KR20090070021A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090070021A KR20090070021A KR1020070137876A KR20070137876A KR20090070021A KR 20090070021 A KR20090070021 A KR 20090070021A KR 1020070137876 A KR1020070137876 A KR 1020070137876A KR 20070137876 A KR20070137876 A KR 20070137876A KR 20090070021 A KR20090070021 A KR 20090070021A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pixel
- thin film
- film transistor
- gate
- line
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 화질을 향상시킬 수 있는 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device capable of improving image quality.
정보화 사회의 발달로 인해, 정보를 표시할 수 있는 표시 장치가 활발히 개발되고 있다. 표시 장치는 액정표시장치(liquid crystal display device), 유기전계발광 표시장치(organic electro-luminescence display device), 플라즈마 표시장치(plasma display panel) 및 전계 방출 표시장치(field emission display device)를 포함한다.Due to the development of the information society, display devices capable of displaying information have been actively developed. The display device includes a liquid crystal display device, an organic electro-luminescence display device, a plasma display panel, and a field emission display device.
이 중에서, 액정표시장치는 경박 단소, 저 소비 전력 및 풀 컬러 동영상 구현과 같은 장점이 있어, 모바일 폰, 네비게이션, 모니터, 텔레비전에 널리 적용되고 있다.Among these, the liquid crystal display device has advantages such as light weight, small size, low power consumption, and full color video, and is widely applied to mobile phones, navigation, monitors, and televisions.
액정표시장치는 액정 패널 상의 액정셀들의 광 투과율을 조절함으로써 비디오신호에 해당하는 영상을 표시한다. The LCD displays an image corresponding to a video signal by adjusting the light transmittance of the liquid crystal cells on the liquid crystal panel.
액정표시장치는 제1 기판, 제2 기판 및 액정층을 포함한다.The liquid crystal display device includes a first substrate, a second substrate, and a liquid crystal layer.
제1 기판은 다수의 게이트라인들과 다수의 데이터라인들이 교차하여 배열된 다. 각 게이트라인과 각 데이터라인에 의해 다수의 화소 영역들이 정의된다. The first substrate is arranged by crossing a plurality of gate lines and a plurality of data lines. A plurality of pixel regions are defined by each gate line and each data line.
각 화소 영역에는 게이트라인과 데이터라인에 연결된 박막트랜지스터와 박막트랜지스터에 연결된 화소전극이 형성된다.Each pixel region includes a thin film transistor connected to a gate line and a data line, and a pixel electrode connected to the thin film transistor.
각 화소 영역을 가로 질러 공통라인이 배치된다. 공통라인은 화소전극과 오버랩되어 스토리지 캐패시턴스를 형성한다.A common line is arranged across each pixel area. The common line overlaps the pixel electrode to form a storage capacitance.
제2 기판은 제1 기판에 정의된 각 화소 영역에 대응되어 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터 및 청색 컬러필터를 포함하는 컬러필터층이 형성되고, 각 컬러필터 사이에 블랙 매트릭스가 형성되고, 컬러필터층과 블랙 매트릭스 상에 공통전극이 형성된다.The second substrate corresponds to each pixel region defined in the first substrate, and a color filter layer including a red color filter, a green color filter, and a blue color filter is formed, a black matrix is formed between each color filter, and the color filter layer The common electrode is formed on the black matrix.
액정층은 다수의 액정 분자들을 포함한다. The liquid crystal layer includes a plurality of liquid crystal molecules.
화소전극에 인가된 데이터 전압과 공통전극에 인가된 공통전압에 의해 제1 및 제2 기판 사이에 전계가 발생되고, 이러한 전계에 의해 액정층의 액정 분자들이 변위되며, 이러한 변위된 액정 분자들은 외부에서 제공된 광을 투과/반투과시키게 되어, 영상이 표시되게 된다.An electric field is generated between the first and second substrates by the data voltage applied to the pixel electrode and the common voltage applied to the common electrode, and the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer are displaced by the electric field. It transmits / transmits the light provided by, so that the image is displayed.
종래의 액정표시장치는 게이트라인별로 데이터전압들이 게이트라인 상의 각 화소전극으로 인가된다. In the conventional liquid crystal display, data voltages are applied to each pixel electrode on the gate line for each gate line.
이러한 경우, 이전 게이트라인 상의 각 화소 영역으로 인가된 데이터전압이 이후 게이트라인 상의 각 화소 영역으로 인가된 데이터전압에 영향을 주는 커플링이 발생되어, 이후 게이트라인 상의 각 화소 영역으로 인가된 데이터전압이 변동되게 되어, 원하는 영상이 표시되지 않게 되어 화질이 저하되게 된다.In this case, a coupling occurs in which the data voltage applied to each pixel region on the previous gate line affects the data voltage applied to each pixel region on the gate line, and then the data voltage applied to each pixel region on the gate line. This fluctuates, and the desired image is not displayed and the image quality deteriorates.
종래의 액정표시장치는 게이트라인 상의 각 화소 영역이 적색 화소 영역, 녹색 화소 영역 및 청색 화소 영역의 순서로 배열된다. 다음 게이트라인 상의 각 화소 영역도 적색 화소 영역, 녹색 화소 영역 및 청색 화소 영역의 순서로 배열된다. 이러한 방식으로 배열된 화소 영역들은 수직 방향으로 동일한 색의 화소 영역이 배열되게 되어, 수직 스트라이프(vertical stripe) 구조를 갖게 된다.In the conventional liquid crystal display, each pixel area on the gate line is arranged in the order of the red pixel area, the green pixel area, and the blue pixel area. Each pixel area on the next gate line is also arranged in the order of the red pixel area, the green pixel area, and the blue pixel area. The pixel regions arranged in this manner are arranged to have pixel regions of the same color in the vertical direction, and thus have a vertical stripe structure.
이러한 수직 스트라이프 구조에서는 게이트라인 상의 각 화소 영역마다 데이터라인이 구비되게 된다. In such a vertical stripe structure, a data line is provided for each pixel area on the gate line.
데이터라인의 개수가 많아지게 되는 경우, 각 데이터라인으로 공급하여 주는 데이터 전압을 생성하여야 하므로, 데이터 전압을 생성하는 데이터 드라이버의 회로가 복잡해지게 된다. 이와 같이 데이터 드라이버의 회로가 복잡해지는 경우, 데이터 드라이버의 사이즈가 증가하게 되고 비용도 증가하게 된다.When the number of data lines increases, a data voltage to be supplied to each data line needs to be generated, and the circuit of the data driver generating the data voltage becomes complicated. When the circuit of the data driver is complicated in this manner, the size of the data driver is increased and the cost is increased.
본 발명은 데이터라인의 개수를 줄여 데이터 구동을 용이하게 하여 주고 비용을 절감하며 데이터 구동을 위한 데이터 드라이버의 회로를 단순화할 수 있는 액정표시장치를 제공함에 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which can reduce the number of data lines to facilitate data driving, reduce cost, and simplify a circuit of a data driver for data driving.
본 발명의 다른 목적은 공통라인의 구조를 변경하여 커플링을 최소화하여 화질을 향상시킬 수 있는 액정표시장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which can improve image quality by minimizing coupling by changing the structure of a common line.
본 발명에 따르면, 액정표시장치는, 다수의 게이트라인들과 다수의 데이터라 인들에 의해 정의된 다수의 화소 영역들을 포함하고, 상기 화소 영역들은 제1 화소 영역, 제2 화소 영역 및 제3 화소 영역을 포함하고, 상기 제1 내지 제3 화소 영역들은 상기 데이터라인들의 길이 방향을 따라 정의되며, 상기 제1 및 제2 화소 영역들은 제1 방향으로 평행한 제1 및 제2 게이트라인들과 상기 제1 및 제2 게이트라인들에 교차하고 제2 방향으로 평행한 제1 및 제2 데이터라인들에 의해 정의되며, 상기 제1 화소 영역은, 상기 제1 게이트라인과 상기 제1 및 제2 데이터라인들 중 어느 하나의 데이터라인에 연결된 제1 박막트랜지스터; 및 상기 제1 박막트랜지스터에 연결된 제1 화소전극을 포함하고, 상기 제2 화소 영역은, 상기 제2 게이트라인과 상기 제1 및 제2 데이터라인들 중 다른 하나의 데이터라인에 연결된 제1 박막트랜지스터; 및 상기 제2 박막트랜지스터에 연결된 제2 화소전극을 포함한다.According to the present invention, a liquid crystal display device includes a plurality of pixel regions defined by a plurality of gate lines and a plurality of data lines, wherein the pixel regions include a first pixel region, a second pixel region, and a third pixel region. A pixel region, wherein the first to third pixel regions are defined along a length direction of the data lines, and the first and second pixel regions are parallel to the first and second gate lines in a first direction. Defined by first and second data lines crossing the first and second gate lines and parallel to a second direction, wherein the first pixel area includes the first gate line and the first and second gate lines. A first thin film transistor connected to any one of the data lines; And a first pixel electrode connected to the first thin film transistor, wherein the second pixel region is a first thin film transistor connected to the second gate line and another data line among the first and second data lines. ; And a second pixel electrode connected to the second thin film transistor.
본 발명은 적색 화소 영역, 녹색 화소 영역 및 청색 화소 영역을 수평 스트라이프 구조로 배열함으로써, 데이터라인의 개수를 줄여 비용을 절감할 수 있다.According to the present invention, by arranging the red pixel area, the green pixel area, and the blue pixel area in a horizontal stripe structure, the number of data lines can be reduced to reduce costs.
본 발명은 이웃하는 화소전극들 사이에 공통라인을 배치함으로써, 화소전극들에 인가된 데이터전압들의 커플링을 방지하여 화질을 향상시킬 수 있다.The present invention can improve image quality by preventing coupling of data voltages applied to pixel electrodes by disposing common lines between neighboring pixel electrodes.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention.
도 1은 본 발명에 따른 액정표시장치를 도시한 도면이다.1 is a view showing a liquid crystal display device according to the present invention.
도 1을 참조하면, 액정표시장치는 다수의 게이트라인들(G1 내지 G(3m/2))과 다수의 데이터라인들(S1 내지 S(2n))이 교차하여 배치된다.Referring to FIG. 1, in the liquid crystal display, a plurality of gate lines G1 to G (3m / 2) and a plurality of data lines S1 to S (2n) are arranged to cross each other.
본 실시예에서는, 2개의 게이트라인들(G1, G2)과 2개의 데이터라인들(S1, S2)에 의해 2개의 화소 영역들이 정의될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 게이트라인들(G1, G2)과 제1 및 제2 데이터라인들(S1, S2)에 의해 제1 및 제2 화소 영역들(G11, B11)이 정의될 수 있다.In the present exemplary embodiment, two pixel areas may be defined by two gate lines G1 and G2 and two data lines S1 and S2. For example, the first and second pixel regions G11 and B11 may be defined by the first and second gate lines G1 and G2 and the first and second data lines S1 and S2. have.
도 1에 도시된 바와 같이, 제1 박막트랜지스터는 제1 게이트라인(G1)과 제2 데이터라인(S2)에 연결되어 제1 화소 영역(녹색 화소 영역, G11)에 배치될 수 있다. 제2 박막트랜지스터는 제2 게이트라인(G2)과 제1 데이터라인(S1)에 연결되어 제2 화소 영역(청색 화소 영역, B11)에 배치될 수 있다. 녹색 화소 영역(G11)은 녹색을 표시할 수 있는 영역이고, 청색 화소 영역(B11)은 청색을 표시할 수 있는 영역이다.As illustrated in FIG. 1, the first thin film transistor may be connected to the first gate line G1 and the second data line S2 and disposed in the first pixel region (green pixel region G11). The second thin film transistor may be connected to the second gate line G2 and the first data line S1 and disposed in the second pixel area (blue pixel area B11). The green pixel area G11 is an area capable of displaying green color, and the blue pixel area B11 is an area capable of displaying blue color.
이와 반대로 제1 및 제2 박막트랜지스터들이 배치될 수 있다. 즉, 도 1에 도시되지 않았지만, 제1 박막트랜지스터는 제1 게이트라인(G1)과 제1 데이터라인(S1)에 연결되어 제1 화소 영역(G11)에 배치될 수 있다. 제2 박막트랜지스터는 제2 게이트라인(G2)과 제2 데이터라인(S2)에 연결되어 제2 화소 영역(B11)에 배치될 수 있다.On the contrary, the first and second thin film transistors may be disposed. That is, although not shown in FIG. 1, the first thin film transistor may be connected to the first gate line G1 and the first data line S1 and disposed in the first pixel region G11. The second thin film transistor may be connected to the second gate line G2 and the second data line S2 and disposed in the second pixel region B11.
본 실시예에서는 도 1에 도시된 전자의 박막트랜지스터 구조에 한정하여 설명한다.In the present embodiment, a description will be given of the electron thin film transistor structure shown in FIG. 1.
제1 화소전극은 상기 제1 박막트랜지스터에 연결되어 제1 화소 영역(G11)에 배치될 수 있다. 제2 화소전극은 상기 제2 박막트랜지스터에 연결되어 제2 화소 영역(B11)에 배치될 수 있다. The first pixel electrode may be connected to the first thin film transistor and disposed in the first pixel region G11. The second pixel electrode may be connected to the second thin film transistor and disposed in the second pixel region B11.
이와 같이, 본 실시예는 제1 및 제2 게이트라인들(G1, G2)과 제1 및 제2 데이터라인들(S1, S2)에 의해 제1 및 제2 화소 영역들(G11, B11)이 정의될 수 있고, 제1 화소 영역(G11)에 제1 박막트랜지스터와 제1 화소 전극이 배치되고, 제2 화소 영역(B11)에 제2 박막트랜지스터와 제2 화소 전극이 배치될 수 있다.As such, in the present exemplary embodiment, the first and second pixel regions G11 and B11 are formed by the first and second gate lines G1 and G2 and the first and second data lines S1 and S2. The first thin film transistor and the first pixel electrode may be disposed in the first pixel region G11, and the second thin film transistor and the second pixel electrode may be disposed in the second pixel region B11.
또한, 상기 제2 게이트라인(G2) 및 제3 게이트라인(G3)과 제1 및 제2 데이터라인들(S1, S2)에 의해 제3 및 제4 화소 영역들(R12, G12)이 정의될 수 있다.In addition, third and fourth pixel regions R12 and G12 may be defined by the second gate line G2, the third gate line G3, and the first and second data lines S1 and S2. Can be.
도 1에 도시된 바와 같이, 제3 박막트랜지스터는 제2 게이트라인(G2)과 제2 데이터라인(S2)에 연결되어 제3 화소 영역(적색 화소 영역, R12)에 배치될 수 있다. 제4 박막트랜지스터는 제3 게이트라인(G3)과 제1 데이터라인(S1)에 연결되어 제4 화소 영역(녹색 화소 영역, G12)에 배치될 수 있다. 적색 화소 영역(R12)은 적색을 표시할 수 있는 영역이고, 녹색 화소 영역(G12)은 녹색을 표시할 수 있는 영역이다.As illustrated in FIG. 1, the third thin film transistor may be connected to the second gate line G2 and the second data line S2 and disposed in the third pixel region (red pixel region R12). The fourth thin film transistor may be connected to the third gate line G3 and the first data line S1 and disposed in the fourth pixel area (green pixel area G12). The red pixel area R12 is an area capable of displaying red color, and the green pixel area G12 is an area capable of displaying green color.
이와 반대로 제3 및 제4 박막트랜지스터들이 배치될 수 있다. 즉, 도 1에 도시되지 않았지만, 제3 박막트랜지스터는 제2 게이트라인(G2)과 제1 데이터라인(S1)에 연결되어 제3 화소 영역(R12)에 배치될 수 있다. 제4 박막트랜지스터는 제3 게이트라인(G3)과 제2 데이터라인(S2)에 연결되어 제4 화소 영역(G12)에 배치될 수 있다.On the contrary, the third and fourth thin film transistors may be disposed. That is, although not shown in FIG. 1, the third thin film transistor may be connected to the second gate line G2 and the first data line S1 and disposed in the third pixel region R12. The fourth thin film transistor may be connected to the third gate line G3 and the second data line S2 and disposed in the fourth pixel region G12.
본 실시예에서는 도 1에 도시된 전자의 박막트랜지스터 구조에 한정하여 설명한다.In the present embodiment, a description will be given of the electron thin film transistor structure shown in FIG. 1.
제3 화소전극은 상기 제3 박막트랜지스터에 연결되어 제3 화소 영역(R12)에 배치될 수 있다. 제4 화소전극은 상기 제4 박막트랜지스터에 연결되어 제4 화소 영역(G12)에 배치될 수 있다. The third pixel electrode may be connected to the third thin film transistor and disposed in the third pixel region R12. The fourth pixel electrode may be connected to the fourth thin film transistor and disposed in the fourth pixel region G12.
이와 같이, 본 실시예는 제2 및 제3 게이트라인들(G2, G3)과 제1 및 제2 데이터라인들(S1, S2)에 의해 제3 및 제4 화소 영역들(R12, G12)이 정의될 수 있고, 제3 화소 영역(R12)에 제3 박막트랜지스터와 제3 화소 전극이 배치되고, 제4 화소 영역(G12)에 제4 박막트랜지스터와 제4 화소 전극이 배치될 수 있다.As described above, in the present exemplary embodiment, the third and fourth pixel regions R12 and G12 are formed by the second and third gate lines G2 and G3 and the first and second data lines S1 and S2. The third thin film transistor and the third pixel electrode may be disposed in the third pixel region R12, and the fourth thin film transistor and the fourth pixel electrode may be disposed in the fourth pixel region G12.
이상으로부터 본 실시예는 수직 방향을 따라 다시 말해, 제1 및 제2 데이터라인들(S1, S2)의 길이 방향을 따라 녹색 화소 영역, 청색 화소 영역, 적색 화소 영역, 녹색 화소 영역의 순서로 화소전극들이 배치된다. As described above, the exemplary embodiment of the present invention is a pixel in the order of the green pixel area, the blue pixel area, the red pixel area, and the green pixel area in the vertical direction along the vertical direction. The electrodes are arranged.
이와 같은 배열은 제3 데이터라인(S3)과 제4 데이터라인(S4) 그리고 제5 및 제6 데이터라인들(S5, S6)에 의해 배치된 화소 영역들도 동일하다.The arrangement is the same for the pixel areas arranged by the third data line S3, the fourth data line S4, and the fifth and sixth data lines S5 and S6.
따라서, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예는 수평 방향으로 동일한 색을 표시할 수 있는 화소 영역들이 배치됨으로써, 수평 스트라이프(horizontal stripe) 구조를 가질 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 1, in the present exemplary embodiment, pixel regions capable of displaying the same color in the horizontal direction may be arranged, and thus may have a horizontal stripe structure.
본 실시예는 제2 게이트라인(G2)이 제2 화소 영역(B11)과 제3 화소 영역(R12)에 공유된다. 즉, 제2 게이트라인(G2)으로 공급된 스캔 신호에 의해 제2 화소 영역(B11)의 제2 박막트랜지스터와 제3 화소 영역(R12)의 제3 박막트랜지스터가 동시에 턴온될 수 있다. In the present exemplary embodiment, the second gate line G2 is shared between the second pixel region B11 and the third pixel region R12. That is, the second thin film transistor of the second pixel region B11 and the third thin film transistor of the third pixel region R12 may be simultaneously turned on by the scan signal supplied to the second gate line G2.
본 실시예는 종래에 가로 방향으로 적색 화소 영역, 녹색 화소 영역 및 청색 화소 영역의 순서로 배치되던 것(수직 스트라이프 구조)을 세로 방향으로 적색 화 소 영역(R11), 녹색 화소 영역(G11) 및 청색 화소 영역(B11)의 순서로 배치됨(수평 스트라이프 구조)에 따라, 데이터라인들(S1 내지 S(2n))의 개수가 종래에 비해 1/3 정도 감소될 수 있다. In the present exemplary embodiment, the red pixel region R11, the green pixel region G11, and the like are arranged in the order of the red pixel region, the green pixel region, and the blue pixel region in the horizontal direction (vertical stripe structure) in the vertical direction. According to the arrangement in the order of the blue pixel areas B11 (horizontal stripe structure), the number of data lines S1 to S (2n) may be reduced by about one third as compared with the related art.
도 2는 본 발명에 따른 액정표시장치에서 세로 방향으로 정의된 2개의 화소 영역들을 도시한 평면도이다.2 is a plan view illustrating two pixel areas defined in a vertical direction in the liquid crystal display according to the present invention.
도 2에서는 대표적으로 세로 방향으로 정의된 2개의 화소 영역들을 도시하고 있지만, 본 실시예의 액정표시장치는 이와 같은 2개의 화소 영역들이 반복하여 정의되어 배치될 수 있다.In FIG. 2, two pixel areas are typically defined in the vertical direction. However, in the liquid crystal display of the present exemplary embodiment, the two pixel areas may be repeatedly defined and arranged.
도 2를 참조하면, 제1 방향으로 평행하게 제1 및 제2 게이트라인들(12, 42)이 배치된다. 제2 방향으로 평행하게 제1 및 제2 데이터라인들(57, 27)이 배치된다. 상기 제1 및 제2 게이트라인들(12, 42)과 상기 제1 및 제2 데이터라인들(57, 27)에 의해 제1 및 제2 화소 영역들(녹색 화소 영역, 청색 화소 영역)이 정의될 수 있다.Referring to FIG. 2, first and
상기 제1 게이트라인(12)과 상기 제2 데이터라인(27)에 제1 박막트랜지스터(26)가 전기적으로 연결되어 상기 제1 화소 영역에 배치되고, 상기 제2 게이트라인(42)과 상기 제1 데이터라인(57)에 제2 박막트랜지스터(56)가 전기적으로 연결되어 상기 제2 화소 영역에 배치된다. A first
상기 제1 박막트랜지스터(26)에 제1 콘택홀(30)을 통해 제1 화소전극(32)이 전기적으로 연결되어 상기 제1 화소 영역에 배치되고, 상기 제2 박막트랜지스터(56)에 제2 콘택홀(60)을 통해 제2 화소전극(62)이 전기적으로 연결되어 상기 제 2 화소 영역에 배치된다.A
상기 제1 화소전극(32)의 테두리 영역을 따라 오버랩되어 제1 공통라인(18)이 배치된다. 상기 제1 화소전극(32)과 상기 제1 공통라인(18)의 오버랩에 의해 제1 스토지리 캐패시턴스가 형성될 수 있다.The first
상기 제2 화소전극(62)의 테두리 영역을 따라 오버랩되어 제2 공통라인(48)이 배치된다. 상기 제2 화소전극(62)과 상기 제2 공통라인(48)의 오버랩에 의해 제2 스토리지 캐패시턴스가 형성될 수 있다.The second
상기 제1 공통라인(18)과 상기 제2 공통라인(48)은 양단이 전기적으로 연결되어 일체로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 공통라인(18)의 일단과 상기 제2 공통라인(48)의 일단이 제1 연결부(33)에 전기적으로 연결되고, 상기 제1 공통라인(18)의 타단과 상기 제2 공통라인(48)의 타단이 제2 연결부(35)에 전기적으로 연결될 수 있다. Both ends of the first
상기 제1 화소전극(32)과 상기 제2 화소전극(62)은 상기 제1 화소 영역과 상기 제2 화소 영역에 의해 구분이 되어야 하므로, 상기 제1 및 제2 화소전극들(32, 62)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.Since the
이러한 경우, 상기 제1 및 제2 화소전극들(32, 62) 사이에 제1 연결부(33)와 상기 제2 연결부(35)에 각각 전기적으로 연결된 보조 공통라인(제3 공통라인, 34)이 배치될 수 있다. In this case, an auxiliary common line (third common line 34) electrically connected to the
상기 보조 공통라인(34)은 상기 제1 화소전극(32)과 상기 제2 화소전극(62)과 동일한 간격으로 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 보조 공통라인(34)에 공급된 공통전압에 의해 상기 제1 화소전극(32)으로 공급된 데이터전압이 상기 제2 화소전극(62)으로 공급된 데이터전압으로 영향을 미치는 것이 차단될 수 있다. The auxiliary
기존에 제1 화소전극으로 공급된 데이터전압과 제2 화소전극으로 공급된 데이터전압 사이에 발생되는 전계가 본 실시예의 보조 공통라인(34)에 의해 상기 제1 화소전극(32)으로 공급된 데이터전압은 상기 보조 공통라인(34)으로 공급된 공통전압과의 전계 발생을 위해 사용되므로, 상기 제2 화소전극(62)으로 공급된 데이터전압은 상기 제1 화소전극(32)으로 공급된 데이터전압에 의해 전계가 발생되지 않게 된다. 이에 따라, 상기 제2 화소전극(62)으로 공급된 데이터전압은 상기 제1 화소전극(32)으로 공급된 데이터전압에 의해 영향을 받지 않게 되어, 커플링 현상이 발생되지 않게 된다. 따라서, 화질이 향상될 수 있다. The electric field generated between the data voltage previously supplied to the first pixel electrode and the data voltage supplied to the second pixel electrode is the data supplied to the
상기 제1 및 제2 공통라인들(18, 48)과 상기 보조 공통라인(34)은 동일한 공통전압이 공급될 수 있다.The same common voltage may be supplied to the first and second
도 2에 도시되지 않았지만, 상기 제2 게이트라인(42)과 공유하여 제3 화소 영역(적색 화소 영역)에 제3 박막트랜지스터와 제3 화소전극이 배치될 수 있다. 상기 제3 박막트랜지스터는 상기 제2 게이트라인(42)과 상기 제2 데이터라인(27)과 전기적으로 연결되고, 상기 제3 화소전극은 상기 제3 박막트랜지스터와 전기적으로 연결될 수 있다.Although not shown in FIG. 2, the third thin film transistor and the third pixel electrode may be disposed in the third pixel area (red pixel area) in common with the
상기 제2 게이트라인(42)과 평행하게 제3 게이트라인이 배치될 수 있다. A third gate line may be disposed parallel to the
상기 제2 게이트라인(42) 및 제3 게이트라인과 상기 제1 및 제2 데이터라인들(57, 27)에 의해 상기 제3 화소 영역과 제4 화소 영역이 정의될 수 있다.The third pixel area and the fourth pixel area may be defined by the
상기 제4 화소 영역(녹색 화소 영역)에는 제4 박막트랜지스터와 제4 화소전극이 배치될 수 있다. 상기 제4 박막트랜지스터는 상기 제3 게이트라인과 상기 제1 데이터라인(57)에 전기적으로 연결되어 상기 제4 화소 영역에 배치될 수 있다. 상기 제4 화소전극은 상기 제4 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되어 상기 제4 화소 영역에 배치될 수 있다.A fourth thin film transistor and a fourth pixel electrode may be disposed in the fourth pixel area (green pixel area). The fourth thin film transistor may be electrically connected to the third gate line and the
상기 제2 게이트라인(42)으로 공급된 게이트 신호에 의해 상기 제2 박막트랜지스터(56) 및 제3 박막트랜지스터가 동시에 턴온될 수 있다. 상기 제1 데이터라인(57)으로 공급된 데이터전압이 상기 제2 박막트랜지스터(56)를 경유하여 상기 제2 화소전극(62)으로 인가된다. 상기 제2 데이터라인(27)으로 공급된 데이터전압이 상기 제3 박막트랜지스터를 경유하여 상기 제3 화소전극으로 인가된다.The second
따라서, 제2 게이트라인(42)의 활성화에 의해 제2 및 제3 화소 영역에 동시에 표시될 수 있다.Accordingly, the
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치에서 세로 방향으로 정의된 2개의 화소 영역들을 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating two pixel areas defined in a vertical direction in the liquid crystal display according to the present invention.
도 2 및 도 3을 참조하면, 기판(10) 상에 제1 방향으로 평행하게 제1 및 제2 게이트라인들(12, 42), 상기 제1 및 제2 게이트라인들(12, 42) 각각에 연결된 제1 및 제2 게이트전극들(14, 44), 제1 및 제2 화소 영역에 폐루프(closed loop)를 갖는 제1 및 제2 공통라인들(18, 48), 제1 및 제2 공통라인들(18, 48)을 연결한 제1 및 제2 연결부들(33, 35) 그리고 상기 제1 및 제2 화소 영역 사이에 상기 제1 및 제2 연결부들(33, 35)에 연결된 보조 공통라인(34)을 형성한다. 상기 제1 게이트전 극(14)과 이격되어 제1 보조 게이트전극(16)이 형성되고, 상기 제2 게이트전극(44)과 이격되어 제2 보조 게이트전극(46)이 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2 보조 게이트전극들(16, 46)은 이후에 설명될 제1 소오스/드레인 전극들(24a, 24b)과 제2 소오스/드레인 전극들(54a, 54b)이 마스크의 미스얼라인(misalign)에 의해 시프트되어 형성되는 경우에 발생되는 게이트전극(14, 44)과 소오스전극(24a, 54a) 간의 기생 캐패시턴스의 변경을 방지하기 위해 배치될 수 있다.2 and 3, each of the first and
상기 제1 및 제2 게이트라인들(12, 42)을 포함하는 상기 기판(10) 상에 게이트 절연층(20)이 형성된다.A
상기 제1 및 제2 게이트전극들(12, 42)에 상응하는 상기 게이트 절연층(20) 상에 액티브층(22a, 52a)과 오믹 콘택층(22b, 52b)을 포함하는 제1 및 제2 반도체층들(22, 52)을 형성한다.First and second electrodes including
상기 제1 및 제2 반도체층들(22, 52)을 포함하는 상기 기판(10) 상에 제1 소오스/드레인 전극들(24a, 24b), 제2 소오스/드레인 전극들(54a, 54b)과 제2 방향으로 평행하게 제1 및 제2 데이터라인들(57, 27)을 형성한다. 상기 제1 소오스/드레인 전극들(24a, 24b)은 서로 이격되고, 상기 제2 소오스/드레인 전극들(54a, 54b)은 서로 이격된다. 상기 제1 데이터라인(57)은 상기 제1 소오스 전극(54a)과 연결되고, 상기 제2 데이터라인(27)은 상기 제2 소오스 전극(24a)과 연결된다.First source /
상기 제1 게이트전극(14), 상기 제1 반도체층(22) 그리고 상기 제1 소오스/드레인 전극들(24a, 24b)에 의해 제1 박막트랜지스터(26)가 형성되고, 상기 제2 게이트전극(44), 상기 제2 반도체층(52) 그리고 상기 제2 소오스/드레인 전극들(54a, 54b)에 의해 제2 박막트랜지스터(56)가 형성될 수 있다.A first
상기 제1 및 제2 데이터라인들(57, 27)을 포함하는 상기 기판(10) 상에 보호막(28)을 형성한다. 상기 보호막(28)을 관통하여 상기 제1 드레인 전극(24b)이 노출되거나 관통되도록 제1 콘택홀(30)이 형성되고, 상기 보호막(28)을 관통하여 상기 제2 드레인 전극(54b)이 노출되거나 관통되도록 제2 콘택홀(60)이 형성될 수 있다.A
상기 보호막(28) 상의 제1 화소 영역에 상기 제1 드레인 전극(24b)과 전기적으로 연결되도록 제1 화소전극(32)이 형성되고, 상기 제2 화소 영역에 제2 드레인 전극(54b)과 전기적으로 연결되도록 제2 화소전극(62)이 형성될 수 있다.A
상기 제1 화소전극(32)의 테두리 영역은 상기 제1 공통라인(18)과 오버랩되고, 상기 제2 화소전극(32)의 테두리 영역은 상기 제2 공통라인(48)과 오버랩될 수 있다. 상기 제1 화소전극(32)과 상기 제1 공통라인(18) 사이 그리고 상기 제2 화소전극(32)과 상기 제2 공통라인(48) 상이에는 게이트 절연층(20)과 보호막(28)이 형성될 수 있다. 따라서, 제1 공통라인(18), 게이트 절연층(20), 보호막(28) 및 제1 화소전극(32)에 의해 제1 스토리지 캐패시턴스가 형성되고, 제2 공통라인(48), 게이트 절연층(20), 보호막(28) 및 제2 화소전극(62)에 의해 제2 스토리지 캐패시턴스가 형성될 수 있다. An edge region of the
상기 제1 및 제2 화소전극(32, 62) 사이에 상기 제1 및 제2 연결부들(33, 35)에 연결된 상기 보조 공통라인(34)이 형성될 수 있다. 상기 보조 공통라인(34)은 상기 제1 화소전극(32)과 상기 제2 화소전극(62)에 동일한 간격으로 이격되도록 형성될 수 있다.The auxiliary
도 1은 본 발명에 따른 액정표시장치를 도시한 도면.1 is a view showing a liquid crystal display device according to the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 액정표시장치에서 세로 방향으로 정의된 2개의 화소 영역들을 도시한 평면도.2 is a plan view illustrating two pixel regions defined in a vertical direction in a liquid crystal display according to the present invention;
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치에서 세로 방향으로 정의된 2개의 화소 영역들을 도시한 단면도.3 is a cross-sectional view illustrating two pixel areas defined in a vertical direction in a liquid crystal display according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10: 기판 12, 42: 게이트라인10:
14, 44: 게이트전극 16, 46: 보조 게이트전극14, 44:
18, 34, 48: 공통라인 20: 게이트 절연층18, 34, 48: common line 20: gate insulating layer
22: 반도체층 24a, 54a: 소오스 전극22:
24b, 54b: 드레인 전극 28: 보호막24b, 54b: drain electrode 28: protective film
30, 60: 콘택홀 32, 62: 화소전극30, 60:
33, 35: 연결부33, 35: connection
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070137876A KR101443385B1 (en) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070137876A KR101443385B1 (en) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | Liquid crystal display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090070021A true KR20090070021A (en) | 2009-07-01 |
KR101443385B1 KR101443385B1 (en) | 2014-09-30 |
Family
ID=41321611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070137876A KR101443385B1 (en) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101443385B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110361901A (en) * | 2019-01-03 | 2019-10-22 | 友达光电股份有限公司 | Image element array substrates and its driving method |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060119399A (en) * | 2005-05-20 | 2006-11-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Substrate for lcd and lcd having the same |
KR20070076298A (en) * | 2006-01-18 | 2007-07-24 | 삼성전자주식회사 | Liquid crystal display |
KR20070080349A (en) * | 2006-02-07 | 2007-08-10 | 삼성전자주식회사 | Liquid crystal display |
KR20070080494A (en) * | 2006-02-07 | 2007-08-10 | 삼성전자주식회사 | Display apparatus |
-
2007
- 2007-12-26 KR KR1020070137876A patent/KR101443385B1/en active IP Right Grant
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110361901A (en) * | 2019-01-03 | 2019-10-22 | 友达光电股份有限公司 | Image element array substrates and its driving method |
CN110361901B (en) * | 2019-01-03 | 2022-03-25 | 友达光电股份有限公司 | Pixel array substrate and driving method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101443385B1 (en) | 2014-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11650450B2 (en) | Color display device | |
US8188479B2 (en) | Pixel electrode structure having via holes disposed on common line with high display quality | |
US8325286B2 (en) | Active matrix substrate and display device including the same | |
KR101888422B1 (en) | Thin film transistor substrate and method of fabricating the same | |
KR20180061860A (en) | Thin film transistor and display panel using the same | |
US7868954B2 (en) | Liquid crystal panel having elements for electrically coupling common electrode and common lines | |
US8704990B2 (en) | Electro-optical display apparatus | |
KR20050030278A (en) | Liquid crystal display | |
US8223093B2 (en) | Electro-optical device, electronic apparatus, and projection display | |
US10290273B2 (en) | Display pixel structure, array substrate, and display device | |
KR20100056152A (en) | Liquid crystal display device | |
JP5602881B2 (en) | Liquid crystal display | |
JP4065645B2 (en) | Active matrix liquid crystal display device | |
US10067393B2 (en) | Thin film display panel and liquid crystal display device including the same | |
TWI574245B (en) | Display and pixel structure thereof | |
US20130100005A1 (en) | LCD Panel and Method of Manufacturing the Same | |
KR20120050780A (en) | Liquid crystal display panel and fabricating method of the same | |
US8907347B2 (en) | Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same, and liquid crystal display | |
KR101443385B1 (en) | Liquid crystal display device | |
KR20150076348A (en) | Liquid crystal display panel | |
US20140002434A1 (en) | Display device | |
EP3719838A1 (en) | Tft substrate, esd protection circuit, and method for manufacturing tft substrate | |
CN114002887B (en) | Array substrate and display panel | |
US11500251B2 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
US11209706B2 (en) | Substrate for display device and display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170816 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180816 Year of fee payment: 5 |