KR20090047009A - Method for adjusting transmission in photomask - Google Patents

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KR20090047009A KR1020070112963A KR20070112963A KR20090047009A KR 20090047009 A KR20090047009 A KR 20090047009A KR 1020070112963 A KR1020070112963 A KR 1020070112963A KR 20070112963 A KR20070112963 A KR 20070112963A KR 20090047009 A KR20090047009 A KR 20090047009A
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정구민
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Abstract

OPC 에러가 발생된 포토마스크를 준비하고, 포토마스크에 투과되는 광을 조절하고자 하는 투과도 조절영역을 설정한다. 설정된 투과도 조절영역의 포토마스크 기판 뒷면에 펄스 레이저를 조사하여 광 투과율을 조절하는 포토마스크의 투과율 조절 방법을 제시한다. A photomask in which an OPC error is generated is prepared, and a transmittance adjusting region for adjusting light transmitted through the photomask is set. A method of controlling the transmittance of a photomask for controlling light transmittance by irradiating a pulsed laser on a back surface of a photomask substrate in a set transmittance control region is provided.

포토마스크, 광근접보정, OPC 패턴, 투과율, 펄스 레이저, MTT Photomask, optical proximity correction, OPC pattern, transmittance, pulse laser, MTT

Description

포토마스크의 투과율 조절 방법{Method for adjusting transmission in photomask}Method for adjusting transmission in photomask

본 발명의 반도체소자의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 포토마스크의 투과율 조절 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, and more particularly, to a method for controlling transmittance of a photomask.

반도체소자의 집적도가 증가함에 따라, 소자에서 요구되는 패턴의 크기가 급격하게 작아지고 있다. 이에 따라, 패턴 형성을 위한 포토리소그라피 과정에서 포커스 마진(focus margin)을 확보하기 위해 해상력을 증가시키려는 기술(RET;Resolution Enhancement Technology)들이 제시되고 있다. As the degree of integration of semiconductor devices increases, the size of the pattern required by the devices decreases rapidly. Accordingly, resolution enhancement technologies (RET) have been proposed to increase resolution in order to secure a focus margin in the photolithography process for pattern formation.

특히, 빛의 회절, 간섭 등에 의한 패턴의 왜곡이 발생하여 선폭 선형성(linearity)이 짧아짐에 따라, 포토마스크 상에 광 근접 보정(OPC;Optical Proximity Correction) 패턴을 형성하는 방법이 수행되고 있다. In particular, as a pattern distortion caused by diffraction, interference, or the like of light is shortened and linearity is shortened, a method of forming an optical proximity correction (OPC) pattern on a photomask is being performed.

그런데, OPC 패턴을 형성하더라도 마스크 CD MTT(Mean To Target) 에러, 위상차 에러, 또는 균일도(uniformity) 불량 등에 의해 광 근접 보정 에러(OPC error) 예컨대, OPC 패턴에 대한 메인 셀 영역과 코어/페리 영역과의 CD 편차 에러(CD balance error)가 유발되고 있다. However, even when the OPC pattern is formed, the optical proximity correction error (OPC error), for example, the main cell region and the core / ferry region for the OPC pattern may be caused by a mask CD MTT (Mean To Target) error, a phase difference error, or a uniformity defect. CD balance error with the.

예컨대, 50nm 이하의 개발 소자의 경우, 마스크 CD MTT는 1.5 내지 2nm 정도를 요구하고 있으며, OPC 에러의 허용 범위는 5nm 이내 정도를 요구하고 있다. 그런데, 포토마스크 제조 공정 마진 부족으로 인해 CD 보정 공정을 수행하더라도 요구되는 CD MTT를 맞추기가 어려울 뿐만 아니라, OPC 에러의 허용 범위를 만족하는데 한계가 있어 광 근접 보정의 정확도가 저하되고 있다. For example, in the case of a development device of 50 nm or less, the mask CD MTT requires about 1.5 to 2 nm, and the allowable range of the OPC error requires about 5 nm or less. However, even if the CD correction process is performed due to the lack of margin of the photomask manufacturing process, it is difficult to meet the required CD MTT, and there is a limit in satisfying the allowable range of the OPC error.

도 1은 종래에 따라 제작된 포토마스크를 이용하는 과정에서 발생된 OPC 에러를 나타낸 그래프이다. 1 is a graph illustrating an OPC error generated in the process of using a photomask manufactured according to the related art.

도 1을 참조하면, 광 근접 보정 공정이 수행된 포토마스크를 이용하여 웨이퍼 노광 공정을 수행하는 경우, 웨이퍼 상에 형성된 패턴들의 CD 측정치(100)를 그래프로 나타낸 결과, 메인 셀 영역과 코어/페리 영역과의 CD 편차 에러(CD balance error)가 나타난 것을 알 수 있다. Referring to FIG. 1, when the wafer exposure process is performed using a photomask on which the optical proximity correction process is performed, the CD measurement values 100 of the patterns formed on the wafer are graphed. As a result, the main cell region and the core / ferry It can be seen that a CD balance error with the region appears.

예컨대, 메인 셀 패턴의 CD를 0 타겟으로 설정하고, 코어/페리 영역의 패턴 CD의 측정하게 되면, 코어/페리 영역에서의 OPC 에러 즉, 예컨대, 코어/페리 영역과의 CD 차이는 3 내지 17 nm 정도이고, 메인 셀 영역보다 평균적으로 10nm 정도 상향되게 나타나게 된다. 즉, 포토마스크 상에 형성된 메인 패턴의 왜곡 현상을 억제하기 위해 OPC 패턴을 형성하더라도 웨이퍼 상에 OPC 에러가 발생하게 된다. For example, if the CD of the main cell pattern is set to 0 target and the pattern CD of the core / ferry region is measured, the OPC error in the core / ferry region, that is, the CD difference from the core / ferry region is 3 to 17, for example. It is about nm, and on average, it is 10 nm upward than the main cell region. That is, even if the OPC pattern is formed to suppress distortion of the main pattern formed on the photomask, an OPC error occurs on the wafer.

따라서, OPC 에러가 발생되는 경우, 웨이퍼 패턴 균일도(uniformity)가 저하되므로, 포토마스크를 재제작해야 하므로, 제조 비용의 상승 및 소자의 수율이 저하될 수 있다. Therefore, when OPC error occurs, the wafer pattern uniformity is lowered, so the photomask must be remanufactured, so that the manufacturing cost and the yield of the device can be lowered.

결국, 광 근접 보정 공정의 정확도는 점점 더 중요해 짐에 따라, OPC 에러 발생 이후 포토마스크를 수정하여 CD 에러를 감소시키기 위한 연구가 이루어지고 있다. As a result, as the accuracy of the optical proximity correction process becomes more and more important, studies have been made to reduce CD errors by correcting a photomask after OPC error occurs.

본 발명에 따른 포토마스크의 투과율 조절 방법은, OPC 에러가 발생된 포토마스크를 준비하는 단계; 상기 포토마스크에 투과되는 광을 조절하고자 하는 투과도 조절영역을 설정하는 단계; 및 상기 설정된 투과도 조절영역의 포토마스크 기판 뒷면에 펄스 레이저를 조사하여 광 투과율을 조절하는 단계를 포함한다. Method for adjusting the transmittance of the photomask according to the present invention, preparing a photomask in which OPC error occurs; Setting a transmittance control region to control light transmitted through the photomask; And adjusting a light transmittance by irradiating a pulsed laser on the back side of the photomask substrate in the set transmittance adjusting region.

상기 OPC 에러는 웨이퍼 노광 공정 결과, 메인 셀 영역과 주변회로 영역과의 CD 편차(CD balance) 차이에 의해 유발된 것이 바람직하다. The OPC error is preferably caused by the difference in CD balance between the main cell region and the peripheral circuit region as a result of the wafer exposure process.

상기 포토마스크는 셀 영역과, 주변회로 영역으로 구분되며, 상기 포토마스크 상에는 메인 패턴과 상기 메인 패턴의 왜곡 현상을 억제하는 광 근접 보정 패턴(OPC pattern)이 형성된 것이 바람직하다. The photomask is divided into a cell region and a peripheral circuit region, and an optical proximity correction pattern (OPC pattern) for suppressing distortion of the main pattern and the main pattern is preferably formed on the photomask.

상기 투과도 조절 영역을 설정하는 단계는, 상기 OPC 에러가 메인 셀 패턴의 타겟 선폭을 기준으로 상향되는 경우, 포토마스크의 셀 영역으로 설정하는 것이 바람직하다. In the setting of the transmittance control region, when the OPC error is increased based on the target line width of the main cell pattern, the transmittance control region may be set to the cell region of the photomask.

상기 투과도 조절 영역을 설정하는 단계는, 상기 OPC 에러가 메인 셀 패턴의 타겟 선폭을 기준으로 하향되는 경우, 포토마스크의 주변회로 영역으로 설정하는 것이 바람직하다. The setting of the transmittance control region may be set to the peripheral circuit region of the photomask when the OPC error is lowered based on the target line width of the main cell pattern.

상기 설정된 영역의 광 투과율을 조절하는 단계는, 상기 설정된 투과도 조절 영역과 대응되는 포토마스크 기판 뒷면에, 레이저 빔을 반복적으로 조사하여 상기 포토마스크 내에 스크래치를 형성하는 단계로 이루어지는 것이 바람직하다. Adjusting the light transmittance of the set region, it is preferable that the step of repeatedly irradiating a laser beam on the back of the photomask substrate corresponding to the set transmittance control region to form a scratch in the photomask.

(실시예)(Example)

도 1을 참조하면, OPC 에러가 발생된 포토마스크를 준비한다. Referring to FIG. 1, a photomask having an OPC error is prepared.

구체적으로, 석영기판과 같은 투명기판(200)상에 메인 패턴(도시되지 않음)을 형성하고, 광 근접 보정 공정을 수행하여 메인 패턴의 왜곡 현상을 억제하기 위한 광 근접 보정(OPC;Optical Proximity Correction) 패턴(210)을 형성한다. Specifically, an optical proximity correction (OPC) for forming a main pattern (not shown) on a transparent substrate 200 such as a quartz substrate and suppressing distortion of the main pattern by performing an optical proximity correction process. ) To form a pattern 210.

다음에, 도면에는 상세하게 나타내지 않았지만, 광 근접 보정이 수행된 포토마스크를 이용하여 웨이퍼 노광 공정을 수행하여 웨이퍼 상에 구현하고자 하는 패턴을 형성한다. Next, although not shown in detail, a pattern to be implemented on the wafer is formed by performing a wafer exposure process using a photomask on which optical proximity correction has been performed.

이때, 투명기판(200) 상에 형성된 OPC 패턴(210)들은 웨이퍼 노광 영역에 따라, 서로 다른 패턴 밀도를 갖는다. 예컨대, 웨이퍼 셀 영역에 대응되는 셀 영역(A)의 투명기판(200) 상에 형성된 OPC 패턴(210)들은 밀집된 패턴(dense pattern)으로 형성되고, 웨이퍼 코어/페리 영역에 대응되는 주변회로 영역(B)의 투명기판(200) 상에 형성된 OPC 패턴(210)들은 이웃하는 다른 패턴들과 고립된 패턴(isolated pattern)으로 형성된다. In this case, the OPC patterns 210 formed on the transparent substrate 200 have different pattern densities according to the wafer exposure area. For example, the OPC patterns 210 formed on the transparent substrate 200 of the cell region A corresponding to the wafer cell region are formed in a dense pattern, and the peripheral circuit region corresponding to the wafer core / ferry region ( The OPC patterns 210 formed on the transparent substrate 200 of B) are formed in an isolated pattern with other neighboring patterns.

한편, 50nm 이하의 개발 소자의 경우, CD MTT는 1.5 내지 2nm 정도를 요구하고 있으며, OPC 에러 예컨대, OPC 패턴에 대한 메인 셀 영역과 코어/페리 영역과의CD 편차 에러(CD balance error)의 허용 범위는 5nm 이내 정도를 요구하고 있다. On the other hand, in the case of a development device of 50 nm or less, the CD MTT requires about 1.5 to 2 nm, and allows for an OPC error, for example, a CD balance error between a main cell region and a core / ferry region for an OPC pattern. The range requires about 5 nm or less.

그런데, 포토마스크 제조 공정 마진 부족으로 인해 CD 보정 공정을 수행하더라도 요구되는 CD MTT를 맞추기가 어려울 뿐만 아니라, OPC 에러의 허용 범위를 만족시키는데 한계가 있어 광 근접 보정의 정확도가 저하되고 있다. However, due to the lack of margin of the photomask manufacturing process, it is difficult to meet the required CD MTT even if the CD correction process is performed, and there is a limit to satisfy the allowable range of the OPC error.

따라서, OPC 에러가 발생되는 경우, 포토마스크를 재제작하고, 다시 광근접 보정 공정을 수행해야 하므로, 제조 비용의 상승 및 소자의 수율이 저하될 수 있다. Therefore, when an OPC error occurs, the photomask must be remanufactured and the optical proximity correction process must be performed again, thereby increasing the manufacturing cost and lowering the yield of the device.

이에 따라, 본 발명의 실시예에서는 다음과 같은 과정을 수행하여 포토마스크 상에서 투과율을 조절함으로써, OPC 정확도를 향상시킬 수 있다. Accordingly, in the embodiment of the present invention by performing the following process to adjust the transmittance on the photomask, it is possible to improve the OPC accuracy.

도 2를 참조하면, 포토마스크에 투과되는 광을 조절하고자 하는 투과도 조절영역을 설정한 후, 설정된 투과도 조절 영역의 투명기판(200) 뒷면(back side)에, 펄스 레이저(pulse laser)를 국부적으로 조사하여 포토마스크의 영역별로 투과율을 조절한다. Referring to FIG. 2, after setting the transmittance adjusting region to adjust the light transmitted through the photomask, a pulse laser is locally applied to the back side of the transparent substrate 200 of the set transmittance adjusting region. Irradiation is performed to adjust the transmittance for each area of the photomask.

예컨대, 도 1에 제시된 바와 같이 OPC 에러가 전체적으로 상향되는 결과가 나타난 경우, 메인 셀 영역에 대응되는 셀 영역(A)을 투과도 조절 영역으로 설정한 후, 설정된 영역의 투명기판(200) 뒷면을 향하여, 일정한 빔 스팟(spot) 사이즈로 레이저 빔(220)을 조사한다. 그러면, 레이저 빔(220)이 포커스 되는 지점 즉, 투명기판(200) 뒷면으로부터 일정 깊이(d)에서 레이저 빔 에너지로 인해 국부적으로 손상(damage)되어 스크래치(221)들이 형성된다. For example, as shown in FIG. 1, when the OPC error is generally increased, the cell area A corresponding to the main cell area is set as the transmittance control area, and then toward the back of the transparent substrate 200 in the set area. The laser beam 220 is irradiated with a constant beam spot size. Then, the laser beam 220 is locally damaged due to the laser beam energy at a predetermined depth d from the point where the laser beam 220 is focused, that is, the scratches 221 are formed.

투명기판(200) 내에 형성된 스크래치(221)는 포토마스크에 투과되는 광의 투과율을 저하시키는 역할을 한다. 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 투명기판의 광 투과율을 살펴보면, 광의 세기에 따라 투명기판에 레이저를 조사하기 이전에 광 투과율(110) 보다 레이저를 조사하는 경우의 광 투과율(240)이 저하된 것을 알 수 있다.  The scratch 221 formed in the transparent substrate 200 serves to reduce the transmittance of light transmitted through the photomask. For example, as shown in FIG. 4, when looking at the light transmittance of the transparent substrate, the light transmittance 240 when the laser is irradiated rather than the light transmittance 110 before the laser is irradiated to the transparent substrate according to the light intensity is lowered You can see that.

따라서, 투명기판(200) 내에 형성된 스크래치(221)의 밀집도에 따라, 투과되는 광을 조절할 수 있으며, 레이저 빔(220)이 포커스 되는 지점을 여러 층으로 설정하여 투과되는 광을 조절할 수 있다. Therefore, according to the density of the scratch 221 formed in the transparent substrate 200, it is possible to adjust the transmitted light, and to set the point where the laser beam 220 is focused in a plurality of layers it can adjust the transmitted light.

결국, 웨이퍼 노광 공정과정에서 웨이퍼 상에 형성되는 메인 셀 패턴의 타겟 CD를 맞추기 위해 노광량을 증가해야 하므로, 코어/페리 영역에 형성되는 패턴의 CD가 작아지게 된다. As a result, since the exposure amount must be increased to match the target CD of the main cell pattern formed on the wafer in the wafer exposure process, the CD of the pattern formed in the core / ferry region is reduced.

예컨대, 도 5에 제시된 바와 같이, 레이저를 이용하여 투과율이 조절된 포토마스크를 이용하여 웨이퍼 노광 공정을 수행하는 경우, 웨이퍼 상에 형성된 패턴들의 CD 측정치(230)를 그래프로 나타낸 결과, 메인 셀 영역과 코어/페리 영역과의 CD 편차 에러(CD balance error)가 최소화된 것을 알 수 있다. 즉, 웨이퍼 메인 셀패턴의 CD를 0 타겟으로 설정하고, 코어/페리 영역의 패턴 CD를 측정하게 되면, CD 편차는 -7 내지 7 nm 정도이고, 평균적으로 0nm 정도로 나타난 것을 알 수 있다. For example, as shown in FIG. 5, when performing a wafer exposure process using a photomask having a controlled transmittance using a laser, a graph of CD measurements 230 of patterns formed on a wafer is displayed. It can be seen that the CD balance error with the core / ferry region is minimized. That is, when the CD of the wafer main cell pattern is set to 0 target and the pattern CD of the core / ferry region is measured, the CD deviation is about -7 to 7 nm, and on average, about 0 nm appears.

이에 따라, OPC 에러를 최소화하여 광 근접 보정의 정확도를 향상시킬 수 있다. 또한, 투명기판의 투과율을 조절함에 따라, 포토마스크 제조 시 CD 에러의 허용 범위를 증가시켜 포토마스크 제조 공정 마진을 향상시킬 수 있다. 또한,OPC 에러 발생 시 포토마스크를 직접적으로 수정하므로, 포토마스크를 재제작 공정을 생략하여 제조 비용을 절감할 수 있다. Accordingly, OPC errors can be minimized to improve the accuracy of optical proximity correction. In addition, by controlling the transmittance of the transparent substrate, it is possible to improve the margin of the photomask manufacturing process by increasing the allowable range of the CD error when manufacturing the photomask. In addition, when the OPC error occurs directly modify the photomask, it is possible to reduce the manufacturing cost by omitting the photomask remanufacturing process.

본 발명의 실시예에서는 OPC 에러가 상향되는 결과에 대해서 예를 들어 설명하지만, 경우에 따라, OPC 에러가 하향되는 결과에 대해서도 적용될 수 있다. 예컨대, OPC 에러가 하향되는 결과가 나타나게 되면, 웨이퍼 코어/페리 영역에 대응되 는 주변회로 영역의 투명기판 뒷면에 레이저를 조사하여 코어/페리 영역에 대응되는 투명기판 부분의 투과율을 조절할 수 있다. 이때, 코어/ 페리 영역의 CD 차이에 따라 영역별로 레이저 조사량을 다르게 하여 코어/ 페리 영역 영역의 CD 균일도를 향상시켜 소자의 특성을 개선할 수 있다. In the embodiment of the present invention, the result of the OPC error is raised by way of example, but in some cases, it may be applied to the result of the OPC error is lowered. For example, when the OPC error decreases, the transmittance of the transparent substrate portion corresponding to the core / ferry region may be adjusted by irradiating a laser to the back side of the transparent substrate of the peripheral circuit region corresponding to the wafer core / ferry region. In this case, the laser irradiation amount is changed for each region according to the CD difference of the core / ferry region to improve the CD uniformity of the core / ferry region to improve the characteristics of the device.

이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.Although the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention. Do.

도 1은 종래에 따라 제작된 포토마스크를 이용하는 과정에서 발생된 OPC 에러를 나타낸 그래프이다. 1 is a graph illustrating an OPC error generated in the process of using a photomask manufactured according to the related art.

도 2 내지 도 4는 본 발명에 따른 포토마스크의 투과율 조절 방법을 설명하기 위해 나타내 보인 도면들이다. 2 to 4 are views showing for explaining a method of adjusting the transmittance of the photomask according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따라 제작된 포토마스크를 이용하는 과정에서 발생된 OPC 에러를 나타낸 그래프이다. 5 is a graph showing an OPC error generated in the process of using a photomask manufactured according to the present invention.

Claims (9)

OPC 에러가 발생된 포토마스크를 준비하는 단계; Preparing a photomask in which an OPC error has occurred; 상기 포토마스크에 투과되는 광을 조절하고자 하는 투과도 조절영역을 설정하는 단계; 및Setting a transmittance control region to control light transmitted through the photomask; And 상기 설정된 투과도 조절영역의 포토마스크 기판 뒷면에 펄스 레이저를 조사하여 광 투과율을 조절하는 단계를 포함하는 포토마스크의 투과율 조절 방법.And adjusting a light transmittance by irradiating a pulsed laser beam on a back surface of the photomask substrate in the set transmittance control region. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 OPC 에러는 웨이퍼 노광 공정 결과, 메인 셀 영역과 주변회로 영역과의 CD 편차(CD balance) 차이에 의해 유발된 포토마스크의 투과율 조절 방법. The OPC error is caused by the difference in the CD balance (CD balance) between the main cell region and the peripheral circuit region as a result of the wafer exposure process. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 포토마스크는 셀 영역과, 주변회로 영역으로 구분되며, 상기 포토마스크 상에는 메인 패턴과 상기 메인 패턴의 왜곡 현상을 억제하는 광 근접 보정 패턴(OPC pattern)이 형성된 포토마스크의 투과율 조절 방법.The photomask is divided into a cell region and a peripheral circuit region, and a light proximity correction pattern (OPC pattern) for suppressing distortion of the main pattern and the main pattern on the photomask is formed. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투과도 조절 영역을 설정하는 단계는,Setting the transmittance control region, 상기 OPC 에러가 메인 셀 패턴의 타겟 선폭을 기준으로 상향되는 경우, 포토 마스크의 셀 영역으로 설정하는 포토마스크의 투과율 조절 방법.And adjusting the cell area of the photomask when the OPC error is increased based on the target line width of the main cell pattern. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투과도 조절 영역을 설정하는 단계는,Setting the transmittance control region, 상기 OPC 에러가 메인 셀 패턴의 타겟 선폭을 기준으로 하향되는 경우, 포토마스크의 주변회로 영역으로 설정하는 포토마스크의 투과율 조절 방법.If the OPC error is lowered based on the target line width of the main cell pattern, the transmittance control method of the photomask to set the peripheral circuit area of the photomask. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 설정된 영역의 광 투과율을 조절하는 단계는, Adjusting the light transmittance of the set area, 상기 설정된 투과도 조절 영역과 대응되는 포토마스크 기판 뒷면에, 레이저 빔을 반복적으로 조사하여 상기 포토마스크 내에 스크래치를 형성하는 단계로 이루어지는 포토마스크의 투과율 조절 방법.And repeatedly irradiating a laser beam on a back surface of the photomask substrate corresponding to the set transmittance control region to form a scratch in the photomask. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 레이저 빔이 포커스 되는 지점을 여러 층으로 설정하여 상기 투과도 조절 영역에 투과되는 광을 조절하는 포토마스크의 투과율 조절 방법. And controlling the light transmitted through the transmittance control region by setting the point where the laser beam is focused to various layers. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 레이저 빔에 의해 형성되는 스크래치의 밀도를 조절하여 상기 투과도 조절 영역에 투과되는 광을 조절하는 포토마스크의 투과율 조절 방법. And adjusting the density of the scratches formed by the laser beam to control light transmitted through the transmittance control region. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투과도 조절 영역은 주변회로 영역으로 이루어지고, The transmittance control region is composed of a peripheral circuit region, 상기 광 투과율을 조절하는 단계는, 웨이퍼 상의 코어 영역과 페리 영역으로 구분하여 상기 코어 영역과 페리 영역 별로 레이저 조사량을 다르게 조사하여 투과되는 광을 조절하는 포토마스크의 투과율 조절 방법. The adjusting of the light transmittance may be performed by dividing the core irradiation area and the ferry area on the wafer to differently irradiate a laser irradiation amount according to the core area and the ferry area to adjust the transmitted light.
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