KR20090111276A - A chemically amplified positive resist composition - Google Patents

A chemically amplified positive resist composition Download PDF

Info

Publication number
KR20090111276A
KR20090111276A KR1020090033702A KR20090033702A KR20090111276A KR 20090111276 A KR20090111276 A KR 20090111276A KR 1020090033702 A KR1020090033702 A KR 1020090033702A KR 20090033702 A KR20090033702 A KR 20090033702A KR 20090111276 A KR20090111276 A KR 20090111276A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
structural unit
formula
integer
resin
Prior art date
Application number
KR1020090033702A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
유스께 후지
준지 시게마쯔
다까유끼 미야가와
노부오 안도
이찌끼 다께모또
Original Assignee
스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 filed Critical 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
Priority to KR1020090033702A priority Critical patent/KR20090111276A/en
Publication of KR20090111276A publication Critical patent/KR20090111276A/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0046Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0048Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0395Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

PURPOSE: A chemical amplification positive resist composition is provided to produce excellent pattern profile and form resist membrane with high sweep back angle. CONSTITUTION: A chemical amplification positive resist composition contains a resin A, resin B, acid generating agent. The resin A contains a structure unit with unstable group at side chain The resin A does not contains fluorine element. The resin B contains a structure unit with fluorine-containing group at side chain. The ratio of resin B is less than 2 weight parts based on total weight part.

Description

화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물 {A CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION}Chemically Amplified Positive Resist Composition {A CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION}

본 발명은 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물에 관한 것이다. The present invention relates to a chemically amplified positive resist composition.

화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물은 반도체를 미세가공하는 데에 이용되고 있다. Chemically amplified positive resist compositions are used to microfabricate semiconductors.

특히 액침 리소그래피 공정에 의해, 반도체를 미세가공하는 경우에, 발생하는 결함을 얼마나 적게 하는지가 종래부터 과제가 되고 있다. In particular, how to reduce the defects generated when the semiconductor is microfabricated by the immersion lithography process has been a problem conventionally.

액침 리소그래피법의 경우에는, 레지스트막 상에 물방울 잔류에 기인하는 결함이 큰 문제점이 되는 것으로 개시되어 있다 (예를 들면, 문헌 [C. V. Peski et al., "Film pulling and meniscus instability as a cause of residual fluid droplets", Presentation at the 2nd International Symposium on Immersion Lithography, Sep. 2005], 및 [D. Gil et al., "The Role of Evaporation in Defect Formation in Immersion Lithography", Presentation at the 2nd International Symposium on Immersion Lithography, Sep. 2005]). 이 결함은 액침 리소그래피에 특이적인 결함 중 하나이고, 물방울이 잔류한 상태의 레지스트막 의 노광후 베이킹을 행함으로써 결함이 발생한다. In the case of the liquid immersion lithography method, defects caused by residual water droplets on the resist film are disclosed to be a major problem (for example, CV Peski et al., "Film pulling and meniscus instability as a cause of residual" fluid droplets ", Presentation at the 2nd International Symposium on Immersion Lithography, Sep. 2005, and D. Gil et al.," The Role of Evaporation in Defect Formation in Immersion Lithography ", Presentation at the 2nd International Symposium on Immersion Lithography , Sep. 2005]). This defect is one of defects specific to immersion lithography, and a defect occurs by performing post-exposure baking of a resist film in which water droplets remain.

이러한 물방울 잔류에 의한 결함의 수는, 레지스트막 상에서의 후퇴각에 상관이 있고, 후퇴각을 높게 함으로써 물방울 잔류에 의한 결함을 감소시킬 수 있다고 개시되어 있다 (예를 들면, 문헌 [K. Nakano et al., "Defectivity data taken with a full-field immersion exposure tool", Presentation at the 2nd International Symposium on Immersion Lithography, Sep. 2005]). The number of defects due to water droplets is correlated with the retreat angle on the resist film, and it has been disclosed that defects due to water droplet retention can be reduced by increasing the retreat angle (for example, K. Nakano et. al., "Defectivity data taken with a full-field immersion exposure tool", Presentation at the 2nd International Symposium on Immersion Lithography, Sep. 2005]).

US 2007/0218401 A1에는, 화학 증폭형 레지스트 조성물로서, 산에 불안정한 기를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (a1)을 함유하지만, 불소 원자를 함유하지 않는 수지 (A)와, 산에 불안정한 기를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (b1), 수산기를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (b3) 및 락톤 구조를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (b4)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 함유할 뿐만 아니라, 불소 함유 기를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (b2)를 함유하는 수지 (B)와, 산 발생제를 함유하는 조성물이 개시되어 있다. 또한, 상기 US 2007/0218401 A1에는 상기 수지 (B)가 차지하는 비율이 상기 수지 (A) 100 중량부에 대하여 2.04 중량부인 범위로 기재되어 있다. US 2007/0218401 A1 contains, as a chemically amplified resist composition, a structural unit (a1) having an acid labile group in the side chain, but not containing a fluorine atom, and a structure having an acid labile group in the side chain. The structural unit which contains not only 1 type selected from the group which consists of a unit (b1), the structural unit (b3) which has a hydroxyl group in a side chain, and the structural unit (b4) which has a lactone structure in a side chain, but has a fluorine-containing group in a side chain. A composition containing a resin (B) containing (b2) and an acid generator is disclosed. Further, US 2007/0218401 A1 describes the proportion of the resin (B) in a range of 2.04 parts by weight based on 100 parts by weight of the resin (A).

본 발명은 다양한 레지스트 성능이 우수하고, 우수한 패턴 프로파일을 생성하고, 높은 후퇴각을 갖는 레지스트막을 형성하고, 현상액에서 용해성이 양호한, 액침 리소그래피 공정에 적합한 신규 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물을 제공하는 것이다.The present invention provides a novel chemically amplified positive resist composition suitable for an immersion lithography process, which is excellent in various resist performances, produces excellent pattern profiles, forms a resist film having a high retreat angle, and has good solubility in a developer. .

본 발명은 하기에 관한 것이다:The present invention relates to:

<1> 산에 불안정한 기를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (a1)을 함유하고, 불소 원자를 함유하지 않는 수지 (A),<1> Resin (A) containing structural unit (a1) which has a group which is unstable to an acid in a side chain, and does not contain a fluorine atom,

산에 불안정한 기를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (b1), 수산기를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (b3) 및 락톤 구조를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (b4)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 함유할 뿐만 아니라, 불소 함유 기를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (b2)를 함유하는 수지 (B), 및 Not only contains one or more selected from the group consisting of a structural unit (b1) having an acid labile group in the side chain, a structural unit (b3) having a hydroxyl group in the side chain and a structural unit (b4) having a lactone structure in the side chain, Resin (B) containing a structural unit (b2) having a fluorine-containing group in the side chain, and

산 발생제를 함유하며, Contains acid generators,

상기 수지 (B)가 차지하는 비율이 상기 수지 (A) 100 중량부에 대하여 2 중량부 이하인 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물;A chemically amplified positive resist composition having a proportion of the resin (B) of 2 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the resin (A);

<2> 상기 수지 (B)가 차지하는 비율이 상기 수지 (A) 100 중량부에 대하여 0.005 중량부 이상 2 중량부 이하인 <1>에 기재된 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물;The chemically amplified positive resist composition as described in <1> whose ratio which the <2> above-mentioned resin (B) occupies is 0.005 weight part or more and 2 weight part or less with respect to 100 weight part of said resin (A);

<3> 수지 (A)가 구조 유닛 (a1) 이외에 수산기를 갖는 구조 유닛 (a3) 및 락톤 구조를 갖는 구조 유닛 (a4)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 구조 유닛을 함유하는 <1> 또는 <2>에 기재된 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물;<3> The resin (A) contains at least one structural unit selected from the group consisting of a structural unit (a3) having a hydroxyl group and a structural unit (a4) having a lactone structure in addition to the structural unit (a1), or The chemically amplified positive resist composition as described in <2>;

<4> 수지 (A)가 구조 유닛 (a1) 이외에 구조 유닛 (a3) 및 구조 유닛 (a4)를 함유하는 <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 기재된 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물; The chemically amplified positive resist composition according to any one of <1> to <3>, in which the <4> resin (A) contains a structural unit (a3) and a structural unit (a4) in addition to the structural unit (a1);

<5> 수지 (B)가 구조 유닛 (b2) 이외에 구조 유닛 (b1)을 함유하는 <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물;The chemically amplified positive resist composition according to any one of <1> to <4>, in which the <5> resin (B) contains a structural unit (b1) in addition to the structural unit (b2);

<6> 구조 유닛 (a1) 및 (b1)이 독립적으로 화학식 Ia로 표시되는 구조 단위 또는 화학식 Ib로 표시되는 구조 단위를 나타내는 <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemically amplified positive resist as described in any one of <1> to <5> in which the <6> structural units (a1) and (b1) independently represent a structural unit represented by the formula (Ia) or a structural unit represented by the formula (Ib). Composition.

Figure 112009023411723-PAT00001
Figure 112009023411723-PAT00001

(식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 C1-C8 알킬기를 나타내고, R3은 메틸기를 나타내고, n은 0 내지 14의 정수를 나타내고, Z1은 단일 결합 또는 -(CH2)k-COO-기를 나타내고, 여기서 k는 1 내지 4의 정수를 나타냄)(Wherein R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents a C1-C8 alkyl group, R 3 represents a methyl group, n represents an integer of 0 to 14, Z 1 represents a single bond or-(CH 2 ) represents a k- COO- group, where k represents an integer from 1 to 4)

Figure 112009023411723-PAT00002
Figure 112009023411723-PAT00002

(식 중, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R5는 C1-C8 알킬기를 나타내고, R6, R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 하나 이상의 헤테로원자를 포함할 수도 있는 1가의 C1-C8 탄화수소기를 나타내거나, R6과 R7은 서로 결합하여 R6이 결합하는 탄소 원자와 R7이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하거나, R6이 결합하는 탄소 원자와 R7이 결합하는 탄소 원자가 이중 결합을 형성할 수도 있고, m은 1 내지 3의 정수를 나타내고, Z2는 단일 결합 또는 -(CH2)k'-COO-기를 나타내고, 여기서 k'은 1 내지 4의 정수를 나타냄)(Wherein R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 5 represents a C1-C8 alkyl group, and R 6 , R 7 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent C1- which may include one or more heteroatoms). represents a group C8 hydrocarbon or, R 6 and R 7 are combined with each other to R 6 form a ring with the carbon atom and R 7 carbon atoms, which is coupled to coupling or, R 6, which combines the binding carbon atoms and R 7, which The carbon atom may form a double bond, m represents an integer of 1 to 3, Z 2 represents a single bond or a-(CH 2 ) k ' -COO- group, where k' represents an integer of 1 to 4 )

<7> 구조 유닛 (b3)이 화학식 IIb로 표시되는 구조 단위를 나타내는 <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemically amplified positive resist composition according to any one of <1> to <6>, in which the <7> structural unit (b3) represents a structural unit represented by the formula (IIb).

Figure 112009023411723-PAT00003
Figure 112009023411723-PAT00003

(식 중, R8은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R9, R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기 또는 수산기를 나타내고, R11은 메틸기를 나타내고, n'은 0 내지 12의 정수를 나타내고, Z3은 단일 결합 또는 -(CH2)q-COO-기를 나타내고, 여기서 q는 1 내지 4의 정수를 나타냄)(In formula, R <8> represents a hydrogen atom or a methyl group, R <9> , R <10> represents a hydrogen atom, a methyl group, or a hydroxyl group each independently, R <11> represents a methyl group, n 'represents the integer of 0-12, Z 3 represents a single bond or a-(CH 2 ) q -COO- group, where q represents an integer from 1 to 4)

<8> 구조 유닛 (b3)이 화학식 IIa로 표시되는 구조 단위를 나타내는 <3> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemically amplified positive resist composition according to any one of <3> to <7>, in which the <8> structural unit (b3) represents a structural unit represented by the formula (IIa).

Figure 112009023411723-PAT00004
Figure 112009023411723-PAT00004

(식 중, R12는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R13, R14은 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기 또는 수산기를 나타내고, R15는 메틸기를 나타내고, n"은 0 내지 12의 정수를 나타내고, Z4는 단일 결합 또는 -(CH2)q'-COO-기를 나타내고, 여기서 q'은 1 내지 4의 정수를 나타냄)(In formula, R <12> represents a hydrogen atom or a methyl group, R <13> , R <14> represents a hydrogen atom, a methyl group, or a hydroxyl group each independently, R <15> represents a methyl group, n "represents the integer of 0-12, Z 4 represents a single bond or a-(CH 2 ) q ' -COO- group, where q' represents an integer from 1 to 4)

<9> 구조 유닛 (b4)가 화학식 IIIa, 화학식 IIIb, 화학식 IIIc, 화학식 IIId, 화학식 IIIe 또는 화학식 IIIf로 표시되는 구조 유닛을 나타내는 <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 기재된 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemically amplified positive type according to any one of <1> to <8>, wherein the <9> structural unit (b4) represents a structural unit represented by the formula (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIe), or (IIIf). Resist composition.

Figure 112009023411723-PAT00005
Figure 112009023411723-PAT00005

(식 중, R17은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R18은 메틸기를 나타내고, R19는 각각 독립적으로 카르복실기, 시아노기 또는 C1-C4의 탄화수소기를 나타내고, R20은 각각 독립적으로 카르복실기, 시아노기 또는 C1-C4의 탄화수소기를 나타내고, j는 0 내지 3의 정수를 나타내고, a는 0 내지 5의 정수를 나타내고, b는 0 내지 3의 정수를 나타내고, c는 0 내지 (2j+2)의 정수를 나타내고, Z5는 단일 결합 또는 -(CH2)q"-COO-기를 나타내고, 여기서 q"는 1 내지 4의 정수를 나타냄) (In formula, R <17> represents a hydrogen atom or a methyl group, R <18> represents a methyl group, R <19> represents a carboxyl group, a cyano group, or C1-C4 hydrocarbon group each independently, R <20> respectively independently represents a carboxyl group and a cyano group Or a C1-C4 hydrocarbon group, j represents an integer of 0 to 3, a represents an integer of 0 to 5, b represents an integer of 0 to 3, and c represents an integer of 0 to (2j + 2). Z 5 represents a single bond or a-(CH 2 ) q " -COO- group, where q" represents an integer of 1 to 4)

<10> 구조 유닛 (a4)가 화학식 IIIg, 화학식 IIIh, 화학식 IIIi, 화학식 IIIj, 화학식 IIIk 또는 화학식 IIIl로 표시되는 구조 유닛을 나타내는 <3> 내지 <9> 중 어느 하나에 기재된 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemically amplified positive type according to any one of <3> to <9>, wherein the <10> structural unit (a4) represents a structural unit represented by formula IIIg, formula IIIh, formula IIIi, formula IIIj, formula IIIk, or formula IIIl. Resist composition.

Figure 112009023411723-PAT00006
Figure 112009023411723-PAT00006

(식 중, R21은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R22은 메틸기를 나타내고, R23은 각각 독립적으로 카르복실기, 시아노기 또는 C1-C4의 탄화수소기를 나타내고, R24는 각각 독립적으로 카르복실기, 시아노기 또는 C1-C4의 탄화수소기를 나타내고, i는 0 내지 3의 정수를 나타내고, d는 0 내지 5의 정수를 나타내고, e는 0 내지 3의 정수를 나타내고, f는 0 내지 (2i+2)의 정수를 나타내고, Z6은 단일 결합 또는 -(CH2)q"'-COO-기를 나타내고, 여기서 q"'는 1 내지 4의 정수를 나타냄) (In formula, R <21> represents a hydrogen atom or a methyl group, R <22> represents a methyl group, R <23> represents a carboxyl group, a cyano group, or C1-C4 hydrocarbon group each independently, R <24> respectively independently represents a carboxyl group and a cyano group Or a C1-C4 hydrocarbon group, i represents an integer of 0 to 3, d represents an integer of 0 to 5, e represents an integer of 0 to 3, f is an integer of 0 to (2i + 2) Z 6 represents a single bond or a-(CH 2 ) q "' -COO- group wherein q"' represents an integer of 1 to 4)

<11> 구조 유닛 (b2)가 화학식 IV로 표시되는 구조 단위를 나타내는 <1> 내지 <10> 중 어느 하나에 기재된 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemically amplified positive resist composition according to any one of <1> to <10>, in which the <11> structural unit (b2) represents a structural unit represented by the general formula (IV).

Figure 112009023411723-PAT00007
Figure 112009023411723-PAT00007

(식 중, R25는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, AR은, 1개 내지 5개의 수산기를 함유할 수 있고, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자를 포함할 수도 있는 C1-C30의 불소 함유 알킬기를 나타냄) (Wherein R 25 represents a hydrogen atom or a methyl group, AR may contain 1 to 5 hydroxyl groups, and may include one or more heteroatoms selected from the group consisting of an oxygen atom, a nitrogen atom, and a sulfur atom); Fluorine-containing alkyl group of C1-C30)

<12> 산 발생제가 화학식 V로 표시되는 염인 <1> 내지 <11> 중 어느 하나에 기재된 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemically amplified positive resist composition as described in any one of <1>-<11> whose <12> acid generator is a salt represented by General formula (V).

Figure 112009023411723-PAT00008
Figure 112009023411723-PAT00008

(식 중, R26은 C1-C6의 직쇄상 또는 분지상의 탄화수소기, 또는 C3-C30의 일환식 또는 이환식 탄화수소기를 나타내며, 상기 일환식 또는 이환식 탄화수소기에 있는 적어도 하나의 수소 원자는 C1-C6의 알콕시기, C1-C4의 퍼플루오로알킬기, C1-C6의 히드록시알킬기, 수산기, 시아노기, 카르보닐기 및 에스테르기로 치환될 수 있거나, 상기 일환식 또는 이환식 탄화수소기에 있는 적어도 하나의 -CH2-는 -CO- 또는 -O-로 치환될 수 있고, A+는 유기 반대 이온을 나타내고, Y1, Y2는 각각 독립적으로 불소 원자 또는 C1-C6의 퍼플루오로알킬기를 나타냄)Wherein R 26 represents a straight or branched hydrocarbon group of C 1 -C 6, or a monocyclic or bicyclic hydrocarbon group of C 3 -C 30, and at least one hydrogen atom in the monocyclic or bicyclic hydrocarbon group is C 1 -C 6 Alkoxy group, C1-C4 perfluoroalkyl group, C1-C6 hydroxyalkyl group, hydroxyl group, cyano group, carbonyl group and ester group, or at least one -CH 2 -in the monocyclic or bicyclic hydrocarbon group May be substituted with -CO- or -O-, A + represents an organic counter ion, and Y 1 , Y 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1 -C 6 perfluoroalkyl group)

<13> R26이 수산기 또는 카르보닐기를 갖는 C3-C30 일환식 또는 다환식 탄화수소기이며, 상기 일환식 또는 다환식 탄화수소기에 있는 적어도 하나의 수소 원자가 C1-C6 알킬기, C1-C6 알콕시기, C1-C4 퍼플루오로알킬기, C1-C6 히드록시알킬 기, 수산기 또는 시아노기로 치환될 수 있는 <12>에 기재된 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.<13> R 26 is a C3-C30 monocyclic or polycyclic hydrocarbon group having a hydroxyl group or a carbonyl group, wherein at least one hydrogen atom in the monocyclic or polycyclic hydrocarbon group is a C1-C6 alkyl group, a C1-C6 alkoxy group, a C1- The chemically amplified positive resist composition as described in <12> which can be substituted by a C4 perfluoroalkyl group, a C1-C6 hydroxyalkyl group, a hydroxyl group, or a cyano group.

본 발명의 신규 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물은 다양한 레지스트 성능이 우수하고, 우수한 패턴 프로파일을 생성하고, 높은 후퇴각을 갖는 레지스트막을 형성하고, 현상액에서 용해성이 양호하여 액침 리소그래피 방법에 적합하다. The novel chemically amplified positive resist composition of the present invention is excellent in various resist performances, produces an excellent pattern profile, forms a resist film having a high retreat angle, and has good solubility in a developer, which is suitable for the immersion lithography method.

수지 (A)는 불소 원자를 함유하지 않는다. 수지 (A)는 산에 불안정한 기를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (a1)을 함유한다. 수지 (A)는 구조 유닛 (a1)로 이루어질 수도 있고, 구조 유닛 (a1) 이외의 다른 구조 유닛 또는 유닛을 포함할 수도 있다. 수지 (A)는 바람직하게는 구조 유닛 (a1) 이외의 다른 구조 유닛 또는 유닛을 포함한다. 수지 (A)로서, 구조 유닛 (a1) 이외에 수산기를 갖는 구조 유닛 (a3) 및 락톤을 갖는 구조 단위 (a4)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 구조 유닛을 함유하는 수지가 보다 바람직하다.Resin (A) does not contain a fluorine atom. Resin (A) contains the structural unit (a1) which has an acid-labile group in a side chain. Resin (A) may consist of structural unit (a1), and may also contain other structural units or units other than structural unit (a1). Resin (A) preferably contains a structural unit or unit other than the structural unit (a1). As the resin (A), a resin containing at least one structural unit selected from the group consisting of a structural unit (a3) having a hydroxyl group and a structural unit (a4) having a lactone in addition to the structural unit (a1) is more preferable.

수지 (A)는 2종 이상의 구조 유닛 (a1)을 포함할 수 있다. 수지 (A)는 2종 이상의 구조 유닛 (a3)을 포함할 수 있다. 수지 (A)는 2종 이상의 구조 유닛 (a4)를 포함할 수 있다.Resin (A) may contain 2 or more types of structural units (a1). Resin (A) may contain 2 or more types of structural units (a3). Resin (A) may contain 2 or more types of structural units (a4).

수지 (A)를 구성하는 구조 유닛 중 (a1)이 차지하는 비율은, 패터닝 노광용의 방사선의 종류나 산에 불안정한 기의 종류 등에 따라 다르지만, 일반적으로 수지 (A)의 전체 구조 유닛 중 10 내지 80 몰%의 범위에 있을 수 있다. Although the ratio which (a1) occupies among the structural units which comprise resin (A) differs according to the kind of radiation for patterning exposure, the kind of group unstable with an acid, etc., generally 10-80 mol of all the structural units of resin (A). It may be in the range of%.

수지 (A)를 구성하는 구조 유닛 중 (a3)이 차지하는 비율은, 패터닝 노광용의 방사선의 종류나 산에 불안정한 기의 종류 등에 따라 다르지만, 바람직하게는 수지 (A)의 전체 구조 유닛 중 0 내지 40 몰%, 보다 바람직하게는 5 내지 35 몰%의 범위에 있을 수 있다. Although the ratio which (a3) occupies among the structural units which comprise resin (A) differs according to the kind of radiation for patterning exposure, the kind of group unstable with an acid, etc., Preferably it is 0-40 of all the structural units of resin (A). Mol%, More preferably, it may exist in the range of 5-35 mol%.

수지 (A)를 구성하는 구조 유닛 중 (a4)가 차지하는 비율은, 패터닝 노광용의 방사선의 종류나 산에 불안정한 기의 종류 등에 따라 다르지만, 바람직하게는 수지 (A)의 전체 구조 유닛 중 0 내지 80 몰%, 보다 바람직하게는 10 내지 60 몰%의 범위에 있을 수 있다. Although the ratio which (a4) occupies among the structural units which comprise resin (A) differs according to the kind of radiation for patterning exposure, the kind of group unstable with an acid, etc., Preferably it is 0-80 among the whole structural units of resin (A). Mol%, More preferably, it may exist in the range of 10-60 mol%.

수지 (A)의 중량 평균 분자량은, 분자량 표준으로서 폴리스티렌을 이용하여, 통상적으로 1000 내지 500,000 정도이고, 바람직하게는 4,000 내지 50,000이다. The weight average molecular weight of resin (A) is about 1000-500,000 normally using polystyrene as a molecular weight standard, Preferably it is 4,000-50,000.

수지 (B)는 산에 불안정한 기를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (b1), 수산기를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (b3) 및 락톤 구조를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (b4)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 함유할 뿐만 아니라, (b2) 불소 함유 기를 측쇄에 갖는 구조 유닛을 함유한다.The resin (B) is at least one member selected from the group consisting of a structural unit (b1) having an acid labile group in the side chain, a structural unit (b3) having a hydroxyl group in the side chain, and a structural unit (b4) having a lactone structure in the side chain. In addition to containing, (b2) a structural unit having a fluorine-containing group in the side chain.

수지 (B)로서, 구조 유닛 (b1) 및 구조 유닛 (b2)를 함유하는 수지가 바람직하다.As resin (B), resin containing a structural unit (b1) and a structural unit (b2) is preferable.

수지 (B)는 2종 이상의 구조 유닛 (b1)을 함유할 수 있다. 수지 (B)는 2종 이상의 구조 유닛 (b2)를 함유할 수 있다. 수지 (B)는 2종 이상의 구조 유닛 (b3)을 포함할 수 있다. 수지 (B)는 2종 이상의 구조 유닛 (b4)를 포함할 수 있다. Resin (B) can contain 2 or more types of structural units (b1). Resin (B) can contain 2 or more types of structural units (b2). Resin (B) may contain 2 or more types of structural units (b3). Resin (B) can contain 2 or more types of structural units (b4).

본 발명에서, 구조 유닛이 불소 함유 기 및 수산기를 측쇄에 갖는 경우에, 상기 구조 유닛은 구조 유닛 (b2)이다.In the present invention, when the structural unit has a fluorine-containing group and a hydroxyl group in the side chain, the structural unit is the structural unit (b2).

수지 (B)를 구성하는 구조 유닛 중 (b1)이 차지하는 비율은, 수지 (B)의 전체 구조 유닛 중 통상적으로 0.5 몰% 내지 30 몰%, 보다 바람직하게는 5 몰% 내지 30 몰%의 범위에 있을 수 있다. The proportion of (b1) in the structural units constituting the resin (B) is usually 0.5 mol% to 30 mol%, more preferably 5 mol% to 30 mol% in the total structural units of the resin (B). Can be in.

수지 (B)를 구성하는 구조 유닛 중 (b2)가 차지하는 비율은, 패터닝 노광용의 방사선의 종류나 산에 불안정한 기의 종류 등에 따라 다르지만, 수지 (B)의 전체 구조 유닛 중, 5 내지 99.5 몰%, 바람직하게는 10 내지 95 몰%, 보다 바람직하게는 50 내지 90 몰%의 범위에 있을 수 있다. Although the ratio which (b2) occupies among the structural units which comprise resin (B) changes with the kind of radiation for patterning exposure, the kind of group unstable with an acid, etc., it is 5-99.5 mol% among all the structural units of resin (B). It is preferably in the range of 10 to 95 mol%, more preferably 50 to 90 mol%.

수지 (B)를 구성하는 구조 유닛 중 (b3)이 차지하는 비율은, 패터닝 노광용의 방사선의 종류나 산에 불안정한 기의 종류 등에 따라 다르지만, 수지 (B)의 전체 구조 유닛 중, 바람직하게는 0 내지 20 몰%, 보다 바람직하게는 0 내지 10 몰%, 특히 바람직하게는 0 내지 5 몰%의 범위에 있을 수 있다. Although the ratio which (b3) occupies among the structural units which comprise resin (B) differs according to the kind of radiation for patterning exposure, the kind of group unstable to an acid, etc., in the whole structural unit of resin (B), Preferably it is 0- 20 mol%, More preferably, it is the range of 0-10 mol%, Especially preferably, it is the range of 0-5 mol%.

수지 (B)를 구성하는 구조 유닛 중 (b4)가 차지하는 비율은, 패터닝 노광용의 방사선의 종류나 산에 불안정한 기의 종류 등에 따라 다르지만, 수지 (B)의 전체 구조 유닛 중, 바람직하게는 0 내지 30 몰%, 보다 바람직하게는 0 내지 10 몰%, 특히 바람직하게는 0 내지 5 몰%의 범위에 있을 수 있다. Although the ratio which (b4) occupies among the structural units which comprise resin (B) differs according to the kind of radiation for patterning exposure, the kind of group unstable to an acid, etc., among the whole structural units of resin (B), Preferably it is 0-. It may be in the range of 30 mol%, more preferably 0 to 10 mol%, particularly preferably 0 to 5 mol%.

수지 (B)의 중량 평균 분자량은, 분자량 표준으로서 폴리스티렌을 이용하여, 통상적으로 1000 내지 500,000 정도이고, 바람직하게는 4,000 내지 50,000이다. The weight average molecular weight of resin (B) is about 1000-500,000 normally using polystyrene as a molecular weight standard, Preferably it is 4,000-50,000.

본 발명에서 수지 (B)가 차지하는 비율은 수지 (A) 100 중량부에 대하여 2 중량부 이하, 바람직하게는 0.005 중량부 이상 2 중량부 이하, 보다 바람직하게는 0.005 중량부 이상 1 중량부 이하, 및 특히 바람직하게는 0.01 이상 1 중량부 이하이다.The proportion of the resin (B) in the present invention is 2 parts by weight or less, preferably 0.005 parts by weight or more and 2 parts by weight or less, more preferably 0.005 parts by weight or more and 1 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the resin (A), And particularly preferably 0.01 or more and 1 part by weight or less.

수지 (B)로서, LogP 값이 2.10 이상인 수지가 바람직하다. 여기서, 상기 수지의 친수성/소수성 파라미터 LogP는 수지의 상용로그의 분배계수 P를 의미하고, 수지가 오일 (전형적으로, 1-옥탄올) 및 물을 함유하는 2상계의 평형에서 어떻게 분배되어 있는지를 나타내는 값이며, 이는 하기 식으로 계산할 수 있다.As resin (B), resin whose LogP value is 2.10 or more is preferable. Here, the hydrophilic / hydrophobic parameter LogP of the resin refers to the partition coefficient P of the commercial log of the resin, and how the resin is distributed in the equilibrium of a two-phase system containing oil (typically 1-octanol) and water. This value is indicative and can be calculated by the following equation.

LogP = Log(C오일/C)LogP = Log (C oil / C water )

(식 중, C오일은 오일상에서의 수지의 몰농도를 나타내고, C은 수상에서의 수지의 몰농도를 나타냄)(Wherein C oil represents the molar concentration of the resin in the oil phase, and C water represents the molar concentration of the resin in the water phase)

LogP 값이 구조식을 형성한다는 것을 평가하기 위해, LogP 값을 분배 실험에서 실험적으로 측정하여 소프트웨어로 계산할 수 있다. 본 발명에서, 대응하는 구조 유닛을 얻는데 사용하는 단량체의 LogP의 값은, 켐브릿지 소프트(Cambridge Soft)사 제조의 켐 드로우 울트라 버전(Chem Draw Ultra version) 9.0.1의 LogP 값 평가용 프로그램을 이용하여 산출할 수 있고, 수지의 LogP 값은 하기 식으로 계산할 수 있다.To evaluate that the LogP values form a structural formula, the LogP values can be experimentally measured and calculated in software in dispensing experiments. In the present invention, the value of LogP of the monomer used to obtain the corresponding structural unit is a program for evaluating the LogP value of Chem Draw Ultra version 9.0.1 manufactured by Cambridge Soft. It can calculate and the LogP value of resin can be calculated by the following formula.

수지의 LogP 값 = Σ(수지의 대응 구조 유닛을 얻는데 사용되는 각 단량체의 계산 LogP 값 × 수지의 대응 구조 유닛의 각 조성비)LogP value of resin = Σ (Calculated LogP value of each monomer used to obtain the corresponding structural unit of resin x each composition ratio of corresponding structural unit of resin)

구조 유닛 (a1) 및 (b1) 중 산에 불안정한 기는 산 발생제로부터 발생되는 산에 의해 절단된다. 구조 유닛 (a1) 중 산에 불안정한 기는 구조 유닛 (b1)의 것 과 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. The groups labile to acids in the structural units (a1) and (b1) are cleaved by the acid generated from the acid generator. The acid labile group in the structural unit (a1) may be the same as or different from that of the structural unit (b1).

본 명세서에서, "에스테르기"는 "카르복실산의 에스테르를 갖는 구조"를 의미한다. 구체적으로, "tert-부틸 에스테르기"는 "카르복실산의 tert-부틸 에스테르를 갖는 구조"를 의미하고, "-COOC(CH3)3"으로 기재할 수 있다. In the present specification, "ester group" means "structure having an ester of a carboxylic acid". Specifically, "tert-butyl ester group" means "structure having tert-butyl ester of carboxylic acid" and may be described as "-COOC (CH 3 ) 3 ".

산에 불안정한 기의 예로서는, 산소 원자에 인접한 탄소 원자가 4급 탄소 원자인 알킬에스테르기, 산소 원자에 인접한 탄소 원자가 4급 탄소 원자인 지환식 에스테르기, 및 산소 원자에 인접한 탄소 원자가 4급 탄소 원자인 락톤 에스테르기 등의 카르복실산의 에스테르를 갖는 구조를 들 수 있다. "4급 탄소 원자"는 "수소 원자 이외에 4개의 치환기와 결합한 탄소 원자"를 의미한다.Examples of an acid labile group include an alkylester group in which a carbon atom adjacent to an oxygen atom is a quaternary carbon atom, an alicyclic ester group in which a carbon atom adjacent to an oxygen atom is a quaternary carbon atom, and a carbon atom adjacent to an oxygen atom is a quaternary carbon atom The structure which has ester of carboxylic acid, such as a lactone ester group, is mentioned. "Quarter carbon atom" means "carbon atom bonded with four substituents besides a hydrogen atom".

산에 불안정한 기의 예로서는, tert-부틸 에스테르기 등의 산소 원자에 인접한 탄소 원자가 4급 탄소 원자인 알킬에스테르기; 메톡시메틸 에스테르, 에톡시메틸 에스테르, 1-에톡시에틸 에스테르, 1-이소부톡시에틸 에스테르, 1-이소프로폭시에틸 에스테르, 1-에톡시프로폭시 에스테르, 1-(2-메톡시에톡시)에틸 에스테르, 1-(2-아세톡시에톡시)에틸 에스테르, 1-[2-(1-아다만틸옥시)에톡시]에틸 에스테르, 1-[2-(1-아다만탄카르보닐옥시)에톡시]에틸 에스테르, 테트라히드로-2-푸릴 에스테르 및 테트라히드로-2-피라닐에스테르기 등의 아세탈형 에스테르기; 이소보르닐 에스테르, 1-알킬시클로알킬 에스테르, 2-알킬-2-아다만틸 에스테르 및 1-(1-아다만틸)-1-알킬알킬 에스테르기 등의 산소 원자에 인접한 탄소 원자가 4급 탄소 원자인 지환식 에스테르기를 들 수 있다.Examples of the group labile to an acid include alkyl ester groups in which carbon atoms adjacent to oxygen atoms such as tert-butyl ester groups are quaternary carbon atoms; Methoxymethyl ester, ethoxymethyl ester, 1-ethoxyethyl ester, 1-isobutoxyethyl ester, 1-isopropoxyethyl ester, 1-ethoxypropoxy ester, 1- (2-methoxyethoxy) Ethyl ester, 1- (2-acetoxyethoxy) ethyl ester, 1- [2- (1-adamantyloxy) ethoxy] ethyl ester, 1- [2- (1-adamantanecarbonyloxy) Acetal ester groups such as ethoxy] ethyl ester, tetrahydro-2-furyl ester and tetrahydro-2-pyranyl ester group; Carbon atom quaternary carbon adjacent to oxygen atoms such as isobornyl ester, 1-alkylcycloalkyl ester, 2-alkyl-2-adamantyl ester and 1- (1-adamantyl) -1-alkylalkyl ester group The alicyclic ester group which is an atom is mentioned.

구조 유닛 (a1) 및 (b1)로서는, 임의로 치환된 아크릴산 화합물로부터 유래된 구조 유닛이 바람직하다.As the structural units (a1) and (b1), structural units derived from an optionally substituted acrylic acid compound are preferable.

본 명세서에서, "임의로 치환된 아크릴산 화합물"은 아크릴레이트, α-탄소가 치환기로 치환된 아크릴레이트를 의미한다. 상기 치환기의 예로서는 C1-C4 알킬기를 들 수 있다.As used herein, "optionally substituted acrylic acid compound" means an acrylate, an acrylate in which α-carbon is substituted with a substituent. Examples of the substituents include C1-C4 alkyl groups.

임의로 치환된 아크릴산 화합물의 예로서는, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 2-에틸프로페노에이트, 2-n-프로필프로페노에이트 및 2-n-부틸프로페노에이트를 들 수 있다.Examples of the optionally substituted acrylic acid compound include acrylate, methacrylate, 2-ethylpropenoate, 2-n-propylpropenoate and 2-n-butylpropenoate.

구조 유닛 (a1) 및 (b1)의 예로서는, tert-부틸 아크릴레이트, tert-부틸 메타크릴레이트, 메톡시메틸 아크릴레이트, 메톡시메틸 메타크릴레이트, 에톡시메틸 아크릴레이트, 에톡시메틸 메타크릴레이트, 1-에톡시에틸 아크릴레이트, 1-에톡시에틸 메타크릴레이트, 1-이소부톡시에틸 아크릴레이트, 1-이소부톡시에틸 메타크릴레이트, 1-이소프로폭시에틸 아크릴레이트, 1-이소프로폭시에틸 메타크릴레이트, 1-에톡시프로폭시 아크릴레이트, 1-에톡시프로폭시 메타크릴레이트, 1-(2-메톡시에톡시)에틸 아크릴레이트, 1-(2-메톡시에톡시)에틸 메타크릴레이트, 1-(2-아세톡시에톡시)에틸 아크릴레이트, 1-(2-아세톡시에톡시)에틸 메타크릴레이트, 1-[2-(1-아다만틸옥시)에톡시]에틸 아크릴레이트, 1-[2-(1-아다만틸옥시)에톡시]에틸 메타크릴레이트, 1-[2-(1-아다만탄카르보닐옥시)에톡시]에틸 아크릴레이트, 1-[2-(1-아다만탄카르보닐옥시)에톡시]에틸 메타크릴레이트, 테트라히드로-2-푸릴 아크릴레이트, 테트라히드로-2-푸릴 메타크릴레이트, 테트라히드로-2-피라닐 아크릴레이트, 테트라히드로-2-피라닐 메타크릴레이트, 이소보르닐 아크릴레이트, 이소보르닐 메타크릴레이트, 1-알킬시클로알킬 아크릴레이트, 1-알킬시클로알킬 메타크릴레이트, 2-알킬-2-아다만틸 아크릴레이트, 2-알킬-2-아다만틸 메타크릴레이트, 1-(1-아다만틸)-1-알킬알킬 아크릴레이트 및 1-(1-아다만틸)-1-알킬알킬 메타크릴레이트로부터 유래된 구조 유닛을 들 수 있다.Examples of the structural units (a1) and (b1) include tert-butyl acrylate, tert-butyl methacrylate, methoxymethyl acrylate, methoxymethyl methacrylate, ethoxymethyl acrylate and ethoxymethyl methacrylate. , 1-ethoxyethyl acrylate, 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-isobutoxyethyl acrylate, 1-isobutoxyethyl methacrylate, 1-isopropoxyethyl acrylate, 1-isopropoxyethyl Methacrylate, 1-ethoxypropoxy acrylate, 1-ethoxypropoxy methacrylate, 1- (2-methoxyethoxy) ethyl acrylate, 1- (2-methoxyethoxy) ethyl methacrylate Rate, 1- (2-acetoxyethoxy) ethyl acrylate, 1- (2-acetoxyethoxy) ethyl methacrylate, 1- [2- (1-adamantyloxy) ethoxy] ethyl acrylate , 1- [2- (1-adamantyloxy) ethoxy] ethyl methacrylate, 1- [2- (1-adamantanecarbonyl Ethoxy] ethyl acrylate, 1- [2- (1-adamantanecarbonyloxy) ethoxy] ethyl methacrylate, tetrahydro-2-furyl acrylate, tetrahydro-2-furyl methacrylate , Tetrahydro-2-pyranyl acrylate, tetrahydro-2-pyranyl methacrylate, isobornyl acrylate, isobornyl methacrylate, 1-alkylcycloalkyl acrylate, 1-alkylcycloalkyl methacryl Acrylate, 2-alkyl-2-adamantyl acrylate, 2-alkyl-2-adamantyl methacrylate, 1- (1-adamantyl) -1-alkylalkyl acrylate and 1- (1-adamate) And structural units derived from dandanyl) -1-alkylalkyl methacrylates.

구조 유닛 (a1) 및 (b1)의 바람직한 예로서는, 화학식 Ia로 표시되는 구조 유닛 (이후, 단순히 구조 유닛 (Ia)으로 나타냄) 및 화학식 Ib로 표시되는 구조 유닛 (이후, 단순히 구조 유닛 (Ib)으로 나타냄)을 들 수 있다.Preferred examples of the structural units (a1) and (b1) include structural units represented by the formula (Ia) (hereinafter simply referred to as structural units (Ia)) and structural units represented by the formula (Ib) (hereinafter simply referred to as structural units (Ib)). It is mentioned.

구조 유닛 (Ia)에서, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 C1-C8 알킬기를 나타내고, R3은 메틸기를 나타내고, n은 0 내지 14의 정수를 나타내고, Z1은 단일 결합 또는 -(CH2)k-COO-기를 나타내고, 여기서 k는 1 내지 4의 정수를 나타낸다. 구조 유닛 (Ib)에서, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R5는 C1-C8 알킬기를 나타내고, R6, R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 하나 이상의 헤테로원자를 포함할 수도 있는 1가의 C1-C8 탄화수소기를 나타내거나, R6와 R7은 서로 결합하여 R6이 결합하는 탄소 원자와 R7이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하거나, R6이 결합하는 탄소 원자와 R7이 결합하는 탄소 원자가 이중 결합을 형성할 수 도 있고, m은 1 내지 3의 정수를 나타내고, Z2는 단일 결합 또는 -(CH2)k'-COO-기를 나타내고, 여기서 k'은 1 내지 4의 정수를 나타낸다.In the structural unit (Ia), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents a C1-C8 alkyl group, R 3 represents a methyl group, n represents an integer of 0 to 14, Z 1 represents a single bond or -(CH 2 ) k -COO- group, where k represents an integer of 1 to 4. In the structural unit (Ib), R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 5 represents a C1-C8 alkyl group, and R 6 , R 7 each independently represent a hydrogen atom or 1 which may include one or more heteroatoms. R 6 and R 7 are bonded to each other to form a ring together with a carbon atom to which R 6 is bonded and a carbon atom to which R 7 is bonded, or a carbon atom to which R 6 is bonded, and R 7 The carbon atoms to which this bond may form a double bond, m represents an integer of 1 to 3, Z 2 represents a single bond or a-(CH 2 ) k ' -COO- group, where k' is 1 to 4 Represents an integer.

C1-C8 알킬기의 예로서는, 메틸기, 에틸기, 1-프로필기, 1-메틸에틸기, 1-부틸기, 2-부틸기, 2-메틸-1-프로필기, 1-펜틸기, 2-펜틸기, 2-메틸-1-부틸기, 3-펜틸기, 2,2-디메틸-1-프로필기, 3-메틸-1-부틸기, 1-헥실기, 2-헥실기, 1-헵틸기, 4-헵틸기, 1-옥틸기, 2-옥틸기, 5-메틸-2-헵틸기, 시클로펜틸기, 2-메틸시클로펜틸기, 시클로헥실기, 3-메틸시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 2,3-디메틸시클로헥실기, 4,4-디메틸시클로헥실기 및 5-메틸-비사이클[2.2.1]헵트-2-일기를 들 수 있고, C1-C3 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 1-프로필기를 들 수 있고, 1-메틸에틸기가 바람직하다.As an example of a C1-C8 alkyl group, a methyl group, an ethyl group, 1-propyl group, 1-methylethyl group, 1-butyl group, 2-butyl group, 2-methyl-1-propyl group, 1-pentyl group, 2-pentyl group, 2-methyl-1-butyl group, 3-pentyl group, 2,2-dimethyl-1-propyl group, 3-methyl-1-butyl group, 1-hexyl group, 2-hexyl group, 1-heptyl group, 4 -Heptyl group, 1-octyl group, 2-octyl group, 5-methyl-2-heptyl group, cyclopentyl group, 2-methylcyclopentyl group, cyclohexyl group, 3-methylcyclohexyl group, 4-methylcyclohex A real group, a 2, 3- dimethyl cyclohexyl group, a 4, 4- dimethyl cyclohexyl group, and a 5-methyl- bicyclic [2.2.1] hept-2-yl group are mentioned, As a C1-C3 alkyl group, a methyl group and an ethyl group are mentioned. And 1-propyl group are mentioned, and 1-methylethyl group is preferable.

1가의 C1-C8 탄화수소기의 예로서는, 메틸기, 에틸기, 1-프로필기, 1-메틸에틸기, 1-부틸기, 2-부틸기, 2-메틸-1-프로필기, 1-펜틸기, 2-펜틸기, 2-메틸-1-부틸기, 3- 펜틸기, 2,2-디메틸-1-프로필기, 3-메틸-1-부틸기, 1-헥실기, 2-헥실기, 1-헵틸기, 4-헵틸기, 1-옥틸기, 2-옥틸기, 5-메틸-2-헵틸기, 시클로펜틸기, 2-메틸시클로펜틸기, 시클로헥실기, 3-메틸시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 2,3-디메틸시클로헥실기 및 4,4-디메틸시클로헥실기를 들 수 있다.Examples of the monovalent C1-C8 hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, 1-propyl group, 1-methylethyl group, 1-butyl group, 2-butyl group, 2-methyl-1-propyl group, 1-pentyl group, 2- Pentyl group, 2-methyl-1-butyl group, 3-pentyl group, 2,2-dimethyl-1-propyl group, 3-methyl-1-butyl group, 1-hexyl group, 2-hexyl group, 1-hep Tyl group, 4-heptyl group, 1-octyl group, 2-octyl group, 5-methyl-2-heptyl group, cyclopentyl group, 2-methylcyclopentyl group, cyclohexyl group, 3-methylcyclohexyl group, 4- A methyl cyclohexyl group, a 2, 3- dimethyl cyclohexyl group, and a 4, 4- dimethyl cyclohexyl group are mentioned.

헤테로원자의 예로서는 산소, 질소 및 황 원자를 들 수 있다.Examples of heteroatoms include oxygen, nitrogen and sulfur atoms.

R6이 결합하는 탄소 원자와 R7이 결합하는 탄소 원자와 함께 R6과 R7이 서로 결합함으로써 형성되는 환의 예로서는, 시클로부탄환, 시클로펜탄환 및 시클로헥산 환을 들 수 있다.Examples of the ring formed by bonding R 6 and R 7 together with the carbon atom to which R 6 bonds and the carbon atom to which R 7 bonds include a cyclobutane ring, a cyclopentane ring and a cyclohexane ring.

구조 유닛 (a1) 및 (b1)로서, 구조 유닛 (Ia)이 바람직하다.As the structural units (a1) and (b1), the structural unit (Ia) is preferable.

구조 유닛 (Ia)는 하기 화학식으로 표시되는 단량체로부터 유래된다.The structural unit (Ia) is derived from the monomer represented by the following formula.

Figure 112009023411723-PAT00009
Figure 112009023411723-PAT00009

(식 중, R1, R2, R3, n 및 Z1은 상기한 바와 같음)Wherein R 1 , R 2 , R 3 , n and Z 1 are as defined above.

구조 유닛 (Ib)는 하기 화학식으로 표시되는 단량체로부터 유래된다.The structural unit (Ib) is derived from the monomer represented by the following formula.

Figure 112009023411723-PAT00010
Figure 112009023411723-PAT00010

(식 중, R4, R5, R6, R7, m 및 Z2는 상기한 바와 같음)Wherein R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , m and Z 2 are as defined above.

상기 화학식으로 표시되는 단량체의 예로서는 하기의 것을 들 수 있다.The following are mentioned as an example of the monomer represented by the said general formula.

Figure 112009023411723-PAT00011
Figure 112009023411723-PAT00011

Figure 112009023411723-PAT00012
Figure 112009023411723-PAT00012

Figure 112009023411723-PAT00013
Figure 112009023411723-PAT00013

Figure 112009023411723-PAT00014
Figure 112009023411723-PAT00014

Figure 112009023411723-PAT00015
Figure 112009023411723-PAT00015

Figure 112009023411723-PAT00016
Figure 112009023411723-PAT00016

Figure 112009023411723-PAT00017
Figure 112009023411723-PAT00017

이들 단량체 중에서도, 하기 구조 단위를 함유하는 수지를 본 발명의 레지스트 조성물 중에 사용하는 경우에 감도가 우수하기 때문에, 2-알킬-2-아다만틸 아크릴레이트, 2-알킬-2-아다만틸 메타크릴레이트, 1-(2-알킬-2-아다만틸옥시카르보닐)알킬 아크릴레이트 및 1-(2-알킬-2-아다만틸옥시카르보닐)알킬 메타크릴레이트가 바람직하고, 2-에틸-2-아다만틸 아크릴레이트, 2-에틸-2-아다만틸 메타크릴레이트, 2-이소프로필-2-아다만틸 아크릴레이트, 2-이소프로필-2-아다만틸 메타크릴레이트 및 1-(2-메틸-2-아다만틸옥시카르보닐)메틸메타크릴레이트가 보다 바람직하다.Among these monomers, since the resin containing the following structural unit is used in the resist composition of the present invention, since the sensitivity is excellent, 2-alkyl-2-adamantyl acrylate and 2-alkyl-2-adamantyl meta Preferred are acrylate, 1- (2-alkyl-2-adamantyloxycarbonyl) alkyl acrylate and 1- (2-alkyl-2-adamantyloxycarbonyl) alkyl methacrylate, 2-ethyl 2-adamantyl acrylate, 2-ethyl-2-adamantyl methacrylate, 2-isopropyl-2-adamantyl acrylate, 2-isopropyl-2-adamantyl methacrylate and 1 More preferred is-(2-methyl-2-adamantyloxycarbonyl) methylmethacrylate.

2-알킬-2-아다만틸 아크릴레이트는, 예를 들면 2-알킬-2-아다만탄올 또는 그의 금속염과 아크릴로일 할라이드를 반응시킴으로써 제조할 수 있고, 2-알킬-2-아다만틸 메타크릴레이트는, 예를 들면 2-알킬-2-아다만탄올 또는 그의 금속염과 메타크릴로일 할라이드를 반응시킴으로써 제조할 수 있다.2-alkyl-2-adamantyl acrylate can be produced, for example, by reacting 2-alkyl-2-adamantanol or a metal salt thereof with acryloyl halide, and 2-alkyl-2-adamantyl The methacrylate can be produced by, for example, reacting 2-alkyl-2-adamantanol or a metal salt thereof with methacryloyl halide.

구조 유닛 (a3) 및 (b3)는 수산기를 갖는다. 구조 유닛 (a3) 및 (b3)는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. The structural units (a3) and (b3) have hydroxyl groups. The structural units (a3) and (b3) may be the same or different from each other.

구조 유닛 (a3) 및 (b3)로서, 임의로 치환된 아크릴산 화합물로부터 유래된 구조 유닛이 바람직하다. 임의로 치환된 아크릴산 화합물의 예로서는 상기한 바와 같은 것을 들 수 있다.As the structural units (a3) and (b3), structural units derived from an optionally substituted acrylic acid compound are preferable. Examples of the optionally substituted acrylic acid compound include those mentioned above.

구조 유닛 (a3)으로서는 화학식 IIa로 표시되는 구조 유닛 (이후, 단순히 구조 유닛 (IIa)으로 나타냄)이 바람직하다. 구조 유닛 (b3)으로서는 화학식 IIb로 표시되는 구조 유닛 (이후, 단순히 구조 유닛 (IIb)으로 나타냄)이 바람직하다.As the structural unit (a3), a structural unit represented by the formula (IIa) (hereinafter simply referred to as a structural unit (IIa)) is preferable. As the structural unit (b3), a structural unit represented by the formula (IIb) (hereinafter simply referred to as a structural unit (IIb)) is preferable.

구조 유닛 (IIa)에서, R12는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R13, R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기 또는 수산기를 나타내고, R15는 메틸기를 나타내고, n"은 0 내지 12의 정수를 나타내고, Z4는 단일 결합 또는 -(CH2)q'-COO-기를 나타내고, 여기서 q'은 1 내지 4의 정수를 나타낸다. 구조 유닛 (IIb)에서, R8은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R9, R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기 또는 수산기를 나타내고, R11은 메틸기를 나타내고, n'은 0 내지 12의 정수를 나타내고, Z3은 단일 결합 또는 -(CH2)q-COO-기를 나타내고, 여기서 q는 1 내지 4의 정수를 나타낸다.In the structural unit (IIa), R 12 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 13 and R 14 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxyl group, R 15 represents a methyl group, and n ″ represents an integer of 0 to 12. represents a, Z 4 is a single bond or - 'represents a group -COO-, where q' (CH 2) q is an integer of 1 to 4 eseo structural units (IIb), R 8 is a hydrogen atom or a methyl group , R 9 and R 10 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxyl group, R 11 represents a methyl group, n 'represents an integer of 0 to 12, Z 3 represents a single bond or-(CH 2 ) q- Represents a COO- group, where q represents an integer from 1 to 4.

구조 유닛 (IIa)는 하기 화학식으로 표시되는 단량체로부터 유래되고,The structural unit (IIa) is derived from a monomer represented by the following formula

Figure 112009023411723-PAT00018
Figure 112009023411723-PAT00018

(식 중, R12, R13, R14, R15, n" 및 Z4는 상기한 바와 같음)Wherein R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , n "and Z 4 are as described above.

구조 유닛 (IIb)는 하기 화학식으로 표시되는 단량체로부터 유래된다.The structural unit (IIb) is derived from a monomer represented by the following formula.

Figure 112009023411723-PAT00019
Figure 112009023411723-PAT00019

(식 중, R8, R9, R10, R11, n' 및 Z3은 상기한 바와 같음)Wherein R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , n 'and Z 3 are as described above.

상기 화학식으로 표시되는 단량체의 특정예로서는 하기의 것을 들 수 있다.The following are mentioned as a specific example of the monomer represented by the said chemical formula.

Figure 112009023411723-PAT00020
Figure 112009023411723-PAT00020

Figure 112009023411723-PAT00021
Figure 112009023411723-PAT00021

이들 단량체 중에서도, 하기 구조 단위를 함유하는 수지를 본 발명의 레지스트 조성물 중에 사용하는 경우에 감도가 우수하기 때문에, 3-히드록시-1-아다만틸 아크릴레이트, 3,5-디히드록시-1-아다만틸 아크릴레이트, 3-히드록시-1-아다만틸 메타크릴레이트, 3,5-디히드록시-1-아다만틸 메타크릴레이트, 1-(3-히드록시-1-아다만틸옥시카르보닐)메틸 메타크릴레이트 및 1-(3,5-디히드록시-1-아다만틸옥시카르보닐)메틸 메타크릴레이트가 바람직하다.Among these monomers, because of excellent sensitivity when a resin containing the following structural unit is used in the resist composition of the present invention, 3-hydroxy-1-adamantyl acrylate and 3,5-dihydroxy-1 -Adamantyl acrylate, 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate, 3,5-dihydroxy-1-adamantyl methacrylate, 1- (3-hydroxy-1-adamant Preference is given to yloxycarbonyl) methyl methacrylate and 1- (3,5-dihydroxy-1-adamantyloxycarbonyl) methyl methacrylate.

3-히드록시-1-아다만틸 아크릴레이트, 3,5-디히드록시-1-아다만틸 아크릴레이트, 3-히드록시-1-아다만틸 메타크릴레이트 및 3,5-디히드록시-1-아다만틸 메타크릴레이트는, 예를 들면 상응하는 히드록실-치환된 아다만탄과 아크릴산, 메타크릴산, 또는 이들의 산 할라이드를 반응시킴으로써 제조할 수 있고, 또한 이들은 시판된다.3-hydroxy-1-adamantyl acrylate, 3,5-dihydroxy-1-adamantyl acrylate, 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate and 3,5-dihydroxy -1-adamantyl methacrylate can be prepared, for example, by reacting the corresponding hydroxyl-substituted adamantane with acrylic acid, methacrylic acid, or acid halides thereof, and these are also commercially available.

구조 유닛 (a4) 및 (b4)는 각각 락톤 구조를 갖는다. 구조 유닛 (a4) 및 (b4)는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The structural units (a4) and (b4) each have a lactone structure. The structural units (a4) and (b4) may be the same or different from each other.

구조 유닛 (a4) 및 (b4)로서, 임의로 치환된 아크릴산 화합물로부터 유래된 구조 유닛이 바람직하다. 임의로 치환된 아크릴산 화합물의 예로서는 상기한 바와 동일한 것을 들 수 있다.As the structural units (a4) and (b4), structural units derived from an optionally substituted acrylic acid compound are preferable. Examples of the optionally substituted acrylic acid compound include the same as described above.

구조 유닛 (a4)로서는 화학식 IIIg, 화학식 IIIh, 화학식 IIIi, 화학식 IIIj, 화학식 IIIk 또는 화학식 IIIl로 표시되는 구조 유닛이 바람직하고, 화학식 IIIg 및 화학식 IIIh로 표시되는 구조 유닛이 보다 바람직하다.As the structural unit (a4), a structural unit represented by the formula (IIIg), (IIIh), (IIIi), (IIIj), (IIIk) or (IIIl) is preferable, and a structural unit represented by the formula (IIIg) and the formula (IIIh) is more preferable.

구조 유닛 (b4)로서는 화학식 IIIa, 화학식 IIIb, 화학식 IIIc, 화학식 IIId, 화학식 IIIe 또는 화학식 IIIf로 표시되는 구조 유닛이 바람직하고, 화학식 IIIa 및 화학식 IIIb로 표시되는 구조 유닛이 보다 바람직하다.As structural unit (b4), the structural unit represented by general formula (IIIa), general formula (IIIb), general formula (IIIc), general formula (IIId), general formula (IIIe) or general formula (IIIf) is preferable, and the structural unit represented by general formula (IIIa) and general formula (IIIb) is more preferable.

화학식 IIIa, 화학식 IIIb, 화학식 IIIc, 화학식 IIId, 화학식 IIIe 또는 화학식 IIIf로 표시되는 구조 유닛에서, R17은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R18은 메틸기를 나타내고, R19는 각각 독립적으로 카르복실기, 시아노기 또는 C1-C4의 탄화수소기를 나타내고, R20은 각각 독립적으로 카르복실기, 시아노기 또는 C1-C4의 탄화수소기를 나타내고, j는 0 내지 3의 정수를 나타내고, a는 0 내지 5의 정수를 나타내고, b는 0 내지 3의 정수를 나타내고, c는 0 내지 (2j+2)의 정수를 나타내고, Z5는 단일 결합 또는 -(CH2)q"-COO-기를 나타내고, 여기서 q"는 1 내지 4의 정수를 나타낸다.In the structural unit represented by formula (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIe) or (IIIf), R 17 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 18 represents a methyl group, and R 19 each independently represents a carboxyl group or a cyan. A no group or a C1-C4 hydrocarbon group, R 20 each independently represents a carboxyl group, a cyano group or a C1-C4 hydrocarbon group, j represents an integer of 0 to 3, a represents an integer of 0 to 5, b Represents an integer of 0 to 3, c represents an integer of 0 to (2j + 2), Z 5 represents a single bond or a-(CH 2 ) q " -COO- group, where q" represents Represents an integer.

화학식 IIIg, 화학식 IIIh, 화학식 IIIi, 화학식 IIIj, 화학식 IIIk 또는 화학식 IIIl로 표시되는 구조 유닛에서, R21은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R22은 메틸기를 나타내고, R23은 각각 독립적으로 카르복실기, 시아노기 또는 C1-C4의 탄화수소기를 나타내고, R24는 각각 독립적으로 카르복실기, 시아노기 또는 C1-C4의 탄화수소기를 나타내고, i는 0 내지 3의 정수를 나타내고, d는 0 내지 5의 정수를 나타내고, e는 0 내지 3의 정수를 나타내고, f는 0 내지 (2i+2)의 정수를 나타내고, Z6은 단일 결합 또는 -(CH2)q"'-COO-기를 나타내고, 여기서 q"'는 1 내지 4의 정수를 나타낸다.In the structural unit represented by formula (IIIg), formula (IIIh), formula (IIIi), formula (IIIj), formula (IIIk) or formula (IIIl), R 21 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 22 represents a methyl group, and R 23 independently represents a carboxyl group, A no group or a C1-C4 hydrocarbon group, each R 24 independently represents a carboxyl group, a cyano group or a C1-C4 hydrocarbon group, i represents an integer of 0 to 3, d represents an integer of 0 to 5, e Represents an integer of 0 to 3, f represents an integer of 0 to (2i + 2), Z 6 represents a single bond or a-(CH 2 ) q "' -COO- group, where q"' represents 1 to The integer of 4 is shown.

C1-C4의 탄화수소기의 예로서는 메틸기, 에틸기, 1-프로필기, 2-프로필기, 1-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기 및 tert-부틸기 등의 C1-C4 알킬기를 들 수 있고, 메틸기가 바람직하다.Examples of the C1-C4 hydrocarbon group include C1-C4 alkyl groups such as methyl group, ethyl group, 1-propyl group, 2-propyl group, 1-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group and tert-butyl group. And methyl groups are preferred.

화학식 IIIa, 화학식 IIIb, 화학식 IIIc, 화학식 IIId, 화학식 IIIe, 화학식 IIIf, 화학식 IIIg, 화학식 IIIh, 화학식 IIIi, 화학식 IIIj, 화학식 IIIk 및 화학식 IIIl로 표시되는 구조 유닛은 각각 상응하는 단량체로부터 유래된다.The structural units represented by formula (IIIa), (IIIb), (IIIc), (IIId), (IIIe), (IIIf), (IIIg), (IIIh), (IIIi), (IIIj), (IIIk), and (IIIl) are each derived from the corresponding monomers.

화학식 IIIa 및 화학식 IIIb로 표시되는 구조 유닛을 얻는데 사용되는 단량체의 특정예로서는 하기의 것을 들 수 있다.The following are mentioned as a specific example of the monomer used for obtaining the structural unit represented by general formula (IIIa) and general formula (IIIb).

Figure 112009023411723-PAT00022
Figure 112009023411723-PAT00022

화학식 IIIb 및 화학식 IIIh로 표시되는 구조 유닛을 얻는데 사용되는 단량체의 특정예로서는 하기의 것을 들 수 있다.The following are mentioned as a specific example of the monomer used for obtaining the structural unit represented by general formula (IIIb) and general formula (IIIh).

Figure 112009023411723-PAT00023
Figure 112009023411723-PAT00023

Figure 112009023411723-PAT00024
Figure 112009023411723-PAT00024

화학식 IIIc 및 화학식 IIIi로 표시되는 구조 유닛을 얻는데 사용되는 단량체의 특정예로서는 하기의 것을 들 수 있다.The following are mentioned as a specific example of the monomer used for obtaining the structural unit represented by general formula (IIIc) and general formula (IIIi).

Figure 112009023411723-PAT00025
Figure 112009023411723-PAT00025

Figure 112009023411723-PAT00026
Figure 112009023411723-PAT00026

화학식 IIId 및 화학식 IIIj로 표시되는 구조 유닛을 얻는데 사용되는 단량체의 특정예로서는 하기의 것을 들 수 있다.The following are mentioned as a specific example of the monomer used for obtaining the structural unit represented by general formula (IIId) and general formula (IIIj).

Figure 112009023411723-PAT00027
Figure 112009023411723-PAT00027

화학식 IIIe 및 화학식 IIIk로 표시되는 구조 유닛을 얻는데 사용되는 단량체의 특정예로서는 하기의 것을 들 수 있다.The following are mentioned as a specific example of the monomer used for obtaining the structural unit represented by general formula (IIIe) and general formula (IIIk).

Figure 112009023411723-PAT00028
Figure 112009023411723-PAT00028

화학식 IIIf 및 화학식 IIIl로 표시되는 구조 유닛을 얻는데 사용되는 단량체의 특정예로서는 하기의 것을 들 수 있다.The following are mentioned as a specific example of the monomer used for obtaining the structural unit represented by general formula (IIIf) and general formula (IIIl).

Figure 112009023411723-PAT00029
Figure 112009023411723-PAT00029

이들 단량체 중에서도, 하기의 것이 바람직하다.Among these monomers, the following are preferable.

Figure 112009023411723-PAT00030
Figure 112009023411723-PAT00030

상기 단량체 중에서도, 아크릴로일옥시-γ-부티로락톤은 상응하는 α- 또는 β-브로모-γ-부티로락톤과 아크릴산을 반응시키거나, 또는 상응하는 α- 또는 β-히드록시-γ-부티로락톤과 아크릴로일 할라이드를 반응시킴으로써 제조할 수 있고, 메타크릴로일옥시-γ-부티로락톤은 상응하는 α- 또는 β-브로모-γ-부티로락톤과 메타크릴산을 반응시키거나, 또는 상응하는 α- 또는 β-히드록시-γ-부티로락톤과 메타크릴로일 할라이드를 반응시킴으로써 제조할 수 있다.Among the above monomers, acryloyloxy-γ-butyrolactone reacts the corresponding α- or β-bromo-γ-butyrolactone with acrylic acid, or the corresponding α- or β-hydroxy-γ- It can be prepared by reacting butyrolactone and acryloyl halide, methacryloyloxy-γ-butyrolactone is reacted with the corresponding α- or β-bromo-γ-butyrolactone and methacrylic acid Or by reacting the corresponding α- or β-hydroxy-γ-butyrolactone with methacryloyl halides.

상기 단량체 중에서도, 화학식 IIIb, 화학식 IIIc, 화학식 IIIh 및 화학식 IIIi으로 표시되는 구조 유닛을 얻는데 사용되는 단량체의 예로서는, 수산기를 갖는 하기 지환식 락톤의 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 들 수 있다.Among the above monomers, acrylates and methacrylates of the following alicyclic lactones having a hydroxyl group can be given as examples of the monomers used to obtain the structural units represented by the formulas (IIIb), (IIIc), (IIIh) and (IIIi).

Figure 112009023411723-PAT00031
Figure 112009023411723-PAT00031

상기 수산기를 갖는 하기 지환식 락톤의 아크릴레이트 및 메타크릴레이트는, 예를 들면 수산기를 갖는 상응하는 지환식 락톤과 JP 2000-26446 A에 기재된 아크릴로일 할라이드 또는 메타크릴로일 할라이드를 반응시킴으로써 제조할 수 있다.The acrylates and methacrylates of the following alicyclic lactones having the above hydroxyl group are prepared by, for example, reacting the corresponding alicyclic lactones having the hydroxyl group with the acryloyl halide or methacryloyl halide described in JP 2000-26446 A. can do.

구조 유닛 (b2)는 불소 함유 기를 갖는다. 구조 유닛 (b2)는 2개 이상의 불소 함유 기를 가질 수 있다. The structural unit (b2) has a fluorine-containing group. The structural unit (b2) may have two or more fluorine containing groups.

불소 함유 기의 예로서는 1개 이상의 불소 원자로 치환된 알킬기, 1개 이상의 불소 원자로 치환된 알콕시기, 및 1개 이상의 불소 원자로 치환된 알콕시카르보닐기를 들 수 있으며, 알콕시기 또는 1개 이상의 불소 원자로 치환된 알콕시기로 치환될 수 있다.Examples of the fluorine-containing group include an alkyl group substituted with one or more fluorine atoms, an alkoxy group substituted with one or more fluorine atoms, and an alkoxycarbonyl group substituted with one or more fluorine atoms, and an alkoxy group or an alkoxy substituted with one or more fluorine atoms May be substituted with a group.

구조 유닛 (b2)는 불소 함유 기 이외에 1개 이상의 수산기를 또한 가질 수 있다.The structural unit (b2) may also have one or more hydroxyl groups in addition to the fluorine containing group.

구조 유닛 (b2)로서, 임의로 치환된 아크릴산 화합물로부터 유래된 구조 유닛이 바람직하다. 임의로 치환된 아크릴산 화합물의 예로서는 상기한 바와 같은 것을 들 수 있다.As the structural unit (b2), a structural unit derived from an optionally substituted acrylic acid compound is preferable. Examples of the optionally substituted acrylic acid compound include those mentioned above.

구조 유닛 (b2)의 바람직한 예로서는 화학식 IV로 표시되는 구조 유닛 (이 후, 단순히 구조 유닛 (IV)로 나타냄)을 들 수 있다Preferred examples of the structural unit (b2) include a structural unit represented by the formula (IV), hereinafter simply referred to as structural unit (IV).

구조 유닛 (IV)에서, R25는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, AR은, 1개 내지 5개의 수산기를 함유할 수 있고, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자를 포함할 수도 있는 C1-C30의 불소 함유 알킬기를 나타낸다.In the structural unit (IV), R 25 represents a hydrogen atom or a methyl group, AR may contain 1 to 5 hydroxyl groups, and at least one hetero atom selected from the group consisting of an oxygen atom, a nitrogen atom and a sulfur atom The C1-C30 fluorine-containing alkyl group which may contain is shown.

C1-C30 불소 함유 알킬기의 예로서는 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 헵타루오로프로필기 및 노나플루오로부틸기 등의 C1-C30 퍼플루오로알킬기; 1-트리플루오로메톡시에틸기 및 1-펜타플루오로에톡시에틸기 등의 C1-C30 퍼플루오로알콕시알킬기; 1-트리플루오로메톡시디플루오로에틸기 및 1-펜타플루오로에톡시디플루오로에틸기 등의 C1-C30 퍼플루오로알콕시퍼플루오로알킬기; 및 하기의 것을 들 수 있다.Examples of the C1-C30 fluorine-containing alkyl group include C1-C30 perfluoroalkyl groups such as trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, heptarouropropyl group, and nonafluorobutyl group; C1-C30 perfluoroalkoxyalkyl groups such as 1-trifluoromethoxyethyl group and 1-pentafluoroethoxyethyl group; C1-C30 perfluoroalkoxy perfluoroalkyl groups such as 1-trifluoromethoxydifluoroethyl group and 1-pentafluoroethoxydifluoroethyl group; And the following are mentioned.

Figure 112009023411723-PAT00032
Figure 112009023411723-PAT00032

상기 식 중에서, 개방형 말단을 갖는 직쇄는 인접한 산소기로부터 연장된 결합을 나타낸다.In the above formula, straight chains having open ends represent bonds extending from adjacent oxygen groups.

구조 유닛 (IV)로서, 하기 단량체로부터 유래된 구조 유닛이 예시된다.As structural unit (IV), structural units derived from the following monomers are exemplified.

Figure 112009023411723-PAT00033
Figure 112009023411723-PAT00033

이들 중에서, 하기 단량체로부터 유래되는 구조 유닛은 이러한 단량체로부터 유래되는 구조 유닛을 함유하는 수지를 본 발명의 레지스트 조성물 중에 사용하는 경우에 해상도가 우수하기 때문에 바람직하다.Among these, structural units derived from the following monomers are preferred because of their excellent resolution when a resin containing a structural unit derived from such monomers is used in the resist composition of the present invention.

Figure 112009023411723-PAT00034
Figure 112009023411723-PAT00034

수지 (A) 및 (B)는 상기 구조 유닛 이외의 다른 구조 유닛 또는 유닛을 함유할 수 있다. 2-노르보르넨으로부터 유래된 구조 유닛을 함유하는 수지는, 지환식기가 그의 주쇄 상에 바로 존재하기 때문에 강한 구조를 나타내고, 드라이 에칭 내성이 우수하다는 특성을 나타낸다. Resins (A) and (B) may contain other structural units or units than the above structural units. Resin containing a structural unit derived from 2-norbornene exhibits a strong structure because the alicyclic group is present directly on its main chain, and exhibits excellent dry etching resistance.

2-노르보르넨으로부터 유래된 구조 유닛은, 예를 들면 2-노르보르넨 이외에 말레산 무수물과 이타콘산 무수물 등의 지방족 불포화 디카르복실산 무수물을 이용하여 라디칼 중합에 의해 주쇄에 도입시킬 수 있다. 2-노르보르넨으로부터 유래된 구조 유닛은 그의 이중 결합이 개방되어 형성되며, 화학식 d로 나타낼 수 있다. The structural unit derived from 2-norbornene can be introduced into the main chain by radical polymerization using, for example, aliphatic unsaturated dicarboxylic anhydrides such as maleic anhydride and itaconic anhydride in addition to 2-norbornene. . The structural unit derived from 2-norbornene is formed by opening its double bond and can be represented by the formula (d).

Figure 112009023411723-PAT00035
Figure 112009023411723-PAT00035

(식 중 R55 및 R56은 각각 독립적으로 수소 원자, C1-C3의 알킬기, C1-C3의 히드록시알킬기, 카르복실기, 시아노기 또는 -COOU1(U1은 알코올 잔기이되, 단 산에 불안정한 기는 아님)를 나타내거나, 또는 R55 및 R56이 함께 결합되어 -C(=O)OC(=O)-로 표시되는 카르복실산 무수물 잔기를 형성함) Wherein R 55 and R 56 are each independently a hydrogen atom, a C1-C3 alkyl group, a C1-C3 hydroxyalkyl group, a carboxyl group, a cyano group or -COOU 1 (U 1 being an alcohol moiety, Or R 55 and R 56 are joined together to form a carboxylic anhydride residue represented by -C (= 0) OC (= 0)-).

지방족 불포화 디카르복실산 무수물로부터 유래된 구조 유닛인, 말레산 무수물로부터 유래된 구조 유닛 및 이타콘산 무수물로부터 유래된 구조 유닛은, 그의 이중 결합의 개방에 의해 형성되며, 각각 화학식 e 및 화학식 f로 나타낼 수 있다.The structural units derived from maleic anhydride and the structural units derived from itaconic anhydride, which are structural units derived from aliphatic unsaturated dicarboxylic anhydrides, are formed by the opening of their double bonds, Can be represented.

Figure 112009023411723-PAT00036
Figure 112009023411723-PAT00036

R55 및 R56에서, C1-C3 알킬기의 예로서는 메틸기, 에틸기, 1-프로필기 및 이소프로필기를 들 수 있고, C1-C3 히드록시알킬기의 예로서는 히드록시메틸기 및 2-히드록시에틸기를 들 수 있다.In R 55 and R 56 , examples of the C1-C3 alkyl group include methyl group, ethyl group, 1-propyl group and isopropyl group, and examples of C1-C3 hydroxyalkyl group include hydroxymethyl group and 2-hydroxyethyl group. .

R55 및 R56에서, -COOU1기는 카르복실기로부터 형성된 에스테르이고, U1에 상응하는 알코올 잔기의 예로서는, 탄소수 1 내지 8의 임의로 치환된 1급 또는 2급 알킬기, 2-옥소옥솔란-3-일 및 2-옥소옥솔란-4-일을 들 수 있다. 상기 알킬기 상의 치환기의 예로서는, 수산기 및 지환식 탄화수소 잔기를 들 수 있다.In R 55 and R 56 , the -COOU 1 group is an ester formed from a carboxyl group, and examples of the alcohol residue corresponding to U 1 include an optionally substituted primary or secondary alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, 2-oxooxolane-3- And 2-oxooxolan-4-yl. As an example of the substituent on the said alkyl group, a hydroxyl group and an alicyclic hydrocarbon residue are mentioned.

화학식 d로 표시되는 구조 유닛을 얻는데 사용되는 단량체의 특정예로서는, 2-노르보르넨, 2-히드록시-5-노르보르넨, 5-노르보르넨-2-카르복실산, 메틸 5-노르보르넨-2-카르복실레이트, 2-히드록시에틸 5-노르보르넨-2-카르복실레이트, 5-노르보르넨-2-메탄올, 5-노르보르넨-2,3-디카르복실산 무수물 등을 들 수 있다.Specific examples of the monomer used to obtain the structural unit represented by the formula (d) include 2-norbornene, 2-hydroxy-5-norbornene, 5-norbornene-2-carboxylic acid, methyl 5-norborne Nene-2-carboxylate, 2-hydroxyethyl 5-norbornene-2-carboxylate, 5-norbornene-2-methanol, 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride Etc. can be mentioned.

화학식 g로 표시되는 구조 단위는 노르보르넨 구조와 같이 산에 불안정한 기를 갖는 구조 유닛이며, 구조 유닛 (a1) 및 (b1)은 또한 화학식 g로 표시되는 구조 단위를 포함한다.The structural unit represented by the formula (g) is a structural unit having an acid labile group such as a norbornene structure, and the structural units (a1) and (b1) also include structural units represented by the formula g.

Figure 112009023411723-PAT00037
Figure 112009023411723-PAT00037

[식 중 R57 및 R58 중 임의의 하나는 -COOU2(U2는 산에 불안정한 기를 나타냄)를 나타내고, 다른 하나는 수소 원자, C1-C3의 알킬기, C1-C3의 히드록시알킬기, 카르복실기, 시아노기 또는 -COOU3(U3은 알코올 잔기임)를 나타냄] Wherein any one of R 57 and R 58 represents -COOU 2 (U 2 represents an acid labile group), the other represents a hydrogen atom, an alkyl group of C 1 -C 3, a hydroxyalkyl group of C 1 -C 3, a carboxyl group , Cyano group or -COOU 3 (U 3 is an alcohol moiety)

화학식 g로 표시되는 구조 유닛을 제공하는 단량체의 예로서는, t-부틸 5-노르보르넨-2-카르복실레이트, 1-시클로헥실-1-메틸에틸 5-노르보르넨-2-카르복실레이트, 1-메틸시클로헥실 5-노르보르넨-2-카르복실레이트, 2-메틸-2-아다만틸 5-노르보르넨-2-카르복실레이트, 2-에틸-2-아다만틸 5-노르보르넨-2-카르복실레이트, 1-(4-메틸시클로헥실)-1-메틸에틸 5-노르보르넨-2-카르복실레이트, 1-(4-히드록실시클로헥실)-1-메틸에틸 5-노르보르넨-2-카르복실레이트, 1-메틸-1-(4-옥소시클로헥실)에틸 5-노르보르넨-2-카르복실레이트, 1-(1-아다만틸)-1-메틸에틸 5-노르보르넨-2-카르복실레이트 등을 들 수 있다.Examples of the monomer providing the structural unit represented by the formula g include t-butyl 5-norbornene-2-carboxylate, 1-cyclohexyl-1-methylethyl 5-norbornene-2-carboxylate, 1-methylcyclohexyl 5-norbornene-2-carboxylate, 2-methyl-2-adamantyl 5-norbornene-2-carboxylate, 2-ethyl-2-adamantyl 5-nor Bornen-2-carboxylate, 1- (4-methylcyclohexyl) -1-methylethyl 5-norbornene-2-carboxylate, 1- (4-hydroxycyclohexyl) -1-methyl Ethyl 5-norbornene-2-carboxylate, 1-methyl-1- (4-oxocyclohexyl) ethyl 5-norbornene-2-carboxylate, 1- (1-adamantyl) -1 -Methylethyl 5-norbornene-2-carboxylate, etc. are mentioned.

화학식 h로 표시되는 구조 유닛은 불소 함유 기를 갖는 구조 유닛이며, 구조 유닛 (b2)는 또한 화학식 h로 표시되는 구조 유닛을 포함한다.The structural unit represented by the formula h is a structural unit having a fluorine-containing group, and the structural unit (b2) also includes the structural unit represented by the formula h.

Figure 112009023411723-PAT00038
Figure 112009023411723-PAT00038

[식 중, R59 및 R60 중 임의의 하나는 C1-C3 불소 함유 알킬기, C1-C3 불소 함유 히드록시알킬기 또는 -COOU4기 (U4는 불소 함유 알코올 잔기를 나타내되, 단 불소 함유 알코올 잔기는 산에 불안정한 기는 아님)를 나타내고, 다른 하나는 수소 원자, 1개 이상의 불소 원자로 치환될 수 있는 C1-C3 알킬기, 1개 이상의 불소 원자로 치환될 수 있는 C1-C3 히드록시알킬기, 카르복실기, 시아노기 또는 -COOU5기 (U5는 알코올 잔기를 나타내되, 단 알코올 잔기는 산에 불안정한 기는 아님)를 나타냄][Wherein any one of R 59 and R 60 is a C1-C3 fluorine-containing alkyl group, a C1-C3 fluorine-containing hydroxyalkyl group or a -COOU 4 group (U 4 represents a fluorine-containing alcohol residue, provided that Residues are not acid labile groups), the other being a hydrogen atom, a C1-C3 alkyl group which may be substituted with one or more fluorine atoms, a C1-C3 hydroxyalkyl group that may be substituted by one or more fluorine atoms, a carboxyl group, a cya Nogi or -COOU 5 group (U 5 represents an alcohol moiety, except that the alcohol moiety is not an acid labile group)

수지 (A) 및 (B)는, 예를 들면 상응하는 단량체 또는 단량체를 중합함으로써 제조할 수 있다. 또한, 수지 (A) 및 (B)는 상응하는 단량체 또는 단량체의 올리고머화를 수행한 다음 얻어진 올리고머를 중합함으로써 제조할 수 있다.Resin (A) and (B) can be manufactured, for example by superposing | polymerizing the corresponding monomer or monomer. In addition, the resins (A) and (B) can be prepared by carrying out the oligomerization of the corresponding monomer or monomer and then polymerizing the oligomer obtained.

예를 들면, 구조 유닛 (a1), 구조 유닛 (a3) 및 구조 유닛 (a4)로서 각각 구조 유닛 (Ia), 구조 유닛 (IIa) 및 화학식 IIIh으로 표시되는 구조 유닛을 함유하는 수지 (A)는, 예를 들면 구조 유닛 (Ia)를 얻는데 사용되는 단량체, 구조 유닛 (IIa)를 얻는데 사용되는 단량체 및 화학식 IIIh로 표시되는 구조 유닛을 얻는데 사용되는 단량체를 중합함으로써 제조할 수 있다.For example, the resin (A) containing the structural unit (Ia), the structural unit (IIa) and the structural unit represented by the formula (IIIh) as the structural unit (a1), the structural unit (a3) and the structural unit (a4), respectively, For example, it can manufacture by superposing | polymerizing the monomer used for obtaining a structural unit (Ia), the monomer used for obtaining a structural unit (IIa), and the monomer used for obtaining the structural unit represented by general formula (IIIh).

예를 들면, 구조 유닛 (b1), 구조 유닛 (b3), 구조 유닛 (b4) 및 구조 유닛 (b2)로서 각각 구조 유닛(Ib), 구조 유닛 (IIb), 화학식 IIIb으로 표시되는 구조 유닛 및 구조 유닛 (IV)을 함유하는 수지 (B)는, 예를 들면 구조 유닛 (Ib)를 얻는데 사용되는 단량체, 구조 유닛 (IIb)를 얻는데 사용되는 단량체, 화학식 IIIb로 표시되는 구조 유닛을 얻는데 사용되는 단량체 및 구조 유닛 (IV)를 얻는데 사용되는 단량체를 중합함으로써 제조할 수 있다.For example, as the structural unit (b1), the structural unit (b3), the structural unit (b4) and the structural unit (b2), the structural unit and the structure represented by the structural unit (Ib), the structural unit (IIb), and the general formula (IIIb), respectively Resin (B) containing unit (IV) is, for example, a monomer used to obtain structural unit (Ib), a monomer used to obtain structural unit (IIb), a monomer used to obtain structural unit represented by formula IIIb. And the monomers used to obtain the structural unit (IV).

중합 반응은 통상적으로 라디칼 개시제의 존재하에 수행된다.The polymerization reaction is usually carried out in the presence of a radical initiator.

상기 라디칼 개시제는 특별히 한정되지 않으며, 이들의 예로서는 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸-4-메톡시발레로니트릴), 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트), 2,2'-아조비스(2-히드록시메틸프로피오니트릴) 등의 아조계 화합물; 라우릴퍼옥시드, tert-부틸히드로퍼옥시드, 과산화벤조일, tert-부틸퍼옥시벤조에이트, 쿠멘히드로퍼옥시드, 디이소프로필퍼옥시디카르보네이트, 디-n-프로필퍼옥시디카르보네이트, tert-부틸퍼옥시네오데카노에이트, tert-부틸퍼옥시피발레이트, 3,5,5-트리메틸헥사노일퍼옥시드 등의 유기 과산화물; 과황산칼륨, 과황산암모늄, 과산화수소 등의 무기 과산화물 등을 들 수 있다. 그 중에서도 아조계 화합물이 바람직하고, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 및 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)가 보다 바람직하고, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)이 더욱 바람직하다. The radical initiator is not particularly limited, and examples thereof include 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile), and 1,1'-azobis (cyclohexane -1-carbonitrile), 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis (2,4-dimethyl-4-methoxyvaleronitrile), dimethyl- Azo compounds such as 2,2'-azobis (2-methylpropionate) and 2,2'-azobis (2-hydroxymethylpropionitrile); Lauryl peroxide, tert-butylhydroperoxide, benzoyl peroxide, tert-butylperoxybenzoate, cumene hydroperoxide, diisopropylperoxydicarbonate, di-n-propylperoxydicarbonate, tert- Organic peroxides such as butyl peroxy neodecanoate, tert-butyl peroxy pivalate and 3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide; Inorganic peroxides such as potassium persulfate, ammonium persulfate, hydrogen peroxide and the like. Especially, an azo compound is preferable, 2,2'- azobisisobutyronitrile, 2,2'- azobis (2-methylbutyronitrile), 1,1'- azobis (cyclohexane-1- Carbonitrile), 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) are more preferred, and 2,2'-azo More preferred are bisisobutyronitrile and 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile).

이들 라디칼 개시제는 단독으로도 이용할 수도 있고, 2종 이상을 혼합하여 이용할 수도 있다. 이들을 2종 병용하는 경우, 그 혼합 비율은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 이들을 2종 병용하는 경우, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴과 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)과의 조합, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)과 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴)과의 조합, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)과 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴)과의 조합, 및 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)과 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)와의 조합이 바람직하다. These radical initiators may be used alone or in combination of two or more thereof. When using two types together, the mixing ratio is not specifically limited. In addition, when these 2 types are used together, the combination of 2,2'- azobisisobutyronitrile and 2,2'- azobis (2, 4- dimethylvaleronitrile), 2,2'- azobis ( 2,4-dimethylvaleronitrile) and 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile) in combination, 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 1,1 Combination with '-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) and 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and dimethyl-2,2'-azobis (2-methylprop Cationate) is preferred.

상기 라디칼 개시제의 사용량은, 단량체 또는 올리고머 총량에 대하여 1 내지 20 몰%가 바람직하다.As for the usage-amount of the said radical initiator, 1-20 mol% is preferable with respect to monomer or oligomer total amount.

상기 중합 반응 온도는, 통상 0 내지 150 ℃의 범위이고, 바람직하게는 40 내지 100 ℃의 범위이다. The said polymerization reaction temperature is the range of 0-150 degreeC normally, Preferably it is the range of 40-100 degreeC.

상기 중합 반응은 용제의 존재하에 수행되며, 이러한 용제로는 단량체, 라디칼 개시제 및 얻어지는 수지를 모두 용해시킬 수 있는 것이 바람직하다. 이러한 예로서는, 톨루엔 등의 탄화수소 용제; 1,4-디옥산, 테트라히드로푸란 등의 에테르 용제; 메틸이소부틸케톤 등의 케톤 용제; 이소프로필알코올 등의 알코올 용제; γ-부티로락톤 등의 환상 에스테르 용제; 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 등의 글리콜 에테르 에스테르 에스테르 용제; 및 락트산에틸 등의 비환상 에스테르 용제를 들 수 있다. 이들 용제는 단독으로도 이용할 수도 있고, 2종 이상을 혼합하여 이용할 수도 있다. The polymerization reaction is carried out in the presence of a solvent, and it is preferable that such a solvent can dissolve all of a monomer, a radical initiator, and a resin obtained. As such an example, Hydrocarbon solvents, such as toluene; Ether solvents such as 1,4-dioxane and tetrahydrofuran; Ketone solvents such as methyl isobutyl ketone; Alcohol solvents such as isopropyl alcohol; cyclic ester solvents such as γ-butyrolactone; Glycol ether ester ester solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate; And acyclic ester solvents such as ethyl lactate. These solvents may be used alone or in combination of two or more thereof.

상기 용제의 사용량은 특별히 한정되지는 않지만, 단량체 또는 올리고머 총량에 대하여 1 내지 5 중량부가 바람직하다.Although the usage-amount of the said solvent is not specifically limited, 1-5 weight part is preferable with respect to the monomer or oligomer total amount.

올레핀성 이중 결합을 갖는 지환식 화합물 및 지방족 불포화 디카르복실 무수물을 단량체로서 이용하는 경우, 이들이 용이하게 중화되지 않는 경향의 관점에서 이들을 과량으로 사용하는 것이 바람직하다.When alicyclic compounds having an olefinic double bond and aliphatic unsaturated dicarboxylic anhydrides are used as monomers, it is preferable to use them in excess in view of the tendency that they are not easily neutralized.

중합 반응의 완료 후에, 제조된 수지는, 예를 들면 본 발명의 수지가 불용성이거나 난용성인 용제를 얻어진 반응 혼합물에 첨가하여 석출된 수지를 여과함으로써 단리할 수 있다. 필요에 따라, 단리된 수지는, 예를 들면 적합한 용제로 세척함으로써 정제될 수 있다.After completion of the polymerization reaction, the produced resin can be isolated by, for example, filtering the precipitated resin by adding a solvent in which the resin of the present invention is insoluble or poorly soluble. If desired, the isolated resin can be purified, for example, by washing with a suitable solvent.

본 발명의 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물은 산 발생제를 함유한다. 수지 (B)가 구조 유닛 (b1)을 함유하는 경우에, 상기 조성물에 조사하여 발생된 산은 수지 (A) 및 수지 (B)의 산에 불안정한 기에 대해 화학적으로 작용하여 산에 불안정한 기를 절단함으로써 수지는 알칼리 수용액 중에서 가용성이 된다.The chemically amplified positive resist composition of the present invention contains an acid generator. In the case where the resin (B) contains the structural unit (b1), the acid generated by irradiating the composition chemically acts on the acid-labile groups of the resin (A) and the resin (B) to cleave the group that is unstable with the acid. Becomes soluble in aqueous alkali solution.

본 발명의 레지스트 조성물은, 본 발명의 조성물의 전체 고형분량에 대하여, 통상적으로 수지 (A) 및 수지 (B)의 합량 80 내지 99.9 중량% 및 산 발생제 0.1 내지 20 중량%을 함유한다.The resist composition of the present invention usually contains 80 to 99.9% by weight of the total amount of the resin (A) and the resin (B) and 0.1 to 20% by weight of the acid generator with respect to the total solid amount of the composition of the present invention.

산 발생제의 특정예로서는 화학식 V로 표시되는 염을 들 수 있다.As a specific example of an acid generator, the salt represented by general formula (V) is mentioned.

Figure 112009023411723-PAT00039
Figure 112009023411723-PAT00039

(이후, 단순히 염 (V)으로 나타냄)(Hereinafter simply referred to as salt (V))

염 (V)에서, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 불소 원자 또는 C1-C6 퍼플루오알킬기를 나타낸다. C1-C6 퍼플루오로알킬기의 예로서는 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 헵타루오로프로필기, 노나플루오로부틸기, 퍼플루오로헥실기를 들 수 있다. Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 불소 원자 또는 트리플루오로메틸기이다. Y1 및 Y2는 바람직하게는 동일한 기이다.In the salt (V), Y 1 and Y 2 each independently represent a fluorine atom or a C1-C6 perfluoroalkyl group. Examples of the C1-C6 perfluoroalkyl group include trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, heptarouropropyl group, nonafluorobutyl group, and perfluorohexyl group. Y 1 and Y 2 are each independently a fluorine atom or a trifluoromethyl group. Y 1 and Y 2 are preferably the same group.

염 (V)에서, R26은 C1-C6의 직쇄상 또는 분지상의 탄화수소기, 또는 C3-C30의 일환식 또는 이환식 탄화수소기를 나타내며, 상기 일환식 또는 이환식 탄화수소기에 있는 적어도 하나의 수소 원자는 C1-C6의 알콕시기, C1-C4의 퍼플루오로알킬기, C1-C6의 히드록시알킬기, 수산기, 시아노기, 카르보닐기 및 에스테르기로 치환될 수 있거나, 상기 일환식 또는 이환식 탄화수소기에 있는 적어도 하나의 -CH2-는 -CO- 또는 -O-로 치환될 수 있고, A+는 유기 반대 이온을 나타내고, Y1, Y2는 각각 독립적으로 불소 원자 또는 C1-C6의 퍼플루오로알킬기를 나타낸다.In salt (V), R 26 represents a C1-C6 straight or branched hydrocarbon group, or C3-C30 monocyclic or bicyclic hydrocarbon group, wherein at least one hydrogen atom in the monocyclic or bicyclic hydrocarbon group is C1 At least one —CH in the monocyclic or bicyclic hydrocarbon group which may be substituted by an alkoxy group of C 6, a perfluoroalkyl group of C 1 -C 4, a hydroxyalkyl group of C 1 -C 6, a hydroxyl group, a cyano group, a carbonyl group and an ester group 2 -may be substituted with -CO- or -O-, A + represents an organic counter ion, and Y 1 , Y 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1 -C 6 perfluoroalkyl group.

R26은 바람직하게는 수산기 또는 카르보닐기를 갖는 C3-C30 일환식 또는 다환식 탄화수소기이며, 상기 일환식 또는 다환식 탄화수소기에 있는 적어도 하나의 수소 원자가 C1-C6 알킬기, C1-C6 알콕시기, C1-C4 퍼플루오로알킬기, C1-C6 히드록시알킬기, 수산기 또는 시아노기로 치환될 수 있다.R 26 is preferably a C3-C30 monocyclic or polycyclic hydrocarbon group having a hydroxyl group or a carbonyl group, wherein at least one hydrogen atom in the monocyclic or polycyclic hydrocarbon group is a C1-C6 alkyl group, a C1-C6 alkoxy group, a C1- It may be substituted with a C4 perfluoroalkyl group, a C1-C6 hydroxyalkyl group, a hydroxyl group or a cyano group.

C1-C6 직쇄상 또는 분지상 탄화수소기의 예로서는 메틸기, 에틸기, 프로필 기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기 및 n-헥실기를 들 수 있다. C1-C6 알콕시기의 예로서는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, 이소부톡시기, sec-부톡시기, tert-부톡시기, n-펜틸옥시기 및 n-헥실옥시기를 들 수 있다.Examples of the C1-C6 linear or branched hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group and n-hex Practical skills can be mentioned. Examples of the C1-C6 alkoxy group are methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group, n-pentyloxy group and n -Hexyloxy group is mentioned.

C1-C4 퍼플루오로알킬기의 예로서는 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 헵타플루오로프로필기 및 노나플루오로부틸기를 들 수 있다. C1-C6 히드록시알킬기의 예로서는 히드록시메틸기, 2-히드록시에틸기, 3-히드록시프로필기 및 4-히드록시부틸기를 들 수 있다. 에스테르기의 예로서는 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기 및 2-옥소테트라히드로푸란-3-일기를 들 수 있다. C1-C6 퍼플루오로알킬기의 예로서는 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 헵타플루오로프로필기, 노나플루오로부틸기, 운데카플루오로펜틸기 및 트리데카플루오로헥실기를 들 수 있다.Examples of the C1-C4 perfluoroalkyl group include trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, heptafluoropropyl group and nonafluorobutyl group. As an example of C1-C6 hydroxyalkyl group, a hydroxymethyl group, 2-hydroxyethyl group, 3-hydroxypropyl group, and 4-hydroxybutyl group are mentioned. As an example of an ester group, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, and 2-oxotetrahydrofuran-3-yl group are mentioned. Examples of the C1-C6 perfluoroalkyl group include trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, heptafluoropropyl group, nonafluorobutyl group, undecafluoropentyl group, and tridecafluorohexyl group.

수산기 또는 카르보닐기를 갖는 C3-C30 일환식 또는 이환식 탄화수소기의 예로서는, 수산기 또는 카르보닐기를 갖는 C4-C8 시클로알킬기, 수산기 또는 카르보닐기를 갖는 아다만틸기 및 수산기 또는 카르보닐기를 갖는 노르보르닐기를 들 수 있다.Examples of the C3-C30 monocyclic or bicyclic hydrocarbon group having a hydroxyl group or a carbonyl group include a C4-C8 cycloalkyl group having a hydroxyl group or a carbonyl group, an adamantyl group having a hydroxyl group or a carbonyl group, and a norbornyl group having a hydroxyl group or a carbonyl group.

이들의 특정예로서는, 2-옥소시클로펜틸기, 2-옥소시클로헥실기, 3-옥소시클로펜틸기, 3-옥소시클로헥실기, 4-옥소시클로헥실기, 2-히드록시시클로펜틸기, 2-히드록시시클로헥실기, 3-히드록시시클로펜틸기, 3-히드록시시클로헥실기, 4-히드록시시클로헥실기, 4-옥소-2-아다만틸기, 3-히드록시-1-아다만틸기, 4-히드록시-1- 아다만틸기, 5-옥소노르보르난-2-일기, 1,7,7-트리메틸-2-옥소노르보르난-2-일기, 3,6,6-트리메틸-2-옥소비시클로[3.1.1]헵트-3-일기, 2-히드록시노르보르난-3-일기, 1,7,7-트리메틸-2-히드록시노르보르난-3-일기, 3,6,6-트리메틸-2-히드록시비시클로[3.1.1]헵트-3-일기, 및 하기의 것을 들 수 있다.As specific examples of these, 2-oxocyclopentyl group, 2-oxocyclohexyl group, 3-oxocyclopentyl group, 3-oxocyclohexyl group, 4-oxocyclohexyl group, 2-hydroxycyclopentyl group, 2- Hydroxycyclohexyl group, 3-hydroxycyclopentyl group, 3-hydroxycyclohexyl group, 4-hydroxycyclohexyl group, 4-oxo-2-adamantyl group, 3-hydroxy-1-adamantyl group , 4-hydroxy-1- adamantyl group, 5-oxonorbornane-2-yl group, 1,7,7-trimethyl-2-oxonorbornan-2-yl group, 3,6,6-trimethyl- 2-oxobicyclo [3.1.1] hept-3-yl group, 2-hydroxynorbornan-3-yl group, 1,7,7-trimethyl-2-hydroxynorbornan-3-yl group, 3, 6,6-trimethyl-2-hydroxybicyclo [3.1.1] hept-3-yl group, and the following.

Figure 112009023411723-PAT00040
Figure 112009023411723-PAT00040

Figure 112009023411723-PAT00041
Figure 112009023411723-PAT00041

상기 식 중에서, 개방 말단을 갖는 직쇄는 인접한 기로부터 연장된 결합을 나타낸다.In the above formula, straight chains having open ends represent bonds extending from adjacent groups.

염 (V)의 음이온부의 특저예로서는 하기의 것을 들 수 있다.The following are mentioned as a special example of the anion part of salt (V).

Figure 112009023411723-PAT00042
Figure 112009023411723-PAT00042

Figure 112009023411723-PAT00043
Figure 112009023411723-PAT00043

Figure 112009023411723-PAT00044
Figure 112009023411723-PAT00044

Figure 112009023411723-PAT00045
Figure 112009023411723-PAT00045

Figure 112009023411723-PAT00046
Figure 112009023411723-PAT00046

Figure 112009023411723-PAT00047
Figure 112009023411723-PAT00047

Figure 112009023411723-PAT00048
Figure 112009023411723-PAT00048

Figure 112009023411723-PAT00049
Figure 112009023411723-PAT00049

Figure 112009023411723-PAT00050
Figure 112009023411723-PAT00050

Figure 112009023411723-PAT00051
Figure 112009023411723-PAT00051

Figure 112009023411723-PAT00052
Figure 112009023411723-PAT00052

Figure 112009023411723-PAT00053
Figure 112009023411723-PAT00053

음이온부의 특정예는 하기의 것을 들 수 있다.Specific examples of the anion moiety include the following ones.

Figure 112009023411723-PAT00054
Figure 112009023411723-PAT00054

산 발생제의 다른 예로서는 화학식 VIII로 표시되는 염을 들 수 있다 (이후, 단순히 염 (VIII)로 나타냄).Other examples of acid generators include salts represented by the general formula (VIII) (hereinafter simply referred to as salts (VIII)).

Figure 112009023411723-PAT00055
Figure 112009023411723-PAT00055

(식 중, A+은 상기한 바와 동일한 의미이며, R27은 C1-C6의 직쇄상 또는 분지상 퍼플루오로알킬기임)Wherein A + is the same as described above and R 27 is a C1-C6 linear or branched perfluoroalkyl group

염 (VIII)의 음이온부의 특정예로서는 트리플루오로메탄술포네이트 음이온, 펜타플루오로에탄술포네이트 음이온, 헵타플루오로프로판술포네이트 음이온 및 노나플루오로부탄술포네이트 음이온을 들 수 있다.Specific examples of the anion portion of the salt (VIII) include trifluoromethanesulfonate anion, pentafluoroethanesulfonate anion, heptafluoropropanesulfonate anion and nonafluorobutanesulfonate anion.

A+로 표시되는 유기 반대 이온의 예로서는 화학식 IXz, 화학식 IXb, 화학식 IXc 및 화학식 IXd로 표시되는 양이온을 들 수 있다.Examples of the organic counterion represented by A + include cations represented by the formulas IXz, IXb, IXc, and IXd.

Figure 112009023411723-PAT00056
Figure 112009023411723-PAT00056

Figure 112009023411723-PAT00057
Figure 112009023411723-PAT00057

Figure 112009023411723-PAT00058
Figure 112009023411723-PAT00058

Figure 112009023411723-PAT00059
Figure 112009023411723-PAT00059

화학식 IXz로 표시되는 양이온에서, Pa, Pb 및 Pc는 각각 독립적으로 수산기 및 C1-C12 알콕시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상으로 치환될 수 있는 C1-C30 알킬기, 또는 수산기 및 C1-C12 알콕시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상으로 치환될 수 있는 C3-C30 환식 탄화수소기를 나타낸다.In the cation represented by the formula (IXz), P a , P b and P c are each independently a C1-C30 alkyl group which may be substituted with one or more selected from the group consisting of a hydroxyl group and a C1-C12 alkoxy group, or a hydroxyl group and a C1-C12 C3-C30 cyclic hydrocarbon group which may be substituted by one or more selected from the group consisting of alkoxy groups is shown.

화학식 IXz의 C1-C30 알킬기의 예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, see-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기 및 2-에틸헥실기를 들 수 있다. 화학식 IXz의 C1-C12 알콕시기의 예로서는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, 이소부톡시기, sec-부톡시기, tert-부톡시기, n-펜틸옥시기, n-헥실옥시기, n-옥틸옥시기 및 2-에틸헥실옥시기를 들 수 있다. 상기 C3-C30 환식 탄화수소기의 예로서는 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 비시클로헥실기, 페닐기, 2-메틸페닐기, 4-메틸페닐기, 4-에틸페닐기, 4-이소프로필페닐기, 4-tert-부틸페닐기, 2,4-디메틸페닐기, 2,4,6-트리메틸페닐기, 4-n-헥실페닐기, 4-n-옥틸페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 플루오레닐기 및 비페닐기를 들 수 있다.Examples of the C1-C30 alkyl group represented by the formula (IXz) include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, see-butyl, tert-butyl, n-pentyl and n-hex. The actual group, n-octyl group, and 2-ethylhexyl group are mentioned. Examples of the C1-C12 alkoxy group represented by the formula (IXz) include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group, n-pentylocta A time period, n-hexyloxy group, n-octyloxy group, and 2-ethylhexyloxy group are mentioned. Examples of the C3-C30 cyclic hydrocarbon group include cyclopentyl group, cyclohexyl group, 1-adamantyl group, 2-adamantyl group, bicyclohexyl group, phenyl group, 2-methylphenyl group, 4-methylphenyl group and 4-ethylphenyl group , 4-isopropylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 2,4-dimethylphenyl group, 2,4,6-trimethylphenyl group, 4-n-hexylphenyl group, 4-n-octylphenyl group, 1-naphthyl group, 2 -A naphthyl group, a fluorenyl group, and a biphenyl group are mentioned.

화학식 IXb에서, P4 및 P5는 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기, C1-C12 알킬기 또는 C1-C12 알콕시기를 나타낸다. 화학식 IXb의 C1-C12 알킬기의 예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기 및 2-에틸헥실기를 들 수 있고, 화학식 IXb의 C1-C12 알콕시기의 예로서는 상기 화학식 IXz에서 기재한 바와 동일한 기를 들 수 있다.In the general formula (IXb), P 4 and P 5 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a C1-C12 alkyl group or a C1-C12 alkoxy group. Examples of the C1-C12 alkyl group represented by the formula (IXb) include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group and n-hexyl group , n-octyl group and 2-ethylhexyl group, and examples of the C1-C12 alkoxy group represented by the general formula (IXb) include the same groups as described in the general formula (IXz).

화학식 IXc에서, P6 및 P7은 각각 독립적으로 C1-C12 알킬기 또는 C3-C12 시 클로알킬기를 나타내거나, P6 및 P7이 결합하여 C3-C12의 2가의 탄화수소기를 형성함으로써 인접한 S+과 함께 환을 형성하며, 상기 2가의 탄화수소기의 적어도 하나의 -CH2-는 -CO-, -O- 또는 -S-로 치환될 수 있다.In formula (IXc), P 6 and P 7 each independently represent a C1-C12 alkyl group or a C3-C12 cycloalkyl group, or P 6 and P 7 are bonded to form a C3-C12 divalent hydrocarbon group to form an adjacent S + group. Together, they form a ring, and at least one -CH 2 -of the divalent hydrocarbon group may be substituted with -CO-, -O-, or -S-.

P8은 수소 원자를 나타내고, P9는 임의로 치환된 C1-C12 알킬기, C3-C12 시클로알킬기 또는 방향족기를 나타내거나, P8 및 P9가 결합하여 2가의 탄화수소기를 형성함으로써 인접한 -CHCO-와 함께 2-옥소시클로알킬기를 형성하며, 상기 2가의 탄화수소기의 적어도 하나의 -CH2-는 -CO-, -O- 또는 -S-로 치환될 수 있다.P 8 represents a hydrogen atom, P 9 represents an optionally substituted C1-C12 alkyl group, a C3-C12 cycloalkyl group or an aromatic group, or P 8 and P 9 join to form a divalent hydrocarbon group together with adjacent -CHCO- Forms a 2-oxocycloalkyl group, and at least one -CH 2 -of the divalent hydrocarbon group may be substituted with -CO-, -O- or -S-.

화학식 IXc의 C1-C12 알킬기의 예로서는 상기 화학식 IXb에서 언급된 바와 동일한 기를 들 수 있고, 화학식 IXc의 C1-C12 시클로알킬기의 예로서는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 및 시클로데실기를 들 수 있다. C3-C12의 2가의 탄화수소기의 예로서는 P6 및 P7이 결합하여 형성되는 2가의 C3-C12의 탄화수소기는, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기를 들 수 있고, 인접한 S+ 및 2가의 탄화수소기가 함께 형성된 환 기의 예로서는 테트라메틸렌술포니오기, 펜타메틸렌술포니오기 및 옥시비스에틸렌술포니오기를 들 수 있다.Examples of the C1-C12 alkyl group of the formula (IXc) include the same groups as mentioned in the formula (IXb), and examples of the C1-C12 cycloalkyl group of the formula (IXc) include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclohep A methyl group, a cyclooctyl group, and a cyclodecyl group are mentioned. As an example of the C3-C12 divalent hydrocarbon group, the divalent C3-C12 hydrocarbon group formed by the bonding of P 6 and P 7 includes a trimethylene group, a tetramethylene group, a pentamethylene group, and adjacent S + and a divalent hydrocarbon group. Examples of the cyclic group formed together with a hydrocarbon group include tetramethylene sulfonio, pentamethylene sulfonio and oxybisethylene sulfonio.

화학식 IXc의 방향족기의 예로서는 페닐기, 톨릴기, 크실릴기 및 나프틸기를 들 수 있다. P8와 P9가 결합하여 형성된 2가의 탄화수소기의 예로서는 메틸렌기, 에틸렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기 및 펜타메틸렌기를 들 수 있고, P8 및 P9와 함께 인접한 -CHCO-가 결합하여 형성된 2-옥소시클로알킬기의 예로서는 2-옥소시클로펜틸기 및 2-옥소시클로헥실기를 들 수 있다.Examples of the aromatic group of the formula (IXc) include a phenyl group, tolyl group, xylyl group and naphthyl group. Examples of the divalent hydrocarbon group formed by bonding of P 8 and P 9 include a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group and a pentamethylene group, and adjacent -CHCO- in combination with P 8 and P 9 are bonded to each other. Examples of the 2-oxocycloalkyl group formed include 2-oxocyclopentyl group and 2-oxocyclohexyl group.

화학식 IXd에서, P10, P11, P12, P13, P14, P15, P16, P17, P18, P19, P20 및 P21은 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기, C1-C12 알킬기 또는 C1-C12 알콕시기를 나타내고, B는 황 또는 산소 원자를 나타내고, r은 0 또는 1을 나타낸다.In formula (IXd), P 10 , P 11 , P 12 , P 13 , P 14 , P 15 , P 16 , P 17 , P 18 , P 19 , P 20 and P 21 are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, C1- A C12 alkyl group or a C1-C12 alkoxy group, B represents a sulfur or an oxygen atom, and r represents 0 or 1.

화학식 IXd의 C1-C12 알킬기의 예로서는 상기 화학식 IXb에서 언급된 바와 동일한 기를 들 수 있고, 화학식 IXd의 C1-C12 알콕시기의 예로서는 상기 화학식 IXz에서 언급된 바와 동일한 기를 들 수 있다.Examples of the C1-C12 alkyl group of the formula (IXd) include the same groups as mentioned in the above formula (IXb), and examples of the C1-C12 alkoxy group of the formula (IXd) include the same groups as mentioned in the formula (IXz).

화학식 IXz로 표시되는 양이온의 예로서는 하기의 것을 들 수 있다.The following are mentioned as an example of the cation represented by general formula (IXz).

Figure 112009023411723-PAT00060
Figure 112009023411723-PAT00060

Figure 112009023411723-PAT00061
Figure 112009023411723-PAT00061

화학식 IXz로 표시되는 유기 양이온에서, 화학식 IXa로 표시되는 양이온이 바람직하다.In the organic cation represented by the formula (IXz), the cation represented by the formula (IXa) is preferable.

Figure 112009023411723-PAT00062
Figure 112009023411723-PAT00062

(식 중 P1, P2 및 P3은 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기, C1-C12 알킬기 또는 C1-C12 알콕시기를 나타냄)(Wherein P 1 , P 2 and P 3 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a C1-C12 alkyl group or a C1-C12 alkoxy group)

화학식 IXa로 표시되는 양이온에서, 화학식 IXe로 표시되는 양이온이 바람직하다.In the cation represented by the formula (IXa), the cation represented by the formula (IXe) is preferable.

Figure 112009023411723-PAT00063
Figure 112009023411723-PAT00063

(식 중, P22, P23 및 P24는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 C1-C4 알킬기를 나타냄)Wherein P 22 , P 23 and P 24 each independently represent a hydrogen atom or a C1-C4 alkyl group

화학식 IXa에서, P1, P2 및 P3은 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기, C1-C12 알킬기 또는 C1-C12 알콕시기를 나타내고, C1-C12 알킬기의 예로서는 상기 화학식 IXb에서 언급된 바와 동일한 기를 들 수 있고, C1-C12 알콕시기의 예로서는 상기 화학식 IXz에서 언급된 바와 동일한 기를 들 수 있다.In formula (IXa), P 1 , P 2 and P 3 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a C 1 -C 12 alkyl group or a C 1 -C 12 alkoxy group, and examples of the C 1 -C 12 alkyl group include the same groups as mentioned in the above formula (IXb) And examples of the C 1 -C 12 alkoxy group include the same groups as mentioned in the general formula (IXz).

화학식 IXe에서, P22, P23 및 P24는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 C1-C4 알킬기를 나타내고, C1-C4 알킬기의 예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, see-부틸기 및 tert- 부틸기를 들 수 있다.In formula (IXe), P 22 , P 23 and P 24 each independently represent a hydrogen atom or a C1-C4 alkyl group, and examples of the C1-C4 alkyl group include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, Isobutyl group, see-butyl group, and tert- butyl group are mentioned.

화학식 IXb로 표시되는 양이온의 예로서는 하기의 것을 들 수 있다.As an example of the cation represented by general formula (IXb), the following are mentioned.

Figure 112009023411723-PAT00064
Figure 112009023411723-PAT00064

화학식 IXc로 표시되는 양이온의 예로서는 하기의 것을 들 수 있다.Examples of the cation represented by the formula (IXc) include the following ones.

Figure 112009023411723-PAT00065
Figure 112009023411723-PAT00065

Figure 112009023411723-PAT00066
Figure 112009023411723-PAT00066

화학식 IXd로 표시되는 양이온의 예로서는 하기의 것을 들 수 있다.As an example of the cation represented by general formula (IXd), the following are mentioned.

Figure 112009023411723-PAT00067
Figure 112009023411723-PAT00067

Figure 112009023411723-PAT00068
Figure 112009023411723-PAT00068

Figure 112009023411723-PAT00069
Figure 112009023411723-PAT00069

Figure 112009023411723-PAT00070
Figure 112009023411723-PAT00070

유기 반대 이온으로서, 화학식 IXe로 표시되는 양이온이 바람직하다.As the organic counterion, the cation represented by the formula (IXe) is preferable.

상기 염은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.The said salt can be used individually or in combination of 2 or more types.

산 발생제로서, 화학식 Xa, 화학식 Xb 또는 화학식 Xc로 표시되는 염은 해상도 및 패턴 프로파일을 개선시킨다는 점에서 바람직하다.As acid generators, salts represented by formula (Xa), formula (Xb) or formula (Xc) are preferred in that they improve resolution and pattern profile.

Figure 112009023411723-PAT00071
Figure 112009023411723-PAT00071

(식 중, P25, P26 및 P27은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 C1-C4 알킬기를 나타내고, P28 및 P29는 각각 독립적으로 C1-C12 알킬기 또는 C3-C12 시클로알킬기를 나타내거나, 또는 P28 및 P29는 결합하여 C3-C12의 2가의 탄화수소기를 형성함으로써 인접한 S+과 함께 환을 형성하고, P30은 수소 원자를 나타내고 , P31은 임의로 치환된 C1-C12의 알킬기, C3-C12의 시클로알킬기 또는 방향족기를 나타내거나, 또는 P30 및 P31이 결합하여 C3-C12의 2가의 탄화수소기를 형성함으로써 인접한 -CHCO-와 함 께 2-옥소시클로알킬기를 형성하며, 상기 C3-C12의 2가의 탄화수소기의 적어도 하나의 -CH2-는 -CO-, -O- 또는 -S-로 치환될 수 있고, Y21, Y22, Y31 및 Y32는 각각 독립적으로 불소 원자 또는 C1-C6 퍼플루오로알킬기를 나타낸다.Wherein P 25 , P 26 and P 27 each independently represent a hydrogen atom or a C1-C4 alkyl group, and P 28 and P 29 each independently represent a C1-C12 alkyl group or a C3-C12 cycloalkyl group, or P 28 and P 29 combine to form a bivalent hydrocarbon group of C 3 -C 12 to form a ring with adjacent S + , P 30 represents a hydrogen atom, P 31 is an optionally substituted C 1 -C 12 alkyl group, C 3- C12 cycloalkyl group or aromatic group, or P 30 and P 31 combine to form a divalent hydrocarbon group of C3-C12 to form a 2-oxocycloalkyl group together with adjacent -CHCO-, At least one -CH 2 -of the divalent hydrocarbon group may be substituted with -CO-, -O- or -S-, and Y 21 , Y 22 , Y 31 and Y 32 are each independently a fluorine atom or C 1- A C6 perfluoroalkyl group.

산 발생제는 JP 2007-249192 A와 같은 공지된 방법에 따라 제조할 수 있다.Acid generators can be prepared according to known methods such as JP 2007-249192 A.

본 발명의 레지스트 조성물에서, 유기 염기 화합물, 특히 질소 함유 유기 염기 화합물을 퀀칭제로서 첨가함으로써, 노광후 지연에 따른 산의 실활에 의한 성능 열화를 감소시킬 수 있다. In the resist composition of the present invention, by adding an organic base compound, especially a nitrogen-containing organic base compound, as a quenching agent, it is possible to reduce performance deterioration due to deactivation of an acid due to post-exposure delay.

질소 함유 유기 염기 화합물의 특정예로서는 하기 화학식으로 표시되는 아민 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the nitrogen-containing organic base compound include an amine compound represented by the following chemical formula.

Figure 112009023411723-PAT00072
Figure 112009023411723-PAT00072

[식 중, T1 및 T2는 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 상기 알킬, 시클로알킬 및 아릴기는 수산기, 아미노기(C1-C4 알킬기로 임의로 치환됨) 및 C1-C6 알콕시기 (C1-C6 알콕시기로 임의로 치환됨)으로 이 루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 기로 임의로 치환되고, [Wherein T 1 and T 2 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, the alkyl, cycloalkyl and aryl groups being a hydroxyl group, an amino group (optionally substituted with a C1-C4 alkyl group) and C1-C6 alkoxy Optionally substituted with one or more groups selected from the group consisting of groups (optionally substituted with a C1-C6 alkoxy group),

T3 및 T4는 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 알콕시기를 나타내고, 상기 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 및 알콕시기는 수산기, 아미노기(C1-C4 알킬기로 임의로 치환됨) 및 C1-C6 알콕시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 기로 임의로 치환되거나, T3 및 T4는 이들이 결합하고 있는 탄소 원자와 함께 결합하여 방향족환을 형성하고, T 3 and T 4 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an alkoxy group, said alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and alkoxy group being a hydroxyl group, an amino group (optionally substituted with a C1-C4 alkyl group) and C1- Optionally substituted with one or more groups selected from the group consisting of C6 alkoxy groups, or T 3 and T 4 combine with the carbon atoms to which they are attached to form an aromatic ring,

T5는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 알콕시기 또는 니트로기를 나타내고, 상기 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 및 알콕시기는 수산기, 아미노기(C1-C4 알킬기로 임의로 치환됨) 및 C1-C6 알콕시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 기로 임의로 치환되고, T 5 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkoxy group or a nitro group, wherein the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and alkoxy group are hydroxyl group, amino group (optionally substituted with C1-C4 alkyl group) and C1-C6 alkoxy Optionally substituted with one or more groups selected from the group consisting of groups,

T6은 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, 상기 알킬기 및 시클로알킬기는 수산기, 아미노기(C1-C4 알킬기로 임의로 치환됨) 및 C1-C6 알콕시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 기로 임의로 치환되고, T 6 represents an alkyl group or a cycloalkyl group, wherein said alkyl group and cycloalkyl group are optionally substituted with one or more groups selected from the group consisting of a hydroxyl group, an amino group (optionally substituted with a C1-C4 alkyl group) and a C1-C6 alkoxy group,

A1은 -CO-, -NH-, -S-, -S-S-, 알킬렌기(적어도 하나의 메틸렌기가 -O-로 임의로 치환됨), 또는 알케닐렌기(적어도 하나의 메틸렌기가 -O- 및 하기 화학식으로 표시되는 4급 암모늄히드록시드으로 임의로 치환됨)를 나타냄.A 1 is —CO—, —NH—, —S—, —SS—, an alkylene group (at least one methylene group is optionally substituted with —O—), or an alkenylene group (at least one methylene group is —O— and Optionally substituted with quaternary ammonium hydroxide represented by the following formula).

Figure 112009023411723-PAT00073
Figure 112009023411723-PAT00073

[식 중, T1, T2 및 T6은 상기한 바와 같고, T7은 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 상기 알킬기 및 시클로알킬기는 수산기, 아미노기(C1-C4 알킬기로 임의로 치환됨) 및 C1-C6 알콕시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 기로 임의로 치환되고, 상기 아릴기는 수산기, 아미노기(C1-C4 알킬기로 임의로 치환됨), C1-C6 알콕시기 및 C1-C4 퍼플루오로알킬기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 기로 임의로 치환됨)] [In formula, T <1> , T <2> and T <6> are as above-mentioned, T <7> represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group, The said alkyl group and a cycloalkyl group are substituted by a hydroxyl group and an amino group (C1-C4 alkyl group optionally). And one or more groups selected from the group consisting of C1-C6 alkoxy groups, said aryl groups being hydroxyl groups, amino groups (optionally substituted with C1-C4 alkyl groups), C1-C6 alkoxy groups and C1-C4 perfluoroalkyl groups Optionally substituted with one or more groups selected from the group consisting of

T1, T2, T3, T4, T5, T6 및 T7의 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이 바람직하고, 1 내지 6 정도가 보다 바람직하다 T 1, T 2, T 3 , T 4, T 5, T 6 and T 7 is the carbon number of the alkyl group of 1 to 10 are preferred, more preferably about 1 to 6

C1-C4 알킬기로 임의로 치환된 아미노기의 예로서는 아미노기, 메틸아미노기, 에틸아미노기, n-부틸아미노기, 디메틸아미노기 및 디에틸아미노기를 들 수 있다. C1-C6 알콕시기로 임의로 치환된 C1-C6 알콕시기의 예로서는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기, n-펜틸옥시기, n-헥실옥시기 및 2-메톡시에톡시기를 들 수 있다.Examples of the amino group optionally substituted with a C1-C4 alkyl group include an amino group, methylamino group, ethylamino group, n-butylamino group, dimethylamino group and diethylamino group. Examples of the C1-C6 alkoxy group optionally substituted with a C1-C6 alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, tert-butoxy group, n-pentyloxy group, n- Hexyloxy group and 2-methoxyethoxy group are mentioned.

수산기, 아미노기(C1-C4 알킬기로 임의로 치환됨) 및 C1-C6 알콕시기 (C1-C6 알콕시기로 임의로 치환됨)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 기로 임의로 치환된 알킬기의 특정예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 2-(2 -메톡시에톡시)에틸기, 2-히드록시에틸기, 2-히드록시프로필기, 2-아미노에틸기, 4-아미노부틸기 및 6-아미노헥실기를 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group optionally substituted with one or more groups selected from the group consisting of a hydroxyl group, an amino group (optionally substituted with a C1-C4 alkyl group) and a C1-C6 alkoxy group (optionally substituted with a C1-C6 alkoxy group) include methyl, ethyl, n -Propyl group, isopropyl group, n-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, 2- (2-methoxy Ethoxy) ethyl group, 2-hydroxyethyl group, 2-hydroxypropyl group, 2-aminoethyl group, 4-aminobutyl group, and 6-aminohexyl group are mentioned.

T1, T2, T3, T4, T5, T6 및 T7의 시클로알킬기의 탄소수는 5 내지 10 정도가 바람직하다. 수산기, 아미노기(C1-C4 알킬기로 임의로 치환됨) 및 C1-C6 알콕시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 기로 임의로 치환된 시클로알킬기의 특정예로서는, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 및 시클로옥틸기를 들 수 있다. T 1, T 2, T 3 , T 4, T 5, T 6 and T 7 carbon atoms of a cycloalkyl group is preferably a 5 to 10 degree. Specific examples of the cycloalkyl group optionally substituted with one or more groups selected from the group consisting of a hydroxyl group, an amino group (optionally substituted with a C1-C4 alkyl group) and a C1-C6 alkoxy group include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group and a cyclooctyl group. The group can be mentioned.

T1, T2, T3, T4 및 T5의 아릴기의 탄소수는 6 내지 10 정도가 바람직하다. 수산기, 아미노기(C1-C4 알킬기로 임의로 치환됨) 및 C1-C6 알콕시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 기로 임의로 치환된 아릴기의 특정예로서는, 페닐기 및 나프틸기를 들 수 있다. T 1, T 2, T 3 , T 4 and T 5 of the carbon atoms of the aryl group is preferably 6 to 10 or so. Specific examples of the aryl group optionally substituted with one or more groups selected from the group consisting of a hydroxyl group, an amino group (optionally substituted with a C1-C4 alkyl group) and a C1-C6 alkoxy group include a phenyl group and a naphthyl group.

T7의 아릴기의 탄소수는 6 내지 10 정도가 바람직하다. 수산기, 아미노기(C1-C4 알킬기로 임의로 치환됨), C1-C6 알콕시기 및 C1-C4 퍼플루오로알킬기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 기로 임의로 치환된 아릴기의 특정예로서는, 페닐기, 나프틸기 및 3-트리플루오로메틸페닐기를 들 수 있다.As for carbon number of the aryl group of T <7> , about 6-10 are preferable. Specific examples of the aryl group optionally substituted with one or more groups selected from the group consisting of a hydroxyl group, an amino group (optionally substituted with a C1-C4 alkyl group), a C1-C6 alkoxy group and a C1-C4 perfluoroalkyl group include a phenyl group, a naphthyl group and 3-trifluoromethylphenyl group is mentioned.

T3, T4 및 T5의 알콕시기의 탄소수는 1 내지 6 정도가 바람직하고, 이들의 특정예로서는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기, n-펜틸옥시기, n-헥실옥시기를 들 수 있다.T 3, T 4 and T 5 of the carbon atoms of the alkoxy group is from 1 to about 6 are preferred, and specific examples thereof, methoxy, ethoxy, n- propoxy, iso-propoxy, n- butoxy, tert- Butoxy group, n-pentyloxy group, n-hexyloxy group is mentioned.

A1의 알킬렌 및 알케닐렌기의 탄소수는 2 내지 6이 바람직하다. 알킬렌기의 특정예로서는 에틸렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, 메틸렌디옥시기 및 에틸렌 -1,2-디옥시기를 들 수 있고, 알케닐렌기의 특정예로서는 에탄-1,2-디일기, 1-프로판-1,3-디일기 및 2-부탄-1,4-디일기를 들 수 있다.As for carbon number of the alkylene and alkenylene group of A <1> , 2-6 are preferable. Specific examples of the alkylene group include ethylene group, trimethylene group, tetramethylene group, methylenedioxy group and ethylene -1,2-dioxy group. Specific examples of the alkenylene group include ethane-1,2-diyl group and 1-. And propane-1,3-diyl and 2-butane-1,4-diyl groups.

상기 아민 화합물로서, 구체적으로는 n-헥실아민, n-헵틸아민, n-옥틸아민, n-노닐아민, n-데실아민, 아닐린, 2-메틸아닐린, 3-메틸아닐린, 4-메틸아닐린, 4-니트로아닐린, 1-나프틸아민, 2-나프틸아민, 에틸렌디아민, 테트라메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 4,4'-디아미노-1,2-디페닐에탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸디페닐메탄, 디부틸아민, 디펜틸아민, 디헥실아민, 디헵틸아민, 디옥틸아민, 디노닐아민, 디데실아민, N-메틸아닐린, 피페리딘, 디페닐아민, 트리에틸아민, 트리메틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 트리헥실아민, 트리헵틸아민, 트리옥틸아민, 트리노닐아민, 트리데실아민, 메틸디부틸아민, 메틸디펜틸아민, 메틸디헥실아민, 메틸디시클로헥실아민, 메틸디헵틸아민, 메틸디옥틸아민, 메틸디노닐아민, 메틸디데실아민, 에틸디부틸아민, 에틸디펜틸아민, 에틸디헥실아민, 에틸디헵틸아민, 에틸디옥틸아민, 에틸디노닐아민, 에틸디데실아민, 디시클로헥실메틸아민, 트리스[2-(2-메톡시에톡시)에틸]아민, 트리이소프로판올아민, N,N-디메틸아닐린, 2,6-디이소프로필아닐린, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 피리딘, 4-메틸피리딘, 4-메틸이미다졸, 비피리딘, 2,2'-디피리딜아민, 디-2-피리딜케톤, 1,2-디(2-피리딜)에탄, 1,2-디(4-피리딜)에탄, 1,3-디(4-피리딜)프로판, 1,2-비스(2-피리딜)에틸렌, 1,2-비스(4-피리딜)에틸렌, 1,2-비스(4-피리딜옥시)에탄, 4,4'-디피리딜술피드, 4,4'-디피리딜디술피드, 1,2-비스(4-피리딜)에틸렌, 2,2'-디피콜릴아민, 3,3'-디피콜릴아민 등을 들 수 있다. Specific examples of the amine compound include n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, n-decylamine, aniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 4-methylaniline, 4-nitroaniline, 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4'-diamino-1,2-diphenylethane, 4,4'-dia Mino-3,3'-dimethyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-diethyldiphenylmethane, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine , Dinonylamine, didecylamine, N-methylaniline, piperidine, diphenylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine, tripentylamine, trihexylamine, triheptylamine, tri Octylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyldihexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine, methyldi Neilamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonylamine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine, N, N-dimethylaniline, 2,6-diisopropylaniline, imidazole, benzimidazole, pyridine, 4-methylpyridine, 4 -Methylimidazole, bipyridine, 2,2'-dipyridylamine, di-2-pyridylketone, 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl ) Ethane, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-bis (2-pyridyl) ethylene, 1,2-bis (4-pyridyl) ethylene, 1,2-bis (4- Pyridyloxy) ethane, 4,4'-dipyridylsulfide, 4,4'-dipyridyldisulfide, 1,2-bis (4-pyridyl) ethylene, 2,2'-dipicolylamine, 3 , 3'-dipicolylamine, etc. are mentioned.

4급 암모늄히드록시드의 예로서는 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라부틸암모늄히드록시드, 테트라헥실암모늄히드록시드, 테트라옥틸암모늄히드록시드, 페닐트리메틸암모늄히드록시드, 3-(트리플루오로메틸페닐)트리메틸암모늄히드록시드 및 (2-히드록시에틸)트리메틸암모늄히드록시드 (소위 "콜린") 등을 들 수 있다. Examples of quaternary ammonium hydroxides are tetramethylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- (trifluoromethylphenyl ) Trimethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (so-called "choline"), etc. are mentioned.

또한, 일본 특허 공개 (평)11-52575호 공보에 개시되어 있는 바와 같은, 피페리딘 골격을 갖는 힌더드 아민 화합물도 사용할 수 있다. Moreover, the hindered amine compound which has a piperidine skeleton as disclosed in Unexamined-Japanese-Patent No. 11-52575 can also be used.

높은 해상도를 갖는 패턴을 형성한다는 점에서, 4급 암모늄히드록시드는 퀀칭제로서 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명의 레지스트 조성물 중 퀀칭제의 함량은, 상기 조성물의 전체 고형분량을 기준으로, 0.01 내지 1 중량%로 함유할 수 있다. 본 발명에서, 상기 전체 고형분량은 용제를 제외한 총량을 의미한다.In terms of forming a pattern with high resolution, quaternary ammonium hydroxide is preferably used as a quenching agent. The content of the quenching agent in the resist composition of the present invention may be contained in 0.01 to 1% by weight based on the total solids of the composition. In the present invention, the total solids means the total amount excluding the solvent.

본 발명의 레지스트 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한, 필요에 따라 증감제, 용해 억제제, 기타 중합체, 계면활성제, 안정화제, 염료 등 각종 첨가물을 소량 함유할 수도 있다.The resist composition of the present invention may contain a small amount of various additives such as sensitizers, dissolution inhibitors, other polymers, surfactants, stabilizers, and dyes as necessary, so long as the effects of the present invention are not impaired.

본 발명의 레지스트 조성물은, 통상적으로 상기한 각 성분이 용제에 용해된 상태로 실리콘 웨이퍼 등의 기체(substrate) 상에 스핀 코팅 등의 통상적인 방법에 의해 도포된다. 여기서 이용하는 용제는 상기한 각 성분을 충분히 용해시키고, 적당한 건조 속도를 가지며, 용제가 증발한 후에 균일하고 평활한 도막을 제공하는 것이면 좋고, 이 분야에서 일반적으로 이용되고 있는 용제를 사용할 수 있다. The resist composition of the present invention is usually applied by a conventional method such as spin coating on a substrate such as a silicon wafer in a state in which each of the above components is dissolved in a solvent. The solvent used here should just melt | dissolve each said component sufficiently, have a moderate drying speed, and provide a uniform and smooth coating film after a solvent evaporates, The solvent generally used in this field can be used.

예를 들면, 에틸셀로솔브아세테이트, 메틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 글리콜에테르에스테르류; 락트산에틸, 아세트산 부틸, 아세트산아밀 및 피루브산에틸 등의 비환상 에스테르류; 아세톤, 메틸이소부틸케톤, 2-헵타논, 시클로헥사논 등의 케톤류; γ-부티로락톤 등의 환상 에스테르류 등을 들 수 있다. 이들 용제는 단독으로 또는 2종 이상 조합시켜 사용할 수 있다. For example, glycol ether esters, such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate, and a propylene glycol monomethyl ether acetate; Acyclic esters such as ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and ethyl pyruvate; Ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, and cyclohexanone; Cyclic ester, such as (gamma) -butyrolactone, etc. are mentioned. These solvents can be used individually or in combination of 2 or more types.

기체 상에 도포되고, 건조된 레지스트막에는 패터닝을 위한 노광 처리가 실시되고, 이어서 탈보호기 반응을 촉진시키기 위한 가열 처리를 행한 후, 알칼리 현상액으로 현상된다. 여기서 이용하는 알칼리 현상액은, 이 분야에서 이용되는 각종 알칼리성 수용액일 수 있고, 예를 들면 테트라메틸암모늄히드록시드, (2-히드록시에틸)트리메틸암모늄히드록시드(통칭 "콜린")의 수용액을 들 수 있다. The resist film coated on the substrate and dried is subjected to an exposure treatment for patterning, and then subjected to a heat treatment for promoting the deprotecting group reaction, followed by development with an alkaline developer. The alkaline developer used herein may be various alkaline aqueous solutions used in this field, and examples thereof include aqueous solutions of tetramethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly known as "choline"). Can be.

<실시예><Example>

본원에 개시된 실시양태는 모든 국면으로 예시되지만, 이들로 한정되지는 않는 것으로 간주되어야 한다. 본 발명의 범위는 상기 명세서에 의해서가 아니라 특허청구범위에 의해 결정되며, 특허청구범위와 등가의 의미 및 특허청구범위의 모든 변형은 포함되는 것으로 간주해야 한다.The embodiments disclosed herein are illustrated in all aspects, but should not be considered as limiting. The scope of the invention is to be determined by the claims rather than the foregoing description, and all equivalents of the claims and equivalents thereof shall be considered to be included.

이어서, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 이들 실시예에 의해서 하등 한정되는 것은 아니다. 하기 실시예에서 사용되는 임의의 성분의 함유량 및 임의의 물질의 사용량을 나타내는 "%" 및 "부"는 특기하지 않는 한 중량 기준이다. 또한, 하기 실시예의 임의의 물질의 평균 분자량은 분자량 표준으로서 폴리스티렌(도소사 제조)을 이용하여 겔 투과 크로마토그래피에 의해 구한 값이다 [컬럼 (3개의 컬럼 + 가드 컬럼(guard column)): TSK gel Multipore HX1-M (도소사 제조), 용리액: 테트라히드로푸란, 유량: 1.0 mm/분, 검출기: RI 검출기, 컬럼 온도: 40 ℃, 주입량: 100 ㎕]. Next, although an Example is given and this invention is demonstrated further more concretely, this invention is not limited at all by these Examples. "%" And "parts" indicating the amount of the optional component and the amount of the optional substance used in the following examples are by weight unless otherwise specified. In addition, the average molecular weight of the arbitrary material of the following Example is the value calculated | required by the gel permeation chromatography using polystyrene (made by Tosoh Corporation) as a molecular weight standard [column (three columns + guard column): TSK gel Multipore H X1 -M (manufactured by Tosoh Corporation) eluent: tetrahydrofuran, flow rate: 1.0 mm / min, detector: RI detector, column temperature: 40 ℃, injection amount: 100 ㎕].

실시예에서 사용한 단량체는 하기 단량체 A 내지 F이다. The monomer used in the Example is the following monomers A-F.

Figure 112009023411723-PAT00074
Figure 112009023411723-PAT00074

수지 합성 실시예 1 (수지 A1의 합성)Resin Synthesis Example 1 (Synthesis of Resin A1)

온도계, 환류관을 장착한 4구 플라스크에 메틸이소부틸케톤 70.91부를 투입하고, 질소 가스로 30 분간 버블링을 행하였다. 질소 가스 분위기 하에서 단량체 E 30부, 단량체 F 14.27부, 단량체 G 10.28부(단량체 비율; 단량체 E:단량체 F:단량체 G=50:25:25), 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.79부, 메틸이소부틸케톤 70.19부를 혼합한 용액을 86 ℃에서 1 시간에 걸쳐 적하하였다. 얻어진 혼합물을 86 ℃에서 5 시간 동안 보온하였다. 냉각 후, 그 반응액을 n-헵탄 815부 중에 교반하면서 붓고, 석출된 수지를 여과 분취하고, 여과물을 n-헵탄 407부로 3회 세척하였다. 얻어진 수지를 감압 건조하여 25.4부의 수지 A1을 얻었다. 수율: 55 %, Mw: 9,400, Mw/Mn: 1.52. 70.91 parts of methyl isobutyl ketones were thrown into the four neck flask equipped with the thermometer and the reflux tube, and it bubbling with nitrogen gas for 30 minutes. 30 parts of monomer E, 14.27 parts of monomer F, 10.28 parts of monomer G (monomer ratio; monomer E: monomer F: monomer G = 50: 25: 25) under a nitrogen gas atmosphere, 2,2'-azobisisobutyronitrile 0.79 The solution which mixed 70.19 parts of methyl isobutyl ketones was dripped at 86 degreeC over 1 hour. The resulting mixture was kept at 86 ° C. for 5 hours. After cooling, the reaction solution was poured into 815 parts of n-heptane with stirring, the precipitated resin was collected by filtration, and the filtrate was washed three times with 407 parts of n-heptane. The obtained resin was dried under reduced pressure to obtain 25.4 parts of resin A1. Yield: 55%, Mw: 9,400, Mw / Mn: 1.52.

상기 수지는 하기 구조 유닛을 갖는다. The resin has the following structural unit.

Figure 112009023411723-PAT00075
Figure 112009023411723-PAT00075

수지 합성 실시예 2 (수지 B1의 합성)Resin Synthesis Example 2 (Synthesis of Resin B1)

온도계, 환류관을 장착한 4구 플라스크에 1,4-디옥산 23부를 투입하고, 질소 가스로 30 분간 버블링을 행하였다. 질소 가스 분위기 하에서 단량체 A 6.2부, 단량체 B 12.97부, 단량체 C 19.17부(단량체 비율; 단량체 A:단량체 B:단량체 C=25:25:50), 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.21부, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 0.97부, 1,4-디옥산 34.51부를 혼합한 용액을 75 ℃에서 1 시간에 걸쳐 적하하였다. 얻어진 혼합물을 75 ℃에서 5 시간 동안 보온하였다. 반응 혼합물을 냉각하고, 1,4-디옥산 42.18부로 희석하였다. 얻어진 용액을 교반하면서 메탄올 349부와 이온교환수 224부의 혼합물에 붓고, 석출된 수지를 여과 분취하고, 여과물을 메탄올 224부와 이온교환수 25부의 혼합물로 3회 세척하였다. 얻어진 수지를 감압 건조하여 23.1부의 수지 B1을 얻었다. 수율: 60 %, Mw: 8,530, Mw/Mn: 1.74. 23 parts of 1, 4- dioxanes were thrown into the four neck flask equipped with the thermometer and the reflux tube, and bubbling was performed for 30 minutes by nitrogen gas. 6.2 parts of monomer A, 12.97 parts of monomer B, 19.17 parts of monomer C (monomer ratio; monomer A: monomer B: monomer C = 25: 25: 50) under a nitrogen gas atmosphere, 2,2'-azobisisobutyronitrile 0.21 The solution which mixed 0.97 part of 2,2'- azobis (2, 4- dimethylvaleronitrile) and 34.51 parts of 1, 4- dioxanes was dripped at 75 degreeC over 1 hour. The resulting mixture was kept at 75 ° C. for 5 hours. The reaction mixture was cooled down and diluted with 42.18 parts of 1,4-dioxane. The obtained solution was poured into a mixture of 349 parts of methanol and 224 parts of ion-exchanged water with stirring, and the precipitated resin was collected by filtration, and the filtrate was washed three times with a mixture of 224 parts of methanol and 25 parts of ion-exchanged water. The obtained resin was dried under reduced pressure to obtain 23.1 parts of resin B1. Yield: 60%, Mw: 8,530, Mw / Mn: 1.74.

상기 수지는 하기 구조 유닛을 갖는다. The resin has the following structural unit.

Figure 112009023411723-PAT00076
Figure 112009023411723-PAT00076

<산 발생제> <Acid generator>

산 발생제 P1: Acid Generator P1:

Figure 112009023411723-PAT00077
Figure 112009023411723-PAT00077

<퀀칭제> <Quenching agent>

퀀칭제 Q1: 2,6-디이소프로필아닐린 Quenching agent Q1: 2,6-diisopropylaniline

<용제> <Solvent>

용제 S1: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 100.0부Solvent S1: 100.0 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate

프로필렌글리콜모노메틸에테르 20.0부Propylene glycol monomethyl ether 20.0 parts

2-헵타논 35.0부2-heptanone35.0 parts

γ-부티로락톤 3.5부γ-butyrolactone 3.5 parts

실시예 1 내지 7, 비교예 1 및 참고예 1Examples 1 to 7, Comparative Example 1 and Reference Example 1

하기 성분을 혼합하여 용액을 얻고, 상기 용액을 추가로 공경 0.2 ㎛의 불소 수지 제조 필터로 여과하여 레지스트액을 제조하였다.The following components were mixed to obtain a solution, and the solution was further filtered through a 0.2 μm fluorine resin filter to prepare a resist solution.

수지 (종류 및 양은 표 1에 기재됨)Resins (Types and amounts listed in Table 1)

산 발생제 (종류 및 양은 표 1에 기재됨)Acid Generators (Types and Amounts are Listed in Table 1)

퀀칭제 (종류 및 양은 표 1에 기재됨)Quenching agents (types and amounts listed in Table 1)

용제 (종류 및 양은 표 1에 기재됨)Solvents (Types and amounts listed in Table 1)

실시예 1 내지 7에서 제조된 레지스트액은 각각 레지스트 R1 내지 R7으로 나타내고, 비교예 1에서 제조된 레지스트액은 레지스트 C1으로 나타내고, 참고예 1에서 제조된 레지스트액은 레지스트 R10으로 나타냈다.The resist liquids prepared in Examples 1 to 7 were each represented by resists R1 to R7, the resist liquid prepared in Comparative Example 1 was represented by resist C1, and the resist liquid prepared in Reference Example 1 was represented by resist R10.

Figure 112009023411723-PAT00078
Figure 112009023411723-PAT00078

실시예 1 내지 3, 비교예 1 및 참고예 1에서 제조된 각각의 레지스트액을 반사 방지 막에 건조 후의 막 두께가 0.12 ㎛가 되도록 스핀 코팅하였다. 각각의 레지스트액 도포 후에는, 각 레지스트액으로 도포된 실리콘 웨이퍼를 각각 다이렉트 핫 플레이트 상에서 100 ℃에서 60 초간 프리 베이킹하였다. Each of the resist liquids prepared in Examples 1 to 3, Comparative Example 1 and Reference Example 1 was spin-coated to the antireflection film so that the film thickness after drying was 0.12 μm. After each resist liquid application, the silicon wafer coated with each resist liquid was prebaked at 100 ° C. for 60 seconds on a direct hot plate, respectively.

각각의 상기 웨이퍼의 접촉각 및 후퇴각을 교와 가이멘 가가꾸 제조의 "Drop Master-700"을 이용하여 측정하였다. 접촉각은 액적법으로 1 ㎕의 물을 이용하여 적하 후 0.1 초 후에 측정하고, 후퇴각은 경사법으로 50 ㎕의 물을 이용하여 단계 경사 모드로 측정하였다. 표 2에 결과를 나타낸다. The contact angle and the retreat angle of each of the wafers were measured using "Drop Master-700" manufactured by Kyowa Kaimen Chemical Corporation. The contact angle was measured 0.1 seconds after dropping using 1 µl of water by the drop method, and the retreat angle was measured in the step gradient mode using 50 µl of water by the gradient method. Table 2 shows the results.

Figure 112009023411723-PAT00079
Figure 112009023411723-PAT00079

각 실리콘 웨이퍼를, 각각 닛산 케미컬 인더스트리즈, 리미티드에서 입수할 수 있는 유기 반사 방지 코팅 조성물인 "ARC-95"로 코팅하고, 205 ℃에서 60초의 조건하에서 베이킹하여 두께가 780 Å인 유기 반사 방지 막을 형성하였다. 실시예 1 내지 3, 비교예 1 및 참고예 1에서 제조된 각각의 레지스트액을 상기 반사 방지 막에 건조 후의 막 두께가 0.12 ㎛가 되도록 스핀 코팅하였다. 각각의 레지스트액 도포 후에는, 각 레지스트액으로 도포된 실리콘 웨이퍼를 각각 다이렉트 핫 플레이트 상에서 100 ℃에서 60 초간 프리 베이킹하였다. ArF 엑시머 스텝퍼(stepper)(캐논 인크.사 제조 "FPA5000-AS3", NA=0.75)를 이용하여, 각 레지스트막이 형성된 각 웨이퍼를 노광량을 점차로 변화시키면서 라인 및 스페이스 패턴으로 노광하였다.Each silicon wafer was coated with "ARC-95", an organic antireflective coating composition available from Nissan Chemical Industries, Limited, respectively, and baked at 205 DEG C under 60 seconds to produce an organic antireflective film having a thickness of 780 kPa. Formed. Each resist solution prepared in Examples 1 to 3, Comparative Example 1 and Reference Example 1 was spin-coated to the antireflection film so that the film thickness after drying was 0.12 μm. After each resist liquid application, the silicon wafer coated with each resist liquid was prebaked at 100 ° C. for 60 seconds on a direct hot plate, respectively. Using an ArF excimer stepper ("FPA5000-AS3" manufactured by Canon Inc., NA = 0.75), each wafer on which each resist film was formed was exposed in a line and a space pattern while gradually changing the exposure amount.

노광 후에, 각 웨이퍼를 다이렉트 핫 플레이트 상에서 110 ℃에서 60 초간 베이킹하여 후-노광 처리하고, 이어서 2.38 중량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액으로 패들 현상하였다.After exposure, each wafer was baked post-exposure at 110 ° C. for 60 seconds on a direct hot plate, followed by paddle development with an aqueous 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide solution.

현상 후에 유기 반사 방지 코팅 기체 상에 현상된 각 패턴을 주사 전자 현미경으로 관찰하고, 그 결과를 표 3에 나타냈다.Each pattern developed on the organic antireflective coating base after development was observed with a scanning electron microscope, and the results are shown in Table 3.

라인 폭 러프니스 (LWR): 현상 후에 유기 반사 방지 코팅 기체 상에 현상된 각 패턴의 크기를 주사 전자 현미경으로 관찰하였다. 크기의 변동은 비교예 1보다 작은 경우, 그 평가는 "○"로 표시하고, 크기 변동이 비교예 1과 동일한 경우, 그 평가는 "△"로 표시하고, 크기 변동이 비교예 1보다 큰 경우, 그 평가는 "X"로 표시했다.Line Width Roughness (LWR): The size of each pattern developed on the organic antireflective coating gas after development was observed with a scanning electron microscope. When the variation in size is smaller than Comparative Example 1, the evaluation is represented by "○", and when the variation in size is the same as Comparative Example 1, the evaluation is represented by "Δ", and the variation in size is larger than Comparative Example 1 , The evaluation was marked with "X".

Figure 112009023411723-PAT00080
Figure 112009023411723-PAT00080

본 발명의 레지스트 조성물은 현상액에서의 용해성이 우수하면서 LWR의 레지스트 패턴이 우수하며, 이는 ArF 엑시머 레이저 리소그래피 등의 광학 리소그래피에 적합하다. 높은 후퇴각을 갖는 레지스트막은 본 발명의 레지스트 조성물을 이용함으로써 기체 상에 형성되어 액침 리소그래피법의 결함 형성을 억제시킬 수 있고, 본 발명의 조성물은 특히 액침 함침용 리소그래피법에 적합하다.The resist composition of the present invention is excellent in solubility in developer and excellent in resist pattern of LWR, which is suitable for optical lithography such as ArF excimer laser lithography. The resist film having a high retreat angle can be formed on the substrate by using the resist composition of the present invention to suppress defect formation in the immersion lithography method, and the composition of the present invention is particularly suitable for the immersion lithography method.

Claims (13)

산에 불안정한 기를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (a1)을 함유하고, 불소 원자를 함유하지 않는 수지 (A),A resin (A) containing a structural unit (a1) having an acid labile group on its side chain and not containing a fluorine atom, 산에 불안정한 기를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (b1), 수산기를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (b3) 및 락톤 구조를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (b4)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 함유할 뿐만 아니라, 불소 함유 기를 측쇄에 갖는 구조 유닛 (b2)를 함유하는 수지 (B), 및 Not only contains one or more selected from the group consisting of a structural unit (b1) having an acid labile group in the side chain, a structural unit (b3) having a hydroxyl group in the side chain and a structural unit (b4) having a lactone structure in the side chain, Resin (B) containing a structural unit (b2) having a fluorine-containing group in the side chain, and 산 발생제를 함유하며, Contains acid generators, 상기 수지 (B)가 차지하는 비율이 상기 수지 (A) 100 중량부에 대하여 2 중량부 이하인 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemically amplified positive resist composition whose ratio which the said resin (B) occupies is 2 weight part or less with respect to 100 weight part of said resin (A). 제1항에 있어서, 상기 수지 (B)가 차지하는 비율이 상기 수지 (A) 100 중량부에 대하여 0.005 중량부 이상 2 중량부 이하인 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemically amplified positive resist composition according to claim 1, wherein the proportion of the resin (B) is 0.005 parts by weight or more and 2 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the resin (A). 제1항에 있어서, 수지 (A)가 구조 유닛 (a1) 이외에 수산기를 갖는 구조 유닛 (a3) 및 락톤 구조를 갖는 구조 유닛 (a4)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 구조 유닛을 함유하는 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemistry according to claim 1, wherein the resin (A) contains at least one structural unit selected from the group consisting of a structural unit (a3) having a hydroxyl group and a structural unit (a4) having a lactone structure in addition to the structural unit (a1). Amplified Positive Resist Composition. 제3항에 있어서, 수지 (A)가 구조 유닛 (a1) 이외에 구조 유닛 (a3) 및 구조 유닛 (a4)를 함유하는 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemically amplified positive resist composition according to claim 3, wherein the resin (A) contains a structural unit (a3) and a structural unit (a4) in addition to the structural unit (a1). 제1항에 있어서, 수지 (B)가 구조 유닛 (b2) 이외에 구조 유닛 (b1)을 함유하는 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemically amplified positive resist composition according to claim 1, wherein the resin (B) contains a structural unit (b1) in addition to the structural unit (b2). 제1항에 있어서, 구조 유닛 (a1) 및 (b1)이 독립적으로 화학식 Ia로 표시되는 구조 단위 또는 화학식 Ib로 표시되는 구조 단위를 나타내는 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemically amplified positive resist composition according to claim 1, wherein the structural units (a1) and (b1) independently represent structural units represented by formula (Ia) or structural units represented by formula (Ib).
Figure 112009023411723-PAT00081
Figure 112009023411723-PAT00081
(식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 C1-C8 알킬기를 나타내고, R3은 메틸기를 나타내고, n은 0 내지 14의 정수를 나타내고, Z1은 단일 결합 또는 -(CH2)k-COO-기를 나타내고, 여기서 k는 1 내지 4의 정수를 나타냄)(Wherein R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents a C1-C8 alkyl group, R 3 represents a methyl group, n represents an integer of 0 to 14, Z 1 represents a single bond or-(CH 2 ) represents a k- COO- group, where k represents an integer from 1 to 4)
Figure 112009023411723-PAT00082
Figure 112009023411723-PAT00082
(식 중, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R5는 C1-C8 알킬기를 나타내고, R6, R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 하나 이상의 헤테로원자를 포함할 수도 있는 1가의 C1-C8 탄화수소기를 나타내거나, R6과 R7은 서로 결합하여 R6이 결합하는 탄소 원자와 R7이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하거나, R6이 결합하는 탄소 원자와 R7이 결합하는 탄소 원자가 이중 결합을 형성할 수도 있고, m은 1 내지 3의 정수를 나타내고, Z2는 단일 결합 또는 -(CH2)k'-COO-기를 나타내고, 여기서 k'은 1 내지 4의 정수를 나타냄)(Wherein R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 5 represents a C1-C8 alkyl group, and R 6 , R 7 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent C1- which may include one or more heteroatoms). represents a group C8 hydrocarbon or, R 6 and R 7 are combined with each other to R 6 form a ring with the carbon atom and R 7 carbon atoms, which is coupled to coupling or, R 6, which combines the binding carbon atoms and R 7, which The carbon atom may form a double bond, m represents an integer of 1 to 3, Z 2 represents a single bond or a-(CH 2 ) k ' -COO- group, where k' represents an integer of 1 to 4 )
제1항에 있어서, 구조 유닛 (b3)이 화학식 IIb로 표시되는 구조 단위를 나타내는 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemically amplified positive resist composition according to claim 1, wherein the structural unit (b3) represents a structural unit represented by the formula (IIb).
Figure 112009023411723-PAT00083
Figure 112009023411723-PAT00083
(식 중, R8은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R9, R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기 또는 수산기를 나타내고, R11은 메틸기를 나타내고, n'은 0 내 지 12의 정수를 나타내고, Z3은 단일 결합 또는 -(CH2)q-COO-기를 나타내고, 여기서 q는 1 내지 4의 정수를 나타냄)(In formula, R <8> represents a hydrogen atom or a methyl group, R <9> , R <10> represents a hydrogen atom, a methyl group, or a hydroxyl group each independently, R <11> represents a methyl group, n 'represents the integer of 0-12. , Z 3 represents a single bond or a-(CH 2 ) q -COO- group, where q represents an integer from 1 to 4)
제3항에 있어서, 구조 유닛 (b3)이 화학식 IIa로 표시되는 구조 단위를 나타내는 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemically amplified positive resist composition according to claim 3, wherein the structural unit (b3) represents a structural unit represented by the formula (IIa).
Figure 112009023411723-PAT00084
Figure 112009023411723-PAT00084
(식 중, R12는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R13, R14은 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기 또는 수산기를 나타내고, R15는 메틸기를 나타내고, n"은 0 내지 12의 정수를 나타내고, Z4는 단일 결합 또는 -(CH2)q'-COO-기를 나타내고, 여기서 q'은 1 내지 4의 정수를 나타냄)(In formula, R <12> represents a hydrogen atom or a methyl group, R <13> , R <14> represents a hydrogen atom, a methyl group, or a hydroxyl group each independently, R <15> represents a methyl group, n "represents the integer of 0-12, Z 4 represents a single bond or a-(CH 2 ) q ' -COO- group, where q' represents an integer from 1 to 4)
제1항에 있어서, 구조 유닛 (b4)가 화학식 IIIa, 화학식 IIIb, 화학식 IIIc, 화학식 IIId, 화학식 IIIe 또는 화학식 IIIf로 표시되는 구조 유닛을 나타내는 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemically amplified positive resist composition according to claim 1, wherein the structural unit (b4) represents a structural unit represented by formula IIIa, formula IIIb, formula IIIc, formula IIId, formula IIIe or formula IIIf.
Figure 112009023411723-PAT00085
Figure 112009023411723-PAT00085
(식 중, R17은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R18은 메틸기를 나타내고, R19는 각각 독립적으로 카르복실기, 시아노기 또는 C1-C4의 탄화수소기를 나타내고, R20은 각각 독립적으로 카르복실기, 시아노기 또는 C1-C4의 탄화수소기를 나타내고, j는 0 내지 3의 정수를 나타내고, a는 0 내지 5의 정수를 나타내고, b는 0 내지 3의 정수를 나타내고, c는 0 내지 (2j+2)의 정수를 나타내고, Z5는 단일 결합 또는 -(CH2)q"-COO-기를 나타내고, 여기서 q"는 1 내지 4의 정수를 나타냄) (In formula, R <17> represents a hydrogen atom or a methyl group, R <18> represents a methyl group, R <19> represents a carboxyl group, a cyano group, or C1-C4 hydrocarbon group each independently, R <20> respectively independently represents a carboxyl group and a cyano group Or a C1-C4 hydrocarbon group, j represents an integer of 0 to 3, a represents an integer of 0 to 5, b represents an integer of 0 to 3, and c represents an integer of 0 to (2j + 2). Z 5 represents a single bond or a-(CH 2 ) q " -COO- group, where q" represents an integer of 1 to 4)
제3항에 있어서, 구조 유닛 (a4)가 화학식 IIIg, 화학식 IIIh, 화학식 IIIi, 화학식 IIIj, 화학식 IIIk 또는 화학식 IIIl로 표시되는 구조 유닛을 나타내는 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemically amplified positive resist composition according to claim 3, wherein the structural unit (a4) represents a structural unit represented by formula IIIg, formula IIIh, formula IIIi, formula IIIj, formula IIIk or formula IIIl.
Figure 112009023411723-PAT00086
Figure 112009023411723-PAT00086
(식 중, R21은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R22은 메틸기를 나타내고, R23은 각각 독립적으로 카르복실기, 시아노기 또는 C1-C4의 탄화수소기를 나타내고, R24는 각각 독립적으로 카르복실기, 시아노기 또는 C1-C4의 탄화수소기를 나타내고, i는 0 내지 3의 정수를 나타내고, d는 0 내지 5의 정수를 나타내고, e는 0 내지 3의 정수를 나타내고, f는 0 내지 (2i+2)의 정수를 나타내고, Z6은 단일 결합 또는 -(CH2)q"'-COO-기를 나타내고, 여기서 q"'는 1 내지 4의 정수를 나타냄) (In formula, R <21> represents a hydrogen atom or a methyl group, R <22> represents a methyl group, R <23> represents a carboxyl group, a cyano group, or C1-C4 hydrocarbon group each independently, R <24> respectively independently represents a carboxyl group and a cyano group Or a C1-C4 hydrocarbon group, i represents an integer of 0 to 3, d represents an integer of 0 to 5, e represents an integer of 0 to 3, f is an integer of 0 to (2i + 2) Z 6 represents a single bond or a-(CH 2 ) q "' -COO- group wherein q"' represents an integer of 1 to 4)
제1항에 있어서, 구조 유닛 (b2)가 화학식 IV로 표시되는 구조 단위를 나타내는 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemically amplified positive resist composition according to claim 1, wherein the structural unit (b2) represents a structural unit represented by the formula (IV).
Figure 112009023411723-PAT00087
Figure 112009023411723-PAT00087
(식 중, R25는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, AR은 1개 내지 5개의 수산기를 함유할 수 있고, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자를 포함할 수도 있는 C1-C30의 불소 함유 알킬기를 나타냄) (Wherein R 25 represents a hydrogen atom or a methyl group, AR may contain 1 to 5 hydroxyl groups, and may comprise one or more heteroatoms selected from the group consisting of oxygen atoms, nitrogen atoms, sulfur atoms) C1-C30 fluorine-containing alkyl group)
제1항에 있어서, 산 발생제가 화학식 V로 표시되는 염인 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.The chemically amplified positive resist composition according to claim 1, wherein the acid generator is a salt represented by the formula (V).
Figure 112009023411723-PAT00088
Figure 112009023411723-PAT00088
(식 중, R26은 C1-C6의 직쇄상 또는 분지상의 탄화수소기, 또는 C3-C30의 일환식 또는 이환식 탄화수소기를 나타내며, 상기 일환식 또는 이환식 탄화수소기에 있는 적어도 하나의 수소 원자는 C1-C6의 알콕시기, C1-C4의 퍼플루오로알킬기, C1-C6의 히드록시알킬기, 수산기, 시아노기, 카르보닐기 및 에스테르기로 치환될 수 있거나, 상기 일환식 또는 이환식 탄화수소기에 있는 적어도 하나의 -CH2-는 -CO- 또는 -O-로 치환될 수 있고, A+는 유기 반대 이온을 나타내고, Y1, Y2는 각각 독립적으로 불소 원자 또는 C1-C6의 퍼플루오로알킬기를 나타냄)Wherein R 26 represents a straight or branched hydrocarbon group of C 1 -C 6, or a monocyclic or bicyclic hydrocarbon group of C 3 -C 30, and at least one hydrogen atom in the monocyclic or bicyclic hydrocarbon group is C 1 -C 6 Alkoxy group, C1-C4 perfluoroalkyl group, C1-C6 hydroxyalkyl group, hydroxyl group, cyano group, carbonyl group and ester group, or at least one -CH 2 -in the monocyclic or bicyclic hydrocarbon group May be substituted with -CO- or -O-, A + represents an organic counter ion, and Y 1 , Y 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1 -C 6 perfluoroalkyl group)
제12항에 있어서, R26이 수산기 또는 카르보닐기를 갖는 C3-C30 일환식 또는 다환식 탄화수소기이며, 상기 일환식 또는 다환식 탄화수소기에 있는 적어도 하나의 수소 원자가 C1-C6 알킬기, C1-C6 알콕시기, C1-C4 퍼플루오로알킬기, C1-C6 히드록시알킬기, 수산기 또는 시아노기로 치환될 수 있는 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.13. The method of claim 12 wherein, R 26 is a C3-C30 part formula or polycyclic hydrocarbon group having a hydroxyl group or a carbonyl group, wherein the part formula or polycyclic hydrocarbon groups at least one hydrogen atom of a C1-C6 alkyl group, C1-C6 alkoxy group And a chemically amplified positive resist composition which may be substituted with a C1-C4 perfluoroalkyl group, a C1-C6 hydroxyalkyl group, a hydroxyl group or a cyano group.
KR1020090033702A 2008-04-21 2009-04-17 A chemically amplified positive resist composition KR20090111276A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090033702A KR20090111276A (en) 2008-04-21 2009-04-17 A chemically amplified positive resist composition

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2008-110430 2008-04-21
KR1020090033702A KR20090111276A (en) 2008-04-21 2009-04-17 A chemically amplified positive resist composition

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170006355A Division KR101994518B1 (en) 2008-04-21 2017-01-13 A chemically amplified positive resist composition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090111276A true KR20090111276A (en) 2009-10-26

Family

ID=41539055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090033702A KR20090111276A (en) 2008-04-21 2009-04-17 A chemically amplified positive resist composition

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090111276A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101382727B1 (en) A Chemically Amplified Positive Resist Composition
KR101994518B1 (en) A chemically amplified positive resist composition
KR101648871B1 (en) Chemically amplified positive resist composition
KR101606013B1 (en) Polymer and chemically amplified resist composition comprising the same
KR101547873B1 (en) chemically amplified resist composition
KR101477996B1 (en) Chemically amplified resist composition
TWI435169B (en) Chemically amplified resist composition
KR101569214B1 (en) A chemically amplified positive resist composition
KR20100067619A (en) Resist composition
KR101596380B1 (en) Chemically amplified positive resist composition
KR20080016486A (en) A salt suitable for an acid generator and a chemically amplified positive resist composition containing the same
KR101416251B1 (en) Chemically amplified resist composition
KR20070118022A (en) A salt suitable for an acid generator and a chemically amplified positive resist composition containing the same
KR101606010B1 (en) Polymer and chemically amplified resist composition comprising the same
KR20080018113A (en) A salt suitable for an acid generator and a chemically amplified positive resist composition containing the same
TWI440973B (en) Chemically amplified resist composition
KR20090119728A (en) Chemically amplified positive resist composition
KR101455619B1 (en) Chemically amplified positive resist composition
TWI507815B (en) A chemically amplified positive resist composition
KR101716652B1 (en) Resist composition
KR20090111276A (en) A chemically amplified positive resist composition

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2016101007069; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20161216

Effective date: 20181121