KR20100005867A - Circuit and method for protecting overcurrent - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An over current protection circuit and a protection method thereof are provided to reduce dangerous fire of an SMPS(Switching Mode Power Supply) and a peripheral passive device by preventing breakdown of an amplifier IC. CONSTITUTION: A first transistor(310) is turned on when a speaker terminal is shorted. A half-wave rectification diode(360) is connected to a collector terminal of the first transistor. The half-wave rectification diode outputs a high signal. A second transistor(320) is turned on with the high signal of the half-wave rectification diode. A second transistor transmits a low signal to a micro control unit(600). The micro control unit generates a relay off signal in response to a low signal of the second transistor.

Description

과전류 보호 회로 및 방법{Circuit and Method for Protecting Overcurrent}Circuit and Method for Protecting Overcurrent

본 발명은 과전류 보호 회로 및 방법에 관한 것으로서, 특히 앰프 회로에서 과전류를 검출하여 차단하는 과전류 보호 회로 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an overcurrent protection circuit and method, and more particularly, to an overcurrent protection circuit and method for detecting and breaking an overcurrent in an amplifier circuit.

일반적인 앰프(Amplifier)는 전기신호로 전달되는 아날로그 신호를 증폭하는 기기이며, 특히 소리의 신호를 증폭하는 장치를 의미한다.A general amplifier is an apparatus for amplifying an analog signal transmitted as an electric signal, and particularly, an apparatus for amplifying a signal of sound.

도 1은 종래 기술에 따른 디지털 앰프의 회로 구성을 나타낸 도면이다.1 is a view showing the circuit configuration of a digital amplifier according to the prior art.

도 1에 도시된 바와 같이, DIGITAL AMP IC에 LC 로우 패스 필터를 거쳐 릴레이를 통해 스피커 단자를 결선한다. 여기서, DIGITAL AMP IC는 DIGITAL SANYO STK428-640 시리즈 IC로서 과전류 보호 회로가 IC 내부에 포함되어 있다.As shown in FIG. 1, the speaker terminals are connected to the DIGITAL AMP IC through an LC low pass filter through a relay. Here, the DIGITAL AMP IC is a DIGITAL SANYO STK428-640 series IC, which includes an overcurrent protection circuit inside the IC.

오디오 인(Audio In) 단자를 통하여 입력된 오디오 신호는 AMP IC에서 펄스 폭 변조(Pulse Width Modulation: PWM) 방식으로 증폭되어 구형파 신호가 출력한 후, LC 로우 패스 필터를 거쳐 아날로그 출력으로 바뀌어 릴레이 및 스피커를 통해 증폭된 오디오 신호를 출력한다.The audio signal input through the Audio In terminal is amplified by Pulse Width Modulation (PWM) in the AMP IC to output a square wave signal, and then converted into an analog output through an LC low pass filter to be relayed and Outputs the amplified audio signal through the speaker.

그러나 사용자의 과실에 의한 접속 또는 스피커 쇼트(Short) 현상이 발생하면, AMP IC 내부에는 쇼트를 감지하여 AMP IC가 파괴되기 전에 OCM 포트를 통하여 마이크로 컨트롤 유니트(Micro Control Unit 이하 'MCU'라 칭함)에 감지 신호(L)를 전송한다.However, if a connection or speaker short occurs due to a user's error, a micro control unit (hereinafter referred to as 'MCU') is detected through the OCM port before the AMP IC is destroyed by detecting a short inside the AMP IC. Transmits a detection signal (L).

하이(High) 상태 신호에서 로우(Low) 상태 신호를 감지한 MCU는 보호 모드 동작을 위해 릴레이로 릴레이 오프 신호를 전송하여 쇼트를 차단함으로써 AMP IC를 보호한다.Detecting the low state signal in the high state signal, the MCU protects the AMP IC by blocking the short by sending a relay off signal to the relay for protected mode operation.

그러나 SANYO STK428-640 시리즈 디지털 AMP IC는 오디오 인 단자에 30mVrms ~ 95mVrms 영역 대의 오디오 레벨 신호를 인가하고 있을 때, 스피커 양단이 쇼트되거나 과실로 인하여 스피커 두 단자가 쇼트되는 경우 AMP IC가 파괴된다.However, when the SANYO STK428-640 series digital AMP IC is applying an audio level signal in the 30 mVrms to 95 mVrms range to the audio in terminal, the AMP IC is destroyed when both ends of the speaker are shorted or the two terminals are shorted due to an error.

SANYO STK428-640 시리즈 디지털 AMP IC는 전술한 스피커 양단의 쇼트를 감지하지 못하여 OCM 포트에서 감지 신호(L)를 내보내지 못하고 AMP IC가 자체적으로 먼저 파괴되어 버리는 설계 오류가 발견되었다.The SANYO STK428-640 series digital AMP ICs did not detect shorts across the speakers mentioned above, failing to emit a sense signal (L) from the OCM port, and the AMP IC destroyed itself first.

즉, SANYO STK428-640 시리즈 디지털 AMP IC는 30mVrms ~ 95mVrms 입력 신호가 인가될 때 쇼트가 되면 무조건 파괴되어 버리고 IC 내부가 쇼트되면서 심각한 불량의 원인이 된다.In other words, the SANYO STK428-640 series digital AMP IC is destroyed when the short is applied when the 30mVrms ~ 95mVrms input signal is applied, and the internal circuit of the IC is shorted, causing serious defects.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 SANYO STK428-640 시리즈 디지털 앰프 회로에서 과전류를 검출하여 차단하는 과전류 보호 회로 및 방법을 제공하기 위한 것이다.In order to solve such a problem, the present invention is to provide an overcurrent protection circuit and method for detecting and blocking overcurrent in a SANYO STK428-640 series digital amplifier circuit.

이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른 과전류 보호 회로는 스피커 단자의 쇼트(Short) 레벨을 감지하여 (+)시그널까지 턴 온되는 제1 트랜지스터; 상기 턴 온된 (+)시그널에서 (-) 영역 시그널을 차단하여 하이(High) 상태 시그널을 출력하는 반파 정류 다이오드; 및 상기 하이 상태 시그널을 수신하여 턴 온되고 턴 온으로 인하여 컬렉터단과 연결된 집적 회로(Integrated Circuit)의 쇼트를 감지하는 포트에서 오동작 상태를 나타내는 로우 상태 신호로 변환시켜 마이크로 컨트롤 유니트(Micro Control Unit)로 전송하도록 제어하는 제2 트랜지스터를 포함하며, 상기 마이크로 컨트롤 유니트는 상기 로우 상태 신호를 감지하는 경우, 릴레이 오프 신호를 생성하여 릴레이로 전송함으로써 상기 릴레이를 오픈 상태로 제어하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, an overcurrent protection circuit may include a first transistor configured to sense a short level of a speaker terminal and turn on to a (+) signal; A half-wave rectifier diode which blocks a (−) region signal in the turned on (+) signal and outputs a high state signal; And converting the signal into a low state signal indicating a malfunction state in a port that receives the high state signal and is turned on and detects a short of an integrated circuit connected to the collector stage due to the turn-on to a micro control unit. And a second transistor for controlling to transmit, wherein the micro control unit controls the relay to an open state by generating a relay off signal and transmitting the relay off signal to the relay when sensing the low state signal.

본 발명의 특징에 따른 과전류 보호 방법은 스피커 단자의 쇼트 레벨을 감지하여 턴 온되는 제1 트랜지스터가 상기 쇼트 레벨을 감지하여 턴 온되는 경우, 상기 제1 트랜지스터에 연결된 제2 트랜지스터가 턴 온되고, 상기 제2 트랜지스터의 턴 온에 따라 집적 회로(Integrated Circuit)의 쇼트를 감지하는 포트에서 하이 상 태 신호를 로우 상태 신호로 변환시키며, 상기 로우 상태 신호를 감지하는 마이크로 컨트롤 유니트에서 릴레이를 제어하여 오픈 시키는 것을 특징으로 한다.In the overcurrent protection method according to an aspect of the present invention, when the first transistor turned on by sensing a short level of a speaker terminal is turned on by detecting the short level, a second transistor connected to the first transistor is turned on, A high state signal is converted into a low state signal at a port for detecting a short of an integrated circuit according to the turn-on of the second transistor, and the micro control unit detecting the low state signal is opened by controlling a relay. It is characterized by.

본 발명의 특징에 따른 과전류 보호 장치는 스피커 단자의 쇼트 레벨을 감지하는 제1 트랜지스터의 베이스단과 릴레이가 연결되고, 상기 제1 트랜지스터의 에미터단에 연결된 접점 노드 A에서 제2 저항, 제3 저항, 제1 콘텐서가 병렬로 각각 연결되고, 상기 제2 저항과 일측이 연결되고 타측이 상기 제1 트랜지스터의 베이스단에 연결되는 제1 저항이 배치되고, 상기 제3 저항에 상기 스피커 단자의 쇼트시 감지하고자 하는 레벨을 설정하는 제2 다이오드가 직렬 연결되며, 상기 제1 트랜지스터의 컬렉턴단에 제1 다이오드를 통해 제2 트랜지스터의 베이스단으로 연결되고, 상기 제2 트랜지스터의 컬렉터단은 집적 회로(Integrated Circuit)의 쇼트를 감지하는 포트와 연결되어 있는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, an overcurrent protection device includes: a second resistor, a third resistor, First capacitors are connected in parallel, respectively, and a first resistor connected to one side of the second resistor and the other end of the first transistor is disposed, and when the speaker terminal is shorted to the third resistor. A second diode that sets the level to be sensed is connected in series, and is connected to the collector end of the first transistor through a first diode to a base end of the second transistor, and the collector end of the second transistor is integrated circuit. It is characterized in that it is connected to the port for detecting the short of the circuit).

전술한 구성에 의하여, 본 발명은 AMP IC 파괴를 방지하여 불필요한 AS 비용 발생을 감소하는 효과를 기대할 수 있다.By the above-described configuration, the present invention can be expected to prevent the destruction of the AMP IC to reduce the unnecessary AS cost generation.

본 발명은 AMP IC 파괴를 방지하여 주변 수동 소자 및 SMPS 전원부의 발화 위험성을 감소시킬 수 있다.The present invention can prevent the destruction of the AMP IC can reduce the risk of ignition of the peripheral passive element and SMPS power supply.

본 발명은 AMP IC 파괴를 방지하여 품질 문제로 인한 소비자 불만을 감소할 수 있다.The present invention can prevent AMP IC destruction and reduce consumer complaints due to quality issues.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명 이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "…부", "…기", "모듈", "블록" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.Throughout the specification, when a part is said to "include" a certain component, it means that it can further include other components, without excluding other components unless specifically stated otherwise. In addition, the terms “… unit”, “… unit”, “module”, “block”, etc. described in the specification mean a unit that processes at least one function or operation, which is hardware or software or a combination of hardware and software. It can be implemented as.

이하에서, 도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 과전류 보호 회로를 포함한 앰프의 회로 구성과 동작을 나타낸다.2 and 3 show a circuit configuration and operation of an amplifier including an overcurrent protection circuit according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 사인파 입력시 정상 출력을 나타내는 과전류 보호 회로의 동작을 설명하기 위한 도면이다.2 is a view for explaining the operation of the overcurrent protection circuit showing a normal output when a sine wave input according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 디지털 앰프는 SANYO STK428-640 시리즈 디지털 앰프는 AMP IC(100), LC 로우 패스 필터(200), 과전류 보호 회로(300), 릴레이(400), 스피커(500) 및 MCU(600)를 포함한다. 이하에서, SANYO STK428-640 시리즈 디지털 앰프는 AMP IC(100)는 설명의 편의를 위해 AMP IC(100)로 기재하도록 한다.According to an embodiment of the present invention, the SANYO STK428-640 series digital amplifier may include an AMP IC 100, an LC low pass filter 200, an overcurrent protection circuit 300, a relay 400, a speaker 500, and an MCU. And 600. Hereinafter, in the SANYO STK428-640 series digital amplifier, the AMP IC 100 is described as the AMP IC 100 for convenience of description.

과전류 보호 회로(300)는 LC 로우 패스 필터(200)와 릴레이(400) 사이에 직 렬로 연결되어 제1 트랜지스터(310), 제2 트랜지스터(320), 제1 저항(R1)(330), 제2 저항(R2)(340), 제3 저항(R3)(350), 제1 다이오드(D1)(360), 제2 다이오드(D2)(370), 제1 콘덴서(C1)(380), 제2 콘덴서(C2)(390)로 구성된다.The overcurrent protection circuit 300 is connected in series between the LC low pass filter 200 and the relay 400 so that the first transistor 310, the second transistor 320, the first resistor R1 330, and the first resistor 310 are connected in series. The second resistor (R2) 340, the third resistor (R3) 350, the first diode (D1) 360, the second diode (D2) 370, the first capacitor (C1) 380, the first It consists of two capacitors (C2) 390.

제1 트랜지스터(310)의 베이스단은 제1 저항(330)과 릴레이(400)와 병렬로 연결되고, 제1 트랜지스터(310)의 컬렉터단에는 제1 다이오드(360)과 연결되며, 연결된 제1 다이오드(360)는 제2 트랜지스터(320)의 베이스단과 연결된다.The base terminal of the first transistor 310 is connected in parallel with the first resistor 330 and the relay 400, and the collector terminal of the first transistor 310 is connected with the first diode 360 and is connected to the first terminal. The diode 360 is connected to the base end of the second transistor 320.

제1 트랜지스터(310)의 에미터단에 연결된 노드 A(392)는 제2 저항(340), 제3 저항(350), 제1 콘덴서(380)가 병렬로 연결되어 있다. 여기서, 제3 저항(350)은 제2 다이오드(370)가 직렬로 연결되어 있다.In the node A 392 connected to the emitter terminal of the first transistor 310, the second resistor 340, the third resistor 350, and the first capacitor 380 are connected in parallel. Here, the second diode 370 is connected in series with the third resistor 350.

제2 트랜지스터(320)의 베이스단에 연결된 노드 B(394)는 제1 다이오드(360)와 제2 콘덴서(390)가 병렬로 연결되고, 제2 트랜지스터(320)의 컬렉터단은 AMP IC(100)의 OCM 포트와 MCU(600)와 연결되어 있다.The node B 394 connected to the base end of the second transistor 320 has a first diode 360 and a second capacitor 390 connected in parallel, and the collector end of the second transistor 320 has an AMP IC 100. ) Is connected to the OCM port and MCU (600).

제1 저항(330)은 스피커 양단의 쇼트시 저항 양단의 부하(Load) 역할이므로 0.1ohm 정도가 적합하고, 가급적 낮은 정수를 사용하여야 정상 출력일 때 저항 발열을 줄일 수 있다.Since the first resistor 330 serves as a load of both ends of the resistor when the both ends of the speaker are short, about 0.1 ohm is suitable, and a low integer should be used as much as possible to reduce the resistance heat generation at the normal output.

제1 다이오드(360)는 반파 정류 및 보호 역할을 수행하고 (-) 전압이 제2 트랜지스터(320)로 인가되는 것을 막는다.The first diode 360 performs half wave rectification and protection and prevents the negative voltage from being applied to the second transistor 320.

제2 다이오드(370)는 스피커 양단의 쇼트시 감지하고자 하는 레벨을 설정하는 역할을 하며, R1/R2 저항값에 의해 원하는 감지 레벨을 설정한다.The second diode 370 sets a level to be sensed when the both ends of the speaker are shorted, and sets a desired sensing level by the R1 / R2 resistance.

예를 들어, 제2 저항(340)을 낮은 정수로 변경하는 경우 제1 트랜지스 터(310)에 입력되는 전압이 커지게 되어 스피커 양단의 쇼트시 감지하는 레벨을 낮게 설정할 수 있다.For example, when the second resistor 340 is changed to a low integer, the voltage input to the first transistor 310 is increased, so that the level detected when the both ends of the speaker are short may be set low.

제1 콘덴서(380)는 오동작을 방지하기 위한 CAP으로 DC 레벨을 차단하고 AC만 통과시킨다.The first capacitor 380 blocks the DC level and passes only AC to the CAP to prevent malfunction.

제1 트랜지스터(310)는 스피커 양단의 쇼트시 턴 온(Turn-On)할 수 있는 트랜지스터이다. 제2 콘덴서(390)는 노이즈 등에 의한 오동작 방지 기능을 한다.The first transistor 310 is a transistor that can turn on (Turn-On) at both ends of the speaker. The second capacitor 390 functions to prevent malfunction due to noise or the like.

제2 트랜지스터(320)는 최종 컨트롤 트랜지스터로서, 스피커 양단 쇼트시 제2 트랜지스터(320)의 베이스단이 하이 상태가 되어 제2 트랜지스터(320)를 턴 온시키고 제2 트랜지스터(320)의 컬렉터단에 연결된 AMP IC(100)의 OCM 포트를 로우 상태가 되게 만든다.The second transistor 320 is a final control transistor. When the both ends of the speaker are shorted, the base end of the second transistor 320 becomes high so that the second transistor 320 is turned on and is connected to the collector terminal of the second transistor 320. The OCM port of the connected AMP IC 100 is brought low.

본 발명의 실시예에 따른 사인파 입력시 정상 출력을 나타내는 과전류 보호 회로(300)의 동작을 설명한다.An operation of the overcurrent protection circuit 300 showing a normal output when a sine wave input according to an embodiment of the present invention will be described.

도 2에 도시된 바와 같이, 제1 트랜지스터(310)의 에미터단에 입력되는 사인파는 제1 트랜지스터(310)의 컬렉터단에 (-)시그널만 턴 온(Turn-On)된다.As shown in FIG. 2, the sine wave input to the emitter terminal of the first transistor 310 is turned on only the (−) signal to the collector terminal of the first transistor 310.

제2 트랜지스터(320)의 베이스단에는 제1 트랜지스터(310)의 컬렉터단의 턴 온된 (-)시그널이 제1 다이오드(360)에 의해 차단되어 노드 B(394)에서 도시된 바와 같이, 로우(Low) 상태가 된다.At the base end of the second transistor 320, the turned on (−) signal of the collector end of the first transistor 310 is blocked by the first diode 360 so that the node B 394 shows a low ( Low) state.

따라서, AMP IC(100)의 OCM 포트는 제2 트랜지스터(320)가 턴 온되지 못하기 때문에 정상 상태인 하이(High) 상태 신호를 MCU(600)로 전송한다.Therefore, the OCM port of the AMP IC 100 transmits the high state signal in the normal state to the MCU 600 because the second transistor 320 is not turned on.

오디오 인(Audio In) 단자를 통하여 입력된 오디오 신호는 AMP IC(100)에서 펄스 폭 변조(Pulse Width Modulation: PWM) 방식으로 증폭되어 구형파 신호가 출력되고, LC 로우 패스 필터(200)를 거쳐 아날로그 출력으로 바뀌어 릴레이(400) 및 스피커(500)를 통해 증폭된 오디오 신호를 출력한다.The audio signal input through the Audio In terminal is amplified by a Pulse Width Modulation (PWM) method in the AMP IC 100 to output a square wave signal, and is passed through the LC low pass filter 200 to analog. The output signal is amplified through the relay 400 and the speaker 500.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 사인파 입력과 스피커 단자 쇼트시 과전류 보호 회로의 동작을 설명하기 위한 도면이다.3 is a diagram for describing an operation of an overcurrent protection circuit when a sine wave input and a speaker terminal are shorted according to an exemplary embodiment of the present invention.

스피커 단자가 쇼트시 제1 트랜지스터(310)의 에미터단에 입력된 사인파는 도 3에 도시된 바와 같이(제1 트랜지스터(310)의 컬렉터단과 제1 다이오드(360) 사이에), (+)시그널까지 턴 온된다.When the speaker terminal is shorted, the sine wave input to the emitter terminal of the first transistor 310 is shown in FIG. 3 (between the collector terminal of the first transistor 310 and the first diode 360), and a (+) signal. Turn on until

제2 트랜지스터(320)의 베이스단에는 제1 트랜지스터(310)의 컬렉터단의 턴 온된 (+) 영역 시그널이 제1 다이오드(360)에 의해 (-)영역이 차단되고, 노드 B(394)에서 도시된 바와 같이, 하이(High) 상태가 된다. 이때, 제2 트랜지스터(320)는 베이스단이 하이 상태이므로 턴 온된다.The turned-on (+) region signal of the collector terminal of the first transistor 310 is cut off at the base terminal of the second transistor 320 by the first diode 360, and at node B 394. As shown, the state is high. At this time, the second transistor 320 is turned on because the base terminal is in a high state.

이어서, AMP IC(100)의 OCM 포트는 제2 트랜지스터(320)가 턴 온되므로 로우(Low) 상태 신호를 MCU(600)로 전송한다.Subsequently, the OCM port of the AMP IC 100 transmits a low state signal to the MCU 600 since the second transistor 320 is turned on.

MCU(600)는 감지 핀(Detect Pin)에서 로우 상태 신호가 검출되는 경우 릴레이 오프 신호를 생성하여 릴레이(400)로 전송하여 릴레이(400)를 오픈 상태로 제어한다.When the MCU 600 detects a low state signal at a detect pin, the MCU 600 generates a relay off signal and transmits the relay off signal to the relay 400 to control the relay 400 in an open state.

이상에서 설명한 본 발명의 실시예는 장치 및/또는 방법을 통해서만 구현이 되는 것은 아니며, 본 발명의 실시예의 구성에 대응하는 기능을 실현하기 위한 프로그램, 그 프로그램이 기록된 기록 매체 등을 통해 구현될 수도 있으며, 이러한 구현은 앞서 설명한 실시예의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야의 전문가라면 쉽게 구현할 수 있는 것이다.The embodiments of the present invention described above are not implemented only by the apparatus and / or method, but may be implemented through a program for realizing a function corresponding to the configuration of the embodiments of the present invention, a recording medium on which the program is recorded, and the like. Such implementations may be readily implemented by those skilled in the art from the description of the above-described embodiments.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

도 1은 종래 기술에 따른 디지털 앰프의 회로 구성을 나타낸 도면이다.1 is a view showing the circuit configuration of a digital amplifier according to the prior art.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 사인파 입력시 정상 출력을 나타내는 과전류 보호 회로의 동작을 설명하기 위한 도면이다,2 is a view for explaining the operation of the overcurrent protection circuit showing a normal output when a sine wave input according to an embodiment of the present invention,

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 사인파 입력과 스피커 단자 쇼트시 과전류 보호 회로의 동작을 설명하기 위한 도면이다.3 is a diagram for describing an operation of an overcurrent protection circuit when a sine wave input and a speaker terminal are shorted according to an exemplary embodiment of the present invention.

Claims (6)

스피커 단자의 쇼트(Short) 레벨을 감지하여 (+)시그널까지 턴 온되는 제1 트랜지스터;A first transistor that senses a short level of the speaker terminal and is turned on to a (+) signal; 상기 턴 온된 (+)시그널에서 (-) 영역 시그널을 차단하여 하이(High) 상태 시그널을 출력하는 반파 정류 다이오드; 및A half-wave rectifier diode which blocks a (−) region signal in the turned on (+) signal and outputs a high state signal; And 상기 하이 상태 시그널을 수신하여 턴 온되고 턴 온으로 인하여 컬렉터단과 연결된 집적 회로(Integrated Circuit)의 쇼트를 감지하는 포트에서 오동작 상태를 나타내는 로우 상태 신호로 변환시켜 마이크로 컨트롤 유니트(Micro Control Unit)로 전송하도록 제어하는 제2 트랜지스터를 포함하며,Receives the high state signal and turns it on and converts it into a low state signal indicating a malfunction state at a port that detects a short of an integrated circuit connected to a collector stage due to the turn on, and transmits the signal to a micro control unit. A second transistor for controlling to 상기 마이크로 컨트롤 유니트는 상기 로우 상태 신호를 감지하는 경우, 릴레이 오프 신호를 생성하여 릴레이로 전송함으로써 상기 릴레이를 오픈 상태로 제어하는 것을 특징으로 하는 과전류 보호 회로.And when the micro control unit senses the low state signal, generates a relay off signal and transmits the relay off signal to the relay to control the relay to an open state. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 제1 트랜지스터는 상기 스피커 단자가 쇼트 되지 않고 정상 출력을 유지하는 경우 (-)시그널만 턴 온되고,When the speaker terminal maintains a normal output without shorting the speaker terminal, only the negative signal is turned on. 상기 제1 트랜지스터에 연결된 상기 제2 트랜지스터는 상기 (-)시그널이 상기 반파 정류 다이오드를 통해 차단되어 로우 상태 시그널을 수신하여 턴 온되지 못하므로 상기 집적 회로의 쇼트를 감지하는 포트에서 하이 상태 신호를 상기 마이 크로 컨트롤 유니트로 전송하도록 제어하고,The second transistor connected to the first transistor receives a high state signal at a port detecting a short of the integrated circuit because the (−) signal is blocked through the half-wave rectifier diode and thus cannot be turned on by receiving a low state signal. Control to transmit to the micro control unit, 상기 마이크로 컨트롤 유니트는 상기 하이 상태 신호를 감지하는 경우, 릴레이 온 신호를 생성하여 상기 릴레이로 전송함으로써 상기 릴레이를 온 상태로 제어하는 것을 특징으로 하는 과전류 보호 회로.And when the micro control unit senses the high state signal, generates a relay on signal and transmits the relay on signal to the relay to control the relay to an on state. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 집적 회로는 30mVrms에서 95mVrms 특정 영역 대의 오디오 레벨 신호가 인가될 때 상기 스피커 단자가 쇼트되는 경우 파괴되는 것을 특징으로 하는 과전류 보호 회로.And said integrated circuit is destroyed when said speaker terminal is shorted when an audio level signal in a range of 30mVrms and 95mVrms is applied. 스피커 단자의 쇼트 레벨을 감지하여 턴 온되는 제1 트랜지스터가 상기 쇼트 레벨을 감지하여 턴 온되는 경우, 상기 제1 트랜지스터에 연결된 제2 트랜지스터가 턴 온되고, 상기 제2 트랜지스터의 턴 온에 따라 집적 회로(Integrated Circuit)의 쇼트를 감지하는 포트에서 하이 상태 신호를 로우 상태 신호로 변환시키며, 상기 로우 상태 신호를 감지하는 마이크로 컨트롤 유니트에서 릴레이를 제어하여 오픈 시키는 것을 특징으로 하는 과전류 보호 방법.When a first transistor that is turned on by sensing a short level of a speaker terminal is turned on by sensing the short level, a second transistor connected to the first transistor is turned on and integrated according to the turn-on of the second transistor. And converting a high state signal into a low state signal at a port detecting a short of an integrated circuit, and controlling and opening a relay in the micro control unit detecting the low state signal. 제4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제1 트랜지스터는 상기 스피커 단자가 정상 출력을 유지하는 경우, (-)시그널만 턴 온되고, 상기 (-)시그널이 반파 정류 다이오드에 의해 차단되어 상기 제2 트랜지스터가 턴 온되지 못하며, 상기 집적 회로의 쇼트를 감지하는 포트에서 상기 하이 상태 신호를 상기 마이크로 컨트롤 유니트로 전송하므로 상기 릴레이를 온 상태로 제어하는 것을 특징으로 하는 과전류 보호 회로.When the speaker terminal maintains a normal output, the first transistor is turned on only with (-) signal and the (-) signal is blocked by a half-wave rectifier diode so that the second transistor cannot be turned on, and the integrated And the high state signal is transmitted from the port for detecting a short circuit to the micro control unit so that the relay is controlled in an on state. 저항, 트랜지스터, 다이오드를 구비하여 과전류를 검출하여 보호하는 과전류 보호 회로에 있어서,An overcurrent protection circuit comprising a resistor, a transistor, and a diode for detecting and protecting overcurrent, 스피커 단자의 쇼트 레벨을 감지하는 제1 트랜지스터의 베이스단과 릴레이가 연결되고, 상기 제1 트랜지스터의 에미터단에 연결된 접점 노드 A에서 제2 저항, 제3 저항, 제1 콘텐서가 병렬로 각각 연결되고, 상기 제2 저항과 일측이 연결되고 타측이 상기 제1 트랜지스터의 베이스단에 연결되는 제1 저항이 배치되고,The base terminal of the first transistor sensing a short level of the speaker terminal is connected to a relay, and the second resistor, the third resistor, and the first capacitor are connected in parallel at a contact node A connected to the emitter terminal of the first transistor. A first resistor having one side connected to the second resistor and the other end connected to the base end of the first transistor, 상기 제3 저항에 상기 스피커 단자의 쇼트시 감지하고자 하는 레벨을 설정하는 제2 다이오드가 직렬 연결되며, 상기 제1 트랜지스터의 컬렉턴단에 제1 다이오드를 통해 제2 트랜지스터의 베이스단으로 연결되고,A second diode that sets a level to be sensed when the speaker terminal is shorted is connected to the third resistor in series, and is connected to a base end of the second transistor through a first diode at a collector end of the first transistor. 상기 제2 트랜지스터의 컬렉터단은 집적 회로(Integrated Circuit)의 쇼트를 감지하는 포트와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 과전류 보호 회로.And the collector terminal of the second transistor is connected to a port for detecting a short of an integrated circuit.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102022376B1 (en) * 2018-07-19 2019-09-18 가락전자 주식회사 Device for protecting over current of audio
CN110392837A (en) * 2018-02-22 2019-10-29 三菱电机株式会社 Measurement device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR820000730Y1 (en) * 1980-09-26 1982-04-21 삼성전자공업주식회사 Amp and speaker protection circuit
KR100614693B1 (en) * 2004-07-21 2006-08-22 진옥상 Output Stage Protection Circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110392837A (en) * 2018-02-22 2019-10-29 三菱电机株式会社 Measurement device
KR102022376B1 (en) * 2018-07-19 2019-09-18 가락전자 주식회사 Device for protecting over current of audio

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