KR20090069542A - Flexible display device and method for fabricating the same - Google Patents

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KR20090069542A
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이종권
임유석
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

A flexible display for preventing the recognition error of a camera by the interference of the light and a manufacturing method thereof are provided to reduce the generation of error without recognizing a key pattern of an optical camera by light which is diffusely reflected. A first buffer film is formed on a metal foil substrate(100). A reflection prevention pattern(121) is formed on the first buffer film. A second buffer layer is formed in the front side of the substrate including the anti-reflection pattern. A key pattern(122) is formed in order to be overlapped with the anti-reflection pattern at the upper part of the second buffer layer. The anti-reflection pattern includes a first anti-reflection pattern and the second anti-reflection pattern. A first key pattern is formed in order to be overlapped with the first anti-reflection pattern.

Description

플렉서블 디스플레이 및 그의 제조 방법{Flexible Display Device and Method For Fabricating the Same}Flexible display device and method for manufacturing the same

본 발명은 플렉서블 디스플레이에 관한 것으로, 특히 메탈 호일 기판을 이용한 플렉서블 디스플레이의 제작 공정 중, 기판 표면에서의 난반사에 의하여 공정에서 사용되는 장비들, 특히 정확한 기판의 정렬이 중요시되는 노광 장비에서 노광 공정을 수행하기 위하여 기판이 정렬되는 과정에서, 빛의 간섭에 의하여 카메라가 오인식하는 문제점을 방지하기 위한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flexible display. In particular, during the manufacturing process of a flexible display using a metal foil substrate, an exposure process is performed in equipment used in the process by diffuse reflection on the surface of the substrate, particularly in an exposure equipment where accurate alignment of the substrate is important. In the process of aligning the substrate to perform, it is to prevent the problem that the camera is misrecognized by the interference of light.

정보화 사회의 발전에 따라, 시각적 정보를 표시하기 위하여 종래의 CRT(Cathode Ray Tube)를 대신하여, 여러 가지 평판 표시 장치가 주목을 받고 있으며, 이러한 평판 표시 장치들로는 PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display Device), LCD(Liquid Crystal Display Device), OLED(Organic Light Emitting Diode) 등이 있다.In accordance with the development of the information society, various flat panel displays have attracted attention in place of the conventional CRT (Cathode Ray Tube) for displaying visual information, and such flat panel displays have a plasma display panel (PDP) and a FED ( Field emission display devices (LCDs), liquid crystal display devices (LCDs), organic light emitting diodes (OLEDs), and the like.

이와 같은, 평판 표시 장치들은 일반적으로, 유리로 이루어진 두 개의 글래스 기판이 서로 대향하여 합착되고 매트릭스 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)가 구비된 평판 표시 패널을 포함하여 형성된다.Such flat panel displays generally include a flat panel display panel having a plurality of pixels in which two glass substrates made of glass are bonded to each other and arranged in a matrix form.

그러나, 무겁고 깨지기 쉬우며 변형하기 힘든 유리로 이루어진 글래스(glass) 기판을 이용한 평판 표시 장치로는, 언제, 어디에서든지 원하는 화상 정보를 출력할 수 있도록 요구되고 있는 유비쿼터스 시대의 디스플레이를 구현하는데에 한계를 가지고 있으며, However, as a flat panel display device using a glass substrate made of glass that is heavy, fragile and difficult to deform, there is a limitation in implementing a ubiquitous display that is required to output desired image information anytime and anywhere. Have

이에 따라 플라스틱 기판과 같이, 가벼우면서도 가요성을 가지는 재질로 이루어진 기판을 사용한 플렉서블 디스플레이(Flexible Display)의 개발이 활발해지고 있는 실정이다.Accordingly, development of a flexible display using a substrate made of a light and flexible material such as a plastic substrate is being actively developed.

그러나, 플라스틱 기판의 경우, 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 여러 가지 공정이 진행될 때, 해당 공정의 온도 환경에 대하여 취약하다는 문제점을 가지고 있다. However, in the case of a plastic substrate, when various processes for forming a pattern on the substrate are performed, there is a problem that the plastic substrate is vulnerable to the temperature environment of the process.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 가요성을 가지는 메탈 호일 기판(Metal Foil)을 이용한 플렉서블 디스플레이의 개발이 주목을 받고 있다. In order to solve this problem, the development of a flexible display using a flexible metal foil substrate (Metal Foil) has attracted attention.

메탈 호일은 투명한 디스플레이가 요구되지 않는 경우에 사용되며, 내충격성을 확보할 수 있고 내부식성이 높은 스테인리스 스틸(stainless steel)의 재질이 주로 사용된다.Metal foil is used when a transparent display is not required, and a material of stainless steel, which can secure impact resistance and has high corrosion resistance, is mainly used.

이와 같이, 메탈 호일 기판을 사용하여 구현되는 플렉서블 디스플레이 역시, 도1과 같이, 다른 평판 표시 장치와 마찬가지로, 하나의 메탈 호일 기판(10)에 다수의 패널(20)을 동시에 형성하고, 각 패널을 기판으로부터 분리한다.As described above, in the flexible display implemented using the metal foil substrate, like the other flat panel display devices, a plurality of panels 20 are simultaneously formed on one metal foil substrate 10 and each panel is formed. Separate from the substrate.

이 때, 패널에 형성되는 마이크로 패턴(micro pattern)들은 예를 들면 포토레지스트(photoresist)를 이용한 포토리소그래피(photolithography) 법으로 형성할 수 있다.In this case, the micro patterns formed on the panel may be formed by, for example, photolithography using photoresist.

상기 포토리소그래피법을 보다 상세히 설명하면, 먼저 도전층을 증착한 후 상기 도전층 상부에 포토레지스트를 도포한 다음에, 특정 부위를 선택적으로 노광하고 포토레지스트를 선택적으로 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성한다.To describe the photolithography method in more detail, first, after depositing a conductive layer, a photoresist is applied on the conductive layer, and then a specific portion is selectively exposed and the photoresist is selectively removed to form a photoresist pattern. .

이어서, 포토레지스트가 제거된 영역을 통해 노출된 도전층을 식각하여 제거한 다음, 포토레지스트 패턴을 제거하여 최종적으로 구현하고자 하는 마이크로 패턴을 완성한다.Subsequently, the conductive layer exposed through the region where the photoresist has been removed is etched away, and then the photoresist pattern is removed to finally complete the micro pattern to be realized.

이와 같은 방법을 통해 최종적으로 패널에 형성되는 마이크로 패턴은, 다양한 레이어를 가지도록 형성되므로 각 레이어 간에 정확한 정렬 상태를 유지하는 것은 중요하다.The micro-pattern finally formed on the panel by such a method is formed to have various layers, so it is important to maintain accurate alignment between the layers.

이와 같이, 각 레이어 사이에 정확한 정렬 상태를 유지하기 위해서, 기판 상에서 패널을 제외한 나머지 영역, 즉 더미 영역에는 다수의 얼라인 키(align key)와 같은 키 패턴(도1의 22, 24)들이 형성된다. As such, in order to maintain accurate alignment between the layers, key patterns (22, 24 of FIG. 1), such as a plurality of alignment keys, are formed in the remaining area except the panel, that is, the dummy area, on the substrate. do.

이들 키 패턴은, 예를 들면 포토리소그래피 공정 가운데 노광 공정을 수행하기 위한 얼라인 키 이외에도, 각 패널을 분리하는 스크라이빙 공정을 수행하기 위한 얼라인 키 등이 형성될 수 있다. For example, in addition to the alignment key for performing the exposure process among the photolithography process, the key pattern may be formed with an alignment key for performing a scribing process for separating each panel.

그러나, 메탈 호일 기판 상에 키 패턴을 형성할 때 다음과 같은 문제점이 발생하였다.However, the following problem occurred when forming the key pattern on the metal foil substrate.

메탈 호일 기판은, 그 재질 즉 금속의 특성상 결(groove)을 가지고 있어서, 그 표면이 매끄럽지 않고 거친 표면을 가지고 있다. 이와 같은 거친 표면을 매끄럽게 하기 위하여 예를 들면 폴리싱(polishing) 공정을 수행할 수도 있으나 메탈 호일 기판 표면을 완전히 매끄럽게 하지는 못하고 있다.The metal foil substrate has a grain due to its material, i.e., the nature of the metal, so that the surface thereof is not smooth but has a rough surface. In order to smooth such rough surfaces, for example, a polishing process may be performed, but the metal foil substrate surface is not completely smoothed.

따라서, 표면의 거칠기를 완화시키기 위하여 도2와 같이, 메탈 호일 기판(10)의 상부에 버퍼막(12)을 형성하는 방법이 제안되었다.Therefore, in order to alleviate the surface roughness, as shown in FIG. 2, a method of forming the buffer film 12 on the metal foil substrate 10 has been proposed.

그러나, 상기 버퍼막은 산화 실리콘 또는 질화 실리콘 등과 같이 투명한 무기 절연막으로 형성되기 때문에 기판의 거친 표면에서 발생하는 난반사를 막을 수 없게 된다.However, since the buffer film is formed of a transparent inorganic insulating film such as silicon oxide or silicon nitride, it is impossible to prevent diffuse reflection occurring on the rough surface of the substrate.

즉, 기판 상에 형성된 키 패턴(22)을 인식하는 카메라(50)의 경우 키 패턴에서 반사된 빛(A)을 인식하여 기판을 정렬하지만, 기판 표면에서 난반사가 발생할 경우에는 난반사된 빛(B)과의 간섭에 의하여 카메라가 정상적으로 키 패턴을 인식하지 못하는 문제가 발생하게 된다.That is, the camera 50 that recognizes the key pattern 22 formed on the substrate recognizes the light A reflected from the key pattern and aligns the substrate. However, when diffuse reflection occurs on the surface of the substrate, the diffused light B ), The camera may not recognize the key pattern normally.

본 발명은, 메탈 호일 기판을 이용한 플렉서블 디스플레이에 있어서, 메탈 호일 기판의 거친 표면에서의 난반사에 의하여 정렬 과정에서 발생하는 장비의 오작동을 저감시킬 수 있는 플렉서블 디스플레이 및 그의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a flexible display and a method of manufacturing the same, in a flexible display using a metal foil substrate, which can reduce the malfunction of equipment generated in the alignment process due to the diffuse reflection on the rough surface of the metal foil substrate. do.

상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이는, In order to achieve the above object, a flexible display according to an embodiment of the present invention,

메탈 호일 기판 상에 형성된 제 1 버퍼막과, 상기 제 1 버퍼막 상에 형성된 반사 방지 패턴과, 상기 반사 방지 패턴을 포함한 기판 전면에 형성된 제 2 버퍼막과, 상기 제 2 버퍼막 상부에 반사 방지 패턴과 중첩되도록 형성된 키 패턴을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.A first buffer film formed on the metal foil substrate, an antireflection pattern formed on the first buffer film, a second buffer film formed on the entire surface of the substrate including the antireflective pattern, and an antireflective coating on the second buffer film And a key pattern formed to overlap the pattern.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이는,Flexible display according to another embodiment of the present invention for achieving the above object,

메탈 호일 기판 상에 형성된 제 1 버퍼막과, 상기 제 1 버퍼막 상에 형성된 반사 방지 패턴과, 상기 반사 방지 패턴과 중첩되도록 반사 방지 패턴 상부에 형성된 키 패턴을 포함하여 구성되고,A first buffer film formed on the metal foil substrate, an antireflection pattern formed on the first buffer film, and a key pattern formed on the antireflection pattern so as to overlap the antireflection pattern;

상기 반사 방지 패턴과 키 패턴은 서로 다른 식각비를 가지는 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.The anti-reflection pattern and the key pattern may be formed of materials having different etching ratios.

본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이는,Flexible display according to an embodiment of the present invention,

반사 방지 패턴과 중첩되는 영역에 키 패턴을 형성함으로써, 광학 카메라를 사용하여 상기 키 패턴과 정렬할 때, 메탈 호일 기판으로부터 난반사되는 빛에 의하여 광학 카메라가 키 패턴을 인식하지 못하는 에러 발생을 저감할 수 있는 효과 를 가진다.By forming a key pattern in an area overlapping the anti-reflective pattern, when the optical camera is used to align with the key pattern, the occurrence of an error that the optical camera does not recognize the key pattern due to the light diffusely reflected from the metal foil substrate can be reduced. Has the effect.

다음으로, 본 발명의 실시예에 대하여 보다 상세히 설명하기로 한다.Next, an embodiment of the present invention will be described in more detail.

본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이는,Flexible display according to an embodiment of the present invention,

메탈 호일 기판 상에 형성된 제 1 버퍼막과, 상기 제 1 버퍼막 상에 형성된 반사 방지 패턴과, 상기 반사 방지 패턴을 포함한 기판 전면에 형성된 제 2 버퍼막과, 상기 제 2 버퍼막 상부에 상기 반사 방지 패턴과 중첩되도록 형성된 키 패턴을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.A first buffer film formed on the metal foil substrate, an antireflection pattern formed on the first buffer film, a second buffer film formed on the entire surface of the substrate including the antireflection pattern, and the reflection on the second buffer film And a key pattern formed to overlap the prevention pattern.

본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이는, 메탈 호일 기판 상에 형성된 제 1 버퍼막과, 상기 제 1 버퍼막 상에 형성된 제 1 반사 방지 패턴 및 제 2 반사 방지 패턴과, 상기 제 1 반사 방지 패턴 및 제 2 반사 방지 패턴을 포함한 기판 전면에 형성된 제 2 버퍼막과, 상기 제 2 버퍼막 상부에서 상기 제 1 반사 방지 패턴과 중첩되는 영역을 가지도록 형성된 제 1 키 패턴과, 상기 제 1 키 패턴을 포함한 기판 전면에 형성된 절연막과, 상기 절연막 상부에서 상기 제 2 반사 방지 패턴과 중첩되는 영역을 가지도록 형성된 제 2 키 패턴을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, a flexible display includes: a first buffer layer formed on a metal foil substrate, a first antireflection pattern and a second antireflection pattern formed on the first buffer layer, and the first antireflection A second buffer layer formed on the entire surface of the substrate including the pattern and the second antireflection pattern, a first key pattern formed to have an area overlapping the first antireflection pattern on the second buffer layer, and the first key And an insulating film formed on the entire surface of the substrate including the pattern, and a second key pattern formed to have an area overlapping the second anti-reflective pattern on the insulating film.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이는, 메탈 호일 기판 상에 형성된 버퍼막과, 상기 버퍼막 상에 형성된 반사 방지 패턴과, 상기 반사 방지 패턴 상에 형성된 키 패턴을 포함하여 구성되고, 상기 반사 방지 패턴을 형성하는 물질은 상기 키 패턴을 형성하는 물질과 다른 식각비를 가지는 것을 특징으로 한다.The flexible display according to another embodiment of the present invention includes a buffer film formed on a metal foil substrate, an antireflection pattern formed on the buffer film, and a key pattern formed on the antireflection pattern. The material forming the antireflection pattern may have an etching ratio different from that of the material forming the key pattern.

다음에서 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 실시예에 따른 플렉서브 디스플레이에 대하여 보다 자세히 설명하기로 한다.Next, a flexible display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the flexible display according to the first embodiment of the present invention.

도3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이는, 메탈 호일 기판(100)의 전면에 형성된 제 1 버퍼막(110a)과, 상기 제 1 버퍼막(110a) 상에 형성된 반사 방지 패턴(121)과, 상기 반사 방지 패턴(121)을 포함한 기판 전면에 형성된 제 2 버퍼막(110b)과, 상기 제 2 버퍼막(110b) 상부에 형성된 키 패턴(122)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.As shown in FIG. 3, the flexible display according to the first exemplary embodiment of the present invention includes a first buffer layer 110a formed on the front surface of the metal foil substrate 100 and a first buffer layer 110a formed on the first buffer layer 110a. And an antireflection pattern 121, a second buffer layer 110b formed on the entire surface of the substrate including the antireflection pattern 121, and a key pattern 122 formed on the second buffer layer 110b. It is characterized by.

상기 플렉서블 디스플레이는, 도시하지는 않았으나, 액티브 영역 및 상기 액티브 영역을 둘러싸도록 정의되는 비표시 영역으로 구분되며, 액티브 영역에는 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인이 형성됨과 아울러, 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차부에 형성된 스위칭 소자에 의하여 작동되는 픽셀(pixel)이 매트릭스(matrix) 형태로 배치된다.Although not illustrated, the flexible display is divided into an active area and a non-display area defined to surround the active area, and a gate line and a data line defining a pixel area are formed in the active area to cross each other. Pixels operated by switching elements formed at intersections of lines and data lines are arranged in a matrix form.

상기 스위칭 소자는, 예를 들면 바텀 게이트(bottom gate) 방식의 박막 트랜지스터, 즉, 기판 상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 덮도록 형성된 절연막과, 상기 절연막 상부에 채널 영역을 정의하도록 상기 게이트 전극의 양단의 상부에 형성되어 서로 마주보도록 배치된 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 채널 영역과 소스 전극 및 드레인 전극의 하부에 형성된 반도체층을 포함하여 구성된다.The switching element may be, for example, a bottom gate thin film transistor, that is, a gate electrode formed on a substrate, an insulating film formed to cover the gate electrode, and a channel region defined on the insulating film. A source electrode and a drain electrode formed on both ends of the electrode and disposed to face each other, and a semiconductor layer formed below the channel region, the source electrode, and the drain electrode.

상기 메탈 호일 기판(100)은 예를 들면 스테인리스 스틸(stainless steel)재 질로 형성될 수 있으며, 가요성(flexibility)을 가지고 있어서 플렉서블 디스플레이를 구현할 수 있는 특징을 가진다. 또한, 상기 메탈 호일 기판의 표면이 가지는 금속 특유의 그루브(groove)들에 의하여 불균일하고 거친 표면을 가진다.The metal foil substrate 100 may be formed of, for example, stainless steel, and may have a flexibility to implement a flexible display. In addition, the metal foil substrate has a non-uniform and rough surface by metal-specific grooves.

상기 제 1 버퍼막(110a)은, 예를 들면 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막과 같은 무기 절연 물질로 형성될 수 있으며, 유기 절연 물질로 형성되는 것도 가능하다. 상기 제 1 버퍼막(110a)은 상기 메탈 호일 기판(100)을 기판 상에 형성되는 여러 패턴으로부터 절연시키는 역할을 하고, 동시에 메탈 호일 기판의 거친 표면을 덮도록 형성되어 평탄화층으로서의 역할을 수행한다.The first buffer layer 110a may be formed of, for example, an inorganic insulating material such as a silicon oxide film or a silicon nitride film, or may be formed of an organic insulating material. The first buffer layer 110a serves to insulate the metal foil substrate 100 from various patterns formed on the substrate, and simultaneously cover the rough surface of the metal foil substrate to serve as a planarization layer. .

상기 반사 방지 패턴(121)은 예를 들면, 상기 제 1 버퍼막(110) 상부에 기판 상에 패널이 형성된 영역을 제외한 더미(dummy) 영역에 형성되며, 빛이 투과되지 않는 차광 금속층으로 형성된다. 또한 필요에 따라서, 패널 내부의 비표시 영역에 형성되는 것도 가능하다. For example, the anti-reflection pattern 121 is formed on a dummy region except for an area where a panel is formed on a substrate on the first buffer layer 110 and is formed of a light blocking metal layer through which light does not pass. . In addition, if necessary, it may be formed in the non-display area inside the panel.

또한, 반사 방지 패턴(121)은 수지계 블랙 매트릭스(Black matrix)로 형성되는 것도 가능할 것이다.In addition, the anti-reflection pattern 121 may be formed of a resin-based black matrix.

또한, 상기 차광 금속층은 예를 들면 크롬/크롬 산화막/크롬 질화막의 삼중막 구조와 같이 반사율이 낮은 금속층으로 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 반사 방지 패턴 상부에 반사 방지(anti-reflecting) 코팅을 하는 것도 가능할 것이다. In addition, the light shielding metal layer is preferably formed of a metal layer having a low reflectance such as a triple layer structure of chromium / chromium oxide film / chromium nitride film. It may also be possible to apply an anti-reflecting coating on the antireflective pattern.

또한, 상기 반사 방지 패턴은 장방형 또는 정방형 형태로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the anti-reflection pattern may be formed in a rectangular or square shape, but is not limited thereto.

상기 제 2 버퍼막(110b)은, 예를 들면 상부가 평탄화될 수 있도록 유기 절연 물질로 형성하는 것이 바람직하며, 무기 절연 물질로 형성하는 것도 가능할 것이다.For example, the second buffer layer 110b may be formed of an organic insulating material so that the top thereof may be planarized, and may be formed of an inorganic insulating material.

상기 키 패턴(122)은, 상기 제 2 버퍼막(120) 상에서 반사 방지 패턴(121)과 중첩되도록 형성된다. 또한, 키 패턴은 액티브 영역에 형성된 게이트 라인과 동일한 층으로 형성되는 것이 바람직할 것이다. The key pattern 122 is formed to overlap the anti-reflection pattern 121 on the second buffer layer 120. Further, the key pattern may be formed of the same layer as the gate line formed in the active region.

상기 키 패턴은 예를 들면, '+'형태, 'x'형태, '○' 형태, '□'형태 등 다양한 형태로 형성되는 것이 가능하다.The key pattern may be formed in various forms such as, for example, a '+' shape, an 'x' shape, a '○' shape, and a '□' shape.

상기 키 패턴은 상기 반사 방지 패턴의 크기보다 작은 패턴으로 형성되는 것이 바람직할 것이다. 이와 같이, 반사 방지 패턴의 크기가 키 패턴의 크기보다 더 클 경우, 메탈 호일 기판(100)의 표면에서의 난반사에 의하여 광학 카메라로 입사되는 빛을 보다 효과적으로 차단할 수 있다.The key pattern may be formed in a pattern smaller than the size of the anti-reflection pattern. As such, when the size of the anti-reflection pattern is larger than the size of the key pattern, light incident on the optical camera may be blocked more effectively by diffuse reflection on the surface of the metal foil substrate 100.

이와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이는, 반사 방지 패턴과 중첩되는 영역에 키 패턴을 형성함으로써, As described above, the flexible display according to the first exemplary embodiment of the present invention forms a key pattern in an area overlapping the antireflection pattern.

광학 카메라를 사용하여 상기 키 패턴과 정렬할 때, 메탈 호일 기판으로부터 난반사되는 빛에 의하여 광학 카메라가 키 패턴을 인식하지 못하는 에러 발생을 저감할 수 있는 효과를 가진다.When the optical camera is aligned with the key pattern, the optical camera may reduce an error in which the optical camera does not recognize the key pattern due to light diffusely reflected from the metal foil substrate.

또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이에서, 기판 상에 구비된 패널의 액티브 영역의 스위칭 소자가 바텀 게이트 방식일 경우를 기준으로 설명하였으나, 탑 게이트(top gate) 구조를 가질 경우에도 적용될 수 있을 것이다.In addition, in the flexible display according to the first exemplary embodiment of the present invention, the switching element of the active region of the panel provided on the substrate is based on the bottom gate method. Could be applied.

다음으로, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이에 대하여 설명하기로 한다. 첨부된 도4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이의 단면도이다.Next, a flexible display according to a second embodiment of the present invention will be described. 4 is a cross-sectional view of the flexible display according to the second embodiment of the present invention.

도4에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이는, As can be seen in Figure 4, the flexible display according to a second embodiment of the present invention,

메탈 호일 기판(100)의 전면에 형성된 제 1 버퍼막(110a)과, 상기 제 1 버퍼막(110a) 상에 형성된 제 1 반사 방지 패턴(121a) 및 제 2 반사 방지 패턴(121b)과, 상기 제 1 반사 방지 패턴(121a) 및 제 2 반사 방지 패턴(121b)을 포함한 기판 전면에 형성된 제 2 버퍼막(110b)과, 상기 제 2 버퍼막(110b) 상부에서 상기 제 1 반사 방지 패턴(121a)과 중첩되는 영역을 가지도록 형성된 제 1 키 패턴(122a)과, 상기 제 1 키 패턴(122a)을 포함한 기판 전면에 형성된 절연막(130)과, 상기 절연막 상부에서 상기 제 2 반사 방지 패턴과 중첩되는 영역을 가지도록 형성된 제 2 키 패턴(122b)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The first buffer layer 110a formed on the entire surface of the metal foil substrate 100, the first antireflection pattern 121a and the second antireflection pattern 121b formed on the first buffer layer 110a, and the The second buffer layer 110b formed on the entire surface of the substrate including the first anti-reflection pattern 121a and the second anti-reflection pattern 121b and the first anti-reflection pattern 121a on the second buffer layer 110b. ) And a first key pattern 122a formed to have a region overlapping with each other, an insulating film 130 formed on the entire surface of the substrate including the first key pattern 122a, and an upper portion of the insulating film overlapping the second anti-reflection pattern. And a second key pattern 122b formed to have an area to be formed.

상기 메탈 호일 기판(100)은 역시 플렉서블(flexible)한 성질을 가지는 스테인리스 스틸 재질로 형성될 수 있다. 상기 메탈 호일 기판의 표면이 가지는 금속 특유의 그루브(groove)들에 의하여 불균일하고 거친 표면을 가진다.The metal foil substrate 100 may also be formed of a stainless steel material having a flexible property. The surface of the metal foil substrate has a non-uniform and rough surface by metal-specific grooves.

상기 제 1 버퍼막(110a)은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막과 같은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. 또한, 제 1 버퍼막은, 메탈 호일 기판과 기판 상에 형성된 여러 패턴 사이를 절연시킴과 아울러, 상기 메탈 호일 기판의 거친 표면 상에 형성되어 평탄화 역할을 수행한다.The first buffer layer 110a may be formed of an inorganic insulating material or an organic insulating material such as a silicon oxide film or a silicon nitride film. In addition, the first buffer layer insulates between the metal foil substrate and various patterns formed on the substrate and is formed on the rough surface of the metal foil substrate to perform planarization.

상기 제 1 반사 방지 패턴(121a) 및 제 2 반사 방지 패턴(121b)은 상기 제 1 버퍼막(110a) 상에 형성되고, 동일한 층으로 형성될 수 있으며, 역시 기판 상에서 패널이 형성된 표시 영역을 제외한 더미 영역에 형성될 수 있다. 또한, 빛이 투과하지 않는 차광 금속층으로 형성되고, 바람직하게는 반사율이 낮은 금속, 예를 들면 크롬/크롬 산화막/크롬 질화막의 삼중막 구조로 형성되는 것이 가능할 것이다. 또한, 상기 제 1 반사 방지 패턴(121a) 및 제 2 반사 방지 패턴(121b)의 상부에 모두 반사 방지 코팅 처리를 하는 것도 가능할 것이다.The first antireflection pattern 121a and the second antireflection pattern 121b may be formed on the first buffer layer 110a and formed of the same layer, except for a display area in which a panel is formed on the substrate. The dummy region may be formed. Further, it may be formed of a light shielding metal layer through which light does not transmit, and preferably, a triple layer structure of a metal having a low reflectance, for example, a chromium / chromium oxide film / chromium nitride film. In addition, it will be possible to perform an anti-reflection coating on both the first anti-reflection pattern 121a and the second anti-reflection pattern 121b.

상기 제 1 키 패턴(122a)은 제 2 버퍼막(120) 상에서 상기 제 1 반사 방지 패턴(121a)과 중첩된 영역을 가지도록 형성된다. 상기 제 1 키 패턴(122a)은 예를 들면, 기판 상에 구비된 패널의 액티브 영역에 형성된 게이트 라인과 동일한 층으로 형성될 수 있을 것이다. The first key pattern 122a is formed to have a region overlapping with the first anti-reflection pattern 121a on the second buffer layer 120. For example, the first key pattern 122a may be formed of the same layer as the gate line formed in the active region of the panel provided on the substrate.

또한 상기 제 1 키 패턴은 '+'형태, 'x'형태, '○' 형태, '□'형태 등 다양한 형태로 형성되는 것이 가능하다. In addition, the first key pattern may be formed in various shapes such as '+' shape, 'x' shape, '○' shape, and '□' shape.

상기 제 1 키 패턴은, 상기 제 1 반사 방지 패턴보다 작은 크기를 가지도록 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 제 1 키 패턴은 제 1 반사 방지 패턴에 완전히 중첩되도록 형성될 경우, 메탈 호일 기판의 표면에서의 난반사에 의한 광학 카메라의 에러 발생을 보다 효과적으로 줄일 수 있다.Preferably, the first key pattern is formed to have a smaller size than the first anti-reflection pattern. That is, when the first key pattern is formed to completely overlap the first antireflection pattern, it is possible to more effectively reduce the occurrence of an error of the optical camera due to the diffuse reflection on the surface of the metal foil substrate.

상기 절연막(130)은 상기 제 1 키 패턴(122a)을 포함한 기판 전면을 덮도록 형성되며, 액티브 영역의 게이트 라인을 덮도록 형성된 게이트 절연막과 동일한 층으로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 절연막은, 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화 막과 같은 투명한 무기 절연 물질로 형성된다.The insulating layer 130 is formed to cover the entire surface of the substrate including the first key pattern 122a and is formed of the same layer as the gate insulating layer formed to cover the gate line of the active region. The insulating film is formed of a transparent inorganic insulating material such as a silicon nitride film or a silicon oxide film.

상기 제 2 키 패턴(122b)은 상기 절연막(130) 상에서 제 2 반사 방지 패턴(121b)과 중첩되도록 형성되며 역시 제 2 반사 방지 패턴의 크기보다 작은 크기를 가지도록 형성된다. The second key pattern 122b is formed to overlap the second antireflection pattern 121b on the insulating layer 130 and is formed to have a size smaller than that of the second antireflection pattern.

또한, 상기 제 2 키 패턴은 액티브 영역 내에 형성된 데이터 라인과 동일한 층으로 형성될 수 있다. In addition, the second key pattern may be formed of the same layer as the data line formed in the active region.

즉, 제 1 키 패턴은 기판 상의 더미 영역에 형성된 제 1 반사 방지 패턴 상부에 형성되고, 상기 제 1 키 패턴을 기준으로 얼라인(align)하여 제 2 반사 방지 패턴 상에 제 2 키 패턴을 형성할 수 있다. 이후에 진행되는 공정은, 상기 제 2 키 패턴을 기준으로 얼라인하여 형성하는 것이 바람직하다.That is, the first key pattern is formed on the first antireflection pattern formed in the dummy area on the substrate, and is aligned with the first key pattern to form the second key pattern on the second antireflection pattern. can do. It is preferable that the process proceeds afterwards by being aligned with respect to the second key pattern.

또한, 상기 제 2 키 패턴 역시, '+'형태, 'x'형태, '○' 형태, '□'형태 등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 상기 제 1 키 패턴과 다른 형태로 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제 1 키 패턴이 '+'형태로 형성하고, 제 2 키 패턴은 'x'형태로 형성할 경우, 제 2 키 패턴을 기준으로 얼라인할 때 제 1 키 패턴을 잘못 인식하는 경우를 방지할 수 있다.In addition, the second key pattern may also be formed in various shapes such as '+' shape, 'x' shape, '○' shape, '□' shape, and preferably formed in a shape different from the first key pattern. It is desirable to be. For example, when the first key pattern is formed in the form of '+' and the second key pattern is formed in the form of 'x', the first key pattern is incorrectly recognized when the first key pattern is aligned based on the second key pattern. The case can be prevented.

이와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이는, 다양한 적층 구조를 가지는 플렉서블 디스플레이를 구현할 때, 정밀한 공정을 수행하기 위하여 정렬 과정에서 사용되는 키 패턴이 하나 이상의 레이어로 형성될 경우, 각 키 패턴 하부에 반사 방지 패턴을 형성하여 메탈 호일 기판의 표면에서의 난반사에 의한 오작동을 방지할 수 있는 효과를 가진다.As described above, when the flexible display according to the second exemplary embodiment of the present invention implements a flexible display having various stacking structures, when a key pattern used in an alignment process is formed of one or more layers to perform a precise process, The anti-reflection pattern is formed under the key pattern to prevent malfunction due to diffuse reflection on the surface of the metal foil substrate.

다음으로, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이에 대하여 설명하기로 한다. 첨부된 도5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이의 요부 단면도이다.Next, a flexible display according to a third embodiment of the present invention will be described. 5 is a cross-sectional view illustrating main parts of the flexible display according to the third exemplary embodiment of the present invention.

도5에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이는, As can be seen in Figure 5, the flexible display according to the third embodiment of the present invention,

메탈 호일 기판(100)의 전면에 형성된 버퍼막(110)과, 상기 버퍼막(110) 상에 형성된 반사 방지 패턴(121)과, 상기 반사 방지 패턴(121) 상부에 형성된 키 패턴(122)으로 구성되고, 상기 키 패턴과 반사 방지 패턴은 각각 서로 다른 식각 선택비를 가지는 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.The buffer layer 110 formed on the front surface of the metal foil substrate 100, the antireflection pattern 121 formed on the buffer layer 110, and the key pattern 122 formed on the antireflection pattern 121. The key pattern and the anti-reflection pattern are each formed of a material having a different etching selectivity.

메탈 호일 기판(100)은, 역시 플렉서블(flexible)한 성질을 가지는 스테인리스 스틸 재질로 형성될 수 있으며, 금속 특유의 그루브(groove)들에 의하여 불균일하고 거친 표면을 가진다.The metal foil substrate 100 may be formed of a stainless steel material, which is also flexible, and has a non-uniform and rough surface by metal-specific grooves.

상기 버퍼막(110)은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막과 같은 무기 절연 물질이나 또는 유기 절연 물질로 형성될 수 있다.또한, 버퍼막은, 메탈 호일 기판과 기판 상에 형성된 여러 패턴 사이를 절연시킴과 아울러, 상기 메탈 호일 기판의 거친 표면 상에 형성되어 평탄화 역할을 수행한다.The buffer layer 110 may be formed of an inorganic insulating material, such as a silicon oxide film or a silicon nitride film, or an organic insulating material. The buffer film may insulate between the metal foil substrate and various patterns formed on the substrate, It is formed on the rough surface of the metal foil substrate to perform a planarization role.

상기 반사 방지 패턴(121)은, 예를 들면, 상기 버퍼막(110a) 상부 중에서 기판 상에 구비된 패널이 형성된 영역을 제외한 더미(dummy) 영역에 형성되며, 빛이 투과되지 않는 차광 금속층으로 형성된다. 또한 필요에 따라서, 패널 내부에서 화상이 구현되는 액티브 영역을 둘러싸도록 형성된 비표시 영역에 형성되는 것도 가 능하다. For example, the anti-reflection pattern 121 is formed in a dummy region except for a region where a panel provided on a substrate is formed on the buffer layer 110a and is formed of a light blocking metal layer through which light does not pass. do. In addition, it is also possible to be formed in the non-display area formed to surround the active area in which the image is implemented in the panel as needed.

또한, 상기 차광 금속층은 예를 들면 크롬/크롬 산화막/크롬 질화막의 삼중막 구조와 같이 반사율이 낮은 금속층으로 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 반사 방지 패턴 상부에 반사 방지(anti-reflecting) 코팅을 하는 것도 가능할 것이다. 또한, 상기 반사 방지 패턴은 장방형 또는 정방형 형태로 형성될 수 있을 것이다.In addition, the light shielding metal layer is preferably formed of a metal layer having a low reflectance such as a triple layer structure of chromium / chromium oxide film / chromium nitride film. It may also be possible to apply an anti-reflecting coating on the antireflective pattern. In addition, the anti-reflection pattern may be formed in a rectangular or square shape.

상기 키 패턴(122)은, 상기 반사 방지 패턴의 상부에 형성되며, 상기 반사 방지 패턴보다 작은 크기를 가지도록 형성되는 것이 바람직하다.The key pattern 122 may be formed on the anti-reflection pattern and have a smaller size than the anti-reflection pattern.

또한, 키 패턴은 기판 상에 구비된 패널의 액티브 영역에 형성된 게이트 라인과 동일한 층으로 형성되는 것이 바람직할 것이다. 상기 키 패턴은 '+'형태, 'x'형태, '○' 형태, '□'형태 등 다양한 형태를 가질 수 있다.Further, it is preferable that the key pattern is formed of the same layer as the gate line formed in the active region of the panel provided on the substrate. The key pattern may have various shapes such as '+' shape, 'x' shape, '○' shape, and '□' shape.

본 발명의 제 3 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이에서는, 반사 방지 패턴(121)과 키 패턴(122)이 서로 다른 식각 선택비를 가지는 물질로 형성되어, 별도의 버퍼막이 없이 바로 적층되는 구조로 형성되어, 보다 단순한 구조를 가질 수 있는 효과를 가진다.In the flexible display according to the third embodiment of the present invention, the anti-reflection pattern 121 and the key pattern 122 are formed of a material having different etching selectivity, and have a structure in which the anti-reflection pattern 121 and the key pattern 122 are directly stacked without a separate buffer layer. This has the effect of having a simpler structure.

다음으로, 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이의 제조 방법에 대하여 설명하기로 한다.Next, a method of manufacturing a flexible display according to an embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이의 제조 방법은,In the manufacturing method of the flexible display according to the first embodiment of the present invention,

메탈 호일 기판 상에 제 1 버퍼막을 형성하는 단계와, 상기 제 1 버퍼막 상에 차광 금속층을 형성하는 단계와, 상기 차광 금속층을 패터닝하여 반사 방지 패 턴을 형성하는 단계와, 상기 반사 방지 패턴을 포함한 기판을 덮도록 제 2 버퍼막을 형성하는 단계와, 상기 제 2 버퍼막 상에 상기 반사 방지 패턴과 중첩되는 영역을 가지도록 키 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Forming a first buffer film on a metal foil substrate, forming a light shielding metal layer on the first buffer film, patterning the light shielding metal layer to form an antireflection pattern, and forming the antireflection pattern. And forming a second buffer layer to cover the substrate, and forming a key pattern on the second buffer layer to have a region overlapping with the anti-reflective pattern.

첨부된 도6a 내지 6d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.6A to 6D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the flexible display according to the first embodiment of the present invention.

먼저, 도6a에 도시된 바와 같이, 메탈 호일 기판(100) 상에 제 1 버퍼막(110a)을 증착하여 형성한다.First, as shown in FIG. 6A, the first buffer layer 110a is deposited on the metal foil substrate 100.

상기 메탈 호일 기판(100)은, 예를 들면 스테인리스 스틸(stainless steel)재질로 형성될 수 있으며, 가요성(flexibility)을 가지고 있어서 플렉서블 디스플레이를 구현할 수 있는 특징을 가진다. 또한, 상기 메탈 호일 기판의 표면이 가지는 금속 특유의 그루브(groove)들에 의하여 불균일하고 거친 표면을 가진다.The metal foil substrate 100 may be formed of, for example, a stainless steel material, and may have flexibility to implement a flexible display. In addition, the metal foil substrate has a non-uniform and rough surface by metal-specific grooves.

상기 제 1 버퍼막(110a)은, 예를 들면 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막과 같은 무기 절연 물질을 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vaporized Deposition) 방법으로 형성하거나, 유기 절연 물질을 도포한 후 소성시켜 형성할 수 있을 것이다.The first buffer layer 110a may be formed by, for example, forming an inorganic insulating material such as a silicon oxide film or a silicon nitride film by a plasma enhanced chemical vapor deposition method (PECVD), or by applying an organic insulating material and firing the same. will be.

상기 제 1 버퍼막(110a)은, 메탈 호일 기판과 기판 상에 형성된 여러 패턴 사이를 절연시킴과 아울러, 상기 메탈 호일 기판의 거친 표면 상에 형성되어 평탄화 역할을 수행한다.The first buffer layer 110a may insulate between the metal foil substrate and various patterns formed on the substrate, and may be formed on the rough surface of the metal foil substrate to perform planarization.

다음으로, 도6b와 같이, 상기 제 1 버퍼막(110a) 상에 차광 금속층(125)을 증착하여 형성한다.Next, as shown in FIG. 6B, the light shielding metal layer 125 is deposited on the first buffer layer 110a.

상기 차광 금속층은 예를 들면, 크롬/크롬 산화막/크롬 질화막의 삼중막 구 조를 가지는 금속층과 같이 반사율이 낮은 금속층으로 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 차광 금속층을 형성한 후, 차광 금속층 상부에 반사 방지 코팅을 하는 단계를 더 포함하는 것도 가능할 것이다.The light shielding metal layer is preferably formed of a metal layer having a low reflectance such as a metal layer having a triple layer structure of chromium / chromium oxide film / chromium nitride film. In addition, after forming the light shielding metal layer, it may be possible to further include an anti-reflective coating on the light shielding metal layer.

다음으로, 도6c와 같이, 상기 차광 금속층을 패터닝하여 반사 방지 패턴(121)을 형성한다. 상기 반사 방지 패턴(121)은, 기판 상에 구비된 패널이 형성된 영역을 제외한 더미(dummy) 영역에 형성되며 장방형 또는 정방형 형태를 가지도록 형성할 수 있을 것이다.Next, as shown in FIG. 6C, the light blocking metal layer is patterned to form an antireflection pattern 121. The anti-reflection pattern 121 may be formed in a dummy region except for a region in which a panel provided on the substrate is formed and may have a rectangular or square shape.

이 때, 반사 방지 패턴(121)은 상기 차광 금속층 상부에 포토레지스트를 도포한 후, 상기 포토레지스트를 마스크를 사용하지 않고 블레이드(blade)의 좌표만을 설정하여 노광하는 블랭킹 포토(blanking photo) 공정을 이용하여 형성하는 것이 가능할 것이다.In this case, the anti-reflective pattern 121 may apply a photoresist on the light shielding metal layer, and then may use a blanking photo process in which the photoresist is exposed by setting only the coordinates of a blade without using a mask. It will be possible to form using.

도7은 블랭킹 포토 공정을 설명하기 위한 도면이다.7 is a diagram for explaining a blanking photo process.

도7에서와 같이, 블랭킹 포토 공정은, 별도의 마스크를 사용하지 않고, x축 및 y축 방향으로 이동하여 광원으로부터 조사되는 빛을 차단할 수 있는 블레이드(190a,190b)를 이용하여, As shown in FIG. 7, the blanking photo process uses blades 190a and 190b capable of blocking light emitted from the light source by moving in the x-axis and y-axis directions without using a separate mask.

개구된 윈도우 영역(w) 즉, 반사 방지 패턴을 형성하고자 하는 영역만 선택적으로 노광하는 것이 가능할 것이다. 이 때, 반사 방지 패턴은 정밀하게 형성할 필요가 없으므로, 이와 같이 블레이드의 좌표값만 설정하여 수행하는 블랭킹 포토 공정으로도 형성하여도 무방하다.It may be possible to selectively expose only the opened window region w, that is, the region where the antireflection pattern is to be formed. In this case, since the anti-reflection pattern does not need to be precisely formed, the anti-reflection pattern may be formed by a blanking photo process performed by setting only the coordinate values of the blade.

도시하지는 않았으나, 노광된 영역을 제외한 나머지 영역의 포토레지스트를 현상하여 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성한 다음, 노출된 차광 금속층의 금속층만 선택적으로 식각하고 남은 금속층 상부의 포토레지스트 패턴을 스트립(strip) 공정을 통해 제거하여 반사 방지 패턴을 형성한다.Although not shown, a photoresist pattern is formed by developing and removing photoresist in the remaining regions except for the exposed region, and selectively etching only the metal layer of the exposed light-shielding metal layer, and stripping the photoresist pattern on the remaining metal layer. It is removed through the process to form an antireflection pattern.

또한, 상기 반사 방지 패턴(121)은 수지 블랙 매트릭스로 형성하는 것이 가능할 것이다. 즉, 블랙 매트릭스 포토레지스트를 도포한 후, 포토레지스트를 선택적으로 노광하여 형성할 수 있을 것이다.In addition, the anti-reflection pattern 121 may be formed of a resin black matrix. That is, after applying the black matrix photoresist, the photoresist may be selectively exposed to form.

또한, 상기 반사 방지 패턴(121)은 잉크젯 방식으로 형성하는 것도 가능할 것이다. 즉, 반사 방지 패턴은 정밀하게 형성하지 않아도 무방하므로, 잉크젯 노즐의 좌표를 반사 방지 패턴을 형성할 영역으로 설정한 후, 노즐을 이동시킨 후 잉크젯용 레지스트 물질을 분사하여 반사 방지 패턴을 형성하는 것도 가능할 것이다.In addition, the anti-reflection pattern 121 may be formed by an inkjet method. That is, since the anti-reflection pattern does not need to be precisely formed, it is also possible to set the coordinates of the ink jet nozzle to the area where the anti-reflection pattern is to be formed, move the nozzle, and then spray the ink jet resist material to form the anti-reflection pattern. It will be possible.

다음으로, 도6d와 같이, 상기 반사 방지 패턴을 덮도록 기판 전면에 제 2 버퍼막(110b)을 형성한다. 상기 제 2 버퍼막은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막과 같은 무기 절연 물질으로도 형성할 수 있으며, 유기 절연 물질을 도포하여 형성하는 것도 가능할 것이다.Next, as shown in FIG. 6D, a second buffer layer 110b is formed on the entire surface of the substrate to cover the antireflection pattern. The second buffer layer may be formed of an inorganic insulating material such as a silicon oxide film or a silicon nitride film, or may be formed by applying an organic insulating material.

다음으로, 상기 제 2 버퍼막 상부에 금속층을 형성한 후 상기 금속층을 패터닝하여 키 패턴(122)을 형성한다. Next, after the metal layer is formed on the second buffer layer, the metal layer is patterned to form a key pattern 122.

상기 키 패턴은 상기 반사 방지 패턴과 중첩되는 영역을 가지도록 형성하며, 상기 반사 방지 패턴보다 작은 크기를 가지도록 형성하는 것이 바람직하다.The key pattern may be formed to have a region overlapping with the anti-reflective pattern, and may be formed to have a smaller size than the anti-reflective pattern.

또한, 키 패턴은 기판 상에 구비된 패널이 바텀 게이트 방식일 경우, 액티브 영역에 형성된 게이트 라인과 동일한 층으로 형성할 수 있다. 또한, 상기 키 패턴 은 '+'형태, 'x'형태, '○' 형태, '□'형태 등 다양한 형태를 가질 수 있다.In addition, when the panel provided on the substrate is a bottom gate method, the key pattern may be formed of the same layer as the gate line formed in the active region. In addition, the key pattern may have various shapes such as '+' shape, 'x' shape, '○' shape, and '□' shape.

이와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이의 제조 방법은, 반사 방지 패턴 상부에 얼라인을 하기 위한 키 패턴을 형성함으로서, 메탈 호일 기판의 거친 표면에서 난반사 되는 빛에 의한 오작동을 방지할 수 있는 효과를 가진다.As described above, the method of manufacturing the flexible display according to the first exemplary embodiment of the present invention forms a key pattern for aligning the upper portion of the antireflection pattern, thereby preventing malfunction due to light that is diffusely reflected on the rough surface of the metal foil substrate. It has an effect that can be done.

다음으로, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이의 제조 방법에 대하여 설명하기로 한다. 도8a 내지 도8e는 본 발명이 제 2 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이의 제조 방법을 도시한 공정 단면도이다.Next, a method of manufacturing a flexible display according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. 8A to 8E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the flexible display according to the second embodiment of the present invention.

먼저, 도8a에 도시된 바와 같이, 메탈 호일 기판(100) 상에 버퍼막(110)을 형성한 후, 상기 버퍼막 상에 제 1 금속층(126) 및 제 2 금속층(127)을 차례로 증착한다. 이어서, 상기 제 2 금속층(127) 상부에 제 1 포토레지스트(180)를 도포한다. 이 때, 상기 제 1 금속층과 제 2 금속층은 서로 다른 식각비를 가지는 물질로 형성한다.First, as shown in FIG. 8A, after forming the buffer film 110 on the metal foil substrate 100, the first metal layer 126 and the second metal layer 127 are sequentially deposited on the buffer film. . Subsequently, a first photoresist 180 is coated on the second metal layer 127. In this case, the first metal layer and the second metal layer are formed of a material having a different etching ratio.

상기 제 1 금속층은 빛의 투과를 차단함과 아울러, 빛의 반사를 차단하기 위하여 반사율이 낮은 금속으로 형성하는 것이 바람직할 것이다.The first metal layer may be formed of a metal having a low reflectance in order to block light transmission and block light reflection.

다음으로, 도8b에 도시된 바와 같이, 블레이드(190)를 이용하여 반사 방지 패턴 등을 형성할 영역만 선택적으로 노출시킨 후, 노광 공정을 수행한다.Next, as shown in FIG. 8B, only an area for forming an antireflection pattern or the like is selectively exposed using the blade 190, and then an exposure process is performed.

이를 통해, 상기 제 1 포토레지스트는 노광된 영역(180a)과, 비노광된 영역(180b)로 구분되어지며, 상기 노광된 영역은 이후에 형성될 반사 방지 패턴이 형성될 영역에 대응된다.As a result, the first photoresist is divided into an exposed region 180a and an unexposed region 180b, and the exposed region corresponds to a region where an anti-reflection pattern to be formed later is formed.

다음으로, 상기 제 1 포토레지스트에서 노광된 영역(180a)을 제외한 비노광된 영역(180b)의 포토레지스트를 현상(develop)하여 제거한 후, 노출된 제 2 금속층 및 제 1 금속층을 차례로 식각한다. 이 때, 상기 제 1 금속층 및 제 2 금속층은 서로 다른 식각비를 가지기 때문에 제 2 금속층을 먼저 식각하는 제 1 식각 공정과 제 1 금속층을 식각하는 제 2 식각 공정을 차례로 진행하여서,Next, after developing and removing the photoresist of the unexposed region 180b except for the region 180a exposed by the first photoresist, the exposed second metal layer and the first metal layer are sequentially etched. At this time, since the first metal layer and the second metal layer have different etching ratios, the first etching process of etching the second metal layer first and the second etching process of etching the first metal layer are sequentially performed.

도8c와 같이, 반사 방지 패턴(122) 및 상기 반사 방지 패턴 상부에 적층된 금속 패턴(122c)을 제외한 나머지 제 1 금속층 및 제 2 금속층을 제거한다.As shown in FIG. 8C, the first and second metal layers except for the antireflection pattern 122 and the metal pattern 122c stacked on the antireflection pattern are removed.

이어서, 상기 금속 패턴(122c)을 포함한 기판 전면에 제 2 포토레지스트(185)를 도포한다.Subsequently, a second photoresist 185 is coated on the entire surface of the substrate including the metal pattern 122c.

이어서, 도8d와 같이, 상기 제 2 포토레지스트를 선택적으로 노광하여 포토레지스트 패턴(185a)을 형성한 후, 상기 금속 패턴만 선택적으로 식각하여 키 패턴(122)을 형성한다. 이 때, 상기 금속 패턴과 반사 방지 패턴은 서로 다른 식각비를 가지고 있기 때문에 상기 금속 패턴을 형성하는 과정에서 반사 방지 패턴은 제거되지 않는다.Subsequently, as shown in FIG. 8D, the second photoresist is selectively exposed to form the photoresist pattern 185a, and then only the metal pattern is selectively etched to form the key pattern 122. In this case, since the metal pattern and the anti-reflection pattern have different etching ratios, the anti-reflection pattern is not removed in the process of forming the metal pattern.

다음으로, 도8e와 같이, 포토레지스트 패턴을 제거한다.Next, as shown in Fig. 8E, the photoresist pattern is removed.

이와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이의 제조 방법은, 서로 다른 식각비를 가지는 물질로 반사 방지 패턴 및 키 패턴을 형성함으로써, 별도의 버퍼막을 추가로 형성하지 않고서도 난반사에 의한 오작동을 방지할 수 있는 플렉서블 디스플레이를 제조할 수 있는 효과를 제공한다.As described above, in the method of manufacturing the flexible display according to the second embodiment of the present invention, the antireflection pattern and the key pattern are formed of materials having different etch ratios, and thus, the diffuse reflection is performed without additional buffer layers. It provides the effect of manufacturing a flexible display that can prevent malfunction.

한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.On the other hand, the present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, it is possible that various substitutions, modifications and changes within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art.

도1은 종래의 메탈 호일 기판의 패널 및 키 패턴 배치를 도시한 평면도.1 is a plan view showing a panel and key pattern arrangement of a conventional metal foil substrate.

도2는 종래의 플렉서블 디스플레이의 문제점을 설명한 단면도.2 is a cross-sectional view illustrating a problem of a conventional flexible display.

도3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이의 단면도.3 is a cross-sectional view of the flexible display according to the first embodiment of the present invention.

도4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이의 단면도.4 is a cross-sectional view of a flexible display according to a second embodiment of the present invention.

도5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이의 단면도.5 is a cross-sectional view of the flexible display according to the third embodiment of the present invention.

도6a 내지 도6d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이의 제조 방법을 도시한 공정 단면도.6A to 6D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the flexible display according to the first embodiment of the present invention.

도7은 블랭킹 포토 공정을 설명한 도면.7 illustrates a blanking photo process.

도8a 내지 도8e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이의 제조 방법을 도시한 공정 단면도.8A to 8E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the flexible display according to the second embodiment of the present invention.

Claims (13)

메탈 호일 기판 상에 형성된 제 1 버퍼막;A first buffer film formed on the metal foil substrate; 상기 제 1 버퍼막 상에 형성된 반사 방지 패턴;An anti-reflection pattern formed on the first buffer layer; 상기 반사 방지 패턴을 포함한 기판 전면에 형성된 제 2 버퍼막; 및A second buffer layer formed on an entire surface of the substrate including the anti-reflection pattern; And 상기 제 2 버퍼막 상부에 반사 방지 패턴과 중첩되도록 형성된 키 패턴을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이.And a key pattern formed on the second buffer layer so as to overlap with the anti-reflective pattern. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사 방지 패턴은 제 1 반사 방지 패턴 및 제 2 반사 방지 패턴으로 구성되고,The antireflection pattern is composed of a first antireflection pattern and a second antireflection pattern, 상기 키 패턴은 제 2 버퍼막 상부에 상기 제 1 반사 방지 패턴과 중첩되도록 형성된 제 1 키 패턴과, 상기 제 1 키 패턴을 포함한 기판 전면에 형성된 절연막 상부에 상기 제 2 반사 방지 패턴과 중첩되도록 형성된 제 2 키 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이.The key pattern is formed to overlap the second anti-reflection pattern on the first key pattern formed on the second buffer layer to overlap the first anti-reflection pattern, and on the insulating film formed on the entire surface of the substrate including the first key pattern. Flexible display, characterized in that formed in a second key pattern. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제 1 키 패턴과 제 2 키 패턴은 서로 다른 형상을 가지도록 형성된 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이.The flexible display of claim 1, wherein the first key pattern and the second key pattern are formed to have different shapes. 메탈 호일 기판 상에 형성된 제 1 버퍼막;A first buffer film formed on the metal foil substrate; 상기 제 1 버퍼막 상에 형성된 반사 방지 패턴; 및An anti-reflection pattern formed on the first buffer layer; And 상기 반사 방지 패턴과 중첩되도록 반사 방지 패턴 상부에 형성된 키 패턴을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이.And a key pattern formed on the antireflective pattern so as to overlap the antireflective pattern. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 반사 방지 패턴과 키 패턴은 서로 다른 식각비를 가지는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이.The anti-reflection pattern and the key pattern is a flexible display, characterized in that formed of a material having a different etching ratio. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,The method according to claim 1 or 4, 상기 제 1 버퍼막은 무기 절연 물질로 형성하고, 제 2 버퍼막은 유기 절연 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이.The first buffer layer is formed of an inorganic insulating material, and the second buffer layer is formed of an organic insulating material. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,The method according to claim 1 or 4, 상기 반사 방지 패턴은 반사율이 낮은 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이.The anti-reflective pattern is formed of a metal having a low reflectance. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 반사율이 낮은 금속은, 크롬/크롬산화막/크롬질화막/의 3중막 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이.The metal having a low reflectance is formed of a triple layer structure of chromium / chromium oxide film / chromium nitride film /. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,The method according to claim 1 or 4, 상기 반사 방지 패턴의 상부에 반사 방지층을 추가로 형성한 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이.Flexible display, characterized in that the anti-reflection layer is further formed on the anti-reflection pattern. 메탈 호일 기판 상에 제 1 버퍼막을 형성하는 단게;Forming a first buffer film on the metal foil substrate; 상기 제 1 버퍼막 상부에 반사 방지 패턴을 형성하는 단계;Forming an anti-reflection pattern on the first buffer layer; 상기 반사 방지 패턴을 포함한 기판 전면에 제 2 버퍼막을 형성하는 단계; 및Forming a second buffer layer on an entire surface of the substrate including the anti-reflection pattern; And 상기 제 2 버퍼막 상부에 상기 반사 방지 패턴과 중첩되는 키 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이의 제조 방법.And forming a key pattern overlapping the anti-reflective pattern on the second buffer layer. 메탈 호일 기판 상에 제 1 버퍼막을 형성하는 단계;Forming a first buffer film on the metal foil substrate; 상기 제 1 버퍼막 상부에 제 1 금속층 및 제 2 금속층을 차례로 형성하는 단계;Sequentially forming a first metal layer and a second metal layer on the first buffer layer; 상기 제 2 금속층의 일부를 선택적으로 제거하여 금속 패턴을 형성함과 아울러, 제 1 금속층의 일부를 선택적으로 제거하여 상기 금속 패턴의 하부에 반사 방지 패턴을 형성하는 단계; 및Selectively removing a portion of the second metal layer to form a metal pattern, and selectively removing a portion of the first metal layer to form an anti-reflective pattern under the metal pattern; And 상기 금속 패턴의 일부를 선택적으로 제거하여 키 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 구성되고,Selectively removing a portion of the metal pattern to form a key pattern, 상기 제 1 금속층 및 제 2 금속층은 서로 다른 식각비를 가지는 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이의 제조 방법.The first metal layer and the second metal layer is a method of manufacturing a flexible display, characterized in that formed of a material having a different etching ratio. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,The method of claim 10 or 11, 상기 반사 방지 패턴을 형성하는 단계는, 블랭킹 포토 공정을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이의 제조 방법.The forming of the anti-reflective pattern may be performed by using a blanking photo process. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 반사 방지 패턴을 형성하는 단계에서, 반사 방지 패턴은 잉크젯 방법을 이용하여 수지 블랙 매트릭스로 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디스플레이의 제조 방법.In the step of forming the anti-reflection pattern, the anti-reflection pattern is formed of a resin black matrix using an inkjet method.
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