KR20090047027A - Clock control circuit for testing of semiconductor circuit, method for controlling of clock for testing of semiconductor circuit and semiconductor device having the clock control circuit - Google Patents
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Abstract
안정적이고 신뢰성 있게 반도체 회로를 테스트 할 수 있는 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 회로, 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 방법 및 클럭 제어 회로를 구비한 반도체 장치가 개시된다. 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 회로는 지연 결함 테스트시 지연 결함 테스트 활성화 신호가 논리 '하이'인 경우 쉬프트 구간에서는 출력 클럭 신호로 테스트 클럭 신호를 출력하고, 스캔 활성화 신호가 논리 '로우'인 론치 및 캡쳐 구간에서는 정상 동작 클럭과 동일한 주파수를 가지는 클럭 펄스가 포함된 내부 출력 클럭 신호를 출력 클럭 신호로 출력함으로써 지연 결함 테스트가 수행되도록 하고, 스캔 활성화 신호가 논리 '로우'고, 지연 결함 테스트 활성화 신호가 논리 '로우'경우에는 내부 출력 클럭 신호가 론치 및 캡쳐 구간에서 출력되지 않도록 함으로써 지연 결함 테스트가 수행되지 않도록 한다. 따라서, 반도체 회로의 각 테스트 그룹에 대해 독립적으로 테스트를 수행할 수 있고, 이로 인해 안정적이고 신뢰성 있게 반도체 회로를 테스트 할 수 있다.Disclosed are a clock control circuit for a semiconductor circuit test, a clock control method for a semiconductor circuit test, and a clock control circuit capable of testing a semiconductor circuit stably and reliably. The clock control circuit for a semiconductor circuit test outputs a test clock signal as an output clock signal in a shift period when the delay defect test enable signal is logic 'high' during a delay fault test, and launches a scan enable signal as logic 'low'. In the capture section, a delay fault test is performed by outputting an internal output clock signal including a clock pulse having the same frequency as a normal operating clock as an output clock signal, and a scan enable signal is logic 'low' and a delay fault test enable signal. If the logic is 'low', the delay fault test is not performed by preventing the internal output clock signal from being output during launch and capture periods. Therefore, the test can be performed independently for each test group of the semiconductor circuit, thereby making it possible to test the semiconductor circuit stably and reliably.
반도체 회로, 집적회로, 테스트, 지연 결함, 고착 결함, 클럭 제어 Semiconductor Circuits, Integrated Circuits, Test, Delay Faults, Freeze Faults, Clock Control
Description
본 발명은 반도체 회로의 테스트에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 집적도가 높은 반도체 회로의 테스트 신뢰성 및 안정성을 높일 수 있는 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 회로, 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 방법 및 클럭 제어 회로를 구비한 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a test of a semiconductor circuit, and more particularly, a clock control circuit for a semiconductor circuit test, a clock control method and a clock control circuit for a semiconductor circuit test, which can improve test reliability and stability of a highly integrated semiconductor circuit. It relates to a semiconductor device having a.
반도체 장치의 집적도가 높아지고 동작 속도가 고속화됨에 따라 반도체 장치가 제조된 후 제조된 반도체 장치가 설계 의도 및 구현 사양에 맞게 동작 하는지를 검사하는 테스트의 중요성이 높아지고 있다.As the integration of semiconductor devices increases and the operating speeds increase, the importance of testing a semiconductor device after fabrication of a semiconductor device to verify that the semiconductor device operates according to design intent and implementation specifications is increasing.
특히, 반도체 회로의 동작 주파수가 높아짐에 따라 지연 결함 테스트의 중요도가 증가하고 있고 지연 결함 테스트를 위한 다양한 테스트 방법이 개시되고 있다.In particular, as the operating frequency of semiconductor circuits increases, the importance of delay defect testing is increasing, and various test methods for delay defect testing have been disclosed.
일반적으로, 반도체 회로의 지연 결함 테스트에서는 테스트의 신뢰성을 높이기 위해 테스트 데이터의 입력을 위한 쉬프트(shift) 구간에서는 반도체 회로의 외부에서 입력되는 저속(예를 들면, 10 MHz)의 클럭(clock)을 사용하고 반도체 회로의 지연 결함을 검출하기 위한 론치(launch) 및 캡쳐(capture) 구간에서는 반도체 회로의 정상 동작 모드에서 사용되는 클럭과 동일한 높은 주파수(수 십 내지 수 백 MHz)의 클럭을 사용한다.In general, in a delay defect test of a semiconductor circuit, a clock of a low speed (eg, 10 MHz) input from an outside of the semiconductor circuit is shifted in a shift section for inputting test data to increase test reliability. In the launch and capture periods for detecting delay defects in semiconductor circuits, clocks of the same high frequency (tens of tens to hundreds of MHz) that are used in the normal operation mode of the semiconductor circuits are used.
도 1은 종래의 지연 결함 테스트를 위한 클럭 발생회로를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 클럭발생 회로의 동작을 나타내는 파형도이다.FIG. 1 shows a clock generation circuit for a conventional delay defect test, and FIG. 2 is a waveform diagram showing the operation of the clock generation circuit shown in FIG.
도 1 및 도 2를 참조하면 종래의 지연 결함 테스트를 위한 클럭 발생 회로는 반도체 회로를 테스트 하기 위해 외부로부터 제공되는 낮은 주파수의 테스트 클럭 신호(TCK), 스캔 사이클을 활성화 시키는 스캔 활성화 신호(SE), 반도체 회로의 정상 동작시 사용되는 높은 주파수의 클럭 입력 신호(CLKI), 출력 클럭 신호(CLKO) 및 클럭 입력 신호(CLKI) 중 어느 하나의 신호를 선택하기 위한 스캔 테스트 모드 신호(STM) 및 지연 결함 인에이블 신호(DFE)에 기초하여 반도체 회로를 테스트 하기 위한 출력 클럭 신호(CLKO)를 생성한다.1 and 2, a clock generation circuit for a conventional delay defect test includes a low frequency test clock signal TCK provided externally for testing a semiconductor circuit and a scan activation signal SE activating a scan cycle. Scan scan mode signal (STM) and delay for selecting any one of a high frequency clock input signal (CLKI), an output clock signal (CLKO), and a clock input signal (CLKI) used during normal operation of a semiconductor circuit. An output clock signal CLKO for testing the semiconductor circuit is generated based on the defect enable signal DFE.
구체적으로, 종래의 지연 결함 테스트를 위한 클럭 발생 회로는 클럭 입력 신호(CLKI)에 동기되어 스캔 활성화 신호(SE)를 쉬프트하는 쉬프트 레지스터(10)와, 쉬프트 레지스터(10)의 출력 신호 및 클럭 입력 신호(CLKI)에 기초하여 반도체 회로의 지연 결함 테스트를 위한 클럭 신호를 생성하는 논리 게이트(20)와, 스캔 테스트 모드 신호(STM), 스캔 활성화 신호(SE) 및 지연 결함 인에이블 신호(DFE)에 기초하여 테스트 클럭 신호(TCK), 논리 게이트(20)의 출력 및 고주파 클럭 입력 신호(CLKI) 중 어느 하나의 신호를 선택하여 출력 클럭 신호(CLKO)를 출력하는 스위칭부(30)로 구성된다.Specifically, the conventional clock generation circuit for the delay defect test includes a
여기서, 클록 입력 신호(CLKI)는 지연 결함 테스트의 대상이 되는 반도체 회로에 구비된 PLL(Phase Locked Loop)의 출력이 사용될 수 있고, 수십 MHz 내지 수백 MHz의 주파수를 가진다.Here, the clock input signal CLKI may use an output of a phase locked loop (PLL) provided in a semiconductor circuit to be subjected to a delay defect test, and has a frequency of several tens of MHz to several hundred MHz.
또한, 스캔 활성화 신호(SE)는 테스트 데이터를 테스트 대상이 되는 반도체 회로에 구비된 스캔 체인으로 쉬프트 시키는 쉬프트 구간(50)에서는 논리'하이'를 론치 및 캡쳐 구간(60)에서는 논리 '로우'를 가진다. 지연 결함 인에이블 신호(DFE)는 지연 결함 테스트 동안에는 논리 '하이' 로 설정되며, 그 외의 정상 동작시에는 논리 '로우'로 설정 된다.In addition, the scan activation signal SE is a logic 'high' in the shift period 50 for shifting the test data to a scan chain provided in the semiconductor circuit under test, and a logic 'low' in the launch and capture period 60. Have The delay fault enable signal DFE is set to logic 'high' during the delay fault test and to logic 'low' during other normal operations.
도 1에 도시된 종래의 지연 결함 테스트를 위한 클럭 발생 회로는 쉬프트 구간(50)에서는 테스트 클럭 신호(TCK)와 동일한 주파수를 가지는 출력 클럭 신호(CLKO)에 동기되어 테스트 데이터가 스캔 체인의 스캔 테스트 셀에 로딩(loading)되고, 론치 및 캡쳐 구간(60)의 제1 상승 에지(61) 및 제2 상승 에지(63)에서는 클럭 입력 신호(CLKI)와 동일한 주파수를 가지는 출력 클럭 신호(CLKO)에 동기되어 제1 상승 에지(61)에서는 테스트 데이터가 테스트 대상 회로에 론치된 후, 제2 상승 에지(63)에서는 테스트 대상 회로에서 출력된 데이터가 캡쳐된다.The clock generation circuit for the conventional delay defect test shown in FIG. 1 is synchronized to the output clock signal CLKO having the same frequency as the test clock signal TCK in the shift period 50 so that the test data is scanned in the scan chain. The output clock signal CLKO having the same frequency as the clock input signal CLKI at the first rising
그리고, 제1 상승 에지(61)에서 론치된 데이터가 제2 상승 에지(63)에서 정 상적으로 캡쳐되지 않는 경우에는 상기 테스트 데이터에 지연 결함이 있는 것으로 판단한다.If the data launched at the first rising
도 1에 도시된 바와 같은 종래의 지연 결함 테스트를 위한 클럭 발생 회로에서는 론치 및 캡쳐 구간에서 출력되는 높은 주파수의 출력 클럭 신호가 전체 반도체 회로에 대하여 제공되기 때문에 전원 잡음(power noise)이 반도체 회로의 정상 동작시보다 더 많이 발생할 수 있고 전력 또한 정상 동작시 보다 많이 요구되어 기대값과는 다른 값이 출력될 수 있고, 이로 인해 부정확한 테스트 결과를 얻을 수 있다. 그리고 상기와 같은 단점으로 인해 지연 결함 테스트를 위한 클럭 발생 회로를 전체 반도체 회로에 적용하여 지연 결함 테스트를 수행할 수 없는 문제점이 있다.In the clock generation circuit for the conventional delay defect test as shown in FIG. 1, power noise is generated in the semiconductor circuit because the high frequency output clock signal output in the launch and capture periods is provided to the entire semiconductor circuit. More power may be generated than in normal operation, and power is also required more than in normal operation, and a value different from the expected value may be output, which may result in inaccurate test results. In addition, there is a problem in that the delay defect test cannot be performed by applying the clock generation circuit for the delay defect test to the entire semiconductor circuit due to the above disadvantage.
따라서, 본 발명의 제1 목적은 안정적이고 신뢰성 있게 반도체 회로를 테스트 할 수 있는 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 회로를 제공하는 것이다.Accordingly, a first object of the present invention is to provide a clock control circuit for testing a semiconductor circuit capable of testing a semiconductor circuit stably and reliably.
또한, 본 발명의 제2 목적은 안정적이고 신뢰성 있게 반도체 회로를 테스트 할 수 있는 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 방법을 제공하는 것이다.In addition, a second object of the present invention is to provide a clock control method for testing a semiconductor circuit capable of testing a semiconductor circuit stably and reliably.
또한, 본 발명의 제3 목적은 상기 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 회로를 구비한 반도체 장치를 제공하는 것이다.Further, a third object of the present invention is to provide a semiconductor device having a clock control circuit for the semiconductor circuit test.
상술한 본 발명의 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 회로는, 입력된 적어도 하나의 신호에 기초하여 제1 클럭 신호 및 적어도 하나의 스위칭 제어 신호를 생성하는 클럭 제어부와, 테 스트 활성화 신호에 기초하여 상기 제1 클럭 신호의 출력 여부를 제어하기 위한 제1 제어 신호를 생성하는 논리 연산부 및 상기 제1 제어 신호에 기초하여 상기 제1 클럭 신호의 출력을 스위칭하는 스위칭부를 포함한다. 상기 클럭 제어부는 상기 입력된 적어도 하나의 신호에 기초하여 상기 제1 클럭 신호와 제1 주파수를 가지는 제2 클럭 신호 중 어느 하나의 신호를 출력하기 위한 제1 스위칭 제어 신호 및 상기 제1 스위칭 신호에 기초하여 출력된 신호와 제2 주파수를 가지는 제3 클럭 신호 중 어느 하나의 신호를 출력하기 위한 제2 스위칭 제어 신호를 생성할 수 있다. 상기 클럭 제어부는 입력된 스캔 활성화 신호가 제1 논리 상태인 경우에는 제1 주파수를 가지는 제2 클럭 신호가 출력되기 위한 제1 스위칭 제어 신호를 생성하고, 상기 입력된 스캔 활성화 신호가 제2 논리 상태인 경우에는 상기 제1 클럭 신호를 출력하기 위한 제2 스위칭 제어 신호를 생성할 수 있다. 상기 논리 연산부는 상기 테스트 활성화 신호가 제1 논리 상태인 경우에는 상기 제1 클럭 신호가 출력되고, 상기 테스트 활성화 신호가 제2 논리 상태인 경우에는 상기 제1 클럭 신호가 출력되지 않도록 하는 상기 제1 제어 신호를 생성할 수 있다. 상기 스위칭부는 상기 적어도 하나의 스위칭 제어 신호에 기초하여 상기 제1 클럭 신호, 제1 주파수를 가지는 제2 클럭 신호 및 제2 주파수를 가지는 제3 클럭 신호 중 어느 하나의 신호를 출력하고, 상기 적어도 하나의 스위칭 제어 신호에 기초하여 출력된 상기 어느 하나의 신호를 상기 제1 제어 신호에 기초하여 스위칭할 수 있다. 상기 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 회로는 상기 제1 제어 신호가 제1 논리 상태이고, 입력된 스캔 활성화 신호가 제1 논리 상태인 경우에는 제1 주파수를 가지는 제2 클럭 신호를 출력하고, 상기 입력된 스캔 활성화 신호가 제2 논리 상태인 경우에는 상기 제1 클럭 신호를 출력할 수 있다. 상기 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 회로는 상기 제1 제어 신호가 제2 논리 상태이고, 상기 입력된 스캔 활성화 신호가 제1 논리 상태인 경우에는 제1 주파수를 가지는 제2 클럭 신호를 출력하고, 상기 입력된 스캔 활성화 신호가 제2 논리 상태인 경우에는 상기 제1 클럭 신호를 출력하지 않을 수 있다. 상기 제1 클럭 신호는 테스트 대상 회로에 테스트 데이터를 론치하고, 상기 테스트 대상 회로의 출력을 캡쳐하기 위한 두 개의 상승 에지를 포함할 수 있다.A clock control circuit for testing a semiconductor circuit according to an aspect of the present invention for achieving the first object of the present invention described above, the first clock signal and at least one switching control signal based on the input at least one signal. A logic control unit to generate a first control signal for controlling whether the first clock signal is output based on a clock control unit to generate the first control signal and an output of the first clock signal based on the first control signal It includes a switching unit for switching. The clock controller is further configured to output a first switching control signal and the first switching signal for outputting any one of the first clock signal and a second clock signal having a first frequency based on the input at least one signal. The second switching control signal may be generated to output one of the output signal and the third clock signal having the second frequency. The clock controller generates a first switching control signal for outputting a second clock signal having a first frequency when the input scan activation signal is in a first logic state, and the input scan activation signal is in a second logic state. In this case, a second switching control signal for outputting the first clock signal may be generated. The logic calculator is configured to output the first clock signal when the test activation signal is in a first logic state, and not to output the first clock signal when the test activation signal is in a second logic state. A control signal can be generated. The switching unit outputs any one of the first clock signal, the second clock signal having a first frequency and the third clock signal having a second frequency based on the at least one switching control signal, and the at least one The one signal output based on the switching control signal of may be switched based on the first control signal. The clock control circuit for the semiconductor circuit test outputs a second clock signal having a first frequency when the first control signal is in a first logic state and the input scan activation signal is in a first logic state. When the scanned scan activation signal is in the second logic state, the first clock signal may be output. The clock control circuit for the semiconductor circuit test outputs a second clock signal having a first frequency when the first control signal is in a second logic state and the input scan activation signal is in a first logic state. When the input scan activation signal is in the second logic state, the first clock signal may not be output. The first clock signal may include two rising edges for launching test data into a test target circuit and capturing an output of the test target circuit.
또한, 본 발명의 제2 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 방법은 입력된 적어도 하나의 신호에 기초하여 제1 클럭 신호 및 적어도 하나의 스위칭 제어 신호를 생성하는 단계와, 테스트 활성화 신호에 기초하여 상기 제1 클럭 신호의 출력 여부를 제어하기 위한 제1 제어 신호를 생성하는 단계 및 상기 제1 제어 신호에 기초하여 상기 제1 클럭 신호의 출력을 스위칭하는 단계를 포함한다. 상기 제1 클럭 신호 및 적어도 하나의 스위칭 제어 신호를 생성하는 단계는 입력된 스캔 활성화 신호가 제1 논리 상태인 경우에는 제1 주파수를 가지는 제2 클럭 신호가 출력되기 위한 제1 스위칭 제어 신호를 생성하는 단계 및 상기 입력된 스캔 활성화 신호가 제2 논리 상태인 경우에는 상기 제1 클럭 신호를 출력하기 위한 제2 스위칭 제어 신호를 생성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제1 제어 신호를 생성하는 단계는 상기 테스트 활성화 신호가 제1 논리 상태인 경우에는 상기 제1 클럭 신호가 출력되고, 상기 테스트 활성화 신호가 제2 논리 상태인 경우에는 상기 제1 클럭 신호가 출력되지 않도록 하는 상기 제1 제어 신호를 생성할 수 있다. 상기 제1 제어 신호에 기초하여 상기 제1 클럭 신호의 출력을 스위칭하는 단계는, 상기 적어도 하나의 스위칭 제어 신호에 기초하여 상기 제1 클럭 신호, 제1 주파수를 가지는 제2 클럭 신호 및 제2 주파수를 가지는 제3 클럭 신호 중 어느 하나의 신호를 출력하는 제1 단계 및 상기 제1 제어 신호에 기초하여 상기 제1 단계에서 출력된 신호를 스위칭하는 제2 단계를 포함할 수 있다.In addition, the clock control method for testing a semiconductor circuit according to an aspect of the present invention for achieving the second object of the present invention generates a first clock signal and at least one switching control signal based on the input at least one signal. And generating a first control signal for controlling whether the first clock signal is output based on a test activation signal, and switching the output of the first clock signal based on the first control signal. It includes. The generating of the first clock signal and the at least one switching control signal may include generating a first switching control signal for outputting a second clock signal having a first frequency when the input scan activation signal is in a first logic state. And generating a second switching control signal for outputting the first clock signal when the input scan activation signal is in a second logic state. The generating of the first control signal may include outputting the first clock signal when the test activation signal is in a first logic state and outputting the first clock signal when the test activation signal is in a second logic state. The first control signal may be generated so as not to. The switching of the output of the first clock signal based on the first control signal may include the first clock signal, a second clock signal having a first frequency, and a second frequency based on the at least one switching control signal. The method may include a first step of outputting any one of a third clock signal having a and a second step of switching the signal output in the first step based on the first control signal.
또한, 본 발명의 제3 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 클럭 제어 회로를 구비한 반도체 장치는, 입력된 적어도 하나의 신호에 기초하여 제1 클럭 신호 및 적어도 하나의 스위칭 제어 신호를 생성하는 클럭 제어부와, 테스트 활성화 신호에 기초하여 상기 제1 클럭 신호의 출력 여부를 제어하기 위한 제1 제어 신호를 생성하는 논리 연산부 및 상기 제1 제어 신호에 기초하여 상기 제1 클럭 신호의 출력을 스위칭하는 스위칭부를 각각 포함하는 적어도 하나의 클럭 제어회로 및 상기 적어도 하나의 클럭 제어회로로부터 각각 출력된 제1 클럭 신호에 기초하여 소정의 테스트가 독립적으로 수행되는 적어도 하나의 테스트 그룹을 포함한다. 상기 적어도 하나의 테스트 그룹 각각은 상기 제1 클럭 신호가 제공된 경우에는 소정의 테스트를 수행하고, 상기 제1 클럭 신호가 제공되지 않는 경우에는 상기 소정의 테스트를 수행하지 않을 수 있다. 상기 적어도 하나의 테스트 그룹 각각은 클럭의 연관성, 집적도 및 회로의 기능 중 적어도 하나의 기준에 의해 구분될 수 있다.In addition, a semiconductor device having a clock control circuit according to an aspect of the present invention for achieving the third object of the present invention, based on the input at least one signal and at least one switching control signal. A logic controller configured to generate a first control signal for controlling whether the first clock signal is output based on a clock control unit to generate the first control signal and a output signal of the first clock signal based on the first control signal; And at least one clock control circuit each including a switching unit for switching, and at least one test group independently performing a predetermined test based on first clock signals respectively output from the at least one clock control circuit. Each of the at least one test group may perform a predetermined test when the first clock signal is provided, and may not perform the predetermined test when the first clock signal is not provided. Each of the at least one test group may be distinguished by a criterion of at least one of clock relevance, integration, and circuit function.
상기와 같은 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 회로, 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 방법 및 클럭 제어 회로를 구비한 반도체 장치에 따르면 지연 결함 테스트시 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN)가 논리 '하이'이고, 스캔 활성화 신호(SE)가 논리 '하이'인 쉬프트 구간에서는 출력 클럭 신호(CLK_OUT)로 테스트 클럭 신호(TEST_CLK)를 출력하고, 스캔 활성화 신호(SE)가 논리 '로우'인 론치 및 캡쳐 구간에서는 정상 동작 클럭과 동일한 주파수를 가지는 클럭 펄스가 포함된 내부 출력 클럭 신호(CLK_O)를 출력 클럭 신호(CLK_OUT)로 출력함으로써 반도체 회로의 지연 결함 테스트가 수행되도록 한다.According to the semiconductor device including the clock control circuit for the semiconductor circuit test, the clock control method for the semiconductor circuit test, and the clock control circuit, the delay defect test enable signal TDF_EN is logic 'high' during the delay defect test. The test clock signal TEST_CLK is output as the output clock signal CLK_OUT in the shift period in which the scan enable signal SE is logic 'high', and normal in the launch and capture period in which the scan enable signal SE is logic 'low'. The delay fault test of the semiconductor circuit may be performed by outputting the internal output clock signal CLK_O including the clock pulse having the same frequency as the operation clock as the output clock signal CLK_OUT.
또는, 스캔 활성화 신호(SE)가 논리 '로우'고, 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN)가 논리 '로우'경우에는 내부 출력 클럭 신호(CLK_O)가 론치 및 캡쳐 구간에서 출력되지 않도록 함으로써 지연 결함 테스트가 수행되지 않도록 한다.Alternatively, when the scan enable signal SE is logic 'low' and the delay fault test enable signal TDF_EN is logic 'low', the delay fault test is performed by preventing the internal output clock signal CLK_O from being output in the launch and capture periods. Is not performed.
따라서, 반도체 회로의 각 테스트 그룹에 대해 독립적으로 테스트를 수행할 수 있고, 이로 인해 반도체 회로의 테스트 과정에서 전원 잡음과 같은 장애 요인에 의한 테스트 결함 가능성을 줄일 수 있다.Therefore, the test can be performed independently for each test group of the semiconductor circuit, thereby reducing the possibility of test defects caused by obstacles such as power supply noise during the test of the semiconductor circuit.
또한, 집적도가 높은 반도체 회로를 소규모 테스트 그룹으로 분리하고 각 테스트 그룹에 대해 독립적으로 테스트를 수행할 수 있기 때문에 다양한 조합으로 반도체 회로를 테스트 할 수 있고, 테스트를 위한 테스트 벡터 개발 기간을 줄일 수 있다. 또한, 각각의 테스트 그룹에 대해 독립적으로 테스트를 수행함으로써 테스트 결과에 대한 검증 및 문제 해결 과정도 단순화시킬 수 있다.In addition, high-density semiconductor circuits can be separated into smaller test groups and tests can be performed independently for each test group, enabling testing of semiconductor circuits in various combinations and reducing test vector development time for testing. . It also simplifies the verification and troubleshooting of test results by running tests independently for each test group.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. As the invention allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the written description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar elements.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component. The term and / or includes a combination of a plurality of related items or any item of a plurality of related items.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it may be directly connected to or connected to that other component, but it may be understood that other components may be present in between. Should be. On the other hand, when a component is said to be "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in between.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것 으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가진 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명을 설명함에 있어 전체적인 이해를 용이하게 하기 위하여 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail a preferred embodiment of the present invention. In the following description of the present invention, the same reference numerals are used for the same elements in the drawings and redundant descriptions of the same elements will be omitted.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 회로의 구성을 나타내고, 도 4는 도 3에 도시된 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 회로의 함수표를 나타낸다. 또한, 도 5는 도 3에 도시된 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 회로가 지연 결함 테스트 모드로 동작하는 경우의 타이밍도를 나타낸다.FIG. 3 illustrates a configuration of a clock control circuit for a semiconductor circuit test according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 illustrates a function table of the clock control circuit for the semiconductor circuit test illustrated in FIG. 3. 5 shows a timing diagram when the clock control circuit for testing the semiconductor circuit shown in FIG. 3 operates in the delay defect test mode.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 클럭 제어 회로는 클럭 제어부(110), 논리 연산부(120), 제1 스위칭부(130), 제2 스위칭부(140) 및 제3 스위칭부(150)를 포함하고, 클럭 입력 신호(CLK_IN), 테스트 클럭 신호(TEST_CLK), 스캔 활성화 신호(SE), 고착 결함 테스트 신호(SCAN_TEST), 지연 결함 테스트 신호(TDF_TEST) 및 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN)에 기초하여 반도체 회로를 테스트 하기 위한 출력 클럭 신호(CLK_OUT)를 생성한다.3 to 5, a clock control circuit according to an embodiment of the present invention includes a
클럭 입력 신호(CLK_IN)는 수십 내지 수백 MHz의 주파수를 가지는 클럭 신호로 반도체 회로의 정상 동작을 위한 클럭 신호로 사용될 수 있고, 테스트 대상이 되는 반도체 회로의 내부에 구비된 PLL(Phase Locked Loop)을 통해 제공될 수 있다.The clock input signal CLK_IN is a clock signal having a frequency of tens to hundreds of MHz, and may be used as a clock signal for normal operation of a semiconductor circuit. The clock input signal CLK_IN may be a phase locked loop (PLL) provided in a semiconductor circuit under test. Can be provided through.
테스트 클럭 신호(TEST_CLK)는 반도체 회로의 테스트를 위해 별도로 제공되는 낮은 주파수(예를 들면, 10 MHz)의 클럭 신호로서 예를 들면 JTAG(Joint Test Action Group) 컨트롤러 또는 반도체 장치의 외부로부터 제공될 수 있다.The test clock signal TEST_CLK is a low frequency (eg, 10 MHz) clock signal that is provided separately for the test of the semiconductor circuit and may be provided, for example, from a Joint Test Action Group (JTAG) controller or an external device of the semiconductor device. have.
스캔 활성화 신호(SE)는 반도체 회로의 지연 결함 테스트시 테스트 데이터를 반도체 회로 내부에 구성된 스캔 체인(미도시)의 스캔 테스트 셀(미도시)에 쉬프트하는 쉬프트 구간(210)에서는 논리 '하이'로 설정되고, 쉬프트된 테스트 데이터를 테스트 대상 회로에 론치(launch)하고 캡쳐(capture)하는 론치 및 캡쳐 구간(230)에서는 논리 '로우'로 설정된다.The scan activation signal SE is a logic 'high' in the
여기서, 상기 스캔 테스트 셀은 공지된 기술에 해당하므로 상세히 도시하지 는 않았으나 반도체 회로의 내부에 설치된 일종의 레지스터로서 출력 클럭 신호(CLK_OUT)의 쉬프트 구간(210)의 클럭에 동기되어 테스트 데이터를 로딩(loading)하고 스캔 체인에 연결된 다른 스캔 테스트 셀에 쉬프트 한 후, 출력 클럭 신호(CLK_OUT)의 런치 및 캡쳐 구간(230)의 클럭에 동기되어 테스트 데이터를 테스트 대상 회로에 론치하고, 캡쳐한다.Here, since the scan test cell corresponds to a known technique, although not shown in detail, the scan test cell is a kind of register installed inside the semiconductor circuit, and loads test data in synchronization with the clock of the
고착 결함 테스트 신호(SCAN_TEST)는 반도체 회로의 고착 결함(Stuck-At) 테스트를 활성화하는 신호로 고착 결함 테스트시에는 논리 '하이'로 설정되고, 기타의 경우에는 논리 '로우'로 설정된다.The stuck defect test signal SCAN_TEST is a signal that activates the stuck-at test of the semiconductor circuit. The stuck defect test signal SCAN_TEST is set to a logic 'high' during the stuck defect test, and is set to a logic 'low' in other cases.
지연 결함 테스트 신호(TDF_TEST)는 반도체 회로의 지연 결함 테스트를 활성화하는 신호로 지연 결함 테스트시에는 논리 '하이'로 설정되고, 정상동작 및 고착 결함 테스트시에는 논리 '로우'로 설정된다.The delay defect test signal TDF_TEST is a signal for activating a delay defect test of a semiconductor circuit. The delay defect test signal TDF_TEST is set to a logic 'high' for a delay defect test and a logic 'low' for a normal operation and a stuck defect test.
지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN)는 반도체 회로의 지연 결함 테스트시 론치 및 캡쳐 구간에서 클럭 입력 신호(CLK_IN)와 동일한 주파수를 가지는 클럭 신호의 출력 유무를 제어하기 위한 신호이다.The delay defect test activation signal TDF_EN is a signal for controlling the output of a clock signal having the same frequency as the clock input signal CLK_IN in the launch and capture periods during the delay defect test of the semiconductor circuit.
출력 클럭 신호(CLK_OUT)는 스캔 체인의 스캔 테스트 셀에 제공되어 테스트 데이터가 반도체 회로 내의 적당한 위치로 쉬프트 되거나 테스트 대상 회로에 론치 및 캡쳐 되도록 한다.The output clock signal CLK_OUT is provided to the scan test cells of the scan chain so that the test data can be shifted to a suitable position in the semiconductor circuit or launched and captured in the circuit under test.
구체적으로, 클럭 제어부(110)는 클럭 입력 신호(CLK_IN), 스캔 활성화 신호(SE), 고착 결함 테스트 신호(SCAN_TEST), 지연 결함 테스트 신호(TDF_TEST) 및 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN)에 기초하여 내부 출력 클럭 신호(CLK_0), 제1 스위칭 제어신호(MUX_C1) 및 제2 스위칭 제어신호(MUX_C2)를 생성한다.Specifically, the
상기 내부 출력 클럭 신호(CLK_0)는 반도체 회로의 정상 동작시와 동일한 클럭을 사용하여 지연 결함을 테스트하기 위해 소정 구간에 클럭 입력 신호(CLK_IN)과 동일한 주파수를 갖는 두 개의 클럭 펄스를 포함하고, 예를 들어, 클럭 입력 신호(CLK_IN)의 소정 구간에 대해 마스크(mask) 연산을 수행함으로써 생성시킬 수 있다.The internal output clock signal CLK_0 includes two clock pulses having the same frequency as the clock input signal CLK_IN in a predetermined period to test a delay defect using the same clock as in the normal operation of the semiconductor circuit. For example, it may be generated by performing a mask operation on a predetermined section of the clock input signal CLK_IN.
논리 연산부(120)는 인버터(Not Gate) 및 논리곱 게이트(AND Gate)의 조합으로 구성될 수 있고, 스캔 활성화 신호(SE), 지연 결함 테스트 신호(TDF_TEST) 및 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN)를 논리 연산하여 제3 스위칭 제어신호(MUX_C3)를 생성한다.The
제1 스위칭부(130)는 21 멀티플렉서로 구성될 수 있고, 클럭 제어부(110)로부터 제공된 제1 스위칭 제어신호(MUX_C1)에 기초하여 테스트 클럭 신호(TEST_CLK) 및 내부 출력 클럭 신호(CLK_0) 중 어느 하나의 신호를 출력한다.The
제2 스위칭부(140)는 21 멀티플렉서로 구성될 수 있고, 클럭 제어부(110)로부터 제공된 제2 스위칭 제어신호(MUX_C2)에 기초하여 제1 스위칭부(130)의 출력 및 클럭 입력 신호(CLK_IN) 중 어느 하나의 신호를 출력한다.The
제3 스위칭부(150)는 21 멀티플렉서로 구성될 수 있고, 논리 연산부(120)로부터 제공된 제3 스위칭 제어신호(MUX_C3)에 기초하여 제2 스위칭부(140) 및 논리 '로우' 신호 중 어느 하나의 신호를 출력한다.The
도 4에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 클럭 제어 회로는 고 착 결함 테스트 모드, 지연 결함 테스트 모드 및 정상 동작 모드로 동작할 수 있고, 고착 결함 테스트 모드에서는 고착 결함 테스트 신호(SCAN_TEST)는 논리 '하이'로 설정되고, 지연 결함 테스트 신호는 논리 '로우'로 설정된다. 그리고, 스캔 활성화 신호(SE) 및 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN)의 논리값에 상관 없이(즉, don't care) 클럭 제어부(110)는 제1 스위칭 제어신호(MUX_C1)로 논리 '하이'를 출력하고, 제2 스위칭 제어신호(MUX_C2)로 논리 '로우'를 출력한다.As shown in FIG. 4, the clock control circuit according to an exemplary embodiment of the present invention may operate in a stuck defect test mode, a delayed defect test mode, and a normal operation mode, and in the stuck defect test mode, the stuck defect test signal SCAN_TEST. ) Is set to logic 'high' and the delay fault test signal is set to logic 'low'. In addition, regardless of the logic values of the scan activation signal SE and the delay defect test activation signal TDF_EN (that is, don't care), the
또한, 논리 연산부(120)은 제3 스위칭 제어신호(MUX_C3)로 논리 '로우'를 출력함으로써 출력 클럭 신호(CLK_OUT)는 저속의 테스트 클럭 신호(TEST_CLK)가 출력된다.In addition, the
즉, 고착 결함 테스트 모드에서는 소정의 테스트 대상 회로에 소정의 테스트 데이터를 입력하고 지연 시간에 상관 없이 입력된 테스트 데이터의 출력 여부를 확인하여 고착 결함 여부를 테스트하기 때문에 클럭 제어 회로는 낮은 주파수의 테스트 클럭 신호(TEST_CLK)를 출력 클럭 신호(CLK_OUT)로 출력한다.That is, in the fixed defect test mode, the clock control circuit tests a low frequency test by inputting predetermined test data into a predetermined test target circuit and checking whether or not the input test data is output regardless of delay time. The clock signal TEST_CLK is output as the output clock signal CLK_OUT.
지연 결함 테스트 모드에서는 고착 결함 테스트 신호(SCAN_TEST)는 논리 '로우', 지연 결함 테스트 신호(TDF_TEST) 및 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN)는 논리 '하이'로 설정되고, 스캔 활성화 신호(SE)가 논리 '하이'로 설정된 구간 즉, 쉬프트 구간(210)에서는 클럭 제어부(110)는 제1 스위칭 제어신호(MUX_C1)로 논리 '하이'를 출력하고, 제2 스위칭 제어신호(MUX_C2)로 논리 '로우'를 출력한다. 그리고, 논리 연산부(120)는 제3 스위칭 제어신호(MUX_C3)로 논리 '로우'를 출력함으로써 출력 클럭 신호(CLK_OUT)는 테스트 클럭 신호(TEST_CLK)를 출력한다.In the delayed fault test mode, the stuck fault test signal SCAN_TEST is set to logic 'low', the delayed fault test signal TDF_TEST and the delayed fault test enable signal TDF_EN are set to logic 'high', and the scan enable signal SE is In the period set to logic 'high', that is, the
또한, 고착 결함 테스트 신호(SCAN_TEST)는 논리 '로우', 지연 결함 테스트 신호(TDF_TEST) 및 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN)는 논리 '하이'로 설정되고, 스캔 활성화 신호(SE)가 논리 '로우'로 설정된 구간 즉, 론치 및 캡쳐 구간(230)에서는 클럭 제어부(110)는 제1 스위칭 제어신호(MUX_C1)로 논리 '로우'를 출력하고, 제2 스위칭 제어신호(MUX_C2)로 논리 '로우'를 출력한다. 그리고, 논리 연산부(120)는 제3 스위칭 제어신호(MUX_C3)로 논리 '로우'를 출력함으로써 출력 클럭 신호(CLK_OUT)는 클럭 제어부(110)의 출력인 내부 출력 클럭 신호(CLK_O)를 출력한다.In addition, the fixed defect test signal SCAN_TEST is set to logic 'low', the delayed defect test signal TDF_TEST and the delayed defect test enable signal TDF_EN are set to logic 'high', and the scan enable signal SE is set to logic 'low'. In the set period, that is, the launch and capture
도 5에 도시된 바와 같이, 스캔 활성화 신호(SE)가 논리 '로우'로 설정된 구간인 론치 및 캡쳐 구간(230)은 제1 상승 에지(rising edge)(231) 및 제2 상승 에지(233)를 포함하고, 제1 상승 에지(231)에서는 스캔 테스트 셀에 로딩(loading)된 테스트 데이터가 테스트 대상 회로에 론치되고, 제2 상승 에지(233)에서는 테스트 대상 회로로부터 출력된 데이터가 캡쳐된다.As shown in FIG. 5, the launch and capture
또한, 정상 모드에서는 스캔 활성화 신호(SE), 고착 결함 테스트 신호(SCAN_TEST), 지연 결함 테스트 신호(TDF_TEST) 및 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN)가 모두 논리 '로우'로 설정되고, 이에 따라 클럭 제어부(110)는 제2 스위칭 제어 신호(MUX_C2)로 논리 '하이'를 출력하고, 논리 연산부(120)는 제3 스위칭 제어 신호(MUX_C3)로 논리 '로우'를 출력함으로써 클럭 입력 신호(CLK_IN)를 출력 클럭 신호(CLK_OUT)로 출력한다.In addition, in the normal mode, the scan enable signal SE, the stuck fault test signal SCAN_TEST, the delayed fault test signal TDF_TEST, and the delayed fault test enable signal TDF_EN are all set to logic 'low'. 110 outputs a logic 'high' as the second switching control signal MUX_C2, and the
도 3에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 회로에서 스캔 활성화 신호(SE)가 논리 '로우'로 설정되고, 지연 결함 테스트 신호(TDF_TEST)가 논리 '하이'로 설정된 경우, 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN)가 논리 '로우'로 설정되면, 논리 연산부(120)는 제3 스위칭 제어신호(MUX_C3)로 논리 '하이'를 출력하게 되고 이에 따라 출력 클럭 신호(CLK_OUT)는 논리 '로우'를 출력함으로써, 클럭 입력 신호(CLK_IN)과 동일한 높은 주파수를 가지는 클럭 신호가 생성되지 않는다.In the clock control circuit for testing the semiconductor circuit according to the exemplary embodiment of FIG. 3, the scan enable signal SE is set to logic 'low' and the delay defect test signal TDF_TEST is set to logic 'high'. If set, when the delay defect test activation signal TDF_EN is set to a logic 'low', the
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 클럭 제어 회로를 구비한 반도체 장치의 구성을 나타내는 블록도이고, 도 7은 도 6에 도시된 클럭 제어 회로를 구비한 반도체 장치에서 지연 결함 테스트 활성화 신호에 상응하여 출력된 출력 클럭 신호를 나타내는 타이밍도이다.6 is a block diagram illustrating a configuration of a semiconductor device having a clock control circuit according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 7 is a diagram illustrating a delay defect test activation signal in the semiconductor device having the clock control circuit illustrated in FIG. 6. A timing diagram showing an output clock signal correspondingly output.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 클럭 제어 회로를 구비한 반도체 장치는 제1 클럭 제어 회로(100), 제2 클럭 제어 회로(200), 제3 클럭 제어 회로(300), 제1 테스트 그룹(410), 제2 테스트 그룹(420), 제3 테스트 그룹(430) 및 JTAG 컨트롤러(510)를 포함할 수 있다.6 and 7, a semiconductor device having a clock control circuit according to an embodiment of the present invention may include a first
상기 제1 클럭 제어 회로(100), 제2 클럭 제어 회로(200), 제3 클럭 제어 회로(300)는 도 3에 도시된 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 회로와 동일한 구성 및 기능을 수행하므로 중복을 피하기 위해 상세한 설명을 생략한다.The first
제1 클럭 제어 회로(100), 제2 클럭 제어 회로(200), 제3 클럭 제어 회로(300)에는 각각 클럭 입력 신호(CLK_IN), 테스트 클럭 신호(TEST_CLK), 스캔 활성화 신호(SE), 고착 결함 테스트 신호(SCAN_TEST) 및 지연 결함 테스트 신 호(TDF_TEST)가 공통으로 입력된다.The clock input signal CLK_IN, the test clock signal TEST_CLK, the scan activation signal SE, and the fixation are attached to the first
제1 클럭 제어 회로(100)는 상기 공통 입력 신호들(즉, CLK_IN, TEST_CLK, SE, SCAN_TEST 및 TDF_TEST) 및 제1 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN_G1)에 기초하여 제1 출력 클럭 신호(CLK_OUT_G1)를 생성하여 제1 테스트 그룹(410)에 제공한다.The first
제2 클럭 제어 회로(200)는 상기 공통 입력 신호들(즉, CLK_IN, TEST_CLK, SE, SCAN_TEST 및 TDF_TEST) 및 제2 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN_G2)에 기초하여 제2 출력 클럭 신호(CLK_OUT_G2)를 생성하여 제2 테스트 그룹(420)에 제공한다.The second
제3 클럭 제어 회로(300)는 상기 공통 입력 신호들(즉, CLK_IN, TEST_CLK, SE, SCAN_TEST 및 TDF_TEST) 및 제3 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN_G3)에 기초하여 제3 출력 클럭 신호(CLK_OUT_G3)를 생성하여 제3 테스트 그룹(430)에 제공한다.The third
제1 테스트 그룹(410), 제2 테스트 그룹(420) 및 제3 테스트 그룹(430)은 각각 스캔 체인을 형성하는 적어도 하나의 스캔 테스트 셀 및 테스트 대상 회로를 포함할 수 있고, 상기 제1 출력 클럭 신호(CLK_OUT_G1), 제2 출력 클럭 신호(CLK_OUT_G2) 및 제3 출력 클럭 신호(CLK_OUT_G3)에 각각 동기되어 쉬프트 구간(610)에서는 테스트 데이터가 적어도 하나의 스캔 테스트 셀에 로딩되고 론치 및 캡쳐 구간(630)의 제1 상승 에지(631)에서는 상기 적어도 하나의 스캔 테스트 셀로부터 테스트 대상 회로에 테스트 데이터가 론치되고 제2 상승 에지(633)에서 상기 테스트 대상 회로로부터 출력된 테이터가 캡쳐됨으로써 지연 결함 테스트가 수행된다.The
JTAG(Joint Test Action Group) 컨트롤러의 구성 및 기능은 공지된 기술에 해당하므로 상세하게 도시하지는 않았으나 JTAG 포트를 통해 입력된 신호(TCK: Test Clock, TMS: Test Mode Select, TDI: Test Data Input, TRST_N: Test Reset, TDO: Test Data Output)에 기초하여 고착 결함 테스트 신호(SCAN_TEST), 지연 결함 테스트 신호(TDF_TEST), 제1 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN_G1), 제2 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN_G2) 및 제3 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN_G3)를 생성한다.Since the configuration and function of the Joint Test Action Group (JTAG) controller are well-known technologies, they are not shown in detail, but signals input through the JTAG port (TCK: Test Clock, TMS: Test Mode Select, TDI: Test Data Input, TRST_N). : Fixation fault test signal SCAN_TEST, delay fault test signal TDF_TEST, first delay fault test enable signal TDF_EN_G1, second delay fault test enable signal TDF_EN_G2 based on Test Reset, TDO: Test Data Output And a third delay defect test activation signal TDF_EN_G3.
JTAG 컨트롤러는 반도체 회로의 테스트 모드 및 테스트 그룹에 따라 JTAG 포트를 통해 프로그램 될 수 있고 제어될 수 있다.The JTAG controller can be programmed and controlled through the JTAG port, depending on the test mode and test group of the semiconductor circuit.
예를 들어, 제1 테스트 그룹에 속하는 회로에 대해서만 지연 결함 테스트를 하고자 하는 경우에 JTAG 컨트롤러는, 고착 결함 테스트 신호(SCAN_TEST)는 논리 '로우', 지연 결함 테스트 신호(TDF_TEST)는 논리 '하이', 제1 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN_G1)는 논리 '하이', 제2 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN_G2)는 논리 '로우', 제3 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN_G3)는 논리 '로우'로 설정되도록 프로그램 된다.For example, when a delay fault test is to be performed only for a circuit belonging to the first test group, the JTAG controller may determine that the stuck fault test signal SCAN_TEST is logic 'low' and the delay fault test signal TDF_TEST is logic 'high'. The first delayed defect test activation signal TDF_EN_G1 is logic 'high', the second delayed defect test activation signal TDF_EN_G2 is logic 'low', and the third delayed defect test activation signal TDF_EN_G3 is logic 'low'. It is programmed to
도 6에 도시된 상기 제1 테스트 그룹(410), 제2 테스트 그룹(420) 및 제3 테스트 그룹(430)은 집적도가 높은 반도체 회로(예를 들면, VLSI: Very Large Scale Integration)에서 클럭의 연관성, 회로의 기능 및/또는 회로의 집적도에 따라 구분 된 테스트 그룹으로서 제1 출력 클럭 신호(CLK_OUT_G1), 제2 출력 클럭 신호(CLK_OUT_G2) 및 제3 출력 클럭 신호(CLK_OUT_G3)에 따라 테스트가 독립적으로 수행될 수 있다.The
예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이 제1 테스트 그룹(410) 및 제3 테스트 그룹(430)에 대해서만 지연 결함 테스트가 수행되는 경우에는 제1 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN_G1) 및 제3 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN_G3)는 논리 '하이'로 설정되고, 제2 지연 결함 테스트 활성화 신호(TDF_EN_G2)는 논리 '로우'로 설정되어, 스캔 활성화 신호(SE)가 논리 '로우'인 론치 및 캡쳐 구간(630)에서 제1 출력 클럭 신호(CLK_OUT_G1) 및 제3 출력 클럭 신호(CLK_OUT_G3)는 클럭 입력 신호(CLK_IN)와 동일한 주파수를 갖는 클럭 신호가 생성지만, 제2 출력 클럭 신호(CLK_OUT_G2)는 논리 '로우'로 설정된다.For example, as shown in FIG. 7, when the delay defect test is performed only on the
즉, 제1 테스트 그룹(410) 및 제3 테스트 그룹(430)에 대해서만 지연 결함 테스트가 수행되는 경우에는 제1 출력 클럭 신호(CLK_OUT_G1) 및 제3 출력 클럭 신호(CLK_OUT_G3)의 론치 및 캡쳐 구간(630)에 제1 상승 에지(631) 및 제2 상승 에지(633)를 포함하는 고주파수의 클럭 신호가 포함되어 제1 테스트 그룹(410) 및 제3 테스트 그룹(430)은 동시에 지연 결함 테스트가 수행되지만, 제2 출력 클럭 신호(CLK_OUT_G2)는 논리 '로우'로 설정됨으로써 제2 테스트 그룹(420)은 지연 결함 테스트가 수행되지 않는다.That is, when the delay defect test is performed only on the
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 클럭 제어 회로를 구비한 반도체 장치는 반도체 회로를 클럭의 연관성, 회로의 기능 및/또는 집 적도에 따라 적어도 하나의 테스트 그룹으로 구분하고, 지연 결함 테스트 활성화 신호(예를 들면, TDF_EN_G1, TDF_EN_G2, TDF_EN_G3)에 따라 각각의 테스트 그룹에 제공되는 출력 클럭 신호(예를 들면, CLK_OUT_G1, CLK_OUT_G2, CLK_OUT_G3)를 제어함으로써 각각의 테스트 그룹에 대해 독립적으로 지연 결함 테스트를 수행할 수 있다.As shown in FIG. 6 and FIG. 7, a semiconductor device having a clock control circuit according to an exemplary embodiment of the present invention may include a semiconductor circuit in at least one test group according to a clock correlation, a circuit function, and / or an integration degree. And control the output clock signals (e.g., CLK_OUT_G1, CLK_OUT_G2, CLK_OUT_G3) provided to each test group according to the delayed fault test activation signals (e.g., TDF_EN_G1, TDF_EN_G2, TDF_EN_G3). Delay fault tests can be performed independently.
예를 들어, 제1 테스트 그룹(410)에 전원 잡음(power noise)등과 같은 요인으로 지연 결함 테스트를 진행 할 수 없는 경우에 제2 테스트 그룹(420) 및 제3 테스트 그룹(430)에 대해서는 제1 테스트 그룹(410)과 상관없이 지연 결함 테스트를 진행 할 수 있어서 테스트 영역의 손실을 최소화 할 수 있다.For example, when the delay defect test cannot be performed in the
또한, 각각의 테스트 그룹에 대한 지연 결함 테스트를 단독적으로 수행할 수 있기 때문에 전원 잡음 등과 같은 에러 발생 요인을 최소화 할 수 있고, 테스트의 신뢰성이 향상된다.In addition, since the delay defect test for each test group can be independently performed, error occurrence factors such as power supply noise can be minimized, and test reliability is improved.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the embodiments above, those skilled in the art will understand that the present invention can be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. Could be.
도 1은 종래의 지연 결함 테스트를 위한 클럭 발생회로를 나타낸다.1 shows a clock generation circuit for a conventional delay defect test.
도 2는 도 1에 도시된 클럭발생 회로의 동작을 나타내는 파형도이다.FIG. 2 is a waveform diagram illustrating an operation of the clock generation circuit of FIG. 1.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 회로의 구성을 나타낸다3 illustrates a configuration of a clock control circuit for a semiconductor circuit test according to an embodiment of the present invention.
도 4는 도 3에 도시된 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 회로의 함수표를 나타낸다.FIG. 4 shows a function table of the clock control circuit for the semiconductor circuit test shown in FIG. 3.
도 5는 도 3에 도시된 반도체 회로 테스트를 위한 클럭 제어 회로가 지연 결함 테스트 모드로 동작하는 경우의 타이밍도를 나타낸다.FIG. 5 shows a timing diagram when the clock control circuit for testing the semiconductor circuit shown in FIG. 3 operates in the delay defect test mode.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 클럭 제어 회로를 구비한 반도체 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.6 is a block diagram illustrating a configuration of a semiconductor device having a clock control circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 7은 도 6에 도시된 클럭 제어 회로를 구비한 반도체 장치에서 지연 결함 테스트 활성화 신호에 상응하여 출력된 출력 클럭 신호를 나타내는 타이밍도이다.FIG. 7 is a timing diagram illustrating an output clock signal output in correspondence with a delay defect test activation signal in the semiconductor device having the clock control circuit illustrated in FIG. 6.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
100 : 제1 클럭 제어 회로 110 : 클럭 제어부100: first clock control circuit 110: clock control unit
120 : 논리 연산부 130 : 제1 스위칭부120: logic operation unit 130: first switching unit
140 : 제2 스위칭부 150 : 제3 스위칭부140: second switching unit 150: third switching unit
159 : 공유 메모리 영역 200 : 제2 클럭 제어 회로159: shared memory area 200: second clock control circuit
300 : 제3 클럭 제어 회로300: third clock control circuit
Claims (19)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070112995A KR20090047027A (en) | 2007-11-07 | 2007-11-07 | Clock control circuit for testing of semiconductor circuit, method for controlling of clock for testing of semiconductor circuit and semiconductor device having the clock control circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020070112995A KR20090047027A (en) | 2007-11-07 | 2007-11-07 | Clock control circuit for testing of semiconductor circuit, method for controlling of clock for testing of semiconductor circuit and semiconductor device having the clock control circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090047027A true KR20090047027A (en) | 2009-05-12 |
Family
ID=40856586
Family Applications (1)
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Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR20090047027A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9222979B2 (en) | 2012-12-12 | 2015-12-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | On-chip controller and a system-on-chip |
US9606182B2 (en) | 2014-06-16 | 2017-03-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | System on chip |
-
2007
- 2007-11-07 KR KR1020070112995A patent/KR20090047027A/en not_active Application Discontinuation
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