KR20090102865A - Method of forming a cold cathode fluorescent lamp, thick film electrode compositions used therein and lamps and lcd devices formed thereof - Google Patents

Method of forming a cold cathode fluorescent lamp, thick film electrode compositions used therein and lamps and lcd devices formed thereof

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KR20090102865A
KR20090102865A KR1020097017480A KR20097017480A KR20090102865A KR 20090102865 A KR20090102865 A KR 20090102865A KR 1020097017480 A KR1020097017480 A KR 1020097017480A KR 20097017480 A KR20097017480 A KR 20097017480A KR 20090102865 A KR20090102865 A KR 20090102865A
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통-렌 창
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웬-춘 치우
진-유 루
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이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
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Abstract

The present invention relates to method(s) of fabricating a cold cathode fluorescence lamp (CCFL) utilizing thick film compositions. The CCFL of the present invention may be used in thin film transistor-liquid crystal display (TFT-LCD) applications and for providing a structure of the electrodes of used in TFT-LCD backlight units.

Description

냉음극 형광 램프의 형성 방법, 이에 사용되는 후막 전극 조성물, 및 이로부터 형성된 램프 및 LCD 장치{METHOD OF FORMING A COLD CATHODE FLUORESCENT LAMP, THICK FILM ELECTRODE COMPOSITIONS USED THEREIN AND LAMPS AND LCD DEVICES FORMED THEREOF}TECHNICAL FIELD OF FORMING A COLD CATHODE FLUORESCENT LAMP, THICK FILM ELECTRODE COMPOSITIONS USED THEREIN AND LAMPS AND LCD DEVICES FORMED THEREOF

본 발명은 2006년 5월 24일자로 출원된 미국 가출원 제60/802,912호의 우선권을 주장한다.The present invention claims the priority of US Provisional Application No. 60 / 802,912, filed May 24, 2006.

본 발명은 후막(thick film) 조성물을 이용하여 냉음극 형광 램프(cold cathode fluorescence lamp, CCFL)를 제조하는 방법(들)에 관한 것이다. 본 발명의 CCFL은 박막 트랜지스터-액정 디스플레이(thin film transistor-liquid crystal display, TFT-LCD) 응용에 사용될 수 있으며, TFT-LCD 백라이트 유닛에 사용되는 CCFL의 전극의 구조체를 제공하기 위해 사용될 수 있다.The present invention relates to a method (s) for producing a cold cathode fluorescence lamp (CCFL) using a thick film composition. The CCFL of the present invention can be used for thin film transistor-liquid crystal display (TFT-LCD) applications, and can be used to provide the structure of the electrode of the CCFL used in the TFT-LCD backlight unit.

액정 디스플레이 장치는 편광 필름 면 및 유리 면을 갖는 2개의 편광 유리편을 포함한다. 표면에 (편광 필름과 동일한 방향으로 배향된) 미세한 홈(microscopic groove)을 생성하는 특정 중합체를 유리의 비-편광 필름 면 상에 문질러 바른다. 네마틱(nematic) 액정의 코팅이 필터들 중 하나에 부가된다. 홈은 액정 분자의 제1 층이 필터 배향과 정렬되게 한다. 제2 유리편이 제1 유리편에 직각으로 편광 필름과 함께 부가된다. 액정 분자의 연속적인 층 각각은 최상부 층이 바닥에 대해 90도 각도가 될 때까지 점차적으로 틀어져서, 제2 편광 유리 필터의 배향과 일치된다.The liquid crystal display device includes two polarizing glass pieces having a polarizing film side and a glass side. Specific polymers that produce microscopic grooves (oriented in the same direction as the polarizing film) on the surface are rubbed onto the non-polarizing film side of the glass. A coating of nematic liquid crystal is added to one of the filters. The groove causes the first layer of liquid crystal molecules to align with the filter orientation. A second glass piece is added with the polarizing film at right angles to the first glass piece. Each successive layer of liquid crystal molecules is gradually twisted until the top layer is at an angle of 90 degrees to the bottom, consistent with the orientation of the second polarizing glass filter.

광이 제1 필터에 비추어지면, 광은 편광된다. 액정 분자의 최종 층이 제2 편광 유리 필터와 일치되면, 광이 통과할 것이다. 통과하는 광은 액정 분자에 대한 전하(electric charge)의 사용을 통해 제어된다.If light shines on the first filter, the light is polarized. If the final layer of liquid crystal molecules coincides with the second polarizing glass filter, light will pass through. The light passing through is controlled through the use of electric charges to the liquid crystal molecules.

활성 매트릭스 LCD는 박막 트랜지스터(TFT)에 좌우된다. 기본적으로, TFT는 유리 기판 상에 특정 행렬로 배열된 작은 스위칭 트랜지스터 및 커패시터이다. 이러한 TFT는 어떤 영역이 전하를 수용하는가를 제어하고, 따라서 관찰자가 보게 되는 이미지를 제어한다.Active matrix LCDs depend on thin film transistors (TFTs). Basically, TFTs are small switching transistors and capacitors arranged in a specific matrix on a glass substrate. These TFTs control which regions receive charges, and thus the image that the viewer sees.

LCD 장치로의 광은 백라이트 유닛(backlight unit, BLU)의 사용을 통해서 공급될 수 있다. 두 가지 가능한 백라이트 유닛 유형은 냉음극 형광 램프(CCFL) 및 외부 전극 형광 램프(external electrode fluorescent lamp, EEFL)를 포함한다. 몇몇 실시예에서, EEFL과 비교할 때, CCFL은 개선된 수명/신뢰성 성능 및 준비된 대량 생산 라인 때문에 TFT-LCD BLU 광원으로서 사용되어 왔다.Light to the LCD device can be supplied through the use of a backlight unit (BLU). Two possible backlight unit types include a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) and an external electrode fluorescent lamp (EEFL). In some embodiments, compared to EEFLs, CCFLs have been used as TFT-LCD BLU light sources because of improved lifetime / reliability performance and ready mass production lines.

형광 램프는 광의 생성에 있어서 백열등보다 더 효율적이기 때문에 일반적인 조명 목적을 위한 전형적인 전기 장치에서 조명을 제공하기 위해 사용된다. 형광 램프는 저압 가스 방전원(discharge source)이며, 여기서 광은 아크를 형성하는 수은 플라즈마에 의해 발생된 자외선 에너지에 의해 활성화된 형광 분말에 의해 주로 생성된다. 통상적으로 전극이 각각의 단부 내로 밀봉된 관형 벌브(tubular bulb)의 형태인 램프는 점등을 위한 소량의 불활성 가스와 함께 저압의 수은 증기를 포함한다. 벌브의 내측벽은 통상적으로 형광체로 불리는 형광 분말로 코팅된다. 적당한 전압이 인가될 때, 수은 증기를 통해 전극들 사이에서 흐르는 전류에 의해 플라즈마-형성 아크가 생성된다. 이러한 방전은 약간의 가시 방사선을 발생시킨다. 자외광이 이어서 형광체를 여기시켜 광을 방출한다.Fluorescent lamps are used to provide illumination in typical electrical devices for general lighting purposes because they are more efficient than incandescent lamps in generating light. Fluorescent lamps are low pressure gas discharge sources, where light is mainly produced by fluorescent powders activated by ultraviolet energy generated by mercury plasma forming arcs. Lamps, typically in the form of tubular bulbs with electrodes sealed into each end, contain low pressure mercury vapor with a small amount of inert gas for lighting. The inner wall of the bulb is coated with fluorescent powder, commonly called phosphor. When an appropriate voltage is applied, a plasma-forming arc is created by the current flowing between the electrodes through the mercury vapor. This discharge generates some visible radiation. Ultraviolet light then excites the phosphor to emit light.

몇몇 형광 램프에서, 2개의 전극이 각각의 단부에 하나씩 벌브 내로 기밀 밀봉된다. 이들 전극은 "냉(cold)" 또는 "열(hot)" 음극 또는 전극으로서 작동하도록 설계된다. 냉음극(또는 글로우(glow)) 작동을 위한 전극은 발광 물질로 내부가 코팅된 폐쇄-단부 금속 실린더로 이루어질 수 있다.In some fluorescent lamps, two electrodes are hermetically sealed into the bulb, one at each end. These electrodes are designed to act as "cold" or "hot" cathodes or electrodes. The electrode for cold cathode (or glow) operation may consist of a closed-end metal cylinder coated internally with a luminescent material.

도 1A는 종래 기술의 냉음극 형광 램프(CCFL)를 나타낸다. 램프는 2개의 전극(4)이 각각의 단부로부터 연장되는 전형적으로 유리관(1)인 관형 벌브의 형태이다. 램프는 형광 분말(3) 및 방전 가스(2)를 보유한다. 전형적인 종래 기술의 CCFL 전극은 각각의 전극으로부터 인버터(inverter)까지 접속부(5)를 납땜함으로써 인버터와 CCFL 사이의 전기 접속을 달성한다. 이러한 종래 기술의 CCFL 구조에서, 램프들을 BLU 모듈로 조립하기 전에, 전기 접속은 CCFL 램프의 전극들에 와이어를 납땜함으로써 이루어진다. CCFL 램프를 조립할 때, 와이어가 양 단부에 매달린 이들 램프는 BLU 패널 상에 배치된다. 그리고 나서, 램프로부터 BLU 모듈로의 전기 접속은 BLU 모듈 상의 인버터에 와이어를 추가로 납땜함으로써 행해진다. 이는 매우 시간 및 노동 집약적이다. 도 1B는 종래 기술의 CCFL의 납땜에 의한 접속을 보여준다. 도 1C는 다수의 1-대-2 인버터(6)들을 갖는 전형적인 CCFL을 나타낸다.1A shows a prior art cold cathode fluorescent lamp (CCFL). The lamp is in the form of a tubular bulb, typically a glass tube 1, in which two electrodes 4 extend from each end. The lamp holds the fluorescent powder 3 and the discharge gas 2. Typical prior art CCFL electrodes achieve electrical connection between the inverter and the CCFL by soldering the connections 5 from each electrode to an inverter. In this prior art CCFL structure, the electrical connection is made by soldering the wires to the electrodes of the CCFL lamp before assembling the lamps into the BLU module. When assembling the CCFL lamps, these lamps with wires suspended at both ends are placed on the BLU panel. The electrical connection from the lamp to the BLU module is then made by further soldering the wires to the inverter on the BLU module. This is very time and labor intensive. 1B shows a connection by soldering a prior art CCFL. 1C shows a typical CCFL with multiple 1-to-2 inverters 6.

다른 CCFL 예에서, 금속 캡이 내부 전극에 덧붙여져 CCFL로부터 인버터까지 접속된다. 금속 캡은 납땜에 의해서 램프에 부착된다. 램프는 이어서 BLU 모듈 상의 홀더에 배치 및 클램핑되어 전기 접속을 형성한다. 이 방법은 여전히 금속 캡을 램프에 부착하기 위해 납땜을 필요로 한다. 금속 캡의 향상에도 불구하고, 처리의 용이성, 조립의 용이성 및 램프(들)의 교체에 관해서 CCFL 처리를 향상시킬 필요성이 여전히 존재한다.In another CCFL example, a metal cap is attached to the internal electrode and connected from the CCFL to the inverter. The metal cap is attached to the lamp by soldering. The lamp is then placed and clamped in a holder on the BLU module to form an electrical connection. This method still requires soldering to attach the metal cap to the lamp. Despite the improvement of the metal cap, there is still a need to improve CCFL treatment with regard to ease of handling, ease of assembly and replacement of lamp (s).

도 2A는 금속 캡슐(10)이 유리관(1)의 단부에 결합되고 강유전체(ferrodielectric)가 금속 캡슐의 내부에 적용된 종래의 외부 전극 형광 램프(EEFL)를 예시한다. 이러한 유형의 전극은 그린리(Greenlee)의 미국 특허 제2,624,858호에 개시되어 있다. 그러나, 유리관의 열팽창 계수가 금속 캡슐의 열팽창 계수와 상이하기 때문에 전극의 결합된 부분이 쉽게 손상될 수 있다.2A illustrates a conventional external electrode fluorescent lamp (EEFL) in which a metal capsule 10 is coupled to the end of a glass tube 1 and a ferrodielectric is applied inside the metal capsule. Electrodes of this type are disclosed in US Pat. No. 2,624,858 to Greenlee. However, the bonded portion of the electrode can be easily damaged because the coefficient of thermal expansion of the glass tube is different from that of the metal capsule.

도 2B는 조(Cho) 등의 미국 특허 제6,674,250호에 개시되어 있는 다른 유형의 전극을 예시한다. 조 등의 전극은 전도성 접착제(16)를 사용하여 밀봉 유리관에 부착된 금속 캡(13)이다. 동일한 문헌에서, 도 2C에 도시되어 있는 바와 같이, 전극은 또한 접착제를 가진 전도성 테이프(14)일 수 있으며, 여기서 테이프는 유리관에 부착된다.2B illustrates another type of electrode disclosed in US Pat. No. 6,674,250 to Cho et al. An electrode such as a bath is a metal cap 13 attached to a sealing glass tube using a conductive adhesive 16. In the same document, as shown in Figure 2C, the electrode can also be a conductive tape 14 with an adhesive, where the tape is attached to a glass tube.

도 2D는 다께다(Takeda) 등의 미국 특허 제6,914,391호에 개시되어 있는 다른 유형의 전극을 예시한다. 다께다 등의 문헌에 개시되어 있는 전극은 전기 전도성 실리콘 접착제 층을 사용하여 밀봉 유리관에 부착된 알루미늄 포일(foil, 15)이다.2D illustrates another type of electrode disclosed in US Pat. No. 6,914,391 to Takeda et al. The electrode disclosed in Toda et al. Is an aluminum foil 15 attached to a sealed glass tube using an electrically conductive silicone adhesive layer.

전술된 EEFL에서와 같이, 접착제의 사용은 EEFL 장치의 유리관과 전극 사이에 약한 결합을 생성하는 단점을 갖는다. 접착제는 기계적 결합만을 제공하며, 전극들의 약한 결합은 불량한 신뢰성 성능을 초래할 수 있다. 예를 들어, 금속 캡(전극)과 유리관 사이의 열팽창 계수의 불일치로 인해, 열 사이클 동안에 전극과 유리관 사이에 간극(gap)이 생길 수 있다. 또한, 접착제가 가혹한 환경에서 열화되는 경우 간극이 생길 수 있다. EEFL의 높은 작동 전압이 유리관에 균일하게 인가되지 않을 것이기 때문에, 전극과 유리관 사이의 간극은 EEFL 불량으로 이어질 수 있다. 간극 둘레의 보다 높은 전기 저항은 유리관의 파괴 손상으로 이어진다. 또한, 간극 주위의 보다 높은 응력은 분리를 증대시켜, 신뢰성 시험 동안에 장치의 고장을 가속화할 수 있다.As with the EEFL described above, the use of adhesives has the disadvantage of creating a weak bond between the glass tube and the electrode of the EEFL device. The adhesive provides only mechanical bonding and weak bonding of the electrodes can result in poor reliability performance. For example, a mismatch in the coefficient of thermal expansion between the metal cap (electrode) and the glass tube can cause a gap between the electrode and the glass tube during the thermal cycle. In addition, gaps may occur when the adhesive degrades in harsh environments. Since the high operating voltage of the EEFL will not be applied uniformly to the glass tube, the gap between the electrode and the glass tube can lead to EEFL failure. Higher electrical resistance around the gap leads to breakage damage of the glass tube. In addition, higher stresses around the gap can increase separation, which can accelerate device failure during reliability testing.

본 발명은 신규한 CCFL 형성 방법 및 LCD 장치 형성 방법을 제공함으로써 상기 문제점을 해결한다.The present invention solves the above problems by providing a novel method for forming a CCFL and a method for forming an LCD device.

발명의 개요Summary of the Invention

본 발명은 냉음극 형광 램프를 형성하는 방법으로서, 전기적 기능성 입자 및 유기 매질을 포함하는 전도성 층 후막 조성물을 제공하는 단계; 제1 단부, 제2 단부, 제1 내부 전극, 제2 내부 전극 및 내주벽을 갖는 원통형 유리관 - 여기서, 형광 물질이 상기 내주벽을 따라 제공되고, 방전 가스가 상기 유리관 내로 주입되며, 상기 제1 내부 전극은 상기 유리관 내부로부터 상기 제1 단부를 통해 연장하여서 상기 제1 전극의 내부 및 외부 부분들을 형성하며, 상기 제2 내부 전극은 상기 유리관 내부로부터 상기 제2 단부를 통해 연장하여 상기 제2 전극의 내부 및 외부 부분들을 형성하며, 상기 유리관, 제1 전극 및 제2 전극은 밀봉되어 상기 형광 물질 및 방전 가스가 내부에 포함되도록 된 유리관 구조체를 형성함 - 을 제공하는 단계; 제1 전도성 층 및 제2 전도성 층을 형성하도록, 전도성 층 후막 조성물을 상기 유리관 구조체의 상기 제1 단부 및 제2 단부 상에 적용하는 단계; 및 냉음극 형광 램프를 형성하도록 상기 유리관 및 전도성 층 후막 조성물을 소성하는 단계를 포함하는 방법을 제공한다.The present invention provides a method of forming a cold cathode fluorescent lamp comprising the steps of: providing a conductive layer thick film composition comprising electrically functional particles and an organic medium; Cylindrical glass tube having a first end, a second end, a first inner electrode, a second inner electrode, and an inner circumferential wall, wherein a fluorescent material is provided along the inner circumferential wall, discharge gas is injected into the glass tube, and the first An inner electrode extends from inside the glass tube through the first end to form inner and outer portions of the first electrode, and the second inner electrode extends from inside the glass tube through the second end to extend the second electrode. Forming inner and outer portions of the glass tube, the first electrode and the second electrode being sealed to form a glass tube structure in which the fluorescent material and the discharge gas are contained therein; Applying a conductive layer thick film composition on the first and second ends of the glass tube structure to form a first conductive layer and a second conductive layer; And firing the glass tube and conductive layer thick film composition to form a cold cathode fluorescent lamp.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 적용하는 단계는 침지 코팅(dip coating), 스크린 인쇄, 롤 코팅 및 분무 코팅으로부터 선택된다. 다른 실시예에서, 본 방법은 상기 소성하는 단계 전에 상기 전도성 층 후막 조성물을 건조하는 단계를 추가로 포함한다. 또 다른 실시예에서, 본 방법은 상기 제1 전도성 층 및 상기 제2 전도성 층 중 하나 또는 둘 모두 위에 보호 층 조성물을 제공하는 단계를 추가로 포함한다. 또 다른 실시예에서, 본 발명의 전도성 층 후막 조성물은 유리 프릿(glass frit)을 추가로 포함한다.In one embodiment of the present invention, the applying step is selected from dip coating, screen printing, roll coating and spray coating. In another embodiment, the method further comprises drying the conductive layer thick film composition before the firing step. In yet another embodiment, the method further comprises providing a protective layer composition over one or both of the first conductive layer and the second conductive layer. In yet another embodiment, the conductive layer thick film composition of the present invention further comprises glass frit.

본 발명의 다른 실시예에서, 위에서 상술되고 이하에서 상세하게 설명되는 본 발명의 방법(들)에 의해 냉음극 형광 램프가 형성된다. 또 다른 실시예에서, 위에서 설명된 냉음극 형광 램프를 포함하는 액정 디스플레이 장치가 형성된다.In another embodiment of the present invention, a cold cathode fluorescent lamp is formed by the method (s) of the present invention described above and described in detail below. In yet another embodiment, a liquid crystal display device is formed comprising the cold cathode fluorescent lamp described above.

도 1A는 종래의 냉음극 형광 램프의 예시도.1A is an illustration of a conventional cold cathode fluorescent lamp.

도 1B는 납땜 접속부를 갖는 종래의 단일 냉음극 형광 램프의 예시도.1B is an illustration of a conventional single cold cathode fluorescent lamp with soldered connections.

도 1C는 다수의 1-대-2 인버터 및 납땜 접속부를 갖는 종래의 냉음극 형광 램프들의 예시도.1C is an illustration of conventional cold cathode fluorescent lamps with multiple 1-to-2 inverters and soldered connections.

도 2A 내지 도 2D는 종래의 외부 전극 형광 램프들의 예시도.2A-2D illustrate exemplary external electrode fluorescent lamps.

도 2E 내지 도 2G는 미국 가특허출원 제60/802912호에 개시된 외부 전극 형광 램프의 예시도.2E-2G illustrate exemplary external electrode fluorescent lamps disclosed in US Provisional Patent Application No. 60/802912.

도 3A 내지 도 3E는 본 발명의 냉음극 형광 램프의 예시도.3A to 3E are illustrations of a cold cathode fluorescent lamp of the present invention.

도면 - 도면 부호Drawing-reference sign

1 - 관형 벌브(유리관)1-tubular bulb (glass tube)

2 - 방전 가스2-discharge gas

3 - 형광 층(전형적으로 형광체)3-fluorescent layer (typically phosphor)

4 - 내부 전극4-internal electrode

5 - 납땜 접속부5-solder connection

6 - 인버터6-inverter

10 - 결합된 금속 캡슐10-combined metal capsule

13 - 금속 캡13-metal cap

14 - 접착제를 갖는 전도성 테이프14-conductive tape with adhesive

15 - 알루미늄 포일15-aluminum foil

16 - 접착 물질16-adhesive material

17 - 후막 전도성 페이스트17-thick film conductive paste

18 - 보호 층18-protective layer

19 - 전극에 기계적 접촉하는 EEFL 홀더19-EEFL holder with mechanical contact to the electrode

20 - 전극에 기계적 접촉하는 CCFL 홀더20-CCFL holder with mechanical contact to the electrode

도 2E는 본 명세서에 참고로 포함된 린(Lin) 등의 미국 가특허출원 제60/802,912호(대리인 관리번호 EL-0663)에 개시되어 있는 외부 전극 형광 램프(EEFL)를 나타낸다. 도 2F 및 도 2G는 린 등의 문헌에 기술된 EEFL을 이용하는 무-땜납(solder-free) 접속의 다양한 실시예를 나타낸다. 미국 가특허출원 제60/802,912호는 EEFL 응용에 관한 것이지만, 본 발명은 CCFL 응용에 관한 것이다.FIG. 2E shows an external electrode fluorescent lamp (EEFL) disclosed in U.S. Provisional Patent Application 60 / 802,912 (Agent No. EL-0663), which is incorporated herein by reference. 2F and 2G show various embodiments of solder-free connections using EEFLs as described in Lynn et al . Although U.S. Provisional Patent Application 60 / 802,912 relates to EEFL applications, the present invention relates to CCFL applications.

본 발명의 하나의 이점은 형광 램프의 내부 전극 및 유리관(3)에 대한 후막 전도성 층의 우수한 결합 강도이고, 따라서 내부 전극의 보다 양호한 신뢰성 성능이 달성될 수 있다. 소성 공정 동안에, 전극 페이스트 내의 유리 프릿은 유리관에 대한 전도성 층의 강한 화학적 및 기계적 결합을 제공한다. 종래 기술의 예와 비교할 때, 전극의 강하고 균일하며 밀접한 결합은 신뢰성 및 전기 특성에서 우수한 성능을 제공한다.One advantage of the present invention is the excellent bonding strength of the thick film conductive layer to the inner electrode and the glass tube 3 of the fluorescent lamp, so that better reliability performance of the inner electrode can be achieved. During the firing process, the glass frit in the electrode paste provides strong chemical and mechanical bonding of the conductive layer to the glass tube. Compared with the prior art examples, the strong, uniform and tight coupling of the electrodes provides excellent performance in reliability and electrical properties.

전극의 양호한 결합의 다른 이점은 전기 성능 및 증가된 신뢰성이다. 전극의 강하고 균일한 결합은 램프의 유리관에 대한 전극의 매우 밀접한 접촉을 제공하여서, 전기 저항을 낮추고, 램프에 인가되는 전력을 유리관 내부의 형광 물질을 여기시키기 위한 전력으로 변환시키는 효율을 증대시킨다. CCFL을 작동시키기 위한 AC 전력은 보통 20㎑ 내지 100㎑ 범위이고, 전극과 유리관의 계면에서의 결합은 CCFL에서의 것과 같은 높은 전기 주파수 상태에서 보다 실질적으로 신뢰성 성능에 영향을 미칠 가능성이 클 것이다.Other advantages of good bonding of the electrodes are electrical performance and increased reliability. Strong and uniform bonding of the electrodes provides very close contact of the electrodes to the glass tubes of the lamp, thereby lowering the electrical resistance and increasing the efficiency of converting the power applied to the lamp into power to excite the fluorescent material inside the glass tube. AC power for operating the CCFL is usually in the range of 20 kHz to 100 kHz, and the coupling at the interface of the electrode and the glass tube will likely have more substantial impact on reliability performance at high electrical frequency conditions such as in CCFLs.

본 발명의 추가의 이점은 대량 생산으로의 적응 용이성이다. 롤링, 분무, 침지 등과 같은 본 발명에서의 공정은 전형적으로 산업계에서 실시하기 쉬운 공정이다. 낮은 장비 투자 비용이 요구되며, 높은 성능 재현성을 갖는 CCFL 장치가 제조될 수 있다. 전도성 물질이 종래 기술에서 언급한 바와 같은 테이프, 금속 캡 또는 포일 형태에서보다 본 발명에서 언급된 바와 같은 페이스트 형태일 경우, 전극의 물리적 및 성능 균일성이 달성되기 더 쉽다. 따라서, 고품질의 CCFL 장치가 대량으로 제조될 수 있다. 또한, 본 발명은 후막 페이스트의 사용을 통해서 납땜 접속에 대한 필요성을 제거한다. 페이스트가 램프에 적용되고 소성되어 무-땜납 전극을 형성한다. 램프는 이어서 BLU 모듈 상의 홀더에 배치 및 클램핑되어 완전한 백라이트 유닛을 형성한다.A further advantage of the present invention is the ease of adaptation to mass production. Processes in the present invention, such as rolling, spraying, dipping and the like, are typically processes that are easy to implement in the industry. Low equipment investment costs are required, and CCFL devices with high performance reproducibility can be manufactured. When the conductive material is in the form of a paste as mentioned in the present invention than in the form of a tape, metal cap or foil as mentioned in the prior art, the physical and performance uniformity of the electrode is easier to be achieved. Thus, high quality CCFL devices can be manufactured in large quantities. The present invention also eliminates the need for soldered connections through the use of thick film pastes. The paste is applied to the lamp and fired to form a solderless electrode. The lamp is then placed and clamped in a holder on the BLU module to form a complete backlight unit.

공정의 설명Description of the process

본 발명의 일 실시예에서의 형광 램프 제조 공정들 및 형광 램프의 내부 전극의 구조가 상세하게 설명된다. 본 설명이 단지 제조 공정의 일 예이며 다른 제조 공정들이 당업자에게 알려져 있음을 당업자는 이해할 것이다. The fluorescent lamp manufacturing processes and the structure of the internal electrode of the fluorescent lamp in one embodiment of the present invention are described in detail. Those skilled in the art will appreciate that the present description is merely an example of a manufacturing process and other manufacturing processes are known to those skilled in the art.

도 3A 내지 도 3E는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 형광 램프를 도시한다. 도 3A 내지 도 3E를 참조하면, 형광 램프는 원통형 유리관(1)을 포함한다. 형광 물질(3)은 유리관(1)의 내주벽을 따라 제공된다. 형광 물질이 유리관(1) 내부에 적용된 후, 서로 혼합된 불활성 가스, 수은(Hg) 등을 포함하는 방전 가스(2)가 유리관(1) 내로 주입되고 나서, 유리관(1)의 양 단부가 밀봉된다.3A-3E illustrate fluorescent lamps in accordance with exemplary embodiments of the present invention. 3A to 3E, the fluorescent lamp includes a cylindrical glass tube 1. The fluorescent substance 3 is provided along the inner circumferential wall of the glass tube 1. After the fluorescent material is applied inside the glass tube 1, the discharge gas 2 including the inert gas, mercury (Hg), and the like mixed with each other is injected into the glass tube 1, and then both ends of the glass tube 1 are sealed. do.

형광 램프의 전극들은 유리관(1)의 대향 단부들에 각각 형성된다. 전극(4)의 구조는 후막 전도성 층(17) 및 전도성 층(17)을 부분적으로 또는 완전히 덮는 선택적인 보호 층(18)으로 코팅된다. 유리관(1) 외부로 연장되는 전극(4)의 부분은 전도성 층(17)에 의해 완전히 덮일 수 있거나 전도성 층(17)을 지나 연장될 수 있다.The electrodes of the fluorescent lamp are each formed at opposite ends of the glass tube 1. The structure of the electrode 4 is coated with a thick film conductive layer 17 and an optional protective layer 18 which partially or completely covers the conductive layer 17. The portion of the electrode 4 extending out of the glass tube 1 may be completely covered by the conductive layer 17 or may extend beyond the conductive layer 17.

전도성 층(17)은 Al, Ag, Cu, Pd, Pt 및 이들의 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택된 금속 및 결합제 물질을 포함하는 후막 페이스트이다. 본 발명에서 선택된 금속은 전도성 층(17)에 매우 낮은 전기 저항을 제공한다. 25㎛에서 100 m ohm/sq 미만의 전기 표면 저항(sheet resistance)이 달성될 수 있다. 일 실시예에서, 전기 표면 저항 범위는 25㎛에서 1 내지 10 m ohm/sq 범위이다. 다른 실시예에서, 표면 저항은 25㎛에서 3 m ohm/sq이다. 결합제 조성물은 전도성 층(17)에 유리관(1) 및 전극 물질에 대한 강한 부착성을 제공한다. 전형적으로, 후막 페이스트의 적용 방법은 스크린 인쇄 또는 침지 코팅이다. 그러나, 당업자에게 잘 알려진 다른 방법이 가능하다. 본 발명에서 유용한 적용가능한 후막 필름 페이스트 조성물이 이하에서 상세히 설명된다.Conductive layer 17 is a thick film paste comprising a metal and binder material selected from the group comprising Al, Ag, Cu, Pd, Pt and mixtures thereof. The metal selected in the present invention provides very low electrical resistance to the conductive layer 17. Electrical sheet resistance of less than 100 m ohm / sq at 25 μm can be achieved. In one embodiment, the electrical surface resistance ranges from 1 to 10 m ohms / sq at 25 μm. In another embodiment, the surface resistance is 3 m ohm / sq at 25 μm. The binder composition provides strong adhesion to the glass tube 1 and the electrode material to the conductive layer 17. Typically, the method of application of thick film paste is screen printing or dip coating. However, other methods are well known to those skilled in the art. Applicable thick film film paste compositions useful in the present invention are described in detail below.

I. 후막 페이스트 전도성 층I. Thick Film Paste Conductive Layer

A. 전기적 기능성 입자A. Electrically Functional Particles

도체 응용에서, 기능성 상(functional phase)은 전기적 기능성 도체 분말(들)로 구성된다. 소정의 후막 조성물 중의 전기적 기능성 분말은 단일 유형의 분말, 분말들의 혼합물, 몇몇 원소들의 합금 또는 화합물을 포함할 수 있다. 본 발명에 사용될 수 있는 전기적 기능성 전도성 분말은 금, 은, 니켈, 알루미늄, 팔라듐, 몰리브덴, 텅스텐, 탄탈, 주석, 인듐, 루테늄, 코발트, 탄탈, 갈륨, 아연, 마그네슘, 납, 안티몬, 전도성 탄소, 백금, 구리 및 이들의 혼합물을 포함하지만 이로 한정되지 않는다.In conductor applications, the functional phase consists of electrically functional conductor powder (s). The electrically functional powder in certain thick film compositions may comprise a single type of powder, a mixture of powders, an alloy or compound of several elements. Electrically functional conductive powders that may be used in the present invention include gold, silver, nickel, aluminum, palladium, molybdenum, tungsten, tantalum, tin, indium, ruthenium, cobalt, tantalum, gallium, zinc, magnesium, lead, antimony, conductive carbon, Platinum, copper, and mixtures thereof.

금속 입자는 유기 물질로 코팅되거나 코팅되지 않을 수 있다. 특히, 금속 입자는 계면활성제로 코팅될 수 있다. 일 실시예에서, 계면활성제는 스테아르산, 팔미트산, 스테아레이트의 염, 팔미테이트의 염 및 이들의 혼합물로부터 선택된다. 상대이온(counter-ion)은 수소, 암모늄, 나트륨, 칼륨 및 이들의 혼합물일 수 있지만 이로 한정되지 않는다.Metal particles may or may not be coated with an organic material. In particular, the metal particles may be coated with a surfactant. In one embodiment, the surfactant is selected from stearic acid, palmitic acid, salts of stearate, salts of palmitate and mixtures thereof. Counter-ion may be, but is not limited to, hydrogen, ammonium, sodium, potassium and mixtures thereof.

구형 입자 및 플레이크(flake)(막대, 원뿔, 및 판)를 비롯한 사실상 임의의 형상의 금속 분말(들)이 본 발명을 실시하는 데 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 금속 분말은 금, 은, 팔라듐, 백금, 구리 및 이들의 조합이다. 추가의 실시예에서, 입자는 구형일 수 있다.Virtually any shape metal powder (s), including spherical particles and flakes (rods, cones, and plates) can be used to practice the present invention. In one embodiment, the metal powder is gold, silver, palladium, platinum, copper and combinations thereof. In further embodiments, the particles may be spherical.

추가의 실시예에서, 본 발명은 분산물에 관한 것이다. 분산물은 조성물, 입자, 플레이크 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 금속 분말(들)은 나노크기의 분말일 수 있다. 또한, 전기적 기능성 입자는 계면활성제로 코팅될 수 있다. 계면활성제는 바람직한 분산 특성을 생성하는 것을 도울 수 있다. 전기적 기능성 입자의 전형적인 입자 크기는 대략 10 마이크로미터 미만이다. 입자 크기가 후막 조성물의 적용 방법 및 원하는 특성에 따라 달라질 것임이 이해된다. 일 실시예에서, 2.0 내지 3.5 마이크로미터의 평균 입자 크기(D50)가 사용된다. 추가의 실시예에서, D90은 대략 9 마이크로미터이다. 추가로, 일 실시예에서, 표면적 대 중량 비는 0.7 내지 1.4 m2/g 범위이다.In a further embodiment, the present invention relates to a dispersion. Dispersions may include compositions, particles, flakes or combinations thereof. The metal powder (s) may be nanoscale powders. In addition, the electrically functional particles may be coated with a surfactant. Surfactants can help to produce desirable dispersion properties. Typical particle sizes of electrically functional particles are less than approximately 10 micrometers. It is understood that the particle size will vary depending upon the application of the thick film composition and the desired properties. In one embodiment, an average particle size (D 50 ) of 2.0 to 3.5 micrometers is used. In further embodiments, D 90 is approximately 9 micrometers. In addition, in one embodiment, the surface area to weight ratio is in the range of 0.7 to 1.4 m 2 / g.

B. 유기 매질B. Organic Medium

무기 성분은 전형적으로 기계적 혼합에 의해서 유기 매질과 혼합되어, 스크린 인쇄 및 침지 코팅을 포함하지만 이로 한정되지 않는 적용가능한 코팅 방법을 위해 적합한 주도(consistency) 및 리올로지(rheology)를 갖는, "페이스트"라 불리는 점성 조성물을 형성한다. 매우 다양한 불활성 점성 물질이 유기 매질로서 사용될 수 있다. 유기 매질은 무기 성분이 적절한 안정도로 분산될 수 있는 것이어야 한다. 매질의 리올로지 특성들은, 이들이 고형물의 안정한 분산, 스크린 인쇄를 위한 적절한 점도 및 요변성(thixotropy), 기판 및 페이스트 고형물의 적절한 습윤성, 양호한 건조 속도 및 양호한 소성 특성을 포함한 양호한 적용 특성을 조성물에 부여하도록 하는 것이어야 한다. 본 발명의 후막 조성물에 사용되는 유기 비히클(vehicle)은 바람직하게는 비수성 불활성 액체이다. 증점제, 안정제 및/또는 다른 통상적인 첨가제를 함유하거나 함유하지 않을 수 있는 다양한 유기 히비클들 중 임의의 것이 사용될 수 있다. 유기 매질은 전형적으로 용매(들) 중의 중합체(들)의 용액이다. 부가적으로, 계면활성제와 같은 소량의 첨가제가 유기 매질의 일부일 수 있다. 이러한 목적을 위해서 가장 빈번하게 사용되는 중합체는 에틸 셀룰로오스이다. 본 발명에 유용한 중합체의 다른 예는 에틸히드록시에틸 셀룰로오스, 나무 로진(wood rosin), 바니시 수지, 페놀 수지와 에틸 셀룰로오스의 혼합물을 포함하며, 저급 알코올의 폴리메타크릴레이트가 또한 사용될 수 있다. 후막 조성물에서 발견되는 가장 널리 사용되는 용매는 에스테르 알콜 및 알파-또는 베타-테르핀올과 같은 테르펜 또는 이들과 파인유(pine oil), 등유, 다이부틸프탈레이트, 부틸 카르비톨, 부틸 카르비톨 아세테이트, 헥실렌 글리콜 및 고비등점의 알콜 및 알콜 에스테르와 같은 다른 용매와의 혼합물이다. 게다가, 기판 상에 적용한 후 신속한 경화를 촉진시키기 위한 휘발성 액체가 비히클에 포함될 수 있다. 원하는 점도 및 휘발성 요건을 얻기 위하여 이러한 용매 및 다른 용매의 다양한 조합이 제형된다. Inorganic components are typically mixed with organic media by mechanical mixing to " pastes, " with consistency and rheology suitable for applicable coating methods, including but not limited to screen printing and dip coating. It forms a viscous composition called. A wide variety of inert viscous materials can be used as the organic medium. The organic medium should be one in which the inorganic components can be dispersed with appropriate stability. The rheological properties of the media give them good application properties, including stable dispersion of solids, adequate viscosity and thixotropy for screen printing, adequate wettability of substrate and paste solids, good drying rate and good plasticity properties. It should be. The organic vehicle used in the thick film composition of the present invention is preferably a non-aqueous inert liquid. Any of a variety of organic vehicles, which may or may not contain thickeners, stabilizers and / or other conventional additives, may be used. The organic medium is typically a solution of the polymer (s) in solvent (s). In addition, small amounts of additives such as surfactants may be part of the organic medium. The most frequently used polymer for this purpose is ethyl cellulose. Other examples of polymers useful in the present invention include ethyl hydroxyethyl cellulose, wood rosin, varnish resins, mixtures of phenol resins and ethyl cellulose, and polymethacrylates of lower alcohols may also be used. The most widely used solvents found in thick film compositions are terpenes such as ester alcohols and alpha- or beta-terpinols or these and pine oils, kerosene, dibutylphthalate, butyl carbitol, butyl carbitol acetate, hex Mixtures with other solvents such as styrene glycol and high boiling alcohols and alcohol esters. In addition, volatile liquids may be included in the vehicle to facilitate rapid curing after application on the substrate. Various combinations of these and other solvents are formulated to achieve the desired viscosity and volatility requirements.

유기 매질에 존재하는 중합체는 총 조성물의 0.2 중량% 내지 8.0 중량% 범위 및 이에 포함되는 임의의 범위이다. 본 발명의 후막 전도성 조성물은 유기 매질을 사용하여 소정의 스크린 인쇄가능한 점도로 조정될 수 있다. 일 실시예에서, 후막 전도성 조성물은 은을 포함한다.The polymer present in the organic medium is in the range of 0.2% to 8.0% by weight of the total composition and any range contained therein. The thick film conductive composition of the present invention can be adjusted to a desired screen printable viscosity using an organic medium. In one embodiment, the thick film conductive composition comprises silver.

후막 조성물 중의 유기 매질 대 분산물 중의 무기 성분의 비는 페이스트의 적용 방법 및 사용된 유기 매질의 종류에 따르며, 이는 변할 수 있다. 통상적으로, 분산물은 양호한 습윤성을 얻기 위하여 40 내지 90 중량%의 무기 성분 및 10 내지 60 중량%의 유기 매질(비히클)을 함유할 것이다.The ratio of the organic medium in the thick film composition to the inorganic component in the dispersion depends on the method of applying the paste and the type of organic medium used, which can vary. Typically, the dispersion will contain 40 to 90% by weight of inorganic components and 10 to 60% by weight of organic medium (vehicle) in order to obtain good wettability.

C. 선택적인 유리 프릿C. Optional Glass Frit

본 발명의 전형적인 유리 프릿 조성물(유리 조성물)이 하기 표 1에 열거되어 있다. 본 발명의 유리 프릿은 선택적이다. 유리 화학 분야의 당업자가 부가 성분을 부차적으로 치환하고 본 발명의 유리 조성물의 원하는 특성을 실질적으로 변경시키지 않을 수 있음이 예상되므로, 하기 표 1에 열거된 조성물이 제한하는 것이 아님을 주목하는 것이 중요하다. 예를 들어, 당업자는 유용한 유리 프릿 조성물이 내마모성, 납땜성, 도금뿐만 아니라 다른 특성을 최적화하기 위하여 개질될 수 있음을 이해한다.Typical glass frit compositions (glass compositions) of the present invention are listed in Table 1 below. The glass frit of the present invention is optional. It is important to note that the compositions listed in Table 1 below are not limiting, as it is expected that one of ordinary skill in the art of glass chemistry may subsidize additional ingredients and substantially not change the desired properties of the glass compositions of the present invention. Do. For example, those skilled in the art understand that useful glass frit compositions can be modified to optimize wear resistance, solderability, plating as well as other properties.

총 유리 조성물의 중량%의 유리 조성들이 표 1에 나타나 있다. 예에서 발견되는 바람직한 유리 조성물은 총 유리 조성물의 중량%로 하기의 조성 범위의 하기 산화물 성분을 포함한다: SiO2 4 내지 8, Al2O3 2 내지 3, B2O3 8 내지 25, CaO 0 내지 1, ZnO 10 내지 40, Bi2O3 30 내지 70, SnO2 0 내지 3. 유리의 보다 바람직한 조성은 총 유리 조성물의 중량%로 SiO2 7, Al2O3 2, B2O3 8, CaO 1, ZnO 12, Bi2O3 70이다. 본 발명의 몇몇 실시예는 Pb-무함유 유리 조성물을 포함한다. 유리가 본 발명의 후막 조성물에 사용되는 경우, 이는 처리시 기판과 조성물 사이의 보다 상용적인 열팽창 계수(TCE) 일치로 이어질 수 있다. 특히 유익한 실시예는 후막 조성물이 Pb-무함유 유리를 포함하는 실시예이다.The glass compositions in weight percent of the total glass composition are shown in Table 1. Preferred glass compositions found in the examples include the following oxide components in the following composition ranges in weight percent of the total glass composition: SiO 2 4 to 8, Al 2 O 3 2 to 3, B 2 O 3 8 to 25, CaO 0 to 1, ZnO 10 to 40, Bi 2 O 3 30 to 70, SnO 2 0 to 3. A more preferred composition of the glass is SiO 2 7, Al 2 O 3 2, B 2 O 3 in weight percent of the total glass composition. 8, CaO 1, ZnO 12, Bi 2 O 3 70. Some embodiments of the present invention include Pb-free glass compositions. When glass is used in the thick film compositions of the present invention, this can lead to more common thermal expansion coefficient (TCE) agreement between the substrate and the composition upon treatment. Particularly advantageous embodiments are those wherein the thick film composition comprises a Pb-free glass.

본 발명에서 유용한 유리 프릿은 아사히 글래스 컴퍼니(Asahi Glass Company)로부터 구매가능한 ASF1100 및 ASF1100B를 포함한다.Glass frits useful in the present invention include ASF1100 and ASF1100B, commercially available from Asahi Glass Company.

본 발명의 유리 프릿(유리 조성물)의 평균 입자 크기는 실용적인 응용에서 0.5 내지 5.0 ㎛ 범위이지만, 2.5 내지 3.5 ㎛ 범위의 평균 입자 크기가 바람직하다. 유리 프릿의 연화점(Ts: DTA의 제2 전이점)은 300 내지 600℃ 범위이어야 한다. 전도성 층 후막 조성물에 존재할 때, 총 조성물 중의 유리 프릿의 양은 총 조성물의 0.5 내지 10 중량% 범위이다. 일 실시예에서, 유리 조성물은 총 조성물의 1 내지 3 중량%의 양으로 존재한다. 추가의 실시예에서, 유리 조성물은 총 조성물의 4 내지 5 중량% 범위로 존재한다.The average particle size of the glass frit (glass composition) of the present invention is in the range of 0.5 to 5.0 μm in practical applications, but an average particle size in the range of 2.5 to 3.5 μm is preferred. The softening point (Ts: second transition point of DTA) of the glass frit should be in the range from 300 to 600 ° C. When present in the conductive layer thick film composition, the amount of glass frit in the total composition ranges from 0.5 to 10 weight percent of the total composition. In one embodiment, the glass composition is present in an amount of 1 to 3 weight percent of the total composition. In further embodiments, the glass composition is present in the range of 4-5% by weight of the total composition.

본 명세서에 기재된 유리는 통상적인 유리 제조 기술에 의해 제조된다. 유리가 500 내지 1000 g의 양으로 제조하였다. 전형적으로, 성분들을 칭량하고, 이어서 원하는 비율로 혼합하며, 하부 로딩형 노(bottom-loading furnace)에서 가열하여 백금 합금 도가니에서 용융물을 형성한다. 당업계에 널리 알려진 바와 같이, 용융물이 완전히 액체가 되고 균일하게 되도록 하는 시간 동안 피크 온도(1000 내지 1200℃)까지 가열을 수행한다. 용융된 유리를 역회전 스테인레스강 롤러들 사이에서 켄칭(quenching)하여 10 내지 20 밀(mil) 두께의 유리판을 형성한다. 그리고 나서, 생성된 유리판을 밀링하여 50% 부피 분포가 1 내지 3 마이크로미터에서 설정된 분말을 형성하였다.The glasses described herein are produced by conventional glass making techniques. Glass was prepared in an amount of 500-1000 g. Typically, the components are weighed, then mixed in the desired proportions and heated in a bottom-loading furnace to form a melt in a platinum alloy crucible. As is well known in the art, heating is carried out to a peak temperature (1000-1200 ° C.) for a time that allows the melt to become completely liquid and uniform. The molten glass is quenched between counter rotating stainless steel rollers to form a glass plate of 10 to 20 mils thick. The resulting glass plates were then milled to achieve a 50% volume distribution at 1 to 3 micrometers. The set powder was formed.

II. 전극의 선택적인 II. Selective of electrode 보호 층Protective layer

도 3B 내지 도 3E에서 세부화된 본 발명의 다양한 실시예에서 상술되는 바와 같이, 적어도 부분적으로 전도성 층(17)을 덮는 보호 층(18)이 도시되어 있다. 보호 층(18)은 전체 전도성 층 또는 일부만을 덮을 수 있다. 부가적으로, 몇몇 실시예에서, 전극은 보호 층 내로 연장되고, 보호 층은 전극을 덮는다. 전극의 보호 층(18)은 습기 및 반응성 가스와 같은 환경 요소와의 반응으로부터 전도성 층(17)을 보호하기 위하여 Sn과 같은 저반응성 금속으로 만들어진다. 보호 층은 전적으로 선택적이다.As detailed above in various embodiments of the invention detailed in FIGS. 3B-3E, a protective layer 18 is shown that at least partially covers the conductive layer 17. Protective layer 18 may cover the entire conductive layer or only a portion thereof. Additionally, in some embodiments, the electrode extends into the protective layer, and the protective layer covers the electrode. The protective layer 18 of the electrode is made of a low reactive metal such as Sn to protect the conductive layer 17 from reaction with environmental elements such as moisture and reactive gases. The protective layer is entirely optional.

전도성 층(17)을 유리관(1) 상에 적용하는 다양한 방법이 이용될 수 있다. 유리관(1) 외부로 연장되는 전극(4)의 부분은 전도성 층(17)에 의해 완전히 덮일 수 있거나 전도성 층(17)을 지나 연장될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 전극이 전도성 층에 접속되는 한, 보호 층이 전도성 층 위에 없는 경우에도, 전극은 전도성 층을 지나 연장될 수 있다.Various methods of applying the conductive layer 17 onto the glass tube 1 can be used. The portion of the electrode 4 extending out of the glass tube 1 may be completely covered by the conductive layer 17 or may extend beyond the conductive layer 17. In some embodiments, as long as the electrode is connected to the conductive layer, the electrode may extend beyond the conductive layer even if the protective layer is not over the conductive layer.

몇몇 실시예에서, 전극은 전도성 층을 지나 보호 층 내로 연장된다. 보호 층은 전극 및 전도성 층을 부분적으로 또는 완전히 덮을 수 있다. (위에서 상술된 바와 같은) 금속 분말 및 결합제를 포함한 전극 재료는 함께 잘 혼합되어 전극 페이스트를 형성한다. 전도성 층(17)은 후막 전도성 페이스트로 만들어진다. 상이한 점도의 후막 전도성 페이스트들은 롤링, 분무, 침지 공정 등과 같은 다양한 코팅 공정에 의해서 유리관 및 전극 상에 적용될 수 있다.In some embodiments, the electrode extends past the conductive layer and into the protective layer. The protective layer may partially or completely cover the electrode and the conductive layer. The electrode materials, including the metal powder and the binder (as detailed above), mix well together to form the electrode paste. The conductive layer 17 is made of thick film conductive paste. Thick film conductive pastes of different viscosities can be applied on glass tubes and electrodes by various coating processes such as rolling, spraying, dipping processes and the like.

일 실시예에서, 후막 전도성 페이스트는, 유리관을 페이스트 용기 또는 탱크에 접근시키고, 페이스트를 유리관으로 전달하며, 이어서 유리관이 후막 전도성 페이스트 탱크로부터 떠나게 되어, 유리관의 원하는 위치에 후막 전도성 페이스트의 코팅을 남겨두는 롤 코팅 공정에 의해 적용된다. 롤링 공정 전체에 걸쳐, 유리관은 양 단부를 관통하는 축에 대해 회전하며, 유리관은 탱크 내의 후막 전도성 페이스트의 표면에 대해 작은 각도로 정렬된다.In one embodiment, the thick film conductive paste approaches the glass tube to a paste container or tank, transfers the paste to the glass tube, and then the glass tube leaves the thick film conductive paste tank, leaving a coating of the thick film conductive paste at the desired location of the glass tube. Both are applied by a roll coating process. Throughout the rolling process, the glass tube rotates about an axis passing through both ends, and the glass tube is aligned at a small angle with respect to the surface of the thick film conductive paste in the tank.

다른 실시예에서, CCFL은 후막 페이스트를 노즐을 통해 공기 중으로 방출시켜 액적을 형성하고 페이스트의 액적이 유리관의 단부들 상에 축적되는 것에 의해 행해지는 분무 공정을 통해 전도성 페이스트를 적용함으로써 형성된다. 보다 양호한 코팅 균일성을 위해서 유리관이 공정 동안 회전하는 것이 바람직하다.In another embodiment, the CCFL is formed by applying a conductive paste through a spraying process whereby the thick film paste is released into the air through a nozzle to form droplets and the droplets of the paste accumulate on the ends of the glass tubes. It is desirable that the glass tube rotates during the process for better coating uniformity.

유리관을 전도성 페이스트 중에 침지시키고 탱크 내의 페이스트의 표면으로부터 멀리 이동시킴으로써 침지 공정이 전도성 층 후막 적용에 사용될 수 있다. 유리관의 정렬은 페이스트의 표면에 직각인 것으로 제한되지 않고, 침지 공정 동안 유리관의 회전이 채용될 수 있다.Immersion processes can be used for conductive layer thick film applications by immersing the glass tube in conductive paste and moving away from the surface of the paste in the tank. The alignment of the glass tubes is not limited to being perpendicular to the surface of the paste, and rotation of the glass tubes may be employed during the dipping process.

후속 공정은 전형적으로 유리관의 건조, 소성 및 냉각을 포함한다. 몇몇 실시예에서, 공정의 조건에 따라 특정 건조 단계는 필요치 않다. 건조, 소성 및 냉각의 공정은 배치(batch) 또는 연속 공정 방식으로 행해질 수 있다.Subsequent processes typically include drying, firing and cooling the glass tube. In some embodiments, no specific drying step is necessary depending on the conditions of the process. The processes of drying, firing and cooling can be carried out in a batch or continuous process manner.

일 실시예에서, 건조 공정은 유리관 및 전도성 층을 소정 시간량 동안 50 내지 180℃로 가열하는 것으로 정의되어 이에 의해 수행된다. 유리관의 가열은 복사, 가열된 분위기의 순환 또는 이 둘의 조합에 의해서 건조 오븐에서 행해질 수 있다. 유리관 상에 있는 전극 페이스트 중의 저비등점의 유기 용매는 건조 공정 동안 제거되며, 전도성 층이 건조 후에 물리적 변형에 덜 민감하기 때문에 유리관은 이어서 소성 공정에 처해질 준비가 된다.In one embodiment, the drying process is defined and performed by heating the glass tube and conductive layer to 50 to 180 ° C. for a predetermined amount of time. The heating of the glass tube can be done in a drying oven by radiation, circulation of the heated atmosphere or a combination of both. The low boiling organic solvent in the electrode paste on the glass tube is removed during the drying process and the glass tube is then ready to be subjected to the firing process because the conductive layer is less sensitive to physical deformation after drying.

일 실시예에서, 소성 공정은 유리관 및 전도성 층을 대략 300 내지 600℃ 범위의 온도로 가열하는 것으로 정의되어 이에 의해 행해진다. 유리관은 복사, 가열된 분위기의 순환 또는 이 둘의 조합에 의해서 소성 노에서 가열될 수 있다. 소성 단계 동안, 유리관(1)의 균일한 가열 및 기계적 지지를 위해서 전형적으로 내열성 캐리어(carrier), 예를 들어 석영 튜브가 사용된다. 가열되는 분위기의 조성은, 전도성 페이스트의 다양한 유형 및 전극의 다양한 목표 성능에 대해 변경되고 제어될 수 있다. 연속식 소성 공정에서, 유리관은 유리관을 균일하게 가열하기 위해서 캐리어의 이동 방향에 수직으로 정렬될 수 있다. 소성 공정의 목적은 전도성 층의 낮은 전기 저항(25㎛에서 100 m ohm/sq 미만의 낮은 표면 저항이 달성될 수 있음) 및 유리관에 대한 전도성 층의 높은 결합 강도를 달성하기 위한 것이다. 소성 공정 동안, 전도성 층 후막 내의 모든 유기 물질은 연소된다. 전형적으로, 소성 단계는 300 내지 600℃의 온도 범위에서 일어난다. 소성 후, 금속 및 유리 프릿(후막 조성물에 첨가된 경우)만이 전도성 층에 남는다.In one embodiment, the firing process is defined by and is thereby performed by heating the glass tube and conductive layer to a temperature in the range of approximately 300 to 600 ° C. The glass tubes can be heated in the firing furnace by radiation, circulation of the heated atmosphere or a combination of both. During the firing step, a heat resistant carrier, for example a quartz tube, is typically used for uniform heating and mechanical support of the glass tube 1. The composition of the atmosphere to be heated can be varied and controlled for various types of conductive pastes and various target performances of the electrodes. In a continuous firing process, the glass tubes can be aligned perpendicular to the direction of movement of the carrier to uniformly heat the glass tubes. The purpose of the firing process is to achieve low electrical resistance of the conductive layer (low surface resistance of less than 100 m ohm / sq at 25 μm can be achieved) and high bonding strength of the conductive layer to the glass tube. During the firing process, all the organic material in the conductive layer thick film is burned out. Typically, the firing step takes place in the temperature range of 300 to 600 ° C. After firing, only the metal and glass frit (if added to the thick film composition) remain in the conductive layer.

소성 공정 후, 유리관은 서서히 냉각된다. 냉각 공정은 유리관에 조절된 감소 온도 구배를 제공한다. 냉각 공정 동안 유리관과 전도성 층 사이의 계면에서 열 응력을 천천히 해제하기 위해서 보통의 냉각 속도가 전형적이다. 몇몇 실시예에서, 유리관은 주변 조건에서 적당하게 냉각될 수 있다.After the firing process, the glass tube is cooled slowly. The cooling process gives the glass tube a controlled reduced temperature gradient. Normal cooling rates are typical to slowly release the thermal stress at the interface between the glass tube and the conductive layer during the cooling process. In some embodiments, the glass tube may be suitably cooled at ambient conditions.

본 발명의 일 실시예에서, 유리 프릿은 후막 페이스트 전도성 층에 포함되지 않는다. 이러한 대안적인 실시예에서의 전극 페이스트는 위에서 상술된 Al, Cu, Ag, Au 및 이들의 혼합물과 같은 기능성 금속과, 용매 및 수지와 같은 유기 매질을 포함할 것이다. 이러한 유리-무함유 실시예의 일 실시예에서, 소성 온도는 80 내지 300℃ 범위이다. 추가의 유리-무함유 실시예에서, 소성 온도는 300 내지 600℃ 범위이다. 일 실시예에서, 전기적 기능성 입자는 나노 크기의 입자이다. 몇몇 실시예에서, 후막 조성물은 중합체를 포함하고, 따라서 중합체 후막 조성물이다. 그러한 중합체 후막 조성물은 경화될 수 있다. 이러한 경화는 전형적으로 보다 낮은 소성 온도 및 보다 낮은 에너지 사용을 가능케 한다.In one embodiment of the invention, the glass frit is not included in the thick film paste conductive layer. The electrode paste in this alternative embodiment will include functional metals such as Al, Cu, Ag, Au and mixtures thereof as described above, and organic media such as solvents and resins. In one embodiment of this glass-free embodiment, the firing temperature ranges from 80 to 300 ° C. In further glass-free embodiments, the firing temperature ranges from 300 to 600 ° C. In one embodiment, the electrically functional particles are nano sized particles. In some embodiments, the thick film composition comprises a polymer and is therefore a polymeric thick film composition. Such polymeric thick film compositions can be cured. Such curing typically enables lower firing temperatures and lower energy usage.

이러한 대안적인 유리-무함유 실시예의 이점은 보다 낮은 기계류 비용, 보다 낮은 재료 비용, 및 보다 높은 공정 처리량을 포함한다. 대안적인 실시예의 단점은 보다 낮은 결합 강도 및 약간 더 불량한 전기 성능일 것이다. 유리-함유 및 유리-무함유 실시예 둘 모두는 대량 생산에의 용이한 채택이라는 이점을 공유한다.Advantages of this alternative glass-free embodiment include lower machinery costs, lower material costs, and higher process throughput. Disadvantages of alternative embodiments will be lower bond strength and slightly worse electrical performance. Both glass- and glass-free embodiments share the advantage of easy adoption for mass production.

선택적인 보호 층(18)은 냉각 공정 후에 전도성 층(17)에 적용된다. 전도성 층을 Sn, Ni, 및 Zn과 같이 반응성이 보다 덜한 금속 층으로 코팅하는 것은 보호 층(18)을 제공할 수 있다. 납땜, 전기 도금, 화학 도금과 같은 다양한 코팅 공정이 보호 층(18)을 위해서 채택될 수 있다.An optional protective layer 18 is applied to the conductive layer 17 after the cooling process. Coating the conductive layer with a less reactive metal layer, such as Sn, Ni, and Zn, can provide a protective layer 18. Various coating processes, such as soldering, electroplating, chemical plating, can be employed for the protective layer 18.

후막 페이스트 층의 길이(즉, 유리관의 커버리지(coverage))는 최적화되는 것이 필요하다. CCFL의 후막 커버리지는 램프의 전기 성능에 상당한 영향을 미친다. 보다 긴 커버리지의 램프는 유리관과의 보다 큰 접촉 면적을 가져서, 보다 낮은 전기 저항을 갖는다. 예를 들어, 10 ㎜ 길이의 감소된 길이의 램프를 갖는 램프에서 4 ㎃의 전형적인 관 전류를 얻기 위해서는, 20 ㎜ 길이의 전극을 갖는 램프에서 요구되는 전압의 1.7배만큼 높은 전압이 인가되어야 한다. 보다 짧은 전극을 갖는 램프의 보다 높은 작동 전압은 전극 주변에서의 오존 생성, 백라이트 모듈에서의 특별히 제조된 절연 물질에 대한 필요성, 및 인버터 출력 전압 한계에의 도달과 같은 문제점으로 이어진다. 램프의 더 높은 휘도는 더 높은 작동 전류를 필요로 한다. 높은 작동 전압 없이 높은 전류에서 램프를 작동시키기 위해서, 전극 길이를 증가시키는 해결책이 널리 채택되어 왔다. 이러한 해결책의 단점은 전극이 길수록 램프의 실제 조명 영역이 더 작아질 것이라는 것이다. 따라서, 전극 길이 및 램프 휘도의 최적화가 고려되어야 한다.The length of the thick film paste layer (ie the coverage of the glass tube) needs to be optimized. The thick film coverage of the CCFL has a significant impact on the electrical performance of the lamp. Longer coverage lamps have a larger contact area with the glass tube, resulting in lower electrical resistance. For example, to obtain a typical tube current of 4 mA in a lamp with a reduced length lamp of 10 mm length, a voltage as high as 1.7 times the voltage required in a lamp with a 20 mm length electrode must be applied. Higher operating voltages of lamps with shorter electrodes lead to problems such as ozone production around the electrodes, the need for specially prepared insulating materials in the backlight module, and reaching the inverter output voltage limit. Higher brightness of the lamp requires higher operating currents. In order to operate the lamp at high current without high operating voltage, a solution of increasing the electrode length has been widely adopted. The disadvantage of this solution is that the longer the electrode, the smaller the actual illumination area of the lamp will be. Therefore, optimization of electrode length and lamp brightness should be considered.

Claims (13)

냉음극 형광 램프를 형성하는 방법으로서,As a method of forming a cold cathode fluorescent lamp, 전기적 기능성 입자 및 유기 매질을 포함하는 전도성 층 후막 조성물을 제공하는 단계; Providing a conductive layer thick film composition comprising electrically functional particles and an organic medium; 제1 단부, 제2 단부, 제1 내부 전극, 제2 내부 전극 및 내주벽을 갖는 원통형 유리관 - 여기서, 형광 물질이 상기 내주벽을 따라 제공되고, 방전 가스가 상기 유리관 내로 주입되며, 상기 제1 내부 전극은 상기 유리관 내부로부터 상기 제1 단부를 통해 연장하여서 상기 제1 전극의 내부 및 외부 부분들을 형성하며, 상기 제2 내부 전극은 상기 유리관 내부로부터 상기 제2 단부를 통해 연장하여 상기 제2 전극의 내부 및 외부 부분들을 형성하며, 상기 유리관, 제1 전극 및 제2 전극은 밀봉되어 상기 형광 물질 및 방전 가스가 내부에 포함되도록 된 유리관 구조체를 형성함 - 을 제공하는 단계;Cylindrical glass tube having a first end, a second end, a first inner electrode, a second inner electrode, and an inner circumferential wall, wherein a fluorescent material is provided along the inner circumferential wall, discharge gas is injected into the glass tube, and the first An inner electrode extends from inside the glass tube through the first end to form inner and outer portions of the first electrode, and the second inner electrode extends from inside the glass tube through the second end to extend the second electrode. Forming inner and outer portions of the glass tube, the first electrode and the second electrode being sealed to form a glass tube structure in which the fluorescent material and the discharge gas are contained therein; 제1 전도성 층 및 제2 전도성 층을 형성하도록, 전도성 층 후막 조성물을 상기 유리관 구조체의 상기 제1 단부 및 제2 단부 상에 적용하는 단계; 및Applying a conductive layer thick film composition on the first and second ends of the glass tube structure to form a first conductive layer and a second conductive layer; And 냉음극 형광 램프를 형성하도록 상기 유리관 및 전도성 층 후막 조성물을 소성하는 단계Firing the glass tube and conductive layer thick film composition to form a cold cathode fluorescent lamp 를 포함하는 방법.How to include. 제1항에 있어서, 상기 제1 전도성 층은 상기 제1 전극의 상기 외부 부분을 완전히 덮는 방법.The method of claim 1, wherein the first conductive layer completely covers the outer portion of the first electrode. 제1항에 있어서, 보호 층이 상기 제1 및 제2 전도성 층들 중 하나 이상 위에 적용되는 방법.The method of claim 1, wherein a protective layer is applied over one or more of the first and second conductive layers. 제3항에 있어서, 상기 보호 층은 무연(lead-free) 층인 방법.The method of claim 3, wherein the protective layer is a lead-free layer. 제1항에 있어서, 상기 적용하는 단계는 침지 코팅(dip coating), 스크린 인쇄, 롤 코팅 및 분무 코팅을 포함하는 군으로부터 선택되는 방법.The method of claim 1 wherein said applying step is selected from the group comprising dip coating, screen printing, roll coating and spray coating. 제1항에 있어서, 상기 소성하는 단계 전에 상기 전도성 층 후막 조성물을 건조하는 단계를 추가로 포함하는 방법.The method of claim 1, further comprising drying the conductive layer thick film composition before the firing step. 제1항에 있어서, 상기 전도성 층 후막 조성물은 유리 프릿(glass frit)을 추가로 포함하는 방법.The method of claim 1, wherein the conductive layer thick film composition further comprises glass frit. 제1항에 있어서, 상기 소성하는 단계는 300 내지 600℃의 온도 범위에서 일어나는 방법.The method of claim 1, wherein the firing occurs in a temperature range of 300 to 600 ° C. 3. 제1항에 있어서, 상기 소성하는 단계는 80 내지 300℃의 온도 범위에서 일어나는 방법.The method of claim 1 wherein said firing occurs in a temperature range of 80 to 300 ° C. 제7항에 있어서, 상기 유리 프릿 조성물은 무연 유리 프릿 조성물인 방법.8. The method of claim 7, wherein the glass frit composition is a lead free glass frit composition. 제7항에 있어서, 상기 유리 프릿 조성물은 총 유리 프릿 조성물의 중량%로 SiO2 4 내지 8, Al2O3 2 내지 3, B2O3 8 내지 25, CaO 0 내지 1, ZnO 10 내지 40, Bi2O3 30 내지 70, SnO2 0 내지 3을 포함하는 방법.The method according to claim 7, wherein the glass frit composition is SiO 2 4 to 8, Al 2 O 3 2 to 3, B 2 O 3 8 to 25, CaO 0 to 1, ZnO 10 to 40 by weight percent of the total glass frit composition , Bi 2 O 3 30 to 70, SnO 2 0 to 3 method. 제1항의 방법에 의해 형성된 냉음극 형광 램프.A cold cathode fluorescent lamp formed by the method of claim 1. 제12항의 냉음극 형광 램프를 포함하는 액정 디스플레이 장치.A liquid crystal display device comprising the cold cathode fluorescent lamp of claim 12.
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