KR20100009339U - Apparatus for supplying source gas including means for outflow prevention of deposition source meaterial - Google Patents
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Abstract
본 고안은 증착물질의 유출 방지수단을 구비하는 소스가스 공급장치에 관한 것으로서, 본 고안에 따르면 용기(110)에 저장된 증착물질을 가열하여, 증착챔버 내의 기판 상에 박막을 형성시키는 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부(100); 소스가스를 증착챔버로 운반하기 위한 운반가스를 공급하는 운반가스 공급부(200); 운반가스 공급부(200)에서 소스가스 공급부(100)로 운반가스를 이동시키는 운반가스 공급관(400); 및 소스가스 공급부(100)에서 증착챔버로 소스가스를 이동시키는 소스가스 공급관(300)을 포함하며, 용기(110) 내부에는 소스가스 공급관(300)과 연결되어 증착물질의 유출을 방지하는 제1 수단(131)이 설치되는 것을 특징으로 하는 소스가스 공급장치가 제공된다.The present invention relates to a source gas supply device having a leakage preventing means of the deposition material, according to the present invention by heating the deposition material stored in the container 110, supplying a source gas for forming a thin film on the substrate in the deposition chamber Source gas supply unit 100; A carrier gas supply unit 200 supplying a carrier gas for transporting the source gas to the deposition chamber; A carrier gas supply pipe 400 for moving the carrier gas from the carrier gas supply unit 200 to the source gas supply unit 100; And a source gas supply pipe 300 for moving the source gas from the source gas supply unit 100 to the deposition chamber, wherein the container 110 is connected to the source gas supply pipe 300 to prevent leakage of the deposition material. Source gas supply apparatus is provided, characterized in that the means 131 is installed.
Description
본 고안은 증착물질의 유출 방지수단을 구비하는 소스가스 공급장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 분말 형태의 증착물질이 박막을 형성하는 증착챔버 내부에 유입되는 것을 방지할 수 있는 소스가스 공급장치에 관한 것이다.The present invention relates to a source gas supply device having a leakage preventing means of the deposition material, and more particularly to a source gas supply device that can prevent the deposition material in the form of powder to be introduced into the deposition chamber to form a thin film It is about.
오늘날 반도체 소자의 집적회로 또는 평판 디스플레이의 구동회로의 제작을 위해서 다양한 종류의 박막(Thin film)이 형성되는데, 이러한 박막은 증착(Deposition) 공정과 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통해 구현될 수 있다.Today, various types of thin films are formed for fabricating integrated circuits of semiconductor devices or driving circuits of flat panel displays, which may be implemented through deposition and photolithography processes.
이때, 박막 증착 방법은 크게 물리적 증착법(PVD: physical vapor deposition)과 화학 반응을 이용한 화학적 증착법(CVD: chemical vapor deposition)으로 나눌 수 있다. 이중에서 화학적 증착법은 증착하고자 하는 증착물질을 가스 형태로 기판 표면으로 이동시켜 가스의 반응을 이용하여 기판 표면에 박막을 증착시키는 방법으로써, 재료의 선택에 따라 다양한 박막 형성이 가능하며, 비교적 간단한 공정으로도 대량의 생산이 가능하다는 장점을 가지고 있어 폭넓게 사용되고 있다. In this case, the thin film deposition method may be roughly divided into physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD) using a chemical reaction. Among them, chemical vapor deposition is a method of depositing a thin film on the surface of a substrate by using a reaction of gas by moving a deposition material to be deposited in the form of gas, and a variety of thin films can be formed according to a material selection. It is also widely used because it has the advantage that mass production is possible.
특히, 최근에는 기체 상태의 원료(source gas)를 순차적(sequentially)으로 주입/배기시킴으로써, 기판 상에 원자 크기 수준(order of an atomic size)의 박막을 형성시키는 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD) 기술이 발전하고 있다. 이러한 ALD 방식은 박막의 균일성 및 스텝 커버리지를 향상시킬 수 있는 방법으로 알려져 있는 차세대 증착기술이다.In particular, recently, atomic layer deposition (ALD), which sequentially forms / exits a gaseous source gas, forms a thin film of an order of an atomic size on a substrate. ) Technology is developing. This ALD method is a next generation deposition technique known as a method for improving the uniformity and step coverage of a thin film.
이러한 종래의 화학적 증착법의 상세한 구성을 살펴보면, 도 1은 종래 기술에 의한 소스가스 공급장치의 간략한 구성을 나타내는 도면이다.Looking at the detailed configuration of such a conventional chemical vapor deposition method, Figure 1 is a view showing a simplified configuration of a source gas supply apparatus according to the prior art.
도 1을 참조하면, 종래의 소스가스 공급장치는 소스가스 공급부(10)와 운반가스 공급부(20) 및 다수개의 밸브(v1, v2, v3)로 구성된다. Referring to FIG. 1, a conventional source gas supply device includes a source
먼저, 소스가스 공급부(10)는 증착물질(13)을 저장하는 용기(11)와 히터와 같이 열을 가할 수 있는 가열수단(12)을 구비하는데, 일반적으로 증착물질(13)은 상온에서 고체의 분말 상태로 존재하기 때문에 가열수단(12)에 의해 증착물질(13)을 상온 이상으로 가열해야 증착물질(13)이 소스가스화 된다. First, the source
다음으로, 운반가스 공급부(20)는 소스가스의 비중이 큰 관계로 이동도가 작기 때문에 운반가스(carrier gas)를 공급하여 소스가스가 증착챔버 내로 원활하게 이동하도록 하는 기능을 한다. 이러한, 소스가스와 운반가스는 다수개의 밸브(v1, v2, v3)에 의해 가스의 이동방향과 가스의 유량이 제어될 수 있다.Next, the carrier
하지만, 도 1과 같은 종래의 소스가스 공급장치는 운반가스의 압력에 의해 증착물질이 유출될 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 소스가스 공급부(10)로 유입되는 운반가스의 압력에 의해 증착물질(13)이 원래의 분말 형태로 소스가스와 함께 소스가스 공급부(10)의 외부로 유출되어, 소스가스 공급부(10)와 증착챔버 사이에 설치되어 있는 밸브(v2)로 들어가 밸브 막힘 또는 가스 유량의 균일도를 저하시키는 현상을 야기시킬 수 있다.However, the conventional source gas supply apparatus as shown in FIG. 1 has a problem in that the deposition material may be leaked by the pressure of the carrier gas. That is, due to the pressure of the carrier gas flowing into the source
또한, 유출된 분말 형태의 증착물질(13)은 증착챔버까지 유입되어 결국 기판 상에서 증착되는 박막을 오염시키는 현상을 야기시킬 수도 있다. In addition, the deposited
이러한 문제점을 해결하기 위해서 증착챔버에 필터를 설치하여 증착챔버의 오염을 방지하는 방법이 제안되었으나, 이는 밸브(v2)나 가스 공급관에 증착물질(11)이 누적되는 현상을 방지할 수는 없으며, 증착챔버에 설치된 필터는 수작업으로 정기적으로 교체해 주어야만 하는 문제점이 있었다. In order to solve this problem, a method of preventing contamination of the deposition chamber has been proposed by installing a filter in the deposition chamber. However, this does not prevent the deposition of the
따라서, 이러한 증착챔버에 필터를 설치하는 방법은 공정 단가 및 공정 시간의 증가를 가져와 전체적으로 제조하려는 디바이스의 제조 단가를 높이는 요인이 될 수 있다.Therefore, the method of installing a filter in the deposition chamber may increase the manufacturing cost and the processing time, thereby increasing the manufacturing cost of the device to be manufactured as a whole.
또한, 유출된 분말 형태의 증착물질(13)이 밸브(v2)나 가스 공급관까지 유입되어 결국 기판 상에서 증착되는 소스가스 유량의 균일성을 저하시키는 현상을 초래하며, 이러한 소스가스 유량의 편차는 박막을 균일도와 특성을 변화시켜서 전체 디바이스의 신뢰성을 심각하게 저하시키는 요인이 될 수 있다. In addition, the outflowing
따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로, 소스가스를 균일한 유량으로 공급하는데 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and has an object of supplying a source gas at a uniform flow rate.
또한, 본 고안은 증착챔버의 오염을 방지하여 신뢰성 있는 박막을 형성하는데 그 목적이 있다.In addition, the present invention has an object to form a reliable thin film by preventing contamination of the deposition chamber.
또한, 본 고안은 필터에 축적되는 분말 형태의 증착물질을 용이하게 제거할 수 있는 퍼지수단을 제공하는데도 그 목적이 있다.It is also an object of the present invention to provide a purge means that can easily remove the deposited material in the form of powder accumulated in the filter.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 고안에 의한 증착물질의 유출 방지수단을 구비하는 소스가스 공급장치는 용기에 저장된 증착물질을 가열하여, 증착챔버 내의 기판 상에 박막을 형성시키는 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부; 상기 소스가스를 상기 증착챔버로 운반하기 위한 운반가스를 공급하는 운반가스 공급부; 상기 운반가스 공급부에서 상기 소스가스 공급부로 상기 운반가스를 이동시키는 운반가스 공급관; 및 상기 소스가스 공급부에서 상기 증착챔버로 상기 소스가스를 이동시키는 소스가스 공급관을 포함하며, 상기 용기 내부에는 상기 소스가스 공급관과 연결되어 상기 증착물질의 유출을 방지하는 제1 수단이 설치되며, 상기 용기 내부에는 상기 소스가스 공급관과 연결되어 상기 증착물질의 유출을 방지하는 제1 수단이 설치되고, 상기 운반가스 공급부와 상기 소스가스 공급관을 연결하고, 상기 소스가스 공급관의 하단부를 통해 상기 제1 수단으로 퍼지가스를 공급하여 상기 제1 수단에 쌓여 있는 증착물질을 제거하는 퍼지가스 공급관이 더 설치되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the source gas supply device having a leakage prevention means of the deposition material according to the present invention is to heat the deposition material stored in the container, supplying a source gas for forming a thin film on the substrate in the deposition chamber Source gas supply unit; A carrier gas supply unit supplying a carrier gas for transporting the source gas to the deposition chamber; A carrier gas supply pipe configured to move the carrier gas from the carrier gas supply unit to the source gas supply unit; And a source gas supply pipe configured to move the source gas from the source gas supply unit to the deposition chamber, wherein a first means connected to the source gas supply pipe is installed inside the vessel to prevent the leakage of the deposition material. A first means connected to the source gas supply pipe to prevent leakage of the deposition material is installed inside the container, and connects the carrier gas supply part to the source gas supply pipe, and the first means through the lower end of the source gas supply pipe. The purge gas supply pipe for supplying a purge gas to remove the deposition material accumulated in the first means is characterized in that it is further installed.
상기 용기의 내부에는 상기 운반가스 공급관과 연결되어 상기 증착물질의 유출을 방지하는 제2 수단이 더 설치될 수 있다.The container may be further provided with a second means connected to the carrier gas supply pipe to prevent the leakage of the deposition material.
상기 운반가스 공급부에서 상기 소스가스 공급관을 통해 상기 제1 수단으로 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급관이 더 설치될 수 있다.A purge gas supply pipe for supplying purge gas from the carrier gas supply unit to the first means through the source gas supply pipe may be further installed.
상기 제1 수단과 상기 제2 수단은 메시 형태일 수 있다.The first means and the second means may be in the form of a mesh.
상기 퍼지가스는 상기 운반가스와 동일할 수 있다.The purge gas may be the same as the carrier gas.
본 고안에 따르면, 외부로 분말 형태의 증착물질이 유출되는 현상을 방지하는 수단을 구비함으로써, 소스가스 공급장치 및 증착챔버의 수명 및 성능을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, by providing a means for preventing the outflow of the deposition material in the form of powder to the outside, there is an effect that can improve the life and performance of the source gas supply device and the deposition chamber.
또한, 본 고안에 따르면, 오염을 방지하고 균일성 있는 박막을 형성하여 박막이 형성된 디바이스의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다. In addition, according to the present invention, there is an effect of preventing contamination and forming a uniform thin film to improve the reliability of the device in which the thin film is formed.
또한, 본 고안에 따르면, 필터에 축적된 분말 형태의 증착물질을 퍼지가스로 용이하게 제거함으로써 공정시간 및 단가를 줄일 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to reduce the process time and cost by easily removing the deposition material in the form of powder accumulated in the filter with a purge gas.
도 1은 종래 기술에 의한 소스가스 공급장치의 간략한 구성도을 나타내는 도면.
도 2는 본 고안의 실시예 1에 의한 소스가스 공급장치의 간략한 구성을 나타내는 도면.
도 3은 본 고안의 실시예 2에 의한 소스가스 공급장치의 간략한 구성을 나타내는 도면.1 is a view showing a simplified configuration of a source gas supply apparatus according to the prior art.
2 is a view showing a simplified configuration of a source gas supply apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
Figure 3 is a view showing a simplified configuration of a source gas supply apparatus according to a second embodiment of the present invention.
본 고안의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 고안의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해보다 명확하게 이해될 것이다.Details of the above object and technical configuration of the present invention and the effects thereof according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention.
[[ 실시예Example 1] One]
도 2는 본 고안의 실시예 1에 의한 소스가스 공급장치의 간략한 구성을 나타내는 도면이다.2 is a view showing a simplified configuration of a source gas supply apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 고안의 실시예 1에 의한 소스가스 공급장치는 소스가스 공급부(100), 운반가스 공급부(200) 및 다수개의 밸브(v1, v2, v3)를 포함하며 구성된다.Referring to FIG. 2, the source gas supply apparatus according to the first embodiment of the present invention includes a source gas supply unit 100, a carrier
먼저, 소스가스 공급부(100)는 용기(110)에 저장된 증착물질(130)을 가열하여 증착챔버 내의 기판 상에 박막을 형성시키는 소스가스를 공급하는 기능을 한다.First, the source gas supply unit 100 functions to supply a source gas that forms a thin film on a substrate in the deposition chamber by heating the
증착물질(130)을 저장하는 용기(110)의 외부에는 히터와 같이 열을 가할 수 있는 가열수단(120)을 구비하는데, 일반적으로 증착물질(130)은 상온에서 고체의 분말 상태로 존재하기 때문에 가열수단(120)에 의해 증착물질(130)을 상온 이상으로 가열해야 증착물질(130)이 소스가스화 된다. 이러한 증착물질(130)은 형성하고자 하는 박막의 종류에 따라 다양하게 선택될 수 있다.Outside of the
이때, 용기(110) 내부에는 소스가스 공급관(300)과 연결되어 증착물질(130)이 유출되는 것을 방지하기 위한 제1 수단(131)이 설치되는데, 이러한 제1 수단(131)은 분말형태의 증착물질(130)을 걸러내기 위한 필터 기능을 할 수 있다. 일례로는 일정 크기의 개구부를 구비하는 메시(mesh)구조일 수 있으며, 재질은 내부식성을 가지면서도 강성재질인 SUS(Stainless Steel)를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 개구부의 크기에 따라 필터링하고자 하는 증착물질(130)의 분말입자의 크기가 결정될 수 있다.In this case, inside the
다음으로, 운반가스 공급부(200)는 소스가스가 비중이 큰 관계로 이동도가 작기 때문에 이를 보완하는 운반가스(carrier gas)를 공급하여 소스가스가 증착챔버 내로 원활하게 이동하도록 하는 기능을 한다. 이러한 운반가스로는 불활성이며 소스가스의 증착챔버로의 이동을 용이하게 할 수 있는 고순도의 아르곤, 헬륨, 질소 등이 사용될 수 있다.Next, the carrier
다음으로, 운반가스 공급부(200)에서 소스가스 공급부(100)로 운반가스를 이동시키는 운반가스 공급관(400) 및 소스가스 공급부(100)에서 증착챔버로 운반가스와 소스가스를 이동시키는 소스가스 공급관(300)에는 다수개의 밸브(v1, v2, v3)가 위치하여 가스(소스가스 및/또는 운반가스)의 이동방향과 가스의 유량을 제어할 수 있다. 이러한 밸브(v1, v2, v3)의 구동의 이해를 돕기 위해 이하의 상세한 설명을 제시한다.Next, the carrier gas supply pipe 400 for moving the carrier gas from the carrier
먼저, 소스가스 공급부(100)에서는 증착물질(130)을 저장하는 용기(110)를 가열수단(120)에 의해 가열하여 소스가스를 생성하게 된다. 이때, 소정의 온도로 가열 시 휘발이 되지 않는 온도 범위까지는 모든 밸브(v1, v2, v3)를 닫힘 상태로 할 수 있으며, 실제 증착 공정에서는 밸브(v1, v2)를 개방하여 증착공정을 진행할 수 있다.First, the source gas supply unit 100 generates the source gas by heating the
이러한 소스가스는 증착물질(130)에 따라 이동도가 충분한 경우에는 운반가스가 필요하지 않기 때문에 운반가스 공급부(200)와 연결된 밸브(v1)를 닫힘 상태로 할 수도 있으나, 일반적인 소스가스의 이동도를 고려할 때 운반가스가 소스가스 공급부(100)를 통과할 수 있도록 밸브(v1)를 열림 상태로 하는 것이 바람직하다.Since the source gas does not need a carrier gas when the mobility is sufficient according to the
따라서, 증착공정시 운반가스 공급관(400)을 통해 이동된 운반가스는 소스가스 공급부(100)에서 소스가스의 이동성을 향상시켜 소스가스 공급관(300)을 통해 증착챔버로 이동하게 된다. 이때, 소스가스 공급부(100) 내부에는 소스가스 공급관(300)과 연결된 필터기능의 제1 수단(131)이 설치되어 증착물질(130)이 분말형태로 유출 되는 것을 방지할 수 있게 된다.Therefore, the carrier gas moved through the carrier gas supply pipe 400 during the deposition process is moved to the deposition chamber through the source gas supply pipe 300 by improving the mobility of the source gas in the source gas supply unit 100. In this case, the
한편, 운반가스가 소스가스 공급부(100)를 통과하는 경우라도 소스가스의 이동도를 높이기 위하여 밸브(v3)를 개방시킬 수도 있다.Meanwhile, even when the carrier gas passes through the source gas supply unit 100, the valve v3 may be opened to increase the mobility of the source gas.
[[ 실시예Example 2] 2]
도 3은 본 고안의 실시예 2에 의한 소스가스 공급장치의 간략한 구성을 나타내는 도면이다.3 is a view showing a simplified configuration of a source gas supply apparatus according to a second embodiment of the present invention.
이러한, 본 고안의 실시 예2는 실시 예1에 의한 소스가스 공급장치의 구성 중 제2 수단(132)과, 밸브(v4, v5) 및 퍼지가스 공급관(500)이 추가된 것으로, 다른 구성은 실시 예1과 동일함으로 중복을 피하기 위해 상세한 설명을 생략한다.The second embodiment of the present invention, the
도 3을 참조하면, 본 고안의 실시예 2에 의한 소스가스 공급장치는 소스가스 공급부(100), 운반가스 공급부(200) 및 다수개의 밸브(v1, v2, v3, v4, v5)를 포함하며 구성된다.Referring to FIG. 3, the source gas supply apparatus according to Embodiment 2 of the present invention includes a source gas supply unit 100, a carrier
먼저, 소스가스 공급부(100)의 용기(110) 내부에는 소스가스 공급관(300)과 연결되어 증착물질(130)이 유출되는 것을 방지하기 위한 제1 수단(131)이 설치되고, 추가로 운반가스 공급관(400)과 연결되어 증착물질(130)이 유출되는 것을 방지하기 위해 제2 수단(132)을 설치할 수 있다.First, a
이러한 제1 수단(131)과 제2 수단(132)은 분말형태의 증착물질(130)을 걸러내기 위한 필터기능을 할 수 있는데, 일례로는 일정 크기의 개구부를 구비하는 메시(mesh)구조일 수 있으며, 재질은 내부식성을 가지면서도 강성재질인 SUS(Stainless Steel)를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 개구부의 크기에 따라 필터링하고자 하는 증착물질(130)의 분말입자의 크기가 결정될 수 있다.The first means 131 and the second means 132 may function as a filter for filtering the
다음으로, 운반가스 공급부(200)에서 소스가스 공급부(100)로 운반가스를 이동시키는 운반가스 공급관(400) 및 소스가스 공급부(100)에서 증착챔버로 운반가스와 소스가스를 이동시키는 소스가스 공급관(300)이 설치되는데, 추가로 운반가스 공급부(200)에서 상기 소스가스 공급관(300)을 통해 제1 수단(131)으로 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급관(500)이 설치될 수 있다.Next, the carrier gas supply pipe 400 for moving the carrier gas from the carrier
이러한 가스 공급관들(300, 400, 500)에는 다수개의 밸브(v1, v2, v3, v4, v5)가 위치하여 가스의 이동방향과 가스의 유량이 제어될 수 있는데, 이러한 밸브(v1, v2, v3, v4, v5)의 구동의 이해를 돕기 위해 이하의 상세한 설명을 제시한다.A plurality of valves (v1, v2, v3, v4, v5) are located in the gas supply pipe (300, 400, 500) can control the flow direction of the gas and the flow rate of the gas, such valves (v1, v2, The following detailed description is provided to help understand the driving of v3, v4, v5).
먼저, 소스가스 공급부(100)에서는 증착물질(130)을 저장하는 용기(110)를 가열수단(120)에 의해 가열하여 소스가스를 생성하게 된다. 이때, 소정의 온도로 가열 시 휘발이 되지 않는 온도 범위까지는 모든 밸브(v1, v2, v3, v4, v5)를 닫힘 상태로 할 수 있으며, 실제 증착 공정에서는 밸브(v1, v2, v4)를 개방하여 증착공정을 진행할 수 있다.First, the source gas supply unit 100 generates the source gas by heating the
이러한 소스가스는 증착물질(130)에 따라 이동도가 충분한 경우에는 운반가스가 필요하지 않기 때문에 운반가스 공급부(200)와 연결된 밸브(v1) 또는/및 밸브(v4)를 닫힘 상태로 할 수도 있으나, 일반적인 소스가스의 이동도를 고려할 때 운반가스가 소스가스 공급부(100)를 통과할 수 있도록 밸브(v1)와 밸브(v4)를 열림 상태로 하는 것이 바람직하다. Since the source gas does not need a carrier gas when the mobility is sufficient according to the
따라서, 증착공정 시 운반가스 공급관(400)을 통해 이동된 운반가스는 소스가스 공급부(100)에서 소스가스의 이동성을 향상시켜 소스가스 공급관(300)을 통해 증착챔버로 이동하게 된다. 한편, 운반가스가 소스가스 공급부(100)를 통과하는 경우라도 소스가스의 이동도를 높이기 위하여 밸브(v3)를 개방시킬 수 있다. Therefore, the carrier gas moved through the carrier gas supply pipe 400 during the deposition process is moved to the deposition chamber through the source gas supply pipe 300 by improving the mobility of the source gas in the source gas supply unit 100. Meanwhile, even when the carrier gas passes through the source gas supply unit 100, the valve v3 may be opened to increase the mobility of the source gas.
이어서, 증착공정이 끝나거나 소스가스의 유량이 불균일할 경우에는 퍼지공정을 수행할 수 있는데, 이 경우 밸브(v2, v4)는 닫힘 상태로 하고 나머지 밸브(v1, v3, v5)는 열림 상태로 한 후, 운반가스 공급부(200)에서 퍼지가스를 공급한다. Subsequently, when the deposition process is finished or the flow rate of the source gas is uneven, the purge process may be performed. In this case, the valves v2 and v4 are closed and the remaining valves v1, v3 and v5 are opened. After that, the purge gas is supplied from the carrier
따라서, 퍼지가스는 닫힘 상태인 밸브(v4)에 의해 퍼지가스 공급관(500)으로 유도되어 소스가스 공급관(300)을 따라 소스가스 공급부(100)로 유입되게 된다. 이때, 소스가스 공급부(100) 내부에는 소스가스 공급관(300)과 연결되는 제1 수단(131)이 설치되어 있어서 상기 퍼지가스는 제1 수단(131)에 쌓여 있던 증착물질(130)을 가스압력에 의해 제거하는 기능을 할 수 있다. 결국, 제거된 증착물질은 용기(110)에 저장된 증착물질로 다시 모이게 되어 가열 시 소스가스로 활용될 수 있다.Therefore, the purge gas is guided to the purge
한편, 상기 퍼지가스는 다시 운반가스 공급관(400)으로 배출되어 밸브(v3)을 거쳐 소스가스 공급관(300)과 연결된 벤트(미도시)에 의해 외부로 배출될 수 있으나, 필요에 따라서는 증착챔버로 들어갈 수도 있다.On the other hand, the purge gas is discharged back to the carrier gas supply pipe 400 may be discharged to the outside by a vent (not shown) connected to the source gas supply pipe 300 through the valve (v3), if necessary, the deposition chamber You can also enter
이때, 퍼지가스가 소스가스 공급부(100)에서 배출되는 과정에서 다시 증착물질(130)이 유출할 수도 있기 때문에, 이를 방지하기 위하여 소스가스 공급부(100) 내부에는 운반가스 공급관(400)과 연결된 제2 수단(132)이 설치되는 것이 바람직하며, 상기 퍼지가스는 별도의 가스를 이용할 수 있으나, 상기 운반가스와 동일한 가스를 이용할 수도 있다.In this case, since the
본 고안은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시 예에 한정되지 아니하며 본 고안의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 고안과 첨부된 실용신안등록청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.The present invention has been shown and described with reference to the preferred embodiments as described above, but is not limited to the above embodiments and various modifications made by those skilled in the art to which the subject innovation pertains without departing from the spirit of the present invention. Modifications and variations are possible. Such modifications and variations should be regarded as falling within the scope of the present invention and the appended claims.
100: 소스가스 공급부
110: 용기
120: 가열수단
131: 제1 수단
132: 제2 수단
200: 운반가스 공급부
300: 소스가스 공급관
400: 운반가스 공급관
500: 퍼지가스 공급관100: source gas supply unit
110: container
120: heating means
131: first means
132: second means
200: carrier gas supply unit
300: source gas supply pipe
400: carrier gas supply pipe
500: purge gas supply pipe
Claims (4)
상기 소스가스를 상기 증착챔버로 운반하기 위한 운반가스를 공급하는 운반가스 공급부;
상기 운반가스 공급부에서 상기 소스가스 공급부로 상기 운반가스를 이동시키는 운반가스 공급관; 및
상기 소스가스 공급부에서 상기 증착챔버로 상기 소스가스를 이동시키는 소스가스 공급관을 포함하며,
상기 용기 내부에는 상기 소스가스 공급관과 연결되어 상기 증착물질의 유출을 방지하는 제1 수단이 설치되고,
상기 운반가스 공급부와 상기 소스가스 공급관을 연결하고, 상기 소스가스 공급관의 하단부를 통해 상기 제1 수단으로 퍼지가스를 공급하여 상기 제1 수단에 쌓여 있는 증착물질을 제거하는 퍼지가스 공급관이 더 설치되는 것을 특징으로 하는 소스가스 공급장치.A source gas supply unit supplying a source gas for heating the deposition material stored in the container to form a thin film on a substrate in the deposition chamber;
A carrier gas supply unit supplying a carrier gas for transporting the source gas to the deposition chamber;
A carrier gas supply pipe configured to move the carrier gas from the carrier gas supply unit to the source gas supply unit; And
A source gas supply pipe configured to move the source gas from the source gas supply unit to the deposition chamber,
The first means is connected to the source gas supply pipe inside the vessel to prevent the leakage of the deposition material is installed,
The purge gas supply pipe is further installed to connect the carrier gas supply unit and the source gas supply pipe, and to supply the purge gas to the first means through the lower end of the source gas supply pipe to remove the deposition material accumulated in the first means. Thing Source gas supply characterized in that.
상기 용기의 내부에는 상기 운반가스 공급관과 연결되어 상기 증착물질의 유출을 방지하는 제2 수단이 설치되는 것을 특징으로 하는 소스가스 공급장치.The method of claim 1,
And a second means connected to the carrier gas supply pipe to prevent the outflow of the deposition material.
상기 제1 수단과 상기 제2 수단은 메시 형태인 것을 특징으로 하는 소스가스 공급장치.The method of claim 2,
The first means and the second means source gas supply characterized in that the mesh form.
상기 퍼지가스는 상기 운반가스와 동일한 것을 특징으로 하는 소스가스 공급장치.The method of claim 1,
The purge gas source gas supply apparatus, characterized in that the same as the carrier gas.
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