KR20090051916A - Apparatus for treating the surface of a substrate with plasma in atmospheric pressure and method for manufacturing a lower electrode assembly thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치에 관한 것으로서, 구성요소의 분해 및 조립이 용이한 조립식으로 구성하여 전극의 교체와 같은 유지보수가 용이하고, 착탈이 용이한 스페이서의 두께 조절을 통해 상부전극과 하부전극 사이의 간격 조절이 용이하며, 상기 상부전극 및 하부전극을 직·간접적으로 냉각시킬 수 있는 쿨링시스템을 통해 상기 상부전극 및 하부전극에서 발생되는 열을 효율적으로 냉각시킴으로써 열화에 따른 손상을 방지할 수 있고, 상기 상부전극 및 하부전극에서 발생될 수 있는 아킹(arching) 현상을 최소화할 수 있는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치 및 이 장치에 사용되는 하부전극조립체의 제조방법을 제공한다.The present invention relates to a surface treatment apparatus using an atmospheric pressure plasma, comprising a prefabricated structure that is easy to disassemble and assemble the components to facilitate maintenance, such as replacement of the electrode, the upper electrode by adjusting the thickness of the removable spacer The gap between the lower electrode and the lower electrode can be easily adjusted, and a cooling system capable of directly or indirectly cooling the upper electrode and the lower electrode efficiently cools heat generated from the upper electrode and the lower electrode to prevent damage due to deterioration. It provides a surface treatment apparatus using an atmospheric plasma that can prevent, and minimize the arcing (arching) that may occur in the upper electrode and the lower electrode and a method of manufacturing the lower electrode assembly used in the apparatus.

대기압, 플라즈마, 표면처리, 아킹(arching), 냉각 Atmospheric pressure, plasma, surface treatment, arching, cooling

Description

대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치 및 이 장치의 하부전극조립체 제조방법{Apparatus for treating the surface of a substrate with plasma in atmospheric pressure and Method for manufacturing a lower electrode assembly thereof}Apparatus for treating the surface of a substrate with plasma in atmospheric pressure and Method for manufacturing a lower electrode assembly

본 발명은 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 구성요소의 분해 및 조립이 용이한 조립식으로 구성하여 전극의 교체와 같은 유지보수가 용이하고, 착탈이 용이한 스페이서의 두께 조절을 통해 상부전극과 하부전극 사이의 간격 조절이 용이하며, 상기 상부전극 및 하부전극을 직·간접적으로 냉각시킬 수 있는 쿨링시스템을 통해 상기 상부전극 및 하부전극에서 발생되는 열을 효율적으로 냉각시킴으로써 열화에 따른 손상을 방지할 수 있고, 상기 상부전극 및 하부전극에서 발생될 수 있는 아킹(arching) 현상을 최소화할 수 있는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치 및 이 장치에 사용되는 하부전극조립체의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a surface treatment apparatus using an atmospheric plasma, and more particularly, to a prefabricated structure that allows easy disassembly and assembly of components to facilitate maintenance, such as replacement of electrodes, and thickness control of a spacer that is easily removable. It is easy to control the gap between the upper electrode and the lower electrode through the deterioration by efficiently cooling the heat generated from the upper electrode and the lower electrode through a cooling system that can directly and indirectly cool the upper electrode and the lower electrode. To prevent surface damage, and to minimize the arcing (arching) that may occur in the upper electrode and the lower electrode surface treatment apparatus using an atmospheric plasma and a method of manufacturing the lower electrode assembly used in the apparatus It is about.

일반적으로 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), 반도 체 소자 등의 제조를 위한 공정 중, 각 기판의 표면을 처리하는 방법, 예를 들면 식각(etching) 공정, 기판의 표면으로부터 유기 물질과 같은 오염물의 제거나 레지스트(resist)의 제거를 위한 애싱(ashing) 공정, 유기 필름의 접착, 표면 변형, 필름 형성의 향상, 금속 산화물의 환원, 또는 액정용 유리 기판의 세정 공정 등을 위해서는 크게 화학 약품을 이용한 방법과 플라즈마(plasma)를 이용한 방법이 있다. 이 중, 화학 약품을 이용한 방법은 화학 약품이 환경에 악영향을 미친다는 단점이 있다.In general, during the process for manufacturing a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), a semiconductor device, etc., a method of treating the surface of each substrate, for example, an etching process, organic matter from the surface of the substrate For ashing processes to remove contaminants such as materials or resists, to bond organic films, to modify surfaces, to improve film formation, to reduce metal oxides, or to clean glass substrates for liquid crystals. There are two methods using chemicals and a method using plasma. Among these, the method using a chemical has a disadvantage that the chemical adversely affects the environment.

한편, 플라즈마를 이용한 표면 처리의 일 예로는 저온·저압 상태의 플라즈마를 이용하는 방법이 있다. 상기 저온·저압 상태의 플라즈마를 이용하는 방법은 저온·저압의 진공챔버 내에서 플라즈마를 발생시키고, 이 플라즈마를 기판의 표면과 접촉시켜 기판 표면을 처리하는 것이다. 이러한 저온·저압 상태의 플라즈마를 이용하는 표면처리방법은 우수한 세정 효과에도 불구하고, 널리 이용되지 않고 있는 실정이다. 이는 저압을 유지하기 위한 진공장치가 필요하게 되므로 대기압 상태에서 수행되는 연속공정에 적용하기 곤란하기 때문이다. 이에 따라 최근에는 대기압 상태에서 플라즈마를 발생시켜 표면처리에 이용하고자 하는 연구가 매우 활발히 이루어지고 있다.On the other hand, one example of the surface treatment using the plasma is a method using a plasma of a low temperature, low pressure state. In the method of using the plasma in the low temperature and low pressure state, plasma is generated in a vacuum chamber of low temperature and low pressure, and the plasma is contacted with the surface of the substrate to treat the substrate surface. The surface treatment method using the plasma of such low temperature and low pressure state is not widely used despite the excellent cleaning effect. This is because it is difficult to apply to a continuous process performed at atmospheric pressure because a vacuum device for maintaining a low pressure is required. Accordingly, recent studies have been actively conducted to generate plasma at atmospheric pressure and use it for surface treatment.

대기압 하에서 플라즈마를 생성시키는 방법으로는 펄스 코로나 방전(pulsed corona discharge)과 유전막 방전이 일반적으로 사용되고 있다. 상기 펄스 코로나 방전은 고전압 펄스 전원을 이용하여 플라즈마를 생성시키는 방법이고, 상기 유전막 방전은 두 개의 전극 중 적어도 하나는 유전체를 사용하고, 이러한 전극에 수십 Hz 내지 수 MHz의 주파수를 갖는 전원을 인가하여 플라즈마를 생성시키는 방법이다.As a method of generating plasma under atmospheric pressure, pulsed corona discharge and dielectric film discharge are generally used. The pulse corona discharge is a method of generating a plasma by using a high voltage pulse power source, the dielectric film discharge is at least one of the two electrodes using a dielectric material, by applying a power source having a frequency of several tens Hz to several MHz It is a method for generating a plasma.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여, 대기압 플라즈마를 이용한 종래의 표면처리장치에 대해 살펴본다. 도 1은 대기압 플라즈마를 이용한 종래의 표면처리장치의 개략적 구성도이고, 도 2는 상기 표면처리장치의 하부전극조립체를 제조하는 방법의 단계도이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, looks at a conventional surface treatment apparatus using an atmospheric plasma. 1 is a schematic configuration diagram of a conventional surface treatment apparatus using an atmospheric pressure plasma, and FIG. 2 is a step diagram of a method of manufacturing a lower electrode assembly of the surface treatment apparatus.

도 1에 도시된 바와 같이, 대기압 플라즈마를 이용한 종래의 표면처리장치는 서로 마주보도록 소정 간격으로 이격되어 배치되는 상부전극조립체(10)와 하부전극조립체(20), 상기 상부 및 하부전극조립체(10, 20) 사이에 지그재그 형태로 개재되어 양자를 소정 간격으로 이격된 상태로 유지시키는 스페이서(spacer: 30), 상기 하부전극조립체(20)를 지지하는 홀더(40), 및 상기 하부전극조립체(20)와 상기 홀더(40)를 전기적으로 연결시키는 컨택터(contactor: 50)를 구비한다.As shown in FIG. 1, the conventional surface treatment apparatus using atmospheric pressure plasma has an upper electrode assembly 10 and a lower electrode assembly 20 spaced at predetermined intervals to face each other, and the upper and lower electrode assemblies 10. Interposed in a zigzag form between the spacers 20 to maintain the spacers spaced apart from each other at predetermined intervals, a holder 40 supporting the lower electrode assembly 20, and the lower electrode assembly 20. ) And a contactor 50 for electrically connecting the holder 40.

상기 상부전극조립체(10)는 그 단면이 대략 U자 형상을 갖는 유전체(12), 상기 유전체(12) 상에 Ag를 코팅하여 형성한 상부전극(14), 상기 상부전극(14)을 전원(60)에 연결시키는 고전압 와이어(16), 상기 유전체(12) 내부에 충진되어 상기 상부전극(14) 및 이와 연결된 고전압 와이어(16)의 연결상태를 안정적으로 유지시키고, 상기 상부전극(14)을 외부로부터 차단시키는 에폭시(epoxy)로 구성된다.The upper electrode assembly 10 includes a dielectric 12 having a U-shaped cross section, an upper electrode 14 formed by coating Ag on the dielectric 12, and an upper electrode 14. A high voltage wire 16 connected to the high voltage wire 16 and filled in the dielectric 12 to stably maintain a connection state between the upper electrode 14 and the high voltage wire 16 connected thereto, and the upper electrode 14 It is composed of epoxy which blocks from the outside.

상기 하부전극조립체(20)는 도 2에 도시된 바와 같이, 유전체 플레이트(21)를 평면연마(a)한 후, 그 상면에 Ag를 코팅하여 하부전극(23)을 형성(b)한 다음, 그 상면에 유전체를 용사하고(c), 초음파 가공을 통해 복수개의 홀(29)을 형성(d) 한 다음, 노출된 하부전극(23)의 커버를 용이하게 하기 위해 상기 홀(29) 주변에 샌드 블라스팅(sand blasting)을 이용한 테이버(taper) 가공을 수행(e)한 후, 다시 유전체 용사를 통해 상기 노출된 하부전극(23) 커버(f)하여 완성한다. As shown in FIG. 2, the lower electrode assembly 20 is subjected to planar polishing (a) of the dielectric plate 21 and then coated with Ag on the upper surface thereof to form a lower electrode 23 (b). Spraying a dielectric on the upper surface (c), forming a plurality of holes 29 through ultrasonic processing (d), and then surrounding the holes 29 to facilitate the cover of the exposed lower electrode 23. After performing a taper processing using sand blasting (e), the exposed lower electrode 23 is covered through the thermal spraying (f) and completed.

이러한 구성을 갖는 대기압 플라즈마를 이용한 종래의 표면처리장치는 지그재그 형태로 개재되는 스페이서(30) 사이의 공간을 통해 상기 상부 및 하부전극조립체(10, 20) 사이에 형성된 공간인 반응부로 공정가스를 유입시키고, 상기 상부전극조립체(10)에 수십 Hz 내지 수 MHz의 주파수를 갖는 전원을 공급시켜 방전을 일으킴으로써 상기 공정가스를 플라즈마로 변환하고, 이와 같이 변환된 플라즈마를 상기 하부전극조립체(20)에 형성된 복수의 홀(29)을 통해 상기 하부전극조립체(20)의 하부에 배치되는 기판(미도시)으로 배출시켜 상기 기판의 표면을 처리한다. In the conventional surface treatment apparatus using the atmospheric plasma having such a configuration, the process gas is introduced into the reaction unit, which is a space formed between the upper and lower electrode assemblies 10 and 20 through the space between the spacers 30 interposed in a zigzag form. The process gas is converted into plasma by supplying a power having a frequency of several tens Hz to several MHz to the upper electrode assembly 10 to generate a discharge, and converting the plasma thus converted into the lower electrode assembly 20. The surface of the substrate is treated by discharging it to a substrate (not shown) disposed under the lower electrode assembly 20 through the formed holes 29.

그런데, 전술한 종래의 표면처리장치는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the conventional surface treatment apparatus described above has the following problems.

첫째, 전술한 바와 같은 상부전극조립체(10)의 경우, 상기 에폭시는 상기 유전체(12) 내부 공간에 충진되어 상온경화되기 때문에, 그 내부에 기포가 많이 발생되어 아킹(arching) 현상의 원인이 될 수 있고, 플라즈마 형성을 위해 상기 상부전극조립체(10)에 인가되는 고전압에 의해 발생하는 고열을 방출하지 못하여 원활한 냉각이 이루어지지 못함으로써 유전체에 크랙(crack) 등의 손상이 일어나는 문제점이 있다.First, in the case of the upper electrode assembly 10 as described above, since the epoxy is filled in the internal space of the dielectric 12 and cured at room temperature, a lot of bubbles are generated therein, which may cause arcing. In addition, the high heat generated by the high voltage applied to the upper electrode assembly 10 for plasma formation may not emit smooth heat, and thus there may be a problem such as cracking in the dielectric.

둘째, 상기 상부 및 하부전극조립체(10, 20) 사이에 개재되어 양자를 소정 간격으로 이격된 상태로 유지시키는 스페이서(30)는 에폭시에 의해 상기 상부 및 하부전극조립체(10, 20)와 접착결합되는 구조를 갖기 때문에, 상기 상부 및 하부전 극조립체(10, 20) 중 어느 하나, 특히 상기 하부전극조립체(20)를 교체하고자 하는 경우, 부분 교체가 불가능하여 상기 상부 및 하부전극조립체(10, 20) 전체를 교체하여야 하는 문제점이 있다. 또한, 상기 상부 및 하부전극조립체(10, 20) 사이에서 형성되는 플라즈마는 상기 상부 및 하부전극조립체(10, 20) 사이의 간격이 매우 중요한데, 상기 간격을 조절하면서 플라즈마 형성의 최적 조건을 찾기 위한 테스트를 수행하고자 하는 경우, 그 간격이 서로 다른 상부 및 하부전극조립체(10, 20) 전체 세트를 개별적으로 제작하여야 하므로 비용 및 시간적 손실이 크다는 문제점이 있다.Secondly, the spacer 30 interposed between the upper and lower electrode assemblies 10 and 20 to maintain both spaced at a predetermined interval is adhesively bonded to the upper and lower electrode assemblies 10 and 20 by epoxy. Since the structure of the upper and lower electrode assemblies 10 and 20, in particular, to replace the lower electrode assembly 20, partial replacement is not possible so that the upper and lower electrode assemblies 10, 20) There is a problem that needs to be replaced. In addition, in the plasma formed between the upper and lower electrode assemblies 10 and 20, the spacing between the upper and lower electrode assemblies 10 and 20 is very important. When the test is to be performed, the entire set of upper and lower electrode assemblies 10 and 20 having different intervals must be manufactured separately, which causes a problem of large cost and time loss.

셋째, 상기 하부전극조립체(20)와 그 하부에 배치되는 기판 사이의 간격은 일반적으로 1~3mm 정도로 좁기 때문에 후술할 상기 하부전극조립체(20)의 하부전극(23)에의 접지선 연결이 어려워 전술한 바와 같이, 상기 종래의 표면처리장치(100)는 컨택터(50)를 통해 상기 하부전극조립체(20)와 상기 홀더(40)를 전기적으로 연결시키고, 상기 홀더(40)에 접지선을 설치한 구조를 갖는다. 그런데, 상기 하부전극조립체(20) 및 홀더(40)의 경우, 오방전을 방지하기 위해 각각 절연처리가 되어 있어, 이들 각각의 절연처리된 일부를 제거하여 메탈(metal) 부분을 노출시킨 후, 상기 컨택터(50)를 연결시키야 하고, 그 노출된 부위는 다시 에폭시를 이용하여 절연처리하여야 하므로, 그 구조가 복잡하여 조립하기가 어려운 문제점이 있다. 또한, 지속적 사용에 따라 상기 에폭시로 절연처리된 부분이 떨어져 나가 재차 메탈(metal) 부분의 노출이 발생됨으로써 고전압 인가시 그 부위에서 아킹(arching) 현상이 발생하는 문제점이 있다.Third, since the distance between the lower electrode assembly 20 and the substrate disposed thereunder is generally narrow by about 1 to 3 mm, it is difficult to connect the ground line to the lower electrode 23 of the lower electrode assembly 20 which will be described later. As described above, the conventional surface treatment apparatus 100 has a structure in which the lower electrode assembly 20 and the holder 40 are electrically connected to each other through a contactor 50, and a ground line is installed on the holder 40. Has However, the lower electrode assembly 20 and the holder 40 are each insulated to prevent erroneous discharge, and after removing each of the insulated portions, exposing a metal part, The contactor 50 must be connected, and the exposed part must be insulated again using epoxy, and thus, the structure thereof is complicated and difficult to assemble. In addition, there is a problem that the arcing phenomenon occurs at the site when the high voltage is applied because the exposed portion of the epoxy is separated and the exposed portion of the metal again occurs due to continuous use.

넷째, 전술한 바와 같은 구조를 갖는 하부전극조립체(20)의 제조시, 수백개에 달하는 홀(29)들 각각에 도 2의 (e)단계를 통해 설명한 바와 같은 균일한 테이퍼를 형성하기가 매우 어려울 뿐만 아니라 번거롭고, (f)단계를 통해 설명한 용사된 유전체의 가공 벽면이 고르지 못하여 플라즈마 처리 과정에서 그 벽면에 붙은 유전체가 떨어져 나가 하부전극(23)이 노출됨으로써 아킹(arching) 현상이 발생하는 문제점이 있다. 또한, 전술한 바와 같이 떨어져 나간 유전체 및 아킹(arching) 현상에 의해 생성되는 하부전극(23)의 미세 파편이 기판으로 떨어져 기판을 오염시키는 문제점이 있다. Fourth, in manufacturing the lower electrode assembly 20 having the structure as described above, it is very difficult to form a uniform taper as described through step (e) of FIG. 2 in each of the hundreds of holes 29. It is not only difficult but also cumbersome, and the processing surface of the thermally sprayed dielectric described in step (f) is uneven, and the arcing phenomenon occurs because the dielectric adhered to the wall falls off during the plasma processing and the lower electrode 23 is exposed. There is this. In addition, as described above, fine fragments of the lower electrode 23 generated by the separated dielectric and the arching phenomenon may fall into the substrate to contaminate the substrate.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 단점을 극복하기 위해 안출된 것으로서, 구성요소의 분해 및 조립이 용이한 조립식으로 구성하여 전극의 교체와 같은 유지보수가 용이하고, 착탈이 용이한 스페이서의 두께 조절을 통해 상부전극과 하부전극 사이의 간격 조절이 용이하며, 상기 상부전극 및 하부전극을 직·간접적으로 냉각시킬 수 있는 쿨링시스템을 통해 상기 상부전극 및 하부전극에서 발생되는 열을 효율적으로 냉각시킴으로써 열화에 따른 손상을 방지할 수 있고, 상기 상부전극 및 하부전극에서 발생될 수 있는 아킹(arching) 현상을 최소화할 수 있는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치의 제공을 기술적 과제로 삼고 있다.The present invention has been made in order to overcome the disadvantages of the prior art as described above, it is easy to disassemble and assemble the assembly of the prefabricated structure to facilitate maintenance, such as replacement of the electrode, the thickness control of the removable spacer It is easy to control the gap between the upper electrode and the lower electrode through the deterioration by efficiently cooling the heat generated from the upper electrode and the lower electrode through a cooling system that can directly and indirectly cool the upper electrode and the lower electrode. The technical problem is to provide a surface treatment apparatus using an atmospheric plasma that can prevent damage caused by, and minimize the arcing (arching) that may occur in the upper electrode and the lower electrode.

또한, 상기 하부전극에서 발생될 수 있는 아킹(arching) 현상을 최소화할 수 있는 구조를 갖는 하부전극조립체를 보다 효율적으로, 그리고 용이하게 제조할 수 있는 하부전극조립체의 제조방법의 제공을 또 다른 기술적 과제로 삼고 있다.In addition, the present invention also provides a method of manufacturing a lower electrode assembly which can more efficiently and easily manufacture a lower electrode assembly having a structure capable of minimizing arching that may occur in the lower electrode. It is a challenge.

상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치는 가스 공급부로부터 공급되는 가스를 수용하는 가스 챔버와; 상기 가스 챔버의 하단에 배치되어 상기 가스 챔버에 착탈가능하게 체결되고, 복수개의 가스전달홀이 마련된 중간 플레이트와; 상기 중간 플레이트에 착탈가능하게 체결되는 서포터와; 상기 서포터에 착탈가능하게 체결되는 상부전극조립체와; 상기 상부전극조립체의 하부에 소정 간격 이격되도록 배치되어 상기 상부전극조립 체와의 방전을 통해 상기 가스를 플라즈마로 변환시키고, 변환된 플라즈마를 하부로 배출하는 복수개의 플라즈마 배출홀이 마련된 하부전극조립체와; 상기 하부전극조립체를 지지하도록 내측벽으로부터 돌출형성된 안착턱이 마련된 홀더; 및 상기 중간 플레이트와 상기 홀더를 착탈가능하게 연결하고, 상기 연결시 하단에 마련된 단차부가 상기 안착턱에 지지되는 상기 하부전극조립체의 상면을 압박하여 상기 하부전극조립체를 상기 홀더에 지지고정시키는 브라켓을 포함한다.Surface treatment apparatus using an atmospheric pressure plasma according to the present invention for achieving the above technical problem is a gas chamber for receiving the gas supplied from the gas supply; An intermediate plate disposed at a lower end of the gas chamber to be detachably fastened to the gas chamber, and provided with a plurality of gas delivery holes; A supporter detachably fastened to the intermediate plate; An upper electrode assembly detachably fastened to the supporter; A lower electrode assembly disposed below the upper electrode assembly and spaced apart from each other by a predetermined interval to convert the gas into a plasma through discharge from the upper electrode assembly, and a plurality of plasma discharge holes for discharging the converted plasma downward; ; A holder provided with a seating protrusion protruding from an inner wall to support the lower electrode assembly; And a bracket for detachably connecting the intermediate plate and the holder, and pressing the upper surface of the lower electrode assembly supported on the seating jaw when the connection is detached to support the lower electrode assembly to the holder. Include.

본 발명의 일 실시예에서 바람직하게 상기 중간 플레이트와 상기 브라켓 사이에 착탈가능하게 개재되어 상기 상부 및 하부전극조립체 사이의 간격을 조절하는 스페이서가 구비된다.In one embodiment of the present invention is preferably provided with a spacer that is detachably interposed between the intermediate plate and the bracket to adjust the distance between the upper and lower electrode assemblies.

본 발명의 일 실시예에서 바람직하게 상기 하부전극조립체의 측면과 상기 홀더의 내측벽 사이에는 갭(gap)이 존재하도록 상기 하부전극조립체의 폭방향 길이는 상기 홀더의 대향하는 내측벽간의 길이보다 작도록 구성된다. In an embodiment of the present invention, a widthwise length of the lower electrode assembly is smaller than a length between opposite inner walls of the holder such that a gap exists between a side surface of the lower electrode assembly and an inner wall of the holder. It is configured to.

본 발명의 일 실시예에서 바람직하게 상기 홀더와 상기 브라켓의 연결시, 상기 홀더의 상면과 상기 브라켓의 하면 사이에는 갭(gap)이 존재한다. In an embodiment of the present invention, a gap is present between the upper surface of the holder and the lower surface of the bracket when the holder and the bracket are connected.

본 발명의 일 실시예에서 바람직하게 상기 중간 플레이트에는 냉매 주입포트 및 냉매 배출포트가 더 마련되고, 상기 냉매 주입포트를 통해 공급되는 냉매를 상기 상부전극조립체로 전달하는 냉매 주입라인 및 상기 상부전극조립체 내부에서 순환된 냉매를 상기 냉매 배출포트로 전달하는 냉매 배출라인이 상기 중간플레이트와 상기 상부전극조립체 사이에 더 마련된다.In one embodiment of the present invention preferably the intermediate plate is further provided with a refrigerant injection port and the refrigerant discharge port, the refrigerant injection line and the upper electrode assembly for delivering the refrigerant supplied through the refrigerant injection port to the upper electrode assembly A refrigerant discharge line for transferring the refrigerant circulated therein to the refrigerant discharge port is further provided between the intermediate plate and the upper electrode assembly.

본 발명의 일 실시예에서 바람직하게 상기 상부전극조립체는 상부가 개방된 박스형 형상을 갖는 유전체와; 상기 유전체 바닥부 상면에 형성된 상부전극과; 상기 상부전극의 상면에 접착되어 상기 서포터에 체결되고, 상기 냉매 주입라인 및 냉매 배출라인과 연결되어 공급되는 냉매가 이동하는 냉매유로가 형성된 냉각블럭과; 상기 상부전극과 상기 상부전극에 고전압을 인가하는 전원공급부를 연결시키는 고전압 와이어; 및 상기 유전체의 내부 공간에 충진되어 상기 상부전극 및 상기 냉각블럭을 외부와 차단시키는 에폭시를 포함하여 구성된다.In an embodiment of the present invention, the upper electrode assembly may include a dielectric having a box shape with an open top; An upper electrode formed on an upper surface of the dielectric bottom portion; A cooling block bonded to the upper surface of the upper electrode and fastened to the supporter, and having a refrigerant flow path connected to the refrigerant injection line and the refrigerant discharge line to move the supplied refrigerant; A high voltage wire connecting a power supply unit applying a high voltage to the upper electrode and the upper electrode; And an epoxy filling the inner space of the dielectric to block the upper electrode and the cooling block from the outside.

본 발명의 일 실시예에서 바람직하게 상기 에폭시는 상기 유전체와 비슷한 열팽창계수를 갖는 고전압 에폭시인 것을 특징으로 한다.In one embodiment of the present invention preferably the epoxy is characterized in that the high voltage epoxy having a coefficient of thermal expansion similar to the dielectric.

본 발명의 일 실시예에서 바람직하게 상기 에폭시는 진공상태하에서 120℃를 유지하여 경화시킴으로써 내부에 형성될 수 있는 기포를 최소화한 것을 특징으로 한다.In one embodiment of the present invention preferably the epoxy is characterized in that it minimizes the bubbles that can be formed therein by maintaining by curing at 120 ℃ under vacuum.

본 발명의 일 실시예에서 바람직하게 상기 유전체의 내측벽에는 상기 상부전극과 연결된 리드 단자가 더 마련되고, 상기 고전압 와이어는 상기 리드 단자와 연결됨으로써 상기 상부전극과 전기적으로 연결되도록 구성된다.In an embodiment of the present invention, preferably, a lead terminal connected to the upper electrode is further provided on an inner wall of the dielectric, and the high voltage wire is configured to be electrically connected to the upper electrode by being connected to the lead terminal.

본 발명의 일 실시예에서 바람직하게 상기 하부전극조립체는 상기 복수개의 플라즈마 배출홀이 마련된 평판형상으로서 중심층에 배치되는 하부전극과, 상기 하부전극을 둘러싸도록 형성되어 상기 하부전극이 외부로 노출되지 않도록 하는 유전체로 구성된다.In an exemplary embodiment of the present invention, the lower electrode assembly may be a flat plate having the plurality of plasma discharge holes formed therein and formed to surround the lower electrode so that the lower electrode is not exposed to the outside. It is composed of a dielectric that prevents.

본 발명의 일 실시예에서 바람직하게 상기 하부전극조립체는 유전체를 평판형상으로 평면연마하고, 상기 유전체의 상면에 Ag를 코팅하여 하부전극을 형성하 고, 레이저가공을 통해 상기 하부전극에 복수개의 단차홀을 형성하고, 상기 유전체 및 하부전극을 덮도록 유전체를 용사하고, 상기 단차홀의 중심축을 기준으로 상기 단차홀보다 작은 직경을 갖는 홀을 뚫어 상기 복수개의 플라즈마 배출홀을 형성하여 제조된다.In one embodiment of the present invention, preferably, the lower electrode assembly is a planar polishing of a dielectric in a flat plate shape, coating Ag on the upper surface of the dielectric to form a lower electrode, and a plurality of steps on the lower electrode through laser processing. A hole is formed, the dielectric is sprayed to cover the dielectric and the lower electrode, and a plurality of plasma discharge holes are formed by drilling a hole having a diameter smaller than the step hole based on the central axis of the step hole.

본 발명의 일 실시예에서 바람직하게 상기 홀더에는 냉매 주입포트 및 냉매 배출포트가 더 마련되고, 상기 홀더의 내부에는 상기 홀더의 냉매 주입 및 배출포트와 연결되어 공급되는 냉매가 순환하는 냉매유로가 형성되어 상기 하부전극조립체를 간접적으로 냉각시킨다.In one embodiment of the present invention preferably the holder is further provided with a refrigerant injection port and a refrigerant discharge port, the refrigerant passage in which the refrigerant is connected is connected to the refrigerant injection and discharge port of the holder is formed therein To indirectly cool the lower electrode assembly.

본 발명의 다른 실시예에 따른 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치는 가스 공급부로부터 공급되는 가스를 수용하는 가스 챔버와; 상기 가스 챔버의 하단에 배치되어 상기 가스 챔버에 착탈가능하게 체결되고, 복수개의 가스전달홀이 마련된 중간 플레이트와; 상기 중간 플레이트에 착탈가능하게 체결되는 서포터와; 상기 서포터에 착탈가능하게 체결되는 상부전극조립체와; 상기 상부전극조립체의 하부에 소정 간격 이격되도록 배치되어 상기 상부전극조립체와의 방전을 통해 상기 가스를 플라즈마로 변환시키고, 변환된 플라즈마를 하부로 배출하는 복수개의 플라즈마 배출홀이 마련된 하부전극조립체와; 상기 중간 플레이트와 상기 하부전극조립체를 착탈가능하게 연결하는 브라켓; 및 상기 중간 플레이트와 상기 하부전극조립체 사이에 착탈가능하게 개재되어 상기 상부 및 하부전극조립체 사이의 간격을 조절하는 스페이서를 포함한다. Surface treatment apparatus using an atmospheric pressure plasma according to another embodiment of the present invention includes a gas chamber for receiving the gas supplied from the gas supply; An intermediate plate disposed at a lower end of the gas chamber to be detachably fastened to the gas chamber, and provided with a plurality of gas delivery holes; A supporter detachably fastened to the intermediate plate; An upper electrode assembly detachably fastened to the supporter; A lower electrode assembly disposed below the upper electrode assembly and spaced apart from each other by a predetermined interval to convert the gas into a plasma through discharge from the upper electrode assembly, and a plurality of plasma discharge holes configured to discharge the converted plasma downward; A bracket for detachably connecting the intermediate plate and the lower electrode assembly; And a spacer detachably interposed between the intermediate plate and the lower electrode assembly to adjust a distance between the upper and lower electrode assemblies.

본 발명의 일 실시예에서 바람직하게 상기 하부전극조립체는 상기 복수개의 플라즈마 배출홀이 형성된 평판부 및 상기 평판부의 가장자리부를 따라 상방향으로 돌출형성되어 상기 브라켓과 연결되는 사각틀 형상의 연결부가 일체형으로 형성된 알루미늄(Al) 전극으로서, 아노다이징(anodizing)을 통해 외면 전체에 걸쳐 산화피막이 형성된 것을 특징으로 한다. In one embodiment of the present invention preferably the lower electrode assembly is formed in a flat plate portion formed with the plurality of plasma discharge holes and protruding upward along the edge portion of the plate portion formed in a rectangular frame-shaped connecting portion connected to the bracket integrally formed. An aluminum (Al) electrode, characterized in that the oxide film is formed over the entire outer surface through anodizing (anodizing).

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하부전극조립체 제조방법은 유전체를 평판형상으로 평면연마하는 단계와; 상기 유전체의 상면에 Ag를 코팅하여 하부전극을 형성하는 단계와; 레이저가공을 통해 상기 하부전극에 복수개의 단차홀을 형성하는 단계와; 상기 유전체 및 하부전극을 덮도록 유전체를 용사하는 단계; 및 상기 단차홀의 중심축을 기준으로 상기 단차홀보다 작은 직경을 갖는 홀을 뚫어 복수개의 플라즈마 배출홀을 형성하는 단계를 포함한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a lower electrode assembly; Coating Ag on an upper surface of the dielectric to form a lower electrode; Forming a plurality of stepped holes in the lower electrode through laser processing; Thermally spraying a dielectric to cover the dielectric and the lower electrode; And forming a plurality of plasma discharge holes by drilling a hole having a diameter smaller than that of the step hole based on the center axis of the step hole.

전술한 바와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치는 구성요소의 분해 및 조립이 용이한 조립식으로 구성하여 전극의 교체와 같은 유지보수가 용이한 이점이 있다.Surface treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma according to the present invention having the configuration as described above has the advantage of easy maintenance, such as replacement of the electrode by the prefabricated configuration easy to disassemble and assemble the components.

또한, 착탈이 용이한 스페이서의 두께 조절을 통해 상부전극과 하부전극 사이의 간격 조절이 용이하기 때문에 상기 간격을 조절하면서 플라즈마 형성의 최적 조건을 찾기 위한 테스트를 용이하게 수행할 수 있는 이점이 있다.In addition, since the interval between the upper electrode and the lower electrode can be easily adjusted by adjusting the thickness of the spacer, which is easily removable, there is an advantage in that a test for finding an optimal condition of plasma formation can be easily performed while adjusting the interval.

또한, 상기 상부전극 및 하부전극을 직·간접적으로 냉각시킬 수 있는 쿨링시스템을 통해 상기 상부전극 및 하부전극에서 발생되는 열을 효율적으로 냉각시킴 으로써 열화에 따른 손상을 방지할 수 있고, 상기 상부전극 및 하부전극에서 발생될 수 있는 아킹(arching) 현상을 최소화할 수 있는 이점이 있다.In addition, by efficiently cooling the heat generated from the upper electrode and the lower electrode through a cooling system that can directly and indirectly cool the upper electrode and the lower electrode, it is possible to prevent damage due to deterioration, the upper electrode And an arcing phenomenon that may occur in the lower electrode.

또한, 본 발명에 따른 하부전극조립체 제조방법에 의하면, 상기 하부전극에서 발생될 수 있는 아킹(arching) 현상을 최소화할 수 있는 구조를 갖는 하부전극조립체를 보다 효율적으로, 그리고 용이하게 제조할 수 있는 이점이 있다.In addition, according to the method for manufacturing a lower electrode assembly according to the present invention, it is possible to more efficiently and easily manufacture a lower electrode assembly having a structure that can minimize the arcing (arching) that may occur in the lower electrode There is an advantage.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치 및 이 장치에 사용되는 하부전극조립체의 제조방법의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다. 도 3은 본 발명에 따른 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치의 분해 사시도이고, 도 4는 본 발명에 따른 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치의 사시도이며, 도 8은 도 4의 Ⅰ- Ⅰ' 절개 사시도이고, 도 9는 도 8의 부분 정면도이다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the surface treatment apparatus using an atmospheric pressure plasma and a method of manufacturing a lower electrode assembly used in the apparatus according to the present invention. 3 is an exploded perspective view of a surface treatment apparatus using an atmospheric plasma according to the present invention, Figure 4 is a perspective view of a surface treatment apparatus using an atmospheric pressure plasma according to the present invention, Figure 8 is a cut-away perspective view of the II 'of FIG. 9 is a partial front view of FIG. 8.

먼저, 도 3, 도 4, 도 8 및 도 9를 참조하여 본 발명에 따른 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치에 대해 살펴보면, 상기 표면처리장치(100)는 가스 공급부(미도시)로부터 공급되는 가스를 수용하는 가스 챔버(110)를 구비한다. 상기 가스 챔버(110)는 하부가 개방된 박스형 형상을 가지며, 가스 주입구(112)를 통해 공급되는 가스를 수용하여 확산시킨 후, 후술할 중간 플레이트(120)에 형성된 복수개의 가스전달홀(122)을 통해 상기 가스를 하방향으로 전달한다. 상기 가스 챔버(110)에는 후술할 중간 플레이트(120), 스페이서(150) 및 브라켓(160)과의 연결 을 위한 복수개의 체결공(116)이 형성되어 있다. 상기 가스 챔버(110)에는 또한, 후술할 고전압 와이어(240)을 외부로 유출시키되, 상기 가스 챔버(110) 내부의 기밀을 유지하도록 하는 와이어 유출부(113)이 마련된다.First, referring to FIGS. 3, 4, 8, and 9, a surface treatment apparatus using an atmospheric plasma according to the present invention will be described. The surface treatment apparatus 100 may be configured to supply a gas supplied from a gas supply unit (not shown). It has a gas chamber 110 to accommodate. The gas chamber 110 has a box shape having an open bottom, and receives and diffuses gas supplied through the gas injection hole 112, and then, a plurality of gas delivery holes 122 formed in the intermediate plate 120 to be described later. The gas is delivered downward through. The gas chamber 110 has a plurality of fastening holes 116 for connecting to the intermediate plate 120, the spacer 150, and the bracket 160 which will be described later. The gas chamber 110 is also provided with a wire outlet 113 to allow the high voltage wire 240 to be described later to be discharged to the outside, while maintaining the airtight inside the gas chamber 110.

상기 가스 챔버(110)의 하단에는 상기 가스 챔버(110)에 착탈가능하게 체결되는 중간 플레이트(120)가 배치된다. 상기 중간 플레이트(120)에는 전술한 복수개의 가스전달홀(122)이 마련되며, 상기 가스 챔버(110)와의 연결을 위한 복수개의 체결공(126) 및 후술할 서포터(140)와의 연결을 위한 또 다른 복수개의 체결공(127)이 마련된다. 상기 중간 플레이트(120)에는 또한, 후술할 상부전극조립체(200)에 냉매를 공급하기 위한 냉매 주입포트(124)와 상기 상부전극조립체(200) 내부에서 순환된 후, 배출되는 냉매를 배출하기 위한 냉매 배출포트(125)가 마련된다.An intermediate plate 120 detachably fastened to the gas chamber 110 is disposed at a lower end of the gas chamber 110. The intermediate plate 120 is provided with a plurality of gas delivery holes 122 described above, and a plurality of fastening holes 126 for connection with the gas chamber 110 and for connection with the supporter 140 to be described later. Another plurality of fastening holes 127 are provided. The intermediate plate 120 also has a refrigerant injection port 124 for supplying a refrigerant to the upper electrode assembly 200 which will be described later, and circulated inside the upper electrode assembly 200, and then for discharging the refrigerant discharged. A refrigerant discharge port 125 is provided.

상기 중간 플레이트(120)의 하단에는 상기 중간 플레이트(120)에 착탈가능하게 체결되는 서포터(140)가 배치된다. 상기 서포터(140)는 후술할 상부전극조립체(200)를 지지고정하기 위한 것으로서, 상기 중간 플레이트(120)에 형성된 복수개의 체결공(127)과 연통되는 복수개의 체결공(147)을 구비하여 상기 복수개의 체결공들(127, 147)에 삽입되는 볼트 등과 같은 체결구(미도시)를 통해 상기 상부전극조립체(200)를 상기 중간 플레이트(120)에 착탈가능하게 연결시킨다.A supporter 140 detachably fastened to the intermediate plate 120 is disposed at a lower end of the intermediate plate 120. The supporter 140 is for supporting and fixing the upper electrode assembly 200 to be described later, and includes a plurality of fastening holes 147 communicating with a plurality of fastening holes 127 formed in the intermediate plate 120. The upper electrode assembly 200 is detachably connected to the intermediate plate 120 through a fastener (not shown) such as a bolt inserted into the plurality of fastening holes 127 and 147.

상기 서포터(140)의 하단에는 전술한 상부전극조립체(200)가 착탈가능하게 체결된다. 상기 상부전극조립체(200)는 전원공급부(미도시)와 전기적으로 연결된 상부전극(220, 도 5 참조)을 포함한다. 상기 상부전극조립체(200)는 후술할 하부전 극조립체(300)와 소정 간격으로 이격된 상태로 배치되며, 상기 전원공급부로부터 수십 Hz 내지 수십 MHz의 고전압을 인가받아 방전을 통해 상기 상부전극조립체(200)와 하부전극조립체(300) 사이의 공간으로 유입되는 가스를 플라즈마로 변환한다. The upper electrode assembly 200 is detachably fastened to the lower end of the supporter 140. The upper electrode assembly 200 includes an upper electrode 220 (refer to FIG. 5) electrically connected to a power supply (not shown). The upper electrode assembly 200 is spaced apart from the lower electrode assembly 300, which will be described later, at a predetermined interval, and is applied with a high voltage of several tens Hz to several tens MHz from the power supply unit to discharge the upper electrode assembly ( The gas flowing into the space between the 200 and the lower electrode assembly 300 is converted into plasma.

이하, 도 5 내지 도 7을 참조하여 상기 상부전극조립체(200) 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 도 5는 도 3에 도시된 상부전극조립체의 제조 단계도이고, 도 6은 도 5의 A부 확대도이며, 도 7은 도 5에 도시된 고전압 와이어의 연결부 상세도이다.Hereinafter, the upper electrode assembly 200 and a manufacturing method thereof will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 7. 5 is a manufacturing step view of the upper electrode assembly shown in FIG. 3, FIG. 6 is an enlarged view of a portion A of FIG. 5, and FIG. 7 is a detailed view of the connection portion of the high voltage wire shown in FIG. 5.

상기 상부전극조립체(200)는 상부가 개방된 박스형 형상을 갖는 유전체(210)와, 상기 유전체(210)의 바닥부 상면에 형성된 상부전극(220)과, 상기 상부전극(220)의 상면에 접착되어 상기 서포터(140)에 체결되고, 상기 냉매 주입 및 배출라인(134, 135)과 연결되어 공급되는 냉매가 이동하는 냉매유로(237)가 형성된 냉각블럭(230)과, 상기 상부전극(220)과 상기 상부전극(220)에 고전압을 인가하는 전원공급부를 연결시키는 고전압 와이어(240), 및 상기 유전체(210)의 내부 공간에 충진되어 상기 상부전극(220) 및 상기 냉각블럭(230)을 외부와 차단시키는 에폭시(250)를 포함하여 구성된다.The upper electrode assembly 200 is adhered to a dielectric 210 having a box shape with an open top, an upper electrode 220 formed on an upper surface of the bottom of the dielectric 210, and an upper surface of the upper electrode 220. And a cooling block 230 which is fastened to the supporter 140 and connected to the refrigerant injection and discharge lines 134 and 135 to form a refrigerant passage 237 for moving the supplied refrigerant, and the upper electrode 220. And a high voltage wire 240 connecting a power supply unit for applying a high voltage to the upper electrode 220, and filled in an inner space of the dielectric 210 to externally cover the upper electrode 220 and the cooling block 230. It comprises an epoxy 250 to block with.

상기 유전체(210)는 MgO, Al2O3, TiO2, SiO2, Pb(Zr, Ti)O3, Si3N4, 및 PZT 등과 같은 산화물 계열의 세라믹이 사용될 수 있다. The dielectric 210 may be an oxide-based ceramic such as MgO, Al 2 O 3 , TiO 2 , SiO 2 , Pb (Zr, Ti) O 3 , Si 3 N 4 , and PZT.

상기 냉각블럭(230)은, 도 6에 도시된 바와 같이, 상부블럭(231) 및 하부블럭(236)으로 구성된다. 상기 상부블럭(231)에는 전술한 서포터(140)와의 연결을 위해 상기 서포터(140)가 삽입되는 홈(232)과, 상기 서포터(140)에 형성된 복수개의 체결공(147)과 연통되는 암나사부(233)가 마련된다. 상기 하부블럭(236)의 상면에는 상기 상부블럭(231)과의 합착에 의해 형성되는 냉매 유로(237)가 마련된다. 상기 상부블럭(231)과 하부블럭(236)의 합착은 Ag-Cu 브레이징(Brazing) 공법에 의해 이루어질 수 있다. As illustrated in FIG. 6, the cooling block 230 includes an upper block 231 and a lower block 236. The upper block 231 has a groove 232 into which the supporter 140 is inserted to connect to the supporter 140, and a female screw part communicating with a plurality of fastening holes 147 formed in the supporter 140. 233 is provided. The upper surface of the lower block 236 is provided with a coolant flow path 237 formed by bonding with the upper block 231. The combination of the upper block 231 and the lower block 236 may be made by an Ag-Cu brazing method.

상기 상부전극조립체(200)는 다음과 같은 방법에 의해 제조된다. 먼저, 도 5에 도시된 바와 같은 형상을 갖는 유전체(210)를 가공형성한다. 그 다음, 상기 유전체(210)의 바닥부 상면에 Ag를 코팅하여 상부전극(220)을 형성한다. 그 다음, 내부에 냉매 유로(237)가 형성되고, 상기 냉매 유로(237)와 연통되도록 전술한 냉매 주입 및 배출라인(134, 135)이 연결되는 냉각블럭(230)을 상기 상부전극(220)의 상면에 접착한다. 그 다음, 전원공급부와 연결된 고전압 와이어(240)를 상기 상부전극(220)과 전기적으로 연결시킨다. 전술한 연결의 편의성을 위해 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 유전체(210)의 측벽 내측면에 상기 상부전극(220)과 연결된 리드 단자(222)를 마련하고, 상기 고전압 와이어(240)를 상기 리드 단자(222)에 연결함으로써 상기 고전압 와이어(240)와 상부전극(220)의 전기적 연결이 용이하게 이루어질 수 있도록 한다. 그 다음, 상기 유전체(210)의 양단에 격벽(212)을 조립한 후, 서포터(140), 냉매 주입 및 배출라인(134, 135)을 상기 냉각블럭(230)에 체결한다. 그 다음, 상기 유전체(210)의 내부 공간에 에폭시(250)를 소정 높이까지 충진시켜 소결함으로써 상기 상부전극(220) 및 냉각블럭(230)을 외부와 차단시키는 한편, 상기 상부전극(220), 냉각블럭(230) 및 서포터(140)가 상기 유전체(210) 상에 고정되도록 한다. The upper electrode assembly 200 is manufactured by the following method. First, a dielectric 210 having a shape as shown in FIG. 5 is formed. Next, Ag is coated on the bottom surface of the dielectric 210 to form the upper electrode 220. Next, a coolant flow path 237 is formed therein, and the upper electrode 220 includes a cooling block 230 to which the aforementioned coolant injection and discharge lines 134 and 135 are connected to communicate with the coolant flow path 237. To the top of the Next, the high voltage wire 240 connected to the power supply unit is electrically connected to the upper electrode 220. As shown in FIG. 7, the lead terminal 222 connected to the upper electrode 220 is provided on the inner sidewall of the dielectric 210 and the high voltage wire 240 is connected. By connecting to the lead terminal 222 to facilitate the electrical connection between the high voltage wire 240 and the upper electrode 220. Next, after the partitions 212 are assembled at both ends of the dielectric 210, the supporter 140 and the refrigerant injection and discharge lines 134 and 135 are fastened to the cooling block 230. Next, the upper electrode 220 and the cooling block 230 are blocked from the outside by filling the internal space of the dielectric 210 with a sintered epoxy 250 to a predetermined height, and the upper electrode 220, The cooling block 230 and the supporter 140 are fixed on the dielectric 210.

여기서, 상기 에폭시(250)는 상기 유전체(210)와 비슷한 열팽창계수를 갖는 고전압 에폭시를 사용함으로써 플라즈마 형성과정에서 발생하는 열화에 의해 상기 에폭시(250) 및 유전체(210)가 서로 다르게 팽창함으로써 상기 에폭시(250) 또는 유전체(210)에 크랙(crack) 등의 손상이 발생하는 것을 방지하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 에폭시(250)의 소결은 진공상태하에서 120℃를 유지하여 경화시킴으로써 내부에 형성될 수 있는 기포를 최소화하는 것이 바람직하다.Here, the epoxy 250 is a high voltage epoxy having a coefficient of thermal expansion similar to that of the dielectric 210, the epoxy 250 and the dielectric 210 is differently expanded by the deterioration generated during the plasma formation process the epoxy by It is desirable to prevent damage such as cracks in the 250 or the dielectric 210. In addition, the sintering of the epoxy 250 is preferable to minimize bubbles that can be formed therein by maintaining by curing at 120 ℃ under vacuum.

전술한 바와 같은 과정을 통해 제조된 상기 상부전극조립체(200)의 경우, 상기 에폭시(250) 내부에 존재하여 아킹(arching) 현상의 원인이 될 수 있는 기포를 최소화함으로써 아킹(arching) 현상의 발생을 최대한 방지할 수 있고, 상기 상부전극(220)과 밀착되고, 그 내부에 냉매가 순환하는 냉각블럭(230)을 통해 상기 상부전극(220)을 직접적으로 냉각함으로써 플라즈마 형성과정에서 발생하는 열화에 의한 손상을 방지할 수 있다.In the case of the upper electrode assembly 200 manufactured through the above-described process, the arcing phenomenon is generated by minimizing bubbles that may exist in the epoxy 250 and cause an arcing phenomenon. Can be prevented as much as possible, and in direct contact with the upper electrode 220 and directly cooling the upper electrode 220 through a cooling block 230 through which a coolant circulates. Damage caused by this can be prevented.

상기 고전압 와이어(240)는 상기 중간 플레이트(120)에 형성된 복수개의 가스전달홀(122) 중 어느 하나를 관통하여, 상기 가스 챔버(110)에 형성된 와이어 유출부(113)를 통해 외부로 유출된다.The high voltage wire 240 passes through any one of the plurality of gas transfer holes 122 formed in the intermediate plate 120 and flows out through the wire outlet 113 formed in the gas chamber 110. .

다시 도 3, 도 4, 도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 중간 플레이트(120)와 상 기 상부전극조립체(200) 사이에는 상기 중간 플레이트(120)의 냉매 주입포트(124)를 통해 공급되는 냉매를 상기 상부전극조립체(200)로 전달하는 냉매 주입라인(134) 및 상기 상부전극조립체(200) 내부에서 순환된 냉매를 상기 중간 플레이트(120)의 냉매 배출포트(125)로 전달하는 냉매 배출라인(135)이 배치된다.3, 4, 8 and 9, the intermediate plate 120 and the upper electrode assembly 200 are supplied through the refrigerant injection port 124 of the intermediate plate 120. Refrigerant injection line 134 for transferring the refrigerant to the upper electrode assembly 200 and the refrigerant discharged to deliver the refrigerant circulated in the upper electrode assembly 200 to the refrigerant discharge port 125 of the intermediate plate 120 Line 135 is disposed.

한편, 상기 중간 플레이트(120)의 하단에는 개구부(151)가 형성되어 전술한 서포터(140)와 간섭되지 않도록 틀 형상을 갖는 스페이서(150)가 상기 중간 플레이트(120)에 착탈가능하게 체결된다. 상기 스페이서(150)에는 상기 중간 플레이트(120)에 형성된 복수개의 체결공(126)과 연통되는 복수개의 체결공(156)이 마련된다. 상기 스페이서(150)는 전술한 상부전극조립체(200)와 후술할 하부전극조립체(300) 사이의 간격을 조절하기 위한 것이다. 상기 스페이서(150)는 상기 중간 플레이트(120)와 후술할 브라켓(160) 사이에 착탈가능하게 체결되는 구조를 갖기 때문에, 서로 다른 두께를 갖는 여러 종류를 마련해 놓고, 필요한 두께를 갖는 스페이서(150)를 체결함으로써 상기 상부전극조립체(200)와 하부전극조립체(300) 사이의 간격을 용이하게 조절할 수 있다. 상기 상부 및 하부전극조립체(200, 300) 사이에서 형성되는 플라즈마는 상기 상부 및 하부전극조립체(200, 300) 사이의 간격이 매우 중요한데, 상기 간격을 조절하면서 플라즈마 형성의 최적 조건을 찾기 위한 테스트를 수행하고자 하는 경우, 상기 스페이서(150)를 서로 다른 것들로 교체함으로써 상기 테스트를 용이하게 수행할 수 있다.Meanwhile, an opening 151 is formed at the lower end of the intermediate plate 120 so that the spacer 150 having a frame shape is detachably fastened to the intermediate plate 120 so as not to interfere with the above-described supporter 140. The spacer 150 is provided with a plurality of fastening holes 156 communicating with the plurality of fastening holes 126 formed in the intermediate plate 120. The spacer 150 is for adjusting the gap between the upper electrode assembly 200 and the lower electrode assembly 300 to be described later. Since the spacer 150 has a structure that is detachably fastened between the intermediate plate 120 and the bracket 160 to be described later, various types having different thicknesses are provided, and the spacer 150 having a required thickness is provided. By fastening the distance between the upper electrode assembly 200 and the lower electrode assembly 300 can be easily adjusted. In the plasma formed between the upper and lower electrode assemblies 200 and 300, the spacing between the upper and lower electrode assemblies 200 and 300 is very important. A test is performed to find an optimal condition for plasma formation while adjusting the spacing. When the test is to be performed, the test may be easily performed by replacing the spacers 150 with different ones.

상기 스페이서(150)의 하단에는 전술한 브라켓(160)이 상기 스페이서(150)에 착탈가능하게 체결된다. 상기 브라켓(160) 역시 상기 스페이서(150)와 마찬가지로 상기 서포터(140)와 간섭되지 않도록 하는 개구부(161)를 갖는다. 상기 브라켓(160)에는 상기 스페이서(150)와의 체결을 위해 상기 스페이서(150)에 형성된 복수개의 체결공(156)과 연통되는 복수개의 체결공(166)이 마련된다. 상기 복수개의 체결공(166)은 그 상부의 경우, 상기 가스 챔버(110), 중간 플레이트(120) 및 스페이서(150)에 형성된 복수개의 체결공들(116, 126, 156)과 동일 치수를 가지나, 하부의 경우, 후술할 홀더(180)의 암나사부(186)과 동일 치수를 갖는 카운터보어(counter-bore)로 형성된다. 상기 브라켓(160)의 하단에는 상기 하부전극조립체(300)의 상면 가장자리부를 압박하도록 형성된 단차부(162)가 마련된다.The bracket 160 described above is detachably fastened to the spacer 150 at a lower end of the spacer 150. Like the spacer 150, the bracket 160 also has an opening 161 that does not interfere with the supporter 140. The bracket 160 is provided with a plurality of fastening holes 166 in communication with the plurality of fastening holes 156 formed in the spacer 150 for fastening with the spacer 150. The plurality of fastening holes 166 may have the same dimensions as the plurality of fastening holes 116, 126, and 156 formed in the gas chamber 110, the intermediate plate 120, and the spacer 150. In the case of the lower portion, it is formed of a counterbore having the same dimensions as the female screw portion 186 of the holder 180 to be described later. The lower end of the bracket 160 is provided with a stepped portion 162 formed to press the upper edge portion of the lower electrode assembly 300.

상기 브라켓(160)의 하단에는 상기 하부전극조립체(300)를 지지하는 홀더(180)가 착탈가능하게 체결된다. 상기 홀더(180)는 개구부(181)가 형성된 틀 형상을 가지며, 내측벽 하단으로부터 그 중심을 향해 수평방향으로 돌출형성된 안착턱(182)이 마련되어, 상기 하부전극조립체(300)의 가장자리부가 상기 안착턱(182)에 의해 지지되도록 한다. 상기 홀더(180)는 그 표면을 아노다이징(anodizing) 처리하여 산화피막이 형성된 알루미늄(Al)일 수 있다. 상기 홀더(180)에는 전술한 브라켓(160)에 형성된 복수개의 체결공(166)의 하부와 연통되는 암나사부(186)가 마련된다. 상기 홀더(180)에는 또한, 냉매 유입포트(184)와 냉매 배출포트(185) 및 이들 냉매 유입 및 배출포트(184, 185)와 연결된 냉매 유로(189)가 마련된다. 따라서 상기 홀더(180)는 상기 순환되는 냉매를 통해 플라즈마 생성과정에서 과열된 상기 하부전극조립체(300)를 간접적으로 냉각시킴으로써 열화에 따른 상기 하부전극조립체(300) 및 이와 인접된 구성요소들의 손상을 방지한다.A holder 180 supporting the lower electrode assembly 300 is detachably fastened to a lower end of the bracket 160. The holder 180 has a frame shape in which an opening 181 is formed, and a mounting jaw 182 is formed to protrude in a horizontal direction from a lower end of an inner wall toward a center thereof, and an edge portion of the lower electrode assembly 300 is mounted. To be supported by the jaw 182. The holder 180 may be aluminum (Al) in which an oxide film is formed by anodizing its surface. The holder 180 is provided with a female screw part 186 communicating with lower portions of the plurality of fastening holes 166 formed in the bracket 160 described above. The holder 180 is further provided with a refrigerant inlet port 184, a refrigerant discharge port 185, and a refrigerant passage 189 connected to the refrigerant inlet and outlet ports 184 and 185. Accordingly, the holder 180 indirectly cools the lower electrode assembly 300 that is overheated during the plasma generation process through the circulating refrigerant, thereby preventing damage to the lower electrode assembly 300 and components adjacent thereto. prevent.

상기 홀더(180)의 안착턱(182)에는 상기 상부전극조립체(200)와 소정 간격 이격되도록 배치되어 상기 상부전극조립체(200)와의 방전을 통해 상기 가스 챔버(110)로부터 전달되는 가스를 플라즈마로 변환시키고, 변환된 플라즈마를 하부로 배출하는 복수개의 플라즈마 배출홀(350)이 마련된 하부전극조립체(300)가 안착된다. 상기 하부전극조립체(300)는 스크류 등과 같은 체결구에 의해 상기 브라켓(160)과 홀더(180)가 체결될 때, 상기 브라켓(160)의 단차부(162)가 상기 하부전극조립체(300)의 가장자리부 상면을 압박함으로써 상기 홀더(180)에 지지고정된다.The mounting jaw 182 of the holder 180 is spaced apart from the upper electrode assembly 200 by a predetermined interval, and the gas delivered from the gas chamber 110 through discharge with the upper electrode assembly 200 is converted into plasma. The lower electrode assembly 300 having a plurality of plasma discharge holes 350 for converting and discharging the converted plasma downward is seated. When the bracket 160 and the holder 180 are fastened by a fastener such as a screw, the lower electrode assembly 300 has a stepped portion 162 of the bracket 160 of the lower electrode assembly 300. By pressing the upper surface of the edge portion is fixed to the holder 180.

이때, 상기 브라켓(160)과 홀더(180) 사이에는 도 9에 도시된 바와 같이, 소정 간격의 갭(gap)이 존재하도록 구성된다. 상기 갭(gap)은 상기 브라켓(160)과 홀더(180)의 제조공차에 따라 전술한 체결구를 통해 상기 브라켓(160)과 홀더(180)가 체결될 때, 상기 브라켓(160)의 단차부(162)가 상기 하부전극조립체(300)의 가장자리부 상면을 압박하지 못하게 되는 문제점을 방지하기 위한 것이다. In this case, as shown in FIG. 9, a gap (gap) of a predetermined interval exists between the bracket 160 and the holder 180. The gap is a stepped portion of the bracket 160 when the bracket 160 and the holder 180 are fastened through the above-described fastener according to the manufacturing tolerances of the bracket 160 and the holder 180. 162 is to prevent the problem that the upper surface of the edge portion of the lower electrode assembly 300 can not be pressed.

또한, 상기 하부전극조립체(300)의 측면과 상기 홀더(180)의 내측벽 사이에는 소정 간격, 예를 들어 0.5mm 내지 1.0mm의 갭(gap)이 존재하도록 상기 하부전극조립체(300)의 폭방향 길이는 상기 홀더(180)의 대향하는 내측벽 간의 길이보다 작도록 구성된다. 이와 같은 갭(gap)이 형성되도록 구성한 것은 플라즈마 생성과정에서 발생하는 열에 의해 상기 하부전극조립체(300)가 팽창함으로써 상기 홀더(180)의 내측벽에 부딪혀 상기 하부전극조립체(300)에 응력이 발생하는 것을 방지하기 위함이다.In addition, a width of the lower electrode assembly 300 is provided between a side surface of the lower electrode assembly 300 and an inner wall of the holder 180 such that a gap of 0.5 mm to 1.0 mm exists. The directional length is configured to be less than the length between the opposing inner walls of the holder 180. The gap is formed so that the lower electrode assembly 300 is expanded by the heat generated in the plasma generation process, so that the lower electrode assembly 300 hits the inner wall of the holder 180 to generate a stress in the lower electrode assembly 300. To prevent it.

이하, 도 10을 참조하여 상기 하부전극조립체(300) 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the lower electrode assembly 300 and a manufacturing method thereof will be described in detail with reference to FIG. 10.

상기 하부전극조립체(300)는 상기 복수개의 플라즈마 배출홀(350)이 마련된 평판형상으로서 중심층에 배치되는 하부전극(320)과, 상기 하부전극(320)을 둘러싸도록 형성되어 상기 하부전극(320)이 외부로 노출되지 않도록 하는 유전체(310, 340)로 구성된다.The lower electrode assembly 300 is a flat plate having the plurality of plasma discharge holes 350 formed therein and formed to surround the lower electrode 320 and the lower electrode 320. ) Is composed of dielectrics 310 and 340 to prevent exposure to the outside.

상기 하부전극조립체(300)는 다음과 같은 방법에 의해 제조된다. 먼저, 유전체(310)를 평판형상으로 평면연마(A)하고, 상기 유전체(310)의 상면에 Ag를 코팅하여 하부전극(320)을 형성(B)하고, 레이저가공을 통해 상기 하부전극(320)에 복수개의 단차홀(330)을 형성(C)하고, 상기 유전체(310) 및 하부전극(320)을 덮도록 유전체(340)를 용사(D)하고, 상기 단차홀(330)의 중심축을 기준으로 상기 단차홀(330)보다 작은 직경을 갖는 홀(350)을 뚫어(E), 전술한 복수개의 플라즈마 배출홀(350)을 형성하여 제조한다. The lower electrode assembly 300 is manufactured by the following method. First, the dielectric 310 is planarly polished (A) into a flat plate shape, and a lower electrode 320 is formed by coating Ag on the upper surface of the dielectric 310 (B), and the lower electrode 320 is formed by laser processing. (C) to form a plurality of stepped holes (330), thermally spraying the dielectric (340) to cover the dielectric 310 and the lower electrode 320, and the central axis of the stepped hole (330) As a reference, a hole 350 having a diameter smaller than that of the stepped hole 330 is drilled (E) to form the plurality of plasma discharge holes 350 described above.

전술한 과정을 통해 제조된 상기 하부전극조립체(300)는 하부전극(320)이 외부로 노출되지 않고, 상기 복수개의 플라즈마 배출홀(350)의 내주면이 매끄럽게 형성되기 때문에 종래 기술에서 설명한 바와 같은 문제점, 즉 유전체(27)의 가공 벽면이 고르지 못하여 플라즈마 처리 과정에서 하부전극(23)을 덮고 있던 유전체(27)가 떨어져 나가 하부전극(23)이 외부로 노출됨으로써 아킹(arching) 현상의 원인으로 작용하거나, 아킹(arching) 현상에 의해 생성되는 하부전극(23)의 미세 파편이나, 플라즈마 배출홀(29)의 내주면에서 떨어져 나간 유전체(27)가 기판으로 떨어져 기판을 오염시키는 문제점을 방지할 수 있다. The lower electrode assembly 300 manufactured through the above process has the same problem as described in the related art because the lower electrode 320 is not exposed to the outside and the inner circumferential surfaces of the plurality of plasma discharge holes 350 are smoothly formed. That is, because the processing wall of the dielectric 27 is uneven, the dielectric material 27 covering the lower electrode 23 is separated and the lower electrode 23 is exposed to the outside during the plasma processing, thereby acting as a cause of arcing phenomenon. In addition, it is possible to prevent the problem that the fine fragments of the lower electrode 23 generated by the arching phenomenon or the dielectric 27 falling off from the inner circumferential surface of the plasma discharge hole 29 fall to the substrate and contaminate the substrate. .

한편, 상기 하부전극조립체(300)의 하부전극(320)은 접지선(미도시)을 통해 접지된다. 이를 위한 구조를 살펴보면, 상기 홀더(180)의 안착턱(182) 상부에 배치되는 상기 하부전극조립체(300)의 가장자리부 하단에 위치하는 유전체(310)의 일부를 제거하여 상기 하부전극(320)을 노출시키고, 상기 홀더(180)의 안착턱(182) 상면에 형성된 산화피막을 제거하여, 그 부위와 노출된 상기 하부전극(320) 사이에 컨택터(contactor: 190)를 개재시키고, 에폭시(미도시)를 사용하여 상기 컨택터(190) 및 각 노출부위를 외부로부터 차단시킨 다음, 상기 홀더(180)에 접지선을 연결하는 구조를 통해 상기 하부전극(320)을 접지시키도록 구성한다. 상기한 바와 같은 구조에 의하면, 상기 컨택터(190)를 통한 연결부위가 종래 기술에서 설명한 바와 같은 컨택터(50)와 달리 외부와 충분한 정도로 격리되기 때문에 상기 에폭시가 떨어져 나갈 우려가 적고, 따라서 아킹(arching) 현상의 발생을 최대한 방지할 수 있다.On the other hand, the lower electrode 320 of the lower electrode assembly 300 is grounded through a ground line (not shown). Looking at the structure for this, the lower electrode 320 by removing a portion of the dielectric 310 located at the bottom of the edge portion of the lower electrode assembly 300 disposed on the mounting jaw 182 of the holder 180. Exposing the contactor, and removing an oxide film formed on an upper surface of the seating jaw 182 of the holder 180, interposing a contactor 190 between the portion and the exposed lower electrode 320. It is configured to ground the lower electrode 320 through a structure for connecting the contactor 190 and each exposed portion from the outside using a structure that connects a ground line to the holder 180 using a not shown). According to the structure as described above, unlike the contactor 50 as described in the prior art, the connection portion through the contactor 190 is isolated to a sufficient degree from the outside, so the epoxy is less likely to fall off, and thus arcing (arching) phenomenon can be prevented as much as possible.

이하에서는 도 3, 도 8 및 도 9를 참조하여 본 발명에 따른 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치의 조립과정에 대해 설명한다.Hereinafter, the assembling process of the surface treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma according to the present invention will be described with reference to FIGS. 3, 8 and 9.

먼저, 도 10을 통해 설명한, 제조가 완료된 하부전극조립체(300)를 홀더(180)의 안착턱(182)에 컨택터(190)를 개재시켜 안착시키고, 상기 컨택터(190) 연결부위에 에폭시 처리를 한 후, 스크류(미도시)와 같은 체결구를 통해 상기 홀더(180)에 브라켓(160)을 체결하여 상기 브라켓(160)의 단차부(162)가 상기 하부전 극조립체(300)의 가장자리부 상면을 압박하게 함으로써 상기 하부전극조립체(300)를 상기 홀더(180)에 고정시킨다. 여기서, 상기 체결구는 상기 브라켓(160)의 복수개의 체결공(166) 하부 및 이와 연통되는 상기 홀더(180)의 암나사부(186)에 삽입된다. 그 다음, 도 5 내지 도 7을 통해 설명한 바와 같이 조립이 완료된 상부전극조립체(200) 및 이에 연결된 서포터(140)와 냉매 주입 및 배출라인(134, 135)을 중간 플레이트(120)에 연결시킨다. 여기서, 상기 중간 플레이트(120) 및 서포터(140) 각각에 형성되어 서로 연통되는 복수개의 체결공들(127, 147) 및 상기 상부전극조립체(200)의 냉각블럭(230)에 형성된 암나사부(233)에 스크류(미도시)와 같은 체결구가 삽입됨으로써 상기 중간 플레이트(120), 서포터(140) 및 상부전극조립체(200)가 일체로 고정된다. 그 다음, 상기 중간 플레이트(120)와 상기 브라켓(160) 사이에 필요한 두께를 갖는 스페이서(150)를 개재시키고, 상기 중간 플레이트(120) 상부에 가스 챔버(110)를 배치한 후, 볼트(미도시)와 같은 체결구를 상기 가스 챔버(110), 중간 플레이트(120), 스페이서(150) 및 브라켓(160)에 각각에 형성되어 서로 연통되는 복수개의 체결공들(116, 126, 156, 166)에 삽입시켜 상기 가스 챔버(110), 중간 플레이트(120), 스페이서(150) 및 브라켓(160)을 일체로 고정시킨다. 여기서, 상기 상부전극조립체(200)에 연결된 고전압 와이어(240)는 상기 중간 플레이트(120)에 형성된 복수개의 가스전달홀(122) 중 어느 하나를 관통하여 상기 가스 챔버(110)의 와이어 유출부(113)를 통해 외부로 유출되도록 한다. 그 다음, 상기 고전압 와이어(240)를 전원공급부(미도시)에 연결하고, 상기 가스 챔버(110)의 가스 주입구(112)에 가스 공급라인(미도시)을 연결하고, 상기 중간 플레이 트(120) 및 홀더(180)에 각각 마련된 냉매 주입 및 배출포트(124, 184, 125, 185)를 냉매 공급부(미도시)와 연결하고, 상기 하부전극조립체(300)의 하부전극(320)과 연결된 접지선(미도시)을 접지시킴으로써 본 발명에 따른 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치(100)의 조립을 완료한다.First, the lower electrode assembly 300 described with reference to FIG. 10 is seated on the seating jaw 182 of the holder 180 with the contactor 190 interposed therebetween, and epoxy is connected to the contactor 190. After the treatment, the bracket 160 is fastened to the holder 180 through a fastener such as a screw (not shown) so that the stepped portion 162 of the bracket 160 of the lower electrode assembly 300 is fixed. The lower electrode assembly 300 is fixed to the holder 180 by pressing the upper surface of the edge portion. Here, the fastener is inserted into the lower portion of the plurality of fastening holes 166 of the bracket 160 and the female screw portion 186 of the holder 180 in communication therewith. Next, as described with reference to FIGS. 5 to 7, the assembled upper electrode assembly 200, the supporter 140 connected thereto, and the refrigerant injection and discharge lines 134 and 135 are connected to the intermediate plate 120. Here, a plurality of fastening holes 127 and 147 formed in each of the intermediate plate 120 and the supporter 140 and communicating with each other, and a female screw part 233 formed in the cooling block 230 of the upper electrode assembly 200. The intermediate plate 120, the supporter 140 and the upper electrode assembly 200 are integrally fixed by inserting a fastener such as a screw (not shown). Next, a spacer 150 having a required thickness is interposed between the intermediate plate 120 and the bracket 160, and the gas chamber 110 is disposed on the intermediate plate 120. A plurality of fastening holes 116, 126, 156, and 166 formed in the gas chamber 110, the intermediate plate 120, the spacer 150, and the bracket 160 to communicate with each other. ) To fix the gas chamber 110, the intermediate plate 120, the spacer 150, and the bracket 160 integrally. Here, the high voltage wire 240 connected to the upper electrode assembly 200 passes through any one of the plurality of gas transfer holes 122 formed in the intermediate plate 120 to form a wire outlet portion of the gas chamber 110. 113) to be discharged to the outside. Then, the high voltage wire 240 is connected to a power supply (not shown), a gas supply line (not shown) is connected to the gas inlet 112 of the gas chamber 110, and the intermediate plate 120 A ground line connected to the refrigerant injection and discharge ports 124, 184, 125, and 185 provided at the holder 180 and the holder 180, respectively, with a refrigerant supply unit (not shown), and connected to the lower electrode 320 of the lower electrode assembly 300. By assembling (not shown), the assembly of the surface treatment apparatus 100 using the atmospheric pressure plasma according to the present invention is completed.

전술한 과정을 통해 조립이 완료된 본 발명에 따른 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치(100)는 가스공급부로부터 공급되는 가스가 가스 챔버(110) 내부에 수용되어 확산한 후, 중간 플레이트(120)에 형성된 복수개의 가스전달홀(122)을 통해 하방향으로 전달되어 상기 상부전극조립체(200)와 하부전극조립체(300) 사이 공간으로 유입된 후, 상기 상부전극조립체(200)의 상부전극(220)에 수십 Hz 내지 수십 MHz의 고전압이 인가될 때 발생하는 방전을 통해 유입된 가스를 플라즈마로 변환시켜, 상기 하부전극조립체(300)에 형성된 플라즈마 배출홀(350)을 통해 상기 변환된 플라즈마를 상기 하부전극조립체(300)의 하부에 배치되는 기판에 배출시켜 상기 기판의 표면을 처리하게 된다. 본 발명에 따른 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치(100)는 식각(etching) 공정, 기판의 표면으로부터 유기 물질과 같은 오염물의 제거나 레지스트(resist)의 제거를 위한 애싱(ashing) 공정, 유기 필름의 접착, 표면 변형, 필름 형성의 향상, 금속 산화물의 환원, 또는 액정용 유리 기판의 세정 공정 등에 사용될 수 있다.In the surface treatment apparatus 100 using the atmospheric plasma according to the present invention, the assembly is completed through the above-described process, the gas supplied from the gas supply unit is accommodated in the gas chamber 110 to be diffused, and then formed in the intermediate plate 120. After being passed downward through a plurality of gas delivery holes 122 to the space between the upper electrode assembly 200 and the lower electrode assembly 300, to the upper electrode 220 of the upper electrode assembly 200 By converting the gas introduced through the discharge generated when a high voltage of several tens Hz to several tens MHz is applied to the plasma, the lower electrode is converted into the converted plasma through the plasma discharge hole 350 formed in the lower electrode assembly 300. The substrate 300 is discharged to a substrate disposed under the assembly 300 to treat the surface of the substrate. The surface treatment apparatus 100 using the atmospheric plasma according to the present invention is an etching process, an ashing process for removing contaminants such as organic substances or a resist from the surface of the substrate, an organic film It can be used for adhesion, surface modification, film formation improvement, reduction of metal oxide, or cleaning process of glass substrate for liquid crystal.

이하에서는 도 11을 참조하여 전술한 하부전극조립체(300)의 다른 실시 예(400)에 대해 설명한다. Hereinafter, another exemplary embodiment 400 of the lower electrode assembly 300 described above will be described with reference to FIG. 11.

도 11에 도시된 바와 같은 다른 실시예에 따른 하부전극조립체(400)는 전술한 실시예에서의 홀더(180)와 하부전극조립체(300)를 일체로 형성한 것이다. 상기 다른 실시예에 따른 하부전극조립체(400)는 복수개의 플라즈마 배출홀(411)이 형성된 평판부(410) 및 상기 평판부(410)의 가장자리부를 따라 상방향으로 돌출형성되어 상기 브라켓(160)과 연결되는 사각틀 형상의 연결부(420)가 일체형으로 형성된 알루미늄(Al) 전극으로서, 아노다이징(anodizing)을 통해 외면 전체에 걸쳐 산화피막이 형성된 것을 특징으로 한다. 미 설명부호 426은 상기 브라켓(160)과의 연결을 위한 암나사부이고, 434 및 435는 각각 냉매 주입 및 배출포트이며, 440은 접지선 연결부를 나타낸다. 전술한 바와 같은 하부전극조립체(400)는 일체형이기 때문에 고전압에 따른 내구성이 뛰어나고, 냉각 효율이 크다는 이점이 있다.The lower electrode assembly 400 according to another embodiment as shown in FIG. 11 is formed by integrally forming the holder 180 and the lower electrode assembly 300 in the above-described embodiment. The lower electrode assembly 400 according to another embodiment protrudes upward along the edge portion of the plate portion 410 and the plate portion 410 in which the plurality of plasma discharge holes 411 are formed, and the bracket 160 is disposed. An aluminum (Al) electrode having a rectangular frame-shaped connecting portion 420 connected to the unitary body is formed integrally, and an oxide film is formed over the entire outer surface through anodizing. Reference numeral 426 denotes a female screw portion for connection with the bracket 160, 434 and 435 denote refrigerant injection and discharge ports, respectively, and 440 denotes a ground wire connection portion. Since the lower electrode assembly 400 as described above is integrated, the lower electrode assembly 400 has excellent durability and high cooling efficiency due to high voltage.

이상 설명한 바와 같이 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 따라서 본 발명의 권리 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라, 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As described above, in the detailed description of the present invention, a preferred embodiment of the present invention has been described, but those skilled in the art to which the present invention pertains various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. Of course. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined not only by the claims below, but also by the equivalents of the claims.

도 1은 대기압 플라즈마를 이용한 종래의 표면처리장치의 개략적 구성도, 1 is a schematic configuration diagram of a conventional surface treatment apparatus using an atmospheric plasma,

도 2는 상기 표면처리장치의 하부전극조립체의 제조 단계도,Figure 2 is a manufacturing step of the lower electrode assembly of the surface treatment apparatus;

도 3은 본 발명에 따른 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치의 분해 사시도,3 is an exploded perspective view of a surface treatment apparatus using an atmospheric plasma according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치의 사시도,4 is a perspective view of a surface treatment apparatus using an atmospheric plasma according to the present invention,

도 5는 도 3에 도시된 상부전극조립체의 제조 단계도,5 is a manufacturing step diagram of the upper electrode assembly shown in FIG.

도 6은 도 5의 A부 확대도,6 is an enlarged view of a portion A of FIG. 5;

도 7은 도 5에 도시된 고전압 와이어의 연결부 상세도,7 is a detailed view of the connection portion of the high voltage wire shown in FIG.

도 8은 도 4의 Ⅰ- Ⅰ' 절개 사시도,8 is a cutaway perspective view taken along line II ′ of FIG. 4;

도 9는 도 8의 부분 정면도,9 is a partial front view of FIG. 8;

도 10은 도 3에 도시된 하부전극조립체의 제조 단계도이다.10 is a manufacturing step diagram of the lower electrode assembly shown in FIG. 3.

**도면 중 주요 부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **

110 : 가스 챔버 120 : 중간 플레이트110 gas chamber 120 intermediate plate

122 : 가스전달홀 124 : 냉매 주입포트 122: gas delivery hole 124: refrigerant injection port

126 : 냉매 배출포트 134 : 냉매 주입라인126: refrigerant discharge port 134: refrigerant injection line

135 : 냉매 배출라인 140 : 서포터135: refrigerant discharge line 140: supporter

150 : 스페이서 160 : 브라켓 150: spacer 160: bracket

162 : 단차부 170 : 가스 컬랙터162: step portion 170: gas collector

180 : 홀더 182 : 안착턱180: holder 182: seating jaw

184 : 냉매 주입포트 185 : 냉매 배출포트184: refrigerant injection port 185: refrigerant discharge port

200 : 상부전극조립체 210 : 유전체200: upper electrode assembly 210: dielectric

220 : 상부전극 222 : 리드 단자220: upper electrode 222: lead terminal

230 : 냉각블럭 240 : 고전압 와이어230: cooling block 240: high voltage wire

250 : 에폭시 300 : 하부전극조립체250: epoxy 300: lower electrode assembly

310 : 유전체 320 : 하부전극310: dielectric 320: lower electrode

350 : 플라즈마 배출홀350: plasma discharge hole

Claims (21)

가스 공급부로부터 공급되는 가스를 수용하는 가스 챔버;A gas chamber containing a gas supplied from a gas supply; 상기 가스 챔버의 하단에 배치되어 상기 가스 챔버에 착탈가능하게 체결되고, 복수개의 가스전달홀이 마련된 중간 플레이트;An intermediate plate disposed at a lower end of the gas chamber to be detachably fastened to the gas chamber, and provided with a plurality of gas transfer holes; 상기 중간 플레이트에 착탈가능하게 체결되는 서포터;A supporter detachably fastened to the intermediate plate; 상기 서포터에 착탈가능하게 체결되는 상부전극조립체;An upper electrode assembly detachably fastened to the supporter; 상기 상부전극조립체의 하부에 소정 간격 이격되도록 배치되어 상기 상부전극조립체와의 방전을 통해 상기 가스를 플라즈마로 변환시키고, 변환된 플라즈마를 하부로 배출하는 복수개의 플라즈마 배출홀이 마련된 하부전극조립체;A lower electrode assembly disposed below the upper electrode assembly at predetermined intervals to convert the gas into a plasma through discharge from the upper electrode assembly, and a plurality of plasma discharge holes configured to discharge the converted plasma downward; 상기 하부전극조립체를 지지하도록 내측벽으로부터 돌출형성된 안착턱이 마련된 홀더; 및A holder provided with a seating protrusion protruding from an inner wall to support the lower electrode assembly; And 상기 중간 플레이트와 상기 홀더를 착탈가능하게 연결하고, 상기 연결시 하단에 마련된 단차부가 상기 안착턱에 지지되는 상기 하부전극조립체의 상면을 압박하여 상기 하부전극조립체를 상기 홀더에 지지고정시키는 브라켓을 포함하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. And a bracket for detachably connecting the intermediate plate and the holder and pressing the upper surface of the lower electrode assembly supported on the seating jaw when the connection is detached to support the lower electrode assembly to the holder. Surface treatment apparatus using an atmospheric plasma. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 중간 플레이트와 상기 브라켓 사이에 착탈가능하게 개재되어 상기 상부 및 하부전극조립체 사이의 간격을 조절하는 스페이서가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. Removably interposed between the intermediate plate and the bracket is a surface treatment apparatus using an atmospheric pressure plasma, characterized in that further provided for adjusting the gap between the upper and lower electrode assembly. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 하부전극조립체의 측면과 상기 홀더의 내측벽 사이에는 갭(gap)이 존재하도록 상기 하부전극조립체의 폭방향 길이는 상기 홀더의 대향하는 내측벽간의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. Surface length of the lower electrode assembly is smaller than the length between the opposite inner wall of the holder so that there is a gap between the side of the lower electrode assembly and the inner wall of the holder. Processing unit. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 홀더와 상기 브라켓의 연결시, 상기 홀더의 상면과 상기 브라켓의 하면 사이에는 갭(gap)이 존재하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. When the holder and the bracket are connected, there is a gap between the upper surface of the holder and the lower surface of the bracket, the surface treatment apparatus using an atmospheric pressure plasma. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 중간 플레이트에는 냉매 주입포트 및 냉매 배출포트가 더 마련되고, The intermediate plate is further provided with a refrigerant injection port and the refrigerant discharge port, 상기 냉매 주입포트를 통해 공급되는 냉매를 상기 상부전극조립체로 전달하는 냉매 주입라인 및 상기 상부전극조립체 내부에서 순환된 냉매를 상기 냉매 배출포트로 전달하는 냉매 배출라인이 상기 중간플레이트와 상기 상부전극조립체 사이에 더 마련되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. A refrigerant injection line for transferring the refrigerant supplied through the refrigerant injection port to the upper electrode assembly, and a refrigerant discharge line for transferring the refrigerant circulated in the upper electrode assembly to the refrigerant discharge port are the intermediate plate and the upper electrode assembly. Surface treatment apparatus using an atmospheric plasma, characterized in that further provided between. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 상부전극조립체는The upper electrode assembly is 상부가 개방된 박스형 형상을 갖는 유전체;A dielectric having a box shape with an open top; 상기 유전체의 바닥부 상면에 형성된 상부전극;An upper electrode formed on an upper surface of the bottom of the dielectric; 상기 상부전극의 상면에 접착되어 상기 서포터에 체결되고, 상기 냉매 주입라인 및 냉매 배출라인과 연결되어 공급되는 냉매가 이동하는 냉매유로가 형성된 냉각블럭;A cooling block bonded to the upper surface of the upper electrode and fastened to the supporter, and having a refrigerant flow path connected to the refrigerant injection line and the refrigerant discharge line to move the supplied refrigerant; 상기 상부전극과 상기 상부전극에 고전압을 인가하는 전원공급부를 연결시키는 고전압 와이어; 및A high voltage wire connecting a power supply unit applying a high voltage to the upper electrode and the upper electrode; And 상기 유전체의 내부 공간에 충진되어 상기 상부전극 및 상기 냉각블럭을 외부와 차단시키는 에폭시를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. And an epoxy filling the inner space of the dielectric to block the upper electrode and the cooling block from the outside. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 에폭시는 상기 유전체와 비슷한 열팽창계수를 갖는 고전압 에폭시인 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. Wherein said epoxy is a high voltage epoxy having a thermal expansion coefficient similar to that of said dielectric. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 에폭시는 진공상태하에서 120℃를 유지하여 경화시킴으로써 내부에 형성될 수 있는 기포를 최소화한 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. The epoxy surface treatment apparatus using an atmospheric pressure plasma, characterized in that to minimize the bubbles that can be formed therein by maintaining by curing at 120 ℃ under vacuum. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 유전체의 내측벽에는 상기 상부전극과 연결된 리드 단자가 더 마련되고, 상기 고전압 와이어는 상기 리드 단자와 연결됨으로써 상기 상부전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. A lead terminal connected to the upper electrode is further provided on an inner wall of the dielectric, and the high voltage wire is electrically connected to the upper electrode by being connected to the lead terminal. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 상기 하부전극조립체는 상기 복수개의 플라즈마 배출홀이 마련된 평판형상으로서 중심층에 배치되는 하부전극과, 상기 하부전극을 둘러싸도록 형성되어 상기 하부전극이 외부로 노출되지 않도록 하는 유전체로 구성되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. The lower electrode assembly may include a lower electrode disposed in a central layer as a flat plate having the plurality of plasma discharge holes and a dielectric formed to surround the lower electrode so that the lower electrode is not exposed to the outside. Surface treatment apparatus using an atmospheric plasma. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 하부전극조립체는 유전체를 평판형상으로 평면연마하고, 상기 유전체의 상면에 Ag를 코팅하여 하부전극을 형성하고, 레이저가공을 통해 상기 하부전극에 복수개의 단차홀을 형성하고, 상기 유전체 및 하부전극을 덮도록 유전체를 용사하고, 상기 단차홀의 중심축을 기준으로 상기 단차홀보다 작은 직경을 갖는 홀을 뚫어 상기 복수개의 플라즈마 배출홀을 형성하여 제조된 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. The lower electrode assembly is a planar polishing of a dielectric in a flat plate shape, coated Ag on the upper surface of the dielectric to form a lower electrode, a plurality of stepped holes in the lower electrode through laser processing, the dielectric and the lower electrode And spraying a dielectric to cover the gap, and forming the plurality of plasma discharge holes by drilling a hole having a diameter smaller than that of the step hole based on the center axis of the step hole. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 상기 홀더에는 냉매 주입포트 및 냉매 배출포트가 더 마련되고,The holder is further provided with a refrigerant injection port and the refrigerant discharge port, 상기 홀더의 내부에는 상기 홀더의 냉매 주입 및 배출포트와 연결되어 공급되는 냉매가 순환하는 냉매유로가 형성되어 상기 하부전극조립체를 간접적으로 냉각시키는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. The inside of the holder is a surface treatment apparatus using an atmospheric pressure plasma, characterized in that the refrigerant flow path is formed to circulate the refrigerant is connected to the refrigerant injection and discharge port of the holder to indirectly cool the lower electrode assembly. 가스 공급부로부터 공급되는 가스를 수용하는 가스 챔버;A gas chamber containing a gas supplied from a gas supply; 상기 가스 챔버의 하단에 배치되어 상기 가스 챔버에 착탈가능하게 체결되고, 복수개의 가스전달홀이 마련된 중간 플레이트;An intermediate plate disposed at a lower end of the gas chamber to be detachably fastened to the gas chamber, and provided with a plurality of gas transfer holes; 상기 중간 플레이트에 착탈가능하게 체결되는 서포터;A supporter detachably fastened to the intermediate plate; 상기 서포터에 착탈가능하게 체결되는 상부전극조립체;An upper electrode assembly detachably fastened to the supporter; 상기 상부전극조립체의 하부에 소정 간격 이격되도록 배치되어 상기 상부전극조립체와의 방전을 통해 상기 가스를 플라즈마로 변환시키고, 변환된 플라즈마를 하부로 배출하는 복수개의 플라즈마 배출홀이 마련된 하부전극조립체; A lower electrode assembly disposed below the upper electrode assembly at predetermined intervals to convert the gas into a plasma through discharge from the upper electrode assembly, and a plurality of plasma discharge holes configured to discharge the converted plasma downward; 상기 중간 플레이트와 상기 하부전극조립체를 착탈가능하게 연결하는 브라켓; 및A bracket for detachably connecting the intermediate plate and the lower electrode assembly; And 상기 중간 플레이트와 상기 하부전극조립체 사이에 착탈가능하게 개재되어 상기 상부 및 하부전극조립체 사이의 간격을 조절하는 스페이서를 포함하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. A surface treatment apparatus using an atmospheric pressure plasma comprising a spacer which is detachably interposed between the intermediate plate and the lower electrode assembly to adjust the distance between the upper and lower electrode assemblies. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 하부전극조립체는 상기 복수개의 플라즈마 배출홀이 형성된 평판부 및 상기 평판부의 가장자리부를 따라 상방향으로 돌출형성되어 상기 브라켓과 연결되는 사각틀 형상의 연결부가 일체형으로 형성된 알루미늄(Al) 전극으로서, 아노다이징(anodizing)을 통해 외면 전체에 걸쳐 산화피막이 형성된 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. The lower electrode assembly is an aluminum (Al) electrode which is formed in a flat portion formed with the plurality of plasma discharge holes and protrudes upward along the edge portion of the flat plate, and has a rectangular frame-shaped connecting portion connected to the bracket. Surface treatment apparatus using an atmospheric plasma, characterized in that the oxide film is formed over the entire outer surface through anodizing). 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 하부전극조립체에는 냉매 주입포트 및 냉매 배출포트가 더 마련되고,The lower electrode assembly is further provided with a refrigerant injection port and a refrigerant discharge port, 상기 연결부의 내부에는 상기 냉매 주입 및 배출포트와 연결되어 공급되는 냉매가 순환하는 냉매유로가 형성된 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. The surface treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma, characterized in that the refrigerant flow path circulating the refrigerant supplied in connection with the refrigerant injection and discharge port is formed in the connection portion. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 중간 플레이트에는 냉매 주입포트 및 냉매 배출포트가 더 마련되고, The intermediate plate is further provided with a refrigerant injection port and the refrigerant discharge port, 상기 냉매 주입포트를 통해 공급되는 냉매를 상기 상부전극조립체로 전달하는 냉매 주입라인 및 상기 상부전극조립체 내부에서 순환된 냉매를 상기 냉매 배출포트로 전달하는 냉매 배출라인이 상기 중간플레이트와 상기 상부전극조립체 사이에 더 마련되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. A refrigerant injection line for transferring the refrigerant supplied through the refrigerant injection port to the upper electrode assembly, and a refrigerant discharge line for transferring the refrigerant circulated in the upper electrode assembly to the refrigerant discharge port are the intermediate plate and the upper electrode assembly. Surface treatment apparatus using an atmospheric plasma, characterized in that further provided between. 제 16 항에 있어서,The method of claim 16, 상기 상부전극조립체는The upper electrode assembly is 상부가 개방된 박스형 형상을 갖는 유전체;A dielectric having a box shape with an open top; 상기 유전체 바닥부 상면에 형성된 상부전극;An upper electrode formed on an upper surface of the dielectric bottom portion; 상기 상부전극의 상면에 접착되어 상기 서포터에 착탈가능하게 체결되고, 상기 냉매 주입포트 및 냉매 배출포트와 연결되어 공급되는 냉매가 이동하는 냉매유로가 형성된 냉각블럭;A cooling block attached to an upper surface of the upper electrode to be detachably fastened to the supporter, and having a coolant flow path configured to move the coolant supplied to the coolant injection port and the coolant discharge port; 상기 상부전극과 상기 상부전극에 고전압을 인가하는 전원공급부를 연결시키는 고전압 와이어; 및A high voltage wire connecting a power supply unit applying a high voltage to the upper electrode and the upper electrode; And 상기 유전체의 내부 공간에 충진되어 상기 상부전극 및 상기 냉각블럭을 외부와 차단시키는 에폭시를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. And an epoxy filling the inner space of the dielectric to block the upper electrode and the cooling block from the outside. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 에폭시는 상기 유전체와 비슷한 열팽창계수를 갖는 고전압 에폭시인 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. Wherein said epoxy is a high voltage epoxy having a thermal expansion coefficient similar to that of said dielectric. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 에폭시는 진공상태하에서 120℃를 유지하여 경화시킴으로써 내부에 형성될 수 있는 기포를 최소화한 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면 처리장치. The epoxy surface treatment apparatus using an atmospheric pressure plasma, characterized in that to minimize the bubbles that can be formed therein by maintaining by curing at 120 ℃ under vacuum. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 유전체의 내측벽에는 상기 상부전극과 연결된 리드 단자가 더 마련되고, 상기 고전압 와이어는 상기 리드 단자와 연결됨으로써 상기 상부전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치. A lead terminal connected to the upper electrode is further provided on an inner wall of the dielectric, and the high voltage wire is electrically connected to the upper electrode by being connected to the lead terminal. 유전체를 평판형상으로 평면연마하는 단계;Planar polishing the dielectric in a plate shape; 상기 유전체의 상면에 Ag를 코팅하여 하부전극을 형성하는 단계;Coating Ag on the upper surface of the dielectric to form a lower electrode; 레이저가공을 통해 상기 하부전극에 복수개의 단차홀을 형성하는 단계;Forming a plurality of stepped holes in the lower electrode through laser processing; 상기 유전체 및 하부전극을 덮도록 유전체를 용사하는 단계; 및Thermally spraying a dielectric to cover the dielectric and the lower electrode; And 상기 단차홀의 중심축을 기준으로 상기 단차홀보다 작은 직경을 갖는 홀을 뚫어 복수개의 플라즈마 배출홀을 형성하는 단계를 포함하는 하부전극조립체 제조방법.And forming a plurality of plasma discharge holes by drilling holes having a diameter smaller than that of the step holes based on the center axis of the step holes.
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