KR20090100851A - 화학 기상 증착장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학 기상 증착장치에 관한 것으로, 챔버; 상기 챔버의 하부에 마련되어, 복수의 기판을 탑재하는 서셉터; 상기 챔버의 상부면으로부터 서셉터의 직상부까지 연장되며, 복수의 가스 유입관; 및 상기 가스 유입관을 복수의 관으로 분할하는 복수의 서브 가스 유입관;을 포함하는 가스 유입구; 및 상기 챔버의 하부면에, 상기 기판 상에 화학적 증착반응으로 인해 박막을 형성한 후, 남은 잔여 가스 및 부산물을 배출하는 배출구;를 포함하여 구성된 화학 기상 증착장치를 제공한다.
증착장치, 챔버, 주입구,

Description

화학 기상 증착장치{CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}
본 발명은 화학 기상 증착장치에 관한 것으로, 가스 유입관을 복수의 서브 가스 유입관으로 분리시킴으로써, 가스 유입관 내에서의 와류를 방지하여, 서셉터의 상부면 중앙영역으로 유입되는 가스를 균일하게 공급할 수 있도록 한 화학 기상 증착장치에 관한 것이다.
일반적으로 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition ; CVD)은 여러 가지 기판 상에 다양한 결정막을 성장시키는 데 주요한 방법으로 사용되고 있다. 일반적으로 액상 성장법에 비해, 성장시킨 결정의 품질이 뛰어나지만, 결정의 성장 속도가 상대적으로 느린 단점이 있다.
이것을 극복하기 위해 한 번의 성장 싸이클에서 여러 장의 기판상에 동시에 성장을 실행하는 방법이 널리 채택되고 있다.
최근 반도체 소자의 미세화와 고효율, 고출력 LED 개발등으로 CVD 기술 중 금속유기 화학적 기상증착법 (Metal Organic Chemical Vapor Deposition ; MOCVD) 가 각광받고 있으며, 이러한 MOCVD는 화학적 기상성장법(CVD) 중의 한가지로 유기금속의 열분해반응을 이용해 반도체기판상에 금속화합물을 퇴적.부착시키는 화합물반도체의 기상 성장법을 말한다.
화학 기상 증착장치는 반응가스가 주입되는 방식에 따라, 수평형, 수직형 및 방사형으로 구분된다.
도 1 ~ 도 3은 종래 화학 기상 증착장치의 반응로를 나타낸 것이다.
우선, 도 1은 수평형 반응로를 갖는 화학 기상 증착장치를 나타낸 것으로, 도 1a는 위에서 본 평면도이고, 도 1b는 단면도이다.
도시된 바와 같이, 수평형의 화학 기상 증착장치(10)는, 일정크기의 내부공간을 갖는 챔버(11)의 내부에 복수개의 웨이퍼인 기판(2)이 올려지는 서셉터(suscepter;12)를 회전가능하게 배치하고, 상기 서셉터(12)의 하부에 배치되어 열을 제공하는 히터(13)를 포함하여 구성한다.
이러한 장치(10)는 상기 챔버(11)의 일측으로부터 수평방향으로 반응가스를 흐르게 함으로서 상기 기판(2)상에 증착이 일어나도록 하는 것으로, 도면상 왼쪽의반응가스 유입구를 통하여 유입되는 반응가스가 높은 온도의 기판(2) 상에서 화학적 증착반응으로 인해 박막을 형성하고, 잔류 가스나 부산물은 도면상 오른쪽의 배출구를 통하여 외부로 배출되는 것이다.
도 2는 수직형 반응로를 갖는 화학 기상 증착장치(20)를 나타낸 것으로, 도시된 바와 같이, 화학 기상 증착장치(20)는, 내부공간을 갖는 챔버(21)의 내부에 복수개의 기판(2)이 올려지는 서셉터(suscepter;22)를 회전가능하게 배치하고, 상 기 서셉터(22)의 하부에 배치되어 열을 제공하는 히터(23)를 포함하여 구성한다.
이러한 장치(20)는 상기 챔버(21)의 상부에 형성된 복수 개의 가스 유입구를 형성하여 상기 가스 유입구를 통하여 반응가스가 수직방향으로 챔버(21) 내부로 유입됨으로서, 유입되는 반응가스가 높은 온도의 기판(2) 상에서 화학적 증착반응으로 인해 박막을 형성하고, 잔류 가스나 부산물은 챔버(21)의 벽면을 타고 하부로 배출되는 것이다.
또한, 도 3은 방사형의 반응로를 갖는 화학적 기상증착장치를 나타낸 것으로, 도 3a는 평면도이고, 도 3b는 단면도이다.
도시된 바와 같이, 화학적 기상증착장치(30)는, 내부공간을 갖는 챔버(31)의 내부에 복수개의 기판(2)이 올려지는 서셉터(suscepter;32)를 회전가능하게 배치하고, 상기 서셉터(32)의 하부에서 열을 제공하는 히터(33)를 배치하고, 상기 챔버의 상부면으로부터 서셉터(32)의 직상부까지 연장되는 가스 유입구(34)를 포함하여 구성한다.
이러한 장치(30)는 상기 서셉터(32)의 상부면 근방까지 연장된 가스 유입구(34)를 통하여 반응가스가 서셉터(32)의 상부면 중앙영역으로 유입됨으로서, 유입되는 반응가스가 높은 온도의 기판(2)상에서 화학적 증착반응으로 인해 박막을 형성하고, 잔류 가스나 분산물은 챔버(31)의 벽면을 타고 하부로 배출되는 것이다.
상기한 바와 같은, 종래 화학 기상 증착장치(10, 20, 30)는 서셉터(12, 22, 32)의 외경크기를 확대함으로서, 증착 대상물인 기판(2)의 적재 수를 늘릴 수 있도록 하여, 생산성을 증대시킬 수 있게 된다.
그러나, 종래 방사형 화학 기상 증착장치(30)의 경우, 가스 유입구(34)의 말단에 다공판이 마련되어 있으며, 상기 다공판을 통해 배출된 가스가 서셉터(32)의 상부면 중앙영역으로 유입되는데, 상기 다공판을 지나기 전에 가스 유입구(34) 내부에 큰 와류가 발생되어, 일정한 속도로 가스가 분사되지 않으므로, 기판에 증착되는 박막의 두께가 균일하지 못한 문제가 있었다.
도 4는 종래 방사형 화학 기상 증착장치의 가스 유입구의 단면을 나타낸 것으로, 특히, 도 3b의 A-A'의 단면도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 종래 방사형 화학 기상 증착장치의 가스 유입구(34)는 'L'자 형태로 꺽인 복수의 가스 유입관(34)으로 구성되어 있으며, 그 말단에는 다공판(35)이 마련되어 있다.
한편, 상기 가스 유입구(34)가 도면 상에는 'L'자 형상으로 꺽어진 형태를 나타내고 있으나, 이는 단면을 보여주는 것으로, 실질적으로는 각각의 가스 유입관은 링형태로 이루어진 관과 그 하부가 나팔관처럼 꺽인 형상을 가지고 있다.
상기 다공판(35)은 가스 유입관을 통해 챔버(31) 내부로 배출되는 가스의 유속을 일정하게 유지시켜 주기 위해 마련된 것으로, 복수의 배기공이 형성되어 있다.
상기와 같이 구성된 가스 유입구(34)는 각각의 가스 유입관(34a ~ 34c)을 통해 서로 다른 원료 가스들이 주입되며, 상기 가스 유입관(34a ~ 34c)에 주입된 가스는 상기 다공판(35)을 통해 챔버 내부로 유입된다.
그러나, 상기 가스 유입구(34)가 'L'자 형태로 꺽어짐에 따라, 다공판(35)을 통과하기 전, 꺽임이 생기는 영역에 가스의 와류가 발생하게 된다.
이와 같이, 다공판(35)을 지나기 전에 가스의 와류가 생기게 되면, 다공판(35)을 지난 후에라도, 와류에 의해 일정한 속도의 원료 가스 유입이 어렵게 된다.
즉, 다공판(35)의 위치에 따라, 원료 가스의 유입속도가 달라지게 되므로, 서셉서(32)의 상부면에 마련된 기판(2) 상에 균일한 두께의 박막 증착이 어렵게 되는 것이다.
따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 문제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 각각의 가스 유입관을 복수의 서브 가스 유입관으로 분리시킴으로써, 가스 유입관 내에서의 와류를 방지하여, 서셉터의 상부면 중앙영역으로 유입되는 가스를 균일하게 공급할 수 있도록 한 화학 기상 증착장치를 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 이루어지는 본 발명은, 챔버; 상기 챔버의 하부에 마련되어, 복수의 기판을 탑재하는 서셉터; 상기 챔버의 상부면으로부터 서셉터의 직상부까지 연장되며, 복수의 가스 유입관; 및 상기 가스 유입관을 복수의 관 으로 분할하는 복수의 서브 가스 유입관;을 포함하는 가스 유입구; 상기 챔버의 하부면에, 상기 기판 상에 화학적 증착반응으로 인해 박막을 형성한 후, 남은 잔여 가스 및 부산물을 배출하는 배출구;를 포함하여 구성된 화학 기상 증착장치를 제공한다.
이때, 상기 서브 가스 유입관은, 상기 가스 유입관의 말단까지 연장되어 형성되어 있다.
그리고, 상기 가스 유입관 및 서브 가스 유입관은, 상기 챔버로부터 일직선으로 연장되며, 링 형태의 관을 갖는 제1 관부와 상기 제1 관부의 말단으로부터 외주방향으로 연장된 제2 관부로 이루어지는데, 상기 서브 가스 유입관의 제1 관부는, 상기 가스 유입관의 제2 관부 보다 짧게 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 서브 가스 유입관의 제1 관부를 생략할 수도 있다.
그리고, 상기 복수의 가스 유입관이 서로 인접하는 각각의 가스 유입관의 말단 사이에 분리기(seporator)를 더 포함하여 구성될 수도 있다.
또한, 본 발명은, 복수의 가스 유입관; 및 상기 가스 유입관의 말단까지 형성되어, 각각의 가스 유입관을 복수의 관으로 분할하는 서브 가스 유입관;을 포함하여 구성된 방사형 화학 기상 증착장치의 가스 유입구를 제공한다.
이때에도, 상기 가스 유입관 및 서브 가스 유입관은 링 형태의 관을 가지며, 화학 기상 증착장치의 챔버의 천정으로부터 일직선으로 연장된 제1 관부; 및 상기 제1 관부로부터 외주방향으로 연장된 제2 관부로 이루어지며, 상기 서브 가스 유입관의 제1 관부는, 상기 가스 유입관의 제2 관부 보다 짧게 형성되어 있다.
또한, 상기 서브 가스 유입관의 제1 관부를 생략하는 것도 가능하다.
그리고, 상기 복수의 가스 유입관이 서로 인접하는 각각의 가스 유입관의 말단 사이에 분리기(seporator)를 더 포함하여 구성되며, 상기 분리기는, 각 가스 유입관으로부터 배출된 가스가 그 경계면에서 섞이면서, 발생될 수 있는 와류를 방지해 주는 역할을 한다.
상기한 바와 같이 구성된 본 발명의 기상 증착 장치의 가스 유입구 및 이를 구비한 기상 증착 장치는, 각 가스 유입관 마다에 복수의 서브 가스 유입관이 마련되어 있기 때문에, 상기 서브 가스 유입관에 의해 와류의 발생을 막고, 이에 따라, 챔버 내에 일정한 속도의 가스 유입이 가능하게 되어, 균일한 두께의 박막 증착이 가능해진다.
즉, 종래에는 각 가스 유입관의 하부가 외부방향으로 방사형으로 꺽임에 따라, 상기 꺽어진 영역에서의 와류 발생으로 인하여, 가스 유입관의 말단에 설치된 다공판을 통과할 때, 가스의 배출 속도가 일정하지 않은 문제점이 있었다.
그러나, 본 발명에서는, 각 가스 유입관 내부에 복수의 서브 가스 유입관을 마련함으로써, 꺽임 영역에서의 와류의 발생을 막아, 원료 가스가 일정한 속도로 서셉터 상부면의 중앙영역에 공급되도록 하여, 증착막의 막두께를 균일하게 형성할 수 있게 된다.
상술한 바와 같이 본 발명은, 가스 유입관을 복수의 서브 가스 유입관으로 분리시킴으로써, 가스 유입관 내에서의 와류를 방지하여, 챔버 내로 유입되는 가스를 균일하게 해줌으로써, 증착막의 두께를 균일하여, 공정 수율을 향상시킨다.
이하, 첨부한 도면을 통해 본 발명에 따른 화학 기상 증착장치에 대해 더욱 상세하게 설명하도록 한다.
도 5는 본 발명에 따른 화학 기상 증착장치를 나타낸 단면도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 화학 기상 증착장치(100)는, 내부 공간이 마련된 챔버(131)와, 상기 챔버(131)의 하부에 마련되어 복수의 기판(102)을 탑재하는 서셉터(132) 및 상기 서셉터(132)의 하부에 배치된 히터(133)를 포함하여 구성된다.
상기 히터(133)는 상기 서셉터(132)에 열을 제공함으로써, 상기 기판(102)의 온도를 증착에 적합한 온도로 상승시켜 주며, 상기 서셉터(132)의 회전이 가능하여, 기판(102) 전체의 온도를 균일하게 유지시켜 준다.
상기 챔버(131)의 천정에는, 상기 챔버의 상부면으로부터 서셉터(132)의 직상부까지 연장되는 가스 유입구(134)가 마련되어 있으며, 상기 챔버(131)의 하부에는 가스의 화학적 증착반응을 통해 상기 기판(102) 상에 박막을 형성한 후, 남은 잔여 가스 및 부산물을 배출시키는 배출구(미도시)가 마련되어 있다.
즉, 상기 서셉터(132)의 상부면 근방까지 연장된 가스 유입구(134)를 통하여 반응가스가 서셉터(132)의 상부면 중앙영역으로 유입됨으로서, 유입되는 반응가스가 높은 온도의 기판(102)상에서 화학적 증착반응으로 인해 박막을 형성하고, 잔류 가스나 분산물은 챔버(131)의 벽면을 타고 하부로 배출되는 것이다.
상기 반응가스 유입구(134)는, 서로 다른 종류의 원료 가스를 공급할 수 있도록, 복수의 가스 유입관으로 이루어져 있으며, 상기 가스 유입관은 그 내부를 분할하는 복수의 서브 가스 유입관으로 이루어져 있다.
즉, 각각의 독립된 가스 유입관은 그 내부에 복수의 서브 가스 유입관을 포함하고 있는 것이다.
한편, 도면에 상세하게 나타내지는 않았지만, 상기 반응가스 유입구(134)는 챔버(131)의 상부면으로부터 일직선으로 연장되어 링 형상의 관을 갖는 제1 관부와 상기 제1 관부로부터 외부방향으로 연장된 제2 관부로 이루어져 있다. 따라서, 제1 관부의 중심축을 기준으로, 좌우 대칭인 구조를 갖는다.
도 6은 본 발명에 따른 반응가스 유입구(134)를 상세하게 나타낸 것으로, 특히, 제1 관부의 중심축을 기준으로, 어느 한쪽의 대칭면을 나타낸 단면도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른, 반응가스 유입구(134)는, 제1 ~ 제3 가스 유입관(135a ~ 135c)으로 구성되며, 상기 제1 가스 유입관(135a)에는 제1 원료가스가 공급되고, 상기 제2 가스 유입관(135b)에는 제1 원료가스가 공급되며, 상기 제3 가스 유입관(135c)에는 제2 원료가스가 각각 공급된다.
이때, 각각의 가스 유입관(135a ~ 135c)은, 챔버의 천정면으로부터 수직으로 형성된 제1 관부와 상기 제1 관부로부터 외주 방향으로 연장된 제2 관부로 이루어 져 있으며, 상기 제1 관부는 링 형상의 관을 갖는다.
또한, 각각의 가스 유입관(135a ~ 135c)에는, 복수의 서브 가스 유입관(136)이 마련되어 있으며, 상기 서브 가스 유입관(136)은 상기 가스 유입관(135)을 복수의 통로로 분할하는 역할을 한다.
즉, 상기 제1 가스 유입관(135a)에는 복수의 제1 서브 가스 유입관(136a)이 형성되고, 상기 제2 가스 유입관(135b)에는 복수의 제2 서브 가스 유입관(136b)이 형성되어 있으며, 상기 제3 가스 유입관(135c)에는 복수의 제3 서브 가스 유입관(136c)이 각각 형성되어 있다.
상기 제1 ~ 제3 서브 가스 유입관(136a ~ 136c)에는, 상기 제1 ~ 제3 가스 유입관(135 ~ 135c)에 공급된 원료가스가 공급되게 된다.
즉, 복수의 제1 서브 가스 유입관(136a)에는 제1 원료가스가 공급되고, 복수의 제2 서브 가스 유입관(136b)에는 제2 원료가스가 공급되며, 복수의 제3 가스 서브 유입관(136c)에는 제3 원료가스가 공급된다.
다시 말해, 상기 제1 ~ 제3 가스 유입관(135a ~ 135c)은, 각각이 복수의 서브 유입관을 포함하고 있는 것이다.
이때, 상기 가스 유입관(135)에 공급되는 원료가스의 종류는 서셉터 상에 탑재된 기판 상에 형성하고자 하는 증착막의 종류에 따라 결정되므로, 상기 가스 유입관(135)은 형성하고자 하는 증착막에 따라 그 수를 결정할 수 있다. 즉, 도면상에는 3개의 가스 유입관이 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정하지 않고, 복수의 가스 유입관을 모두 포함할 수 있을 것이다.
상기한 바와 같이, 복수의 서브 가스 유입관(136)을 통해, 각각의 가스 유입관(135)을 복수의 통로로 분할함으로써, 상기 가스 유입관(135)을 지나는 반응가스의 와류를 방지할 수 있게 된다. 즉, 본 발명의 가스 유입관(135)은 종래에 비해 그 통로가 좁기 때문에, 상기 가스 유입관(135)을 지나는 반응가스의 와류 발생을 줄일 수 있으며, 특히, 제1 관부로부터 외부 방향으로 연장되어 제2 관부가 시작되는 영역, 즉 가스 유입관(135)이 꺽이는 영역에서의 와류 발생을 효과적으로 방지할 수가 있게 된다.
또한, 제1 ~ 제3 가스 유입관(135a ~ 135c)을 복수의 통로로 분할함에 따라, 종래의 다공판을 생략할 수 있게 된다. 즉, 종래에는 가스의 유속을 일정하게 유지시켜 주기 위해 가스 유입관의 말단에 다공판을 별도로 구비하였으나, 본 발명에서는 상기 복수의 서브 가스 유입관(136)이 다공판의 역할을 대신하기 때문에, 다공판을 생략할 수 있는 것이다.
다시 말해, 상기 복수의 서브 가스 유입관(136)은, 가스 유입관(135) 내에서 반응가스의 와류를 막아 반응 가스의 유속을 균일하고 일정하게 유지시켜주고, 이를 그대로 챔버 내부로 배출시킴에 따라 증착막이 균일한 두께로 형성될 수 있도록 한다.
한편, 각각의 가스 유입관(135a ~ 135c)의 경계면의 말단에 분리기(seporator)를 추가로 설치할 수도 있다.
상기 분리기(137)는 상기 제1 ~ 제3 가스 유입관(135a ~ 135c)으로부터 배출된 반응가스가 혼합되면서 발생될 수 있는 와류를 방지해 준다. 즉, 상기 제1 가 스 유입관(135a)을 통해 배출된 제1 원료가스와 제2 가스 유입관(135b)을 통해 배출된 제2 원료가스가 혼합되면서, 그 경계영역에서 와류가 발생될 수 있다. 이때, 상기 분리기는 상기 제1 및 제2 원료가스가 혼합되는 시기를 늦추어줌으로써, 와류의 발생을 막아, 일정한 속도로 가스가 챔버 내에 유입될 수 있도록 한다.
한편, 상기 제2 가스 유입관(135b)과 제3 가스 유입관(135c)의 경계면의 말단에도 분리기는 마련되어 있으며, 이때에도, 상기 분리기(137)는 제2 가스 유입관(135b)을 통해 배출된 제2 원료가스와 제3 가스 유입관(135c)을 통해 배출된 제3 원료가스의 경계영역에서 발생될 수 있는 와류를 방지해준다.
상기한 바와 같이 본 발명은, 가스 유입관에 복수의 서브 가스 유입관을 마련하여, 상기 가스 유입관 내에서의 와류의 발생을 막아 챔버 내에 일정한 속도의 가스 유입이 가능하게 되어, 균일한 두께의 박막 증착이 가능하도록 한다.
이때, 상기 서브 가스 유입관은 상기 가스 유입관과 마찬가지로, 챔버의 천정면에 수직인 제1 관부와 상기 제1 관부로부터 외주방향으로 연장된 제2 관부로 이루어져 있으며, 상기 서브 가스 유입관의 제1 관부는 상기 가스 유입관의 제1 관부 내에 어떠한 높이로든 형성될 수 있으며, 특히, 상기 서브 가스 유입관의 제1 관부가 생략되고, 제2 관부만 형성될 수도 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 가스 유입관을 나타낸 것으로, 특히, 도 6의 제1 가스 유입관(135a)의 내부를 나타낸 것이다.
먼저, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 가스 유입관(135a) 및 제1 서브 가스 유입관(136a)은 챔버의 천정면에 대해 수직인 제1 관부(138a)와 상기 제1 관 부(138a)로부터 외주 방향으로 연장된 제2 관부(139a)로 이루어져 있으며, 상기 제1 서브 가스 유입관(136a)의 제1 관부(138b)는 상기 제1 가스 유입관(135a)의 제1 관부(138a)에 비해 그 높이가 낮다.
이때, 상기 제1 서브 가스 유입관(136a)의 제1 관부(138b)의 높이는 상기 제1 가스 유입관(135a)의 제1 관부(138a) 보다 낮다면, 어느 높이든 형성될 수 있다.
한편, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제1 서브 가스 유입관(136a)의 제1 관부가 생략되는 것도 가능하다.
이와 같이, 본 발명은, 화학 기상 증착장치에 있어서, 복수의 가스 유입관으로 분리된 반응가스 유입구에 있어서, 각각의 가스 유입관의 유입 통로를 복수의 서브 가스 유입관으로 분리시킴으로써, 반응가스가 유입되는 유입통로를 줄여 가스의 와류를 방지할 수 있도록 한 것으로, 가스 유입관 내에 복수의 서브 가스 유입간 만을 구비한다면, 챔버 내부의 구조 및 히터 방식 등에 상관없이, 모두 본 발명에 포함될 것이다.
따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1 ~ 도 3은 종래의 화학 기상 증착장치를 나타낸 도면.
도 4는 종래의 반응가스 유입관을 상세하게 나타낸 도면.
도 5는 본 발명에 따른 화학 기상 증착장치를 나타낸 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 화학 기장 증착장치의 반응가스 유입구를 상세하게 나타낸 도면.
도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 제1 가스 유입관의 내부를 나타낸 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 화학 기상 증착 장치 102 : 기판
131 : 챔버 132 : 서셉터
133 : 히터 134 : 가스 유입구
135 : 가스 유입관 136 : 서브 가스 유입관
138a : 가스 유입관의 제1 관부 138b : 서브 가스 유입관의 제1 관부
139a: 가스 유입관의 제2 관부 139b : 서브 가스 유입관의 제2 관부

Claims (9)

  1. 챔버;
    상기 챔버의 하부에 마련되어, 복수의 기판을 탑재하는 서셉터;
    상기 챔버의 상부면으로부터 서셉터의 직상부까지 연장되며, 복수의 가스 유입관; 및 상기 가스 유입관을 복수의 관으로 분할하는 복수의 서브 가스 유입관;을 포함하는 가스 유입구; 및
    상기 챔버의 하부면에, 상기 기판 상에 화학적 증착반응으로 인해 박막을 형성한 후, 남은 잔여 가스 및 부산물을 배출하는 배출구;
    를 포함하여 구성된 화학 기상 증착장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 서브 가스 유입관은, 상기 가스 유입관의 말단까지 연장되어 형성된 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착장치.
  3. 상기 1항에 있어서,
    상기 가스 유입관 및 서브 가스 유입관은, 상기 챔버로부터 일직선으로 연장되며, 링 형태의 관을 갖는 제1 관부와 상기 제1 관부의 말단으로부터 외주방향으 로 연장된 제2 관부로 이루어진 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 서브 가스 유입관의 제1 관부는, 상기 가스 유입관의 제2 관부 보다 짧은 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 가스 유입관이 서로 인접하는 각각의 가스 유입관의 말단 사이에 분리기(seporator)를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착장치.
  6. 복수의 가스 유입관; 및
    상기 가스 유입관의 말단까지 형성되어, 각각의 가스 유입관을 복수의 관으로 분할하는 서브 가스 유입관;
    을 포함하여 구성된 방사형 화학 기상 증착장치의 가스 유입구.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 가스 유입관 및 서브 가스 유입관은 링 형태의 관을 가지며, 화학 기상 증착장치의 챔버의 천정으로부터 일직선으로 연장된 제1 관부; 및
    상기 제1 관부로부터 외주방향으로 연장된 제2 관부;
    를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 방사형 화학 기상 증착장치의 가스 유입구.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 서브 가스 유입관의 제1 관부는, 상기 가스 유입관의 제2 관부 보다 짧은 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착장치의 가스 유입구.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 가스 유입관이 서로 인접하는 각각의 가스 유입관의 말단 사이에 분리기(seporator)를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착장치의 가스 유입구.
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