KR20090056391A - Etching free glass filler composition and plasma display panel using the same and its manufacture method - Google Patents

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KR20090056391A
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문병율
양지웅
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Abstract

An etching-resistant glass filter composition and a plasma display panel using the same are provided to realize multi-layered linear partitions to form micro-patterns suitable for full HD, XGA and PDP and to improve efficiency. An etching-resistant glass filter composition includes one or more components selected among 14-36wt% of B2O3, 20-34wt% of Zn3(PO4)2, 3-20wt% of Al2O3, 13-16wt% of SiO2, 0.5-6wt% of Li2O, 0.5-6wt% of Na2O and 1-16wt% of MgO. The etching-resistant glass filter composition can have 0-6wt% of P2O5 instead of Zn3(PO4)2. The etching-resistant glass filter composition can have 1-5wt% of CaO instead of MgO. The etching-resistant glass filter composition additionally contains one or more materials selected among 0-10wt% of ZnO, 0-10wt% of Nb2O5 and 0-10wt% of Bi2O3.

Description

내에칭성 글라스 필러 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법{Etching free glass filler composition and plasma display panel using the same and its manufacture method}Etching free glass filler composition and plasma display panel using the same and its manufacture method

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP)에 관한 것으로, 특히 내에칭성(Etching Free, 에칭이 되지 않는) 글라스 필러(Glass filler) 조성물을 이용하여 직진성 형상의 복층 구조를 갖는 격벽 형상을 구현하여 Full HD(High Definition, 고해상도, 1024*768 이상의 화소) 및 XGA(Extended Graphics Array, 1,024*768의 화소) 급 PDP의 미세패턴을 형성하고 효율을 향상시키기에 적당하도록 한 내에칭성 글라스 필러 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma display panel (PDP). In particular, the present invention relates to a partition wall shape having a multilayer structure having a straight structure by using an etching free glass filler composition. A etch-resistant glass filler suitable for forming fine patterns and improving efficiency of Full HD (High Definition, high resolution, 1024 * 768 or more pixels) and XGA (Extended Graphics Array, 1,024 * 768) PDPs. A composition, a plasma display panel using the same, and a method of manufacturing the same.

일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널은 기체방전(플라즈마) 현상을 이용한 평판 표시장치이다.In general, a plasma display panel is a flat panel display using gas discharge (plasma) phenomenon.

도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 보인 개념도이다.1 is a conceptual diagram illustrating a structure of a general plasma display panel.

그래서 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 전면 기판(10)과 후면을 이루는 후면 기판(20)이 일정거리를 두고 평행하게 결합된다. 전면 기판(10)은 하방에 하나의 화소에서 상호 방전에 의해 셀의 발광을 유지하기 위한 유지전극(11), 즉 투명한 ITO(Indium Tin Oxide, 산화인듐주석) 물질로 형성된 투명전극(11a)과 금속재질로 제작된 버스전극(11b)을 구비한 유지전극(11)이 쌍을 이루며 형성된다. 유지전극(11)은 방전전류를 제한하며 전극쌍 간을 절연시켜주는 유전층(12)에 의해 덮혀지고, 유전층(12)의 상면에는 방전조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호층(13)이 형성된다. 후면 기판(20)은 복수개의 방전공간, 즉 셀을 형성시키기 위한 스트라이프 타입(또는 웰 타입)의 격벽(21)이 평행을 유지하여 배열되고, 유지전극(11)과 교차되는 부위에서 어드레스 방전을 수행하여 진공자외선을 발생시키게 되는 다수의 어드레스 전극(22)이 격벽(21)에 대해 평행하게 배치된다.Thus, in the plasma display panel 100, the front substrate 10, which is the display surface on which an image is displayed, and the rear substrate 20 forming the rear surface are coupled in parallel with a predetermined distance. The front substrate 10 includes a sustain electrode 11 for maintaining light emission of a cell by mutual discharge in one pixel below, that is, a transparent electrode 11a formed of a transparent indium tin oxide (ITO) material; The sustain electrodes 11 having the bus electrodes 11b made of a metal material are formed in pairs. The sustain electrode 11 is covered by a dielectric layer 12 that limits the discharge current and insulates the electrode pairs, and protects the upper surface of the dielectric layer 12 by depositing magnesium oxide (MgO) to facilitate discharge conditions. Layer 13 is formed. The rear substrate 20 has a plurality of discharge spaces, that is, the stripe-type (or well-type) partition walls 21 for forming cells are arranged in parallel to each other, and address discharge is performed at a portion crossing the sustain electrode 11. A plurality of address electrodes 22, which are performed to generate vacuum ultraviolet rays, are disposed in parallel with the partition wall 21.

또한 후면 기판(20)의 상부측면은 어드레스 방전시 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 R, G, B(Red, Green, Blue)의 형광층(23)이 도포되고, 격벽 상부측면에는 전면 기판(10) 외부에서 발생하는 외부광을 흡수하여 반사를 줄여주는 광 차단의 기능과 전면 기판(10)의 색순도(Purity) 및 콘트라스트를 향상시키는 등의 기능을 하는 블랙 매트릭스(21a)가 배열되어 구성된다.In addition, the upper side of the rear substrate 20 is coated with a fluorescent layer 23 of R, G, B (Red, Green, Blue), which emits visible light for image display during address discharge, and the front substrate on the upper side of the partition wall. (10) A black matrix 21a is arranged in which a function of blocking light to absorb reflection of external light generated from the outside and reducing reflection and improving color purity and contrast of the front substrate 10 are arranged. do.

그리고 플라즈마 디스플레이 패널(100)이 동작하기 위해 전면 기판(10)과 후면 기판(20) 사이의 공간에는 방전가스(He+Xe, Ne+Xe, He+Xe+Ne 등의 불활성 가스)가 충진되고, 진공 상태를 유지한다.In order to operate the plasma display panel 100, a discharge gas (an inert gas such as He + Xe, Ne + Xe, He + Xe + Ne) is filled in the space between the front substrate 10 and the rear substrate 20. , Keep the vacuum.

한편 격벽 조성물에 대한 종래기술에는 다음과 같은 공개된 기술들이 있다.Meanwhile, the related arts for the partition composition include the following published technologies.

[1] 대한민국 특허공개번호 제 2006-0091913 호 : 이는 에칭이 잘되는 격벽의 모상에 과한 글라스 조성물에 대한 특허이다. 그러나 이는 순수 PDP 격벽용 모상에 대한 특허이다.[1] Korean Patent Publication No. 2006-0091913: This is a patent for a glass composition that is excessively etched on a matrix of a partition wall. However, this is a patent for a pure PDP bulkhead.

[2] 대한민국 특허공개번호 제 1992-0021457 호 : 그러나 이는 접착용 유리 조성물에 대한 특허이다.[2] Korean Patent Publication No. 1992-0021457: However, this is a patent for an adhesive glass composition.

[3] 대한민국 특허공개번호 제 2006-0129288 호 : 이는 치과용 재료에 대한 글라스 필러(Glass Filler) 대한 특허이다.[3] Korean Patent Publication No. 2006-0129288: This is a patent for glass filler for dental materials.

[1]의 특허의 경우는 에칭용 격벽 Glass 조성물이지 복층구조 격벽 형상의 직진성 향상 및 Full HD 또는 XGA 급 PDP에 사용되는 추가 내에칭성 글라스 필러용 에 관한 조성물이 아니다.In the case of the patent of [1], the barrier glass composition for etching is not a composition related to the improvement of the straightness of the multilayer structure partition shape and the addition of the etch-resistant glass filler used for Full HD or XGA grade PDP.

[2]의 특허는 접착용 유리 조성물에 대한 특허이고, 글라스 필러용이 아니다.[2] has a patent on a glass composition for adhesion and is not for glass filler.

또한 기존의 격벽 재료의 모상 글라스 혹은 Al2O3, ZnO, TiO2 같은 세라믹 필러만 사용시에는 Full HD 및 XGA 급 같은 복층(상하층) 구조의 미세 패턴 및 격벽 형상의 직진성을 구현하기 어렵다.In addition, when only the base glass of the barrier material or the ceramic filler such as Al2O3, ZnO, TiO2 is used, it is difficult to realize the straightness of the micro pattern and barrier rib shape of the multilayer structure (upper and lower layer) such as Full HD and XGA.

이에 본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용하여 직진성 형상의 복층 구조를 갖는 격벽 형상을 구현하여 Full HD 및 XGA 급 PDP의 미세패턴을 형성하고 효율을 향상시킬 수 있는 내에칭성 글라스 필러 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been proposed to solve the conventional problems as described above, and an object of the present invention is to implement a partition shape having a multilayer structure having a straight structure by using a etch-resistant glass filler composition to achieve Full HD and XGA grades. The present invention provides a etch-resistant glass filler composition capable of forming a fine pattern of a PDP and improving efficiency thereof, a plasma display panel using the same, and a method of manufacturing the same.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 내에칭성 글라스 필러 조성물의 성분함량 예를 보인 표이다.2 is a table showing an example of the content of the etch-resistant glass filler composition according to an embodiment of the present invention.

이에 도시된 바와 같이, 글라스 및 세라믹 필러를 함유한 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽용 조성물에 있어서, 상기 격벽용 조성물에 B2O3 (14 ~ 36wt%); Zn3(PO4)2 (20 ~ 34%); Al2O3 (3 ~ 20wt%); SiO2 (13 ~ 16wt5); Li2O (0.5 ~ 6wt%); Na2O (0.5 ~ 6wt%); MgO (1 ~ 16wt%); 중에서 하나 이상의 성분이 함유되도록 한 것을 특징으로 한다.As shown therein, a partition composition of a plasma display panel containing glass and ceramic filler, the partition composition includes B2O3 (14 to 36 wt%); Zn 3 (PO 4) 2 (20-34%); Al 2 O 3 (3-20 wt%); SiO 2 (13-16 wt 5); Li 2 O (0.5-6 wt%); Na 2 O (0.5-6 wt%); MgO (1-16 wt%); It is characterized in that one or more components are contained.

상기 내에칭성 글라스 필러 조성물은, 상기 Zn3(PO4)2 대신 P2O5 (0 ~ 6wt%)를 사용하는 것을 특징으로 한다.The etch-resistant glass filler composition is characterized by using P 2 O 5 (0 to 6 wt%) instead of Zn 3 (PO 4) 2.

상기 내에칭성 글라스 필러 조성물은, 상기 MgO 대신 CaO (1 ~ 5wt%)를 사용하는 것을 특징으로 한다.The etch-resistant glass filler composition is characterized by using CaO (1 ~ 5wt%) instead of the MgO.

상기 내에칭성 글라스 필러 조성물은, ZnO (0 ~ 10wt%)(ZnO에서 0wt%는 제외) 또는 Nb2O5 (0 ~ 10wt%) (Nb2O5에서 0wt%는 제외) 또는 Bi2O3 (0 ~ 10wt%) (Bi2O3에서 0wt%는 제외) 중에서 하나 이상의 성분을 함유하는 것을 특징으로 한다.The etch-resistant glass filler composition may comprise ZnO (0-10 wt%) (except 0wt% in ZnO) or Nb2O5 (0-10wt%) (except 0wt% in Nb2O5) or Bi2O3 (0-10wt%) (Bi2O3 0wt%) is characterized in that it contains at least one component.

상기 내에칭성 글라스 필러 조성물은, CeO2, Mn2O3, CoO, CuO 중에서 하나 이상을 0.01 ~ 0.5 wt% 로 추가하여 환원방지제로 사용하는 것을 특징으로 한다.The etch-resistant glass filler composition is characterized by using at least one of CeO 2, Mn 2 O 3, CoO, CuO by adding 0.01 to 0.5 wt% as an anti-reducing agent.

또한 내에칭성 글라스 필러 조성물은, 글라스 및 세라믹 필러를 함유한 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽용 조성물에 있어서, B2O3 (14 ~ 36wt%); Zn3(PO4)2 (20 ~ 34%) 또는 P2O5 (0 ~ 6wt%); Al2O3 (3 ~ 20wt%); SiO2 (13 ~ 16wt5); Li2O (0.5 ~ 6wt%); Na2O (0.5 ~ 6wt%); MgO (1 ~ 16wt%) 또는 CaO (1 ~ 5wt%); ZnO (0 ~ 10wt%) (ZnO에서 0wt%는 제외); Nb2O5 (0 ~ 10wt%) (Nb2O5에서 0wt%는 제외); Bi2O3 (0 ~ 10wt%) (Bi2O3에서 0wt%는 제외); 중에서 하나 이상의 성분을 함유하는 것을 특징으로 한다.In addition, the etch-resistant glass filler composition may be selected from the group consisting of B2O3 (14 to 36 wt%) in the composition for partition walls of plasma display panels containing glass and ceramic filler; Zn 3 (PO 4) 2 (20-34%) or P 2 O 5 (0-6 wt%); Al 2 O 3 (3-20 wt%); SiO 2 (13-16 wt 5); Li 2 O (0.5-6 wt%); Na 2 O (0.5-6 wt%); MgO (1-16 wt%) or CaO (1-5 wt%); ZnO (0-10 wt%) (except 0 wt% in ZnO); Nb 2 O 5 (0-10 wt%) (excluding 0 wt% in Nb 2 O 5); Bi2O3 (0-10 wt%) (except 0wt% in Bi2O3); It is characterized by containing one or more components.

상기 내에칭성 글라스 필러 조성물은, CeO2, Mn2O3, CoO, CuO 중에서 하나 이상을 0.01 ~ 0.5 wt% 로 추가하여 환원방지제로 사용하는 것을 특징으로 한다.The etch-resistant glass filler composition is characterized by using at least one of CeO 2, Mn 2 O 3, CoO, CuO by adding 0.01 to 0.5 wt% as an anti-reducing agent.

도 3은 도 2의 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 보인 개념도이다.FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating a structure of a plasma display panel using the etching resistant glass filler composition of FIG. 2.

이에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널(100)에 있어서, 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물을 0.1 ~ 50wt% 포함하여 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽(120)의 조성물로 포함되도록 하고, 상기 격벽(120)은 상부 격벽(121)과 하부 격벽(122)의 복층 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.As shown in the figure, the plasma display panel 100 includes 0.1 to 50 wt% of the etch-resistant glass filler composition to be included as a composition of the partition wall 120 of the plasma display panel, and the partition wall 120 Silver has a multi-layered structure of the upper partition 121 and the lower partition 122.

상기 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널은, 상기 격벽(120)의 에칭율(Etching rate)이 (0.08 ~ 1.24) ㎛/min 인 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물에 의해 격벽이 에칭되도록 하여 제조되는 것을 특징으로 한다.Plasma display panel using the etch-resistant glass filler composition, such that the partition wall is etched by the etch-resistant glass filler composition having an etching rate (0.08 ~ 1.24) ㎛ / min of the partition wall 120 It is characterized by being manufactured.

상기 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널은, 상기 상부 격벽(121)과 상기 하부 격벽(122)의 에칭율 차이는 1 ~ 2.5 인 것을 특징으로 한다.In the plasma display panel using the etch-resistant glass filler composition, a difference in etching rate between the upper partition 121 and the lower partition 122 is 1 to 2.5.

상기 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널은, 상기 격벽(120)의 열특성(Tg)에서 연화점이 440 ~ 490 ℃ 에서 형성되도록 한 것을 특징으로 한다.The plasma display panel using the etch-resistant glass filler composition is characterized in that the softening point is formed at 440 ~ 490 ℃ in the thermal characteristics (Tg) of the partition wall 120.

도 4는 도 3의 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽의 제조방법을 보인 흐름도이다.FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing partition walls of a plasma display panel using the etching resistant glass filler composition of FIG. 3.

이에 도시된 바와 같이, 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물에 의해 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 격벽(120)의 상부 격벽(121)과 하부 격벽(122)의 에칭율이 차이가 나도록 한 격벽 조성물을 형성하는 제 1 단계(ST1)와; 상기 제 1 단계 후 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물에 의해 형성된 상기 격벽 조성물을 에칭하여 상기 상부 격벽(121)과 상기 하부 격벽(122)에 의한 복층 구조의 격벽(120)을 형성시키는 제 2 단계(ST2);를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 한다.As shown in the drawing, a barrier rib composition having a etching rate between the upper barrier rib 121 and the lower barrier rib 122 of the barrier rib 120 of the plasma display panel 100 is formed by the etching resistant glass filler composition. A first step ST1 to perform; A second step of forming the partition wall 120 having a multilayer structure formed by the upper partition 121 and the lower partition 122 by etching the partition composition formed by the etch-resistant glass filler composition after the first step ( ST2); characterized in that performed.

상기 제 2 단계는, 복층 구조의 상기 격벽(120)의 에칭율(Etching rate)이 (0.08 ~ 1.24) ㎛/min 인 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물에 의해 상기 격 벽(120)이 에칭되도록 하는 것을 특징으로 한다.The second step is such that the barrier wall 120 is etched by the etch-resistant glass filler composition having an etching rate of the barrier wall 120 having a multilayer structure of (0.08 to 1.24) μm / min. It is characterized by.

상기 제 2 단계는, 상기 상부 격벽(121)과 상기 하부 격벽(122)의 에칭율 차이가 1 ~ 2.5 가 되도록 하여 에칭되도록 하는 것을 특징으로 한다.In the second step, the etching rate difference between the upper barrier rib 121 and the lower barrier rib 122 may be 1 to 2.5 so as to be etched.

상기 제 2 단계는, 상기 격벽(120)의 열특성(Tg)에서 연화점이 440 ~ 490 ℃ 에서 형성되도록 하여 에칭되도록 하는 것을 특징으로 한다.The second step is characterized in that the softening point is formed at 440 ~ 490 ℃ in the thermal characteristics (Tg) of the partition wall 120 to be etched.

본 발명에 의한 내에칭성 글라스 필러 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법은 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용하여 직진성 형상의 복층 구조를 갖는 격벽 형상을 구현하여 Full HD 및 XGA 급 PDP의 미세패턴을 형성하고 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있게 된다.The etch-resistant glass filler composition according to the present invention, a plasma display panel using the same, and a method of manufacturing the same are realized by using a etch-resistant glass filler composition to realize a partition shape having a multilayer structure having a linear shape. There is an effect that can form a pattern and improve the efficiency.

또한 본 발명은 B2O3 10 내지 45 중량%, P2O5 5 내지 15 중량%, ZnO 20 내지 55 중량%, SrCO3 10 내지 30 중량%를 포함하면서 환경 유해물질인 PbO를 함유하지 않고, 이러한 본 발명의 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용하여 습식 화학 에칭 공법으로 격벽 패턴을 형성하는 경우 에칭성이 좋아 미세한 격벽 패턴을 형성할 수 있으며, 에칭 용액의 사용량도 절감시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention contains 10 to 45% by weight of B 2 O 3 , 5 to 15% by weight of P 2 O 5 , 20 to 55% by weight of ZnO, 10 to 30% by weight of SrCO 3 and does not contain PbO which is an environmentally harmful substance In the case of forming the barrier rib pattern by the wet chemical etching method using the etching-resistant glass filler composition of the present invention, it is possible to form a fine barrier rib pattern with good etching property and to reduce the amount of etching solution used. .

또한 글라스 및 세라믹 필러를 함유한 격벽의 조성물에 MgO를 첨가되어 Townsend 2차 전자가 추가적으로 방출 또는 Gamma가 상승할 수 있는 장점이 있다.In addition, MgO is added to the composition of the partition wall containing the glass and ceramic filler, thereby further increasing Townsend secondary electron emission or Gamma.

또한 본 발명의 내에칭성 글라스 필러 재료를 사용하여 후면 기판(110)의 유 전체층(White Back)의 모상으로도 사용할 수 있다.In addition, it can also be used as a matrix of the dielectric layer (White Back) of the back substrate 110 by using the etch-resistant glass filler material of the present invention.

이와 같이 구성된 본 발명에 의한 내에칭성 글라스 필러 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 판례 등에 따라 달라질 수 있으며, 이에 따라 각 용어의 의미는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 해석되어야 할 것이다.Referring to the accompanying drawings, a preferred embodiment of the etch-resistant glass filler composition according to the present invention configured as described above, a plasma display panel using the same, and a method of manufacturing the same are as follows. In the following description of the present invention, detailed descriptions of well-known functions or configurations will be omitted if it is determined that the detailed description of the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention. In addition, terms to be described below are terms defined in consideration of functions in the present invention, which may vary according to intention or precedent of a user or an operator, and thus, the meaning of each term should be interpreted based on the contents throughout the present specification. will be.

먼저 본 발명은 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용하여 직진성 형상의 복층 구조를 갖는 격벽 형상을 구현하여 Full HD 및 XGA 급 PDP의 미세패턴을 형성하고 효율을 향상시키고자 한 것이다.First, the present invention intends to form a fine pattern of Full HD and XGA-grade PDP and improve efficiency by implementing a partition shape having a multilayer structure having a straightness shape using a etch-resistant glass filler composition.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 내에칭성 글라스 필러 조성물의 성분함량 예를 보인 표이다.2 is a table showing an example of the content of the etch-resistant glass filler composition according to an embodiment of the present invention.

그래서 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽용 내에칭성 글라스 필러 조성물을 형성할 때, B2O3 (14 ~ 36wt%); Zn3(PO4)2 (20 ~ 34%) 또는 P2O5 (0 ~ 6wt%); Al2O3 (3 ~ 20wt%); SiO2 (13 ~ 16wt5); Li2O (0.5 ~ 6wt%); Na2O (0.5 ~ 6wt%); MgO (1 ~ 16wt%) 또는 CaO (1 ~ 5wt%); ZnO (0 ~ 10wt%) (ZnO에서 0wt%는 제외); Nb2O5 (0 ~ 10wt%) (Nb2O5에서 0wt%는 제외); Bi2O3 (0 ~ 10wt%) (Bi2O3에서 0wt%는 제외); 중에서 하나 이상의 성분을 함유하도록 한다.Thus, when forming a etch-resistant glass filler composition for partition walls of plasma display panels, B2O3 (14 to 36wt%); Zn 3 (PO 4) 2 (20-34%) or P 2 O 5 (0-6 wt%); Al 2 O 3 (3-20 wt%); SiO 2 (13-16 wt 5); Li 2 O (0.5-6 wt%); Na 2 O (0.5-6 wt%); MgO (1-16 wt%) or CaO (1-5 wt%); ZnO (0-10 wt%) (except 0 wt% in ZnO); Nb 2 O 5 (0-10 wt%) (excluding 0 wt% in Nb 2 O 5); Bi2O3 (0-10 wt%) (except 0wt% in Bi2O3); To contain at least one component.

이에 따라 PbO를 함유하지 않고 고가인 Bi2O3 를 10wt% 미만으로 사용한 내에칭성 글라스 필러용 조성물을 구성할 수 있다.Thereby, the composition for etching resistant glass fillers which do not contain PbO and use expensive Bi2O3 at less than 10 wt% can be comprised.

또한 내에칭성 글라스 필러 조성물에 MgO 가 첨가되어 격벽 상층에서 2차 전자 효과를 유도할 수 있다.In addition, MgO may be added to the etch-resistant glass filler composition to induce a secondary electron effect in the barrier layer.

또한 환원방지제인 CeO2, Mn2O3, CoO, CuO 중에서 하나 이상을 0.01 ~ 0.5 wt% 로 추가하여 첨가제로 사용할 수 있다.In addition, one or more of the reduction inhibitors CeO 2, Mn 2 O 3, CoO, CuO may be used as an additive by adding 0.01 to 0.5 wt%.

도 3은 도 2의 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 보인 개념도이다.FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating a structure of a plasma display panel using the etching resistant glass filler composition of FIG. 2.

그래서 플라즈마 디스플레이 패널(100)을 형성할 때, 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물을 0.1 ~ 50wt% 포함하여 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽(120)의 조성물로 포함되도록 하고, 격벽(120)은 상부 격벽(121)과 하부 격벽(122)의 복층 구조를 갖도록 한다.Thus, when forming the plasma display panel 100, 0.1 to 50wt% of the etch-resistant glass filler composition is included to be included in the composition of the partition wall 120 of the plasma display panel, and the partition wall 120 is the upper partition wall 121 ) And the lower partition wall 122.

도 3에서 Y1 은 격벽(120)의 가로 상폭으로서 Full HD 급 35

Figure 112007086530036-PAT00001
7.5 및 XGA급 55
Figure 112007086530036-PAT00002
7.5 을 만족하는 PDP 후면판 구조이다. 또한 Y2는 격벽(120) 사이의 하부공간의 폭으로서 Full HD 급 90
Figure 112007086530036-PAT00003
15 및 XGA급 150
Figure 112007086530036-PAT00004
15 을 만족하는 PDP 후면판 구조이다. 또한 T 는 격벽(120)의 높이이다.In FIG. 3, Y1 is the horizontal width of the partition wall 120.
Figure 112007086530036-PAT00001
7.5 and XGA class 55
Figure 112007086530036-PAT00002
PDP backplane structure that satisfies 7.5. In addition, Y2 is the width of the lower space between the partition wall 120, Full HD class 90
Figure 112007086530036-PAT00003
15 and XGA class 150
Figure 112007086530036-PAT00004
PDP backplane structure that satisfies 15 T is the height of the partition wall 120.

또한 격벽(120)의 에칭율(Etching rate)이 (0.08 ~ 1.24) ㎛/min 이다. 여기 서 (0.08 ~ 1.24) ㎛/min 는 본 발명에 의해 제시된 내에칭성 필러의 에칭율이다. 그래서 본 발명에서는 이러한 (0.08 ~ 1.24) ㎛/min 의 에칭율을 갖는 내에칭성 필러의 조성물을 제안하고, 이러한 조성물에 의해 격벽(120)이 에칭되도록 한다.In addition, the etching rate (Etching rate) of the partition wall 120 is (0.08 ~ 1.24) ㎛ / min. Where (0.08-1.24) μm / min is the etch rate of the etch resistant fillers presented by the present invention. Thus, the present invention proposes a composition of a etch-resistant filler having such an etching rate of (0.08 to 1.24) µm / min, and allows the partition wall 120 to be etched by the composition.

또한 상부 격벽(121)과 상기 하부 격벽(122)의 에칭율 차이는 1 ~ 2.5 이다. 그래서 내에칭성 필러의 조성물을 이용하여 상부 격벽(121)을 구성할 경우, 내에칭성 필러를 함유한 상부 격벽(121)과 내에칭성 필러를 함유하지 않은 하부 격벽(121)의 에칭율 차이는 1 ~ 2.5 가 되는 것이다. 그래서 상부 격벽(121)와 하부 격벽(122)의 에칭율 차이는 다음과 같이 표현될 수 있다.In addition, the etching rate difference between the upper partition 121 and the lower partition 122 is 1 ~ 2.5. Therefore, when the upper partition 121 is formed using the composition of the etch-resistant filler, the etching rate difference between the upper partition 121 containing the etch-resistant filler and the lower partition 121 not containing the etch-resistant filler Is 1 to 2.5. Therefore, the etching rate difference between the upper partition 121 and the lower partition 122 may be expressed as follows.

상부 격벽(121)의 에칭율 : 하부 격벽(122)의 에칭율 = 1 : 1 ~ 2.5Etch rate of the upper partition wall 121: Etch rate of the lower partition wall = 1: 1 to 2.5

즉, 하부 격벽(122)의 에칭율이 상부 격벽(121)의 에칭율 보다 크다. 예를 들어, 상부 격벽(121)과 하부 격벽(122)의 에칭율 차이가 1 : 2라고 가정할 경우, 상부 격벽(122)의 에칭율이 50 ㎛/min 일 때 하부 격벽(122)의 에칭율은 100 ㎛/min 정도가 될 수 있다.That is, the etching rate of the lower partition wall 122 is greater than the etching rate of the upper partition wall 121. For example, assuming that an etching rate difference between the upper partition 121 and the lower partition 122 is 1: 2, when the etching rate of the upper partition 122 is 50 μm / min, the lower partition 122 is etched. The rate may be about 100 μm / min.

또한 격벽(120)의 열특성(Tg)에서 연화점이 440 ~ 490 ℃ 에서 형성되도록 한다.In addition, the softening point in the thermal characteristics (Tg) of the partition wall 120 is to be formed at 440 ~ 490 ℃.

또한 본 발명의 내에칭성 글라스 필러 재료를 사용하여 후면 기판(110)의 유전체층(White Back)의 모상으로도 사용할 수 있다.In addition, it can also be used as a matrix of the dielectric layer (White Back) of the back substrate 110 by using the etch-resistant glass filler material of the present invention.

도 4는 도 3의 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽의 제조방법을 보인 흐름도이다.FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing partition walls of a plasma display panel using the etching resistant glass filler composition of FIG. 3.

그래서 내에칭성 글라스 필러 조성물에 의해 플라즈마 디스플레이 패널(100) 의 격벽(120)의 상부 격벽(121)과 하부 격벽(122)의 에칭율이 차이가 나도록 한 격벽 조성물을 형성한다(ST1).Thus, the barrier rib composition having a etching resistance between the upper barrier rib 121 and the lower barrier rib 122 of the barrier rib 120 of the plasma display panel 100 is formed by the etching resistant glass filler composition (ST1).

그리고 내에칭성 글라스 필러 조성물에 의해 형성된 상기 격벽 조성물을 에칭하여 상부 격벽(121)과 하부 격벽(122)에 의한 복층 구조의 격벽(120)을 형성시킨다(ST2).The barrier rib composition formed of the etch-resistant glass filler composition is etched to form a barrier rib 120 having a multilayer structure formed by the upper barrier rib 121 and the lower barrier rib 122 (ST2).

이때 격벽(120)의 에칭율(Etching rate)이 (0.08 ~ 1.24) ㎛/min 이 되도록 하여 격벽(120)을 에칭한다.At this time, the partition wall 120 is etched such that an etching rate of the partition wall 120 is (0.08 to 1.24) µm / min.

또한 상부 격벽(121)과 상기 하부 격벽(122)의 에칭율 차이가 1 ~ 2.5 가 되도록 하여 에칭한다.In addition, etching is performed such that the difference in etching rate between the upper partition 121 and the lower partition 122 is 1 to 2.5.

또한 격벽(120)의 열특성(Tg)에서 연화점이 440 ~ 490 ℃ 에서 형성되도록 하여 에칭한다.In addition, the softening point in the thermal characteristics (Tg) of the partition wall 120 is formed to be etched at 440 ~ 490 ℃.

도 5는 본 발명에 의한 내에칭성 글라스 필러 조성물의 사용 전과 사용 후의 XGA 급 격벽 형상을 비교한 도면이다.5 is a view comparing the shape of the XGA class partition walls before and after use of the etch-resistant glass filler composition according to the present invention.

그래서 (a)의 내에칭성 글라스 필러 사용 전의 VGA 급 격벽 형상과 (b)의 내에칭성 글라스 필러 사용 후의 VGA 급 격벽 형상을 비교하면, (b)에서의 격벽(120) 사이의 간격이 (a)에서의 격벽(120) 사이의 간격에 비해 좁은 것을 알 수 있다. 따라서 본 발명에 의해 격벽의 미세패턴의 형성이 훨씬 용이해짐을 할 수 있다.Therefore, when comparing the VGA grade bulkhead shape before using the etch-resistant glass filler of (a) and the VGA grade bulkhead shape after using the etch-resistant glass filler of (b), the space | interval between the partition walls 120 in (b) is ( It can be seen that it is narrower than the interval between the partition walls 120 in a). Therefore, according to the present invention, the formation of the fine pattern of the partition wall can be made much easier.

도 6은 본 발명에 의한 내에칭성 글라스 필러 조성물의 사용 전과 사용 후의 Full HD 급 격벽 형상을 비교한 도면이다.6 is a view comparing Full HD grade bulkhead shapes before and after use of the etch-resistant glass filler composition according to the present invention.

그래서 (a)의 내에칭성 글라스 필러 사용 전의 Full HD 급 격벽 형상과 (b) 의 내에칭성 글라스 필러 사용 후의 Full HD 급 격벽 형상을 비교하면, (b)에서의 격벽(120) 사이의 간격이 (a)에서의 격벽(120) 사이의 간격에 비해 좁은 것을 알 수 있다. 따라서 본 발명에 의해 격벽의 미세패턴의 형성이 훨씬 용이해짐을 할 수 있다.Thus, when the shape of the Full HD grade bulkhead before use of the etch-resistant glass filler of (a) and the shape of the Full HD grade bulkhead after the use of the etch-resistant glass filler of (b) are compared, the gap between the partition wall 120 in (b) It turns out that it is narrow compared with the space | interval between the partition walls 120 in this (a). Therefore, according to the present invention, the formation of the fine pattern of the partition wall can be made much easier.

즉, 도 5 및 도 6에서, (a)와 같이 내에칭성 글라스 필러를 사용하기 전에는 상부 격벽이 아래로 갈수록 얇아져서 직진성이 나쁘고, (b)와 같이 내에칭성 글라스 필러를 사용한 후에는 상부 격벽의 아래 윗 부분의 폭이 비슷하기 때문에 직진선이 좋은 것을 알 수 있다.That is, in FIG. 5 and FIG. 6, before using the etch-resistant glass filler as shown in (a), the upper partition wall becomes thinner toward the bottom so that the straightness is worse, and after using the etch-resistant glass filler as shown in (b), the upper portion The straightness is good because the widths of the bottom and top of the bulkhead are similar.

이처럼 본 발명은 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용하여 직진성 형상의 복층 구조를 갖는 격벽 형상을 구현하여 Full HD 및 XGA 급 PDP의 미세패턴을 형성하고 효율을 향상시키게 되는 것이다.As described above, the present invention implements a partition shape having a multilayer structure having a straight-line structure using a etch-resistant glass filler composition to form a fine pattern of Full HD and XGA-grade PDP and improve efficiency.

이상에서 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술적 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술적 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the present invention has been described in more detail with reference to the examples, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 보인 개념도이다.1 is a conceptual diagram illustrating a structure of a general plasma display panel.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 내에칭성 글라스 필러 조성물의 성분함량 예를 보인 표이다.2 is a table showing an example of the content of the etch-resistant glass filler composition according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽의 구조를 보인 개념도이다.3 is a conceptual diagram illustrating a structure of a partition wall of a plasma display panel using the etch-resistant glass filler composition of FIG. 2.

도 4는 도 3의 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽의 제조방법을 보인 흐름도이다.FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing partition walls of a plasma display panel using the etching resistant glass filler composition of FIG. 3.

도 5는 본 발명에 의한 내에칭성 글라스 필러 조성물의 사용 전과 사용 후의 XGA 급 격벽 형상을 비교한 도면이다.5 is a view comparing the shape of the XGA class partition walls before and after use of the etch-resistant glass filler composition according to the present invention.

도 6은 본 발명에 의한 내에칭성 글라스 필러 조성물의 사용 전과 사용 후의 Full HD 급 격벽 형상을 비교한 도면이다.6 is a view comparing Full HD grade bulkhead shapes before and after use of the etch-resistant glass filler composition according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 플라즈마 디스플레이 패널100: plasma display panel

110 : 후면 기판110: back substrate

120 : 격벽120: bulkhead

121 : 상부 격벽121: upper bulkhead

122 : 하부 격벽122: lower bulkhead

Claims (15)

글라스 및 세라믹 필러를 함유한 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽용 조성물에 있어서,In the composition for partition walls of plasma display panels containing glass and ceramic filler, 상기 격벽용 조성물에 B2O3 (14 ~ 36wt%); Zn3(PO4)2 (20 ~ 34%); Al2O3 (3 ~ 20wt%); SiO2 (13 ~ 16wt5); Li2O (0.5 ~ 6wt%); Na2O (0.5 ~ 6wt%); MgO (1 ~ 16wt%); 중에서 하나 이상의 성분이 함유되도록 한 것을 특징으로 하는 내에칭성 글라스 필러 조성물.B2O3 (14 to 36wt%) to the partition composition; Zn 3 (PO 4) 2 (20-34%); Al 2 O 3 (3-20 wt%); SiO 2 (13-16 wt 5); Li 2 O (0.5-6 wt%); Na 2 O (0.5-6 wt%); MgO (1-16 wt%); A etch-resistant glass filler composition characterized in that at least one component is contained. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물은,The etch-resistant glass filler composition, 상기 Zn3(PO4)2 대신 P2O5 (0 ~ 6wt%)를 사용하는 것을 특징으로 하는 내에칭성 글라스 필러 조성물.P 2 O 5 (0 ~ 6wt%) in place of the Zn 3 (PO 4) 2 It characterized in that the glass filler composition. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물은,The etch-resistant glass filler composition, 상기 MgO 대신 CaO (1 ~ 5wt%)를 사용하는 것을 특징으로 하는 내에칭성 글라스 필러 조성물.The etch-resistant glass filler composition, characterized in that using CaO (1 ~ 5wt%) instead of MgO. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물은,The etch-resistant glass filler composition, ZnO (0 ~ 10wt%)(ZnO에서 0wt%는 제외) 또는 Nb2O5 (0 ~ 10wt%) (Nb2O5에서 0wt%는 제외) 또는 Bi2O3 (0 ~ 10wt%) (Bi2O3에서 0wt%는 제외) 중에서 하나 이상의 성분을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 내에칭성 글라스 필러 조성물.At least one of ZnO (0-10 wt%) (except 0wt% in ZnO) or Nb2O5 (0-10wt%) (except 0wt% in Nb2O5) or Bi2O3 (0-10wt%) (except 0wt% in Bi2O3) A etch resistant glass filler composition further comprising a component. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물은,The etch-resistant glass filler composition, CeO2, Mn2O3, CoO, CuO 중에서 하나 이상을 0.01 ~ 0.5 wt% 로 추가하여 환원방지제로 사용하는 것을 특징으로 하는 내에칭성 글라스 필러 조성물.A etch-resistant glass filler composition comprising at least one of CeO 2, Mn 2 O 3, CoO, CuO by 0.01 to 0.5 wt% to be used as a reducing agent. 글라스 및 세라믹 필러를 함유한 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽용 조성물에 있어서,In the composition for partition walls of plasma display panels containing glass and ceramic filler, B2O3 (14 ~ 36wt%); Zn3(PO4)2 (20 ~ 34%) 또는 P2O5 (0 ~ 6wt%); Al2O3 (3 ~ 20wt%); SiO2 (13 ~ 16wt5); Li2O (0.5 ~ 6wt%); Na2O (0.5 ~ 6wt%); MgO (1 ~ 16wt%) 또는 CaO (1 ~ 5wt%); ZnO (0 ~ 10wt%) (ZnO에서 0wt%는 제외); Nb2O5 (0 ~ 10wt%) (Nb2O5에서 0wt%는 제외); Bi2O3 (0 ~ 10wt%) (Bi2O3에서 0wt%는 제외); 중에서 하나 이상의 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 내에칭성 글라스 필러 조성물.B 2 O 3 (14-36 wt%); Zn 3 (PO 4) 2 (20-34%) or P 2 O 5 (0-6 wt%); Al 2 O 3 (3-20 wt%); SiO 2 (13-16 wt 5); Li 2 O (0.5-6 wt%); Na 2 O (0.5-6 wt%); MgO (1-16 wt%) or CaO (1-5 wt%); ZnO (0-10 wt%) (except 0 wt% in ZnO); Nb 2 O 5 (0-10 wt%) (excluding 0 wt% in Nb 2 O 5); Bi2O3 (0-10 wt%) (except 0wt% in Bi2O3); A etch-resistant glass filler composition containing at least one component. 청구항 6에 있어서,The method according to claim 6, 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물은,The etch-resistant glass filler composition, CeO2, Mn2O3, CoO, CuO 중에서 하나 이상을 0.01 ~ 0.5 wt% 로 추가하여 환원방지제로 사용하는 것을 특징으로 하는 내에칭성 글라스 필러 조성물.A etch-resistant glass filler composition comprising at least one of CeO 2, Mn 2 O 3, CoO, CuO by 0.01 to 0.5 wt% to be used as a reducing agent. 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,In the plasma display panel, 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 의한 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물을 0.1 ~ 50wt% 포함하여 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽의 조성물로 포함되도록 하고, 상기 격벽은 상부 격벽과 하부 격벽의 복층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널.It includes 0.1 to 50wt% of the etch-resistant glass filler composition according to any one of claims 1 to 7 to be included in the composition of the partition wall of the plasma display panel, wherein the partition wall is a multilayer structure of the upper partition and the lower partition Plasma display panel using a etch-resistant glass filler composition having a. 청구항 8에 있어서,The method according to claim 8, 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널은,Plasma display panel using the etch-resistant glass filler composition, 상기 격벽의 에칭율이 (0.08 ~ 1.24) ㎛/min 인 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물에 의해 격벽이 에칭되도록 하여 제조되는 것을 특징으로 하는 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널.Plasma display panel using the etch-resistant glass filler composition, characterized in that the barrier ribs are etched by the etch-resistant glass filler composition having an etching rate of (0.08 ~ 1.24) ㎛ / min. 청구항 8에 있어서,The method according to claim 8, 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널은,Plasma display panel using the etch-resistant glass filler composition, 상기 상부 격벽과 상기 하부 격벽의 에칭율 차이는 1 ~ 2.5 인 것을 특징으로 하는 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널.The etching rate difference between the upper partition and the lower partition wall is a plasma display panel using a etch-resistant glass filler composition, characterized in that 1 to 2.5. 청구항 8에 있어서,The method according to claim 8, 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널은,Plasma display panel using the etch-resistant glass filler composition, 상기 격벽의 열특성에서 연화점이 440 ~ 490 ℃ 에서 형성되도록 한 것을 특징으로 하는 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널.Plasma display panel using a etch-resistant glass filler composition, characterized in that the softening point is formed at 440 ~ 490 ℃ in the thermal characteristics of the partition wall. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 의한 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물에 의해 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽의 상부 격벽과 하부 격벽의 에 칭율이 차이가 나도록 한 격벽 조성물을 형성하는 제 1 단계와;A first step of forming a partition composition in which the etching rate of the upper partition and the lower partition of the partition of the plasma display panel is different by the etching resistant glass filler composition according to any one of claims 1 to 7; 상기 제 1 단계 후 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물에 의해 형성된 상기 격벽 조성물을 에칭하여 상기 상부 격벽과 상기 하부 격벽에 의한 복층 구조의 격벽을 형성시키는 제 2 단계;A second step of etching the partition composition formed by the etch-resistant glass filler composition after the first step to form a partition having a multilayer structure formed by the upper partition and the lower partition; 를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.Method of manufacturing a plasma display panel using a etch-resistant glass filler composition comprising a. 청구항 12에 있어서,The method according to claim 12, 상기 제 2 단계는,The second step, 복층 구조의 상기 격벽의 에칭율이 (0.08 ~ 1.24) ㎛/min 인 상기 내에칭성 글라스 필러 조성물에 의해 상기 격벽이 에칭되도록 하는 것을 특징으로 하는 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.Fabrication of a plasma display panel using a etch-resistant glass filler composition, characterized in that the partition wall is etched by the etch-resistant glass filler composition having an etching rate of (0.08 ~ 1.24) ㎛ / min of a multilayer structure Way. 청구항 12에 있어서,The method according to claim 12, 상기 제 2 단계는,The second step, 상기 상부 격벽과 상기 하부 격벽의 에칭율 차이가 1 ~ 2.5 가 되도록 하여 에칭되도록 하는 것을 특징으로 하는 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.A method of manufacturing a plasma display panel using a etch-resistant glass filler composition, characterized in that the etching rate difference between the upper partition and the lower partition wall to be 1 ~ 2.5 to be etched. 청구항 12에 있어서,The method according to claim 12, 상기 제 2 단계는,The second step, 상기 격벽의 열특성에서 연화점이 440 ~ 490 ℃ 에서 형성되도록 하여 에칭되도록 하는 것을 특징으로 하는 내에칭성 글라스 필러 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.Method for manufacturing a plasma display panel using a etch-resistant glass filler composition characterized in that the softening point is formed at 440 ~ 490 ℃ in the thermal properties of the partition wall to be etched.
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WO2023063654A1 (en) * 2021-10-12 2023-04-20 아이원스 주식회사 Plasma-resistant glass, inner chamber-component for semiconductor manufacturing process, and manufacturing methods therefor

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