KR20090008503A - Solar cells having horizontal arrayed photovoltaic cells and manufacturing method of the same - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 28
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 19
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
Description
본 발명은 광기전 셀들을 갖는 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 광흡수층을 보다 직접적으로 태양광에 노출되도록 하여 광효율을 향상 시키는 수평 배열된 복수개의 광기전 셀을 갖는 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell having photovoltaic cells, and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a solar cell having a plurality of horizontally arranged photovoltaic cells that improve light efficiency by exposing a light absorbing layer to sunlight directly; The manufacturing method is related.
태양 전지는 태양광 발전의 핵심 소자이다. 태양광 발전은 차세대 에너지원으로 활용 가치가 매우 높은 에너지원이며 환경오염이 거의 없는 청정 에너지원으로 환경오염과 에너지 자원의 고갈이 심각한 상황에서 매우 적절한 대체 에너지원으로 그 중요성이 높아가고 있다. 그러나 태양광 발전에 있어서 문제가 되는 것으로 가장 큰 부분의 하나는 발전 전력량에 비하여 설비 투자비가 너무 과도하게 발생된다는 점이다. 태양광 발전을 위한 설비 투자에 있어서 많은 부분이 태양 전지에 할당된다. 그럼으로 가급적 저비용으로 고효율의 태양 전지를 제조할 수 있는 기술이 요구되고 있다.Solar cells are a key component of solar power generation. Photovoltaic power generation is an energy source that is highly valued as a next-generation energy source, and is a clean energy source with little environmental pollution, and its importance is increasing as an appropriate alternative energy source in a situation where environmental pollution and exhaustion of energy resources are serious. However, one of the biggest problems in the photovoltaic power generation is that the facility investment cost is excessively generated compared to the amount of generated power. Much of the investment in facilities for solar power is allocated to solar cells. Therefore, there is a demand for a technology capable of manufacturing high efficiency solar cells at the lowest possible cost.
태양 전지의 가장 중요한 부분은 광전 변환 효율이다. 그럼으로 광전 변환 효율이 높은 태양 전지를 개발 및 상용화하기 위한 노력들이 지속적으로 시도되고 있으며 그에 따라 다양한 재료와 다양한 구조의 태양 전지들이 개발되고 있다. 태양 전지의 기본적인 동작 원리는 반도체 pn 접합으로 구성된 태양전지에 반도체 에너지 밴드갭보다 큰 에너지의 태양광이 입사되면 전자-정공 쌍이 생성되어 광기전력을 발생하게 되는 것이다.The most important part of the solar cell is the photoelectric conversion efficiency. Therefore, efforts have been continuously made to develop and commercialize solar cells having high photoelectric conversion efficiency. Accordingly, solar cells of various materials and structures have been developed. The basic operation principle of a solar cell is that when solar light having a larger energy than the semiconductor energy bandgap is incident on a solar cell composed of a semiconductor pn junction, electron-hole pairs are generated to generate photovoltaic power.
비정질 실리콘(a-Si)계의 태양 전지의 기본 구조는 그 지지 기판의 종류에 다라 크게 두 종류로 구분될 수 있다. 유리등의 투과성 기판을 광입사측 지지기판으로 사용한 경우와 금속이나 플라스틱과 같은 불투과성 지지기판을 태양전지의 이면측에 사용한 경우이다. 또는 태양광이 입사되는 방향에 따라 구분되기도 한다. 기판으로부터 태양광이 입사되는 p-i-n형의 광기전 셀을 갖는 태양 전지와 기판과는 반대편으로부터 태양광이 입사되는 n-i-p형의 광기전 셀을 갖는 태양 전지로 구분될 수 있다. 두 구조의 태양 전지 모두 기판, 투명전극, p층, 광흡수층(i층), n층, 후면 반사기, 금속전극 등으로 구성된다. 단일 접합 구조의 태양 전지 뿐만 아니라 광학적 밴드갭이 서로 다른 광흡수층을 갖는 단위 셀들을 순차적으로 적층함으로써 광범위한 파장대의 빛을 흡수하여 효율을 높이일 수 있는 다중 접합 구조의 태양 전지도 있다.The basic structure of an amorphous silicon (a-Si) solar cell can be classified into two types depending on the type of the supporting substrate. The case where a transparent substrate such as glass is used as the light incident side support substrate and an impermeable support substrate such as metal or plastic is used on the back side of the solar cell. Or it may be classified according to the direction in which sunlight is incident. It can be classified into a solar cell having a p-i-n type photovoltaic cell in which solar light is incident from the substrate and a solar cell having an n-i-p type photovoltaic cell in which solar light is incident from the opposite side of the substrate. Both solar cells of the structure are composed of a substrate, a transparent electrode, a p layer, a light absorption layer (i layer), an n layer, a back reflector, a metal electrode, and the like. In addition to solar cells having a single junction structure, there is also a solar cell having a multi-junction structure that can absorb light of a wide range of wavelengths and increase efficiency by sequentially stacking unit cells having light absorption layers having different optical band gaps.
그런데, 이러한 종래의 적층형 구조의 태양 전지는 p층과 n층 사이에 광흡수층이 위치하는 적층 구조를 갖고 있어서 광흡수층까지 광이 도달하는 과정에서 발생될 수 있는 손실분을 어쩔 수 없이 감수해야 한다.However, such a conventional stacked solar cell has a laminated structure in which a light absorbing layer is positioned between the p layer and the n layer, and thus must bear the loss that may occur in the process of reaching the light absorbing layer.
본 발명의 목적은 광흡수층의 광흡수율을 높일 수 있도록 수평으로 배열된 p층, 광흡수층, n층을 포함한 복수개의 광기전 셀을 갖는 태양 전지를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a solar cell having a plurality of photovoltaic cells including a p layer, a light absorption layer, and an n layer arranged horizontally so as to increase the light absorption rate of the light absorption layer.
본 발명의 또 다른 목적은 수평 배열된 복수개의 광기전 셀의 제조 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a plurality of photovoltaic cells arranged horizontally.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 태양 전지에 관한 것이다. 본 발명의 일 특징에 따른 태양 전지는: 기판; 및 기판의 표면에 수평으로 배열된 복수개의 광기전 셀을 포함하고, 상기 광기전 셀은 p층, 광흡수층(i층), n층을 포함한다.One aspect of the present invention for achieving the above technical problem relates to a solar cell. A solar cell according to one aspect of the present invention includes: a substrate; And a plurality of photovoltaic cells arranged horizontally on the surface of the substrate, wherein the photovoltaic cells include p layers, light absorption layers (i layers), and n layers.
일 실시예에 있어서, 상기 p층과 n층은 광흡수층과 동일한 서로 동일한 표면 높이를 갖거나 서로 다른 표면 높이를 갖거나 또는 서로 다른 표면 높이를 갖는 것 중 어느 하나이다.In one embodiment, the p layer and the n layer is any one of the same surface height, the same or different surface height or different surface height as the light absorbing layer.
일 실시예에 있어서, 상기 p층과 n층은 광흡수층 상부에 형성된다.In one embodiment, the p layer and the n layer is formed on the light absorption layer.
일 실시예에 있어서, 상기 복수개의 광기전 셀에 포함된 광흡수층들은 서로 동일한 광학적 밴드갭을 갖는다.In one embodiment, the light absorption layers included in the photovoltaic cells have the same optical bandgap.
일 실시예에 있어서, 상기 복수개의 광기전 셀에 포함된 광흡수층들은 서로 다른 광학적 밴드갭을 갖는 두 개 이상의 그룹들을 포함한다.In one embodiment, the light absorption layers included in the photovoltaic cells include two or more groups having different optical bandgaps.
일 실시예에 있어서, 상기 기판은 태양광에 대한 투과성 기판 또는 불투과성 기판 중 어느 하나이다.In one embodiment, the substrate is either a transparent substrate or an impervious substrate to sunlight.
일 실시예에 있어서, 상기 복수개의 광기전 셀은 p층 상부에 위치하는 제1 전극과 n층 상부에 위치하는 제2 전극을 포함한다.In example embodiments, the plurality of photovoltaic cells include a first electrode positioned above the p layer and a second electrode positioned above the n layer.
일 실시예에 있어서, 상기 복수개의 광기전 셀은 p층과 기판의 표면 사이에 위치하는 제1 전극과 n층과 기판의 표면 사이에 위치하는 제2 전극을 포함한다.In one embodiment, the plurality of photovoltaic cells includes a first electrode located between the p layer and the surface of the substrate and a second electrode located between the n layer and the surface of the substrate.
본 발명의 다른 일면은 태양 전지에 관한 것이다. 본 발명의 다른 특징에 따른 태양 전지는: 기판; 기판의 제1 표면에 수평으로 배열된 복수개의 제1 광기전 셀; 및 기판의 제2 표면에 수평으로 배열된 복수개의 제2 광기전 셀을 포함하고, 상기 제1 및 제2 광기전 셀은 p층, 광흡수층(i층), n층을 포함한다.Another aspect of the invention relates to a solar cell. According to another aspect of the present invention, a solar cell includes: a substrate; A plurality of first photovoltaic cells arranged horizontally on a first surface of the substrate; And a plurality of second photovoltaic cells arranged horizontally on a second surface of the substrate, wherein the first and second photovoltaic cells comprise a p layer, a light absorption layer (i layer), and an n layer.
일 실시예에 있어서, 상기 p층과 n층은 광흡수층과 동일한 서로 동일한 표면 높이를 갖거나 서로 다른 표면 높이를 갖거나 또는 서로 다른 표면 높이를 갖는 것 중 어느 하나이다.In one embodiment, the p layer and the n layer is any one of the same surface height, the same or different surface height or different surface height as the light absorbing layer.
일 실시예에 있어서, 상기 p층과 n층은 광흡수층 상부에 형성된다.In one embodiment, the p layer and the n layer is formed on the light absorption layer.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 광기전 셀들에 포함된 광흡수층들은 서로 동일한 광학적 밴드갭을 갖는다.In one embodiment, the light absorption layers included in the first and second photovoltaic cells have the same optical bandgap.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 광기전 셀들에 포함된 광흡수층들은 서로 다른 광학적 밴드갭을 갖는 두 개 이상의 그룹들을 포함한다.In one embodiment, the light absorbing layers included in the first and second photovoltaic cells include two or more groups having different optical bandgaps.
일 실시예에 있어서, 상기 기판은 태양광에 대한 투과성 기판 또는 불투과성 기판 중 어느 하나이다.In one embodiment, the substrate is either a transparent substrate or an impervious substrate to sunlight.
일 실시예에 있어서, 상기 복수개의 광기전 셀은 p층 상부에 위치하는 제1 전극과 n층 상부에 위치하는 제2 전극을 포함한다.In example embodiments, the plurality of photovoltaic cells include a first electrode positioned above the p layer and a second electrode positioned above the n layer.
일 실시예에 있어서, 상기 복수개의 광기전 셀은 p층과 기판의 표면 사이에 위치하는 제1 전극과 n층과 기판의 표면 사이에 위치하는 제2 전극을 포함한다.In one embodiment, the plurality of photovoltaic cells includes a first electrode located between the p layer and the surface of the substrate and a second electrode located between the n layer and the surface of the substrate.
본 발명의 또 다른 일면은 태양 전지의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 또 다른 특징에 따른 태양 전지의 제조 방법은: 기판을 제공하는 단계; 및 기판의 표면에 수평으로 배열된 복수개의 광기전 셀을 형성하는 단계를 포함한다.Another aspect of the invention relates to a method of manufacturing a solar cell. According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a solar cell, including: providing a substrate; And forming a plurality of photovoltaic cells arranged horizontally on the surface of the substrate.
일 실시예에 있어서, 상기 복수개의 광기전 셀에 포함된 광흡수층들을 서로 동일한 광학적 밴드갭을 갖도록 형성하는 단계를 포함한다.In an embodiment, the method may include forming the light absorption layers included in the photovoltaic cells to have the same optical bandgap.
일 실시예에 있어서, 상기 복수개의 광기전 셀에 포함된 광흡수층들은 서로 다른 광학적 밴드갭을 갖는 두 개 이상의 그룹들을 형성하는 단계를 포함한다.In one embodiment, the light absorbing layers included in the plurality of photovoltaic cells comprise forming two or more groups having different optical bandgaps.
일 실시예에 있어서, p층 상부에 위치하는 제1 전극과 n층 상부에 위치하는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.In one embodiment, the method includes forming a first electrode on the p layer and a second electrode on the n layer.
일 실시예에 있어서, p층과 기판의 표면 사이에 위치하는 제1 전극과 n층과 기판의 표면 사이에 위치하는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.In one embodiment, forming a first electrode located between the p layer and the surface of the substrate and a second electrode located between the n layer and the surface of the substrate.
일 실시예에 있어서, 상기 복수개의 광기전 셀을 형성하는 단계는 수평결정화 방식, 저압화학기상증착 방식, 플라즈마 화학기상증착 방식 중 선택된 하나 이상의 방식으로 형성한다.In one embodiment, the forming of the plurality of photovoltaic cells is formed by at least one selected from a horizontal crystallization method, a low pressure chemical vapor deposition method, a plasma chemical vapor deposition method.
일 실시예에 있어서, 상기 광기전 셀을 형성하는 단계는 와이어 마스크를 이용한다.In one embodiment, forming the photovoltaic cell uses a wire mask.
본 발명의 수평 배열된 광기전 셀들을 갖는 태양 전지 및 그 제조 방법에 의하면, 광흡수층을 수평으로 배열된 p층과 n층 사이에 동일하게 수평적으로 위치시킴으로서 광흡수율을 높일 수 있어서 태양 전지의 효율을 향상 시킬 수 있다.According to the solar cell having the horizontally arranged photovoltaic cells of the present invention and a method of manufacturing the same, by placing the light absorption layer horizontally between the p-layer and the n-layer arranged horizontally to increase the light absorption rate of the solar cell It can improve the efficiency.
본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.In order to fully understand the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the invention should not be construed as limited to the embodiments described in detail below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings and the like may be exaggerated to emphasize a more clear description. It should be noted that the same members in each drawing are sometimes shown with the same reference numerals. Detailed descriptions of well-known functions and configurations that are determined to unnecessarily obscure the subject matter of the present invention are omitted.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이다. 도 1을 참조하여, 태양 전지(10)는 기판(10)과 기판(10)의 표면에 수평으로 배열되는 다수개의 광기전 셀(12)을 구비한다. 복수개의 광기전 셀(12)은 p층(13)과 n층(15) 그리고 그 사이에 위치한 광흡수층(i층)(14)을 각기 포함한다. 그럼으로 서로 이웃하는 광기전 셀(12)의 n층(15)과 p층(13)은 서로 접하게 된다. 광흡수층(14)은 수평으로 배열된 p층(13)과 n층(15) 사이에 동일하게 수평적으로 위치함으로서 광흡수율 을 높일 수 있어서 태양 전지(10)의 효율을 향상 시킬 수 있다.1 is a cross-sectional view of a solar cell according to a first embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the
p층(13), 광흡수층(i층)(12) 및, n층(14)은 기판(10)의 표면에 대하여 평면적으로 볼 때 직선형 구조를 갖지만 다른 변형된 구조를 갖도록 변형 실시할 수도 있다. 예를 들어, 원형이나 사각형 또는 다각형 등과 같은 서로 다른 직경을 갖는 동심원 구조를 갖도록 할 수 있다. 또는 스파이럴 구조나 지그재그 구조와 같이 다양한 형태의 변형이 가능하다.The
p층(13) 상부에는 제1 전극(16)이 구성되며, n층(15) 상부에는 제2 전극(17)이 구성된다. 제1 및 제2 전극(16, 17)은 알루미늄, 티타늄, 팔라듐, 니켈, 구리, 은과 같은 도전성 금속이나 투명 전극으로 구성될 수 있다. 도면에는 도시되지 않았으나, 태양 전지(10)는 태양광의 입사측으로 보호막을 형성하는 것이 바람직하다. 보호막은 그 두께를 적절히 하여서 입사된 광의 반사를 억제하는 반사 방지막으로 기능하도록 하는 것이 바람직하다.The
광흡수층(14)은 여러 종류의 재료를 사용할 수 있으며 예들 들어, 마이크로 결정 실리콘계, 비정질 실리콘계, 다결정 실리콘계 중 어느 하나를 사용할 수 있다. 수평 배열된 복수개의 광흡수층(14)들은 모두 동일한 광학적 밴드갭을 갖도록 하거나 서로 다른 광학적 밴드갭을 갖는 두 개 이상의 그룹으로 구성할 수 있다.The
기판(11)은 유리등의 투과성 기판 또는 금속이나 플라스틱과 같은 불투과성 기판을 사용할 수 있다. 도 1에 도시된 태양 전지(10)의 경우 투과성 기판이나 불투과성 기판을 모두 사용이 가능하다. 그러나 도 3에서 설명될 제1 실시예의 변형예의 태양 전지(10')의 경우에는 기판(11)을 태양광 입사측 지지 기판으로 사용하 기 때문에 투과성 기판을 사용한다.The
제1 실시예의 태양 전지(10)를 제조하는 방법은 크게 기판(10)을 제공하는 단계와 기판(10)의 표면에 수평으로 배열된 복수개의 광기전 셀(12)을 형성하는 단계를 포함한다. 광기전 셀(12)을 형성하는 단계에서는 복수개의 광기전 셀(12)에 포함된 광흡수층(14)들을 서로 동일한 광학적 밴드갭을 갖도록 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 또는 상기 복수개의 광기전 셀(12)에 포함된 광흡수층(14)들은 서로 다른 광학적 밴드갭을 갖는 두 개 이상의 그룹들로 나누어 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 복수개의 광기전 셀(12)을 형성한 후에는 p층(13) 상부에 위치하는 제1 전극(16)과 n층(15) 상부에 위치하는 제2 전극(17)을 형성한다. 그리고 태양광의 입사측으로 보호막을 형성한다.The method for manufacturing the
도 2는 와이어 마스크를 이용하여 광기전 셀을 형성하는 단계의 일부를 예시하는 도면이다. 도 2를 참조하여, 복수개의 광기전 셀(12)을 형성하는 단계는 예를 들어, 수평결정화 방식, 저압화학기상증착 방식, 플라즈마 화학기상증착 방식 중 선택된 하나 이상의 방식으로 형성될 수 있다. 그리고 복수개의 광기전 셀(12)을 형성하는 단계에서는 적절한 사이즈로 개구된 영역(21)을 갖는 와이어 마스크(20)를 사용할 수도 있다. 와이어 마스크(20)는 각 공정에 따라 수평 방향으로 이동하면서 해당되는 p층(13), n층(15), 광흡수층(14)을 형성할 수 있다. 와이어 마스크(20)는 형성하려는 층에 적합한 사이즈로 개구된 개구 영역(21)을 갖는 하나 이상의 와이어 마스크의 사용이 가능하다.2 is a diagram illustrating some of the steps of forming a photovoltaic cell using a wire mask. Referring to FIG. 2, the forming of the plurality of
도 3은 제1 실시예의 변형예에 따른 태양 전지의 단면도이다. 도 3을 참조 하여, 본 발명의 제1 실시예의 변형예에 따른 태양 전지(10')의 구성은 기본적으로 상술한 제1 실시예와 동일하다. 그러나 이 변형예에 따른 태양 전지(10')는 기판(11)을 태양광의 입사측 지지 기판으로 구성하기 때문에 유리등과 같은 투과성 기판으로 사용한다. 그리고 제1 전극(16)은 p층(13)과 기판(11) 사이에 구성되고 제2 전극(17)은 n층(15)과 기판(11) 사이에 구성된다. 제1 및 제2 전극(16)은 투명 전극으로 구성되는 것이 바람직할 수 있다.3 is a cross-sectional view of a solar cell according to a modification of the first embodiment. Referring to FIG. 3, the configuration of the
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이다. 도 4를 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지(10a)의 구성은 기본적으로 상술한 제1 실시예와 동일하다. 다만, 광기전 셀(12)의 구조에 있어서 광흡수층(14)의 상부에 p층(13)과 n층(15)이 위치한다. 그럼으로 서로 이웃한 광기전 셀(12)의 광흡수층(14)은 서로 접하게 되며, n층(15)과 p층(13) 또한 접하는 구조를 갖게된다.4 is a cross-sectional view of a solar cell according to a second embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the configuration of the
도 5는 제2 실시예의 변형예에 따른 태양 전지의 단면도이다. 도 5를 참조하여, 본 발명의 제2 실시예의 변형예에 따란 태양 전지(10a')의 구성은 기본적으로 상술한 제2 실시예와 동일하다. 그러나 이 변형예에 따른 태양 전지(10a')는 기판(11)을 태양광의 입사측 지지 기판으로 구성하기 때문에 유리등과 같은 투과성 기판으로 사용한다. 그리고 제1 전극(16)은 p층(13)과 기판(11) 사이에 구성되고 제2 전극(17)은 n층(15)과 기판(11) 사이에 구성된다. 제1 및 제2 전극(16)은 투명 전극으로 구성되는 것이 바람직할 수 있다.5 is a sectional view of a solar cell according to a modification of the second embodiment. Referring to Fig. 5, the configuration of the
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이다. 도 6을 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양 전지(10b)는 기판(11)의 양면으로 각기 복수의 광기전 셀(12)이 구성된다. 광기전 셀(12)의 구성은 상술한 제1 실시예(도 1 참조)와 동일함으로 반복된 설명은 생략한다. 여기서 기판(11)은 유리등의 투과성 기판이나 금속이나 플라스틱과 같은 불투과성 기판을 사용할 수 있다. 그러나 투과성 기판을 사용하는 것이 바람직할 수 있다.6 is a cross-sectional view of a solar cell according to a third embodiment of the present invention. Referring to FIG. 6, in the
도 7은 제3 실시예의 변형예에 따른 태양 전지의 단면도이다. 도 7을 참조하여, 본 발명의 제3 실시예의 변형예에 따른 태양 전지(10b')는 기본적으로 제3 실시예와 동일하게 기판(11)의 양면으로 각기 복수의 광기전 셀(12)이 구성된다. 그러나 광기전 셀(12)의 구체적인 구조는 도 3에 도시된 바와 같은 상술한 제1 실시예의 변형예의 구조를 갖는다.7 is a sectional view of a solar cell according to a modification of the third embodiment. Referring to FIG. 7, the
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이다. 도 8을 참조하여, 본 발명의 제4 실시예에 따른 태양 전지(10c)는 기판(11)의 양면으로 각기 복수의 광기전 셀(12)이 구성된다. 광기전 셀(12)의 구성은 상술한 제2 실시예(도4 참조) 동일함으로 반복된 설명은 생략한다. 여기서 기판(11)은 유리등의 투과성 기판이나 금속이나 플라스틱과 같은 불투과성 기판을 사용할 수 있다. 그러나 투과성 기판을 사용하는 것이 바람직할 수 있다.8 is a cross-sectional view of a solar cell according to a fourth embodiment of the present invention. Referring to FIG. 8, in the
도 9는 제4 실시예의 변형예에 따른 태양 전지의 단면도이다. 도 9를 참조하여, 본 발명의 제4 실시예의 변형예에 따른 태양 전지(10c')는 기본적으로 제4 실시예와 동일하게 기판(11)의 양면으로 각기 복수의 광기전 셀(12)이 구성된다. 그러나 광기전 셀(12)의 구체적인 구조는 도 5에 도시된 바와 같은 상술한 제3 실시예의 변형예의 구조를 갖는다.9 is a sectional view of a solar cell according to a modification of the fourth embodiment. Referring to FIG. 9, the
이상에서 설명된 본 발명의 수평 배열된 광기전 셀들을 갖는 태양 전지 및 그 제조 방법의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 태양 전지에 완충층을 부가할 수 있을 것이다. 또한, 태양 전지의 보다 효율을 향상시키기 위한 효과적인 구성들을 다양하게 부가하거나 적합하게 변형하여 부가할 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Embodiments of the solar cell having the horizontally arranged photovoltaic cells of the present invention described above and a method of manufacturing the same are merely exemplary, and those skilled in the art to which the present invention pertains various modifications and It will be appreciated that other equivalent embodiments are possible. For example, a buffer layer may be added to the solar cell of the present invention. In addition, various effective configurations for further improving the efficiency of the solar cell may be added or modified as appropriate. Therefore, it will be understood that the present invention is not limited only to the form mentioned in the above detailed description. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims. It is also to be understood that the present invention includes all modifications, equivalents, and substitutes within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.
본 발명의 태양 전지는 광흡수층을 수평으로 배열된 p층과 n층 사이에 위치시킴으로서 광흡수율을 높일 수 있어서 태양 전지의 효율을 향상 시킬 수 있다. 본 발명의 태양 전지는 태양광 발전 효율을 높이는데 매우 효과적으로 사용될 수 있다. 이러한 특징을 갖는 본 발명의 태양 전지는 태양광 발전소를 비롯하여 태양 전지를 응용한 다양한 여러 재품에 이용될 수 있다.The solar cell of the present invention can increase the light absorption by placing the light absorption layer between the p layer and the n layer arranged horizontally can improve the efficiency of the solar cell. The solar cell of the present invention can be used very effectively to increase the photovoltaic power generation efficiency. The solar cell of the present invention having such a feature can be used in a variety of products using a solar cell, including a solar power plant.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a solar cell according to a first embodiment of the present invention.
도 2는 와이어 마스크를 이용하여 광기전 셀을 형성하는 단계의 일부를 예시하는 도면이다.2 is a diagram illustrating some of the steps of forming a photovoltaic cell using a wire mask.
도 3은 제1 실시예의 변형예에 따른 태양 전지의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a solar cell according to a modification of the first embodiment.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a solar cell according to a second embodiment of the present invention.
도 5는 제2 실시예의 변형예에 따른 태양 전지의 단면도이다.5 is a sectional view of a solar cell according to a modification of the second embodiment.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a solar cell according to a third embodiment of the present invention.
도 7은 제3 실시예의 변형예에 따른 태양 전지의 단면도이다.7 is a sectional view of a solar cell according to a modification of the third embodiment.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 태양 전지의 단면도이다.8 is a cross-sectional view of a solar cell according to a fourth embodiment of the present invention.
도 9는 제4 실시예의 변형예에 따른 태양 전지의 단면도이다.9 is a sectional view of a solar cell according to a modification of the fourth embodiment.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
10, 10a, 10b, 10c, 10d: 태양 전지 11: 기판10, 10a, 10b, 10c, and 10d: solar cell 11: substrate
12: i층 13: p층12: i layer 13: p layer
14: n층 15: 제1 전극14: n layer 15: first electrode
16: 제2 전극 20: 와이어 마스크16: second electrode 20: wire mask
Claims (23)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070071484A KR101325140B1 (en) | 2007-07-18 | 2007-07-18 | Solar cells having horizontal arrayed photovoltaic cells and manufacturing method of the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070071484A KR101325140B1 (en) | 2007-07-18 | 2007-07-18 | Solar cells having horizontal arrayed photovoltaic cells and manufacturing method of the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090008503A true KR20090008503A (en) | 2009-01-22 |
KR101325140B1 KR101325140B1 (en) | 2013-11-06 |
Family
ID=40488574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070071484A KR101325140B1 (en) | 2007-07-18 | 2007-07-18 | Solar cells having horizontal arrayed photovoltaic cells and manufacturing method of the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101325140B1 (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007123554A (en) | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Sanyo Electric Co Ltd | Ultraviolet sensor |
-
2007
- 2007-07-18 KR KR1020070071484A patent/KR101325140B1/en not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR101325140B1 (en) | 2013-11-06 |
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