KR20090056544A - Cleaner equipped with apparatus for measuring a pollution level of cleaning solvent and method for measuring a pollution level of cleaning solvent - Google Patents

Cleaner equipped with apparatus for measuring a pollution level of cleaning solvent and method for measuring a pollution level of cleaning solvent Download PDF

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Abstract

A cleaner equipped with an apparatus for measuring a pollution level of a cleaning solvent and a method are provided to prevent secondary pollution due to a cleaning solution and cleaning solution waste by determining a period of exchanging the cleaning solution. A cleaning device(100) comprises a cleaning solution opening/closing apparatus(140) formed at the bottom of a cleaning bath(110), and the cleaning bath filled with the cleaning solution(120). A sensor unit(160) comprises a light receiving part(162) installed at the opposite to the lighting-emitting area and light emitting part(161). The cleaning solution detection passage(150) installed at the lighting-emitting area is the opposite to the cleaning solution opening/closing apparatus.

Description

세정용액 오염도 측정 장치가 구비된 세정장치 및 세정용액 오염도 측정 방법{Cleaner Equipped with Apparatus for Measuring a Pollution Level of Cleaning Solvent and Method for Measuring a Pollution Level of Cleaning Solvent}Cleaner Equipped with Apparatus for Measuring a Pollution Level of Cleaning Solvent and Method for Measuring a Pollution Level of Cleaning Solvent}

본 발명은 세정(cleaning)장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 공정에 사용되는 장비를 세정하는데 사용되는 세정용액의 오염도를 자동으로 측정할 수 있는 오염도 측정 장치가 구비된 세정장치 및 세정용액 오염도 측정 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning device, and more particularly, to a cleaning device and a cleaning solution contamination level equipped with a pollution level measuring device that can automatically measure the pollution level of a cleaning solution used to clean equipment used in a semiconductor process. It relates to a measuring method.

반도체 제조공정은 실리콘 웨이퍼 기판 위에 금속 등의 도전막과 실리콘 산화막 등의 절연막을 박막 증착을 형성하고, 이들 박막을 패터닝하여 소자와 배선을 형성함으로서 반도체 소자를 형성하는 공정이다.A semiconductor manufacturing process is a process of forming a semiconductor element by forming a thin film deposition on the silicon wafer substrate, an insulating film, such as a metal, and an insulating film, such as a silicon oxide film, and patterning these thin films to form an element and wiring.

그런데, 박막의 형성과 이들 박막의 패터닝을 위한 식각 등의 공정에서 여러 종류의 프로세스 가스를 사용하며, 상기 프로세스 가스의 반응성 및 공정 조건을 최적화하기 위해 고주파 발생기 등 각종 장치를 이용한다. 그리고 이러한 반도체 장치 제조 장비에는 스테인레스, 알루미늄, 세라믹 등 각종 재질의 부품이 장착된다.However, various types of process gases are used in the process of forming thin films and etching for patterning the thin films, and various devices such as a high frequency generator are used to optimize the reactivity and process conditions of the process gases. The semiconductor device manufacturing equipment is equipped with components of various materials such as stainless steel, aluminum, and ceramics.

반도체 제조 장치를 이용하여 박막을 형성하거나 형성된 박막을 식각하면, 프로세스 가스의 분해 및 다른 물질과의 반응에 의한 각종 부산물들이 발생하며, 상기 부산물들은 장비 내부 벽체와 부품 표면에 적층 또는 부착되어 부품을 오염시킨다.When a thin film is formed or the thin film is etched using a semiconductor manufacturing apparatus, various by-products are generated by decomposition of a process gas and reaction with other materials, and the by-products are laminated or attached to the wall and the part surface of the equipment to form a part. Contaminate

상기 오염된 부품들이 장착된 반도체 제조 장비를 이용하여 반도체 제조공정을 수행하면, 장비 부품들에 부착된 오염 물질이 실리콘 웨이퍼 기판 상에 떨어져 웨이퍼 손실 및 수율(yield)저하를 초래하게 된다.When the semiconductor manufacturing process is performed using the semiconductor manufacturing equipment equipped with the contaminated parts, the contaminants attached to the equipment parts fall on the silicon wafer substrate, resulting in wafer loss and yield.

따라서, 상기 장비 오염에 의한 공정 불량의 문제를 최소화하기 위해, 반도체 제조 장비에 대한 예방정비 주기를 정하여 부품에서 오염물질을 제거하는 장비 유지 보수 작업을 실시하게 된다.Therefore, in order to minimize the problem of the process failure due to the equipment contamination, the equipment maintenance work to remove the contaminants from the parts by setting a preventive maintenance cycle for the semiconductor manufacturing equipment.

이때 오염물질을 제거하는 방법으로는 일반적으로 고효율의 세정액을 사용하는 습식 세정법을 이용하고 있다.At this time, as a method of removing contaminants, a wet cleaning method using a high efficiency cleaning solution is generally used.

도 1은 종래 기술에 따른 세정장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a cleaning apparatus according to the prior art.

도 1에 도시된 바와 같이 상기 세정장치(10)는 세정배스(cleaning bath, 11)로 형성되며 상기 세정배스(11)의 내부는 세정용액(12)으로 채워진다.As shown in FIG. 1, the cleaning device 10 is formed of a cleaning bath 11, and the inside of the cleaning bath 11 is filled with a cleaning solution 12.

또한, 상기 세정용액(12)에는 세정의 대상이 되는 반도체 제조 장치의 부품(13)이 담겨져 있어 상기 세정용액(12)에 의해 습식세정법으로 상기 반도체 제조 장치의 부품(13)은 세정된다.The cleaning solution 12 contains the component 13 of the semiconductor manufacturing apparatus to be cleaned, and the component 13 of the semiconductor manufacturing apparatus is cleaned by the cleaning solution 12 by wet cleaning.

상기 세정이 진행되면서 상기 반도체 제조 장치의 부품(13)에 증착되어 있던 파티클(particle) 및 금속 입자(예 : Al, Na, Fe)의 함량이 증가하여 세정용액(12)이 오염된다.As the cleaning proceeds, the content of particles and metal particles (eg, Al, Na, Fe) deposited on the component 13 of the semiconductor manufacturing apparatus increases, thereby contaminating the cleaning solution 12.

따라서, 상기 세정용액(12)의 오염이 심한 경우에는 상기 세정용액(12)을 교체해 주어야 한다.Therefore, when the contamination of the cleaning solution 12 is severe, the cleaning solution 12 should be replaced.

다만, 종래 상기 세정용액(12)을 교체함에 있어서, 외관상 육안으로 관찰하고 상기 세정용액(12)의 오염의 정도를 판단하여 상기 세정용액(12)을 교체하였다.However, in the conventional replacement of the cleaning solution 12, the external appearance was visually observed and the degree of contamination of the cleaning solution 12 was determined to replace the cleaning solution 12.

따라서, 정확한 오염의 정도를 파악하지 못하고 대략적인 교체가 이루어져 상기 세정용액의 낭비가 발생하고 상기 세정용액(12)의 오염의 정도가 심한 경우에는 상기 세정용액(12)으로 인한 반도체 제조 장치의 부품(13)의 2차적 오염이 발생되는 문제점이 있었다.Therefore, if the exact degree of contamination is not known and a rough replacement is performed to generate waste of the cleaning solution and the degree of contamination of the cleaning solution 12 is severe, the parts of the semiconductor manufacturing apparatus due to the cleaning solution 12 are caused. There was a problem that secondary pollution of (13) occurred.

따라서 본 발명은 상술한 제반 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 세정용액의 오염도를 실시간으로 감지하여 세정용액의 교체시기를 판단할 수 있도록 함으로서 세정용액의 낭비 및 세정용액으로 인한 반도체 제조 장치의 부품(13)의 2차적 오염의 발생을 방지할 수 있는 세정용액 오염도 측정 장치가 구비된 세정장치 및 세정용액 오염도 측정 방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, by detecting the contamination of the cleaning solution in real time to determine the replacement time of the cleaning solution by the waste of the cleaning solution and the components of the semiconductor manufacturing apparatus due to the cleaning solution ( It is an object of the present invention to provide a cleaning device equipped with a cleaning solution contamination measuring device capable of preventing the occurrence of secondary contamination in 13) and a cleaning solution contamination measuring method.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 세정장치는,The cleaning device of the present invention for achieving the above object,

세정용액으로 채워지는 세정배스 및 상기 세정배스의 하측 일단에 형성되는 세정용액 개·폐장치를 구비하는 세정장치에 있어서, 상기 세정용액 개·폐장치의 반대측에는 세정용액 검출통로가 설치되고 상기 세정용액 검출통로 내측에는 발광부제어부에 의해 제어되는 발광부 및 상기 발광부의 반대측에 설치되는 수광부가 구비되는 센서부; 상기 세정용액 검출통로 외측에는 상기 수광부가 받아들인 광속 을 전기적신호로 변환하는 수광부제어부, 상기 수광부제어부에 의해 변환된 상기 전기적신호를 데이터형식으로 저장하는 저장부, 상기 데이터를 초기값과 비교하여 상기 비교한 결과를 출력하는 중앙처리장치 및 상기 비교한 결과를 기초로 세정용액 개·폐장를 제어하는 제어부를 구비하는 데이터처리부; 상기 전기적신호의 변화를 영상으로 처리하는 모니터부;가 포함되는 것을 특징으로 한다.A cleaning device comprising a cleaning bath filled with a cleaning solution and a cleaning solution opening / closing device formed at a lower end of the cleaning bath, wherein a cleaning solution detection passage is provided on an opposite side of the cleaning solution opening / closing device. A sensor part including a light emitting part controlled by a light emitting part controller and a light receiving part provided on an opposite side of the light emitting part; A light receiving unit control unit for converting the light flux received by the light receiving unit into an electrical signal outside the cleaning solution detection passage; a storage unit for storing the electrical signal converted by the light receiving unit control unit in a data format; A data processing unit including a central processing unit for outputting a comparison result and a control unit for controlling opening and closing of the cleaning solution based on the comparison result; And a monitor configured to process the change in the electrical signal as an image.

또한, 상기 세정장치에 있어서 상기 세정용액의 검출통로에는 세정용액 성분 검출기가 더 포함되는 것을 특징으로 한다.The cleaning apparatus may further include a cleaning solution component detector in the detection passage of the cleaning solution.

본 발명의 또 다른 측면으로 본 발명의 세정용액 오염도 측정 방법은,In another aspect of the present invention, the cleaning solution contamination measurement method of the present invention,

세정용액이 세정배스에 채워지는 단계; 펌프에 의해 상기 세정용액이 세정용액 검출통로에 공급되는 단계; 수광부로부터 광이 검출되는 단계; 상기 검출된 광이 수광부제어부에 의해 전기적신호로 변환되는 단계; 상기 수광부제어부에 의해 변환된 상기 전기적신호를 초기값으로 하여 데이터형식으로 저장부에 저장되는 단계; 세정대상이 되는 반도체 제조 장치의 부품이 세정되는 단계; 상기 세정이 진행되는 동안 수광부로부터 광이 실시간으로 검출되는 단계; 상기 검출된 광이 수광부제어부에 의해 전기적신호로 변환되는 단계; 상기 수광부제어부가 변환한 상기 전기적신호를 초기값과 비교하고 상기 비교결과가 제어부로 출력되는 단계; 상기 제어부에 의해 상기 비교한 결과를 기초로 세정용액 개·폐장치가 제어되는 단계; 모니터부에 의해 상기 전기적신호의 변화가 영상으로 처리되는 단계를 포함하는 것을 특징 으로 한다.Filling the cleaning solution into the cleaning bath; Supplying the cleaning solution to the cleaning solution detection passage by a pump; Detecting light from the light receiving unit; Converting the detected light into an electrical signal by a light receiving unit controller; Storing the electrical signal converted by the light receiving unit control unit as an initial value in a storage unit in a data format; Cleaning the components of the semiconductor manufacturing apparatus to be cleaned; Detecting light in real time from the light receiving unit while the cleaning is in progress; Converting the detected light into an electrical signal by a light receiving unit controller; Comparing the electrical signal converted by the light receiving unit controller with an initial value and outputting the comparison result to the controller; Controlling, by the controller, a cleaning solution opening and closing device based on the comparison result; And a step of processing the change of the electrical signal into an image by the monitor unit.

또한, 세정용액 오염도 측정 방법에 있어서 상기 세정이 진행되는 동안 센서부에 의해 수광부로부터 광이 검출되는 단계 다음에 상기 세정용액 성분 검출기에 의해 상기 세정용액의 성분이 검출되는 단계를 더 포함되는 것을 특징으로 한다.In addition, the cleaning solution contamination measurement method further comprises the step of detecting the component of the cleaning solution by the cleaning solution component detector after the step of detecting the light from the light receiving unit by the sensor unit while the cleaning is in progress. It is done.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 세정용액 오염도 측정 장치가 구비된 세정장치 및 세정용액 오염도 측정 방법에 의하면 세정용액의 오염도를 실시간으로 감지하여 세정용액의 교체시기를 판단할 수 있어 세정용액의 낭비 및 세정용액으로 인한 반도체 제조 장치의 부품의 2차적 오염의 발생을 방지할 수 있다.As described above in detail, according to the cleaning apparatus and the cleaning solution contamination measurement method equipped with the cleaning solution contamination measurement device according to the present invention can detect the contamination of the cleaning solution in real time to determine the replacement time of the cleaning solution It is possible to prevent the occurrence of secondary contamination of the components of the semiconductor manufacturing apparatus due to waste and cleaning solution.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 의한 세정장치의 단면도, 도 3은 본 발명에 따른 세정장치의 신호처리과정을 나타내는 개념도, 도 4는 본 발명에 따른 세정용액 오염도 측정과정을 보여주는 순서도이다.2 is a cross-sectional view of a cleaning apparatus according to the present invention, FIG. 3 is a conceptual diagram showing a signal processing procedure of a cleaning apparatus according to the present invention, and FIG. 4 is a flowchart showing a cleaning solution contamination measurement process according to the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 세정장치(100)는, 세정용액(120)으로 채워지는 세정배스(110) 및 상기 세정배스(110)의 하측 일단에 형성되는 세정용액 개·폐장치(140)를 구비한다.As shown in FIG. 2, the cleaning device 100 of the present invention includes a cleaning bath 110 filled with the cleaning solution 120 and a cleaning solution opening and closing device formed at one end of the lower side of the cleaning bath 110. 140.

또한, 상기 세정용액 개·폐장치(140)의 반대측에는 세정용액 검출통로(150)가 설치되고 상기 세정용액 검출통로(150) 내측에는 발광부제어부(171)에 의해 제어되는 발광부(161) 및 상기 발광부(161)의 반대측에 설치되는 수광부(162)가 구비되는 센서부(160)를 포함한다.In addition, the cleaning solution detection passage 150 is provided on the opposite side of the cleaning solution opening and closing device 140, and the light emitting unit 161 controlled by the light emitting control unit 171 inside the cleaning solution detection passage 150. And a sensor unit 160 having a light receiving unit 162 provided on the opposite side of the light emitting unit 161.

그리고, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 세정용액 검출통로(150) 외측에는 상기 수광부(162)가 받아들인 광속을 전기적신호로 변환하는 수광부제어부(172), 상기 수광부제어부(172)에 의해 변환된 상기 전기적신호를 데이터형식으로 저장하는 저장부(173), 상기 데이터를 초기값과 비교하여 상기 비교한 결과를 출력하는 중앙처리장치(174) 및 상기 비교한 결과를 기초로 세정용액 개·폐장치(140)를 제어하는 제어부(175)를 구비하는 데이터처리부(170)를 포함하고 상기 전기적신호의 변화를 영상으로 처리하는 모니터부(180)가 포함된다.As shown in FIG. 3, the light receiving unit controller 172 and the light receiving unit controller 172 convert the luminous flux received by the light receiving unit 162 into an electric signal outside the cleaning solution detection passage 150. A storage unit 173 for storing the electrical signal in a data format, a central processing unit 174 for outputting the comparison result by comparing the data with an initial value, and a cleaning solution opening / closing device based on the comparison result It includes a data processing unit 170 having a control unit 175 for controlling the 140 and includes a monitor unit 180 for processing the change of the electrical signal as an image.

여기서, 상기 세정장치에 있어서 상기 세정용액의 검출통로(150)에는 세정용액 성분 검출기(190)가 더 포함되는 것이 바람직하다.Here, in the cleaning device, it is preferable that the cleaning solution component detector 190 is further included in the detection passage 150 of the cleaning solution.

이하 도 4를 참조하여 상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 세정용액 의 오염도를 측정하는 과정을 설명한다.Hereinafter, the process of measuring the contamination level of the cleaning solution according to the present invention having the configuration as described above with reference to FIG.

가장 먼저, 세정용액(120)이 세정배스(110)에 채워지면 펌프(미도시)에 의해 상기 세정용액(120)이 세정용액 검출통로(150)에 공급된다.First, when the cleaning solution 120 is filled in the cleaning bath 110, the cleaning solution 120 is supplied to the cleaning solution detection passage 150 by a pump (not shown).

이때, 수광부(162)는 발광부(161)로부터 발광하는 광을 검출하고 상기 검출된 광은 수광부제어부(172)에 의해 전기적신호(Ob)로 변환된다.At this time, the light receiving unit 162 detects the light emitted from the light emitting unit 161 and the detected light is converted into an electrical signal Ob by the light receiving unit control unit 172.

상기 수광부제어부(172)에 의해 변환된 상기 전기적신호(Ob)를 초기값으로 하여 데이터형식으로 저장부(173)에 저장되어 후술하는 바와 같이 상기 세정용액(120)의 오염도를 측정하는 기준값이 된다.The electrical signal Ob converted by the light receiver 172 is set as an initial value and stored in the storage unit 173 in a data format to be a reference value for measuring the degree of contamination of the cleaning solution 120 as described later. .

세정대상이 되는 반도체 제조 장치의 부품(130)이 세정되면 상기 세정용액(120)은 상기 반도체 제조 장치의 부품(130)에 증착되어 있던 파티클(particle) 및 금속 입자(예 : Al, Na, Fe)로 인해 상기 세정용액(120)의 오염이 이루어진다.When the component 130 of the semiconductor manufacturing apparatus to be cleaned is cleaned, the cleaning solution 120 is formed of particles and metal particles (eg, Al, Na, Fe) deposited on the component 130 of the semiconductor manufacturing apparatus. Due to contamination of the cleaning solution (120).

따라서, 상기 세정용액(120)의 오염의 정도를 측정하기 위해 펌프(미도시)에 의해 상기 오염이 진행된 세정용액(120)이 세정용액 검출통로(150)에 공급되고 상기 한 바와 같이수광부(162)를 통하여 광이 검출된다.Therefore, in order to measure the degree of contamination of the cleaning solution 120, the cleaning solution 120 in which the contamination proceeds by a pump (not shown) is supplied to the cleaning solution detection passage 150, and the light receiving unit 162 as described above. Light is detected through

상기 검출된 광은 수광부제어부(172)에 의해 전기적신호(Ox)로 변환되고 상기 수광부제어부(172)가 변환한 상기 전기적신호(Ox)를 상기 초기값과 비교하여 상기 비교결과가 제어부로 출력된다.The detected light is converted into an electrical signal Ox by the light receiving controller 172, and the comparison result is output to the controller by comparing the electrical signal Ox converted by the light receiving controller 172 with the initial value. .

그리고, 상기 제어부(175)에 의해 상기 비교한 결과를 기초로 세정용액 개·폐장치(140)가 제어된다.The cleaning solution opening and closing device 140 is controlled by the control unit 175 based on the comparison result.

이때, 상기 중앙처리장치(174)가 비교한 결과 상기 세정용액(120)의 교체시 에 측정되었던 광 검출량의 70 % 보다 적은 값인 경우에는 상기 세정용액 개·폐장치(140)를 제어하여 상기 세정용액(120)이 교체되도록 하는 것이 바람직하다.In this case, when the central processing unit 174 compares with each other, and the value is less than 70% of the amount of light detected when the cleaning solution 120 is replaced, the cleaning solution opening and closing device 140 is controlled to perform the cleaning. It is desirable to allow the solution 120 to be replaced.

또한, 이와 동시에 경보음발생부에 의해서 경보음을 발생하도록 하여 상기 세정장치(100)의 운영자가 상기 세정장치(100)의 동작을 확인하도록 하는 것이 바람직하다.In addition, at the same time, it is preferable to generate an alarm sound by the alarm sound generating unit so that the operator of the cleaning device 100 confirms the operation of the cleaning device 100.

이와 더불어, 모니터부(180)에 의해 상기 전기적신호의 변화가 영상으로 처리되어 상기 세정장치(100)의 운영자가 상기 세정용액(120)의 오염도를 실시간 인식할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the change of the electrical signal is processed as an image by the monitor unit 180 so that the operator of the cleaning apparatus 100 can recognize the contamination level of the cleaning solution 120 in real time.

또한, 세정용액 성분 검출기(190)에 의해 상기 세정용액의 성분이 검출되도록 함으로서 상기 세정용액(120)의 오염도를 측정함과 동시에 오염성분을 판단하도록 하는 것이 바람직하다. In addition, the component of the cleaning solution is detected by the cleaning solution component detector 190 so that the contamination of the cleaning solution 120 may be measured and the contamination may be determined.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정·변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.It is apparent to those skilled in the art that the present invention is not limited to the above embodiments and can be practiced in various ways without departing from the technical spirit of the present invention. will be.

도 1은 종래 기술에 따른 세정장치의 단면도,1 is a cross-sectional view of a washing apparatus according to the prior art,

도 2는 본 발명에 의한 세정장치의 단면도,2 is a cross-sectional view of the washing apparatus according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 세정장치의 신호처리과정을 나타내는 개념도,3 is a conceptual diagram showing a signal processing procedure of a cleaning device according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 세정용액 오염도 측정과정을 보여주는 순서도. Figure 4 is a flow chart showing a cleaning solution contamination measurement process according to the invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 세정장치 110 : 세정베스100: washing device 110: washing bath

120 : 세정용액 130 : 반도체 제조 장치의 부품120: cleaning solution 130: parts of the semiconductor manufacturing apparatus

140 : 세정용액 개·폐장치 150 : 세정용액 검출통로140: cleaning solution opening and closing device 150: cleaning solution detection passage

160 : 센서부 161 : 발광부160: sensor unit 161: light emitting unit

162 : 수광부 170 : 데이터처리부162: light receiving unit 170: data processing unit

171 : 발광부제어부 172 : 수광부제어부171: light emitting unit control unit 172: light receiving unit control unit

173 : 저장부 174 : 중앙처리장치173: storage unit 174: central processing unit

175 : 제어부 180 : 모니터부175 control unit 180 monitor unit

190 :세정용액 성분 검출기190: Cleaning solution component detector

Claims (4)

세정용액으로 채워지는 세정배스 및 상기 세정배스의 하측 일단에 형성되는 세정용액 개·폐장치를 구비하는 세정장치에 있어서,A cleaning device comprising a cleaning bath filled with a cleaning solution and a cleaning solution opening / closing device formed at one lower end of the cleaning bath. 상기 세정용액 개·폐장치의 반대측에는 세정용액 검출통로가 설치되고 상기 세정용액 검출통로 내측에는 발광부제어부에 의해 제어되는 발광부 및 상기 발광부의 반대측에 설치되는 수광부가 구비되는 센서부;A sensor unit including a cleaning solution detection passage on an opposite side of the cleaning solution opening / closing device, a light emitting unit controlled by a light emitting unit control unit inside the cleaning solution detection passage, and a light receiving unit provided on an opposite side of the light emitting unit; 상기 세정용액 검출통로의 외측에는 상기 수광부가 받아들인 광속을 전기적신호로 변환하는 수광부제어부, 상기 수광부제어부에 의해 변환된 상기 전기적신호를 데이터형식으로 저장하는 저장부, 상기 데이터를 초기값과 비교하여 상기 비교한 결과를 출력하는 중앙처리장치 및 상기 비교한 결과를 기초로 세정용액 개·폐장치를 제어하는 제어부를 구비하는 데이터처리부;A light receiving unit controller for converting the light flux received by the light receiving unit into an electrical signal outside the cleaning solution detection passage, a storage unit for storing the electrical signal converted by the light receiving unit controller in data format, and comparing the data with an initial value A data processing unit including a central processing unit for outputting the comparison result and a control unit for controlling the cleaning solution opening and closing unit based on the comparison result; 상기 전기적신호의 변화를 영상으로 처리하는 모니터부;A monitor configured to process the change of the electrical signal into an image; 가 포함되는 것을 특징으로 하는 세정장치.Washing apparatus comprising a. 제 1항에 있어서, 상기 세정용액의 검출통로에는 세정용액 성분 검출기가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 세정장치.The cleaning apparatus according to claim 1, further comprising a cleaning solution component detector in the detection passage of the cleaning solution. 세정용액이 세정배스에 채워지는 단계;Filling the cleaning solution into the cleaning bath; 펌프에 의해 상기 세정용액이 세정용액 검출통로에 공급되는 단계;Supplying the cleaning solution to the cleaning solution detection passage by a pump; 수광부로부터 광이 검출되는 단계;Detecting light from the light receiving unit; 상기 검출된 광이 수광부제어부에 의해 전기적신호로 변환되는 단계;Converting the detected light into an electrical signal by a light receiving unit controller; 상기 수광부제어부에 의해 변환된 상기 전기적신호를 초기값으로 하여 데이터형식으로 저장부에 저장되는 단계;Storing the electrical signal converted by the light receiving unit control unit as an initial value in a storage unit in a data format; 세정대상이 되는 반도체 제조 장치의 부품이 세정되는 단계;Cleaning the components of the semiconductor manufacturing apparatus to be cleaned; 상기 세정이 진행되는 동안 수광부로부터 광이 실시간으로 검출되는 단계;Detecting light in real time from the light receiving unit while the cleaning is in progress; 상기 검출된 광이 수광부제어부에 의해 전기적신호로 변환되는 단계;Converting the detected light into an electrical signal by a light receiving unit controller; 상기 수광부제어부가 변환한 상기 전기적신호를 초기값과 비교하고 상기 비교결과가 제어부로 출력되는 단계;Comparing the electrical signal converted by the light receiving unit controller with an initial value and outputting the comparison result to the controller; 상기 제어부에 의해 상기 비교한 결과를 기초로 세정용액 개·폐장치가 제어되는 단계;Controlling, by the controller, a cleaning solution opening and closing device based on the comparison result; 모니터부에 의해 상기 전기적신호의 변화가 영상으로 처리되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정용액 오염도 측정 방법.The cleaning solution contamination measurement method comprising the step of processing the change of the electrical signal to the image by the monitor. 제 3항에 있어서, 상기 세정이 진행되는 동안 센서부에 의해 수광부로부터 광이 검출되는 단계 다음에 상기 세정용액 성분 검출기에 의해 상기 세정용액의 성분이 검출되는 단계를 더 포함되는 것을 특징으로 하는 세정용액 오염도 측정 방법.4. The cleaning method according to claim 3, further comprising the step of detecting the component of the cleaning solution by the cleaning solution component detector after the step of detecting light from the light receiving unit by the sensor unit while the cleaning is in progress. How to measure solution contamination.
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KR102504552B1 (en) * 2021-09-10 2023-03-02 (주)디바이스이엔지 Flushing condition setting apparatus and flushing condition setting method of semiconductor manufacturing parts

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