KR20090124581A - Plasma monitoring device and method for monitoring a plasma - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 플라즈마 모니터링 장치 및 플라즈마 모니터링 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마 장치 내의 플라즈마 상태를 모니터링 하는 플라즈마 모니터링 장치 및 플라즈마 모니터링 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma monitoring apparatus and a plasma monitoring method, and more particularly, to a plasma monitoring apparatus and a plasma monitoring method for monitoring a plasma state in a plasma apparatus.
반도체 또는 디스플레이 관련 공정에서, 예를 들어 증착공정, 에칭공정 등에서 플라즈마를 많이 이용하고 있다. 또한, 반도체 또는 디스플레이 장치의 크기가 증가함에 따라 플라즈마를 이용하는 장비의 크기도 따라 증가하고, 이에 따라 플라즈마의 균일성(uniformity)을 확보하고 제어하는 것이 중요하다.In the process related to semiconductor or display, plasma is often used in, for example, a deposition process and an etching process. In addition, as the size of the semiconductor or display device increases, the size of the equipment using the plasma also increases, and thus, it is important to secure and control the uniformity of the plasma.
플라즈마의 특성 중 전자 에너지 분포는 플라즈마의 발생과 기체의 이온화, 분자의 해리를 통한 활성화에 주 역할을 한다. 또한, 플라즈마의 이온 에너지 분포는 웨이퍼에 입사하는 이온에 대한 정보로서 전자에 의해 해리/활성화된 중성 활성종과 함께 웨이퍼 표면반응의 가장 핵심이 되는 특성이다. 따라서 플라즈마 공정에서 플라즈마의 상태를 검사하는 기술은 반도체 또는 디스플레이 관련 공정 등에서 중요한 역할을 한다. Among the characteristics of plasma, electron energy distribution plays a major role in the generation of plasma, ionization of gas, and activation through dissociation of molecules. In addition, the ion energy distribution of the plasma is the most important characteristic of the wafer surface reaction together with the neutral active species dissociated / activated by electrons as information on the ions incident on the wafer. Therefore, the technique of inspecting the state of the plasma in the plasma process plays an important role in the semiconductor or display-related process.
저온 플라즈마의 특성을 진단하고 모니터링 하는 방법으로 널리 활용되는 비교적 간단한 방법으로는 플라즈마 안으로 탐침을 삽입하고 전압을 인가하여 탐침으로 흐르는 전류를 측정하여 측정된 전압과 전류로부터 전자온도와 밀도 등을 산출하는 전기 탐침법이 일반적이다. A relatively simple method widely used for diagnosing and monitoring the characteristics of low-temperature plasma is to insert a probe into the plasma and apply a voltage to measure the current flowing through the probe to calculate electron temperature and density from the measured voltage and current. Electric probes are common.
그러나 전기 탐침법은 탐침의 삽입으로 인한 플라즈마의 섭동 때문에 플라즈마의 조건이 변할 가능성이 높고, 공정용 기체(Cl2, SF6 등)를 사용하여 플라즈마를 발생시키는 경우에는 탐침이 손상(damage)을 받기 때문에 탐침법을 적용하는데 어려움이 있다.However, the electric probe method is likely to change the plasma conditions due to the plasma perturbation due to the insertion of the probe, and when the plasma is generated using a process gas (Cl2, SF6, etc.), the probe is damaged. Difficulties in applying the probe method.
또한, 플라즈마 전 영역에서 플라즈마 상태의 공간 균일성 등을 진단하기 위해서는 탐침을 플라즈마의 전 영역에 걸쳐 이동시키면서 측정해야 한다. 이 경우LCD(Liquid Crystal Display) 공정을 위한 초대면적 플라즈마 등에 적용하기 어렵고, 아주 빠르게 플라즈마의 조건이 변하는 경우 이러한 탐침법은 적합하지 않다.In addition, in order to diagnose the spatial uniformity of the plasma state and the like in the entire plasma region, the probe should be measured while moving the entire region of the plasma. In this case, it is difficult to apply to an ultra-large-area plasma for liquid crystal display (LCD) process, and such a probe method is not suitable when the conditions of the plasma change very quickly.
또한, 고전력을 이용하는 높은 온도의 플라즈마에 탐침법을 적용시키는 경우 탐침이 녹거나 증발해버리는 경우가 생기기 때문에 플라즈마의 상태를 검사하는 기술로서 한계가 있다.In addition, when the probe method is applied to a plasma of high temperature using high power, the probe may melt or evaporate, and thus there is a limitation as a technique for inspecting the state of the plasma.
따라서 초대면적 플라즈마와 고전력을 이용하는 높은 온도의 플라즈마에서도 적용할 수 있는 플라즈마 상태의 검사 기술이 요구되고 있다.Therefore, there is a need for a plasma state inspection technology that can be applied to plasma of high temperature using super-area plasma and high power.
따라서, 본 발명에서 해결하고자 하는 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점 을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 플라즈마의 조건에 변화를 주지 않고, 대면적 플라즈마와 고전력을 이용하는 높은 온도의 플라즈마에서도 적용할 수 있는 플라즈마 모니터링 장치를 제공하는 것이다.Therefore, the technical problem to be solved in the present invention is to solve such a conventional problem, the object of the present invention can be applied to a high temperature plasma using a large area plasma and high power without changing the conditions of the plasma. It is to provide a plasma monitoring device.
본 발명의 다른 목적은 플라즈마의 조건에 변화를 주지 않고, 대면적 플라즈마와 고전력을 이용하는 높은 온도의 플라즈마에서도 적용할 수 있는 플라즈마 모니터링 방법을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a plasma monitoring method that can be applied to a high temperature plasma using a large-area plasma and high power without changing the conditions of the plasma.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 의한 플라즈마 모니터링 장치는 하나 이상의 광 검출기들을 포함하는 광 검출부, 행렬 변환부, 신호 변환부 및 진단부를 포함한다. 상기 하나 이상의 광 검출기는 플라즈마 영역 외부에서 상기 플라즈마 영역으로부터 방출되는 방출광을 검출하여 방출광 신호들을 출력한다. 상기 행렬 변환부는 상기 검출된 방출광 신호들을 가중치 행렬로 변환한다. 상기 신호 변환부는 상기 가중치 행렬을 계산하여 상기 플라즈마 상태를 위치 신호들로 출력한다. 상기 진단부는 상기 신호 변환부로부터 출력된 위치 신호들을 이용하여 토모그래프를 형성한다.The plasma monitoring apparatus according to an embodiment for realizing the object of the present invention includes a light detector, a matrix converter, a signal converter, and a diagnostic unit including one or more photo detectors. The one or more photo detectors detect emission light emitted from the plasma region outside the plasma region and output emission light signals. The matrix converter converts the detected emission light signals into a weight matrix. The signal converter calculates the weight matrix and outputs the plasma state as position signals. The diagnosis unit forms a tomograph using the position signals output from the signal conversion unit.
상기 광 검출기들은 상기 플라즈마 영역 외부에 일렬로 배열될 수 있다.The photo detectors may be arranged in a line outside the plasma region.
상기 광 검출기들은 상기 플라즈마 영역을 동일한 크기의 정사각형(pixel)들로 나누어 방출광을 검출할 수 있다.The photo detectors may detect the emitted light by dividing the plasma region into pixels of the same size.
상기 광 검출기들은 상기 플라즈마 영역 외부에 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.The photo detectors may be arranged in a matrix form outside the plasma region.
상기 광 검출기들은 상기 플라즈마 영역을 동일한 크기의 정육면체(voxel)들로 나누어 방출광을 검출할 수 있다.The photo detectors may detect the emitted light by dividing the plasma region into cubes having the same size.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 의한 플라즈마 모니터링 방법으로, 플라즈마 영역 외부의 하나 이상의 광 검출기들을 이용하여 상기 플라즈마 영역으로부터 방출되는 방출광을 검출한다. 이어서, 상기 검출된 방출광을 기초로 방출광 신호들을 출력한다. 이어서 상기 출력된 방출광 신호들을 가중치 행렬로 변환한다. 이후, 상기 가중치 행렬을 계산하여 상기 플라즈마 상태를 위치 신호들로 출력한다. 이어서, 상기 신호 변환부로부터 출력된 위치 신호들을 이용하여 토모그래프를 형성하고, 상기 토모그래프를 진단한다. In another embodiment of the present invention, a plasma monitoring method detects emission light emitted from the plasma region using one or more photo detectors outside the plasma region. Subsequently, emission light signals are output based on the detected emission light. The output emitted light signals are then converted into a weight matrix. Thereafter, the weight matrix is calculated to output the plasma state as position signals. Subsequently, a tomographic graph is formed using the position signals output from the signal converter, and the tomographic graph is diagnosed.
상기 광 검출기들은 상기 플라즈마 영역 외부에 일렬로 배열될 수 있다.The photo detectors may be arranged in a line outside the plasma region.
상기 광 검출기들은 상기 플라즈마 영역을 동일한 크기의 정사각형(pixel)들로 나누어 방출광을 검출할 수 있다.The photo detectors may detect the emitted light by dividing the plasma region into pixels of the same size.
상기 광 검출기들은 상기 플라즈마 영역 외부에 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.The photo detectors may be arranged in a matrix form outside the plasma region.
상기 광 검출기들은 상기 플라즈마 영역을 동일한 크기의 정육면체(voxel)들로 나누어 방출광을 검출할 수 있다.The photo detectors may detect the emitted light by dividing the plasma region into cubes having the same size.
본 발명에 따르면, 플라즈마 영역 외부에 토모그래프를 이용하는 플라즈마 모니터링 장치가 구비되므로, 플라즈마의 조건에 변화를 주지 않고 대면적 플라즈마와 고전력을 이용하는 높은 온도의 플라즈마에서도 플라즈마의 상태를 모니터링 할 수 있다. According to the present invention, since the plasma monitoring apparatus using the tomograph outside the plasma region is provided, the state of the plasma can be monitored even in a high temperature plasma using a large area plasma and high power without changing the plasma conditions.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정 하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. In this application, the terms "comprise" or "having" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described on the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
또한, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Also, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 모니터링 장치에 대한 블록도이다.1 is a block diagram of a plasma monitoring apparatus according to the present invention.
도 1을 참조하면, 플라즈마 모니터링 장치(200)는 광 검출부(210), 행렬 변환부(230), 신호 변환부(250) 및 진단부(270)를 포함한다. 플라즈마 장치(100)는 플라즈마를 사용하는 장치가 적용될 수 있다. 예를 들어, 증착장치의 공정챔버 등이 될 수 있다.Referring to FIG. 1, the
플라즈마 모니터링 장치(200)는 플라즈마 장치(100)의 외부에 구비되어, 플라즈마 장치(100) 내부의 플라즈마 영역(110)의 상태를 모니터링 한다. 플라즈마 모니터링 장치(200)가 플라즈마 장치(100)의 외부에 구비됨에 따라, 플라즈마 공정 및 플라즈마 영역(110)의 조건에 영향을 주지 않고 플라즈마 상태를 모니터링 할 수 있다.The
광 검출부(210)는 하나 이상의 광 검출기(211)들일 수 있으며, 플라즈마 장 치 (100)내의 플라즈마 영역(110)으로부터 방출되는 방출광을 검출하여 방출광 신호들을 출력한다. 행렬 변환부(230)는 상기 검출된 방출광 신호들을 가중치 행렬로 변환한다. 신호 변환부(250)는 상기 가중치 행렬을 계산하여 상기 플라즈마 상태를 위치 신호들로 출력한다. 진단부(270)는 상기 출력된 위치 신호들을 이용하여 플라즈마 특성의 공간적 분포에 대한 토모그래프를 재구성하여, 플라즈마 장치 (100)내의 플라즈마 상태를 모니터링 할 수 있도록 한다.The
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 모니터링 장치에 적용되는 광 검출부의 광 검출기들의 배열을 도시한 도면이다. 광 검출부를 제외하고는 도 1에 도시된 플라즈마 모니터링 장치와 동일하므로, 동일한 구성의 상세한 설명은 생략하기로 한다.2 is a diagram illustrating an arrangement of light detectors of a light detector applied to a plasma monitoring apparatus according to a first embodiment of the present invention. Except for the light detector, since it is the same as the plasma monitoring apparatus shown in FIG. 1, detailed description of the same configuration will be omitted.
도 2를 참조하면, 광 검출부(210)는 플라즈마 영역(110)의 2차원적 방출광 진단을 위해서 1차원으로 광 검출기(211)들이 배열된다. 광 검출기(211)들은 플라즈마 영역(110) 주변에 여러 방향, 여러 각도에 배치하여 광 검출기(211)의 각 채널로 연결되는 시선이 플라즈마 영역(110)의 거의 모든 영역을 지나가도록 배치하는 것이 바람직하다. 또한, 광 검출부(210)는 각각의 플라즈마에서 나오는 방출광의 세기가 가장 높은 파장대를 검출할 수 있는 광 검출기를 선택하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 2, the
도 3a는 플라즈마 영역을 가상의 영역으로 분할하는 예시를 보여주는 도면이다. 도 3b는 도 3a의 분할된 영역 A를 지나는 검출기의 시선을 보여주는 도면이다.3A is a diagram illustrating an example of dividing a plasma region into a virtual region. FIG. 3B is a diagram illustrating the line of sight of the detector passing through the divided region A of FIG. 3A.
도 2에서 보여지는 바와 같이, 1차원으로 광 검출기(211)들이 배열된 광 검 출부(210)는 도 3a의 분할된 플라즈마 영역(110)의 플라즈마 방출광을 검출하여, 방출광 신호를 행렬 변환부(230)에 제공한다. 플라즈마 영역(110)은 동일한 정사각형 형상으로 나누어질 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 영역(110)은 5 mm x 5 mm 정도 크기의 정사각형(pixel)으로 나누어질 수 있다. 분할된 플라즈마 영역(110)의 2차원으로 가상 분할한 각 영역을 이하 픽셀(pixel)로 표현한다.As shown in FIG. 2, the
행렬 변환부(230)는 광 검출부(210)가 출력하는 각 픽셀의 방출광 신호를 받아서, 가중치 행렬로 변환한다. 상기 가중치 행렬이란, 각각의 픽셀이 각각의 광 검출기(211)에 기여하는 정도를 나타내는 것으로, 예를 들어 가중치 행렬을 w, 각각의 원소를 wij라고 할 때, wij는 j번째 픽셀이 i번째 광 검출기에 기여하는 정도를 나타내는 것이다. 다시 말해, 광 검출기의 기하학적 배치에 의해 결정되는 값이라 할 수 있다. 가중치 행렬의 각 원소는 다음과 같은 식으로 나타낼 수 있다.The
상기 수학식 1에서 c는 광 검출기 보정상수를 나타내고, dij는 j번째 픽셀에서 i번째 광 검출기까지의 거리를 나타낸다. 또한, n은 플라즈마 영역(110)을 분할할 때 플라즈마 영역(110)의 전체의 점의 개수를 나타내고, nij는 j번째 픽셀에서 i번째 광 검출기가 지나는 시선 내부에 있는 점의 개수를 나타낸다.In
상기 수학식 1에 의하여 가중치 행렬 w(즉, 원소wij)가 계산되면, i번째 광 검출기에 검출되는 신호의 세기인 fi와 j번째 픽셀에서 방출되는 빛의 세기 gj사이에는 다음과 같은 수학식이 성립한다. When the weighting matrix w (ie, element w ij ) is calculated by
신호 변환부(250)는 상기 가중치 행렬을 계산하여 상기 플라즈마 상태를 행렬식으로 출력한다. 상기 가중치 행렬식을 특정한 수식의 형태로 전개하는 해석적인 방법을 이용하거나, 수치적인 컴퓨터 계산에 의해 행렬식의 해 g 값을 얻는다.The
상기 수학식 3에서 w는 상기 설명한 대로 기하학적 배치에 의해 결정되는 값이고, 선적분된 신호인 f는 측정하여 알고 있는 값이다. 따라서 수학식 3에서 구하고자 하는 것은 국지적 정보로서, 플라즈마 특성의 공간적 분포를 나타내는 신호인 g값이다.In Equation 3, w is a value determined by the geometric arrangement as described above, and f, which is a signal divided by shipment, is a value that is measured and known. Accordingly, what is desired in Equation 3 is local information, which is a value of g, which is a signal representing a spatial distribution of plasma characteristics.
상기 신호 변환부(250)에 의해 계산된 위치신호 g값들을 출력하고, 진단부(270)는 상기 g값들을 이용하여 토모그래프(tomography)를 형성한다. 따라서, 상기 토모그래프에 의해서 플라즈마 특성의 공간적 분포를 관찰할 수 있다.The position signal g values calculated by the
도 4a는 플라즈마의 실제분포를 나타낸 도면이다. 도 4b는 도 2의 광 검출기 의 배열을 나타낸 도면이다. 도 4c는 도 4b의 광 검출기의 배열에 의할 때, 토모그래프 결과를 나타낸 도면이다. 도 4d는 플라즈마의 실제분포와 토모그래프 결과를 비교한 그래프이다.4A shows the actual distribution of plasma. 4B is a diagram illustrating the arrangement of the photo detector of FIG. 2. FIG. 4C is a diagram showing the tomographic results when based on the arrangement of the photo detector of FIG. 4B. Figure 4d is a graph comparing the actual distribution of the plasma and the tomograph results.
플라즈마 영역(110)의 플라즈마의 공간적 특성이 도 4a와 같은 경우, 도 4b에서 보여지는 것과 같이 가로 방향으로 각 6개 및 세로 방향으로 각 4개를 일렬로 배열한 총 20개의 광 검출기(211)를 사용하였다. 예를 들어, 각 광 검출기(211)의 채널수는 16개일 수 있다. When the spatial characteristics of the plasma of the
상기 일렬로 배열된 광 검출기(211)는 플라즈마 영역(110)으로부터 방출되는 방출광을 검출하여 방출광 신호들을 출력한다. 행렬 변환부(230)는 상기 검출된 방출광 신호들을 가중치 행렬로 변환하고, 신호 변환부(250)는 상기 가중치 행렬을 계산하여 상기 플라즈마 상태를 위치신호로 출력한다. 진단부(270)는 상기 신호 변환부(250)로부터 출력된 플라즈마 상태의 위치신호를 이용하여 토모그래프를 형성하는데, 그 결과를 도 4c에 나타내었다.The
도 4d를 참고하면, 실제 플라즈마의 분포는 점선으로 표시하고, 토모그래프에 의해 재구성된 결과는 실선으로 나타내었다. 도 4d의 세로 축은 상대적 단위(arbitrary unit)이다. 실제 플라즈마 분포와 토모그래프 결과의 표준편차는 0.0238로 비교적 균일한 결과를 보여준다. 도 4a와 도 4c의 상대적인 오차는 3.421%로서, 실제 플라즈마의 분포와 거의 비슷한 토모그래프를 형성하므로, 토모그래프 결과를 통해 플라즈마 특성의 공간적 분포를 정확하게 모니터링 할 수 있다.Referring to FIG. 4D, the actual plasma distribution is represented by a dotted line, and the result reconstructed by the tomograph is represented by a solid line. The vertical axis of FIG. 4D is an relative unit. The standard deviation of the actual plasma distribution and tomographic results is 0.0238, indicating a relatively uniform result. The relative error of FIG. 4A and FIG. 4C is 3.421%, which forms a tomograph almost similar to the actual plasma distribution, so that the spatial distribution of plasma characteristics can be accurately monitored through the tomograph result.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 모니터링 장치에 적용되는 광 검출부의 광 검출기들의 배열을 도시한 도면이다. 광 검출부를 제외하고는 도 2에 도시된 본 발명의 실시예 1에 따른 플라즈마 모니터링 장치와 동일하므로, 동일한 구성의 상세한 설명은 생략하기로 한다.FIG. 5 is a diagram illustrating an arrangement of photo detectors of a photo detector applied to a plasma monitoring apparatus according to a second embodiment of the present invention. Except for the light detection unit, since it is the same as the plasma monitoring apparatus according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 2, detailed description of the same configuration will be omitted.
도 5를 참조하면, 광 검출부(210)는 플라즈마 영역(110)의 3차원적 방출광 진단을 위해서 광 검출기(213)들이 2차원으로 배열된다. 예를 들어, 광 검출기(213)들은 매트릭스 방식으로 배열될 수 있다. 광 검출기(213)들은 플라즈마 영역(110) 주변에 여러 방향, 여러 각도에 배치하여 광 검출기(213)들의 각 채널로 연결되는 시선이 플라즈마 영역(110)의 거의 모든 영역을 지나가도록 배치하는 것이 바람직하다. 또한, 광 검출부(210)는 각각의 플라즈마에서 나오는 방출광의 세기가 가장 높은 파장대를 검출할 수 있는 광 검출기(213)를 선택하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 5, in the
2차원으로 배열된 광 검출부(210)는 분할된 플라즈마 영역(110)의 플라즈마 방출광을 검출하여, 방출광 신호들을 행렬 변환부(230)에 제공한다. 플라즈마 영역(110)은 동일한 크기의 정육면체 형상으로 나누어질 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 영역(110)은 5 mm x 5 mm x 5 mm 정도 크기의 정육면체(voxel)로 나누어질 수 있다. 분할된 플라즈마 영역(110)을 3차원으로 가상 분할한 각 영역을 이하 복셀(voxel)로 표현한다.The
행렬 변환부(230)는 광 검출부(210)가 출력하는 각 복셀의 방출광 신호를 받아서, 가중치 행렬로 변환한다. 이하, 각 구성요소와 토모그래프를 재구성하는 과 정은 상기 실시예 1에서 설명한 것과 동일하므로 생략한다.The
도 6a는 플라즈마의 실제분포를 나타낸 도면이다. 도 6b는 도 6a의 플라즈마 분포를 z축에 평행하고 원통의 중앙을 지나는 평면으로 자른 단면도이다. 도 6c는 도 5의 광 검출기의 배열을 나타낸 도면이다. 도 6d는 도 6c의 광 검출기의 배열에 의할 때, 토모그래프 결과를 나타낸 도면이다. 도 6e는 토모그래프로 재구성된 플라즈마 분포를 z축에 평행하고 원통의 중앙을 지나는 평면으로 자른 단면도이다.6A is a diagram showing the actual distribution of plasma. FIG. 6B is a cross-sectional view of the plasma distribution of FIG. 6A cut in a plane parallel to the z axis and passing through the center of the cylinder. FIG. 6C is a diagram illustrating an arrangement of the photo detector of FIG. 5. FIG. 6D is a diagram showing the tomographic results when the arrangement of the photo detector of FIG. 6C is used. 6E is a cross-sectional view of a plasma distribution reconstructed with a tomograph in a plane parallel to the z-axis and past the center of the cylinder.
플라즈마 영역(110)의 플라즈마의 공간적 특성이 도 6a와 같은 경우, 도 6c에서 보여지는 것과 같이 플라즈마 영역(110)의 측면에 배치되는 매트릭스 형태의 광 검출부(210) 4개를 사용하였다. When the spatial characteristics of the plasma in the
상기 매트릭스 형태로 배열된 각 광 검출부(210)는 플라즈마 영역(110)으로부터 방출되는 방출광을 검출하여 방출광 신호들을 출력한다. 행렬 변환부(230)는 상기 검출된 방출광 신호들을 가중치 행렬로 변환하고, 신호 변환부(250)는 상기 가중치 행렬을 계산하여 상기 플라즈마 상태를 위치신호로 출력한다. 진단부(270)는 상기 신호 변환부(250)로부터 출력된 플라즈마 상태의 위치신호를 이용하여 토모그래프를 형성하는데, 그 결과를 도 6d에 나타내었다.Each of the
도 6e를 참고하면, 실제 플라즈마의 분포와 토모그래프에 의해 재구성된 플라즈마 상대적인 오차는 1.27%로서 실제 플라즈마의 분포와 거의 비슷한 토모그래프를 형성하므로, 이를 통해 플라즈마 특성의 공간적 분포를 정확하게 모니터링 할 수 있다.Referring to FIG. 6E, the relative distribution of the plasma and the relative error of the plasma reconstructed by the tomograph are 1.27%, forming a tomograph that is almost similar to the distribution of the actual plasma, and thus the spatial distribution of plasma characteristics can be accurately monitored. .
본 발명에 따르면, 대면적 플라즈마와 고전력을 이용하는 높은 온도의 플라즈마에서도 적용할 수 있고, 플라즈마의 조건에 변화를 주지 않고 플라즈마 특성을 모니터링 할 수 있다.According to the present invention, the present invention can be applied to a high temperature plasma using a large-area plasma and high power, and the plasma characteristics can be monitored without changing the plasma conditions.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.In the detailed description of the present invention described above with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art having ordinary skill in the art will be described in the claims to be described later It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 모니터링 장치에 대한 블록도이다. 1 is a block diagram of a plasma monitoring apparatus according to the present invention.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 모니터링 장치에 적용되는 광 검출부의 광 검출기들의 배열을 도시한 도면이다. 2 is a diagram illustrating an arrangement of light detectors of a light detector applied to a plasma monitoring apparatus according to a first embodiment of the present invention.
도 3a는 플라즈마 영역을 가상의 영역으로 분할하는 예시를 보여주는 도면이다. 3A is a diagram illustrating an example of dividing a plasma region into a virtual region.
도 3b는 도 3a의 분할된 영역 A를 지나는 검출기의 시선을 보여주는 도면이다.FIG. 3B is a diagram illustrating the line of sight of the detector passing through the divided region A of FIG. 3A.
도 4a는 플라즈마의 실제분포를 나타낸 도면이다. 4A shows the actual distribution of plasma.
도 4b는 도 2의 광 검출기의 배열을 나타낸 도면이다. 4B is a diagram illustrating the arrangement of the photo detector of FIG. 2.
도 4c는 도 4b의 광 검출기의 배열에 의할 때, 토모그래프 결과를 나타낸 도면이다. FIG. 4C is a diagram showing the tomographic results when based on the arrangement of the photo detector of FIG. 4B.
도 4d는 플라즈마의 실제분포와 토모그래프 결과를 비교한 그래프이다. Figure 4d is a graph comparing the actual distribution of the plasma and the tomograph results.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 모니터링 장치에 적용되는 광 검출부의 광 검출기들의 배열을 도시한 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating an arrangement of photo detectors of a photo detector applied to a plasma monitoring apparatus according to a second embodiment of the present invention.
도 6a는 플라즈마의 실제분포를 나타낸 도면이다. 6A is a diagram showing the actual distribution of plasma.
도 6b는 도 6a의 플라즈마 분포를 z축에 평행하고 원통의 중앙을 지나는 평면으로 자른 단면도이다. FIG. 6B is a cross-sectional view of the plasma distribution of FIG. 6A cut in a plane parallel to the z axis and passing through the center of the cylinder. FIG.
도 6c는 도 5의 광 검출기의 배열을 나타낸 도면이다. 6C is a diagram illustrating an arrangement of the photo detector of FIG. 5.
도 6d는 도 6c의 광 검출기의 배열에 의할 때, 토모그래프 결과를 나타낸 도 면이다. FIG. 6D is a diagram showing a tomographic result when based on the arrangement of the photo detector of FIG. 6C.
도 6e는 토모그래프로 재구성된 플라즈마 분포를 z축에 평행하고 원통의 중앙을 지나는 평면으로 자른 단면도이다 6E is a cross-sectional view of a plasma distribution reconstructed with a tomograph in a plane parallel to the z-axis and past the center of the cylinder;
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
100 : 플라즈마 장치 200 : 플라즈마 모니터링 장치100: plasma device 200: plasma monitoring device
210 : 광 검출부 211, 213 : 광 검출기210:
230 : 행렬 변환부 250 : 신호 변환부230: matrix converter 250: signal converter
270 : 진단부 270: diagnostic unit
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KR1020080050872A KR20090124581A (en) | 2008-05-30 | 2008-05-30 | Plasma monitoring device and method for monitoring a plasma |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101299902B1 (en) * | 2011-07-19 | 2013-08-23 | (주)아이씨디 | Apparatus for measuring inductively coupled plasma uniformity and method of measuring using thereof |
KR20140049491A (en) * | 2012-10-17 | 2014-04-25 | 램 리써치 코포레이션 | Differential measurements for endpoint signal enhancement |
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