KR20090107642A - Capacitor and its producing method - Google Patents

Capacitor and its producing method Download PDF

Info

Publication number
KR20090107642A
KR20090107642A KR1020080033012A KR20080033012A KR20090107642A KR 20090107642 A KR20090107642 A KR 20090107642A KR 1020080033012 A KR1020080033012 A KR 1020080033012A KR 20080033012 A KR20080033012 A KR 20080033012A KR 20090107642 A KR20090107642 A KR 20090107642A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dielectric
capacitor
dielectric layer
electrode
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020080033012A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이병윤
서일수
Original Assignee
한국전기연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전기연구원 filed Critical 한국전기연구원
Priority to KR1020080033012A priority Critical patent/KR20090107642A/en
Publication of KR20090107642A publication Critical patent/KR20090107642A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/14—Organic dielectrics
    • H01G4/18—Organic dielectrics of synthetic material, e.g. derivatives of cellulose
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/32—Wound capacitors

Abstract

PURPOSE: A capacitor and a method of manufacturing the same are provided to control the thickness of a dielectric layer by using various dielectric materials in manufacturing the capacitor. CONSTITUTION: A capacitor and a method of manufacturing the same are comprised of the steps: coating at least one side of various metal electrodes(10,10a,10b) with a dielectric material and forming dielectric layers(50,50a,50b); forming dielectric layer on a part of an electrode so that the part of the electrode is exposed to the outside to facilitate external wiring; combining a plurality of electrodes so that dielectric layer is arranged between them; an laminating the plural metal electrode in order so that they are interposed between them.

Description

커패시터 및 그의 제조방법{Capacitor and its producing method}Capacitor and its producing method

본 발명은 커패시터 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전극과 유전체를 결합하여 새로운 전극-유전체 구조를 갖는 커패시터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a capacitor and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a capacitor having a new electrode-dielectric structure by combining an electrode and a dielectric, and a method of manufacturing the same.

커패시터는 전하를 축적하는 소자로서 일반적으로 전자회로에서 전하를 충전 또는 방전하거나 임피던스 특성을 이용해 노이즈를 제거하는 회로에 주로 사용된다.Capacitors are charge accumulators and are generally used in circuits for removing noise by charging or discharging charges in an electronic circuit or by using impedance characteristics.

현재 전력계통 또는 산업 현장에서는 모터와 같은 유도성 부하로 인해 부하의 역률이 낮아져 전력설비 또는 송전설비를 효율적으로 이용하는데 어려움이 있으며 이렇게 낮아진 역률을 보상하기 위하여 커패시터가 활용되고 있는데, 특히 유전체로서 플라스틱 필름을 넣는 커패시터들이 주로 활용되고 있다.Currently, in power system or industrial site, inductive loads such as motors lower the power factor of the load, making it difficult to use power or transmission facilities efficiently. Capacitors are used to compensate for the low power factor. Film-capacitors are mainly used.

플라스틱 필름을 유전체로서 사용하는 커패시터는 전극-유전체 구조를 형성하는 방식에 있어 크게 두가지로 분류할 수 있는데, 하나는 금속 재질의 박막 전극과 플라스틱 재질의 박막 유전체를 각각 구비하고 박막 전극과 박막 유전체를 서로 겹쳐서 전극-유전체 구조를 형성하는 방법이다. 그리고 또 하나는 플라스틱 재질의 박막 유전체 표면에 금속 물질을 증착하여 소정 두께의 박막 전극을 만들어서 전극-유전체 구조를 형성한다.Capacitors using plastic films as dielectrics can be classified into two types of electrode-dielectric structures. One is to include a thin film electrode made of metal and a thin film dielectric made of plastic. This is a method of forming an electrode-dielectric structure overlapping each other. In addition, a metal material is deposited on the surface of the plastic thin film dielectric to form a thin film electrode having a predetermined thickness to form an electrode-dielectric structure.

본 발명에서는 기존 커패시터의 전극-유전체 구조를 형성하는 방식에 있어서, 커패시터의 제조 시 다양한 유전물질을 적용할 수 있으며 정전용량을 용이하게 조절할 수 있도록 하는 새로운 전극-유전체 형성방식을 제안한다.In the present invention, in the method of forming the electrode-dielectric structure of the existing capacitor, a variety of dielectric materials can be applied in the manufacture of the capacitor and propose a new electrode-dielectric formation method to easily adjust the capacitance.

보다 구체적으로, 본 발명의 일실시예에 따른 커패시터 제조방법은 다수 금속 전극의 적어도 한 면에 유전체 물질을 코팅하여 유전체 층을 형성하는 단계; 및 상기 유전체 층이 사이에 배치되도록 상기 다수 금속 전극을 결합하는 단계를 포함하여 다양한 유전물질이 유전체 층으로 적용될 수 있도록 한다.More specifically, the capacitor manufacturing method according to an embodiment of the present invention comprises the steps of forming a dielectric layer by coating a dielectric material on at least one side of the plurality of metal electrodes; And coupling the plurality of metal electrodes such that the dielectric layer is disposed therebetween so that various dielectric materials can be applied to the dielectric layer.

또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 커패시터 제조방법은 금속 전극의 일면에 유전체 물질을 코팅하여 유전체 층을 형성하는 단계; 및 상기 유전체 층의 상면에 플라스틱 필름 유전체를 배치하여 커패시터 단위 구조를 형성하는 단계를 포함하여 유전체 층의 두께를 용이하게 조절할 수 있으며 유전 특성의 제어가 가능하도록 한다.In addition, the capacitor manufacturing method according to another embodiment of the present invention comprises the steps of forming a dielectric layer by coating a dielectric material on one surface of the metal electrode; And arranging a plastic film dielectric on an upper surface of the dielectric layer to form a capacitor unit structure so that the thickness of the dielectric layer can be easily adjusted and the dielectric properties can be controlled.

이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명에 따른 실시예를 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1 은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 커패시터의 전극-유전체 구조가 간략하게 도시된 도이다.1 is a schematic diagram illustrating an electrode-dielectric structure of a capacitor according to a preferred embodiment of the present invention.

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 커패시터는 플라스틱 필름 유전체의 일면에 금속 분자를 증착하여 전극으로 활용하던 종래 방식과 달리, 도 1에 도시된 바와 같이 금속 전극(10)의 적어도 일면에 유전체 층(50)을 코팅하고 이러한 전극 을 두 개 이상 결합하여 커패시터를 이룬다.Unlike the conventional method of depositing metal molecules on one surface of a plastic film dielectric and using it as an electrode, the capacitor according to the preferred embodiment of the present invention has a dielectric layer 50 formed on at least one surface of the metal electrode 10 as shown in FIG. 1. ) And then combine two or more of these electrodes to form a capacitor.

이러한 커패시터의 전극-유전체 구조는 도 1(a)에 도시된 바와 같이 금속 박막(10)의 일면에 유전체 층(50)이 도포되며, 유전체 층(50)이 도포된 금속 박막(10)을 두 개 이상 구비하여 도 1(b)에 도시된 바와 같이 유전체 층(50)이 금속 박막(10) 사이에 놓이도록 금속 박막을 배치하여 서로 접합한다. 이때 전극-유전체 구조는 각 전극을 어느 방향으로 배치하느냐에 따라 변용될 수 있는데, 두 개의 전극 A, B가 구비되는 경우를 예로 하면, 전극 A(10a)-유전체 층 A(50a)- 전극 B(10b)-유전체 층 B(50b)의 순서로 배열되거나 또는 전극 A(10a)-유전체 층 A(50a)- 유전체 층 B(50b)-전극 B(10b)의 순서로 배열될 수 있다.As shown in FIG. 1A, the electrode-dielectric structure of the capacitor has a dielectric layer 50 coated on one surface of the metal thin film 10 and two metal thin films 10 coated with the dielectric layer 50. As shown in FIG. 1 (b), a plurality of metal thin films are disposed and bonded to each other so that the dielectric layer 50 is interposed between the metal thin films 10. In this case, the electrode-dielectric structure may be changed depending on which direction each electrode is arranged. For example, when two electrodes A and B are provided, the electrode A 10a-the dielectric layer A 50a-the electrode B ( 10b) -dielectric layer B 50b or in order of electrode A 10a-dielectric layer A 50a-dielectric layer B 50b-electrode B 10b.

유전체 층(50a, 50b)은 전극 박막(10a, 10b) 일면의 전부에 도포되거나 일부분에 도포될 수 있으며, 일부에 도포되는 경우 도 1(b)에 도시된 바와 같이 다수의 전극(10a, 10b)을 유전체 층이 도포되지 않은 전극의 일부분이 외부에 돌출되도록 배치할 수 있다. 또한, 이러한 전극의 일부가 돌출됨으로써 외부 단자와의 연결이 용이하고 이에 따라 정전용량의 조절 또는 직병렬 결선이 보다 간편하게 이루어질 수 있다. 이때 도 1(b)에 도시된 바와 같이 상기 전극의 일부가 지그재그 방향으로 돌출되도록 배치하면 같은 방향으로 돌출되도록 배치된 경우에 비해 돌출된 전극간 거리가 늘어나므로 외부 단자와의 연결이 보다 더 용이할 수 있다.The dielectric layers 50a and 50b may be applied to all or one part of one surface of the electrode thin films 10a and 10b, and when applied to a part, the plurality of electrodes 10a and 10b as shown in FIG. ) May be arranged such that a portion of the electrode not coated with the dielectric layer protrudes to the outside. In addition, by protruding a part of the electrode, it is easy to connect with an external terminal, and accordingly, the regulation of capacitance or a series-parallel connection can be made more easily. In this case, as shown in FIG. 1B, when a portion of the electrode protrudes in the zigzag direction, the distance between the protruding electrodes increases as compared to the case in which the electrode protrudes in the same direction. can do.

이러한 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 커패시터 구조에 있어서, 상기 유전체 막을 코팅하는 방법은 다양하게 적용될 수 있으며 코팅 방식에 따라 여러 유전체 물질을 활용할 수 있다.In the capacitor structure according to the preferred embodiment of the present invention, the method of coating the dielectric film may be variously applied, and various dielectric materials may be utilized depending on the coating method.

도 2 는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 커패시터 제조방법에 있어서, 코팅방식의 예가 도시된 예시도로서, 도 2(a)는 테이프 캐스팅(tape casting) 방식이 도시된 예이며, 도 2(b)는 스핀 코팅(spin coating) 방식이 도시된 예시 도이다.2 is an exemplary view showing an example of a coating method in the capacitor manufacturing method according to an embodiment of the present invention, Figure 2 (a) is an example showing a tape casting (tape casting), Figure 2 (b ) Is an exemplary diagram showing a spin coating method.

테이프 캐스팅 방식은 세라믹스(ceramics) 제조시 사용될 수 있는 방법으로, 유전체 층으로 사용하고자 하는 세라믹 물질의 분말이 균일하게 분산된 액상의 세라믹 슬러리를 구비하고 일측이 개봉된 용기(2)에 넣은 다음, 다이(1) 위에 금속 박막(10)을 올려놓고 다이(1)가 일정 방향으로 움직이면 움직이는 방향에 따라 세라믹 슬러리가 금속 박막(10) 위에 안착하면서 유전체 층(50)으로 코팅되는 방법이다. 이때 세라믹 슬러리는 예를 들어 BaTiO3와 같은 세라믹 분말과 용제, 분산제, 바인더 등을 혼합하여 제조될 수 있으며 필요에 따라 유전체 층(50)의 특성 향상을 위해 다양한 첨가제를 부가할 수 있다.Tape casting is a method that can be used in the manufacture of ceramics (ceramics), a liquid ceramic slurry in which the powder of the ceramic material to be used as a dielectric layer is uniformly dispersed and placed in an open container (2), When the metal thin film 10 is placed on the die 1 and the die 1 moves in a predetermined direction, the ceramic slurry is deposited on the metal thin film 10 and coated with the dielectric layer 50 according to the moving direction. In this case, the ceramic slurry may be prepared by mixing a ceramic powder such as BaTiO 3, a solvent, a dispersant, a binder, and the like, and may add various additives to improve the characteristics of the dielectric layer 50 as necessary.

이때 활용될 수 있는 세라믹 유전체 물질로는 (Ca, Zr)(Sr, Ti)O3, BaTiO3계가 주로 사용될 수 있으며 상기 금속 전극(10)으로 사용되는 물질로는 Ag 또는 Cu 등이 사용될 수 있는데 도금성 향상을 위해 Ni, Sn 도금이 이루어질 수 있다. 또한 유전체 층이 도포된 금속 전극 다수를 적층하여 커패시터를 제작하는 경우 일부 금속 전극은 Pd, Pt, Ag-Pd, Ni 등이 사용될 수 있다.In this case, (Ca, Zr) (Sr, Ti) O 3, BaTiO 3 may be mainly used as the ceramic dielectric material, and Ag or Cu may be used as the material used as the metal electrode 10. Ni and Sn plating may be performed for improvement. In addition, when a capacitor is fabricated by stacking a plurality of metal electrodes coated with a dielectric layer, some metal electrodes may be Pd, Pt, Ag-Pd, Ni, or the like.

한편, 박막을 형성하는 방법에 있어서, 단분자 또는 저분자의 경우에는 진공상태에서 열을 가해 증발시켜 성막시키는 진공증착 방식이 사용될 수 있으며 고분자의 경우에는 스핀코팅 방식이 활용될 수 있다.On the other hand, in the method of forming a thin film, in the case of a single molecule or a low molecule, a vacuum deposition method for forming a film by applying heat in a vacuum state may be used, and in the case of a polymer, a spin coating method may be used.

스핀코팅 방식은 도 2(b)에 도시된 바와 같이 회전하는 원판 위에 액체 방울을 떨어뜨려 넓게 펴는 방식으로, 본 발명의 일실시예의 경우 회전하는 원판(3) 위에 코팅하고자 하는 금속 박막(10)을 올려놓고 액상의 유전체 물질(52)을 떨어뜨려 금속 박막(10) 위에 넓게 유전체 물질이 막을 형성하도록 하며, 회전하는 속도에 따라 유전체 물질의 코팅 두께가 결정될 수 있다.In the spin coating method, as shown in FIG. 2 (b), the liquid droplet is spread out on the rotating disk to widen it. In one embodiment of the present invention, the metal thin film 10 to be coated on the rotating disk 3 The dielectric material 52 of the liquid phase is dropped and the dielectric material is formed on the metal thin film 10 to form a film. The coating thickness of the dielectric material may be determined according to the rotation speed.

본 발명의 실시예에 따른 유전체 물질의 코팅방식은 도 2에서 제시한 코팅 방식 외에도 플로우 코팅(flow coating), 스프레이 코팅(spray coating), 딥 코팅(dip coating), 용사(thermal spray), 잉크젯 프린팅 방식(inkjet printing), 롤 프린팅(roll printing) 방식 등 여러 가지 코팅 방식이 적용될 수 있으며 도 2에서 제시된 테이프 캐스팅 방식이나 스핀코팅 방식에 한정되지는 않는다.The coating method of the dielectric material according to the embodiment of the present invention is flow coating, spray coating, dip coating, thermal spray, inkjet printing in addition to the coating method shown in FIG. 2. Various coating methods such as inkjet printing and roll printing may be applied, and the present invention is not limited to the tape casting method or the spin coating method shown in FIG. 2.

본 발명의 실시예에 따라 전극에 코팅되는 유전체 물질은 상술한 세라믹 슬러리와 마찬가지로 코팅 방식에 따라 적용가능한 다양한 유전체 물질이 사용될 수 있으며 용융 또는 소정의 용매를 통해 유동성을 갖는 상태에서 전극에 코팅되는 것이 바람직하다. Dielectric material coated on the electrode according to an embodiment of the present invention can be used in a variety of dielectric materials that can be applied according to the coating method, as in the above-described ceramic slurry is coated on the electrode in the state of melting or fluidity through a predetermined solvent desirable.

또한, 적용되는 코팅 방식 또는 유전체 물질에 따라 유전체 층의 두께를 넓은 범위에서 비교적 용이하게 조절할 수 있으므로 커패시터의 정전용량 값을 여러가지로 다양하게 하여 제조할 수 있다.In addition, since the thickness of the dielectric layer can be adjusted relatively easily in a wide range according to the coating method or the dielectric material applied, it can be manufactured by variously changing the capacitance value of the capacitor.

상술한 바와 같은 전극-유전체 구조를 갖는 본 발명의 일실시예에 따른 커패시터는 상기 전극-유전체 단위구조를 적어도 하나 이상 활용하여 다양한 정전용량을 갖는 커패시터로 제작될 수 있다.A capacitor according to an embodiment of the present invention having an electrode-dielectric structure as described above may be manufactured as a capacitor having various capacitances by utilizing at least one of the electrode-dielectric unit structures.

도 3 은 본 발명의 일실시 예에 따른 커패시터의 구성이 도시된 예시도로서, 도 3(a)는 전극-유전체 구조가 적층된 커패시터가 도시된 예이며, 도 3(b)는 전극-유전체 구조가 권취된 커패시터가 도시된 예시 도이다.3 is an exemplary view showing a configuration of a capacitor according to an embodiment of the present invention, Figure 3 (a) is an example of a capacitor stacked electrode-dielectric structure, Figure 3 (b) is an electrode-dielectric Exemplary diagram showing a capacitor wound around the structure.

본 발명의 일실시 예에 따른 커패시터는 적어도 하나 이상의 상술한 전극-유전체 구조를 활용하여 제작될 수 있는데, 도 3(a)에 도시된 바와 같이 금속 전극 박막(10)의 일면에 유전체 층(50)이 도포된 전극-유전체 구조를 차례로 다수 적층하여 커패시터를 형성하는 경우, 적층 세라믹 커패시터와 유사한 구조를 가질 수 있다. 이러한 경우 유전체 층(50)의 두께를 얇게 하여 전극 간 거리를 짧게 하거나 적층된 전극의 수를 높여 단위부피당 커패시턴스를 높임으로써 고용량의 커패시터를 제작할 수 있다.The capacitor according to an embodiment of the present invention may be manufactured using at least one of the above-described electrode-dielectric structures, as shown in FIG. 3 (a), the dielectric layer 50 on one surface of the metal electrode thin film 10. When a plurality of electrode-dielectric structures coated with) are sequentially stacked to form a capacitor, the structure may have a structure similar to that of a multilayer ceramic capacitor. In this case, a capacitor having a small thickness can be manufactured by shortening the thickness of the dielectric layer 50 to shorten the distance between electrodes or increasing the number of stacked electrodes to increase capacitance per unit volume.

또한, 도 3(b)에 도시된 바와 같이 적어도 하나 이상의 전극-유전체 구조의 일변을 시작으로 둥글게 말아 권취(rolling)하여 커패시터를 제작할 수도 있는데, 도 1(b)에 도시된 바와 같이 한 쌍 또는 그 이상의 전극(10)-유전체(50) 구조를 형성한 후 권취할 수 있다. 권취하는 경우 하나의 전극(10)이 둥글게 말아지면서 여러 겹으로 이루어질 수 있으므로 유전체 층(50)이 도포된 하나의 전극(10)으로도 커패시터를 형성할 수 있다. In addition, as shown in FIG. 3 (b), a capacitor may be fabricated by rolling the rolls starting from one side of at least one electrode-dielectric structure, as shown in FIG. 1 (b). After forming the electrode 10-dielectric 50 structure further, it can be wound up. In the case of winding, since one electrode 10 is rounded and may be formed in multiple layers, a capacitor may be formed even with one electrode 10 coated with the dielectric layer 50.

이때, 도 3(b)와 같이 권취되어 제작되는 커패시터의 경우 원통의 윗부분을 통해 결선이 이루어질 수 있으며 다수의 전극(10)을 차례로 배치시 전극(10)의 유전체 층이 도포되지 않은 일부가 돌출하도록 배치한 경우에는 돌출되는 부분이 원통의 위 아래 면을 이루도록 권취하는 것이 바람직하다.In this case, in the case of a capacitor manufactured by winding as shown in FIG. 3 (b), a connection may be made through an upper portion of a cylinder, and a portion of the electrode 10 that is not coated with a dielectric layer is protruded when a plurality of electrodes 10 are sequentially arranged. When arranged so as to, it is preferable to wind the protruding portion to form the upper and lower surfaces of the cylinder.

도 3에 도시된 바와 같이 구성되는 커패시터는 그 용도에 따라 다수가 배치되어 필요에 따라 결선을 다르게 하여 동작될 수 있다.A plurality of capacitors configured as shown in FIG. 3 may be arranged according to the purpose of the capacitors, and may be operated with different wiring as necessary.

상술한 바와 같은 전극-유전체 구조가 다수 포함된 커패시터의 경우 전극의 결선에 따라 커패시터의 정전 용량을 조절할 수 있다.In the case of the capacitor including the electrode-dielectric structure as described above, the capacitance of the capacitor may be adjusted according to the connection of the electrodes.

도 4 는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 커패시터의 직렬 결선의 예가 도시된 예시 도이며, 도 5 는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 커패시터의 병렬 결선의 예가 도시된 예시 도이다.4 is an exemplary diagram illustrating an example of series connection of a capacitor according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 5 is an exemplary diagram illustrating an example of parallel connection of a capacitor according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 전극(10)-유전체(50) 구조가 다수 포함되어 있는 커패시터에 있어서 전체 정전용량은 일부가 돌출되어 있는 각 전극 중 어느 전극에 단자를 연결하느냐에 따라 결정될 수 있다. 도 4(a)에 도시된 바와 같이, 맨 아래에 있는 금속 전극과 위에서 첫번째로 배치된 금속 전극에 단자를 연결하는 경우, 금속 전극-유전체- 금속 전극 구조를 하나의 단위 커패시터로 생각하면 양 단자에 연결된 전체 커패시터는 도 4(b)에 도시된 바와 같이 모두 직렬로 연결되며 양 단에 걸리는 총 정전용량은 정전용량 계산식에 따라 그 값이 단위 커패시터의 정전용량 값에 비해 줄어들 수 있다.As shown in FIG. 4, in a capacitor including a plurality of electrode 10-dielectric 50 structures according to an embodiment of the present invention, the total capacitance is a terminal of any one electrode of which each part protrudes. It can be determined by connecting. As shown in Fig. 4 (a), when the terminals are connected to the bottom metal electrode and the first metal electrode disposed above, both terminals are considered when the metal electrode-dielectric-metal electrode structure is considered as one unit capacitor. All the capacitors connected to are connected in series as shown in FIG. 4 (b), and the total capacitance across both ends may be reduced compared to the capacitance value of the unit capacitor according to the capacitance calculation formula.

마찬가지로, 도 5(a)에 도시된 바와 같이 위에서 첫번째로 배치된 금속 전극과 아래에서 두번째로 배치된 금속 전극을 연결하여 하나의 단자를 이루고, 사이에 배치된 어느 금속 전극에 다른 단자를 연결하면, 양 단자에 연결된 전체 커패시터 회로는 도 5(b)에 도시된 바와 같이 상기 다른 단자가 연결된 금속 전극을 공통으로 하는 병렬 결선이 이루어지며 그때의 총 정전용량은 정전용량 계산식에 따라 단 위 커패시터의 정전용량 값과는 다른 값이 산출될 수 있다. Similarly, as shown in FIG. 5 (a), when the first and second metal electrodes disposed above are connected to each other to form one terminal, the other terminal is connected to any metal electrode disposed therebetween. As shown in FIG. 5 (b), the entire capacitor circuit connected to both terminals has a parallel connection common to the metal electrode to which the other terminal is connected, and the total capacitance of the capacitor is determined according to the capacitance calculation formula. A value different from the capacitance value can be calculated.

한편, 본 발명에 따른 전극-유전체 구조는 그 구성을 일부 추가함으로써 다양하게 변용될 수 있다.On the other hand, the electrode-dielectric structure according to the present invention can be variously modified by adding some of its configuration.

도 6 은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 커패시터 단위 구조가 도시된 예시도이다.6 is an exemplary diagram illustrating a capacitor unit structure according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 커패시터의 전극-유전체 구조는 도 6(a)에 도시된 바와 같이 금속 전극(10)을 중심으로 양면에 유전체 층(50', 50”)을 도포하여 구성될 수 있다. 이때 양면에 도포되는 유전체 층(50', 50”)은 도포하는 유전물질이나 그 두께를 서로 다르게 할 수 있으며 이러한 전극-유전체 구조를 차례로 적층하거나 권취하는 경우 각 단위 커패시터 별로 정전 용량이 다르게 형성될 수 있다.An electrode-dielectric structure of a capacitor according to another embodiment of the present invention may be constructed by applying dielectric layers 50 'and 50 "on both sides of the metal electrode 10, as shown in FIG. Can be. In this case, the dielectric layers 50 ′ and 50 ″ coated on both sides may have different dielectric materials or thicknesses thereof, and when the electrode-dielectric structure is stacked or wound in turn, capacitance may be different for each unit capacitor. Can be.

특히, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 커패시터의 전극-유전체 구조는 도 6(b)에 도시된 바와 같이 금속 전극(10)의 일 면에 유전체 층(50)을 도포하고 도포된 유전체 층(50)의 상면에 다시 플라스틱 유전체 필름(70)을 배치할 수 있다. 플라스틱 유전체 필름(70)은 폴리스티렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등 상용되는 플라스틱 유전체 필름(70)이 그대로 활용될 수 있으며, 커패시터의 내열 특성을 위해 제작되는 커패시터가 고주파 대전용으로 사용되는 경우에는 발열에 안정한 PPS(폴리페닐렌 설파이드), 또는 PP(폴리프로필렌) 등을 유전체 물질이나 플라스틱 유전체 필름으로 활용하는 것이 바람직할 수 있다.In particular, the electrode-dielectric structure of the capacitor according to another embodiment of the present invention is coated with a dielectric layer (50) on one side of the metal electrode 10, as shown in Figure 6 (b) The plastic dielectric film 70 may be disposed on the upper surface of the substrate 50 again. The plastic dielectric film 70 may be made of a commercially available plastic dielectric film 70 such as polystyrene, polypropylene, and polyethylene, and is stable to heat generation when a capacitor manufactured for heat resistance of the capacitor is used for high frequency charging. It may be desirable to utilize PPS (polyphenylene sulfide), PP (polypropylene), or the like as the dielectric material or plastic dielectric film.

또한, 유전체 층(50)에 더하여 유전체 필름(70)을 배치함으로써 전극(10) 사이에 배치된 유전체의 유전 특성의 제어가 용이하다. In addition, by disposing the dielectric film 70 in addition to the dielectric layer 50, it is easy to control the dielectric properties of the dielectric disposed between the electrodes 10.

이상과 같이 본 발명에 따른 커패시터 및 그의 제조방법을 예시된 도면을 참조로 하여 설명하였으나 본 발명은 본 명세서에 개시된 실시 예와 도면에 의해 한정되지 않으며 금속 전극 표면에 유전체 박막을 코팅하여 전극-유전체 구조를 형성하는 본 발명의 기술사상은 보호되는 범위 이내에서 당업자에 의해 용이하게 응용될 수 있음은 자명하다.As described above, a capacitor and a method of manufacturing the same according to the present invention have been described with reference to the illustrated drawings. It is apparent that the technical idea of the present invention forming the structure can be easily applied by those skilled in the art within the scope of protection.

도 1 은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 커패시터 단위 구조가 간략하게 도시된 도,1 is a view schematically showing a capacitor unit structure according to a preferred embodiment of the present invention;

도 2 는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 커패시터 제조방법에 있어서, 코팅방식의 예가 도시된 예시도,Figure 2 is an exemplary view showing an example of the coating method in the capacitor manufacturing method according to a preferred embodiment of the present invention,

도 3 은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 커패시터의 구성이 도시된 예시도,3 is an exemplary view showing a configuration of a capacitor according to a preferred embodiment of the present invention;

도 4 는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 커패시터의 직렬 결선 예가 도시된 예시도,4 is an exemplary diagram illustrating an example of series connection of a capacitor according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5 는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 커패시터의 병렬 결선의 예가 도시된 예시도,5 is an exemplary view illustrating an example of parallel connection of a capacitor according to a preferred embodiment of the present invention.

도 6 은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 커패시터의 전극-유전체 구조가 도시된 도이다.6 is a diagram illustrating an electrode-dielectric structure of a capacitor according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10, 10a, 10b: 금속 전극 50, 50a, 50b: 유전체 층10, 10a, 10b: metal electrode 50, 50a, 50b: dielectric layer

70: 플라스틱 필름 유전체70: plastic film dielectric

Claims (12)

다수 금속 전극의 적어도 한 면에 유전체 물질을 코팅하여 유전체 층을 형성하는 단계; 및Coating a dielectric material on at least one side of the plurality of metal electrodes to form a dielectric layer; And 상기 유전체 층이 사이에 배치되도록 상기 다수 금속 전극을 결합하는 단계Coupling the plurality of metal electrodes such that the dielectric layer is disposed therebetween 를 포함하는 커패시터의 제조방법.Method of manufacturing a capacitor comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 결합하는 단계는 상기 다수 금속 전극을 상기 유전체 층이 사이에 배치되도록 차례로 적층하는 단계를 포함하는 커패시터의 제조방법.The coupling step of sequentially stacking the plurality of metal electrodes such that the dielectric layer is disposed therebetween. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 결합하는 단계는 상기 다수 금속 중 적어도 하나 이상의 전극을 상기 유전체 층이 사이에 배치되도록 한 후 권취(rolling)하는 단계를 포함하는 커패시터의 제조방법.Said coupling step comprises rolling at least one electrode of said plurality of metals with said dielectric layer disposed therebetween and rolling. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 유전체층을 형성하는 단계는 상기 유전체 층을 상기 전극 면의 일부에 형성하여 상기 전극의 일부가 돌출되어 외부 결선에 용이하도록 하는 커패시터의 제조방법.The forming of the dielectric layer may include forming the dielectric layer on a portion of the electrode surface to protrude a portion of the electrode to facilitate external connection. 제 1 항에 따른 제조방법으로 제조되어 적어도 일 면에 유전체 층이 형성된 다수의 전극을 포함하는 커패시터.A capacitor comprising a plurality of electrodes manufactured by the manufacturing method according to claim 1 having a dielectric layer formed on at least one surface thereof. 금속 전극의 일면에 유전체 물질을 코팅하여 유전체 층을 형성하는 단계;Coating a dielectric material on one surface of the metal electrode to form a dielectric layer; 상기 유전체 층의 상면에 플라스틱 필름 유전체를 배치하여 커패시터 단위 구조를 형성하는 단계Disposing a plastic film dielectric on an upper surface of the dielectric layer to form a capacitor unit structure 를 포함하는 커패시터의 제조방법.Method of manufacturing a capacitor comprising a. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 커패시터 단위 구조를 차례로 다수 적층하는 단계를 포함하는 커패시터의 제조방법.Stacking the plurality of capacitor unit structures in sequence. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 적어도 하나 이상 적층된 상기 커패시터 단위 구조를 권취(rolling)하는 단계를 포함하는 커패시터의 제조방법.Rolling the capacitor unit structure of at least one stacked. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,The method according to claim 1 or 6, 상기 유전체 층을 형성하는 단계는 유동성을 갖는 상태의 유전체 물질을 스핀코팅 방식으로 도포하는 커패시터의 제조방법.The forming of the dielectric layer may include applying a spin coating method to a dielectric material having fluidity. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,The method according to claim 1 or 6, 상기 유전체 층을 형성하는 단계는 유동성을 갖는 상태의 유전체 물질을 프린팅 방식으로 도포하는 것을 특징으로 하는 커패시터의 제조방법.Forming the dielectric layer is a method of manufacturing a capacitor, characterized in that the coating of the dielectric material in a fluid state by printing. 금속 전극;Metal electrodes; 상기 금속 전극의 적어도 일면에 코팅되는 유전체 층; 및A dielectric layer coated on at least one surface of the metal electrode; And 상기 유전체 층의 상면에 배치되는 플라스틱 필름 유전체A plastic film dielectric disposed on top of the dielectric layer 를 포함하는 커패시터.Capacitor comprising a. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 플라스틱 필름 유전체는 폴리프로필렌 필름인 커패시터.And the plastic film dielectric is a polypropylene film.
KR1020080033012A 2008-04-10 2008-04-10 Capacitor and its producing method KR20090107642A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080033012A KR20090107642A (en) 2008-04-10 2008-04-10 Capacitor and its producing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080033012A KR20090107642A (en) 2008-04-10 2008-04-10 Capacitor and its producing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090107642A true KR20090107642A (en) 2009-10-14

Family

ID=41551113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080033012A KR20090107642A (en) 2008-04-10 2008-04-10 Capacitor and its producing method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090107642A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015115878A1 (en) * 2014-02-03 2015-08-06 주식회사 엘지화학 Winding-type stacked body for condenser with high capacitance and stacked winding-type condenser using same
WO2021249623A1 (en) * 2020-06-09 2021-12-16 Siemens Aktiengesellschaft Method and capacitor unit for high voltage application

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015115878A1 (en) * 2014-02-03 2015-08-06 주식회사 엘지화학 Winding-type stacked body for condenser with high capacitance and stacked winding-type condenser using same
US10784049B2 (en) 2014-02-03 2020-09-22 Lg Chem, Ltd. Winding-type stacked body for condenser with high electrostatic capacitance and stacked winding-type condenser using the same
WO2021249623A1 (en) * 2020-06-09 2021-12-16 Siemens Aktiengesellschaft Method and capacitor unit for high voltage application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9251959B2 (en) Multilayer ceramic condenser and method of manufacturing the same
CN104319096B (en) Multilayer ceramic capacitor
US8310805B2 (en) Multilayer ceramic electronic component including plating material of external terminal electrode disposed in voids of inner conductor and method for manufacturing the same
JP5932946B2 (en) Multilayer ceramic electronic components
US9343231B2 (en) Methods for manufacture a capacitor with three-dimensional high surface area electrodes
JP7283674B2 (en) Laminated ceramic electronic component and manufacturing method thereof
US20140376153A1 (en) Multilayer ceramic capacitor
US20170011853A1 (en) Ceramic electronic component and method for producing the same
JP5730732B2 (en) Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method thereof
EP3314623A1 (en) Coiled capacitor
US20100244585A1 (en) High-temperature capacitors and methods of making the same
JP5733836B2 (en) Multilayer ceramic electronic components
KR101141369B1 (en) A multi-layerd ceramic condenser and fabricating method using thereof
SE529278C2 (en) Capacitor element, method of manufacturing a capacitor element and use of a power capacitor
CN107967995A (en) Capacitor device and its manufacture method
CN110880422A (en) Multilayer capacitor
JP2022075550A (en) Multilayer capacitor
CN113035569A (en) Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing the same
JP2014093517A (en) Multilayer ceramic electronic part, and manufacturing method thereof
CN104637681B (en) Multilayer ceramic electronic component and the plate with the multilayer ceramic electronic component
US10262795B2 (en) Multilayer ceramic electronic component including ceramic-metal compound layers
KR20090107642A (en) Capacitor and its producing method
KR102504064B1 (en) Multilayer capacitor
US20190287721A1 (en) Very high capacitance fim capacitor and method for the production of same
KR101558287B1 (en) A preparation method of dielectric film and high energy density capacitor using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application