KR20090071765A - A test method of a wafer for reducing a site difference - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 집접 소자가 형성된 웨이퍼가 정상적으로 제작되었는 지 여부를 탐침을 구비한 테스트 장비를 이용하여 테스트 하는 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for testing whether or not a wafer on which a semiconductor contact element is formed is normally manufactured by using a test equipment having a probe.
최근 고객의 요구에 맞춘 다양한 제품을 경쟁력 있는 가격으로 적기에 생산해 고객에게 전달하기 위하여 멀티 사이트 테스트(multi site test)가 행해지고 있다. 멀티 사이트 테스트란 다수 개의 반도체 칩(혹은 다이라고도 한다)이 형성된 웨이퍼 상에서 2개 이상의 칩을 한번의 프루빙(probing)으로 동시에 테스트 하는 것을 말한다. 이러한 멀티 사이트 테스트를 통해 테스트에 소요되는 시간 및 원가의 절감이 가능하며, 테스트 장비의 효율적 운영이 가능해진다. 그러나 개개의 칩에 대해서 따로 따로 테스트를 진행하는 싱글 사이트 테스트(single site test)에 비해 여러 리소스(resource)를 사용하기 때문에 여러 가지 변수에 그 결과를 의존하는 문제점이 있다. 예를 들어 각 사이트에 할당되는 하드웨어의 비 정상적인 동 작이나 프루브 카드 탐침(probe card needle)의 평탄도 차이 또는 상기 탐침에 붙어 있는 이물질이나 테스트 되는 웨이퍼가 장착되는 프루버 척(prober chuck)의 밸런스 등에 의해 동일한 테스트 조건을 부여함에도 테스트 되는 사이트에 따라 DC 특성, 기능 특성 및 이에 따라 BIN 블럭의 분포 차이를 나타낸다. 이러한 차이를 사이트 차이(site difference)라 한다. 도 1에는 2개의 칩을 동시에 테스트 하는 듀얼 사이트 테스트(dual site test)시 사이트 차이가 나타난 웨이퍼가 나타나 있다. 도 1 보듯이 두개의 사이트 중 제 2 사이트(102)에는 BIN 22 오류가 나타나지 않으며, 제 1 사이트(100)에서만 BIN 22 오류(104)이 나타난 것을 알 수 있다. 도 2에는 상부 블록(202)에 장착되는 탐침(200) 또는 웨이퍼(204)가 장착되는 척(206) 의 평탄도의 좌우 차이로 인해 사이트 차이가 발생되는 것을 도시하였으며, 도 3에는 사이트 차이의 또 다른 원인으로 패드(300)에 접촉하는 탐침(302)의 선단에 이물질(303)이 붙어 올바른 테스트 결과를 나타내지 못하는 경우를 도시한 것이다. In recent years, multi-site testing has been conducted in order to produce a variety of products that meet the needs of customers at a timely and competitive price. Multi-site testing refers to testing two or more chips simultaneously on a single probe, on a wafer on which multiple semiconductor chips (also called dies) are formed. This multi-site test can reduce the time and cost of the test and enable the efficient operation of the test equipment. However, compared to the single site test, which tests the individual chips separately, it uses several resources, so there are problems that depend on the result of various variables. For example, the abnormal behavior of hardware assigned to each site, or the difference in the flatness of a probe card needle, or the balance of a prober chuck on which the foreign matter attached to the probe or the wafer being tested is mounted. Even though the same test condition is given, the DC characteristic, the functional characteristic and the distribution of the BIN blocks are displayed according to the sites to be tested. This difference is called the site difference. 1 shows a wafer in which site differences are shown during a dual site test in which two chips are simultaneously tested. As shown in FIG. 1, the BIN 22
이러한 사이트 차이가 발생했다는 것이 발견되면 테스트를 전면적으로 다시 진행하거나 또는 오류가 발생된 칩을 선별하여 다시 테스트 하여야 한다. 이러한 테스트 흐름을 도 4의 순서도에 나타내었다. 테스트 장치에 로딩된 웨이퍼는 모두 칩들에 대해 일차 테스트를 진행하게 된다(402). 다음, 특정 BIN 오류를 나타내는 칩들을 선별한 후 2차 테스트를 실시하게 된다(404). 이때 특정 칩의 선택은 사용자가 테스트 장치 상에서 인위적으로 설정할 수도 있다. 이러한 절차를 거친 후 사이트 차이가 발생하였는 지 여부를 판단한다(406). 만약 사이트 차이가 발견되지 않았다면 테스트를 종료하나(410), 사이트 차이가 발견되었다면 이를 확인한 사 용장에 의해 테스트를 전면적으로 다시 시작하거나 또는 오류가 발생한 칩에 대해서 다시 테스트를 수행하여야 한다(408). 즉 종래의 테스트 방법에 의하면 테스트가 진행되거나 또는 완료된 후 사용자가 직접 확인하고 판단한 후에 비로서 대처가 가능하며, 사용자가 경미하게 발생한 사이트 차이에 대해서 이를 발견하고 대처하는 것도 용이하지 않은 문제점이 있었다. If it is discovered that such a site difference has occurred, the test must be run again or the faulty chip can be selected and tested again. This test flow is shown in the flowchart of FIG. 4. The wafers loaded in the test apparatus are all subjected to a primary test on the chips (402). Next, a second test is performed after selecting chips indicating a specific BIN error (404). In this case, the selection of a specific chip may be artificially set by the user on the test apparatus. After this procedure, it is determined whether a site difference has occurred (406). If no site difference is found, the test is terminated (410). If a site difference is found, the test must be restarted entirely by the user who confirmed the site difference, or the test should be performed on the chip in which the error occurred (408). That is, according to the conventional test method, after the test is completed or completed, the user can directly check and determine the problem, and there is a problem that it is not easy for the user to find and cope with the slight site difference.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 테스트 수행 결과 테스트 장치의 문제에 기인한 사이트 차이가 발생하였는 지 여부를 판단하고 이에 대하여 조치를 자동적으로 수행하는 테스트 방법에 관한 것이다. The present invention has been made to solve the above problems, and relates to a test method for determining whether a site difference caused by a problem of a test device has occurred as a result of a test, and automatically performs an action in response thereto.
본 발명에 따른 복수의 칩이 형성된 웨이퍼의 멀티 사이트 테스트 방법은 (a) 사이트 각각에 대해서 테스트된 결과를 상기 사이트 별로 실시간 저장하는 단계; (b) 상기 저장된 결과로부터 사이트 별로 발생된 테스트 오류를 카운트 하여 상기 각 사이트의 테스트 오류 발생률을 도출하는 단계; (d) 상기 사이트 간의 테스트 오류 발생률의 차이를 미리 설정된 기준과 비교하는 단계; (e) 상기 차이가 상기 기준 보다 크다고 판단되면 상기 오류가 발생된 사이트에 대해서 다시 재테스트를 수행하는 단계; 및 (f) 상기 테스트 결과 또는 재테스트 결과 중 어느 하나 이상을 디스플레이 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a multi-site test method for a wafer on which a plurality of chips are formed, the method comprising: (a) real-time storing the test results for each site for each site; (b) deriving a test error occurrence rate of each site by counting test errors generated for each site from the stored result; (d) comparing the difference in test error occurrence rates between the sites with a preset criterion; (e) re-testing the site where the error occurred if it is determined that the difference is greater than the reference; And (f) displaying at least one of the test result and the retest result.
이때 상기 (d) 단계는 상기 웨이퍼 내에 미리 플래그로 설정된 칩에서 테스트가 수행되기 직전 또는 수행된 직후에 수행되며, 상기 (d) 단계에서의 비교결과 상기 차이가 상기 기준보다 크다고 판단되면 상기 테스트를 수행한 장치에 구비된 탐침을 세정하는 단계를 더 포함할 수 있다. In this case, step (d) is performed immediately before or after the test is performed on a chip set as a flag in the wafer in advance, and if the difference is greater than the reference as a result of the comparison in step (d), the test is performed. The method may further include cleaning the probe provided in the apparatus.
또한 상기 (e) 단계에 있어서, 상기 재테스트는 테스트 전 미리 정해진 웨이 퍼 내 영역 중 일부 영역에 대해서만 수행될 수 있다. In addition, in the step (e), the retest may be performed only on a portion of the region within the predetermined wafer before the test.
한편 상기 (f) 단계가 왼료된 후 상기 테스트를 수행하는 테스트 장치의 탐침 및 상기 웨이퍼을 지지하는 척과의 평탄도 또는 접촉 거리가 조절되는 단계를 거쳐 상기 (a) 내지 (f) 단계가 반복해서 다시 수행될 수 있다 On the other hand, after step (f) is completed, steps (a) to (f) are repeated again through the step of adjusting the flatness or contact distance between the probe of the test apparatus that performs the test and the chuck supporting the wafer. Can be performed
종래의 방법에 의할 멀티 사이트 테스트에서는 사이트 차이가 발생하였을 때 수치화된 데이터를 토대로 사이트 차이 발견 및 이에 대해 해결책을 제시하지 못하였다. 따라서 사이트 차이 문제가 발생하면 추가적인 재테스트를 야기하여 이로 인한 제품 개발에 소요되는 시간 및 비용의 추가가 발생하였다. 그러나 본 발명을 적용할 경우, 사이트 차이의 발생 시 경고를 통해 사용자가 이에 대해 적극적이고 능동적으로 대처할 수 있게 한다. 또한 사이트 차이 데이터를 참고로 테스트 장비가 스스로 자동 세정을 통해 이물질을 제거하고 재테스트할 칩들을 설정함으로써 사이트 차이가 발생한 웨이퍼에 대해 추가적인 작업이 감소하여 투여되는 인력 감소에도 기여한다. 또한 사이트 차이가 심한 지역을 선별하여 그 지역만 재테스트 함으로써 불필요한 재테스트를 방지하고 이렇게 사이트 차이가 심하게 발생한 지역에는 오버드라이브(overdrive)를 차별 적용하여 사이트 차이를 방지한다. In the multi-site test by the conventional method, when the site difference occurs, the site difference detection and the solution cannot be suggested based on the digitized data. As a result, site differences caused additional retests, adding to the time and cost of product development. However, when the present invention is applied, the user can actively and actively respond to the warning when a site difference occurs. The site difference data also helps the test rig auto-clean itself to remove debris and set up chips to retest, thus reducing the additional manpower on the wafer with the site difference. In addition, by selecting regions that have severe site differences and retesting only those regions, unnecessary retests are prevented, and sites with severe site differences are prevented by discriminating overdrives.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한 다. 아울러 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
종래의 테스트 장치에는 각 사이트 별로 BIN 오류의 종류 및 수량을 수치화하여 디스플레이 해주는 기능이 없었으며, 따라서 테스트 장치가 이러한 기능을 제공할 수 있다면 특별한 데이터 가공 단계를 거치지 않고도 각 사이트 별 정보와 사이트 차이에 대한 경고를 사용자가 쉽게 알 수 있게 된다. 또한 이러한 데이터를 메모리에 저장하여 웨이퍼가 테스트 되는 도중에 프로세싱을 할 수 있게 함으로써 사용자가 즉각적으로 대처할 수 있는 환경을 만들 수 있다. 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 테스트 방법을 단계별로 나타낸 순서도 이다. 이때 테스트 장치는 사용자가 선택한 BIN 오류 모드에 대해서 테스트가 진행된 사이트 별로 측정 결과를 메모리에 실시간으로 저장 하며, 웨이퍼를 테스트를 진행하여 웨이퍼 내에 특정 칩에 도달하면 그 시점까지의 테스트 결과를 분석하게 된다. 여기서 이와 같이 테스트 결과을 분석하는 시점에 도달했음을 알리는 칩을 플래그로 정의한다. 이러한 플래그는 사용자의 의도에 따라 다양한 값을 미리 설정할 수 있으며, 이러한 플래그로 설정된 칩의 테스트 직전까지 또는 플래그로 설정된 칩까지 테스트한 직후의 테스트 결과의 분석이 가능하다. 본 실시예에서는 도 6에 나타낸 것과 같이 웨이퍼내 마지막 테스트 되는 칩이 아닌 칩, 예를 들어 중간 부분에 존재하는 칩을 제 1 플래그(600)로, 웨이퍼의 마지막 부분에 존재하는 칩을 제 2 플래그(602)로 설정하였다. 이렇게 설정된 웨이퍼를 테스트 하는 경우, 테스트를 진행하는 테스트 장 치가 제 1 플래그(600)에 도달하였을 시 상기 제 1 플래그 전까지의 테스트 결과를 바탕으로 테스트 결과를 분석하게 된다. 이는 제 2 플래그(602)에 대해서도 마찬가지 이다. Conventional test apparatuses did not have the function to quantify and display the type and quantity of BIN errors for each site. Therefore, if the test apparatus can provide such functions, the information and site differences of each site may be changed without special data processing steps. Alerts can be easily identified by the user. In addition, this data can be stored in memory for processing while the wafer is being tested, creating an immediate user response. 5 is a flowchart showing step by step a test method according to an embodiment of the present invention. In this case, the test device stores the measurement results in real time in the memory for each site where the test is performed for the BIN error mode selected by the user, and tests the wafer to analyze the test results up to that point when a specific chip is reached in the wafer. . Here, a chip is defined as a flag indicating that the time point for analyzing the test result has been reached. These flags can be preset in various values according to the user's intention, and the test results can be analyzed until immediately before the test of the chip set with the flag or immediately after the chip set with the flag. In this embodiment, as shown in FIG. 6, a chip other than the last chip tested in the wafer, for example, a chip present in the middle portion is designated as the first flag 600, and a chip present in the last portion of the wafer is designated as the second flag. (602). In the case of testing the wafer set as described above, when the test device undergoing the test reaches the first flag 600, the test result is analyzed based on the test result up to the first flag. The same is true for the
경우에 따라서 테스트를 진행하기 전에 웨이퍼를 복수의 지역으로 분할할 수 있다. 이렇게 분할 함으로서 특정 영역에 대해서만 결과를 분석하거나 재테스트를 수행 할 수도 있다. 본 실시예에서는 도 7에 도시된 바와 같이 웨이퍼를 상하좌우 30%와 중심 40%의 영역으로 웨이퍼를 분할 하였다. In some cases, the wafer may be divided into regions before testing. This partitioning allows you to analyze or retest the results for specific areas only. In the present embodiment, as shown in FIG. 7, the wafer is divided into 30% up, down, left, right, and 40% of the center.
이하 도 5를 참조하여 본 발명의 알고리즘을 설명한다. 본 실시예에서 BIN 오류 모드는 BIN 3로 설정되었고 두개의 칩을 동시에 테스튼 하는 듀얼 사이트 테스트로서 사이트 차이는 50%까지 허용된다고 가정한다. 테스트가 시작되면(500) 테스트 장치는 웨이퍼에 설정된 제 1 플래그를 만나기 전까지 계속 테스트를 진행한다(502). 다음, 제 1 플래그를 만나면(504) 테스트 장치는 그 간의 테스트 결과를 이용하여 소정의 처리 과정을 수행한다(506). 예를 들어, 테스트된 사이트 별 및 분할된 영역별로 검출된 BIN 3 오류의 수를 전부 카운터 한 후 이를 각각 임의의 변수에 저장한다. 다음, 제 1 사이트 및 제 2 사이트의 BIN 3 오류 발생률을 계산하고 제 1 사이트 및 제 2 사이트 간의 BIN 3 오류 발생률의 차이가 50% 이상되는 지 여부를 판단한다(508). 만약 판단 결과 50% 이상이라고 하면 이는 비정상적인 값으로서 칩의 문제가 아닌 테스트 장치의 문제로 인하여 발생되었을 가능성 높은 경우이다. 따라서 테스트 장치는 이러한 문제점에 대한 조치로서 자동적으로 탐침의 세정을 실시하게 된다(510). 예를 들어 제 1 사이트에서 BIN 3 오류가 발 생한 수는 10이고 제 2 사이트에서는 30 이라고 하면, 제 1 사이트의 BIN 3 발생 률은 전체 오류 발생 수 40으로 10을 나눈 결과인 25%가 되며, 마찬가지로 제 2 사이튼 75%가 된다. 따라서 사이트 간의 오류 발생률 차이가 50%가 되므로 탐침 세정을 실시한다. 탐침 세정이 완료되면 다시 테스트를 계속 진행하게 된다(512). 만약 오류 발생류의 차이가 50% 미만이 되면 테스트 장치는 테스트 장치 내부의 문제는 없는 것으로 판단하고 탐침 세정 없이 바로 테스트를 재개한다(512). 다음, 테스트를 진행하여 제 2 플래그를 만나면(518), 다시 위에서와 같은 소정의 처리 과정을 반복한다. 만약 본 실시예서와 같이 제 2 플래그가 테스트가 완료되는 칩으로 설정되어 있는 경우에는 아래과 같은 프로세스를 진행할 수 있다. 만약 테스트가 완료되는 시점에서 제 1 사이트와 제 2 사이트 간의 전체 BIN 3 오류의 발생율 차이가 50% 미만이 된다고 판단되면, 테스트 장치의 문제는 없는 것으로 판단하고 테스트를 종료한다(530). 그러나 만약 50% 이상 이라고 판단되면, 테스트 장치의 문제라고 판단하고 BIN3 오류가 발생한 칩에 대해서 자동적으로 재테스트를 실시하게 된다(519). 경우에 따라 테스트 장치는 미리 설정한 영역별로 사이트에 따른 BIN 3 오류의 발생률 차이를 계산하고 발생률 차이가 미리 정한 기준 보다 큰 영역만 자동적으로 재테스트를 수행하게 할 수 있다(520). 이러한 경우에는 테스트가 정상적으로 진행되었다고 판단되는 부분은 재테스트에서 제외 되므로 테스트에 소요되는 시간이 단축되는 효과를 나타낼 수 있다. Hereinafter, the algorithm of the present invention will be described with reference to FIG. 5. In this embodiment, it is assumed that the BIN error mode is set to BIN 3 and that the site difference is allowed to 50% as a dual site test for testing two chips simultaneously. Once the test begins (500), the test apparatus continues the test until it meets the first flag set on the wafer (502). Next, when the first flag is encountered (504), the test apparatus performs a predetermined process by using the test results therebetween (506). For example, the total number of detected BIN 3 errors for each tested site and each divided region is counted and stored in an arbitrary variable, respectively. Next, a BIN 3 error occurrence rate of the first site and the second site is calculated and it is determined whether the difference between the BIN 3 error occurrence rate between the first site and the second site is 50% or more (508). If the result is more than 50%, this is an abnormal value and is most likely caused by a test device problem rather than a chip problem. Therefore, the test apparatus automatically cleans the probe as a measure for this problem (510). For example, if the number of BIN 3 errors occurred on the first site is 10 and the number on the second site is 30, then the BIN 3 occurrence rate on the first site is 25%, which is the result of dividing 10 by the total number of errors. Similarly, the second cyton is 75%. As a result, there is a 50% difference in error rate between sites. When the probe cleaning is completed, the test is continued again (512). If the difference in error generation is less than 50%, the test apparatus determines that there is no problem inside the test apparatus and immediately resumes the test without cleaning the probe (512). Next, when the test proceeds to meet the second flag (518), the predetermined process as described above is repeated. If the second flag is set to the chip to be tested as in this embodiment, the following process may be performed. If it is determined that the difference in occurrence rate of the total BIN 3 errors between the first site and the second site is less than 50% at the time when the test is completed, it is determined that there is no problem with the test apparatus and the test is terminated (530). However, if it is determined that 50% or more, it is determined that the test device is a problem and automatically retests the chip in which the BIN3 error occurs (519). In some cases, the test apparatus may calculate a difference in incidence rates of BIN 3 errors according to sites for each preset region, and automatically perform retesting only in an area in which the difference in incidence rates is greater than a predetermined criterion (520). In this case, since the part judged to be normally performed is excluded from the retest, the time required for the test may be shortened.
위와 같이 재테스트까지 완료되면 테스트 및 재테스트 결과를 모두 디스플레이 한다(522). 경우에 따라 이러한 디스플레이 결과로부터 테스트 장치 내 탐침 과 테스트 받는 웨이퍼와의 접촉 자체의 문제가 있는 것으로 판단되는 경우, 사용자는 탐침과 웨이퍼을 지지하는 척과의 평탄도 또는 접촉 거리 등을 조절하여 다시 테스트를 수행할 수 있다(524). When the retest is completed as above, the test and retest results are displayed in
지금까지 본 발명의 일실시예에 국한하여 설명하였으나 본 발명의 기술이 당업자에 의하여 용이하게 변형 실시될 가능성이 자명하다. 이러한 변형된 실시 예들은 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술사상에 포함된다고 하여야 할 것이다. It has been described so far limited to one embodiment of the present invention, it is obvious that the technology of the present invention can be easily modified by those skilled in the art. Such modified embodiments should be included in the technical spirit described in the claims of the present invention.
도 1은 듀얼 사이트 테스트에 의한 테스트 결과를 도시한 것이다. 1 shows test results by a dual site test.
도 2는 테스트 장치에 구비된 탐침 및 웨이퍼 지지척의 좌우 평탄도 차이에 기인한 사이트 차이를 발생을 나타낸 것이다. Figure 2 shows the occurrence of site differences due to the left and right flatness difference between the probe and the wafer support chuck provided in the test apparatus.
도 3은 탐침의 선단에 붙은 이물질에 의한 사이트 사이 발생을 나타낸 것이다. Figure 3 shows the generation between sites by the foreign matter attached to the tip of the probe.
도 4는 종래의 웨이퍼 테스트 방법을 단계별로 도시한 것이다. 4 is a step-by-step illustration of a conventional wafer test method.
도 5는 본 발명에 따른 멀티 사이트 테스트 방법을 단계별로 도시한 것이다.5 illustrates step by step a multi-site test method according to the present invention.
도 6은 웨이퍼 내에 플래그를 설정한 것을 나타낸 것이다.Fig. 6 shows the setting of flags in the wafer.
도 7은 웨이퍼를 특정 영역으로 분할 한 것을 나타낸 것이다. 7 shows a wafer divided into specific regions.
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