KR20090107630A - Semiconductor Integrated Circuit for Supporting a Test Mode and Control Method Thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 집적 회로에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 테스트 모드를 지원하는 반도체 집적 회로 및 그 제어 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일반적으로, 반도체 메모리 장치는 테스트 모드를 통해 각종 동작 모드의 특성 및 신호들의 모니터링을 할 수 있다. 따라서, 반도체 메모리 장치에는 NC(no connection)핀 또는 어드레스 핀을 이용하여, 신호 인가 후 다양한 테스트 모드를 수행할 수 있도록 하고 있다. In general, the semiconductor memory device may monitor characteristics and signals of various operation modes through the test mode. Accordingly, in the semiconductor memory device, various test modes may be performed after a signal is applied using an NC connection pin or an address pin.
이러한 테스트가 수행되기 위해서 반도체 메모리 장치를 일반(normal) 동작 모드가 아닌 테스트 모드로 설정하여, 수행되는 테스트의 종류에 따라 다수의 테스트 모드 항목을 구분하여 설정한다. 다양한 테스트 모드 항목을 구분하도록 n개(n은 2 이상의 자연수)의 입력 신호를 디코딩하여, 2n개의 디코딩 신호를 각각의 테스트 모드용 테스트 신호로서 사용할 수 있다. 테스트 모드를 수행하기 위한 회로부, 즉 타겟 회로부(target circuit)는 각 뱅크마다 존재할 수 있으므로, 이러한 디코 딩 신호는 일단 글로벌 라인으로 전송된다. 따라서, 입력 신호가 증가하면 이에 따라 디코딩 신호도 증가함으로써 글로벌 라인의 수도 증가할 것이며, 이에 대한 배선이 복잡하며 배선 레이아웃(layout)의 면적 또한 증가한다. 그리하여, 라인 너비(width)를 줄이고자 하면, 글로벌 라인의 저항이 증가할 수 있다. 또한, 라인간의 간격이 좁아지면 이로 인한 라인간의 커플링 노이즈(coupling noise)가 발생할 수 있다.In order to perform such a test, the semiconductor memory device is set to a test mode instead of a normal operation mode, and a plurality of test mode items are separately set according to the type of test to be performed. By decoding n input signals (n is a natural number of two or more) to distinguish various test mode items, 2 n decoded signals may be used as test signals for each test mode. Since a circuit portion for performing the test mode, that is, a target circuit, may exist in each bank, such a decoding signal is once transmitted to a global line. Therefore, as the input signal increases, the number of decoded signals increases accordingly, so that the number of global lines increases, and the wiring thereof is complicated and the area of the wiring layout also increases. Thus, if one wants to reduce the line width, the resistance of the global line may increase. In addition, when the spacing between the lines becomes smaller, coupling noise between the lines may occur.
본 발명의 기술적 과제는 디코딩 신호에 대해서 로컬 라인으로 배선시킴으로써, 글로벌 라인 배선의 수를 줄이는 테스트 모드를 지원하는 반도체 집적 회로를 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit that supports a test mode that reduces the number of global line wirings by wiring the decoded signals to local lines.
본 발명의 기술적 과제는 디코딩 신호에 대해서 로컬 라인으로 배선시킴으로써, 글로벌 라인 배선의 수를 줄이는 테스트 모드를 지원하는 반도체 집적 회로의 제어 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a control method of a semiconductor integrated circuit which supports a test mode which reduces the number of global line wirings by wiring the decoded signals to local lines.
본 발명의 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 집적 회로는, 테스트 모드시, 래치된 입력 어드레스를 구동하여 어드레스 구동 신호를 출력하는 어드레스 구동부, 상기 어드레스 구동 신호를 디코딩하여 피테스트 회로부인 타겟 회로부에 제공하는 어드레스 디코딩부 및 상기 어드레스 구동부 및 상기 어드레스 디코딩부 사이에 개재된 글로벌 라인을 포함하며, 상기 어드레스 구동 신호는 상기 래치된 입력 어드레스 수와 동수(同數)의 상기 글로벌 라인으로 전송되며, 상기 어드레스 디코딩부의 출력 신호는 로컬 라인(local line)으로 전송된다.In order to achieve the technical object of the present invention, the semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention, the address driver for driving the latched input address to output the address drive signal in the test mode, by decoding the address drive signal An address decoding section provided to a target circuit section, which is a circuit under test, and a global line interposed between the address driving section and the address decoding section, wherein the address driving signal is equal to the number of latched input addresses. The signal is transmitted on a global line, and the output signal of the address decoding unit is transmitted on a local line.
본 발명의 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 집적 회로는, 테스트 모드 신호가 활성화되면, n 개의 입력 어드레스 신호를 수신하여 래치하는 n개의 래치 유닛을 포함하는 어드레스 래치부, 상기 n개의 래치 유닛과 대응되는 n개의 구동 유닛을 포함하여, n개의 어드레스 구동 신호를 제공하는 어드레스 어드레스 구동부, 상기 n개의 어드레스 구동 신호를 디코딩하여 2n개의 디코딩 신호를 피테스트 회로부인 타겟 회로부에 제공하는 어드레스 디코딩부 및 상기 어드레스 구동부 및 상기 어드레스 디코딩부 사이에 개재된 글로벌 라인을 포함하며, 상기 어드레스 구동 신호는 n개의 상기 글로벌 라인으로 전송되며, 상기 2n개의 디코딩 신호는 로컬 라인(local line)으로 전송된다.According to another aspect of the present invention, a semiconductor integrated circuit may include an address latch unit including n latch units that receive and latch n input address signals when a test mode signal is activated. An address address driver including n drive units corresponding to the n latch units to provide n address drive signals, and a target circuit unit configured to decode the n address drive signals to decode the 2 n decoded signals to be a circuit under test; And a global line interposed between the address driver and the address decoder, wherein the address drive signal is transmitted to the n global lines, and the 2 n decoded signals are local lines. line).
본 발명의 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 집적 회로의 제어 방법은, 래치된 입력 어드레스 수만큼 어드레스 구동 신호를 글로벌 라인으로 전송하는 단계, 상기 어드레스 구동 신호를 디코딩한 디코딩 신호는 로컬 라인으로 전송하는 단계 및 상기 로컬 라인으로 전송된 상기 디코딩 신호를 피테스트 회로부인 타겟 회로부에 연결하여 제공하는 단계를 포함한다.In accordance with another aspect of the present invention, a method of controlling a semiconductor integrated circuit may include transmitting an address driving signal to a global line by the number of latched input addresses, and decoding the address driving signal. The decoded signal includes transmitting on a local line and connecting the decoded signal transmitted on the local line to a target circuit, which is a circuit under test.
본 발명의 일 실시예에 따르면 디코딩 신호에 대해서 로컬 라인으로 배선시킴으로써, 글로벌 라인 배선 수를 감소시킬 수 있다. 간단히 말하면, 어드레스를 래치하고, 버퍼링한 신호를 글로벌 라인으로 배선하고, 타겟 회로부에 인접한 곳에 어드레스 디코딩부를 배치하도록 함으로써, 어드레스 디코딩부로부터 타겟 회로부까지의 디코딩 신호는 로컬 라인으로 배선시킬 수 있다. 이로써, 글로벌 라인 배선 수를 입력 어드레스 수와 동수(同數)로 배선함으로써, 글로벌 라인 배선 수를 감소시킬 수 있다. 이로써, 글로벌 라인 배선 수가 감소되어 레이아웃 면적의 효율을 증가시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the number of global line wirings can be reduced by wiring the decoded signal to local lines. In short, by decoding the address, wiring the buffered signal to the global line, and arranging the address decoding section adjacent to the target circuit section, the decoded signal from the address decoding section to the target circuit section can be routed to the local line. Thereby, the number of global line wirings can be reduced by wiring the number of global line wirings in the same number as the number of input addresses. As a result, the number of global line wirings can be reduced, thereby increasing the efficiency of the layout area.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 집적 회로에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하도록 한다.Hereinafter, a semiconductor integrated circuit according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 집적 회로(100)의 개념적인 블록도이다.1 is a conceptual block diagram of a semiconductor integrated
도 1을 참조하면, 반도체 집적 회로(100)는 어드레스 래치부(110), 어드레스 구동부(120), 어드레스 디코딩부(130) 및 타겟 회로부(140)를 포함한다. Referring to FIG. 1, the semiconductor integrated
우선, 어드레스 래치부(110)는 일련의 어드레스, 예를 들어, 제 1 내지 제 7 어드레스(ADDR<0:6>), 테스트 모드 신호(TMRS) 및 리셋 신호(RESET)에 응답하여 제 1 내지 제 7 래치 어드레스(ILA<0:7>)를 제공한다. 어드레스 래치부(110)는 테스트 모드 신호(TMRS)가 활성화되면 입력되는 제 1 내지 제 7 어드레스(ADDR<0:6>)에 대해 래치하여 제 1 내지 제 7 래치 어드레스(ILA<0:7>)를 제공할 수 있다. 여기서, 테스트 모드 신호(TMRS)는 MRS(Mode Register Set) 또는 SMRS(Special Mode Register Set)와 같이, CAS, RAS, WE 등의 클럭 커맨드의 조합으로 제공될 수 있다. 한편, 리셋 신호(RESET)가 활성화되면, 입력되는 제 1 내지 제 7 어드레스(ADDR<0:6>)와는 무관하게 어드레스 래치부(110)를 초기화시킬 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는, 테스트 모드를 위한 입력 어드레스 신호로 7개의 어드레스 신호를 예시하였으나 이에 제한되는 것은 물론 아니다.First, the
어드레스 구동부(120)는 제 1 내지 제 7 래치 어드레스(ILA<0:7>)를 버퍼링 하여 구동 능력이 향상된 제 1 내지 제 7 구동 어드레스 신호(LA<0:6>)를 제공한다. 이러한 제 1 내지 제 7 구동 어드레스 신호(LA<0:6>)는 글로벌 라인(global line)으로 배선된다.The
종래에는, 래치된 어드레스를 디코딩하고 구동 능력을 향상시키도록 버퍼링한 후, 디코딩된 어드레스 수에 대응되어 글로벌 라인으로 배선하였다. 따라서, 많은 수의 디코딩 신호가 글로벌 라인으로 배선됨으로써, 레이아웃시 라인 배치에 큰 어려움을 겪을 수 있었다. 즉, 수많은 글로벌 라인에 대한 라인간 간격(pitch) 또는 라인의 너비(width)등은 라인을 배치하는데 있어서 제한 요소가 되었다.Conventionally, the latched address is decoded and buffered to improve driving capability, and then wired to a global line corresponding to the number of decoded addresses. Therefore, since a large number of decoded signals are wired to the global lines, it may be difficult to arrange the lines in the layout. That is, the pitch between lines or the width of lines for many global lines has become a limiting factor in arranging lines.
하지만, 본 발명의 일 실시예에 따르면 글로벌 라인의 배선 수를 감소시키도록, 버퍼링된 구동 어드레스 신호를 글로벌 라인으로 배선하였다. 이로써, 입력 어드레스 수와 동수의 글로벌 라인 배선 수를 획득할 수 있다.However, according to one embodiment of the present invention, the buffered drive address signal is wired to the global line so as to reduce the number of wires of the global line. In this way, a global line wiring number equal to the number of input addresses can be obtained.
계속해서, 어드레스 디코딩부(130)에서는 제 1 내지 제 7 구동 어드레스 신호(LA<0:6>)를 디코딩하여 제 1 내지 제 128개의 디코딩 신호(TM<0:127>)를 제공한다. 어드레스 디코딩부(130)는 도시하지 않았으나 통상의 디코더를 포함하는 것으로 예시한다. 이러한 어드레스 디코딩부(130)는 테스트 하고자 하는 회로부, 즉 타켓 회로부(140; target ciruit)에 제공되기 전에만 테스트용 신호인 디코딩 신호를 제공하면 가능하므로, 글로벌 라인으로 배선된 후의 신호를 이용하는 것이 가능하다. 또한, 제 1 내지 제 128개의 디코딩 신호(TM<0:127>)는 로컬 라인으로 배선된다.Subsequently, the
바람직하기로는, 어드레스 디코딩부(130)는 타겟 회로부(140)에 인접하여 배 치하는 것이 좋다. 또한, 타겟 회로부(140)의 수 및 종류에 따라 복수개가 구비되는 것도 배제하지 않는다.Preferably, the
타겟 회로부(140)는 피테스트 회로부로서, 각각의 테스트 목적에 따라 복수개일 수 있다. 예컨대, 타겟 회로부(140)는 입출력 단자(DQ) 관련 회로부, 리드 모드 회로부, 라이트 모드 회로부, 및 각 뱅크별 동작 검증 회로부등을 포함할 수 있다. 따라서, 이러한 타겟 회로부(140)의 수 및 종류에 따라 어드레스 디코딩부(130)도 복수개 구비될 수 있으며, 각각의 타겟 회로부(140)에 인접하여 배치함으로써, 로컬 배선으로 배선시 배선이 용이하도록 제어할 수 있다.The
도 2는 이러한 반도체 집적 회로의 배치 전략(floor plan)에 따른 어드레스 디코딩부(130) 및 타겟 회로부(140)의 위치를 개념적으로 나타낸 개념도이다.FIG. 2 is a conceptual diagram conceptually illustrating positions of the
도 2를 참조하면, 각각의 타겟 회로부(140)에 인접하여 어드레스 디코딩부(130)가 배치된다. 따라서, 어드레스 디코딩부(130)로부터 타겟 회로부(140)간에는 로컬 라인으로 배선시킬 수 있다. 또한, 어드레스 디코딩부(130)의 입력 신호가 되는 제 1 내지 제 7 구동 어드레스(LA<0:6>)에 대해서만 글로벌 라인으로 배선되므로, 종래보다 글로벌 라인의 배선 수를 감소시킬 수 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 2, an
여기서, 타겟 회로부(140)가 각 뱅크마다 서로 다른 위치에 배치되는 것으로 예시하였으나 이에 제한되지 않음은 물론이다. 또한, 각각의 타겟 회로부(140)에 따라 필요한 디코딩 어드레스를 구분할 수 있음을 예시하였다. 다시 말하면, 각각의 어드레스 디코딩부(130)는 타겟 회로부(140)에 따라, 글로벌 라인으로 배선된 제 1 내지 제 7 구동 어드레스(LA<0:6>)로부터 필요한 어드레스 신호만 로컬 라인 으로 연결할 수 있음을 예시적으로 도시하였으나 이에 제한되지 않음은 물론이다. 각각의 어드레스 디코딩부(130)가 모두 동일한 제 1 내지 제 7 구동 어드레스(LA<0:6>)를 이용할 수도 있다.Here, the
도 3은 도 1에 따른 어드레스 래치부(110)의 개념적인 블록도이다.3 is a conceptual block diagram of the
도 3을 참조하면, 어드레스 래치부(110)는 제 1 내지 제 7 래치 유닛(110a-110g)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the
각각의 제 1 내지 제 7 래치 유닛(110a-110g)은 각각의 입력 어드레스, 제 1 내지 제 7 어드레스(ADDR<0:6>)에 대응되며, 테스트 모드 신호(TMRS) 및 리셋 신호(RESET)를 공통으로 수신한다. 그리하여, 제 1 내지 제 7 래치 유닛(110a-110g)은 제 1 내지 제 7 어드레스(ADDR<0:6>)를 수신하여 제 1 내지 제 7 래치 어드레스(ILA<0:6>)를 제공한다. 전술한 바와 같이, 테스트 모드 신호(TMRS)가 활성화되면, 입력 어드레스에 대응되는 래치 유닛에 의해 래치 어드레스를 제공할 수 있다. Each of the first to
이에 대해 도 4을 참조하여 보다 자세히 설명하기로 한다.This will be described in more detail with reference to FIG. 4.
도 4는 도 3에 따른 제 1 래치 유닛(110a)의 상세한 회로도이다.4 is a detailed circuit diagram of the
각각의 제 1 내지 제 7 래치 유닛(110a-110g)의 구성 및 동작 원리는 유사하나, 다만 수신되는 입력 어드레스만 다를 뿐이다. 따라서, 제 1 래치 유닛(110a)을 상세히 설명하는 것으로 나머지 제 2 내지 제 7 래치 유닛(110b-110g)의 설명을 대신하기로 한다.The configuration and operation principle of each of the first to
도 4를 참조하면, 제 1 래치 유닛(110a)은 전송부(111), 초기화부(112) 및 래치부(113)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the
우선, 전송부(111)는 전송 게이트(TR)를 포함한다. 전송 게이트(TR)는 테스트 모드 신호(TMRS)가 활성화되면, 즉 테스트 모드 신호(TMRS)가 하이 레벨이면 턴온되어 제 1 어드레스(ADDR<0>)를 전송시킬 수 있다.First, the
초기화부(112)는 NMOS 트랜지스터(NM)를 포함한다. NMOS 트랜지스터(NM)는 리셋 신호(RESET)를 수신하는 게이트, 노드 a와 연결된 드레인 및 접지 전원(VSS)과 연결된 소스를 포함한다. 그리하여, NMOS 트랜지스터(NM)는 활성화된 리셋 신호(RESET)를 수신하면 노드 a의 레벨을 접지 전원(VSS) 레벨로 강하시킴으로써, 로우 레벨의 제 1 래치 어드레스(ILA<0>)를 제공하도록 한다.The
래치부(113)는 제 2 및 제 3 인버터(INV2, INV3)를 포함한다. 제 2 및 제 3 인버터(INV2, INV3)는 래치 타입으로 연결되어, 노드 a의 레벨을 반전 래치한다.The
계속해서, 제 1 래치 유닛(110a)의 동작을 설명하면, 활성화된 하이 레벨의 테스트 모드 신호(TMRS)가 수신되면, 전송 게이트(TR)가 턴온됨으로써 제 1 어드레스(ADDR<0>)를 전송시킨다. 이는 이후, 래치부(113) 및 제 4 인버터(INV4)를 경유하여 제 1 래치 어드레스(ILA<0>)를 제공한다.Subsequently, when the operation of the
도 5는 도 1에 따른 어드레스 구동부(120)의 블록도이다.5 is a block diagram of the
도 5를 참조하면, 어드레스 구동부(120)는 제 1 내지 제 7 래치 어드레스(ILA<0:6>)를 버퍼링하여 제 1 내지 제 7 구동 어드레스(LA<0:6>)를 제공한다. 어드레스 구동부(120)는 제 1 내지 제 7 구동 유닛(120a-120g)을 포함한다. 이는 제 1 내지 제 7 래치 어드레스(ILA<0:6>)에 대응되도록 각각의 구동 유닛이 구비되는 것을 나타낸다. 제 1 내지 제 7 구동 유닛(120a-120g)은 또한 어드레스 래치부 (도 1의 110 참조)의 각각의 래치 유닛과 대응되도록 구비되는 것임을 알 수 있다.Referring to FIG. 5, the
도 6은 도 5에 따른 제 1 구동 유닛(120a)의 상세한 회로도이다.6 is a detailed circuit diagram of the
각각의 제 1 내지 제 7 구동 유닛(120a-120g)의 구성 및 동작 원리는 유사하나, 다만 수신되는 래치 어드레스만 다를 뿐이다. 따라서, 중복되는 설명을 피하고, 제 1 구동 유닛(120a)에 대해서만 설명하기로 한다. The configuration and operation principle of each of the first to
도 6을 참조하면, 제 1 구동 유닛(120a)은 제 1 및 제 2 인버터(IN1, IN2)를 포함한다. 즉, 통상의 버퍼부와 같은 구동 유닛으로서, 제 1 래치 어드레스(ILA<0>)을 제 1 및 제 2 인버터(IN1, IN2)를 경유시킴으로써 보다 구동 능력이 향상된 제 1 구동 어드레스(LA<0>)로서 제공할 수 있다.Referring to FIG. 6, the
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 집적 회로의 동작 특성을 나타낸 타이밍도이다.7 is a timing diagram illustrating an operating characteristic of a semiconductor integrated circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 7을 참조하면, 제 1 내지 제 7 어드레스(ADDR<0:6>)은 테스트 모드 신호(TMRS)가 활성화되면 제 1 내지 제 7 래치 어드레스(ILA<0:6>)로서 제공될 수 있다. 이어서, 어드레스 구동부(120)를 경유하면서 제 1 내지 제 7 구동 어드레스(LA<0:6>)이 제공된다. 이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 내지 제 7 구동 어드레스(LA<0:6>)는 글로벌 라인으로 배선되는 신호이다. 즉, 글로벌 라인으로 배선되는 수는 종래보다 감소됨을 알 수 있다. 이후, 어드레스 디코딩부(130)를 통해 제 1 내지 제 128 디코딩 신호(TM<0:127>)를 제공할 수 있다. 도 7에서는 제 1 내지 제 128 디코딩 신호(TM<0:127>)중 어느 하나의 디코딩 신호로서 예시하였다.1 to 7, the first to seventh addresses ADDR <0: 6> are provided as the first to seventh latch addresses ILA <0: 6> when the test mode signal TMRS is activated. Can be. Subsequently, the first to seventh driving addresses LA <0: 6> are provided via the
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 테스트 모드용 디코딩 신호의 수와 동수의 글로벌 라인으로 배선되는 것을 방지할 수 있다. 종래 기술과는 달리, 어드레스를 래치하고, 버퍼링한 신호를 글로벌 라인으로 배선하고, 타겟 회로부에 인접한 곳에 어드레스 디코딩부(130)를 배치하도록 함으로써, 어드레스 디코딩부(130)로부터 타겟 회로부(140)까지의 디코딩 신호는 로컬 라인으로 배선시킬 수 있다.As described above, according to an embodiment of the present invention, it is possible to prevent the wiring to the global line equal to the number of decoding signals for the test mode. Unlike the prior art, from the
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 집적 회로도의 블록도이다.8 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit diagram according to another embodiment of the present invention.
도 8을 참조하여, 일 실시예인 도 1과 중복되는 설명은 생략하고 도 1과 다른 점에 대해서 자세히 설명하기로 한다.Referring to FIG. 8, a description overlapping with an embodiment of FIG. 1 will be omitted and will be described in detail with reference to FIG. 1.
도 8을 참조하면, 어드레스 구동부(120) 및 어드레스 디코딩부(130) 사이에, 글로벌 라인의 2분할된 사이에 버퍼부(125)가 개재되어 구비된다. Referring to FIG. 8, between the
버퍼부(125)는 일종의 리피터(repeater) 또는 구동부(driver)로서, 글로벌 라인의 배선이 길 경우, 이를 우선 분할함으로써 글로벌 라인 배선의 로딩(loading)을 감소시킬 수 있다. 그리하여, 글로벌 라인간의 크로스 커플링 노이즈(cross coupling noise)를 감소시킬 수 있다. 그러나, 글로벌 라인의 배선 길이를 분할하였지만, 이 신호를 어드레스 디코딩부(130 참조)까지 안전하게 전달될 수 있도록 버퍼부(125)를 개재하여 구동하였다.The
이는 어디까지나 본 발명의 사상을 나타내는 실시예일뿐, 이에 제한되지 않음은 물론이다. 다만, 디코딩 되기 전의 신호를 글로벌 라인으로 배선하고, 이로부터 테스트용 신호인 디코딩 신호는 로컬 라인으로 배선하면, 수많은 디코딩 신호를 글로벌 라인으로 배선되는 것을 배제할 수 있는 본 발명의 목적 범위를 만족한다.This is merely an embodiment showing the spirit of the present invention, but is not limited thereto. However, if the signal before decoding is wired to the global line, and the decoded signal as the test signal is wired to the local line, this satisfies the object scope of the present invention, which can exclude the wiring of many decoded signals to the global line. .
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.As those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features, the embodiments described above should be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. Should be. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 집적 회로의 블록도,1 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention;
도 2는 도 1에 따른 어드레스 디코딩부 및 타겟 회로부의 위치를 개념적으로 나타낸 개념도,2 is a conceptual diagram conceptually illustrating positions of an address decoding unit and a target circuit unit according to FIG. 1;
도 3은 도 1에 따른 어드레스 래치부의 블록도,3 is a block diagram of an address latch unit according to FIG. 1;
도 4는 도 3에 따른 제 1 래치 유닛의 회로도,4 is a circuit diagram of a first latch unit according to FIG. 3;
도 5는 도 1에 따른 어드레스 구동부의 블록도,5 is a block diagram of an address driver according to FIG. 1;
도 6은 도 5에 따른 제 1 구동 신호의 회로도, 6 is a circuit diagram of a first driving signal according to FIG. 5;
도 7은 도 1에 따른 반도체 집적 회로의 특성을 나타낸 타이밍도, 및7 is a timing diagram illustrating characteristics of a semiconductor integrated circuit according to FIG. 1;
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 집적 회로의 블록도이다.8 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit according to another embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
110 : 어드레스 래치부 120 : 어드레스 구동부110: address latch unit 120: address driver
130 : 어드레스 디코딩부 140 : 타겟 회로부130: address decoding unit 140: target circuit unit
Claims (11)
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KR1020080032995A KR20090107630A (en) | 2008-04-10 | 2008-04-10 | Semiconductor Integrated Circuit for Supporting a Test Mode and Control Method Thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020080032995A KR20090107630A (en) | 2008-04-10 | 2008-04-10 | Semiconductor Integrated Circuit for Supporting a Test Mode and Control Method Thereof |
Publications (1)
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KR20090107630A true KR20090107630A (en) | 2009-10-14 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020080032995A KR20090107630A (en) | 2008-04-10 | 2008-04-10 | Semiconductor Integrated Circuit for Supporting a Test Mode and Control Method Thereof |
Country Status (1)
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-
2008
- 2008-04-10 KR KR1020080032995A patent/KR20090107630A/en not_active Application Discontinuation
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