KR20090061362A - Pixel for image sensor with jfet source follower - Google Patents

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KR20090061362A
KR20090061362A KR1020070128348A KR20070128348A KR20090061362A KR 20090061362 A KR20090061362 A KR 20090061362A KR 1020070128348 A KR1020070128348 A KR 1020070128348A KR 20070128348 A KR20070128348 A KR 20070128348A KR 20090061362 A KR20090061362 A KR 20090061362A
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jfet
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장훈
이주일
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매그나칩 반도체 유한회사
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Abstract

A pixel for image sensor with JFET source follower is provided not to directly using the metal line between the gate of JFET and the floating diffusion and to implement the miniaturization of the pixel. The pixel of the image sensor having the JFET source follower comprises the floating diffusion(401), and the gate(405A) and sealing frame(407A) of JFET. The floating diffusion is arranged in the P-epi layer. The gate of JFET is arranged in the P-epi layer. The gate of JFET is arranged in the neighboring of the floating diffusion. The gate of JFET is contacted with a floating diffusion to form the PN junction region. The connection structure is arranged on the PN junction region.

Description

ＪＦＥＴ 소스 팔로워를 갖는 이미지센서의 픽셀{Pixel for Image Sensor with JFET Source Follower}Pixel for Image Sensor with JFET Source Follower

본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 특히 JFET 소스 팔로워를 갖는 이미지센서의 픽셀에 관한 것이다.The present invention relates to an image sensor, and more particularly to a pixel of an image sensor having a JFET source follower.

통상의 이미지 센서들은 충돌하는 광자를 센서 픽셀에 집적된(모인) 전자로 전환함으로써 빛을 감지한다. 집적 사이클 완료 후, 모인 전하는 전압으로 전환되며, 이는 센서의 출력 단자에 공급된다. 통상의 CMOS 이미지 센서에 있어서 전하-전압 변환은 픽셀 자체에서 달성되고, 아날로그 픽셀 전압은 여러 픽셀 어드레싱 및 스캐닝 스킴을 통하여 출력 단자로 전달된다. 또한, 아날로그 신호는 칩 출력에 도달하기 전에 칩 상에서 디지털 값으로 전환될 수도 있다. Conventional image sensors sense light by converting colliding photons into electrons integrated (collected) in the sensor pixels. After completion of the integration cycle, the collected charge is converted to a voltage, which is supplied to the output terminal of the sensor. In conventional CMOS image sensors, charge-to-voltage conversion is achieved at the pixels themselves, and analog pixel voltages are transferred to the output terminals through several pixel addressing and scanning schemes. The analog signal may also be converted to digital values on the chip before reaching the chip output.

픽셀에는 그 내부에 전하 센싱 노드로서 플로팅 확산(Floating Diffusion, FD)을 구비하고, 플로팅 확산의 전하를 증폭하기 위한 버퍼 증폭기 즉 소스 팔로워(source follower)를 구비한다. 소스 팔로워는 적합한 어드레싱에 의해 픽셀 출 력라인을 구동한다. 전하-전압 변환이 완료되고 그 결과의 신호가 픽셀로부터 출력된 후, 픽셀은 새로운 전하의 축적을 준비하기 위하여 리셋된다. 전하 센싱 노드로서 플로팅 확산(Floating Diffusion, FD)이주로 이용된다. 리셋은 FD 노드를 기준전압에 순간적으로 전기적 접속하는 리셋 트랜지스터를 턴온시킴으로서 달성된다. 이 단계는 FD 노드에 모인 전하를 제거한다. The pixel includes a floating diffusion (FD) as a charge sensing node therein, and a buffer amplifier or source follower for amplifying the charge of the floating diffusion. The source follower drives the pixel output lines by appropriate addressing. After the charge-voltage conversion is completed and the resulting signal is output from the pixel, the pixel is reset to prepare for the accumulation of new charge. Floating Diffusion (FD) is mainly used as a charge sensing node. Reset is accomplished by turning on a reset transistor that instantaneously electrically connects the FD node to a reference voltage. This step removes the charge collected at the FD node.

최근 새로운 동작 기술이 논문 및 많은 제품에서 인기를 얻고 있으며, 그 중에서 JFET를 소스 팔로워로서 사용하는 기술이 많이 발표되고 있다. 대한민국 공개특허공보 제10-2006-0114396호(2006년 11월 06일 공개)를 일예로 들 수 있다. 위 선행 기술에서는 픽셀에 JFET 소스 팔로워를 사용하므로써 이미지센서의 각 픽셀간의 출력데이터의 특성 변화를 감소시킨다.Recently, new operation techniques have gained popularity in papers and in many products, many of which use JFETs as source followers. Korean Unexamined Patent Publication No. 10-2006-0114396 (November 06, 2006 published) is an example. In the prior art, the use of a JFET source follower for a pixel reduces the variation of the characteristics of the output data between each pixel of the image sensor.

도 1은 종래기술(대한민국 공개특허공보 제10-2006-0114396호)에 따른 픽셀의 레이아웃이고, 도 2는 도 1의 A-A'에 따른 단면도이다.1 is a layout of a pixel according to the prior art (Korean Patent Publication No. 10-2006-0114396), and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1.

잘 알려진 바와 같이 CMOS 이미지 센서의 픽셀은 전달트랜지스터(Tx), 리셋트랜지스터(Rx), 드라이브 트랜지스터(Dx) 및 선택트랜지스터(Sx)를 구비한다. 즉 4개의 트랜지스터를 구비하고 포토다이오드(PD)와, 플로팅 확산(FD)을 구비한다. 종래기슬에서는 드라이브 트랜지스터 즉 소스 팔로워를 JFET로 사용하는 것이다. JFET는 에피층(기판) 내에 형성된 N형 채널, P0형 게이트 및 N+형 소스/드레인을 포함한다.As is well known, a pixel of a CMOS image sensor includes a transfer transistor (Tx), a reset transistor (Rx), a drive transistor (Dx), and a selection transistor (Sx). That is, it has four transistors, a photodiode PD, and floating diffusion FD. In the conventional gas, the drive transistor, that is, the source follower is used as the JFET. The JFET includes an N-type channel, a P0-type gate, and an N + -type source / drain formed in the epi layer (substrate).

이러한 JFET 소스 팔로워는 베리드 채널(Buried Channel)을 갖고 있어, 노이즈에 강하므로 각 픽셀간의 출력데이터의 특성 변화를 감소시킨다.This JFET source follower has a buried channel, which is resistant to noise, thereby reducing the variation of the output data between pixels.

그러나, 종래기술과 같은 레이아웃을 갖는 픽셀은, JFET의 P0형 게이트와 플로팅 확산(FN)이 멀리 이격되어 있기 때문에 메탈 배선에 의해 라우팅 되어야 한다. 따라서 메탈 라우팅에 의한 공간 할당이 필요하므로 스몰 픽셀의 구성에 제약을 받게 된다. 또한, 메탈 라우팅에 의해 스몰 픽셀에서 문제가 되는 플로팅 확산 주위의 기생 커패시턴스(Parastic Capacitance) 문제가 존재하므로 픽셀의 광 특성이 저하되는 문제점이 있다.However, pixels having a layout as in the prior art should be routed by metal wiring because the P0 gate of the JFET and the floating diffusion FN are far apart. Therefore, since space allocation by metal routing is required, the configuration of the small pixel is limited. In addition, since there is a parasitic capacitance problem around floating diffusion, which is a problem in small pixels due to metal routing, there is a problem in that optical characteristics of the pixel are degraded.

본 발명은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, JFET 소스 팔로워를 갖으면서 스몰 픽셀의 구성에 적합한 레이아웃을 갖는 이미지 센서의 픽셀을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the problems of the prior art, and an object thereof is to provide a pixel of an image sensor having a JFET source follower and having a layout suitable for the configuration of a small pixel.

본 발명의 다른 목적은 JFET 소스 팔로워를 갖으면서 플로팅 확산 주위의 기생 커패시턴스를 작게하는 이미지센서의 픽셀을 제공하는데 있다.It is another object of the present invention to provide a pixel of an image sensor that has a JFET source follower while reducing parasitic capacitances around floating diffusion.

본 발명의 이미지 센서 픽셀은, 전하 센싱 노드인 플로팅 확산과 소스 팔로워용 JFET를 구비하고, JFET의 게이트는 플로팅 확산과 인접 배치되어 라우팅 없이 연결된다The image sensor pixel of the present invention has a JFET for floating diffusion and source follower, which are charge sensing nodes, the gate of the JFET being adjacent to the floating diffusion and connected without routing.

여기서, JFET의 게이트와 플로팅 확산은 서로 상보적인 P형 또는 N형으로 구성된다. JFET의 게이트와 플로팅 확산이 맞닿는 부분에서의 PN 다이오드 형성에 의한 전압 강하를 방지하기 위해서, 상기 맞닿는 부분을 숏트(short) 시키는 것이 바람직하다. 이를 위해 상기 맞닿은 부분에 메탈 플러그 또는 실리사이드층을 더 형성하는 것이 좋다.Here, the gate and floating diffusion of the JFET are composed of P-type or N-type complementary to each other. In order to prevent the voltage drop caused by the formation of the PN diode at the portion where the gate and the floating diffusion of the JFET abut, it is preferable to short the abutting portion. To this end, it is preferable to further form a metal plug or silicide layer on the contact portion.

또한, 본 발명의 픽셀은 플로팅 확산을 리셋하기 의한 리셋트랜지스터를 더 포함하고, JFET와 인접한 다른 픽셀 내의 리셋 트랜지스터는 공통 VDD 콘택 노드를 통해 전원을 공급받는다.In addition, the pixels of the present invention further include a reset transistor by resetting the floating diffusion, wherein the reset transistor in another pixel adjacent to the JFET is powered through a common VDD contact node.

바람직하게, 픽셀은, 광 전하를 생성하기 위한 포토다이오드, 포토다이오드의 전하를 플로팅 확산으로 전달하기 위한 전달트랜지스터; 및 JFET의 출력을 어드레싱하여 픽셀 출력 신호로서 제공하기 위한 선택트랜지스터를 더 포함한다.Preferably, the pixel comprises: a photodiode for generating photocharge, a transfer transistor for transferring charge of the photodiode to floating diffusion; And a selection transistor for addressing the output of the JFET and providing it as a pixel output signal.

아울러, 본 발명의 이미지 센서는 플로팅 확산에 적어도 두개의 포토다이오드가 공유되도록 하므로써, 복수의 포토-사이트가 픽셀 회로들을 공유하도록 할 수 잇다.In addition, the image sensor of the present invention allows multiple photo-sites to share pixel circuits by allowing at least two photodiodes to be shared for floating diffusion.

본 발명에 따른 이미지 센서의 픽셀은 JFET를 소스 팔로워로서 사용하므로써, 픽셀의 출력을 베리드 채널을 통해 내보내기 때문에 노이즈에 대한 문제를 줄일 수 있다.The pixel of the image sensor according to the present invention can reduce the problem of noise by using the JFET as the source follower, since the output of the pixel is exported through the buried channel.

또한, 본 발명의 픽셀은 픽셀은 플로팅 확산과 JFET의 게이트간 연결을 메탈 라우팅 없이 구성하므로써, 픽셀의 소형화가 가능하다. 또한 메탈 라우팅에 의한 기생 커패시턴스를 감소시킨다.In addition, the pixel of the present invention allows the pixel to be miniaturized by configuring the floating diffusion and the gate-to-gate connection of the JFET without metal routing. It also reduces parasitic capacitance due to metal routing.

또한, 본 발명의 픽셀은 오느한 픽셀의 JFET와 인접한 다른 픽셀 내의 리셋 트랜지스터가 공통 VDD 콘택 노드를 통해 전원을 공급받도록 레이아웃 된다. 이에 의해 실제 픽셀 어레이에서 보면 픽셀당 1개의 VDD 콘택이 존재하므로 소형화에 보다 유리하다.In addition, the pixels of the present invention are laid out such that reset transistors in other pixels adjacent to the JFET of one pixel are powered through a common VDD contact node. This is advantageous in miniaturization since there is one VDD contact per pixel in the actual pixel array.

또한, 본 발명의 픽셀은 JFET의 게이트와 플로팅 확산이 맞닿는 부분을 숏트(short) 시키기 위해 메탈 플러그 또는 실리사이드층을 구비한다. 이에 의해 서 로 맞닿는 부분에서의 PN 다이오드 형성에 의한 전압 강하를 방지할 수 있다.In addition, the pixel of the present invention includes a metal plug or silicide layer to shorten a portion where the gate and floating diffusion of the JFET contact. As a result, the voltage drop due to the formation of the PN diode at the portions in contact with each other can be prevented.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. .

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀 레이아웃이고, 도 4a 및 도 4b는 도 3의 A-A'에 따른 단면도이며, 도 5는 도 3의 B-B'에 따른 단면도이다. 3 is a pixel layout of an image sensor according to an exemplary embodiment of the present invention, FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views taken along line AA ′ of FIG. 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 3. .

핀드 포토다이오드(PD)에서 광자에 의해 발생하는 전하는 전달트랜지스터(Tx)의 게이트 제어에 의해 포토다이오드로부터 플로팅확산(FD, 401)으로 전송된다.Charge generated by photons in the pinned photodiode PD is transferred from the photodiode to the floating diffusion FD 401 by the gate control of the transfer transistor Tx.

플로팅 확산(FD, 401)의 전압은 소스 팔로워 트랜지스터인 n채널 JFET에 의해 감지 및 증폭되고 선택트랜지스터(Sx)에 의해 어드레싱되어 픽셀 출력(Vout)으로서 제공된다. 플로팅 확산(FD, 401)은 VDD를 인가받는 리셋트랜지스터(Rx)에 의해 리셋된다. The voltage of the floating diffusion FD 401 is sensed and amplified by the n-channel JFET, which is the source follower transistor, addressed by the select transistor Sx and provided as the pixel output Vout. The floating diffusion FD 401 is reset by the reset transistor Rx receiving VDD.

n채널 JFET는 N형 채널(405B), 플로팅 확산(FD, 401))에 접속된 P형 게이트(405A), VVD단에 접속된 N형 소스(405C), 및 선택트랜지스터의 소스와 공통인 N형 드레인(405D)을 갖는다.The n-channel JFET has an N-type channel 405B, a P-type gate 405A connected to the floating diffusion (FD, 401), an N-type source 405C connected to the VVD terminal, and an N common to the source of the selection transistor. It has a type drain 405D.

JFET는 액티브 아래쪽의 N 채널을 통해 전하가 이동하기 때문에(즉 베리드 채널을 갖기 때문에) 표면(surface) 채널을 갖는 MOSFET에 비하여 노이즈 측면에서 유리하다. 특히, 픽셀 신호를 외부로 내보내게 되는 소스 팔로워 단의 노이즈는 고화소의 작은 픽셀로 갈수록 큰 문제가 되고 있어서, JFET 소스 팔로워는 매우 유용하다.JFETs are advantageous in terms of noise compared to MOSFETs with surface channels because charge transfers through the N channel below the active (ie has a buried channel). In particular, the noise at the source follower stage, which causes the pixel signal to go out, becomes more of a problem for smaller pixels in high pixels, and thus the JFET source follower is very useful.

도 4a를 참조하면, JFET의 P형 게이트(405A)는 N형 플로팅 확산(FD, 401)과 인접 배치되어 추가적인 메탈 라우팅 없이 연결되어, JFET의 게이트와 플로팅 확산이 맞닿는 부분에서의 PN 다이오드가 형성된다. 한편, PN 다이오드에 의해 전압 강하가 발생되어 신호 전달이 원할하지 않을 수 있으므로, 두 접합이 맞닿는 부분을 숏트(short) 시키기 위한 메탈 플러그(407A)를 형성해주는 것이 바람직하다. 이 메탈 플러그(207A)는 JFET의 소스(405C)에 VDD 콘택을 위해 사용하는 플러그(407C) 형성단계에서 함께 형성할 수 있다. 한편, 플러그(407B)에 연결되는 VDD 메탈 배선(409B)시에, 숏트를 위한 플러그(407A) 상에 메탈 패턴(409A)을 함께 형성해줄 수 있다. 이것은 플러그(407A)가 후속 배선 공정시 식각데미지를 입을 수 있으므로, 이 데미지를 메탈 패턴(409A)이 방지하도록 하기 위함이다. Referring to FIG. 4A, the P-type gate 405A of the JFET is disposed adjacent to the N-type floating diffusion (FD, 401) and connected without additional metal routing, so that a PN diode is formed at a portion where the gate and floating diffusion of the JFET come into contact with each other. do. On the other hand, since the voltage drop may be generated by the PN diode so that signal transmission may not be desired, it is preferable to form a metal plug 407A for shorting a portion where the two junctions contact each other. The metal plugs 207A may be formed together in the plug 407C forming step used for the VDD contact to the source 405C of the JFET. Meanwhile, in the VDD metal wiring 409B connected to the plug 407B, the metal pattern 409A may be formed together on the plug 407A for shorting. This is to prevent the metal pattern 409A from damaging the plug 407A since the plug 407A may be etched in a subsequent wiring process.

한편, 도 4b에 도시된 바와 같이, JFET의 P형 게이트(405A)와 N형 플로팅 확산(401)이 맞닿는 부분에 실리사이드층(500)을 형성하는 방법도 있을 수 있다. 도 5에 지시된 미 설명 도면부호는 도 4a과 동일하다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 4B, there may be a method of forming the silicide layer 500 at a portion where the P-type gate 405A and the N-type floating diffusion 401 of the JFET come into contact with each other. Unexplained reference numerals indicated in FIG. 5 are the same as in FIG. 4A.

도 5에는 n채널 JFET와 선택트랜지스터(Sx)가 함께 도시되어 있다. JFET의 신호는 선택트랜지스터의 게이트(403A) 제어에 의해 JFET의 드레인(405D)으로부터 픽셀 출력(Vout) 측인 N+영역(430B)로 전달된다. 5 shows an n-channel JFET and a select transistor Sx. The signal of the JFET is transferred from the drain 405D of the JFET to the N + region 430B on the pixel output Vout side by controlling the gate 403A of the select transistor.

도 6은 플로팅확산과 JFET만을 도시한 레이아웃이다. 앞서 설명한 바와 같이, JFET의 소스(405)는 VDD 콘택이 이루어진다. 소스(405C)로부터 드레인(405D)으로 전류 패스가 형성되는 바, 통상적인의 방법과 다르게 본 실시예에서는 소스(405C)와 드레인(405D)이 90도 방향으로 꺾여서 레이아웃 되어 있다. 이는 오른쪽에 인접하는 다른 픽셀의 리셋트랜지스터용 VDD 콘택과 소스(405C)측 VDD 콘택이 공통으로 사용되도록 하기 위해서이다. 이는 칩 면적을 줄여주는 장점을 가져다 준다.6 is a layout showing only floating diffusion and a JFET. As described above, the source 405 of the JFET is in VDD contact. A current path is formed from the source 405C to the drain 405D. Unlike the conventional method, in this embodiment, the source 405C and the drain 405D are laid out in a 90 degree direction. This is so that the reset transistor VDD contact and the source 405C side VDD contact of another pixel adjacent to the right side are commonly used. This has the advantage of reducing the chip area.

본 실시예는 하나의 포토다이오드와 4개의 트랜지스터로 구성된 픽셀을 설명하였다. 그러나, 본 발명의 개념은 이에 한정되는 것이 아니다. 즉, 당업자에게 잘 알려진 바와 같이, 플로팅 확산(FD)에 적어도 두개의 포토다이오드가 공유되는 구성의 이미지 센서에도 적용될 수 있고, 픽셀에 선택트랜지스터를 구성하지 않고 별도의 어드레싱 수단을 이용하는 스킴에서도 적용될 수 있다.This embodiment has described a pixel composed of one photodiode and four transistors. However, the concept of the present invention is not limited to this. That is, as is well known to those skilled in the art, it may be applied to an image sensor having a configuration in which at least two photodiodes are shared in floating diffusion (FD), and may also be applied to a scheme using a separate addressing means without configuring a selection transistor in a pixel. have.

이와 같이, 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명이 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.As such, the present invention is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes are possible in the art without departing from the spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of.

도 1은 종래기술에 따른 픽셀의 레이아웃.1 is a layout of pixels according to the prior art;

도 2는 도 1의 A-A'에 따른 단면도.2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1;

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀 레이아웃.3 is a pixel layout of an image sensor according to an embodiment of the present invention.

도 4a 및 도 4b는 도 3의 A-A'에 따른 단면도.4A and 4B are cross-sectional views taken along line AA ′ of FIG. 3.

도 5는 도 3의 B-B'에 따른 단면도. 5 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 3.

도 6은 본 실시예에서 플로팅확산과 JFET만을 도시한 레이아웃. 6 is a layout showing only floating diffusion and a JFET in this embodiment.

Claims (9)

전하 센싱 노드인 플로팅 확산; 및Floating diffusion, which is a charge sensing node; And 소스 팔로워용 JFET를 구비하고,With a JFET for the source follower, 상기 JFET의 게이트는 상기 플로팅 확산과 인접 배치되어 라우팅 없이 연결된The gate of the JFET is positioned adjacent to the floating diffusion and connected without routing 이미지 센서의 픽셀.Pixel of the image sensor. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 JFET의 게이트와 상기 플로팅 확산은 서로 상보적인 P형 또는 N형인 이미지 센서의 픽셀.And the gate and the floating diffusion of the JFET are complementary to each other. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 JFET의 게이트 접합층과 상기 플로팅 확산이 맞닿는 부분에서의 PN 다이오드 형성에 의한 전압 강하를 방지하기 위해서, 상기 맞닿는 부분을 숏트(short) 시키기 위한 메탈 플러그를 더 포함하는 이미지센서의 픽셀.And a metal plug for shorting the abutting portion to prevent a voltage drop due to PN diode formation at a portion where the gate junction layer and the floating diffusion of the JFET abut. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 JFET의 게이트 접합층과 상기 플로팅 확산이 맞닿는 부분에서의 PN 다이오드 형성에 의한 전압 강하를 방지하기 위해서, 상기 맞닿는 부분을 숏트(short) 시키기 위한 실리사이드층을 더 포함하는 이미지센서의 픽셀.And a silicide layer for shorting the abutting portion to prevent a voltage drop due to PN diode formation at a portion where the gate junction layer and the floating diffusion of the JFET abut. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 플로팅 확산을 리셋하기 의한 리셋트랜지스터를 더 포함하고,A reset transistor by resetting the floating diffusion, 상기 JFET와 인접한 다른 픽셀 내의 상기 리셋 트랜지스터는 공통 VDD 콘택 노드를 통해 전원을 공급받는 이미지 센서의 픽셀.The reset transistor in another pixel adjacent the JFET is powered through a common VDD contact node. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 JFET의 출력을 어드레싱하여 픽셀 출력 신호로서 제공하기 위한 선택트랜지스터를 더 포함하는 이미지 센서의 픽셀.And a selection transistor for addressing the output of the JFET and providing it as a pixel output signal. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 광 전하를 생성하기 위한 포토다이오드;Photodiodes for generating photo charges; 상기 포토다이오드의 전하를 상기 플로팅 확산으로 전달하기 위한 전달트랜 지스터를 더 포함하는 이미지 센서의 픽셀.And a transfer transistor for transferring charge of the photodiode to the floating diffusion. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 JFET는 N형 채널, P형 게이트, N형 소스 및 N형 드레인을 갖는 이미지 센서의 픽셀.The JFET is a pixel of an image sensor having an N-type channel, a P-type gate, an N-type source and an N-type drain. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 플로팅 확산에 적어도 두개의 포토다이오드가 공유되는 이미지 센서의 픽셀.At least two photodiodes are shared in the floating diffusion.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP3278364A4 (en) * 2015-03-31 2018-12-19 Dartmouth College Image sensor and image sensor pixel having jfet source follower
CN113629090A (en) * 2021-08-17 2021-11-09 思特威(上海)电子科技股份有限公司 Pixel, image sensor, manufacturing method of pixel and image sensor, and image acquisition device

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