KR20090113715A - Method for exposure using extreme ultra violet with tungsten halogen lamp - Google Patents

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KR20090113715A
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김용대
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Abstract

PURPOSE: A method for exposure using extreme ultra violet with tungsten halogen lamp is provided to control carbon or the steam flowed out from a mask and to prevent the contamination of the optical source part of the scanner. CONSTITUTION: The load-lock system part(130) includes the scanner(125), the tungsten-halogen lamp(135), and the reaction gas inlet(140) and vacuum unit(145). The wafer(w) is arranged within the load-lock system part. The load-lock system part is exhausted by injecting the reaction gas from the reaction gas inlet. The impurity of the wafer surface is removed by performing thermal process on a wafer. The pattern is transcribed on the wafer. The thermal process is performed in the temperature of 50°C or 500°C.

Description

텅스텐 할로겐램프가 구비된 극자외선 노광 장치를 이용한 노광 방법{Method for exposure using extreme ultra violet with tungsten halogen lamp}Exposure method using an extreme ultraviolet exposure apparatus equipped with a tungsten halogen lamp {Method for exposure using extreme ultra violet with tungsten halogen lamp}

본 발명은 리소그래피에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 텅스텐 할로겐램프가 구비된 극자외선 노광 장치를 이용한 노광 방법에 관한 것이다. The present invention relates to lithography, and more particularly, to an exposure method using an extreme ultraviolet exposure apparatus equipped with a tungsten halogen lamp.

포토마스크(Photomask)는 투명한 재질의 기판 상에 형성된 마스크 패턴 상에 빛을 조사하여 선택적으로 투과된 빛이 웨이퍼로 전사되면서 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성하는 역할을 한다. 이러한 포토마스크는 일반적으로 KrF 또는 ArF 파장의 광원을 이용하는 바이너리 마스크(Binary mask) 또는 위상반전 마스크(PSM; Phase Shift Mask)를 이용하여 왔다. 그러나 반도체 소자가 고집적화되면서 패턴의 크기 또한 미세화됨에 따라 현재의 리소그래피(lithography) 방법으로는 미세 패턴을 형성하는데 한계가 있다. 이에 따라 이러한 한계를 극복하기 위하여 극자외선을 이용한 리소그래피(EUVL; Extreme Ultra Violet Lithography) 방법이 제안되어 있다. 극자외선 리소그래피(EUVL) 공정은 종래 노광 공정에서 사용하는 KrF 또는 ArF 파장의 광원보다 짧은 극자외선(EUV)을 광원으로 사용한다.A photomask serves to form a desired pattern on the wafer by irradiating light on a mask pattern formed on a substrate made of a transparent material and selectively transmitting light to the wafer. Such photomasks generally use a binary mask or a phase shift mask (PSM) using a light source of KrF or ArF wavelength. However, as the semiconductor devices are highly integrated, the size of the pattern is miniaturized, and thus there is a limit in forming a fine pattern by the current lithography method. Accordingly, an extreme ultra violet lithography (EUVL) method has been proposed to overcome these limitations. The extreme ultraviolet lithography (EUVL) process uses extreme ultraviolet (EUV) shorter than the light source of KrF or ArF wavelength used in the conventional exposure process as a light source.

종래의 ArF 또는 KrF 파장의 광원에서는 투과광을 이용하는 반면, 극자외선 광원을 이용한 리소그래피 공정은 반사광을 이용하여 노광 공정을 진행하고 있다. 이는 극자외선을 이용한 리소그래피 공정은 단파장을 사용하여 패턴을 형성하므로, 투과되는 빛은 거의 존재하지 않고, 모두 흡수하여 노광에 필요한 에너지를 확보하기가 불가능하기 때문이다. In the conventional ArF or KrF wavelength light source, transmitted light is used, whereas a lithography process using an extreme ultraviolet light source is subjected to an exposure process using reflected light. This is because a lithography process using extreme ultraviolet rays forms a pattern using a short wavelength, so that almost no transmitted light exists, and it is impossible to absorb all of them to secure energy for exposure.

한편, 극자외선 리소그래피 공정은, 광학계(optics), 파장 소스부(source) 및 로딩부(loading)를 포함하는 스캐너(scanner)에서 이루어진다. 그리고 스캐너 내부는 극자외선의 에너지 흡수를 감소시키기 위해 진공으로 관리되고 있다. 그러나 스캐너 내부를 진공으로 관리하면서 반사광을 사용하여 리소그래피 공정을 진행하는 경우에도, 광학계(optics)에서 오염이 발생하여 흡수율이 커져 충분한 노광에너지를 확보하지 못하고 생산성을 떨어트리는 문제가 발생된다. 구체적으로, 빛의 경로를 조절하는 광학계의 경우, 지속적으로 리소그래피 공정을 진행함에 따라 마스크 표면에서 유출된 카본(carbon) 또는 수증기에 의해 오염될 수 있다. 광학계가 오염되면, 극자외선의 반사율을 저하시켜 최종적으로는 패터닝에 필요한 에너지의 손실을 초래할 수 있다. 이에 따라 마스크로부터 유출되는 카본 또는 수증기를 제어하여 스캐너 내부의 광원부의 오염을 방지하는 것이 필수적으로 요구된다. Meanwhile, the extreme ultraviolet lithography process is performed in a scanner including an optics, a wavelength source, and a loading. And the inside of the scanner is managed by vacuum to reduce the energy absorption of extreme ultraviolet rays. However, even when the lithography process is performed using the reflected light while the inside of the scanner is managed in a vacuum, contamination occurs in the optics, resulting in an increase in the absorption rate, resulting in a problem of failing to secure sufficient exposure energy and reducing productivity. Specifically, in the case of the optical system for controlling the light path, it may be contaminated by carbon or water vapor leaked from the mask surface as the lithography process continues. If the optical system is contaminated, the reflectance of extreme ultraviolet rays may be reduced, resulting in a loss of energy necessary for patterning. Accordingly, it is essential to control the carbon or water vapor flowing out of the mask to prevent contamination of the light source unit inside the scanner.

본 발명에 따른 텅스텐 할로겐램프가 구비된 극자외선 노광 장치를 이용한 노광 방법은, 스캐너와, 상기 스캐너와 연결되면서 텅스텐 할로겐램프, 반응 가스 주입부 및 진공부를 포함하는 로드락 시스템부를 포함하는 극자외선 노광 장치의 로드락 시스템부 내에 웨이퍼를 배치하는 단계; 상기 반응 가스 주입부로부터 반응 가스를 주입하여 상기 로드락 시스템부 내부를 배기하는 단계; 상기 텅스텐 할로겐램프에 전류를 흘려 형성된 복사에너지로 상기 웨이퍼에 열처리를 진행하여 상기 웨이퍼 표면의 불순물을 제거하는 단계; 및 상기 불순물이 제거된 웨이퍼를 상기 스캐너 내에 로딩시켜 상기 웨이퍼에 패턴을 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Exposure method using an extreme ultraviolet exposure apparatus equipped with a tungsten halogen lamp according to the present invention, an extreme ultraviolet ray including a scanner and a load lock system unit connected to the scanner and including a tungsten halogen lamp, a reactive gas injection unit and a vacuum unit Disposing a wafer in the load lock system portion of the exposure apparatus; Injecting a reaction gas from the reaction gas injection part to exhaust the inside of the load lock system part; Thermally treating the wafer with radiant energy formed by passing a current through the tungsten halogen lamp to remove impurities from the surface of the wafer; And transferring the pattern to the wafer by loading the wafer from which the impurities are removed into the scanner.

본 발명에 있어서, 상기 반응 가스는 질소(N2), 헬륨(He) 또는 산소(O2) 가스를 포함한다.In the present invention, the reaction gas includes nitrogen (N 2 ), helium (He) or oxygen (O 2 ) gas.

상기 열처리는 50℃ 내지 500℃의 온도에서 진행하는 것이 바람직하며, 상기 텅스텐 할로겐램프는 열이 웨이퍼 전체에 균일하게 인가되게 웨이퍼의 전면 및 후면에 대응되는 위치에 배치하는 것이 바람직하다. Preferably, the heat treatment is performed at a temperature of 50 ° C. to 500 ° C., and the tungsten halogen lamp is preferably disposed at positions corresponding to the front and rear surfaces of the wafer such that heat is uniformly applied to the entire wafer.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기 에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 텅스텐 할로겐램프가 구비된 극자외선 노광 장치를 설명하기 위해 나타내보인 도면이다. 1 is a view showing for explaining an extreme ultraviolet exposure apparatus equipped with a tungsten halogen lamp according to the present invention.

도 1을 참조하면, 극자외선을 이용한 노광 장치(100)는 광원을 조사하는 소스부(source, 115), 렌즈부(105) 및 미러부(mirror, 110)를 포함하는 광학계(optics, 113) 및 로딩부(loading, 120)를 포함하는 스캐너(scanner, 125)와 로딩부(120)에 웨이퍼를 로딩시키기 위한 로드락 시스템부(load rock system, 130)를 포함하여 이루어진다. 여기서 로드락 시스템부(130)는 웨이퍼 상에 열을 인가하는 텅스텐 할로겐램프(135), 반응 가스 주입부(140) 및 가스를 배기하여 진공상태로 유지하는 진공부(vacuum, 145)를 더 포함한다. 로딩부(120)에 배치된 웨이퍼 상에 광원을 조사하는 소스부(115)는 단파장, 예를 들어 1kHz 주파수의 13.5nm의 단파장을 생성한다. 렌즈부(105) 및 미러부(110)를 포함하는 광학계(113)는 소스부(115)에서 조사된 광원의 경로를 조절하여 웨이퍼(w)에 광원을 인도하는 역할을 한다. 다음에 로딩부(120)는 패터닝할 웨이퍼(w)가 스캐너(125) 내에 배치되는 부분이다. 다음에 웨이퍼(w)를 로딩부(120)에 배치하기 위해 준비시키는 로드락 시스템부(130)는 스캐너(125)의 로딩부(120)와 대응하여 배치되어 스캐너(125) 내부의 로딩부(120)로 이동시킨다. 이와 같은 구조로 이루어진 극자외선을 이용한 노광 장치(100)에서 소스부(115), 광학계(113) 및 로딩부(120)를 포함하는 스캐너(125)와 로드락 시스템부(130)는 극자외선의 에너지 흡수를 줄이기 위해 진공 상태로 관리된다. Referring to FIG. 1, an exposure apparatus 100 using extreme ultraviolet rays includes an optical system 113 including a source 115 for irradiating a light source, a lens 105, and a mirror 110. And a scanner 125 including a loading unit 120 and a load rock system 130 for loading a wafer into the loading unit 120. Here, the load lock system unit 130 further includes a tungsten halogen lamp 135 for applying heat on the wafer, a reactive gas injection unit 140, and a vacuum unit 145 for evacuating the gas and maintaining the vacuum state. do. The source unit 115 irradiating the light source onto the wafer disposed in the loading unit 120 generates a short wavelength, for example, a short wavelength of 13.5 nm at a frequency of 1 kHz. The optical system 113 including the lens unit 105 and the mirror unit 110 serves to guide the light source to the wafer w by adjusting the path of the light source irradiated from the source unit 115. Next, the loading part 120 is a portion where the wafer w to be patterned is disposed in the scanner 125. Next, the load lock system unit 130, which prepares the wafer w for placing the wafer 120 in the loading unit 120, is disposed to correspond to the loading unit 120 of the scanner 125 so that the loading unit inside the scanner 125 ( Go to 120). In the exposure apparatus 100 using the extreme ultraviolet rays configured as described above, the scanner 125 and the load lock system 130 including the source unit 115, the optical system 113, and the loading unit 120 are formed of extreme ultraviolet rays. It is managed in a vacuum to reduce energy absorption.

한편, 포토마스크를 제조하는 공정은 반복적으로 리소그래피 공정을 진행하여 형성하고 있다. 그런데 빛의 경로를 조절하는 광학계(113)의 경우, 지속적으로 리소그래피 공정을 진행함에 따라 웨이퍼(또는 마스크) 표면에서 외부로 유출되는(outgassing) 불순물, 예를 들어 카본(carbon) 또는 수증기(H2O)에 의해 오염될 수 있다. 웨이퍼 표면에서 유출되는 불순물에 의해 광학계(113)가 오염되면 극자외선의 반사율이 저하되어 패터닝에 필요한 에너지가 손실됨에 따라 정확한 패턴을 형성하기가 어려워진다. 이에 따라 본 발명의 극자외선을 이용한 노광 장치(100)는 웨이퍼(w)를 스캐너(125) 내에 로딩시키기 위해 준비시키는 로드락 시스템부(130) 내부에 텅스텐 할로겐램프(135)를 배치한다. 텅스텐 할로겐램프(135)는 열이 웨이퍼(w) 전체에 균일하게 인가되게 웨이퍼의 전면 및 후면에 대응되는 위치에 배치한다. On the other hand, the process of manufacturing a photomask is formed by repeatedly carrying out a lithography process. However, in the case of the optical system 113 that controls the path of light, impurities that are outgassing from the surface of the wafer (or mask) to the outside as the lithography process is continuously performed, for example, carbon or water vapor (H 2). May be contaminated by O). When the optical system 113 is contaminated by impurities flowing out of the wafer surface, the reflectance of the extreme ultraviolet rays is lowered, so that energy required for patterning is lost, making it difficult to form an accurate pattern. Accordingly, the exposure apparatus 100 using the extreme ultraviolet rays of the present invention arranges the tungsten halogen lamp 135 inside the load lock system 130 that prepares the wafer w to be loaded into the scanner 125. The tungsten halogen lamp 135 is disposed at positions corresponding to the front and rear surfaces of the wafer so that heat is uniformly applied to the entire wafer w.

도 2는 본 발명에 따른 텅스텐 할로겐램프가 구비된 극자외선 노광 장치를 이용한 노광 방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면이다. 그리고 도 3은 광학계의 오염여부에 따른 반사도 손실율을 나타내보인 그래프이다. FIG. 2 is a view illustrating an exposure method using an extreme ultraviolet exposure apparatus equipped with a tungsten halogen lamp according to the present invention. 3 is a graph showing the reflectance loss rate according to whether the optical system is contaminated.

도 2를 참조하면, 패턴 대상막(미도시함)이 형성된 웨이퍼(w)를 도 1의 극자외선을 이용한 노광 장치(100) 내부에 로딩시키기 위해 로드락 시스템부(130)에 배치한다. 여기서 로드락 시스템부(130)는 웨이퍼(w) 상에 열을 인가하는 텅스텐 할로겐램프(135)와, 반응 가스 주입부(140) 및 로드락 시스템부(130) 내부를 진공상태로 유지하는 진공부(145)를 포함하여 이루어진다. 포토마스크를 제조하는 공정에 서 리소그래피 공정을 반복하여 진행함에 따라, 웨이퍼(w) 표면에서 불순물(200), 예컨대 카본(carbon) 또는 수증기(H2O)가 외부로 유출되는 경우가 있다. 웨이퍼(w)로부터 유출된 불순물(200)은 극자외선을 이용한 노광 장치(100)의 광학계(113)를 오염시켜 극자외선의 반사율을 저하시킬 수 있다. 광학계(113)의 오염을 주기적으로 제거하기 위해 노광 장치(100)의 진공 상태를 해제하고, 광학계(113)를 세척하는 방법이 있으나, 이는 공정 단계가 복잡해질 뿐만 아니라 또 다른 오염의 원인이 될 수 있다. 이에 웨이퍼(w)를 극자외선을 이용한 노광 장치(100) 내부에 배치하기 전에 웨이퍼 표면의 불순물(200)을 제거하고자 한다. Referring to FIG. 2, a wafer w on which a pattern target layer (not shown) is formed is disposed in the load lock system 130 to load the wafer w into the exposure apparatus 100 using the extreme ultraviolet rays of FIG. 1. Here, the load lock system unit 130 is a tungsten halogen lamp 135 for applying heat on the wafer w, a reaction gas injector 140 and a load lock system unit 130 to maintain the inside of the vacuum state. This includes studying (145). As the lithography process is repeatedly performed in the process of manufacturing the photomask, impurities 200, such as carbon or water vapor (H 2 O), may leak to the outside from the surface of the wafer w. The impurities 200 leaked from the wafer w may contaminate the optical system 113 of the exposure apparatus 100 using extreme ultraviolet rays, thereby reducing the reflectance of the extreme ultraviolet rays. In order to periodically remove the contamination of the optical system 113, there is a method of releasing the vacuum state of the exposure apparatus 100 and cleaning the optical system 113. However, this not only complicates the processing steps but also causes other contamination. Can be. Therefore, before the wafer w is disposed in the exposure apparatus 100 using extreme ultraviolet rays, the impurities 200 on the surface of the wafer are to be removed.

패턴 대상막이 형성된 웨이퍼(w)를 로드락 시스템부(130)에 배치한 다음, 반응 가스 주입부(140)로부터 로드락 시스템부(130) 내에 반응 가스를 주입한다. 반응 가스는 질소(N2) 또는 헬륨(He)을 포함하는 불활성 기체를 공급하거나 카본의 산화력을 증대시키기 위해 산소(O2) 가스를 공급한다. 다음에 로드락 시스템부(130)에 배치된 텅스텐 할로겐램프(135)에 전류를 흘려 고열의 복사에너지로 웨이퍼(w) 표면에 열처리를 진행한다. 여기서 텅스텐 할로겐램프(135)로부터 웨이퍼 상에 인가되는 온도는 50℃ 내지 500℃의 온도로 인가한다. 이 경우, 텅스텐 할로겐램프(135)는 열이 웨이퍼(w) 전체에 균일하게 인가되게 웨이퍼의 전면 및 후면에 대응되는 위치에 배치하는 것이 바람직하다. 텅스텐 할로겐램프(135)에 전류를 흘려 고열, 예컨대 50℃ 내지 500℃의 온도로 웨이퍼(w) 표면에 열처리를 진행하면, 휘발 특성을 갖는 카본의 경우 열에 의해 탈착이 이루어진다. 이러한 열처리에 의해 웨이퍼(w) 표면에 잔류하고 있는 불순물(200), 예컨대 카본 또는 수증기를 제거할 수 있다. 계속해서 진공부(145)로부터 로드락 시스템부(130) 내부를 진공 상태로 형성한 다음, 스캐너(125)의 로딩부(120)에 웨이퍼(w)를 로딩시킨다. 다음에 로딩부(120)에 배치된 웨이퍼(w) 상에 소스부(115)로부터 단파장을 갖는 광원을 생성하여 조사한다. 여기서 소스부(115)로부터 생성된 광원은 1kHz 주파수와 13.5nm의 파장을 갖는 극자외선(EUV) 광원이다. 다음에 소스부(115)로부터 생성된 광원은 렌즈부(105) 및 미러부(110)를 포함하는 광학계(113)에 의해 광원의 경로가 조절되어 로딩부(120)에 배치된 웨이퍼(w)의 패턴 대상막 상에 조사된다. The wafer w on which the pattern target film is formed is disposed on the load lock system unit 130, and then a reaction gas is injected into the load lock system unit 130 from the reaction gas injection unit 140. The reaction gas supplies an inert gas containing nitrogen (N 2 ) or helium (He) or oxygen (O 2 ) gas to increase the oxidation power of carbon. Next, a current flows through the tungsten halogen lamp 135 disposed in the load lock system unit 130 and heat treatment is performed on the surface of the wafer w with high heat radiant energy. The temperature applied on the wafer from the tungsten halogen lamp 135 is applied at a temperature of 50 ℃ to 500 ℃. In this case, the tungsten halogen lamp 135 is preferably disposed at positions corresponding to the front and rear surfaces of the wafer so that heat is uniformly applied to the entire wafer w. When a current is applied to the tungsten halogen lamp 135 and heat treated to the surface of the wafer w at a high temperature, for example, 50 ° C. to 500 ° C., carbon having a volatilization property is desorbed by heat. By such heat treatment, impurities 200 remaining on the wafer w surface, for example, carbon or water vapor, can be removed. Subsequently, the inside of the load lock system unit 130 is formed in a vacuum state from the vacuum unit 145, and then the wafer w is loaded into the loading unit 120 of the scanner 125. Next, a light source having a short wavelength is generated and irradiated from the source unit 115 on the wafer w disposed in the loading unit 120. The light source generated from the source 115 is an extreme ultraviolet (EUV) light source having a 1 kHz frequency and a wavelength of 13.5 nm. Next, the light source generated from the source unit 115 is controlled by the optical system 113 including the lens unit 105 and the mirror unit 110, and a path of the light source is disposed on the loading unit 120. Is irradiated onto the pattern target film.

이와 같이 웨이퍼(w)를 노광 장치(100) 내부에 로딩시키기 이전에 로드락 시스템부(130)에 배치된 텅스텐 할로겐램프(135)로 열처리를 진행하여 웨이퍼(w) 표면에 잔류된 불순물(200)을 제거함에 따라 광학계 오염에 따른 반사도 저하를 방지할 수 있다. 구체적으로, 광학계의 오염여부에 따른 반사도 손실율을 나타내보인 그래프인 도 3을 참조하면, 열처리가 진행되지 않는 웨이퍼(a)의 경우에는 노출 시간(exposure time)이 증가함에 따라 반사도 손실이 증가하는 반면, 열처리를 진행한 웨이퍼(b)의 경우에는 반사도 손실이 거의 없는 것을 확인할 수 있다. As described above, before the wafer w is loaded into the exposure apparatus 100, a heat treatment is performed on the tungsten halogen lamp 135 disposed in the load lock system 130 to remove impurities 200 remaining on the surface of the wafer w. By removing the), it is possible to prevent a decrease in reflectivity due to optical contamination. Specifically, referring to FIG. 3, which is a graph showing a reflectance loss rate due to contamination of the optical system, in the case of the wafer (a) which does not undergo heat treatment, the reflectance loss increases as the exposure time increases. In the case of the wafer b subjected to the heat treatment, it can be confirmed that there is almost no loss of reflectivity.

본 발명에 따른 텅스텐 할로겐램프가 구비된 극자외선 노광 장치를 이용한 노광 방법은 노광 장치 내에 웨이퍼를 배치하기 전에, 로드락 시스템부에 장착된 텅스텐 할로겐램프로 고온의 열처리를 진행하여 웨이퍼 표면에 잔류하고 있는 불순물을 제거함으로써 노광 장치의 오염을 방지할 수 있다. 이에 따라 극자외선 노광 장치의 양호한 반사도를 유지할 수 있어 정확한 패턴을 형성할 수 있다. In the exposure method using an extreme ultraviolet exposure apparatus equipped with a tungsten halogen lamp according to the present invention, before the wafer is placed in the exposure apparatus, a high temperature heat treatment is performed on the tungsten halogen lamp mounted on the load lock system unit to remain on the wafer surface. By removing the impurities present, it is possible to prevent contamination of the exposure apparatus. As a result, good reflectivity of the extreme ultraviolet light exposure apparatus can be maintained and an accurate pattern can be formed.

도 1은 본 발명에 따른 텅스텐 할로겐램프가 구비된 극자외선 노광 장치를 설명하기 위해 나타내보인 도면이다. 1 is a view showing for explaining an extreme ultraviolet exposure apparatus equipped with a tungsten halogen lamp according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 텅스텐 할로겐램프가 구비된 극자외선 노광 장치를 이용한 노광 방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면이다. FIG. 2 is a view illustrating an exposure method using an extreme ultraviolet exposure apparatus equipped with a tungsten halogen lamp according to the present invention.

도 3은 광학계의 오염여부에 따른 반사도 손실율을 나타내보인 그래프이다. 3 is a graph showing the reflectance loss rate according to whether the optical system is contaminated.

Claims (4)

스캐너와, 상기 스캐너와 연결되면서 텅스텐 할로겐램프, 반응 가스 주입부 및 진공부를 포함하는 로드락 시스템부를 포함하는 극자외선 노광 장치의 로드락 시스템부 내에 웨이퍼를 배치하는 단계;Placing a wafer in a load lock system portion of the extreme ultraviolet exposure apparatus including a scanner and a load lock system portion connected to the scanner and including a tungsten halogen lamp, a reactive gas injection portion, and a vacuum portion; 상기 반응 가스 주입부로부터 반응 가스를 주입하여 상기 로드락 시스템부 내부를 배기하는 단계;Injecting a reaction gas from the reaction gas injection part to exhaust the inside of the load lock system part; 상기 텅스텐 할로겐램프에 전류를 흘려 형성된 복사에너지로 상기 웨이퍼에 열처리를 진행하여 상기 웨이퍼 표면의 불순물을 제거하는 단계; 및Thermally treating the wafer with radiant energy formed by passing a current through the tungsten halogen lamp to remove impurities from the surface of the wafer; And 상기 불순물이 제거된 웨이퍼를 상기 스캐너 내에 로딩시켜 상기 웨이퍼에 패턴을 전사하는 단계를 포함하는 텅스텐 할로겐램프가 구비된 극자외선 노광 장치를 이용한 노광 방법.And loading a pattern on the wafer by loading the wafer from which the impurities are removed to transfer the pattern onto the wafer. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 반응 가스는 질소(N2), 헬륨(He) 또는 산소(O2) 가스를 포함하는 텅스텐 할로겐램프가 구비된 극자외선 노광 장치를 이용한 노광 방법.The reaction gas is an exposure method using an extreme ultraviolet exposure apparatus equipped with a tungsten halogen lamp containing nitrogen (N 2 ), helium (He) or oxygen (O 2 ) gas. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 열처리는 50℃ 내지 500℃의 온도에서 진행하는 텅스텐 할로겐램프가 구비된 극자외선 노광 장치를 이용한 노광 방법.The heat treatment is an exposure method using an extreme ultraviolet exposure apparatus equipped with a tungsten halogen lamp proceeding at a temperature of 50 ℃ to 500 ℃. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 텅스텐 할로겐램프는 열이 웨이퍼 전체에 균일하게 인가되게 웨이퍼의 전면 및 후면에 대응되는 위치에 배치하는 텅스텐 할로겐램프가 구비된 극자외선 노광 장치를 이용한 노광 방법.And a tungsten halogen lamp having a tungsten halogen lamp disposed at a position corresponding to the front and rear surfaces of the wafer such that heat is uniformly applied to the entire wafer.
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