KR20090036772A - Semiconductor device having a resistor and method of fabricating the same - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 230
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 113
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 86
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 52
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 32
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 25
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 21
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 14
- 230000036581 peripheral resistance Effects 0.000 abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 3
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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Abstract
Description
본 발명은 반도체소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 저항소자를 갖는 반도체소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof, and more particularly to a semiconductor device having a resistance device and a manufacturing method thereof.
일반적으로, 반도체 메모리 소자는 다수의 단위 셀들로 구성된 셀 어레이 영역과 상기 셀 어레이 영역의 외부에 위치하여 상기 단위 셀들을 구동 및 제어하기 위한 주변 영역으로 구성된다. 상기 주변 영역에는 상기 단위 셀들을 구동시키기 위한 트랜지스터, 다이오드 및 저항 소자 등의 여러 소자들이 형성된다. 일반적으로, 저항소자를 폴리실리콘막으로 형성한다. In general, a semiconductor memory device includes a cell array region including a plurality of unit cells and a peripheral region positioned outside the cell array region to drive and control the unit cells. In the peripheral region, various devices such as transistors, diodes, and resistance devices for driving the unit cells are formed. Generally, the resistance element is formed of a polysilicon film.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 저항소자를 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a semiconductor device having a resistance device and a method of manufacturing the same.
본 발명의 일 양태에 따르면, 저항소자를 갖는 반도체소자를 제공한다. 이 반도체소자는 제1 회로 영역 및 제2 회로 영역을 갖는 반도체 기판을 포함한다. 상기 반도체기판 상에 하부 층간절연막이 제공된다. 상기 제1 회로 영역의 상기 하부 층간절연막을 관통하는 제1 홀 및 상기 제2 회로 영역의 상기 하부 층간절연막을 관통하는 제2 홀이 제공된다. 상기 제1 홀 내에 차례로 적층된 제1 반도체 패턴 및 제2 반도체 패턴이 제공된다. 상기 제2 홀 내에 제공되며 상기 제2 반도체 패턴과 동일한 결정구조를 갖는 제1 저항 소자(resistor)가 제공된다.According to one aspect of the present invention, a semiconductor device having a resistance element is provided. This semiconductor element includes a semiconductor substrate having a first circuit region and a second circuit region. A lower interlayer insulating film is provided on the semiconductor substrate. A first hole penetrating the lower interlayer insulating film of the first circuit region and a second hole penetrating the lower interlayer insulating film of the second circuit region are provided. A first semiconductor pattern and a second semiconductor pattern sequentially stacked in the first hole are provided. A first resistor is provided in the second hole and has the same crystal structure as the second semiconductor pattern.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 및 제2 반도체 패턴들은 단결정 반도체 패턴들일 수 있다.In some embodiments of the present invention, the first and second semiconductor patterns may be single crystal semiconductor patterns.
다른 실시예에서, 상기 제1 저항 소자는 상기 제2 반도체 패턴의 상부면과 동일한 레벨에 위치하는 상부면을 가질 수 있다.In another embodiment, the first resistance element may have an upper surface positioned at the same level as the upper surface of the second semiconductor pattern.
또 다른 실시예에서, 상기 제1 회로 영역의 상기 하부 층간절연막 및 상기 제1 회로 영역의 상기 반도체기판 사이에 배치되며 상기 제1 회로 영역의 상기 반도체기판과 다른 도전형을 갖는 워드라인; 및 상기 워드라인의 측벽을 둘러싸는 격리막을 더 포함하되, 상기 제1 홀은 상기 워드라인의 소정영역을 노출시킬 수 있 다.In another embodiment, a word line disposed between the lower interlayer dielectric layer of the first circuit region and the semiconductor substrate of the first circuit region and having a different conductivity type from the semiconductor substrate of the first circuit region; And an isolation layer surrounding sidewalls of the word line, wherein the first hole may expose a predetermined region of the word line.
상기 제1 반도체 패턴은 상기 워드라인과 같은 도전형이며 상기 워드라인보다 낮은 불순물 농도를 갖고, 상기 제2 반도체 패턴은 상기 워드라인과 다른 도전형일 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 반도체 패턴은 상기 제2 반도체 패턴과 같은 도전형을 가지며 상기 제2 반도체 패턴보다 낮은 불순물 농도를 갖고, 상기 제1 반도체 패턴과 상기 워드라인은 서로 다른 도전형을 가질 수 있다.The first semiconductor pattern may have the same conductivity type as that of the word line and have a lower impurity concentration than the word line, and the second semiconductor pattern may have a different conductivity type than the word line. Alternatively, the first semiconductor pattern may have the same conductivity type as the second semiconductor pattern, have a lower impurity concentration than the second semiconductor pattern, and the first semiconductor pattern and the word line may have different conductivity types. .
또 다른 실시예에서, 상기 제2 회로 영역의 상기 하부 층간절연막 및 상기 제2 회로 영역의 상기 반도체기판 사이에 배치되며 상기 제2 회로 영역의 상기 반도체기판과 다른 도전형을 갖는 제2 저항 소자(second resistor); 및 상기 제2 저항 소자의 측벽을 둘러싸는 격리막을 더 포함하되, 상기 제2 홀은 상기 제2 저항 소자의 소정영역을 노출시킬 수 있다.In another embodiment, a second resistance element disposed between the lower interlayer insulating film of the second circuit region and the semiconductor substrate of the second circuit region and having a different conductivity type from the semiconductor substrate of the second circuit region ( second resistor); And an isolation layer surrounding sidewalls of the second resistance element, wherein the second hole may expose a predetermined region of the second resistance element.
더 나아가, 상기 제1 저항 소자와 상기 제2 저항 소자 사이에 개재된 장벽 불순물 영역(barrier impurity region)을 더 포함할 수 있다. Furthermore, the semiconductor device may further include a barrier impurity region interposed between the first resistance element and the second resistance element.
한편, 상기 제1 저항 소자 및 상기 제2 저항 소자는 서로 다른 도전형이고, 상기 장벽 불순물 영역은 상기 제1 저항소자와 같은 도전형이면서 상기 제1 저항소자보다 낮은 불순물 농도를 가질 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 저항소자 및 상기 제2 저항 소자는 서로 다른 도전형이고, 상기 장벽 불순물 영역은 상기 제2 저항소자와 같은 도전형이면서 상기 제2 저항소자보다 낮은 불순물 농도를 가질 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 저항소자 및 상기 제2 저항 소자는 서로 같은 도전형이고, 상기 장벽 불순물 영역은 상기 제1 및 제2 저항소자들과 다른 도전형일 수 있다.The first resistance element and the second resistance element may have different conductivity types, and the barrier impurity region may have the same conductivity type as the first resistance element and have a lower impurity concentration than the first resistance element. Alternatively, the first resistance element and the second resistance element may have different conductivity types, and the barrier impurity region may have the same conductivity type as the second resistance element and have a lower impurity concentration than the second resistance element. Alternatively, the first resistance element and the second resistance element may be of the same conductivity type as each other, and the barrier impurity region may be of a different conductivity type than the first and second resistance elements.
더 나아가, 상기 하부 층간절연막 상의 상부 층간절연막; 상기 제2 회로 영역의 상기 상부 층간절연막 및 상기 하부 층간절연막을 관통하며 상기 제2 저항 소자의 일단과 전기적으로 접속하는 제1 하부 저항 콘택 플러그 및 상기 제2 저항 소자의 타단과 전기적으로 접속하는 제2 하부 저항 콘택 플러그; 상기 제2 회로 영역의 상기 상부 층간절연막을 관통하며 상기 제2 저항 소자의 일단과 전기적으로 접속하는 제1 상부 저항 콘택 플러그 및 상기 상부 저항 소자의 타단과 전기적으로 접속하는 제2 상부 저항 콘택 플러그; 상기 제2 회로 영역의 상기 상부 층간절연막 상에 제공되되, 상기 제1 하부 저항 콘택 플러그를 덮는 제1 하부 저항 배선 및 상기 제2 하부 저항 콘택 플러그를 덮는 제2 하부 저항 배선; 및 상기 제2 회로 영역의 상기 상부 층간절연막 상에 제공되되, 상기 제1 상부 저항 콘택 플러그를 덮는 제1 상부 저항 배선 및 상기 제2 상부 저항 콘택 플러그를 덮는 제2 상부 저항 배선을 더 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 하부 층간절연막 상의 상부 층간절연막; 상기 제2 회로 영역의 상기 상부 층간절연막 및 상기 하부 층간절연막을 관통하며 상기 제2 저항 소자의 일단과 전기적으로 접속하는 제1 하부 저항 콘택 플러그 및 상기 제2 저항 소자의 타단과 전기적으로 접속하는 제2 하부 저항 콘택 플러그; 상기 제2 회로 영역의 상기 상부 층간절연막을 관통하며 상기 제2 저항 소자의 일단과 전기적으로 접속하는 제1 상부 저항 콘택 플러그 및 상기 상부 저항 소자의 타단과 전기적으로 접속하는 제2 상부 저항 콘택 플러그; 상기 제2 회로 영역의 상기 상부 층간절연막 상에 제공되되, 상기 제1 하부 저항 콘택 플러그를 덮는 제1 하부 저항 배선 및 상기 제1 상부 저항 콘택 플러그를 덮는 제1 상부 저항 배선; 및 상기 제2 회로 영역의 상기 상부 층간절연막 상에 제공되되, 상기 제2 하부 저항 콘택 플러그와 상기 제2 상부 저항 콘택 플러그에 접촉하는 저항 연결 패턴을 더 포함할 수 있다.Furthermore, an upper interlayer insulating film on the lower interlayer insulating film; A first lower resistance contact plug penetrating the upper interlayer insulating film and the lower interlayer insulating film in the second circuit region and electrically connected to one end of the second resistance element, and a second connection element electrically connected to the other end of the second resistance element. 2 bottom resistance contact plugs; A first upper resistance contact plug penetrating the upper interlayer insulating film of the second circuit region and electrically connected to one end of the second resistance element and a second upper resistance contact plug electrically connected to the other end of the upper resistance element; A first lower resistance wire provided on the upper interlayer insulating layer of the second circuit region, the first lower resistance wire covering the first lower resistance contact plug and the second lower resistance wire covering the second lower resistance contact plug; And a first upper resistance wire provided on the upper interlayer insulating layer of the second circuit region, the first upper resistance wire covering the first upper resistance contact plug and the second upper resistance wire covering the second upper resistance contact plug. have. Alternatively, an upper interlayer insulating film on the lower interlayer insulating film; A first lower resistance contact plug penetrating the upper interlayer insulating film and the lower interlayer insulating film in the second circuit region and electrically connected to one end of the second resistance element, and a second connection element electrically connected to the other end of the second resistance element. 2 bottom resistance contact plugs; A first upper resistance contact plug penetrating the upper interlayer insulating film of the second circuit region and electrically connected to one end of the second resistance element and a second upper resistance contact plug electrically connected to the other end of the upper resistance element; A first lower resistance wire provided on the upper interlayer insulating layer of the second circuit region, the first lower resistance wire covering the first lower resistance contact plug and the first upper resistance wire covering the first upper resistance contact plug; And a resistance connection pattern provided on the upper interlayer insulating layer of the second circuit region and contacting the second lower resistance contact plug and the second upper resistance contact plug.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 저항소자를 갖는 반도체소자의 제조방법을 제공한다. 이 방법은 제1 회로 영역 및 제2 회로 영역을 갖는 반도체기판을 준비하는 것을 포함한다. 상기 제1 및 제2 회로 영역들을 갖는 상기 반도체 기판 상에 하부 층간절연막을 형성한다. 상기 하부 층간절연막을 패터닝하여 상기 제1 회로 영역의 상기 하부 층간절연막을 관통하는 제1 홀 및 상기 제2 회로 영역의 상기 하부 층간절연막을 관통하는 제2 홀을 형성한다. 상기 제1 홀 내에 차례로 적층된 제1 반도체 패턴 및 제2 반도체 패턴을 형성한다. 상기 제2 홀 내에 차례로 적층된 장벽 불순물 영역 및 제1 저항소자를 형성한다.According to another aspect of the present invention, a method of manufacturing a semiconductor device having a resistance element is provided. The method includes preparing a semiconductor substrate having a first circuit region and a second circuit region. A lower interlayer insulating film is formed on the semiconductor substrate having the first and second circuit regions. The lower interlayer insulating layer is patterned to form a first hole penetrating the lower interlayer insulating layer in the first circuit region and a second hole penetrating the lower interlayer insulating layer in the second circuit region. A first semiconductor pattern and a second semiconductor pattern which are sequentially stacked in the first hole are formed. A barrier impurity region and a first resistive element which are sequentially stacked in the second hole are formed.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 및 제2 반도체 패턴들, 상기 장벽 불순물 영역 및 상기 제1 저항소자는 동일한 결정구조를 갖도록 형성할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the first and second semiconductor patterns, the barrier impurity region, and the first resistance element may be formed to have the same crystal structure.
다른 실시예에서, 상기 제1 및 제2 반도체 패턴들, 상기 장벽 불순물 영역 및 상기 제1 저항소자는 단결정 반도체 패턴들로 형성할 수 있다.In example embodiments, the first and second semiconductor patterns, the barrier impurity region, and the first resistance element may be formed of single crystal semiconductor patterns.
또 다른 실시예에서, 상기 하부 층간절연막을 형성하기 전에, 상기 반도체 기판에 상기 제1 회로 영역의 제1 활성영역 및 상기 제2 회로 영역의 제2 활성영역을 한정하는 격리막을 형성하고, 상기 제1 활성영역에 상기 제1 회로 영역의 상기 반도체기판과 다른 도전형을 갖는 불순물 이온들을 주입하여 워드라인을 형성하고, 상기 제2 활성영역에 상기 제2 회로 영역의 상기 반도체기판과 다른 도전형을 갖는 불순물 이온들을 주입하여 제2 저항소자를 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 격리막은 상기 워드라인의 측벽 및 상기 제2 저항소자의 측벽을 둘러싸도록 형성되고, 상기 제1 홀은 상기 워드라인의 소정영역을 노출시키도록 형성되고, 상기 제2 홀은 상기 제2 저항소자의 소정영역을 노출시키도록 형성될 수 있다.In another embodiment, before forming the lower interlayer insulating layer, an isolation layer is formed on the semiconductor substrate to define a first active region of the first circuit region and a second active region of the second circuit region. 1, a word line is formed by implanting impurity ions having a different conductivity type than the semiconductor substrate of the first circuit region into an active region, and a conductive type different from the semiconductor substrate of the second circuit region is formed into the second active region; Implanting impurity ions to form a second resistance element, wherein the isolation layer is formed to surround sidewalls of the word line and sidewalls of the second resistance element, and the first hole is formed in a predetermined direction of the word line. The second hole may be formed to expose a region, and the second hole may be formed to expose a predetermined region of the second resistance element.
더 나아가, 상기 제1 저항 소자 및 상기 제2 반도체 패턴을 갖는 반도체기판 상에 상부 층간절연막을 형성하고, 상기 제2 회로 영역의 상기 상부 층간절연막 및 상기 하부 층간절연막을 관통하며 상기 제2 저항 소자의 일단과 전기적으로 접속하는 제1 하부 저항 콘택 플러그 및 상기 제2 저항 소자의 타단과 전기적으로 접속하는 제2 하부 저항 콘택 플러그를 형성하고, 상기 제2 회로 영역의 상기 상부 층간절연막을 관통하며 상기 제1 저항 소자의 일단과 전기적으로 접속하는 제1 상부 저항 콘택 플러그 및 상기 제1 저항 소자의 타단과 전기적으로 접속하는 제2 상부 저항 콘택 플러그를 형성하고, 상기 제2 회로 영역의 상기 상부 층간절연막 상에 상기 제1 하부 저항 콘택 플러그를 덮는 제1 하부 저항 배선 및 상기 제2 하부 저항 콘택 플러그를 덮는 제2 하부 저항 배선을 형성하고, 상기 제2 회로 영역의 상기 상부 층간절연막 상에 상기 제1 상부 저항 콘택 플러그를 덮는 제1 상부 저항 배선 및 상기 제2 상부 저항 콘택 플러그를 덮는 제2 상부 저항 배선을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 저항 소자 및 상기 제2 반도체 패턴을 갖는 반도체기판 상에 상부 층간절연막을 형성하고, 상기 제2 회로 영역의 상기 상부 층간절연막 및 상기 하부 층간절연막을 관통하며 상기 제2 저항 소자의 일단과 전기적으로 접속하는 제1 하부 저항 콘택 플러그 및 상기 제2 저항 소자의 타단과 전기적으로 접속하는 제2 하부 저항 콘택 플러그를 형성하고, 상기 제2 회로 영역의 상기 상부 층간절연막을 관통하며 상기 제1 저항 소자의 일단과 전기적으로 접속하는 제1 상부 저항 콘택 플러그 및 상기 제1 저항 소자의 타단과 전기적으로 접속하는 제2 상부 저항 콘택 플러그를 형성하고, 상기 제2 회로 영역의 상기 상부 층간절연막 상에 상기 제1 하부 저항 콘택 플러그를 덮는 제1 하부 저항 배선 및 상기 제1 상부 저항 콘택 플러그를 덮는 제1 상부 저항 배선을 형성하고, 상기 제2 회로 영역의 상기 상부 층간절연막 상에 상기 제2 하부 저항 콘택 플러그와 상기 제2 상부 저항 콘택 플러그에 접촉하는 저항 연결 패턴을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.Further, an upper interlayer insulating film is formed on the semiconductor substrate having the first resistor element and the second semiconductor pattern, and passes through the upper interlayer insulating film and the lower interlayer insulating film of the second circuit region, and the second resistive device. Forming a first lower resistance contact plug electrically connected to one end of the second lower resistance contact plug and a second lower resistance contact plug electrically connected to the other end of the second resistance element, and penetrating the upper interlayer insulating film of the second circuit region; Forming a first upper resistance contact plug electrically connected to one end of the first resistance element and a second upper resistance contact plug electrically connected to the other end of the first resistance element, wherein the upper interlayer insulating film of the second circuit region is formed; A first lower resistance wire covering the first lower resistance contact plug on the second lower resistance wire covering the second lower resistance contact plug; Forming a resistance wiring, and forming a first upper resistance wiring covering the first upper resistance contact plug and a second upper resistance wiring covering the second upper resistance contact plug on the upper interlayer insulating film of the second circuit region. It may further include. Alternatively, an upper interlayer insulating film is formed on the semiconductor substrate having the first resistor element and the second semiconductor pattern, and passes through the upper interlayer insulating film and the lower interlayer insulating film of the second circuit region, and the second resistive device. Forming a first lower resistance contact plug electrically connected to one end of the second lower resistance contact plug and a second lower resistance contact plug electrically connected to the other end of the second resistance element, and penetrating the upper interlayer insulating film of the second circuit region; Forming a first upper resistance contact plug electrically connected to one end of the first resistance element and a second upper resistance contact plug electrically connected to the other end of the first resistance element, wherein the upper interlayer insulating film of the second circuit region is formed; A first lower resistance wire covering the first lower resistance contact plug on the first and a first covering the first upper resistance contact plug The method may further include forming an upper resistance line and forming a resistance connection pattern on the upper interlayer insulating layer of the second circuit region to contact the second lower resistance contact plug and the second upper resistance contact plug.
또 다른 실시예에서, 상기 제1 및 제2 반도체 패턴들, 상기 장벽 불순물 영역 및 상기 제1 저항소자를 형성하는 것은 상기 제1 홀 내에 셀 반도체 패턴을 형성함과 아울러 상기 제2 홀 내에 주변 반도체 패턴을 형성하고, 상기 셀 반도체 패턴의 하부 영역에 이온주입 기술을 사용하여 제1 도전형의 불순물들 또는 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형의 불순물들로 도우핑시키고, 상기 셀 반도체 패턴의 상부 영역을 이온주입 기술을 사용하여 상기 제1 도전형의 불순물들로 도우핑시키고, 상기 주변 반도체 패턴의 하부 영역에 이온주입 기술을 사용하여 상기 제1 도전형의 불순물들 또는 상기 제2 도전형의 불순물들로 도우핑시키고, 상기 주변 반도체 패턴의 상부 영역을 이온주입 기술을 사용하여 상기 제1 도전형의 불순물들 또는 상기 제2 도전형의 불순물들로 도우핑시키는 것을 포함할 수 있다.In another embodiment, the forming of the first and second semiconductor patterns, the barrier impurity region, and the first resistance element may form a cell semiconductor pattern in the first hole and a peripheral semiconductor in the second hole. Forming a pattern, doping the semiconductor substrate with an impurity of a first conductivity type or an impurity of a second conductivity type different from the first conductivity type by using an ion implantation technique in the lower region of the cell semiconductor pattern, Dopants of the first conductivity type are doped with impurities of the first conductivity type using an ion implantation technique, and impurities of the first conductivity type or the second conductivity are formed using an ion implantation technique in the lower region of the peripheral semiconductor pattern The dopants of the first conductivity type or the second conductivity type impurities using the ion implantation technique. It can comprise a doping.
본 발명의 실시예들에 따르면, 다이오드를 형성함과 아울러 저항소자를 형성할 수 있다. 따라서, 다이오드를 형성하기 위한 포토리소그래피 공정을 이용하여 저항소자를 형성할 수 있기 때문에, 저항소자를 형성하기 위한 별도의 포토리소그래피 공정을 생략할 수 있다. 또한, 저항소자를 단결정 구조의 반도체 물질로 형성할 수 있다. 이러한 저항소자는 다결정 구조의 반도체 물질로 형성된 동일 크기의 저항소자보다 높은 면저항을 갖는다. 따라서, 저항소자가 차지하는 평면적을 최소화할 수 있다. 또한, 적층된 형태의 하부 저항 소자 및 상기 상부 저항 소자(125b)를 제공할 수 있다. 따라서, 상기 하부 저항 소자 및 상기 상부 저항 소자를 단독의 저항소자들로 사용하거나, 상기 하부 저항 소자 및 상기 상부 저항 소자를 직렬 저항으로 연결하여 사용할 수 있기 때문에, 원하는 저항값을 얻기 용이하다. According to the embodiments of the present invention, a diode can be formed and a resistor can be formed. Therefore, since the resistive element can be formed using a photolithography process for forming a diode, a separate photolithography process for forming the resistive element can be omitted. In addition, the resistance element may be formed of a semiconductor material having a single crystal structure. Such a resistive element has a higher sheet resistance than a resistive element of the same size formed of a semiconductor material of a polycrystalline structure. Therefore, the plane area occupied by the resistance element can be minimized. In addition, the stacked bottom resistive element and the upper
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하여 위하여 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the scope of the invention to those skilled in the art will fully convey. In the drawings, the thicknesses of layers and regions are exaggerated for clarity. Like numbers refer to like elements throughout the specification.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체소자를 나타낸 평면도이고, 도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자를 설명하기 위하여 도 1의 I-I′선을 따라 취해진 단면도들이고, 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체소자를 설명하기 위하여 나타낸 단면도이다. 도 1, 도 2a 내지 도 2e, 및 도 3에서, 참조부호 "C"는 제1 회로 영역을 나타내고, 참조부호 "P"는 제2 회로 영역을 나타낸다. 1 is a plan view showing a semiconductor device according to embodiments of the present invention, Figures 2a to 2e is a cross-sectional view taken along the line II 'of Figure 1 for explaining a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, 3 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device according to another embodiment of the present invention. 1, 2A to 2E, and 3, reference numeral "C" denotes a first circuit region, and reference numeral "P" denotes a second circuit region.
우선, 도 1 및 도 2e를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자에 대해 설명하기로 한다.First, a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2E.
도 1 및 도 2e를 참조하면, 제1 회로 영역(C) 및 제2 회로영역(P)을 갖는 반도체기판(100)이 제공된다. 상기 제1 회로 영역(C)은 메모리 셀 어레이 영역일 수 있고, 상기 제2 회로 영역(P)은 주변 회로 영역일 수 있다. 한편, 상기 제1 회로 영역(C)은 능동 회로(active circuit) 영역일 수 있고, 상기 제2 회로 영역(P)은 수동 회로(passive circuit) 영역일 수 있다. 상기 반도체기판(100)은 단결정 구조의 실리콘 기판일 수 있다. 또는 상기 반도체기판(100)은 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘 저마늄(SiGe), 갈륨 아세닉(GaAs)과 같은 물질을 포함할 수 있다.1 and 2E, a
상기 반도체기판(100)에 제1 활성영역(105a) 및 제2 활성영역(105b)을 한정하는 격리막(separation layer; 105s)이 제공될 수 있다. 상기 제1 활성영역(105a)은 상기 제1 회로영역(C) 내에서 한정되고, 상기 제2 활성영역(105b)은 상기 제2 회로 영역(P) 내에서 한정될 수 있다. 상기 제1 활성영역(105a) 내에 상기 제1 회 로 영역(C)의 상기 반도체기판(100)과 다른 도전형의 워드라인(110a)이 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제2 활성영역(105b) 내에 상기 제2 회로 영역(P)의 상기 반도체기판(100)과 다른 도전형의 하부 저항 소자(110b)가 제공될 수 있다. 상기 워드라인(110a) 및 상기 하부 저항 소자(110b)는 단결정 반도체 구조를 가질 수 있다. A
상기 워드라인(110a)과 상기 하부 저항 소자(110b)의 바닥면들은 상기 격리막(105s)의 바닥면보다 높은 레벨에 위치할 수 있다. 그리고, 상기 제1 회로 영역(C)에서의 상기 격리막(110s)은 상기 워드라인(110a)의 측벽을 둘러싸도록 제공될 수 있다. 이와 마찬가지로, 상기 제2 회로 영역(P)에서의 상기 격리막(110s)은 상기 하부 저항 소자(110b)의 측벽을 둘러싸도록 제공될 수 있다. 따라서, 상기 제1 회로 영역(C)에서의 상기 격리막(105s)은 상기 워드라인(110a) 및 상기 워드라인(110a)과 인접하는 다른 워드라인을 서로 전기적으로 절연시킬 수 있다. 이와 마찬가지로, 상기 제2 회로 영역(P)에서의 상기 격리막(105s)은 상기 하부 저항 소자(110b) 및 상기 하부 저항 소자(110b)와 인접하는 다른 하부 저항 소자를 서로 전기적으로 절연시킬 수 있다. Bottom surfaces of the
상기 격리막(105s), 상기 워드라인(110a) 및 상기 하부 저항 소자(105b)를 덮는 하부 층간절연막(115)이 제공될 수 있다. 상기 제1 회로 영역(C)의 상기 하부 층간절연막(115)을 관통하여 상기 워드라인(110a)의 소정영역을 노출시키는 셀 다이오드 홀(115a)이 제공될 수 있다. 상기 제2 회로 영역(P)의 상기 하부 층간절연막(115)을 관통하여 상기 하부 저항 소자(110b)의 소정영역을 노출시키는 주변 저항 홀(115b)이 제공될 수 있다. A lower
상기 셀 다이오드 홀(115a) 내에 차례로 적층된 제1 반도체 패턴(120a) 및 제2 반도체 패턴(125a)이 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 반도체 패턴들(120a, 125a)은 단결정 반도체 패턴들일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 및 제2 반도체 패턴들(120a, 125a)은 단결정 구조의 실리콘 패턴들일 수 있다. The
상기 제2 반도체 패턴(125a)과 상기 워드라인(110a)은 서로 다른 도전형을 갖고, 상기 제1 반도체 패턴(120a)과 상기 워드라인(110a)은 서로 같은 도전형을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 영역(C)의 상기 반도체 기판(100)이 피형이고, 상기 워드라인(110a)이 앤형이고, 상기 제1 반도체 패턴(120a)이 앤형이고, 상기 제2 반도체 패턴(125a)이 피형일 수 있다. 따라서, 상기 셀 다이오드 홀(115a) 내에 차례로 적층된 상기 제1 반도체 패턴(120a) 및 상기 제2 반도체 패턴(125a)은 셀 다이오드를 구성할 수 있다. 여기서, 상기 제1 반도체 패턴(120a)은 상기 워드라인(110a)보다 낮은 불순물 농도를 갖는 것이 바람직할 수 있다. 이는 상기 셀 다이오드에 역 바이어스가 인가될 때 상기 셀 다이오드를 통하여 흐르는 누설전류를 최소화할 수 있기 때문이다. 이와는 달리, 상기 제2 반도체 패턴(125a)과 상기 워드라인(110a)은 서로 다른 도전형을 갖고, 상기 제1 반도체 패턴(120a)과 상기 제2 반도체 패턴(125a)은 서로 같은 도전형을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 회로 영역(C)의 상기 반도체 기판(100)이 피형이고, 상기 워드라인(110a)이 앤형이고, 상기 제1 반도체 패턴(120a)이 피형이고, 상기 제2 반도체 패턴(125a)이 피형일 수 있다. 따라서, 상기 워드라인(110a) 및 이와 접촉하는 상기 제1 반도체 패턴(120a)이 셀 다이오드를 구성할 수 있다. 여기서, 상기 제1 반도체 패턴(120a)은 상기 제2 반도체 패턴(125a)보다 낮은 불순물 농도를 갖는 것이 바람직할 수 있다. 이는 상기 셀 다이오드에 역 바이어스가 인가될 때 상기 셀 다이오드를 통하여 흐르는 누설전류를 최소화할 수 있기 때문이다.The
상기 주변 저항 홀(115b) 내에 상부 저항 소자(125b)가 제공될 수 있다. 상기 상부 저항 소자(125b)는 상기 제2 반도체 패턴(125a)과 실질적으로 동일한 결정구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 저항 소자(125b) 및 상기 제2 반도체 패턴(125a)은 단결정 반도체 구조를 가질 수 있다. 상기 상부 저항 소자(125b)는 상기 제2 반도체 패턴(125a)의 상부면과 실질적으로 동일한 레벨에 위치하는 상부면을 가질 수 있다. 상기 상부 저항 소자(125b)는 상기 제2 반도체 패턴(125a)과 실질적으로 동일한 레벨에 위치할 수 있다. 상기 상부 저항 소자(125b)와 상기 하부 저항 소자(110b) 사이에 장벽 불순물 영역(barrier impurity region; 120b)이 제공될 수 있다. 상기 장벽 불순물 영역(120b)은 상기 주변 저항 홀(115b) 내에 제공되며 상기 제1 반도체 패턴(120a)과 실질적으로 동일한 레벨에 위치할 수 있다. 상기 장벽 불순물 영역(120b) 및 상기 상부 저항 소자(125b)는 단결정 반도체 패턴들일 수 있다. 예를 들어, 상기 장벽 불순물 영역(120b) 및 상기 상부 저항 소자(125b)는 단결정 구조의 실리콘 패턴들일 수 있다. 본 발명에서, 상기 상부 저항 소자(125b)를 제1 저항 소자로 나타내고, 상기 하부 저항 소자(110b)를 제2 저항 소자로 나타낼 수도 있다.An
본 실시예에서, 상기 상부 저항 소자(125b)와 상기 하부 저항 소자(110b)는 서로 다른 도전형일 수 있다. 그리고, 상기 장벽 불순물 영역(120b)은 상기 하부 저항 소자(110b)와 같은 도전형이면서 상기 하부 저항 소자(110b) 보다 낮은 불순물 농도를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 영역(P)의 상기 반도체기판(100)이 피형인 경우에, 상기 하부 저항 소자(110b)는 앤형의 반도체 패턴이고, 상기 장벽 불순물 영역(120b)은 상기 하부 저항소자(110b)보다 낮은 불순물 농도를 갖는 앤형의 반도체 패턴이고, 상기 상부 저항 소자(125b)는 피형의 반도체 패턴일 수 있다.In the present embodiment, the
다른 실시예에서, 상기 상부 저항 소자(125b)와 상기 하부 저항 소자(110b)는 서로 다른 도전형일 수 있다. 그리고, 상기 장벽 불순물 영역(120b)은 상기 상부 저항 소자(125b)와 같은 도전형이면서 상기 상부 저항 소자(125b) 보다 낮은 불순물 농도를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 영역(P)의 상기 반도체기판(100)이 피형인 경우에, 상기 하부 저항 소자(110b)는 앤형의 반도체 패턴이고, 상기 장벽 불순물 영역(120b)은 상기 상부 저항 소자(125b)보다 낮은 불순물 농도를 갖는 피형의 반도체 패턴이고, 상기 상부 저항 소자(125b)는 피형의 반도체 패턴일 수 있다.In another embodiment, the
또 다른 실시예에서, 상기 상부 저항 소자(125b)와 상기 하부 저항 소자(110b)는 서로 같은 도전형일 수 있다. 그리고, 상기 장벽 불순물 영역(120b)은 상기 하부 및 상부 저항소자들(110b, 125b)과 다른 도전형일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 회로 영역(P)의 상기 반도체기판(100)이 피형인 경우에, 상기 하부 저항 소자(110b) 및 상기 상부 저항 소자(125b)는 앤형의 반도체 패턴이고, 상기 장벽 불순물 영역(120b)은 피형의 반도체 패턴일 수 있다.In another embodiment, the
상기 하부 층간절연막(115) 상에 상기 제2 반도체 패턴(125a) 및 상기 상부 저항 소자(125b)를 덮는 중간 층간절연막(130)이 제공될 수 있다. 상기 제1 회로 영역(C)의 상기 중간 층간절연막(130)을 관통하며 상기 제2 반도체 패턴(125a)을 노출시키는 콘택 홀(130a)이 제공될 수 있다. 상기 콘택 홀(130a) 내에 상기 제2 반도체 패턴(125a) 보다 작은 폭을 갖는 하부 전극(140)이 제공될 수 있다. 상기 하부 전극(140)은 타이타늄 질화막 또는 타이타늄 알루미늄 질화막일 수 있다. 상기 콘택 홀(130)의 측벽과 상기 하부 전극(140) 사이에 절연성 스페이서(135)가 개재될 수 있다. 한편, 도면에 도시되지 않았지만, 상기 하부 전극(140)과 상기 제2 반도체 패턴(125a) 사이에 금속 실리사이드막이 개재될 수 있다.An intermediate
상기 하부 전극(140) 상에 정보 저장 요소(145) 및 상부전극(147)이 제공될 수 있다. 상기 정보 저장 요소(145)는 칼코게나이드막(chalcogenide layer)과 같은 상변이 물질막일 수 있다. 그러나, 상기 정보 저장 요소(145)는 상변이 물질막에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 정보 저장 요소(145)는 이성분계 금속 산화막과 같은 물질일 수도 있다. 상기 상부전극(147)은 상기 정보 저장 요소(145)와 반응하지 않는 타이타늄 질화막 또는 타이타늄 알루미늄 질화막일 수 있다.An
다른 실시예에서, 상기 하부 전극(140)이 상기 콘택 홀(130a)을 부분적으로 채우고, 상기 정보 저장 요소(145)가 상기 콘택 홀(130a)의 나머지 부분을 채울 수도 있다. In another embodiment, the
상기 중간 층간절연막(130) 상에 상기 정보 저장 요소(145) 및 상기 상부전극(147)을 덮는 상부 층간절연막(155)이 제공될 수 있다. 상기 제1 회로 영역(C)의 상기 상부 층간절연막(155)을 관통하며 상기 상부전극(147)과 전기적으로 접속된 비트라인 콘택 플러그(155)가 제공될 수 있다. 상기 제1 회로 영역(C)의 상기 상부 층간절연막(155) 상에 상기 비트라인 콘택 플러그(155)를 덮는 비트라인(157)이 제공될 수 있다.An upper
상기 제2 회로 영역(P)에서, 상기 상부 층간절연막(155), 상기 중간 층간절연막(130) 및 상기 하부 층간절연막(115)을 차례로 관통하는 제1 하부 저항 콘택 플러그(160a) 및 제2 하부 저항 콘택 플러그(160b)가 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 저항 콘택 플러그(160a)는 상기 하부 저항 소자(110b)의 일단에 전기적으로 접속되고, 상기 제2 하부 저항 콘택 플러그(160b)는 상기 하부 저항 소자(110b)의 타단에 전기적으로 접속될 수 있다. 상기 제2 회로 영역(P)에서, 상기 상부 층간절연막(155) 및 상기 중간 층간절연막(130)을 차례로 관통하는 제1 상부 저항 콘택 플러그(161a) 및 제2 상부 저항 콘택 플러그(161b)가 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 저항 콘택 플러그(161a)는 상기 상부 저항 소자(110a)의 일단에 전기적으로 접속되고, 상기 제2 상부 저항 콘택 플러그(161b)는 상기 하부 저항 소자(110b)의 타단에 전기적으로 접속될 수 있다.In the second circuit region P, the first lower
상기 제2 회로 영역(P)의 상기 상부 층간절연막(155) 상에 상기 제1 하부 저항 콘택 플러그(160a)를 덮는 제1 하부 저항 배선(165a), 상기 제2 하부 저항 콘택 플러그(160b)를 덮는 제2 하부 저항 배선(165b), 상기 제1 상부 저항 콘택 플러그(161a)를 덮는 제1 상부 저항 배선(166a) 및 상기 제2 상부 저항 콘택 플러그(161b)를 덮는 제2 상부 저항 배선(166b)이 제공될 수 있다.The first
상기 제1 하부 저항 배선(165a), 상기 제2 하부 저항 배선(165b), 상기 제1 상부 저항 배선(166a) 및 상기 제2 상부 저항 배선(166b)은 서로 이격될 수 있다. 따라서, 상기 하부 저항 소자(110b) 및 상기 상부 저항 소자(125b)는 단독의 저항소자들로 사용할 수 있다. The first
다른 실시예에서, 상기 제2 상부 저항 배선(166b)과 상기 제2 하부 저항 배선(165b)은 전기적으로 접속될 수 있다. 예를 들어, 도 2d에서의 상기 제2 상부 저항 배선(166b) 및 상기 제2 하부 저항 배선(165b) 대신에, 도 3에서와 같이, 상기 상부 층간절연막(155) 상에 상기 제2 상부 저항 콘택 플러그(161b) 및 상기 제2 하부 저항 콘택 플러그(160b)와 동시에 접촉하는 저항 연결 패턴(266)이 제공될 수 있다. 따라서, 상기 하부 저항 소자(110b) 및 상기 상부 저항 소자(125b)를 단독의 저항소자들로 사용하지 않고 직렬 저항으로 연결함으로써, 원하는 저항값을 갖는 저항소자를 얻을 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 하부 저항 소자(110b) 및 상기 상부 저항 소자(125a)를 배치함으로써, 필요한 저항값을 갖는 저항소자를 형성하기 위해 필요한 평면적은 최소화될 수 있다. 따라서, 본 발명에서와 같은 저항소자들이 차지하는 평면적을 감소시킬 수 있기 때문에, 반도체 칩 사이즈를 최소화할 수 있다. 또한, 본 발명에서와 같이 단결정 구조의 반도체 패턴으로 이루어진 본 발명의 저항소자들은 다결정 실리콘 패턴으로 이루어진 동일 사이즈의 저항소자에 비하여 높은 면저항(sheet resistance)을 갖는다. 따라서, 본 발명은 작은 평면적을 차지하면서도 높은 저항값을 갖는 저항소자를 제공할 수 있다.In another embodiment, the second
이하에서, 도 1, 도 2a 내지 도 2e를 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 반도체소자의 제조방법을 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a semiconductor device according to embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2A through 2E.
도 1 및 도 2a를 참조하면, 제1 회로 영역(C) 및 제2 회로영역(P)을 갖는 반도체기판(100)을 준비한다. 상기 제1 회로 영역(C)은 메모리 셀 어레이 영역일 수 있고, 상기 제2 회로 영역(P)은 주변 회로 영역일 수 있다. 한편, 상기 제1 회로 영역(C)은 능동 회로(active circuit) 영역일 수 있고, 상기 제2 회로 영역(P)은 수동 회로(passive circuit) 영역일 수 있다. 상기 반도체기판(100)은 실리콘 기판일 수 있다. 또는 상기 반도체기판(100)은 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘 저마늄(SiGe), 갈륨 아세닉(GaAs)과 같은 물질을 포함할 수 있다.1 and 2A, a
상기 반도체기판(100)에 격리막(105s)을 형성하여 제1 활성영역(105a) 및 제2 활성영역(105b)을 한정할 수 있다. 상기 제1 활성영역(105a)은 상기 제1 회로영역(C) 내에서 한정되고, 상기 제2 활성영역(105b)은 상기 제2 회로 영역(P) 내에서 한정될 수 있다. 상기 격리막(105s)은 얕은 트렌치 소자분리 기술(shallow trench isolation technique)을 이용하여 형성할 수 있다.An
상기 제1 활성영역(105a) 내로 상기 제1 회로 영역(C)의 상기 반도체기판(100)과 다른 도전형의 불순물 이온들을 주입하여 상기 제1 회로 영역(C)의 반도체기판(100)과 다른 도전형의 워드라인(110a)을 형성할 수 있다. 이와 마찬가지로, 상기 제2 활성영역(105a) 내로 상기 제2 회로 영역(P)의 상기 반도체기판(100)과 다른 도전형의 불순물 이온들을 주입하여 상기 제2 회로 영역(P)의 상기 반도체기판(100)과 다른 도전형의 하부 저항 소자(110b)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 상 기 제2 회로 영역(P)의 상기 반도체기판(100)이 제1 도전형이고, 상기 하부 저항 소자(110b)가 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형인 경우에, 상기 제1 도전형은 피형이고, 상기 제2 도전형은 앤형일 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 도전형은 앤형이고, 상기 제2 도전형은 피형일 수 있다. 상기 하부 저항 소자(110b)는, 평면도로 보았을 때, 원하는 저항값을 얻기 위하여 바타입 또는 지그재그 타입등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 하부 저항 소자(110b)가 형성되는 상기 제2 활성영역(105b)은, 평면도로 보았을 때, 상기 격리막(105s)에 의해 바타입 또는 지그재그 타입등 다양한 형상으로 한정될 수 있다.Injecting impurity ions of a different conductivity type from the
상기 워드라인(110a)과 상기 하부 저항 소자(110b)의 바닥면들은 상기 격리막(105s)의 바닥면보다 높은 레벨에 위치할 수 있다. 상기 워드라인(110a)의 측벽 및 상기 하부 저항 소자(110b)의 측벽은 상기 격리막(105s)에 의해 둘러싸일 수 있다. Bottom surfaces of the
한편, 상기 제1 회로 영역(C)의 상기 반도체기판(100)의 소정영역에 상기 제1 회로 영역(C)의 상기 반도체기판(100)과 다른 도전형의 불순물 이온들을 주입하여 상기 워드라인(110a)을 형성하고, 이와 마찬가지로 상기 제2 회로 영역(P)의 상기 반도체기판(100)의 소정영역에 상기 제2 회로 영역(P)의 상기 반도체기판(100)과 다른 도전형의 불순물 이온들을 주입하여 상기 하부 저항 소자(110a)을 형성하고, 얕은 트렌치 소자분리 공정을 진행하여 상기 격리막(105s)을 형성할 수도 있다.Meanwhile, the word line (I) is implanted into a predetermined region of the
한편, 상기 워드라인(110a), 상기 하부 저항 소자(110b) 및 상기 격리 막(105s)을 형성하는 방법은 상술한 방법에 한정되지 않고 여러 가지의 다른 방법들을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 워드라인(110a), 상기 하부 저항 소자(110b)은 에피택시얼 기술을 사용하여 형성할 수 있다. 구체적으로, 상기 반도체 기판(100) 상에 에피택시얼 반도체층을 성장시키고, 상기 에피택시얼 반도체층을 패터닝하여 상기 제1 회로 영역(C)에 제1 에피택시얼 반도체 패턴을 한정함과 아울러 상기 제2 회로 영역(P)에 제2 에피택시얼 반도체 패턴을 한정하는 트렌치 영역을 형성할 수 있다. 이어서, 상기 트렌치 영역을 채우는 절연막을 형성하여 상기 격리막(105s)을 형성하고, 상기 제1 에피택시얼 반도체 패턴에 상기 제1 회로 영역(C)의 상기 반도체기판(100)과 다른 도전형의 불순물 이온들을 주입하여 상기 워드라인(110a)을 형성함과 아울러 상기 제2 에피택시얼 반도체 패턴에 상기 제2 회로 영역(P)의 상기 반도체기판(100)과 다른 도전형의 불순물 이온들을 주입하여 상기 하부 저항 소자(110b)를 형성할 수도 있다. 여기서, 상기 제1 에피택시얼 반도체 패턴은 상기 제1 활성영역(105a)에 해당하고, 상기 제2 에피택시얼 반도체 패턴은 상기 제2 활성영역(105b)에 해당할 수 있다.Meanwhile, the method of forming the
도 1 및 도 2b를 참조하면, 상기 워드라인(110a) 및 상기 하부 저항 소자(105b)을 갖는 반도체기판(100) 상에 하부 층간절연막(115)을 형성할 수 있다. 상기 하부 층간절연막(115)은 실리콘 산화막으로 형성할 수 있다. 상기 하부 층간절연막(115)을 패터닝하여 상기 워드라인(110a)의 소정영역을 노출시키는 셀 다이오드 홀(115a)을 형성함과 아울러 상기 하부 저항 소자(110b)의 소정영역을 노출시키는 주변 저항 홀(115b)을 형성할 수 있다. 상기 주변 저항 홀(115b)은, 평면도로 보았을 때, 원하는 저항값을 얻기 위하여 바타입 또는 지그재그 타입등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 1 and 2B, a lower
상기 셀 다이오드 홀(115a) 내에 셀 반도체 패턴(117a)을 형성함과 아울러 상기 주변 저항 홀(115b) 내에 주변 반도체 패턴(117b)을 형성할 수 있다. 상기 셀 반도체 패턴(117a)은 상기 셀 다이오드 홀(115a)에 의해 노출된 상기 워드라인(110a)을 씨드층으로 채택하는 선택적 에피택시얼 성장 기술을 사용하여 형성하고, 상기 주변 반도체 패턴(117b)은 상기 주변 저항 홀(115b)에 의해 노출된 상기 하부 저항 소자(110b)을 씨드층으로 채택하는 선택적 에피택시얼 성장 기술을 사용하여 형성할 수 있다. 따라서, 상기 워드라인(110a) 및 상기 하부 저항 소자(110b)가 단결정 반도체 구조를 갖는 경우에 상기 셀 및 주변 반도체패턴들(117a, 117b)은 단결정 반도체 구조를 갖도록 형성될 수 있다. A
한편, 상기 셀 및 주변 반도체 패턴들(117a, 117b)을 형성하는 것은 선택적 에피택시얼 성장 기술을 사용하여 상기 셀 다이오드 홀(115a) 및 상기 주변 저항 홀(115b)을 채우며 상기 하부 층간절연막(115)의 상부면보다 높은 표면을 갖는 반도체막을 형성하고, 상기 반도체막을 평탄화시키는 것을 포함할 수 있다. 그 결과, 상기 셀 및 주변 반도체 패턴들(117a, 117b)은 상기 하부 층간절연막(115)의 상부면과 동일한 레벨의 평평한 표면들을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 선택적 에피택시얼 성장 공정이 실리콘 소스 가스를 사용하여 진행되는 경우에, 상기 셀 및 주변 반도체 패턴들(117a, 117b)은 단결정 구조의 실리콘막으로 형성될 수 있다.Meanwhile, forming the cell and
다른 방법으로(alternatively), 화학기상증착(CVD)과 같은 반도체 공정을 이 용하여 상기 셀 다이오드 홀(115a) 및 상기 주변 저항 홀(115b)을 채우는 비단결정 반도체막, 즉 비정질 실리콘막 또는 다결정 실리콘막을 형성하고, 상기 비단결정 반도체막을 고상 에피택시얼(solid phase epitaxial; SPE) 기술을 사용하여 결정화하여 상기 셀 다이오드 홀(115a) 내의 상기 셀 반도체 패턴(117a) 및 상기 주변 저항 홀(115b) 내의 상기 주변 반도체 패턴(117b)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 고상 에피택시얼 기술은 상기 비단결정 반도체막을 약 500℃ 내지 800℃의 온도에서 열처리하여 단결정화시키는 것을 포함할 수 있다. Alternatively, a non-single-crystal semiconductor film, i.e., an amorphous silicon film or a polycrystalline silicon film, which fills the
도 1 및 도 2c를 참조하면, 상기 셀 반도체 패턴(117a)의 하부영역 내로 제1 도전형의 불순물 이온들 또는 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형의 불순물 이온들을 주입하여 제1 반도체 패턴(120a)을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 제1 반도체 패턴(120a)은 상기 제1 도전형 또는 상기 제2 도전형을 갖도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 셀 반도체 패턴(117a)의 상부 영역 내로 상기 제1 도전형의 불순물 이온들을 주입하여 제2 반도체 패턴(125a)을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 제2 반도체 패턴(125a)은 상기 제1 도전형을 갖도록 형성될 수 있다. 한편, 상기 제1 반도체 패턴(120a)을 형성하기 위한 이온주입 공정은 상기 제2 반도체 패턴(125a)을 형성하기 위한 이온주입 공정 후에 진행될 수도 있다.1 and 2C, a first semiconductor pattern is formed by implanting impurity ions of a first conductivity type or impurity ions of a second conductivity type different from the first conductivity type into a lower region of the
상기 주변 반도체 패턴(117b)의 하부영역 내로 상기 제1 도전형의 불순물 이온들 또는 상기 제2 도전형의 불순물 이온들을 주입하여 장벽 불순물 영역(barrier impurity region; 120b)을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 장벽 불순물 영역(120b)은 상기 제1 도전형 또는 상기 제2 도전형을 갖도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 주변 반도체 패턴(117b)의 상부 영역 내로 상기 제1 도전형 또는 상기 제2 도전형의 불순물 이온들을 주입하여 상부 저항 소자(125b)를 형성할 수 있다. 따라서, 상기 상부 저항 소자(125b)는 상기 제1 도전형 또는 상기 제2 도전형을 갖도록 형성할 수 있다. 상기 상부 저항 소자(125b)는 상기 제2 반도체 패턴(125a)의 상부면과 실질적으로 동일한 레벨에 위치하는 상부면을 갖도록 형성될 수 있다. 한편, 상기 장벽 불순물 영역(120b)을 형성하기 위한 이온주입 공정은 상기 상부 저항 소자(125b)를 형성하기 위한 이온주입 공정 후에 진행될 수도 있다. 상기 제1 도전형은 피형이고, 상기 제2 도전형은 앤형일 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 도전형은 앤형이고, 상기 제2 도전형은 피형일 수 있다. A
한편, 상기 제1 반도체 패턴(120a) 및 상기 장벽 불순물 영역(120b)은 동일한 이온주입 공정에 의해 형성되어 동일한 도전형을 가질 수 있다. 이와 마찬가지로, 상기 제2 반도체 패턴(120b) 및 상기 상부 저항소자(125b)는 동일한 이온주입 공정에 의해 형성되어 동일한 도전형을 가질 수 있다.Meanwhile, the
상기 제1 반도체 패턴(120a)이 상기 제1 도전형 및 상기 제2 도전형중 어느 하나의 도전형을 갖도록 형성될지라도, 상기 제1 반도체 패턴(120a)은 상기 워드라인(110a) 및 상기 제2 반도체 패턴(125a)보다 낮은 불순물 농도를 갖도록 도우핑되는 것이 바람직하다. 이와 마찬가지로, 상기 장벽 불순물 영역(120b)이 상기 제1 도전형 및 상기 제2 도전형 중 어느 하나의 도전형을 갖도록 형성될지라도, 상기 장벽 불순물 영역(120b)은 상기 하부 저항 소자(110b) 및 상기 상부 저항 소자(125b)보다 낮은 불순물 농도를 갖도록 도우핑되는 것이 바람직하다.Although the
상기 제1 반도체 패턴(120a)이 상기 제2 도전형의 불순물 이온들로 도우핑된 경우에, 상기 셀 다이오드 홀(115a) 내에 차례로 적층된 상기 제1 및 제2 반도체 패턴들(120a, 125a)은 셀 다이오드(D)를 구성한다. 이와는 달리, 상기 제1 반도체 패턴(120a)이 상기 제1 도전형의 불순물 이온들로 도우핑된 경우에, 상기 워드라인(110a) 및 이와 접촉하는 상기 제1 반도체 패턴(120a)이 셀 다이오드을 구성한다.When the
도 1 및 도 2d를 참조하면, 상기 하부 층간절연막(115) 상에 상기 제2 반도체 패턴(125a) 및 상기 상부 저항 소자(125b)를 덮는 중간 층간절연막(130)을 형성할 수 있다. 상기 중간 층간절연막(130)을 패터닝하여 상기 제2 반도체 패턴(125a)을 노출시키는 콘택 홀(130a)을 형성할 수 있다. 상기 콘택 홀(130a)의 측벽 상에 절연성 스페이서(135)를 형성할 수 있다. 상기 절연성 스페이서(135)를 갖는 기판 상에 상기 콘택 홀(130a)을 채우는 하부 전극(140)을 형성할 수 있다. 상기 하부 전극(140)은 후속 공정에서 형성되는 상변이 물질막과 반응하지 않는 금속막으로 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 하부 전극(140)은 타이타늄 질화막 또는 타이타늄 알루미늄 질화막으로 형성할 수 있다. 1 and 2D, an intermediate
상기 하부 전극(140) 상에 정보 저장 요소(145) 및 상부전극(147)을 형성할 수 있다. 상기 정보 저장 요소(145)는 칼코게나이드막(chalcogenide layer)과 같은 상변이 물질막으로 형성할 수 있다. 그러나, 상기 정보 저장 요소(145)는 상변이 물질막에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 정보 저장 요소(145)는 이성분계 금속산화막과 같은 물질로 형성할 수도 있다. 상기 상부전극(147)은 상기 정보 저장 요 소(145)와 반응하지 않는 타이타늄 질화막 또는 타이타늄 알루미늄 질화막으로 형성할 수 있다. An
다른 실시예에서, 상기 하부 전극(140)은 상기 콘택 홀(130a)을 부분적으로 채울 수 있다. 따라서, 상기 정보 저장 요소(145)를 상기 콘택 홀(130a) 내에 국한된 형태(confined shape)를 갖도록 형성할 수도 있다.In another embodiment, the
도 1 및 도 2e를 참조하면, 상기 중간 층간절연막(130) 상에 상기 정보 저장 요소(145) 및 상기 상부전극(147)을 덮는 상부 층간절연막(155)을 형성할 수 있다. 상기 제1 회로 영역(C)의 상기 상부 층간절연막(155)을 관통하며 상기 상부전극(147)과 전기적으로 접속된 비트라인 콘택 플러그(155)를 형성할 수 있다. 상기 제1 회로 영역(C)의 상기 상부 층간절연막(155) 상에 상기 비트라인 콘택 플러그(155)를 덮는 비트라인(157)을 형성할 수 있다.1 and 2E, an upper
상기 제2 회로 영역(P)에서, 상기 상부 층간절연막(155), 상기 중간 층간절연막(130) 및 상기 하부 층간절연막(115)을 차례로 관통하는 제1 하부 저항 콘택 플러그(160a) 및 제2 하부 저항 콘택 플러그(160b)을 형성할 수 있다. 상기 제1 하부 저항 콘택 플러그(160a)는 상기 하부 저항 소자(110b)의 일단에 전기적으로 접속되고, 상기 제2 하부 저항 콘택 플러그(160b)는 상기 하부 저항 소자(110b)의 타단에 전기적으로 접속될 수 있다. 상기 제2 회로 영역(P)에서, 상기 상부 층간절연막(155) 및 상기 중간 층간절연막(130)을 차례로 관통하는 제1 상부 저항 콘택 플러그(161a) 및 제2 상부 저항 콘택 플러그(161b)을 형성할 수 있다. 상기 제1 상부 저항 콘택 플러그(161a)는 상기 상부 저항 소자(110a)의 일단에 전기적으로 접속되 고, 상기 제2 상부 저항 콘택 플러그(161b)는 상기 하부 저항 소자(110b)의 타단에 전기적으로 접속될 수 있다. 한편, 상기 제1 및 제2 하부 저항 콘택 플러그들(160a, 160b), 및 상기 제1 및 제2 상부 저항 콘택 플러그들(161a, 161b)은 동일한 반도체 공정에 의해 형성될 수 있다.In the second circuit region P, the first lower
상기 제2 회로 영역(P)의 상기 상부 층간절연막(155) 상에 상기 제1 하부 저항 콘택 플러그(160a)를 덮는 제1 하부 저항 배선(165a), 상기 제2 하부 저항 콘택 플러그(160b)를 덮는 제2 하부 저항 배선(165b), 상기 제1 상부 저항 콘택 플러그(161a)를 덮는 제1 상부 저항 배선(166a) 및 상기 제2 상부 저항 콘택 플러그(161b)를 덮는 제2 상부 저항 배선(166b)을 형성할 수 있다. 상기 비트라인(157), 상기 제1 하부 저항 배선(165a), 상기 제2 하부 저항 배선(165b), 상기 제1 상부 저항 배선(166a) 및 상기 제2 상부 저항 배선(166b)은 동일한 반도체 공정에 의해 형성될 수 있다. 상기 제1 하부 저항 배선(165a), 상기 제2 하부 저항 배선(165b), 상기 제1 상부 저항 배선(166a) 및 상기 제2 상부 저항 배선(166b)은 서로 이격될 수 있다. 따라서, 상기 하부 저항 소자(110b) 및 상기 상부 저항 소자(125b)는 단독의 저항소자들로 사용할 수 있다.The first
한편, 도 2d에서의 상기 제2 상부 저항 배선(166b) 및 상기 제2 하부 저항 배선(165b)을 형성하는 대신에, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 상부 층간절연막(155) 상에 상기 제2 상부 저항 콘택 플러그(161b) 및 상기 제2 하부 저항 콘택 플러그(160b)에 동시에 접촉하는 저항 연결 패턴(266)을 형성하여 상기 하부 저항 소자(110b)와 상기 상부 저항 소자(125b)를 직렬 저항으로 연결할 수 있다. 따라 서, 상기 하부 저항 소자(110b) 및 상기 상부 저항 소자(125b)를 단독의 저항소자들로 사용하지 않고 서로 직렬 저항으로 연결함으로써, 원하는 저항값을 갖는 저항소자를 얻을 수 있다.On the other hand, instead of forming the second
상술한 바와 같이, 상기 제1 회로 영역(C)에 다이오드를 형성함과 아울러 상기 제2 회로 영역(P)에 상기 하부 저항 소자(110b) 및/또는 상기 상부 저항 소자(125b)를 형성함으로써, 반도체소자에 필요한 저항소자를 형성하기 위해 별도의 포토리소그래피 공정을 생략할 수 있다. 따라서, 반도체소자의 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 적층된 형태의 상기 하부 저항 소자(110b) 및 상기 상부 저항 소자(125b)를 형성함으로써, 반도체소자에서 저항소자가 차지하는 평면적을 최소화할 수 있다. 그리고, 상기 하부 저항 소자(110b) 및/또는 상기 상부 저항 소자(125b)를 단결정 구조의 반도체 물질로 형성함으로써, 본 발명은 다결정 구조를 갖는 동일한 크기의 저항소자보다 높은 면저항을 갖는 저항소자를 구현할 수 있다.As described above, by forming a diode in the first circuit region C and by forming the
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자를 나타낸 평면도이다.1 is a plan view showing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자를 나타낸 단면도들이다.2A through 2E are cross-sectional views illustrating semiconductor devices in accordance with some embodiments of the inventive concept.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체소자를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device in accordance with another embodiment of the present invention.
Claims (20)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020070102007A KR20090036772A (en) | 2007-10-10 | 2007-10-10 | Semiconductor device having a resistor and method of fabricating the same |
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---|---|---|---|
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---|---|
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ID=40761639
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20090036772A (en) |
-
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