가이드(314)로 진행하게 되면, 상기 광가드(314)의 끝이 도 3에 도시된 바와 같이 평평한 경우에는 반사되어 단위 화소(322)로 입사되지 않을 수 있으나, 도 4에 도시된 바와 같이 단부(314a)의 단면이 삼각형으로 이루어진다면, 상기 광(314)이 상기 삼각형의 빗면에 반사되어 화소 어레이층(320)으로 입사될 확률이 높아진다.When the end portion 314a of the light guide 314 has an isosceles triangle shape, when the X-ray 330 is incident on the light guide 314 to generate lights, some of the lights (see FIG. When the light shown as 314 proceeds to the light guide 314, when the end of the light guard 314 is flat as shown in FIG. 3, the light may be reflected and not incident to the unit pixel 322. As shown in FIG. 4, when the end portion 314a has a triangular cross section, the probability that the light 314 is reflected on the oblique surface of the triangle is incident on the pixel array layer 320.

이때, 도 4에서는 단부(314a)가 삼각형 형상을 가진 광가이드(314)만을 제시하고 있으나 필요하다면 상기 광가이드(314)는 상기 광을 반사시켜 단위 화소(322)로 입사되는 양이 많아지거나 입사될 확률이 높아지도록 하는, 즉, 상기 단위 화소(322)로의 전달 효율을 높이기 위해 어떠한 형태의 기하학적 형상 또는 구조로 구비하여도 무방하다.In this case, in FIG. 4, only the light guide 314 having a triangular shape at the end 314a is presented, but if necessary, the light guide 314 reflects the light and enters the unit pixel 322. It may be provided in any form of geometric shape or structure in order to increase the probability of becoming, that is, to increase the transfer efficiency to the unit pixel 322.

도 5는 본 발명의 제1실시 예 및 제2실시 예에 따른 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서가 이용되는 맘모그래피를 도시한 사시도이다.FIG. 5 is a perspective view illustrating mammography in which the partial pixel scintillator X-ray sensor according to the first and second embodiments of the present invention is used.

도 5를 참조하여 설명하면, 본 발명의 제1실시 예 및 제2실시 예에 따른 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서(200,300)가 이용되는 맘모그래피(400)는 본체(410), 회전암(420), 엑스선 발생부(430), 압축 패들(440) 및 엑스선 검출부(450)를 포함하여 이루어진다.Referring to FIG. 5, the mammography 400 using the partial pixel scintillation X-ray sensors 200 and 300 according to the first and second embodiments of the present invention includes a main body 410 and a rotation arm 420. And an X-ray generator 430, a compression paddle 440, and an X-ray detector 450.

상기 본체(410)는 거의 사각형상의 함체로 구비되며, 일정부분에 상기 구성 요소들을 조작할 수 있는 입력장치(411) 및 영상을 확인할 수 있는 디스플레이 장치(412)를 구비할 수 있다. 그러나, 상기 본체(410)는 다른 모양으로 구비될 수 있으며, 상기 입력장치(411) 및 디스플레이 장치(412) 역시 상기 본체(410)와 연결되어 있다면 외부장치 또는 다른 어떤 위치에 구비되어도 바람직하다.The main body 410 may be provided as a substantially rectangular enclosure, and may include an input device 411 for manipulating the components and a display device 412 for checking an image at a predetermined portion. However, the main body 410 may be provided in a different shape, and the input device 411 and the display device 412 may also be provided in an external device or any other position as long as they are connected to the main body 410.

또한, 상기 본체(410)는 상기 구성요소들이 설치된 회전암(420)을 지지하며, 상기 회전암(420)은 상기 본체(410)의 일측면에 종방향을 따라 고정되되, 상기 본체(410)에 거의 수직방향으로 장착된 회전축(413)에 의해 고정된다. 이에 따라 상기 회전암(420)은 상기 회전축(413)에 의해 360° 또는 일정각도로 회전가능하게 설치된다.In addition, the main body 410 supports the rotary arm 420, the components are installed, the rotary arm 420 is fixed along the longitudinal direction on one side of the main body 410, the main body 410 It is fixed by the rotating shaft 413 mounted in a substantially vertical direction. Accordingly, the rotary arm 420 is rotatably installed by the rotation shaft 413 at a 360 ° or a predetermined angle.

이때, 상기 회전축(413)은 상기 본체(410)에 종방향으로 승강 변위되도록 설치됨으로써, 상기 회전암(420)은 상기 회전축(413)에 의해 상기 본체(410)의 종방향을 따라 상하 방향으로 승강 변위되어 환자의 키에 맞춰 적절히 높낮이를 조절할 수 있도록 구비된다.In this case, the rotation shaft 413 is installed to be elevated in the longitudinal direction to the main body 410, the rotary arm 420 by the rotation axis 413 in the vertical direction along the longitudinal direction of the main body 410. Elevated and displaced is provided to adjust the height appropriately according to the height of the patient.

상기 엑스선 발생부(430)는 엑스선 소스(431)를 구비하여 엑스선을 발생시키는 장치로서 상기 회전암(420) 전면 상단에 구비되며, 상기 본체(410)와 연결된 입력장치(411)에 의해 작동된다.The X-ray generator 430 is provided with an X-ray source 431 to generate X-rays and is provided on the upper surface of the rotating arm 420 and is operated by an input device 411 connected to the main body 410. .

또한, 상기 엑스선 발생부(430) 하단에는 상하 방향으로 슬라이딩 동작되는 엑스선 차단막(433)이 구비될 수 있으며, 이에 따라 상기 엑스선 차단막(433)은 환자의 눈높이에 맞춰 적절히 높낮이를 조절하며, 환자의 눈은 상기 엑스선 차단막(433)에 의해 엑스선으로부터 보호받을 수 있다.In addition, the bottom of the X-ray generator 430 may be provided with an X-ray blocking film 433 sliding in the vertical direction, accordingly, the X-ray blocking film 433 adjusts the height appropriately according to the eye height of the patient, The eye may be protected from X-rays by the X-ray blocking layer 433.

또한, 상기 엑스선 발생부(430)에는 콜리메이터(432) 등이 장착되어 환자의 유방이 구비되어 있는 엑스선 검출부(450)를 향해 조사되도록 엑스선을 거의 수직방향으로 방출하도록 제한한다.In addition, the collimator 432 or the like is mounted on the X-ray generator 430 to restrict the X-rays to be emitted in a substantially vertical direction to be irradiated toward the X-ray detector 450 having the patient's breast.

한편, 상기 압축 패들(440)은 상기 엑스선 발생부(430)와 상기 엑스선 검출부(450) 사이에 개재되되 상기 회전암(420) 전면에 종방향을 따라 구비된 가이드홈(421)에 의해 상하 방향으로 승강 변위되도록 설치되어 상기 회전암(420) 전면 하단에 구비된 엑스선 검출부(450)의 상단면에 환자의 유방이 밀착되도록 압축하는 기능을 한다.On the other hand, the compression paddle 440 is interposed between the X-ray generator 430 and the X-ray detector 450, the vertical direction by the guide groove 421 provided along the longitudinal direction on the front of the rotary arm 420 It is installed to be lifted and displaced so as to compress the patient's breast to be in close contact with the upper surface of the X-ray detector 450 provided on the lower front of the rotary arm 420.

이에 따라 상기 압축 패들(440)과 상기 엑스선 검출부(450) 사이에 상기 유방을 구비함으로써 상기 엑스선 검출부(450)는 상기 엑스선 발생부(430)에서 발생되어 상기 유방을 투과한 엑스선을 검출하도록 한다.Accordingly, by providing the breast between the compression paddle 440 and the X-ray detector 450, the X-ray detector 450 detects X-rays generated by the X-ray generator 430 and transmitted through the breast.

이때, 상기 엑스선 검출부(450)는 상단면에 환자의 유방이 편안하게 안치될 수 있도록 하는 거치대(451)가 마련되어 있으며, 그 내부에는 상기 엑스선 발생부(430)에서 발생되어 상기 유방을 투과한 엑스선을 전기신호로 출력하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서(200,300)를 구비한다.In this case, the X-ray detection unit 450 is provided with a cradle 451 on the top surface to allow the patient's breast to be comfortably placed therein, and the X-ray generation unit 430 is generated inside the X-ray generation unit 430 to penetrate the breast. And partial pixel scintillator X-ray sensors 200 and 300 for outputting the signal as an electrical signal.

도 6은 본 발명의 제1실시 예 및 제2실시 예에 따른 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서가 이용되는 오랄 센서를 도시한 분해 사시도이다.FIG. 6 is an exploded perspective view illustrating an oral sensor using a partial pixel scintillator X-ray sensor according to the first and second embodiments of the present invention.

도 6을 참조하여 설명하면, 본 발명의 제1실시 예 및 제2실시 예에 따른 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서(200,300)가 이용되는 오랄 센서(500)는 제1실시 예 및 제2실시 예에 따른 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서(200,300)가 이용될 수 있는 엑스선 검출부(520)와 상기 엑스선 검출부(520)의 일면에 위치하는 상부 케이스(510) 및 상기 엑스선 검출부(520)의 타면에 위치하는 하부 케이스(530)를 포함한다.Referring to FIG. 6, the oral sensor 500 using the partial pixel scintillator X-ray sensors 200 and 300 according to the first and second embodiments of the present invention is the first and second embodiments. The X-ray detector 520 and the upper case 510 positioned on one surface of the X-ray detector 520 and the lower surface positioned on the other surface of the X-ray detector 520 may be used. And a case 530.

상기 상부 및 하부 케이스(510,530)의 네 모서리가 라운딩 되어 있어 환자의 구강 내의 엑스선 촬영을 위해 환자나 검사자가 손가락으로 구강 내에 상기 오랄 센서(500)를 파지하였을 때 모서리가 날카롭지 않아 안전하고 편안하게 엑스선 촬영을 할 수 있다.Four corners of the upper and lower cases 510 and 530 are rounded so that when the patient or inspector grips the oral sensor 500 in the oral cavity with a finger for X-ray imaging in the oral cavity of the patient, the corners are not sharp and safe and comfortable. You can shoot.

본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.Although the present invention has been shown and described with reference to preferred embodiments as described above, it is not limited to the above-described embodiments and those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Various changes and modifications will be possible.

도 1은 종래 기술에 의한 엑스선 센서를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an X-ray sensor according to the prior art.

도 2 및 도 3은 본 발명의 제1실시 예에 따른 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서의 사시도 및 단면도이다.2 and 3 are a perspective view and a cross-sectional view of a partial pixel scintillator x-ray sensor according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 본원 발명의 제2실시 예에 따른 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a partial pixel scintillator X-ray sensor according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제1실시 예 및 제2실시 예에 따른 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서가 이용되는 맘모그래피를 도시한 사시도이다.FIG. 5 is a perspective view illustrating mammography in which the partial pixel scintillator X-ray sensor according to the first and second embodiments of the present invention is used.

도 6은 본 발명의 제1실시 예 및 제2실시 예에 따른 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서가 이용되는 오랄 센서를 도시한 분해 사시도이다.FIG. 6 is an exploded perspective view illustrating an oral sensor using a partial pixel scintillator X-ray sensor according to the first and second embodiments of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

200,300 : 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서 210,310 : 섬광체층200,300: partial pixel scintillator X-ray sensor 210,310: scintillator layer

211,311 : 섬광체 214,314 : 광가이드211,311: scintillator 214,314: Light guide

220,320 : 화소 어레이층 222,322 : 단위 화소220,320: pixel array layer 222,322: unit pixel

230,330 : 엑스선 240,340 : 광230,330: X-ray 240,340: Light

Claims (12)

입사된 엑스선을 광으로 변환시키는 섬광체층; 및A scintillator layer for converting incident X-rays into light; And 상기 섬광체층에서 변환된 광을 수신하는 화소 어레이층;을 포함하며,And a pixel array layer configured to receive the light converted by the scintillator layer. 상기 화소 어레이층;은The pixel array layer; 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 단위 화소; 및A plurality of unit pixels arranged in a matrix; And 상기 단위 화소들 각각에 연결되며, 연결된 단위 화소를 온/오프시키는 박막트랜지스터;를 포함하며,And a thin film transistor connected to each of the unit pixels, and configured to turn on / off the connected unit pixel. 상기 섬광체층:은The scintillator layer: silver 상기 엑스선을 광으로 변환시키는 섬광체; 및A scintillator for converting the X-rays into light; And 상기 광을 반사시키는 광가이드;를 포함하되,Including; optical guide for reflecting the light; 상기 엑스선이 입사되는 일측 표면에서 일정 깊이까지의 섬광체층은 상기 섬광체로만 이루어져 있으며,The scintillator layer up to a predetermined depth from one surface on which the X-ray is incident consists of only the scintillator, 상기 엑스선이 입사되는 일측 표면에서의 일정 깊이 이하의 섬광체층은 섬광체 및 광가이드로 이루어져 있되, 상기 단위 화소들 상부에는 섬광체로 이루어져 있고, 상기 단위 화소들 사이의 상부에는 광가이드로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서.The scintillator layer having a predetermined depth or less on one surface on which the X-ray is incident consists of a scintillator and a light guide, and consists of scintillators on the unit pixels, and consists of an optical guide on the unit pixels. Partial pixelated scintillator x-ray sensor. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 일정 깊이는 하기 식의 t로부터 획득되는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서.And the predetermined depth is obtained from t in the following equation. QAE = 1-e-μt QAE = 1-e -μt (이때, 상기 QAE는 양자흡수효율을 의미하며, t는 섬광체의 일정 깊이를 의미하며, 상기 μ는 선형감쇠계수(linear attenuation coefficient)을 의미함.)(At this time, QAE means quantum absorption efficiency, t means constant depth of scintillator, and μ means linear attenuation coefficient.) 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 섬광체는 Gd2O2S:Tb 혹은 CsI:Tl로 이루어진 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서.And the scintillator is composed of Gd 2 O 2 S: Tb or CsI: Tl. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광가이드는 실리콘 또는 폴리머로 이루어진 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서.And the optical guide is made of silicon or polymer. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 광가이드는 그 표면에 광을 반사하기 위한 광 반사체 물질이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서.The light guide is a partial pixel scintillator x-ray sensor, characterized in that the surface is coated with a light reflector material for reflecting light. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 광 반사체 물질은 산화막 또는 금속막인 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서.And the light reflector material is an oxide film or a metal film. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 산화막은 TiO2 또는 SiO2이고, 상기 금속막은 Cr 또는 Al인 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서.And the oxide film is TiO 2 or SiO 2 , and the metal film is Cr or Al. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 광가이드는 상기 섬광체에서 발생된 광을 단위화소로의 전달 효율을 높이기 위한 기학적 구조를 구비하는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서.The optical guide is a partial pixel scintillator x-ray sensor characterized in that it has a mechanical structure for improving the efficiency of transferring the light generated from the scintillator to the unit pixel. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 광가이드는 상기 일측 표면에 가까운 단부의 단면은 이등변 삼각형의 형상을 가지고, 상기 단부 이외의 영역의 단면은 사각형의 형상을 가진 형태인 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서.The light guide has a cross section of an end portion close to the one side surface is an isosceles triangle shape, the cross section of the region other than the end portion has a shape of a quadrangle, the partial pixel type scintillator x-ray sensor. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 단위 화소는 포토다이오드를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서.And the unit pixel comprises a photodiode. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서는 맘모그래피의 엑스선 검출부로 이용되는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서.The partial pixel scintillator X-ray sensor is used as an X-ray detector of mammography. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서는 오랄 센서의 엑스선 검출부로 이용되는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서.The partial pixel scintillator X-ray sensor is used as an X-ray detector of an oral sensor.
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