KR20090075053A

KR20090075053A - Nozzle connection structure

Info

Publication number: KR20090075053A
Application number: KR1020080000814A
Authority: KR
Inventors: 전치형
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2008-01-03
Filing date: 2008-01-03
Publication date: 2009-07-08

Abstract

A nozzle connection structure is provided to control a blast angle of a nozzle accurately by controlling the rotation angle of a screw fastening a block. In a nozzle connection structure, a nozzle(400) sprays a liquid medicine or a gas. A block member fixes nozzle. A circular ring member is joined with a fastened block so that it supplies the liquid medicine and the gas to the nozzle. A screw-hole is formed in the block member, and the ring member and block member are joined with the screw(440). An elastic member(435) is inserted into the screw hole.

Description

Nozzle connection structure

본 발명은 노즐 체결 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 노즐의 교체가 용이하고, 노즐의 분사 각도를 조절할 수 있는 노즐 체결 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a nozzle fastening device, and more particularly, to a nozzle fastening device which is easy to replace the nozzle and can adjust the spray angle of the nozzle.

화학 기상 증착(CVD, Chemical vapor deposition) 공정은 반도체 소자를 제조하기 위한 공정 중 주요한 공정 중의 하나로서, 가스의 화학적 반응에 의해 반도체 기판 표면 위에 단결정의 반도체막이나 절연막 등을 형성하는 공정이다.Chemical vapor deposition (CVD) is one of the main processes for manufacturing a semiconductor device, and is a process of forming a single crystal semiconductor film or insulating film on the surface of a semiconductor substrate by chemical reaction of gas.

그런데, 화학 기상 증착 방법의 경우, 최근 반도체 제조 기술의 급속한 발달로 반도체 소자가 고집적화되고, 금속 배선들 간의 간격이 점차 미세화됨에 따라 금속 배선들 사이의 갭(gap)을 완전히 메우는 데는 한계가 있다.However, in the case of the chemical vapor deposition method, there is a limit in filling the gaps between the metal wires as the semiconductor devices are highly integrated and the gaps between the metal wires are gradually miniaturized due to the recent rapid development of semiconductor manufacturing technology.

따라서, 최근에는 화학 기상 증착 공정을 수행하는 장치들 중에 높은 종횡비를 갖는 공간을 효과적으로 채울 수 있는 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착(HDP-CVD, High density plasma chemical vapor deposition) 장치가 주로 사용되고 있다. 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치는 처리실 내에 전기장과 자기장을 인가하여 높은 밀도의 플라즈마 이온을 형성하고 공정가스들을 분해하여 반도체 기판 상에 절연막 등의 증착과 동시에 불활성 가스를 이용한 에칭을 진행하여 높은 종횡 비를 갖는 갭 내를 보이드(void) 없이 채울 수 있다.Therefore, recently, high density plasma chemical vapor deposition (HDP-CVD) apparatuses capable of effectively filling a space having a high aspect ratio among apparatuses performing chemical vapor deposition processes are mainly used. The high density plasma chemical vapor deposition apparatus applies an electric field and a magnetic field to the processing chamber to form plasma ions of high density, decomposes process gases, and deposits an insulating film or the like on a semiconductor substrate to simultaneously perform etching using an inert gas to achieve a high aspect ratio. It is possible to fill in the gap with no void.

일반적으로, 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치는 공정 챔버 내에 복수의 노즐들이 설치되고, 복수의 공정가스들은 혼합된 상태에서 이들 노즐들에 의해 공정 챔버 내로 분사된다. 공정챔 버의 외측에는 고주파 전력이 인가되는 유도코일이 설치되며, 이에 의해 공정가스들은 공정 챔버 내에서 플라즈마 상태로 여기되어 증착 공정이 진행되게 된다.In general, a high density plasma chemical vapor deposition apparatus is provided with a plurality of nozzles in the process chamber, the plurality of process gases are injected into the process chamber by these nozzles in a mixed state. An induction coil to which high frequency power is applied is installed outside the process chamber, whereby the process gases are excited in a plasma state in the process chamber and the deposition process proceeds.

이러한 공정을 수행함에 있어서 반응실 내부로 공급되는 공정가스가 반도체 기판 주위에 균일하게 분포한 상태일 때 기판 표면의 증착 및 에칭이 균일해져 우수한 막을 얻을 수 있게 된다. 그런데, 공정은 매우 낮은 압력에서 이루어지기 때문에 반응실 내부의 공정가스의 분포는 민감하게 변화하게 되므로 반도체 기판 주위에 공정 가스가 균일하게 분포되도록 하기 위해서는 가스를 분배하는 노즐들의 정밀한 설계가 요구된다. 또한, 증착 공정이 진행되는 동안 챔버의 내벽에는 반응부산물들이 증착되어 후에 파티클로 작용하므로 공정을 완료한 후 세정 가스를 사용하여 정기적으로 챔버 내를 세정하여야 한다.In performing such a process, when the process gas supplied into the reaction chamber is uniformly distributed around the semiconductor substrate, deposition and etching of the substrate surface are uniform, thereby obtaining an excellent film. However, since the process is performed at a very low pressure, the distribution of the process gas inside the reaction chamber is sensitively changed, so precise design of nozzles for distributing the gas is required to uniformly distribute the process gas around the semiconductor substrate. In addition, since the reaction by-products are deposited on the inner wall of the chamber during the deposition process to act as particles later, the chamber should be periodically cleaned using a cleaning gas after the completion of the process.

일반적으로, 공정 챔버의 상부에 위치하는 상부 가스공급노즐은 공정 챔버의 내부로 공정 가스를 균일하게 분사하고, 공정 챔버의 측면을 따라 위치하는 복수의 노즐은 공정 챔버의 내부로 세정 가스를 분사한다.In general, the upper gas supply nozzle positioned above the process chamber uniformly injects the process gas into the process chamber, and the plurality of nozzles located along the side of the process chamber injects the cleaning gas into the process chamber. .

도 1은 플라즈마 화학 기상 증착 장치에서 종래의 노즐 체결 구조를 도시하는 도면이다. 1 is a view showing a conventional nozzle fastening structure in a plasma chemical vapor deposition apparatus.

도면은 공정 챔버의 측면을 따라 위치하는 복수의 노줄에 대한 노즐 체결 구 조를 도시한 도면인데, 챔버의 측면을 따라 가스를 공급하는 가스링(20)에 노즐(10)이 삽입되어 가스링(20)에 형성된 나사산과 노즐에 형성된 나사산의 나사 결합(30)으로 가스링(20)에 복수의 노즐(10)이 각각 체결된다. The drawing shows a nozzle fastening structure for a plurality of furnace lines located along the side of the process chamber, wherein the nozzle 10 is inserted into the gas ring 20 for supplying gas along the side of the chamber. A plurality of nozzles 10 are fastened to the gas ring 20 by threaded coupling 30 of the thread formed in the nozzle 20 and the thread formed in the nozzle.

이러한 체결 구조에서는 나사산이 불량이거나 나사산에 파손이 발생하면 가스링으로부터 노즐(10)을 분리하는 것이 까다로우며, 가스링(20)에 형성된 나사산이 파손되면 노즐(10)의 교체를 위해 가스링(20)도 교체해야 된다는 문제점이 있다. In such a fastening structure, it is difficult to separate the nozzle 10 from the gas ring when the thread is bad or a breakage occurs in the thread, and when the thread formed in the gas ring 20 is broken, the gas ring is replaced for replacement of the nozzle 10. There is also a problem that needs to be replaced (20).

또한, 가스링(20)에 노즐(10)이 장착된 후에 노즐(10)의 분사 각도를 미세하게 조정하기 위해 물리적인 힘을 사용하는 경우가 있는데, 이는 나사산의 파손을 초래할 수 있고, 또한 노즐(10)의 분사 각도 조정도 정밀하게 할 수 없다는 문제점이 있다. In addition, after the nozzle 10 is mounted on the gas ring 20, there may be a case where a physical force is used to finely adjust the injection angle of the nozzle 10, which may cause thread breakage, and also the nozzle There is a problem that the injection angle adjustment of (10) cannot be precisely performed.

본 발명은 상기한 문제점을 개선하기 위해 고안된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 목적은 노즐의 교체를 용이하게 하고 노즐의 분사 각도를 정밀하게 조절할 수 있는 노즐 체결 구조를 제공하는 것이다.The present invention has been devised to improve the above problems, and an object of the present invention is to provide a nozzle fastening structure that facilitates replacement of the nozzle and precisely adjusts the spray angle of the nozzle.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 노즐 체결 구조는 약액 또는 가스를 분사하는 노즐; 상기 노즐을 고정시키는 블록 부재; 및 상기 노즐이 고정된 블록 부재와 결합되어 상기 노즐에 상기 약액 또는 가스를 공급하는 원형의 링부재를 포함할 수 있다. In order to achieve the above object, the nozzle coupling structure according to an embodiment of the present invention comprises a nozzle for injecting a chemical or gas; A block member for fixing the nozzle; And a circular ring member coupled to the block member to which the nozzle is fixed to supply the chemical liquid or gas to the nozzle.

상기한 바와 같은 본 발명의 노즐 체결 구조에 따르면 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상 있다. According to the nozzle fastening structure of the present invention as described above has one or more of the following effects.

첫째,　노즐과 가스링 사이의 결합 부분에 파손이 일어나더라도 전체 가스링을 교체할 필요가 없다는 장점이 있다. First, there is an advantage that the entire gas ring does not need to be replaced even if a breakage occurs in the coupling portion between the nozzle and the gas ring.

둘째, 블록을 고정시키는 나사의 회전각도를 조절함으로써 노즐의 분사각도를 정밀하게 조절할 수 있다는 장점도 있다. Second, there is an advantage that the injection angle of the nozzle can be precisely adjusted by adjusting the rotation angle of the screw fixing the block.

실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of the embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다 Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하, 본 발명의 실시예들에 의하여 노즐 체결 구조를 설명하기 위한 도면들을 참고하여 본 발명에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings for explaining a nozzle coupling structure according to embodiments of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 체결 구조가 사용되는 플라즈마 화학 기상 증착 장치의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of a plasma chemical vapor deposition apparatus using a nozzle fastening structure according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 체결 구조가 사용될 수 있는 플라즈마 화학 기상 증착 장치를 설명하기로 한다. A plasma chemical vapor deposition apparatus in which a nozzle clamping structure according to an embodiment of the present invention can be used will be described.

고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치는 공정 챔버(100), 기판지지부(200), 상부 가스공급노즐(300), 복수의 측면 가스공급노즐(400) 및 플라즈마 발생부(500)를 포함할 수 있다. The high density plasma chemical vapor deposition apparatus may include a process chamber 100, a substrate support 200, an upper gas supply nozzle 300, a plurality of side gas supply nozzles 400, and a plasma generator 500.

도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(S)의 가공 공정을 수행하기 위한 공정 챔버(100)는 상부가 개방된 원통형의 챔버 본체(110)와, 챔버 본체(110)의 개방 된 상부를 덮는 챔버 덮개(120)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, a process chamber 100 for performing a process of processing a semiconductor substrate S may include a cylindrical chamber body 110 having an open upper portion and an open upper portion of the chamber body 110. The chamber cover 120 may be included.

공정 챔버(100)는 반도체 기판(S) 상에 박막을 형성시키는 증착 공정 등이 수행되도록 외부와 차단된 공간을 제공한다.The process chamber 100 provides a space isolated from the outside so that a deposition process for forming a thin film on the semiconductor substrate S is performed.

챔버 본체(110)의 상부면은 개방되고, 측면에는 반도체 기판(S)이 반입되는 반입부(111)가 형성되며, 하부면에는 공정진행 중에 발생되는 반응부산물 및 미반응가스를 배출시키기 위한 가스배기부(112)가 형성된다. 가스배기부(112)에는 공정 챔버(100) 내부를 진공 상태로 유지할 수 있는 진공펌프(도시되지 않음) 및 공정 챔버(100) 내부의 압력을 조절하는 압력제어장치(도시되지 않음)가 연결되어 설치될 수 있다. 챔버 본체(110)는 내열성 및 내식성, 비전도성을 갖는 세라믹 재질로 구성됨이 바람직하다. An upper surface of the chamber body 110 is opened, and an import portion 111 into which the semiconductor substrate S is loaded is formed at a side surface, and a gas for discharging the reaction by-products and unreacted gas generated during the process is formed on the lower surface of the chamber body 110. An exhaust 112 is formed. The gas exhaust unit 112 is connected to a vacuum pump (not shown) that can maintain the interior of the process chamber 100 in a vacuum state, and a pressure control device (not shown) to control the pressure inside the process chamber 100. Can be installed. The chamber body 110 is preferably made of a ceramic material having heat resistance, corrosion resistance, and non-conductivity.

챔버 덮개(120)는 하부가 개방된 돔(dome) 형상을 가진다. 챔버 덮개(120)는 고주파 에너지가 전달되는 절연체 재료, 바람직하게는 산화 알루미늄과 세라믹 재질로 만들어질 수 있다. 챔버 덮개(120)의 상부에는 챔버 덮개(120)의 온도를 조절하는 가열플레이트(도시되지 않음) 및 냉각플레이트(도시되지 않음)가 형성될 수 있다.The chamber cover 120 has a dome shape with an open bottom. The chamber lid 120 may be made of an insulator material, preferably aluminum oxide and ceramic material, to which high frequency energy is transferred. A heating plate (not shown) and a cooling plate (not shown) for adjusting the temperature of the chamber cover 120 may be formed on the chamber cover 120.

플라즈마 발생부(500)는 공정 챔버(100)로 분사된 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 발생부(500)는 유도코일과 고주파 발생기(RF generator)를 포함할 수 있다.The plasma generator 500 excites the process gas injected into the process chamber 100 in a plasma state. The plasma generator 500 may include an induction coil and an RF generator.

유도코일은 코일 형상으로 챔버 덮개(120)의 외측벽을 감싸도록 배치되며, 공정 챔버(100) 내부로 공급되는 공정가스를 플라스마 상태로 만들기 위한 전자기 장을 형성한다. 유도코일은 고주파 발생기(RF generator, 520)에 연결되어 있다. 고주파 발생기(520)에서 발생된 고주파 전력(RF power)을 챔버 덮개(120) 주변에 감겨 있는 유도코일을 통하여 공정 챔버(100) 내에 인가한다. 따라서, 유도코일은 공정 챔버(100) 내부로 분사된 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 에너지를 제공하는 에너지원으로서 기능한다.The induction coil is disposed to surround the outer wall of the chamber cover 120 in a coil shape, and forms an electromagnetic field for making the process gas supplied into the process chamber 100 into a plasma state. The induction coil is connected to an RF generator 520. High frequency power (RF power) generated by the high frequency generator 520 is applied to the process chamber 100 through an induction coil wound around the chamber cover 120. Therefore, the induction coil functions as an energy source for providing energy for exciting the process gas injected into the process chamber 100 into the plasma state.

공정 챔버(100)의 내부에는 반도체 기판(S)이 놓여지는 기판지지부(200)가 설치된다. 기판지지부(200)의 일예로 정전기력을 이용하여 반도체 기판(S)을 고정할 수 있는 정전척(ESC, Electro Static Chuck)이 사용될 수 있다. 정전척은 반도체 및 LCD 제조장비의 공정 챔버(100) 내부에 반도체 기판이 놓여지는 곳으로, 정전기의 힘만으로 기판을 하부전극에 고정시키는 역할을 한다.The substrate support part 200 on which the semiconductor substrate S is placed is installed in the process chamber 100. As an example of the substrate support 200, an electrostatic chuck (ESC) capable of fixing the semiconductor substrate S using an electrostatic force may be used. The electrostatic chuck is a place where the semiconductor substrate is placed inside the process chamber 100 of the semiconductor and LCD manufacturing equipment, and serves to fix the substrate to the lower electrode only by the force of static electricity.

기판지지부(200)에는 공정 챔버(100) 내에서 형성된 플라즈마 상태의 공정가스를 반도체 기판(S) 상으로 유도할 수 있도록 고주파 발생기(220)에 의해 바이어스 전원이 인가된다.The bias power is applied to the substrate support part 200 by the high frequency generator 220 to guide the process gas in the plasma state formed in the process chamber 100 onto the semiconductor substrate S.

기판지지부(200)에는 공정 챔버(100) 내에서 기판지지부(200)를 상하로 이동시키는 구동부(210)가 설치될 수 있다. 반도체 기판(S)이 공정 챔버(100)로 반입되거나 공정 챔버(100)로부터 반출되는 경우, 기판지지부(200)는 챔버 본체(110)의 측면에 형성된 반입구보다 아래에 위치하게 된다. 그리고, 증착 및 식각 공정이 수행되는 경우, 기판지지부(200)는 챔버 덮개(120) 내에서 형성된 플라즈마와 일정거리를 유지하도록 위치하게 된다. 따라서, 구동부(210)는 필요에 따라 기판지지부(200)를 승강시키거나 하강시키도록 한다. The substrate support part 200 may be provided with a driver 210 for moving the substrate support part 200 up and down in the process chamber 100. When the semiconductor substrate S is carried into or out of the process chamber 100, the substrate support part 200 is positioned below the inlet formed in the side surface of the chamber body 110. In addition, when the deposition and etching process is performed, the substrate support 200 is positioned to maintain a predetermined distance from the plasma formed in the chamber cover 120. Therefore, the driving unit 210 to raise or lower the substrate support 200 as necessary.

도 2에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(100)의 상측 중앙부와 측면 부분에는 공정 챔버(100) 내에서 증착 및 식각 공정을 수행할 수 있도록 공정 챔버(100) 내부로 공정가스를 공급하기 위한 가스공급노즐(300, 400)이 설치된다.As shown in FIG. 2, a gas for supplying a process gas into the process chamber 100 in the upper center and side portions of the process chamber 100 to perform deposition and etching processes in the process chamber 100. Supply nozzles 300 and 400 are installed.

상부 가스공급노즐(300)은 공정 챔버(100)의 상부에 설치되며 공정 챔버(100)의 내부로 공정가스를 공급한다. 상부 가스공급노즐(300)은 공정가스를 공급하는 제1 가스공급부(350)에 연결된다.The upper gas supply nozzle 300 is installed above the process chamber 100 and supplies a process gas into the process chamber 100. The upper gas supply nozzle 300 is connected to the first gas supply unit 350 for supplying a process gas.

복수의 측면 가스공급노즐(400)은 공정 챔버(100)의 측면에 설치되며 공정 챔버(100)의 내부로 공정가스를 공급한다. 복수의 측면 가스공급노즐(400)은 공정 챔버(100)의 측면을 따라 형성되며 노즐에 가스를 공급하는 가스분배링(410)에 설치될 수 있다.The plurality of side gas supply nozzles 400 are installed at the side of the process chamber 100 and supply process gas into the process chamber 100. The plurality of side gas supply nozzles 400 may be formed along the side of the process chamber 100 and may be installed in the gas distribution ring 410 for supplying gas to the nozzles.

가스분배링(410)은 챔버 덮개(120)의 하단부와 챔버 본체(110)의 상단부 사이에 결합될 수 있으며, 사각 단면을 가진 원형의 링 형상을 가질 수 있다. 가스분배링(410)의 내부에는 복수의 측면 가스공급노즐(400)로 공정가스를 공급할 수 있도록 복수의 가스공급홈(411)이 가스분배링(410)의 원주면을 따라 동일한 간격으로 형성된다. 복수의 측면 가스공급노즐(400)은 챔버 덮개(120) 내의 공간을 향하도록 가스공급홈(411)에 배치되며, 제2 가스공급부(450)로부터 공정가스를 공급받는다. 가스분배링(410)은 내열성 및 내식성, 비전도성을 갖는 세라믹 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.The gas distribution ring 410 may be coupled between the lower end of the chamber cover 120 and the upper end of the chamber body 110, and may have a circular ring shape having a square cross section. In the gas distribution ring 410, a plurality of gas supply grooves 411 are formed at equal intervals along the circumferential surface of the gas distribution ring 410 to supply process gases to the plurality of side gas supply nozzles 400. . The plurality of side gas supply nozzles 400 are disposed in the gas supply groove 411 to face the space in the chamber cover 120, and receive the process gas from the second gas supply unit 450. The gas distribution ring 410 is preferably made of a ceramic material having heat resistance, corrosion resistance, and non-conductivity.

고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치를 이용해 증착 공정을 수행할 때는 공정 챔버(100) 내부의 기판지지부(200)에 반도체 기판(S)을 고정시키고, 증착을 수 행하기 위한 공정가스가 가스공급노즐(300, 400)들을 통해 공정 챔버(100)의 내부로 공급되도록 한다. 이 때, 진공펌프와 압력제어장치의 동작에 의해 공정 챔버(100)의 내부가 진공 상태를 유지되도록 하며, 유도코일에 전원을 인가하여 공정가스가 플라즈마 상태로 되도록 한다. 이렇게 하면 공정가스가 해리되고 화학반응이 생기면서 반도체 기판(S) 표면에 증착에 의한 박막이 형성된다.When performing a deposition process using a high-density plasma chemical vapor deposition apparatus, the semiconductor substrate S is fixed to the substrate support 200 inside the process chamber 100, and a process gas for performing deposition is a gas supply nozzle 300. , 400 to be supplied into the process chamber 100. At this time, the interior of the process chamber 100 is maintained in a vacuum state by the operation of the vacuum pump and the pressure control device, and the process gas is turned into a plasma state by applying power to the induction coil. In this way, the process gas is dissociated and a chemical reaction occurs to form a thin film by deposition on the surface of the semiconductor substrate (S).

원하는 공정을 균일하게 수행하기 위해서는 공정가스가 반도체 기판(S) 주위에 균일하게 분포하고 공정가스의 밀도가 높아야 한다. 반도체 기판(S) 상부의 반응 영역에 공정가스가 고르게 공급될 수 있도록 공정 챔버(100)의 측면 둘레 부분에 설치되는 복수의 측면 가스공급노즐(400)과 챔버 덮개(120)의 상부 중앙에 설치되는 상부 가스공급노즐(300)을 구비하는 것이다. In order to perform a desired process uniformly, the process gas must be uniformly distributed around the semiconductor substrate S and the density of the process gas must be high. Installed in the upper center of the plurality of side gas supply nozzles 400 and the chamber cover 120 which are installed in the peripheral portion of the side of the process chamber 100 so that the process gas is evenly supplied to the reaction region on the semiconductor substrate (S). The upper gas supply nozzle 300 is to be provided.

도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 체결 구조의 구성 요소와 체결 과정을 측면에서 도시한 도면이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 체결 구조의 정면도이다. 3 to 6 are views showing the components and the fastening process of the nozzle fastening structure according to an embodiment of the present invention from the side. 7 is a front view of the nozzle fastening structure according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 체결 구조는 도 2를 참조로 전술한 복수의 측면 가스공급노즐(400)에 사용될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 설명에서는 노즐을 통해 가스가 분사되는 것을 설명하는데, 가스뿐만 아니라 약액과 같은 액체도 분사할 수 있음은 물론이다. The nozzle coupling structure according to an embodiment of the present invention may be used in the plurality of side gas supply nozzles 400 described above with reference to FIG. 2, but is not limited thereto. In addition, in the following description, the gas is injected through the nozzle, but not only the gas, but also a liquid such as a chemical liquid may be injected.

도 3에서 블록 부재(430)에는 노즐(400)이 삽입되어 고정될 수 있도록 하나 이상의 관통구가 형성되어 있다. 즉, 하나의 블록 부재(430)에 다수의 노즐(400)이 결합될 수 있다. 도 7에서는 하나의 블록 부재(430)에 세 개의 노즐(400)이 결합되 어 있는 것이 도시되어 있다. 관통구의 내부에는 노즐(400)과 나사 결합을 할 수 있도록 나사산(434)이 형성될 수 있다. 그리고, 블록 부재(430)에는 링부재(410)와 결합할 수 있도록 소정의 개수의 나사 구멍(432)이 형성된다. 나사 구멍(432)을 통해 나사(440)가 삽입되고 링부재(410)에 형성된 나사산에 나사(440)가 삽입되어 링부재(410)와 블록 부재(430)가 결합할 수 있다. 도 3과 같이 블록 부재(430)의 나사 구멍(432)에서 링부재(410)와 가까운 일측은 사이에 스프링과 같은 탄성 부재(435)가 삽입될 수 있다. 도 3에서는 스프링(435)이 삽입되어 있는 것이 도시되어 있는데, 블록 부재(430)와 나사(440) 사이에 스프링(435)이 삽입될 수 있도록 나사(440)의 반경보다 크게 구멍이 형성되어 있다. 탄성 부재(435)의 탄성력에 의해 링부재(410)와 블록 부재(430)의 결합시에 헐거워져서 결합의 불량이 발생하는 것을 방지하며, 후술할 내용이지만 노즐(400)의 분사 각도를 조절하기 위해 링부재(410)와 블록 부재(430) 사이에 안정적으로 이격된 거리를 유지할 수 있도록 할 수 있다. In FIG. 3, at least one through hole is formed in the block member 430 so that the nozzle 400 may be inserted and fixed. That is, a plurality of nozzles 400 may be coupled to one block member 430. In FIG. 7, three nozzles 400 are coupled to one block member 430. A thread 434 may be formed in the through hole to screw the nozzle 400. In addition, a predetermined number of screw holes 432 are formed in the block member 430 to be coupled to the ring member 410. The screw 440 may be inserted through the screw hole 432, and the screw 440 may be inserted into a thread formed in the ring member 410, such that the ring member 410 and the block member 430 may be coupled to each other. As shown in FIG. 3, an elastic member 435 such as a spring may be inserted between one side of the block member 430 close to the ring member 410. In FIG. 3, the spring 435 is inserted, and a hole is formed larger than the radius of the screw 440 so that the spring 435 can be inserted between the block member 430 and the screw 440. . To prevent the failure of the coupling due to the loosening at the time of coupling the ring member 410 and the block member 430 by the elastic force of the elastic member 435, but will be described later to adjust the injection angle of the nozzle 400 In order to maintain a stable spaced distance between the ring member 410 and the block member 430.

링부재(410)는 노즐(400)에 가스를 공급하는 가스 공급홈(411)이 형성되어 있으며, 전술한 바와 같이 챔버의 측면을 따라 원형으로 형성될 수 있다. 즉, 원형의 링부재(410)를 따라 복수의 가스 공급홈(411)이 형성될 수 있으며, 각각의 가스 공급홈(411)에는 블록 부재(430)와 결합된 노즐(400)이 연결된다. 원형의 링부재(410)를 따라 복수의 블록 부재(430)가 결합될 수 있으며, 링부재(410)에는 블록 부재(430)가 삽입될 수 있도록 홈이 형성될 수 있다. The ring member 410 is provided with a gas supply groove 411 for supplying gas to the nozzle 400, and may be formed in a circular shape along the side of the chamber as described above. That is, a plurality of gas supply grooves 411 may be formed along the circular ring member 410, and the nozzle 400 coupled to the block member 430 is connected to each gas supply groove 411. A plurality of block members 430 may be coupled along the circular ring member 410, and a groove may be formed in the ring member 410 so that the block member 430 may be inserted.

노즐(400)은 링부재(410)의 가스 공급홈(411)을 통해 공급받은 가스를 노 즐(400) 내부의 관(402)을 통해 외부로 분사시킨다. 블록 부재(430)의 관통구에 형성된 나사산(434)과 나사결합을 할 수 있도록 노즐(400)의 일측의 외측면에는 나사산(404)이 형성될 수 있다. 블록 부재(430)와 노즐(400)이 결합된 후, 블록 부재(430)가 링부재(410)에 결합될 때, 링부재(410)의 가스 공급홈(411)과 노즐(400)의 관(402)이 닿는 부분의 외측면에는 테프론 씰(420)이 형성될 수 있다. 테프론 씰(420)은 링부재(410)의 가스 공급홈(411)에서 공급되는 가스가 링부재(410)와 블록 부재(430)가 결합되어 접촉하는 부분 또는 블록 부재(430)와 노즐(400)이 결합되어 접촉하는 부분을 통해 방출되지 않도록 밀폐시키는 역할을 한다. The nozzle 400 injects the gas supplied through the gas supply groove 411 of the ring member 410 to the outside through the pipe 402 inside the nozzle 400. A thread 404 may be formed on an outer surface of one side of the nozzle 400 to be screwed with the thread 434 formed in the through hole of the block member 430. After the block member 430 and the nozzle 400 are coupled, when the block member 430 is coupled to the ring member 410, the pipe of the gas supply groove 411 of the ring member 410 and the nozzle 400 is connected. A teflon seal 420 may be formed on the outer surface of the portion 402 contacts. The Teflon seal 420 is a portion in which the gas supplied from the gas supply groove 411 of the ring member 410 is in contact with the ring member 410 and the block member 430, or the block member 430 and the nozzle 400. ) Is combined to act as a seal to prevent release through the contacting part.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 체결 구조의 결합 과정을 도 3 내지 도 6을 참조로 설명하기로 한다. Hereinafter, the coupling process of the nozzle coupling structure according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 6.

도 3의 구성 요소를 가지는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 체결 구조는 먼저, 도 4와 같이 블록 부재(430)의 관통구에 형성된 나사산(434)과 노즐(400)의 외측면에 형성된 나사산(404)에 의해 나사 결합을 함으로써 블록 부재(430)와 노즐(400)을 결합시킬 수 있다. The nozzle fastening structure according to an embodiment of the present invention having the components of FIG. 3 is first formed on the outer surface of the nozzle 400 and the thread 434 formed in the through hole of the block member 430 as shown in FIG. 4. The block member 430 and the nozzle 400 may be coupled by screwing the screws 404.

블록 부재(430)와 노즐(400)이 결합된 후에, 도 5와 같이 결합된 블록 부재(430)가 링부재(410)의 홈에 삽입되어 링부재(410)의 가스 공급홈(411)에 노즐(400)의 관(402)이 연결될 수 있도록 한다. 이때, 전술한 바와 같이 링부재(410)와 노즐(400) 사이에는 테프론 씰(420)이 삽입될 수 있다. After the block member 430 and the nozzle 400 are coupled, the block member 430 coupled as shown in FIG. 5 is inserted into the groove of the ring member 410 to the gas supply groove 411 of the ring member 410. The tube 402 of the nozzle 400 is to be connected. At this time, the Teflon seal 420 may be inserted between the ring member 410 and the nozzle 400 as described above.

다음, 도 6과 같이 블록 부재(430)에 형성된 소정 개수의 나사 구멍(432)에 나사(440)를 삽입하여 링부재(410)와 블록 부재(430)를 결합시킬 수 있다. 링부 재(410)와 블록 부재(430) 사이에는 전술한 바와 같이 탄성 부재435)가 삽입될 수 있다. Next, as shown in FIG. 6, the ring member 410 and the block member 430 may be coupled by inserting the screw 440 into a predetermined number of screw holes 432 formed in the block member 430. An elastic member 435 may be inserted between the ring member 410 and the block member 430 as described above.

따라서, 본 발명에 따른 노즐 체결 구조는 노즐(400)의 교체시에 노즐(400)과 블록 부재(430) 사이의 나사산에 결함이 발생하더라도, 종래와 같이 전체 링부재(410)를 교체할 필요가 없이 블록 부재(430)와 노즐(400)만 교체하면 된다. Therefore, the nozzle coupling structure according to the present invention needs to replace the entire ring member 410 as in the prior art even if a defect occurs in the thread between the nozzle 400 and the block member 430 at the time of replacing the nozzle 400. Only the block member 430 and the nozzle 400 need to be replaced.

도 7은 블록 부재(430)에 3개의 노즐(400)이 체결되어 있는 것을 도시하고 있는데, 각 모서리에 4개의 나사(440)가 삽입되어 블록 부재(430)를 링부재(410)와 결합시킨다. 이때, 나사(440)의 회전 각도에 따라서 링부재(410)와 블록 부재(430)는 일정한 이격 거리를 유지하게 되는데, 블록 부재(430)에 삽입되는 각 나사(440)의 회전 각도를 조절하여 블록 부재(430)에 결합된 노즐(400)의 분사 각도를 미세하게 조절할 수 있는 것이다. 이때, 링부재(410)와 블록 부재(430) 사이에 이격된 거리를 안정적으로 유지할 수 있도록 전술한 바와 같이 사이에 스프링과 같은 탄성 부재(435)가 삽입될 수 있다. 7 shows that three nozzles 400 are fastened to the block member 430. Four screws 440 are inserted into each corner to couple the block member 430 to the ring member 410. . At this time, the ring member 410 and the block member 430 are maintained at a predetermined distance according to the rotation angle of the screw 440, by adjusting the rotation angle of each screw 440 inserted into the block member 430 It is possible to finely adjust the injection angle of the nozzle 400 coupled to the block member 430. In this case, as described above, an elastic member 435 such as a spring may be inserted between the ring member 410 and the block member 430 so as to stably maintain the spaced distance.

본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those skilled in the art will appreciate that the present invention can be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the scope of the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and the equivalent concept are included in the scope of the present invention. Should be interpreted.

도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 체결 구조의 구성 요소와 체결 과정을 측면에서 도시한 도면이다 3 to 6 are views showing the components and the fastening process of the nozzle fastening structure according to an embodiment of the present invention in a side view

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 체결 구조의 정면도이다. 7 is a front view of the nozzle fastening structure according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

400: 노즐400: nozzle

410: 링부재410: ring member

420: 테프론 씰420: teflon seal

430: 블록 부재430: block member

435: 탄성 부재435: elastic member

440: 나사440: screw

Claims

Nozzles for injecting chemical or gas;

A block member for fixing the nozzle; And

And a circular ring member coupled to the block member to which the nozzle is fixed to supply the chemical liquid or gas to the nozzle.

The method of claim 1,

And a screw hole is formed in the block member so that the ring member and the block member are coupled by screws, and an elastic member is inserted into the screw hole.