KR20090096583A - 어드밴스 프로브카드의 정열판 제조방법 - Google Patents
어드밴스 프로브카드의 정열판 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090096583A KR20090096583A KR1020090034957A KR20090034957A KR20090096583A KR 20090096583 A KR20090096583 A KR 20090096583A KR 1020090034957 A KR1020090034957 A KR 1020090034957A KR 20090034957 A KR20090034957 A KR 20090034957A KR 20090096583 A KR20090096583 A KR 20090096583A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- alignment plate
- alignment
- plate
- photoresist
- groove
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07364—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
- G01R1/07371—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate card or back card with apertures through which the probes pass
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
- G01R31/2879—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to electrical aspects, e.g. to voltage or current supply or stimuli or to electrical loads
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
Claims (6)
- 상부정열판(5)과 중간접촉정열판(55)과 하부정열판(25))의 제조방법A은선정된 정열판 상면에 산화막을 증착하는 a단계;증착된 산화막 위에 1차포토레지스트를 도포하는 b단계;도포된 포토레지스트위에 개구홈 형상이 패턴된 1차마스크로 노광과 현상을 패터닝하는 c단계;패터닝 된 개구홈 형상을 소정깊이로 건식식각하는 d단계;정열판 상면에 잔류한 산화막과 1차포토레지스트를 제거하는 e단계;정열판 하면에 산화막을 증착하는 f단계;산화막이 증착된 정열판 하면 위에 2차 포토레지스트를 도포하는 g단계;도포된 2차포토레지스트위에 돌기 형상이 패턴 된 2차마스크로 노광과 현상을 패터닝하는 h단계;패터닝 된 돌기를 습식식각하는 i단계;정열판 하면에 잔류한 산화막과 2차포토레지스트를 제거하는 j단계;정열판 전면에 절연막을 증착하는 k단계;돌기가 없는 면에 중합체를 증착하는 l단계; 로 이루어지는 어드밴스 프로브카드의 정열판 제조방법.
- 상부정열판(5)과 중간접촉정열판(55)과 하부정열판(25)의 제조방법B은선정된 정열판에 산화막을 증착하는 a단계;증착된 산화막 위에 1차포토레지스트를 도포하는 b단계;도포된 포토레지스트위에 돌기 형상이 패턴된 1차마스크로 노광과 현상을 패터닝하는 c단계;패터닝 된 돌기을 소정깊이로 습식식각하는 d단계;정열판에 잔류한 산화막과 1차포토레지스트를 제거하는 e단계;습식식각된 정열판 산화막 위에 2차포토레지스트를 도포하는 f단계;도포된 2차포토레지스트위에 개구홈 형상의 패턴 된 2차마스크로 노광과 현상을 패터닝하는 g단계;패터닝 된 개구홈 형상을 소정깊이로 건식식각하는 h단계정열판에 잔류한 2차포토레지스트를 제거하는 i단계;정열판 전면에 절연막을 증착하는 j단계; 로 이루어지는 어드밴스 프로브카드의 정열판 제조방법.
- 십자정열판(60,65A,70)의 제조방법C은선정된 정열판 상면에 1차포토레지스트를 도포하는 a단계;도포된 1차포토레지스트위에 개구홈 형상이 패턴 된 1차마스크로 노광과 현상을 패터닝하는 b단계;패터닝 된 개구홈 형상을 소정깊이로 건식식각하는 c단계;정열판 상면에 잔류한 1차포토레지스트를 제거하는 d단계;정열판 하면 위에 2차포토레지스트를 도포하는 e단계;도포된 2차포토레지스트위에 돌기요홈 형상이 패턴된 2차마스크로 노광과 현상을 패터닝하는 f단계;패터닝 된 돌기요홈을 딥 건식식각하는 g단계;정열판 하면에 잔류한 2차포토레지스트를 제거하는 h단계;돌기 요홈에 정합돌기를 접합하는 i단계;정열판 전면에 절연막을 증착하는 j단계;돌기가 없는면에 중합체를 증착하는 k단계; 로 이루어지는 어드밴스 프로브카드의 정열판 제조방법.
- 상부정열판(110)과 십자정열판(165)의 제조방법D은선정된 정열판 상면에 산화막을 증착하는 a단계;증착된 산화막위에 포토레지스트를 도포하는 b단계;도포된 포토레지스트위에 프로브핀 통전전극홈 형상과 정열돌기 요홈형상이 패턴된 마스크로 노광과 현상을 패터닝하는 c단계;패터닝된 통전전극홈 형상과 정열돌기 요홈을 소정깊이로 건식식각하는 d단계;정열판 상면에 잔류한 포토레지스트를 제거하는 e단계;통전전극홈에 시드막을 증착하는 f단계;통전전극홈 시드막에 전도성극재을 매립하는 전해도금을 실행하는 g단계;오버 매립된 통전전극홈 전도성극재 금속층을 평탄화하는 h단계;정열돌기 요홈에 정열돌기를 접합하는 i단계;통전전극을 제외한 정열판 전면에 절연막을 증착하는 j단계;정합돌기가 없는면에 중합체를 증착하는 k단계; 로 이루어지는 어드밴스 프로브카드의 정열판 제조방법.
- 상부정열판(210)과 십자정열판의(265) 제조방법E은선정된 정열판 상면에 산화막을 증착하는 a단계;증착된 산화막위에 포토레지스트를 도포하는 b단계;도포된 포토레지스트위에 프로브핀 통전전극홈 형상과 고정패드홈이 패턴된 마스크로 노광과 현상을 패터닝하는 c단계;패터닝된 통전전극홈 형상과 고정패드홈을 소정깊이로 건식식각하는 d단계;정열판 상면에 잔류한 포토레지스트를 제거하는 e단계;통전전극과 고정패드홈을 제외한 정열판 전면에 절연막을 증착하는 f단계;통전전극홈과 고정패드홈에 시드막을 증착하는 g단계;통전전극홈과 고정패드홈 시드막에 전도성극재을 매립하는 전해도금을 실행하는 h단계;오버 매립된 통전전극홈과 고정패드홈 전도성극재 금속층을 평탄화하는 i단계;정합돌기가 없는면에 중합체를 증착하는 j단계; 로 이루어지는 프로브헤드 조립체의 정열판 제조방법.
- 상부정열판(310)과 십자정열판의(365) 제조방법E은선정된 정열판 상면에 산화막을 증착하는 a단계;증착된 산화막위에 포토레지스트를 도포하는 b단계;도포된 포토레지스트위에 프로브핀 통전전극홈 형상과 장착지지홈이 패턴된 마스크로 노광과 현상을 패터닝하는 c단계;패터닝된 통전전극홈 형상과 장착지지홈을 소정깊이로 건식식각하는 d단계;정열판 상면에 잔류한 포토레지스트를 제거하는 e단계;통전전극을 제외한 장착지지홈과 정열판 전면에 절연막을 증착하는 f단계;통전전극홈에 시드막을 증착하는 g단계;통전전극홈 시드막에 전도성극재을 매립하는 전해도금을 실행하는 h단계;오버 매립된 통전전극홈 전도성극재 금속층을 평탄화하는 i단계;정합돌기가 없는면에 중합체를 증착하는 j단계; 로 이루어지는 어드밴스 프로브카드의 정열판 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090034957A KR100964568B1 (ko) | 2009-04-22 | 2009-04-22 | 어드밴스 프로브카드의 정열판 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090034957A KR100964568B1 (ko) | 2009-04-22 | 2009-04-22 | 어드밴스 프로브카드의 정열판 제조방법 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080021734 Division | 2008-03-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090096583A true KR20090096583A (ko) | 2009-09-11 |
KR100964568B1 KR100964568B1 (ko) | 2010-06-21 |
Family
ID=41296807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090034957A KR100964568B1 (ko) | 2009-04-22 | 2009-04-22 | 어드밴스 프로브카드의 정열판 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100964568B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101319069B1 (ko) * | 2009-09-29 | 2013-10-17 | 송원호 | 프로브헤드 정열판 |
KR102164020B1 (ko) * | 2019-11-27 | 2020-10-13 | 화인인스트루먼트 (주) | 프로브 카드의 프로브 헤드 제조 방법 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101707240B1 (ko) * | 2010-09-17 | 2017-02-15 | 송원호 | 접촉팁이 부착되는 프로브기판, 그의 프로브기판 제조방법 |
KR102652266B1 (ko) * | 2019-01-31 | 2024-03-28 | (주)포인트엔지니어링 | 다층 배선 기판 및 이를 포함하는 프로브 카드 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2749566B2 (ja) * | 1996-11-15 | 1998-05-13 | 株式会社日立製作所 | 半導体lsi検査装置用プローブヘッド及びその製造方法 |
CN1228641C (zh) * | 2001-01-31 | 2005-11-23 | 文特沃思实验室公司 | 镍合金探针卡框架层压件 |
KR100484325B1 (ko) * | 2001-08-09 | 2005-04-20 | 주식회사 파이컴 | 프로브 카드 |
-
2009
- 2009-04-22 KR KR1020090034957A patent/KR100964568B1/ko active IP Right Grant
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101319069B1 (ko) * | 2009-09-29 | 2013-10-17 | 송원호 | 프로브헤드 정열판 |
KR102164020B1 (ko) * | 2019-11-27 | 2020-10-13 | 화인인스트루먼트 (주) | 프로브 카드의 프로브 헤드 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100964568B1 (ko) | 2010-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100502119B1 (ko) | 접촉 구조물 및 그 조립 기구 | |
KR101062256B1 (ko) | 프로브 헤드, 및 프로브 카드 어셈블리의 제조 방법 | |
US5399982A (en) | Printed circuit board testing device with foil adapter | |
KR100806736B1 (ko) | 프로브 카드 및 그 제조방법 | |
KR100979904B1 (ko) | 프로브 카드 및 그 제조 방법 | |
KR101339493B1 (ko) | 프로브 카드용 공간 변환기 및 그 제조방법 | |
US6330744B1 (en) | Customized electrical test probe head using uniform probe assemblies | |
US7217139B2 (en) | Interconnect assembly for a probe card | |
KR101582634B1 (ko) | 프로브 모듈 및 프로브 모듈의 제조 방법 | |
KR102163321B1 (ko) | 프로브 카드 및 그 제조 방법 | |
US11630129B2 (en) | Probe card for testing wafer | |
KR101816676B1 (ko) | 프로브 카드 | |
KR20090096583A (ko) | 어드밴스 프로브카드의 정열판 제조방법 | |
US7501838B2 (en) | Contact assembly and LSI chip inspecting device using the same | |
KR20090096582A (ko) | 어드밴스 프로브카드와 그의 프로브헤드 조립체 구성방법 | |
KR101037979B1 (ko) | 수직형 프로브 및 이를 포함하는 프로브헤드 조립체 | |
KR101556216B1 (ko) | 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법 | |
KR101319069B1 (ko) | 프로브헤드 정열판 | |
KR100799237B1 (ko) | 웨이퍼검사용 프로브핀과 프로브핀바의 조립체 | |
KR20080109556A (ko) | 프로브 기판 조립체 | |
KR20140044998A (ko) | 프로브 어레이 헤드 및 그를 갖는 프로브 카드 | |
KR101010666B1 (ko) | 프로브 유닛 및 이를 포함하는 프로브 카드 | |
KR101066551B1 (ko) | 프로브 카드 제조에 사용되는 핀 어레이 틀 | |
KR100996927B1 (ko) | 공간 변환기 및 이를 포함하는 프로브 카드 | |
KR100858027B1 (ko) | 프로브 카드의 프로브 어셈블리 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130610 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140718 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150610 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161121 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170609 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181119 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191111 Year of fee payment: 10 |