KR20090047625A - Susceptor for chemical vapor deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

화학 기상 증착 장치용 서셉터를 제공한다.A susceptor for a chemical vapor deposition apparatus is provided.

본 발명은 반응가스가 공급되는 챔버내에 회전가능하게 배치되고, 가열수단을 통해 포켓에 올려진 웨이퍼의 표면에 금속 화합물을 화학적으로 증착하는 서셉터에 있어서, 상기 포켓이 상부면에 복수개 구비되고, 내측으로 일정깊이를 가지며 오목한 함몰부가 하부면에 복수개 구비되는 웨이퍼 안착부; 및 상기 함몰부에 에어캐비티(air cavity)를 형성하도록 상기 웨이퍼 안착부의 하부면에 밀착되어 상기 가열수단으로부터 제공되는 열을 상기 웨이퍼 안착부에 전달하는 열전달부;로 이루어진다.The present invention is a susceptor rotatably disposed in a chamber in which a reaction gas is supplied, and chemically deposits a metal compound on a surface of a wafer placed in a pocket through heating means, the pocket being provided in plural number on the upper surface thereof, A wafer seating portion having a predetermined depth therein and having a plurality of recessed recesses on a lower surface thereof; And a heat transfer part that is in close contact with the lower surface of the wafer seating part to form an air cavity in the recessed part and transfers heat provided from the heating means to the wafer seating part.

본 발명에 의하면, 포켓이 구비된 웨이퍼 안착부의 이면에 상기 포켓이 배치되는 위치에 대응하여 내측으로 일정깊이를 가지며 오목한 함몰부를 구비함으로써 휨현상이 발생한 웨이퍼를 가열하는 온도가 웨이퍼 전체에 걸쳐 균일하도록 온도분포를 조절하여 균일한 두께의 박막을 가지는 우수한 품질의 웨이퍼를 제조할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, a temperature having a constant depth inward and having a concave depression on the rear surface of a wafer seating part provided with a pocket and having a concave depression so that the temperature for heating the wafer where the warpage occurs is uniform throughout the wafer. By controlling the distribution there is an effect that can be produced a wafer of excellent quality having a thin film of uniform thickness.

서셉터, 화학 기상 증착, 웨이퍼, 박막, 가열온도 Susceptor, chemical vapor deposition, wafer, thin film, heating temperature

Description

화학 기상 증착 장치용 서셉터{Susceptor for Chemical Vapor Deposition Apparatus}Susceptor for Chemical Vapor Deposition Apparatus

본 발명은 기판상에 고온의 화학 기상 증착을 이루는 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼가 적재되는 서셉터의 구조를 변경함으로써 가열온도가 웨이퍼 전체에 걸쳐 균일하도록 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for forming a high temperature chemical vapor deposition on a substrate, and more particularly, to a susceptor for a chemical vapor deposition apparatus in which the heating temperature is uniform throughout the wafer by changing the structure of the susceptor on which the wafer is loaded. It is about.

최근 반도체 소자의 미세화와 고효율, 고출력 LED 개발등으로 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 기술 중 금속유기 화학적 기상 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD)이 각광을 받고 있다.Recently, due to miniaturization of semiconductor devices, development of high-efficiency, high-power LEDs, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) has been spotlighted among chemical vapor deposition (CVD) technologies.

이러한 MOCVD는 화학적 기상 성장법(CVD) 중의 한가지로 유기금속의 열분해반응을 이용해 반도체 기판상에 금속 화합물을 퇴적, 부착시키는 화합물 반도체의 기상 성장법을 말하는데, 반응가스를 웨이퍼 상에 반응물질 박막의 화학적 증기증착을 일으키면서 가열된 웨이퍼 위를 통과시키고, 연속적인 처리를 거쳐 웨이퍼 상에 다수의 층이 만들어지도록 한다.MOCVD is a chemical vapor deposition (CVD) method, which refers to a vapor deposition method of a compound semiconductor that deposits and deposits a metal compound on a semiconductor substrate by thermal decomposition of an organic metal. Passed over the heated wafer, causing chemical vapor deposition, followed by a series of processes to form multiple layers on the wafer.

이때, 웨이퍼 표면의 전영역에서 박막이 균일한 두께를 가지도록 하는 것이 필요한데, 이를 위해서는 웨이퍼를 가열하는 온도가 웨이퍼의 전영역에 걸쳐 균일 하도록 조절하는 것이 가장 중요하다.In this case, it is necessary to make the thin film have a uniform thickness in the entire area of the wafer surface. For this purpose, it is most important to adjust the temperature for heating the wafer so as to be uniform over the whole area of the wafer.

도 1은 일반적인 화학 기상 증착장치를 도시한 것으로서, 이러한 장치(30)는 일정크기의 내부공간을 갖는 챔버(31), 상기 챔버(31) 내에 회전가능하게 배치되어 복수개의 웨이퍼(2)가 올려지는 서셉터(susceptor)(32), 상기 서셉터(32)의 하부에 배치되어 열을 제공하는 히터(33) 및 상기 챔버(31)의 상부면으로부터 서셉터(32)의 직상부까지 연장되는 가스유입구(34)를 포함하여 구성한다.FIG. 1 illustrates a general chemical vapor deposition apparatus. The apparatus 30 includes a chamber 31 having a predetermined size of internal space, and rotatably disposed in the chamber 31 so that a plurality of wafers 2 are lifted up. The paper extends from the top surface of the susceptor 32 to the susceptor 32, the heater 33 disposed below the susceptor 32 to provide heat, and the top surface of the chamber 31. It comprises a gas inlet 34.

이러한 장치(30)는 상기 서셉터(32)의 상부면 근방까지 연장된 가스유입구(34)를 통하여 반응가스인 소스 가스(source gas)와 캐리어 가스(carrier gas)가 서셉터(32)의 상부면 중앙영역으로 유입됨으로써, 유입되는 반응가스가 높은 온도의 기판(2)상에서 화학적 증착반응으로 인해 웨이퍼(2)의 표면에 질화물 박막을 형성하고, 잔류 가스나 분산물은 챔버(31)의 벽면을 타고 하부로 배출되는 것이다.The device 30 has a source gas and a carrier gas, which are reaction gases, through the gas inlet 34 extending near the upper surface of the susceptor 32 to the upper portion of the susceptor 32. By flowing into the surface center region, the incoming reaction gas forms a nitride thin film on the surface of the wafer 2 due to chemical vapor deposition on the substrate 2 at a high temperature, and the residual gas or dispersion is formed on the wall surface of the chamber 31. Will be discharged to the bottom.

여기서, 소스 가스인 3족 가스로는 트리메틸갈륨(TMGa), 트리에틸갈륨(TEGa), 트리메틸인듐(TMIn) 및 트리메틸알루미늄(TMAl) 등이 사용되고, 캐리어 가스로는 암모니아 등이 사용된다.Here, trimethylgallium (TMGa), triethylgallium (TEGa), trimethylindium (TMIn), trimethylaluminum (TMAl), and the like are used as the Group 3 gas as the source gas, and ammonia and the like are used as the carrier gas.

도 2에서는 일반적인 화학 기상 증착 장치용 서셉터를 도시하고 있는데, 상기 서셉터(32)는 상부면에 작업 대상물인 웨이퍼(2)가 올려져 배치되도록 일정깊이로 함몰형성되는 포켓(35)을 복수개 구비하고, 상기 서셉터(32)의 하부측에는 상기 기판을 가열하기 위한 열원을 구비한다.In FIG. 2, a susceptor for a general chemical vapor deposition apparatus is illustrated. The susceptor 32 includes a plurality of pockets 35 recessed to a predetermined depth so that a wafer 2, which is a work object, is placed on an upper surface thereof. And a heat source for heating the substrate on the lower side of the susceptor 32.

그러나, 웨이퍼(2) 위에 성장되는 물질의 격자크기 차이와 온도 차이로 인하여 성장이 되면서 웨이퍼(2)가 휘게되는 현상이 발생한다(bowing effect). 이러한 웨이퍼(2)의 휨현상에 의해 웨이퍼의 안쪽은 포켓의 바닥면과 접하여 온도가 높고, 웨이퍼의 바깥쪽은 포켓으로부터 이격되어 온도가 낮아지게 된다.However, as the growth occurs due to the lattice size difference and the temperature difference of the material grown on the wafer 2, the phenomenon in which the wafer 2 is bent (bowing effect) occurs. Due to the warpage of the wafer 2, the inside of the wafer is in contact with the bottom surface of the pocket, and the temperature is high, and the outside of the wafer is spaced apart from the pocket, thereby lowering the temperature.

결국, 웨이퍼상에서 웨이퍼의 안쪽과 바깥쪽 간의 온도 차이를 유발하게 되어 성장되는 물질의 농도를 변화시킴으로써 LED와 같은 소자의 성장시 파장 균일도를 파괴시키게 되어 생산성 및 질적향상에 큰 영향을 미치는 문제를 발생시킨다.As a result, the temperature difference between the inside and the outside of the wafer is changed on the wafer, thereby changing the concentration of the grown material, thereby destroying the wavelength uniformity during the growth of devices such as LEDs, which greatly affects productivity and quality. Let's do it.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 그 목적은 포켓이 구비된 웨이퍼 안착부의 이면에 상기 포켓이 배치되는 위치에 대응하여 내측으로 오목한 함몰부를 구비함으로써 휨현상이 발생한 웨이퍼를 가열하는 온도가 웨이퍼 전체에 걸쳐 균일하도록 할 수 있는 화학 기상 증착 장치용 서셉터를 제공하는데 있다.The present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, the object is to provide a recess inwardly corresponding to the position where the pocket is disposed on the back surface of the wafer seating portion provided with a pocket to heat the wafer where the warpage occurs It is to provide a susceptor for a chemical vapor deposition apparatus that allows the temperature to be uniform throughout the wafer.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 기술적인 구성으로서 본 발명인 화학 기상 증착 장치용 서셉터는 반응가스가 공급되는 챔버내에 회전가능하게 배치되고, 가열수단을 통해 포켓에 올려진 웨이퍼의 표면에 금속 화합물을 화학적으로 증착하는 서셉터에 있어서, 상기 포켓이 상부면에 복수개 구비되고, 내측으로 일정깊이를 가지며 오목한 함몰부가 하부면에 복수개 구비되는 웨이퍼 안착부; 및 상기 함몰부에 에어캐비티(air cavity)를 형성하도록 상기 웨이퍼 안착부의 하부면에 밀착되어 상기 가열수단으로부터 제공되는 열을 상기 웨이퍼 안착부에 전달하는 열전달부;로 이루어진다.As a technical configuration for achieving the above object, the susceptor for a chemical vapor deposition apparatus of the present invention is rotatably disposed in a chamber in which a reaction gas is supplied, and a metal compound is formed on a surface of a wafer placed in a pocket through heating means. A susceptor for chemically depositing, the susceptor comprising: a wafer seating portion having a plurality of pockets on an upper surface thereof, having a predetermined depth therein, and a plurality of recessed recesses provided on a lower surface thereof; And a heat transfer part that is in close contact with the lower surface of the wafer seating part to form an air cavity in the recessed part and transfers heat provided from the heating means to the wafer seating part.

바람직하게 상기 함몰부는 상기 웨이퍼 안착부의 상부면에 상기 포켓이 구비되는 위치에 대응하여 반대편인 상기 웨이퍼 안착부의 하부면에 구비된다.Preferably, the recessed portion is provided on the lower surface of the wafer seating portion opposite to the position where the pocket is provided on the upper surface of the wafer seating portion.

바람직하게 상기 함몰부는 복수개로 구비되는 상기 포켓의 이면에 각각 구비 될 수 있도록 상기 포켓과 동일한 갯수로 구비된다.Preferably, the recess is provided in the same number as the pocket to be provided on each of the back surface of the pocket provided in plurality.

바람직하게 상기 함몰부는 상기 포켓의 직경보다 작은 직경을 가진다.Preferably the depression has a diameter smaller than the diameter of the pocket.

바람직하게 상기 함몰부는 최심부의 깊이가 상기 웨이퍼 안착부의 두께의 1/3 이상이다.Preferably, the depth of the recess is at least 1/3 of the thickness of the wafer seat.

보다 바람직하게 상기 함몰부는 최심부의 깊이가 상기 웨이퍼 안착부의 두께의 1/5 이상이다.More preferably, the depth of the recess is at least 1/5 of the thickness of the wafer seat.

본 발명에 의하면, 포켓이 구비된 웨이퍼 안착부의 이면에 상기 포켓이 배치되는 위치에 대응하여 내측으로 일정깊이를 가지며 오목한 함몰부를 구비함으로써 휨현상이 발생한 웨이퍼를 가열하는 온도가 웨이퍼 전체에 걸쳐 균일하도록 온도분포를 조절하여 균일한 두께의 박막을 가지는 우수한 품질의 웨이퍼를 제조할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, a temperature having a constant depth inward and having a concave depression on the rear surface of a wafer seating part provided with a pocket and having a concave depression so that the temperature for heating the wafer where the warpage occurs is uniform throughout the wafer. By controlling the distribution there is an effect that can be produced a wafer of excellent quality having a thin film of uniform thickness.

이하, 첨부된 도면에 따라 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치용 서셉터를 나타내는 평면도 및 단면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치용 서셉터의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.3 is a plan view and a cross-sectional view showing a susceptor for a chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, Figure 4 is a cross-sectional view showing another embodiment of the susceptor for a chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.

도 3에서 도시하는 바와 같이, 본 발명에 따른 서셉터(100)는 웨이퍼 안착 부(110) 및 열전달부(120)가 상,하로 밀착하여 결합되는 구조로 이루어진다.As shown in FIG. 3, the susceptor 100 according to the present invention has a structure in which the wafer seating unit 110 and the heat transfer unit 120 are tightly coupled up and down.

상기 웨이퍼 안착부(110)는 카본(carbon) 또는 탄화 규소(SiC)가 코팅된 카본으로 이루어지는 회전체로서, 반응가스가 공급되는 챔버 내에서 용이하게 회전되도록 원반형태를 가진다.The wafer seating unit 110 is a rotating body made of carbon coated with carbon or silicon carbide (SiC), and has a disk shape to easily rotate in a chamber in which a reaction gas is supplied.

상기 웨이퍼 안착부(110)의 상부면에는 금속 화합물을 화학적으로 증착하기 위한 웨이퍼(2)가 놓여지는 포켓(111)이 상기 웨이퍼 안착부(110)의 테두리 방향을 따라서 동일면 상에 복수개 구비된다. On the upper surface of the wafer seating unit 110, a plurality of pockets 111 on which the wafer 2 for chemically depositing a metal compound is placed are provided on the same surface along the edge direction of the wafer seating unit 110.

그리고, 상기 웨이퍼 안착부(110)의 하부면에는 내측으로 일정깊이를 가지며 오목한 함몰부(112)가 복수개 구비되는데, 상기 함몰부(112)는 상기 웨이퍼 안착부(110)의 상부면에 상기 포켓(111)이 구비되는 위치에 대응하여 그 반대편인 상기 웨이퍼 안착부(110)의 하부면에 구비된다. In addition, the lower surface of the wafer seating unit 110 is provided with a plurality of recessed recesses 112 having a predetermined depth inward, and the recesses 112 are pockets on the upper surface of the wafer seating unit 110. Corresponding to the position where the 111 is provided is provided on the lower surface of the wafer seating portion 110 opposite.

즉, 상기 웨이퍼 안착부(110)를 기준으로 포켓(111)이 상부면에 구비되고, 함몰부(112)가 그 이면인 하부면에 구비되어 서로 맞대어 배치되는 구조를 가지는 것이다. 아울러, 상기 함몰부(112)는 복수개로 구비되는 상기 포켓(111)에 대응하여 그 이면에 각각 구비될 수 있도록 상기 포켓(111)과 동일한 갯수로 구비되도록 한다.That is, the pocket 111 is provided on the upper surface with respect to the wafer seating part 110, and the recessed portion 112 is provided on the lower surface that is the rear surface thereof to have a structure in which they face each other. In addition, the recesses 112 are provided in the same number as the pockets 111 so that the recesses 112 may be provided on the rear surfaces of the pockets 111.

본 발명의 일실시예에서와 같이 상기 함몰부(112)는 상기 포켓(111)의 형상과 동일한 형상을 가지되 상기 포켓(111)의 지름보다 작은 지름을 가지도록 한다. As in the embodiment of the present invention, the recess 112 has the same shape as the shape of the pocket 111, but has a diameter smaller than the diameter of the pocket 111.

그러나, 이에 한정하는 것은 아니며 다른 실시예를 도시하고 있는 도 4에서와 같이, 상기 함몰부(112)의 형상은 중심부를 기준으로 경사진 사다리꼴 또는 돔(dome) 형상을 가지도록 성형하는 것 또한 가능하다.However, the present invention is not limited thereto, and as shown in FIG. 4, which shows another embodiment, the shape of the recess 112 may be formed to have a trapezoidal or dome shape inclined with respect to the center portion. Do.

한편, 상기 함몰부(112)는 최심부의 깊이가 상기 웨이퍼 안착부(110)의 두께의 1/3 이상이 되도록 한다. 보다 바람직하게 상기 함몰부(112)는 최심부의 깊이가 상기 웨이퍼 안착부(110)의 두께의 1/5 이상이 되도록 한다.On the other hand, the depression 112 is such that the depth of the deepest portion is 1/3 or more of the thickness of the wafer seating portion (110). More preferably, the recess 112 allows the depth of the deepest part to be 1/5 or more of the thickness of the wafer seat 110.

상기 열전달부(120)는 상기 웨이퍼 안착부(110)와 동일한 재질로 이루어지며, 동일한 원반형상의 외형을 가진다. The heat transfer part 120 is made of the same material as the wafer seating part 110 and has the same disc shape.

상기 열전달부(120)의 상부면에는 상기 웨이퍼 안착부(110)의 하부면이 배치되어 서로 밀착하여 결합을 이룬다. 이때, 상기 웨이퍼 안착부(110)의 하부면의 전체영역이 상기 열전달부(120)의 상부면과 밀착되는 것이 아니라 상기 함몰부(112) 부분을 제외하고 밀착되게 됨으로써, 상기 함몰부(112)에 에어 캐비티(air cavity)(121)를 형성하게 된다.The lower surface of the wafer seating portion 110 is disposed on the upper surface of the heat transfer part 120 to form a close contact with each other. At this time, the entire area of the lower surface of the wafer seating unit 110 is not in close contact with the upper surface of the heat transfer unit 120 but is in close contact with the recess 112 except for the recess 112. An air cavity 121 is formed in the cavity.

따라서, 상기 웨이퍼 안착부(110)와 열전달부(120)를 결합하게 되면, 그 결합면을 기준으로 상기 함몰부(112)에 해당하는 형상의 빈 공간에 대기중의 공기로 채워지는 에어 캐비티(121)가 형성되게 되는 것이다.Therefore, when the wafer seating unit 110 and the heat transfer unit 120 are coupled to each other, an air cavity filled with air in the air into an empty space having a shape corresponding to the recessed portion 112 based on the coupling surface ( 121) will be formed.

한편, 상기 열전달부(120)는 가열수단으로부터 공급되는 열을 상기 열전달부(120)의 상부면과 밀착하는 접촉면을 통하여 상기 웨이퍼 안착부(110)로 전달한다. 여기서, 열전도율이 고체에 비하여 상대적으로 낮은 공기로 채워져있는 상기 에어 캐비티(121)에 의해 상기 웨이퍼 안착부(110)측으로 전달되는 열은 전영역에 걸쳐 균일하지 못한 분포를 나타내게 된다. Meanwhile, the heat transfer part 120 transfers the heat supplied from the heating means to the wafer seating part 110 through a contact surface in close contact with the upper surface of the heat transfer part 120. Here, the heat transferred to the wafer seating portion 110 side by the air cavity 121 filled with air having a relatively low thermal conductivity compared to a solid has a non-uniform distribution over the entire area.

즉, 열전달부(120)와 직접 접촉하는 부분은 열전도율이 좋아 온도가 높은 반 면, 에어 캐비티(121)가 위치하는 부분은 열전도율이 나빠 온도가 상대적으로 낮게 나타난다.In other words, the portion in direct contact with the heat transfer part 120 has a good thermal conductivity, while the temperature is relatively low because the temperature at which the air cavity 121 is located is poor.

따라서, 상기 웨이퍼 안착부(110)상에 구비되어 있는 상기 포켓(111)의 가장자리 부분에서의 온도가 상기 에어 캐비티(121)와 맞닿는 포켓(111)의 중심부에서의 온도보다 더 높도록 온도분포를 조정할 수 있으며, 이를 통해 휨현상이 발생한 웨이퍼(2)에 대하여 효율적인 온도분포를 가지도록 하는 것이 가능하다. Therefore, the temperature distribution is increased such that the temperature at the edge of the pocket 111 provided on the wafer seat 110 is higher than the temperature at the center of the pocket 111 in contact with the air cavity 121. It is possible to adjust, and thereby to have an efficient temperature distribution with respect to the wafer 2 in which warpage has occurred.

도 1은 일반적인 화학 기상 증착 장치의 개략적인 모습을 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a schematic view of a general chemical vapor deposition apparatus.

도 2는 일반적인 화학 기상 증착 장치용 서셉터를 나타내는 평면도 및 단면도이다.2 is a plan view and a cross-sectional view showing a susceptor for a general chemical vapor deposition apparatus.

도 3은 본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치용 서셉터를 나타내는 평면도 및 단면도이다.3 is a plan view and a cross-sectional view showing a susceptor for a chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치용 서셉터의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing another embodiment of a susceptor for chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

2 : 기판(웨이퍼) 30 : 화학 기상 증착장치2 substrate (wafer) 30 chemical vapor deposition apparatus

31 : 챔버 32 : 서셉터31 chamber 32 susceptor

33 : 히터(가열수단) 34 : 가스유입구33: heater (heating means) 34: gas inlet

100 : 서셉터 110 : 웨이퍼 안착부100: susceptor 110: wafer seating portion

111 : 포켓 112 : 함몰부111: pocket 112: depression

120 : 열전달부 121 : 에어 캐비티(air cavity)120: heat transfer part 121: air cavity (air cavity)

Claims (6)

반응가스가 공급되는 챔버내에 회전가능하게 배치되고, 가열수단을 통해 포켓에 올려진 웨이퍼의 표면에 금속 화합물을 화학적으로 증착하는 서셉터에 있어서,A susceptor rotatably disposed in a chamber supplied with a reaction gas and chemically depositing a metal compound on a surface of a wafer placed in a pocket through heating means, 상기 포켓이 상부면에 복수개 구비되고, 내측으로 일정깊이를 가지며 오목한 함몰부가 하부면에 복수개 구비되는 웨이퍼 안착부; 및A wafer seating portion having a plurality of pockets provided on an upper surface thereof, having a predetermined depth inward, and a plurality of recessed recesses provided on a lower surface thereof; And 상기 함몰부에 에어캐비티(air cavity)를 형성하도록 상기 웨이퍼 안착부의 하부면에 밀착되어 상기 가열수단으로부터 제공되는 열을 상기 웨이퍼 안착부에 전달하는 열전달부;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.And a heat transfer part in close contact with the lower surface of the wafer seating portion to form an air cavity in the recessed portion and transferring heat provided from the heating means to the wafer seating portion. Dragon susceptor. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 함몰부는 상기 웨이퍼 안착부의 상부면에 상기 포켓이 구비되는 위치에 대응하여 반대편인 상기 웨이퍼 안착부의 하부면에 구비되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.The recess is a susceptor for a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that provided on the lower surface of the wafer seating portion opposite to the position where the pocket is provided on the upper surface of the wafer seating portion. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 함몰부는 복수개로 구비되는 상기 포켓의 이면에 각각 구비될 수 있도록 상기 포켓과 동일한 갯수로 구비되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.The recess is a susceptor for a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that provided in the same number as the pocket so that each can be provided on the back surface of the plurality of pockets. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 함몰부는 상기 포켓의 직경보다 작은 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.And the depression has a diameter smaller than the diameter of the pocket. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 함몰부는 최심부의 깊이가 상기 웨이퍼 안착부의 두께의 1/3 이상인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.The recess is a susceptor for a chemical vapor deposition apparatus, the depth of the deepest portion is 1/3 or more of the thickness of the wafer seating portion. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 함몰부는 최심부의 깊이가 상기 웨이퍼 안착부의 두께의 1/5 이상인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.The recess is a susceptor for a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the depth of the deepest portion is 1/5 or more of the thickness of the wafer seating portion.
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