KR20090007578A - Polymer and photosensitive resin composition comprising the same - Google Patents

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Abstract

Disclosed is a polymer having a repeat unit represented by the general formula (1) and a repeat unit represented by the general formula (3).

Description

중합체 및 이를 함유하는 감광성 수지 조성물{POLYMER AND PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION COMPRISING THE SAME}POLYMER AND PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION COMPRISING THE SAME

본 발명은 반도체 소자의 층간 절연막(패시베이션막), 표면 보호막(오버 코팅막), 및 고밀도 실장 기판용 절연막 등에 이용되는 폐환계 폴리이미드의 중합체, 및 이를 함유하는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 일반적인 용제에 대한 용해성이 높고, 높은 막 두께 도포 및 알칼리 현상이 가능함과 동시에, 해상도가 높은 경화물을 얻는 것이 가능한, 표면 보호막, 층간 절연막, 및 고밀도 실장 기판용 절연막 용도에 적합한 폐환계 폴리이미드의 중합체, 및 이를 함유하는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a polymer of a closed ring polyimide for use in an interlayer insulating film (passivation film), a surface protective film (overcoating film), an insulating film for a high-density packaging substrate of a semiconductor device, and a photosensitive resin composition containing the same. More specifically, the present invention provides a surface protective film, an interlayer insulating film, and an insulating film for a high-density mounting substrate, which have high solubility in a general solvent, enable high film thickness coating and alkali development, and attain a high resolution cured product. It relates to a polymer of a closed ring-based polyimide suitable for use, and a photosensitive resin composition containing the same.

종래, 전자 기기의 반도체 소자에 이용되는 표면 보호막이나 층간 절연막 등에는 내열성이나 기계적 특성 등이 우수한 폴리이미드계 수지가 널리 사용되고 있다. 또한, 반도체 소자의 고집적화에 따라, 막 형성 정밀도의 향상을 위해 감광성을 부여한 감광성 폴리이미드계 수지가 다양하게 제안되어 있고, 측쇄 중합성 네가티브형 감광성 폴리이미드가 다용되고 있다. Background Art Conventionally, polyimide resins having excellent heat resistance, mechanical properties, and the like are widely used for surface protective films and interlayer insulating films used in semiconductor devices of electronic devices. Moreover, with the high integration of a semiconductor element, the photosensitive polyimide-type resin which gave photosensitive property for the improvement of film formation precision is proposed variously, and the side chain polymerizable negative photosensitive polyimide is used abundantly.

예를 들면, 하기 특허 문헌 1에는 아크릴 측쇄를 가진 방향족 폴리이미드 전구체를 이용한 감광성 조성물이 기재되어 있다. 그러나, 이 감광성 조성물은 광투 과율의 문제로 인하여 높은 막 두께로의 대응이 곤란함과 동시에 경화 후의 잔류 응력이 크다는 문제가 있다. 나아가, 용제 현상을 위해 환경이나 안전에 대한 문제도 있었다. 또한, 현상액으로서 유기 용제를 사용할 필요가 있기 때문에, 알칼리 현상형의 감방사선성 수지 조성물의 개발이 요망되고 있다. For example, Patent Document 1 below describes a photosensitive composition using an aromatic polyimide precursor having an acrylic side chain. However, this photosensitive composition has a problem that it is difficult to cope with a high film thickness due to the problem of light transmittance and a large residual stress after curing. Furthermore, there was a problem with the environment or safety for the solvent phenomenon. Moreover, since it is necessary to use the organic solvent as a developing solution, development of the radiation-sensitive resin composition of alkali developing type is desired.

이들 문제를 해결하기 위해 종래부터 다수의 제안이 이루어져 있다. 예를 들면, 하기 특허 문헌 2 및 3에는 알칼리 현상 가능한 포지티브형 감광성 폴리이미드 조성물이 제안되어 있다. 그러나, 이들 감광성 폴리이미드 조성물의 도포성은 반드시 양호하다고는 할 수 없고, 예를 들면 15 ㎛ 이상의 높은 막 두께로의 대응은 곤란하였다. 또한, 충분히 높은 해상도를 얻기 어렵다는 문제도 있었다. 이 때문에, 높은 막 두께 도포 및 고해상도가 요구되는 표면 보호막, 층간 절연막이나 고밀도 실장 기판용 절연막 용도로의 대응이 곤란하다는 문제가 있었다. 그 밖에도 다수의 특허가 출원되어 있지만, 반도체 소자의 고집적화, 박형화 등에 의한 요구 특성을 충분히 만족시키는 것이 곤란하게 되어 있다. In order to solve these problems, many proposals have been made conventionally. For example, the following patent documents 2 and 3 propose a positive photosensitive polyimide composition which is alkali developable. However, the applicability of these photosensitive polyimide compositions is not necessarily good, and it is difficult to cope with a high film thickness of 15 µm or more, for example. There is also a problem that it is difficult to obtain a sufficiently high resolution. For this reason, there is a problem that it is difficult to cope with the use of the surface protective film, the interlayer insulating film, or the insulating film for a high-density mounting substrate which requires high film thickness coating and high resolution. In addition, many patents have been filed, but it is difficult to sufficiently satisfy the required characteristics due to high integration, thinning, and the like of semiconductor devices.

특허 문헌 1: 일본 특허 공개 (소)63-125510호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 63-125510

특허 문헌 2: 일본 특허 공개 (평)3-204649호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-204649

특허 문헌 3: 일본 특허 공개 (평)3-209478호 공보 Patent Document 3: Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-209478

<발명의 개시><Start of invention>

본 발명은 이러한 종래 기술이 갖는 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 그의 과제로 하는 바는, 일반적인 용제에 대한 용해성이 높고, 높은 막 두께 도포 및 알칼리 현상이 가능함과 동시에, 해상도가 높은 경화물을 얻는 것이 가능한, 표면 보호막, 층간 절연막, 및 고밀도 실장 기판용 절연막 용도에 적합한 폐환계 폴리이미드의 중합체, 및 이를 함유하는 감광성 수지 조성물을 제공하는 데에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the problems of the prior art, and its object is to obtain a cured product having high solubility in a general solvent, high film thickness coating and alkali development, and high resolution. It is possible to provide a polymer of a closed ring-based polyimide suitable for a surface protective film, an interlayer insulating film, and an insulating film for a high density mounting substrate, and a photosensitive resin composition containing the same.

본 발명자들은 상기 과제를 달성하기 위해 예의 검토한 결과, 이하의 구성으로 함으로써 상기 과제를 달성하는 것이 가능함을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining in order to achieve the said subject, the present inventors discovered that the said subject can be achieved by the following structures, and came to complete this invention.

즉, 본 발명에 따르면, 이하에 나타내는 중합체 및 감광성 수지 조성물이 제공된다.That is, according to this invention, the polymer and photosensitive resin composition shown below are provided.

[1] 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위를 포함하는 중합체. [1] A polymer comprising a repeating unit represented by the following formula (1) and a repeating unit represented by the following formula (3).

Figure 112008076111323-PCT00001
Figure 112008076111323-PCT00001

(상기 화학식 1 중, X는 4가의 방향족 또는 지방족 탄화수소기를 나타내고, A는 하기 화학식 2로 표시되는 2가의 기를 나타냄)(In Formula 1, X represents a tetravalent aromatic or aliphatic hydrocarbon group, A represents a divalent group represented by the following formula (2))

Figure 112008076111323-PCT00002
Figure 112008076111323-PCT00002

(상기 화학식 2 중, R1은 2가의 기를 나타내고, R2는 서로 독립적으로 수소 원자, 아실기, 또는 알킬기를 나타내고, n1 및 n2는 0 내지 2의 정수를 나타내고, n1과 n2 중 적어도 한쪽은 1 이상이고, R2 중 하나 이상은 수소 원자임)(In Formula 2, R 1 represents a divalent group, R 2 independently of each other represents a hydrogen atom, an acyl group, or an alkyl group, n 1 and n 2 represent an integer of 0 to 2, n 1 and n 2 At least one is at least one, and at least one of R 2 is a hydrogen atom)

Figure 112008076111323-PCT00003
Figure 112008076111323-PCT00003

(상기 화학식 3 중, X는 4가의 방향족 또는 지방족 탄화수소기를 나타내고, B는 탄소수 2 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 또는 하기 화학식 4로 표시되는 2가의 기를 나타냄)(In Formula 3, X represents a tetravalent aromatic or aliphatic hydrocarbon group, B represents a substituted or unsubstituted alkylene group having 2 to 20 carbon atoms, or a divalent group represented by the following Formula 4.)

Figure 112008076111323-PCT00004
Figure 112008076111323-PCT00004

(상기 화학식 4 중, Z는 탄소수 2 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬렌기를 나타냄)(In Formula 4, Z represents a substituted or unsubstituted alkylene group having 2 to 20 carbon atoms)

[2] 상기 화학식 1 및 3 중의 X가 4가의 지방족 탄화수소기인 상기 [1]에 기재된 중합체. [2] The polymer according to the above [1], wherein X in the formulas (1) and (3) is a tetravalent aliphatic hydrocarbon group.

[3] (A) 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 중합체, (B) 광산발생제, 및 (C) 가교제를 함유하는 감광성 수지 조성물. [3] (A) Photosensitive resin composition containing the polymer as described in said [1] or [2], (B) photo-acid generator, and (C) crosslinking agent.

[4] 페놀 수지를 추가로 함유하는 상기 [3]에 기재된 감광성 수지 조성물. [4] The photosensitive resin composition according to the above [3], further containing a phenol resin.

[5] 상기 (C) 가교제가 알콕시알킬화된 아미노기를 갖는 상기 [3] 또는 [4]에 기재된 감광성 수지 조성물.[5] The photosensitive resin composition according to the above [3] or [4], wherein the crosslinking agent (C) has an alkoxyalkylated amino group.

본 발명의 신규한 폐환계 폴리이미드의 중합체 및 이를 함유하는 감광성 수지 조성물은 일반적인 용제에 대한 용해성이 높고, 높은 막 두께 도포 및 알칼리 현상이 가능함과 동시에 해상도가 높은 경화물을 얻는 것이 가능하여, 표면 보호막, 층간 절연막, 및 고밀도 실장 기판용 절연막 용도에 적합한 효과를 발휘한다.The polymer of the novel closed ring-based polyimide of the present invention and the photosensitive resin composition containing the same have high solubility in a general solvent, enable high film thickness coating and alkali development, and at the same time obtain a cured product having high resolution. The film exhibits an effect suitable for the use of a protective film, an interlayer insulating film, and an insulating film for a high density mounting substrate.

도 1은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 절연 수지층을 갖는 반도체 소자의 모식 단면도이다. 1: is a schematic cross section of the semiconductor element which has the insulated resin layer formed using the photosensitive resin composition of this invention.

도 2는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 절연 수지층을 갖는 반도체 소자의 모식 단면도이다. It is a schematic cross section of the semiconductor element which has the insulated resin layer formed using the photosensitive resin composition of this invention.

부호의 설명Explanation of the sign

1: 기판 1: substrate

2: 금속 패드2: metal pad

3: 절연막3: insulation film

4: 금속 배선4: metal wiring

5: 절연막 5: insulation film

<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>Best Mode for Carrying Out the Invention

이하, 본 발명의 최선의 실시 형태에 대하여 설명하지만, 본 발명이 이하의 실시 형태로 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 범위에서 당업자의 통상의 지식에 기초하여 이하의 실시 형태에 대하여 적절히 변경, 개량 등이 가해진 것도 본 발명의 범위에 들어간다고 이해되어야 할 것이다.Best Modes for Carrying Out the Invention Best Modes for Carrying Out the Invention Hereinafter, the best embodiments of the present invention will be described. However, the present invention is not limited to the following embodiments. It is to be understood that modifications, improvements, and the like, as appropriate, fall within the scope of the present invention.

1. (A) 중합체: 1. (A) Polymer:

본 발명의 (A) 중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 반복 단위 및 상기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것이다. 이하, 그를 상세하게 설명한다.The polymer (A) of the present invention includes a repeating unit represented by Formula 1 and a repeating unit represented by Formula 3. This will be described in detail below.

상기 화학식 1 중의 X는 4가의 방향족 탄화수소기 또는 4가의 지방족 탄화수소기이고, 바람직하게는 4가의 지방족 탄화수소기이다. 4가의 방향족 탄화수소기로서는, 구체적으로는 방향족 탄화수소의 모골격의 4개의 수소가 치환된 4가의 기를 들 수 있다. X in the said Formula (1) is a tetravalent aromatic hydrocarbon group or tetravalent aliphatic hydrocarbon group, Preferably it is a tetravalent aliphatic hydrocarbon group. Specific examples of the tetravalent aromatic hydrocarbon group include tetravalent groups in which four hydrogens of the parent skeleton of the aromatic hydrocarbon are substituted.

방향족 탄화수소기로서는 예를 들면 이하에 나타내는 기를 들 수 있다. As an aromatic hydrocarbon group, the group shown below is mentioned, for example.

Figure 112008076111323-PCT00005
Figure 112008076111323-PCT00005

4가의 지방족 탄화수소기로서는 쇄상 탄화수소기, 지환식 탄화수소기, 알킬지환식 탄화수소기 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 쇄상 탄화수소기, 지환식 탄화수소, 또는 알킬지환식 탄화수소의 모골격의 4개의 수소가 치환된 4가의 기를 들 수 있다. 또한, 이들 4가의 지방족 탄화수소기는 그의 구조 중 적어도 일부에 방향족환을 포함하는 것일 수 있다. 여기서, 쇄상 탄화수소로서는 에탄, n-프로판, n-부탄, n-펜탄, n-헥산, n-옥탄, n-데칸, n-도데칸 등을 들 수 있다. 또한, 지환식 탄화수소로서는, 구체적으로는 단환식 탄화수소기, 이환식 탄화수소기, 삼환식 이상의 탄화수소 등을 들 수 있다. Examples of the tetravalent aliphatic hydrocarbon group include a chain hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, and an alkyl alicyclic hydrocarbon group. More specifically, the tetravalent group in which four hydrogens of the backbone of a linear hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon, or an alkyl alicyclic hydrocarbon is substituted is mentioned. Moreover, these tetravalent aliphatic hydrocarbon groups may be what contains an aromatic ring in at least one part of the structure. Here, as a chain hydrocarbon, ethane, n-propane, n-butane, n-pentane, n-hexane, n-octane, n-decane, n-dodecane, etc. are mentioned. Moreover, as an alicyclic hydrocarbon, a monocyclic hydrocarbon group, a bicyclic hydrocarbon group, a tricyclic or more hydrocarbon, etc. are mentioned specifically ,.

단환식 탄화수소로서는 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로펜탄, 시클로펜텐, 시클로헥산, 시클로헥센, 시클로옥탄 등을 들 수 있다. 이환식 탄화수소로서는 비시클로[2.2.1]헵탄, 비시클로[3.1.1]헵탄, 비시클로[3.1.1]헵트-2-엔, 비시클로[2.2.2]옥탄, 비시클로[2.2.2]옥트-7-엔 등을 들 수 있다. 또한, 삼환식 이상의 탄화수소로서는 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸, 트리시클로[5.2.1.02,6]데크-4-엔, 아다만탄, 테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데칸 등을 들 수 있다.Examples of the monocyclic hydrocarbon include cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane, cyclopentene, cyclohexane, cyclohexene, and cyclooctane. Bicyclic hydrocarbons include bicyclo [2.2.1] heptane, bicyclo [3.1.1] heptane, bicyclo [3.1.1] hept-2-ene, bicyclo [2.2.2] octane, bicyclo [2.2.2] Oct-7-ene etc. are mentioned. Further, tricyclic or higher hydrocarbons include tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] dec-4-ene, adamantane, tetracyclo [6.2.1.1 3,6 .0 2,7 ] dodecane and the like.

알킬지환식 탄화수소로서는, 상기 지환식 탄화수소를 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 알킬기로 치환한 것을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 메틸시클로펜탄, 3-에틸-1-메틸-1-시클로헥센, 3-에틸-1-시클로헥센 등을 들 수 있다. 또한, 그의 구조 중 적어도 일부에 방향족환을 포함하는 4가의 지방족 탄화수소기로서는 1 분자 중에 포함되는 방향족환의 수가 3 이하의 것인 것이 바람직하고, 1인 것이 특히 바람직하다. 보다 구체적으로는, 1-에틸-6-메틸-1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌, 1-에틸-1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌 등을 들 수 있다. As an alkyl alicyclic hydrocarbon, what substituted the said alicyclic hydrocarbon by alkyl groups, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group, is mentioned. More specifically, methylcyclopentane, 3-ethyl-1-methyl-1-cyclohexene, 3-ethyl-1-cyclohexene, etc. are mentioned. Moreover, as a tetravalent aliphatic hydrocarbon group which contains an aromatic ring in at least one part of its structure, it is preferable that the number of the aromatic rings contained in one molecule is three or less, and it is especially preferable that it is one. More specifically, 1-ethyl-6-methyl-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene, 1-ethyl-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene, etc. are mentioned.

X로서 바람직한 4가의 기의 모핵으로서는 n-부탄, 시클로부탄, 시클로펜탄, 시클로헥산, 비시클로[2.2.1]헵탄, 비시클로[2.2.2]옥탄, 비시클로[2.2.2]옥트-7-엔, 테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데칸, 메틸시클로펜탄 등을 들 수 있다. Preferred nuclei of tetravalent groups as X include n-butane, cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, bicyclo [2.2.1] heptane, bicyclo [2.2.2] octane, bicyclo [2.2.2] oct-7 -Ene, tetracyclo [6.2.1.1 3,6.0 2,7 ] dodecane, methylcyclopentane, etc. are mentioned.

X로서 더욱 바람직한 것은 More preferred as X

Figure 112008076111323-PCT00006
Figure 112008076111323-PCT00006

이다. to be.

또한, X로서 특히 바람직한 것은 In addition, particularly preferred as X

Figure 112008076111323-PCT00007
Figure 112008076111323-PCT00007

이고, 가장 바람직한 것은 , Most preferred

Figure 112008076111323-PCT00008
Figure 112008076111323-PCT00008

이다. 이들 X는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.to be. These X can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

상기 화학식 1 중의 A는 상기 화학식 2로 표시되는 2가의 기이다. 또한, 상기 화학식 2 중의 R1은 2가의 기이다. R1의 구체예로서는, 산소 원자, 황 원자, 술폰기, 카르보닐기, 메틸렌기, 알킬렌기(메틸렌기를 제외함), 디메틸메틸렌기, 비스(트리플루오로메틸)메틸렌기 등을 들 수 있다. A in Formula 1 is a divalent group represented by Formula 2 above. In addition, R <1> in the said General formula (2) is a divalent group. As an example of R <1> , an oxygen atom, a sulfur atom, a sulfone group, a carbonyl group, a methylene group, an alkylene group (except methylene group), a dimethyl methylene group, a bis (trifluoromethyl) methylene group, etc. are mentioned.

상기 화학식 2 중의 R2는 서로 독립적으로 수소 원자, 아실기 또는 알킬기를 나타낸다. 바람직한 아실기로서는 포르밀기, 아세틸기, 프로피오닐기, 부티로일 기, 이소부티로일기 등을 들 수 있고, 바람직한 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기 등을 들 수 있다. 또한, R2 중 하나 이상은 수소 원자이다. 또한, 상기 화학식 2 중의 n1 및 n2는 0 내지 2의 정수이고, n1과 n2 중 적어도 한쪽은 1 이상이다. R 2 in Formula 2 independently represents a hydrogen atom, an acyl group or an alkyl group. Preferred acyl groups include formyl group, acetyl group, propionyl group, butyroyl group, isobutyroyl group and the like, and preferred alkyl groups include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group and n. -Butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-decyl group, n-dodecyl group, etc. are mentioned. In addition, at least one of R 2 is a hydrogen atom. Further, the formula (2) of n 1 and n 2 is an integer from 0 to 2, and at least one of n 1 and n 2 is 1 or more.

A로서 바람직한 것은 Preferred as A

Figure 112008076111323-PCT00009
Figure 112008076111323-PCT00009

이다. 또한, A로서 더욱 바람직한 것은 to be. Moreover, what is more preferable as A is

Figure 112008076111323-PCT00010
Figure 112008076111323-PCT00010

이다. to be.

상기 화학식 3 중의 X는 4가의 방향족 탄화수소기 또는 4가의 지방족 탄화수소기이다. 이 화학식 3 중의 X는 상기 화학식 1 중의 X와 동일하고, 동일한 것을 바람직한 예로서 들 수 있다. X in the said Formula (3) is a tetravalent aromatic hydrocarbon group or tetravalent aliphatic hydrocarbon group. X in this general formula (3) is the same as X in the said general formula (1), and the same thing is mentioned as a preferable example.

상기 화학식 3 중의 B는 탄소수 2 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 또는 상기 화학식 4로 표시되는 2가의 기이다. 탄소수 2 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬렌기는 구체적으로는 탄소수 4 이상의 알킬렌기인 것이 바람직하다. 탄소수 4 이상의 알킬렌기로서는, 예를 들면 1,4-부틸렌기 등의 탄소수 4의 알킬렌 기; 1,5-펜틸렌기 등의 탄소수 5의 알킬렌기; 2-메틸-1,5-펜틸렌기, 1,6-헥실렌기 등의 탄소수 6의 알킬렌기; 1,10-데실렌기, 1,12-도데실렌기 등의 탄소수 7 내지 20의 알킬렌기 등을 들 수 있다. 이들 중에서 중합체의 용제로의 용해성이 향상되는 이유에서 탄소수 6 이상의 알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 7 내지 20의 알킬렌기가 더욱 바람직하다. B in Formula 3 is a substituted or unsubstituted alkylene group having 2 to 20 carbon atoms, or a divalent group represented by Formula 4. Specifically, the substituted or unsubstituted alkylene group having 2 to 20 carbon atoms is preferably an alkylene group having 4 or more carbon atoms. As a C4 or more alkylene group, For example, C4 alkylene groups, such as a 1, 4- butylene group; C5 alkylene groups, such as a 1, 5- pentylene group; Alkylene groups having 6 carbon atoms such as 2-methyl-1,5-pentylene group and 1,6-hexylene group; And an alkylene group having 7 to 20 carbon atoms such as a 1,10-decylene group and a 1,12-dodecylene group. Among them, an alkylene group having 6 or more carbon atoms is preferable, and an alkylene group having 7 to 20 carbon atoms is more preferable because of the solubility of the polymer in the solvent.

상기 화학식 4 중의 Z는 탄소수 2 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬렌기이다. 탄소수 2 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬렌기는 구체적으로는 탄소수 3 이상의 알킬렌기인 것이 바람직하다. 탄소수 3 이상의 알킬렌기로서는, 예를 들면 1,3-프로필렌기, 2,2-디메틸프로필렌기, 1,4-부틸렌기, 1,5-펜틸렌기 등의 탄소수 3 내지 5의 알킬렌기; 2-메틸-1,5-펜틸렌기, 1,6-헥실렌기 등의 탄소수 6의 알킬렌기; 1,10-데실렌기, 1,12-도데실렌기 등의 탄소수 7 내지 20의 알킬렌기 등을 들 수 있다. Z in Formula 4 is a substituted or unsubstituted alkylene group having 2 to 20 carbon atoms. Specifically, the substituted or unsubstituted alkylene group having 2 to 20 carbon atoms is preferably an alkylene group having 3 or more carbon atoms. As a C3 or more alkylene group, For example, C3-C5 alkylene groups, such as a 1, 3- propylene group, a 2, 2- dimethyl propylene group, a 1, 4- butylene group, and a 1, 5- pentylene group; Alkylene groups having 6 carbon atoms such as 2-methyl-1,5-pentylene group and 1,6-hexylene group; And an alkylene group having 7 to 20 carbon atoms such as a 1,10-decylene group and a 1,12-dodecylene group.

상기 화학식 4로 표시되는 2가의 기로서 더욱 바람직한 것은 More preferred as a divalent group represented by the formula (4)

Figure 112008076111323-PCT00011
Figure 112008076111323-PCT00011

이다. to be.

(A) 중합체는 통상, 하기 화학식 5로 표시되는 단량체(이하, "단량체 (5)"라고도 함), 하기 화학식 6으로 표시되는 단량체(이하, "단량체 (6)"이라고도 함), 및 하기 화학식 7로 표시되는 단량체(이하, "단량체 (7)"이라고도 함)를 중합 용제 중에서 반응시켜 폴리아미드산을 합성하고, 추가로 이미드화 반응을 행함으로써 얻을 수 있다. 폴리아미드산의 합성 절차는 일반적으로는 이하의 2 종류의 방법이 알려져 있고, 어느 방법으로 합성하든 좋다. 즉, (i) 단량체 (6)과 단량체 (7)을 중합 용제에 용해시킨 후, 단량체 (5)를 반응시키는 방법, (ii) 단량체 (5)를 중합 용제에 용해시킨 후, 단량체 (7)을 반응시키고, 추가로 단량체 (6)을 반응시키는 방법이다. The polymer (A) is usually a monomer represented by the following formula (5) (hereinafter also referred to as "monomer (5)"), a monomer represented by the following formula (6) (hereinafter also referred to as "monomer (6)"), and the following formula The monomer represented by 7 (henceforth "monomer (7)") can be made to react in a polymerization solvent, a polyamic acid is synthesize | combined, and it can obtain by carrying out imidation reaction further. In general, the following two kinds of methods are known for synthesizing the polyamic acid, and any method may be synthesized. That is, after (i) monomer (6) and monomer (7) are dissolved in a polymerization solvent, the method of making monomer (5) react, (ii) monomer (5) is dissolved in a polymerization solvent, and then monomer (7) Is reacted and the monomer (6) is further reacted.

Figure 112008076111323-PCT00012
Figure 112008076111323-PCT00012

Figure 112008076111323-PCT00013
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Figure 112008076111323-PCT00014
Figure 112008076111323-PCT00014

또한, 상기 화학식 5 중의 X는 상기 화학식 1 중의 X와 동일하고, 상기 화학식 6 중의 R1, R2, n1, 및 n2는 상기 화학식 2 중의 R1, R2, n1, 및 n2와 동일하고, 상기 화학식 7 중의 B는 상기 화학식 3 중의 B와 동일하다.Further, the formula (5) in X is the formula (6) in the R 1, R 2 the same as X in the formula (1), and, n 1, and n 2 is R 1 in the second formula, R 2, n 1, and n 2 And B in the formula (7) is the same as B in the formula (3).

중합 용제로서는 통상, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, 디메틸술폭시드 등의 비양성자성 용제; 메타크레졸 등의 양성자성 용제가 사용된다. 또한, 필요에 따라 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 2-(2-메톡시에톡시)에탄올, 2-(2-에톡시에톡시)에탄올 등의 알코올 용제; 디글라임, 트리글라임 등의 에테르 용제; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소 용제를 가할 수 있다. As a polymerization solvent, Usually, aprotic solvents, such as N, N- dimethylformamide, N, N- dimethylacetamide, N-methyl- 2-pyrrolidone, (gamma) -butyrolactone, and dimethyl sulfoxide; Protic solvents such as metacresol are used. If necessary, methanol, ethanol, propanol, butanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2- (2-methoxyethoxy) ethanol and 2- (2-ethoxyethoxy) ethanol Alcohol solvents; Ether solvents such as diglyme and triglyme; Aromatic hydrocarbon solvents, such as toluene and xylene, can be added.

이미드화 반응은 통상, 가열 이미드화 반응과 화학 이미드화 반응이 알려져 있지만, 가열 이미드화 반응에 의해 (A) 중합체를 합성하는 것이 바람직하다. 가열 이미드화 반응은 통상, 폴리아미드산의 합성 용액을 120 내지 210℃에서 1 내지 16 시간 가열함으로써 행한다. 또한, 필요에 따라, 톨루엔, 크실렌 등의 공비 용제를 사용하여 계 내의 물을 제거하면서 반응을 행할 수 있다.As for the imidation reaction, although heat imidation reaction and chemical imidation reaction are known normally, it is preferable to synthesize | combine (A) polymer by a heat imidation reaction. Heat imidation reaction is normally performed by heating the synthetic solution of polyamic acid at 120-210 degreeC for 1 to 16 hours. Moreover, if necessary, reaction can be performed, removing water in a system using azeotropic solvents, such as toluene and xylene.

(A) 중합체의, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(이하, "Mw"라고도 함)은 통상 2,000 내지 500,000 정도이고, 바람직하게는 3,000 내지 200,000 정도이다. Mw가 2,000 미만이면, 절연막으로서 충분한 기계적 특성이 얻어지지 않게 되는 경향이 있다. 한편, Mw가 500,000을 초과하면, 이 (A) 중합체를 이용하여 얻어지는 감광성 수지 조성물의, 용제나 현상액에 대한 용해성이 부족해지는 경향이 있다. The polystyrene reduced weight average molecular weight (hereinafter also referred to as "Mw") of the polymer (A) measured by gel permeation chromatography (GPC) is usually about 2,000 to 500,000, preferably about 3,000 to 200,000. When Mw is less than 2,000, there exists a tendency for mechanical characteristics not sufficient as an insulating film to be obtained. On the other hand, when Mw exceeds 500,000, there exists a tendency for the solubility to a solvent and a developing solution of the photosensitive resin composition obtained using this (A) polymer to run short.

(A) 중합체의, 전체 단량체(단량체 (5)+단량체 (6)+단량체 (7))에서 차지하는 단량체 (5)의 비율은 통상 40 내지 60몰%이고, 바람직하게는 45 내지 55몰%이 다. 전체 단량체에서 차지하는 단량체 (5)의 비율이 40몰% 미만이거나, 또는 60몰%를 초과하면, 얻어지는 (A) 중합체의 분자량이 저하되는 경향이 있다. 또한, 단량체 (6)과 단량체 (7)의 합계에 대한 단량체 (6)의 비율은 통상 10 내지 99몰%이고, 바람직하게는 20 내지 95몰%이고, 더욱 바람직하게는 30 내지 90몰%이다. The proportion of the monomer (5) in the total monomer (monomer (5) + monomer (6) + monomer (7)) of the polymer (A) is usually 40 to 60 mol%, preferably 45 to 55 mol% All. When the ratio of the monomer (5) which occupies for all the monomers is less than 40 mol% or exceeds 60 mol%, there exists a tendency for the molecular weight of the (A) polymer obtained to fall. In addition, the ratio of the monomer (6) with respect to the sum total of the monomer (6) and the monomer (7) is 10-99 mol% normally, Preferably it is 20-95 mol%, More preferably, it is 30-90 mol%. .

2. 감광성 수지 조성물: 2. Photosensitive Resin Composition:

다음으로, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 대하여 설명한다. 본 발명의 감광성 수지 조성물은 상술한 (A) 중합체, (B) 광산발생제, 및 (C) 가교제를 함유하는 것이다. 이하, 그를 상세하게 설명한다. Next, the photosensitive resin composition of this invention is demonstrated. The photosensitive resin composition of this invention contains the above-mentioned (A) polymer, (B) photoacid generator, and (C) crosslinking agent. This will be described in detail below.

((B) 광산발생제)((B) photoacid generator)

본 발명의 감광성 수지 조성물에 함유되는 (B) 광산발생제는 방사선의 조사(이하, "노광"이라고도 함)에 의해 산을 발생하는 화합물이다. 이러한 성질을 갖는 (B) 광산발생제로서는 요오도늄염 화합물, 술포늄염 화합물, 술폰 화합물, 술폰산에스테르 화합물, 할로겐 함유 화합물, 술폰이미드 화합물, 디아조메탄 화합물 등의 화학 증폭계의 광산발생제; 디아조케톤 화합물 등의 나프토퀴논디아지드(NQD)계의 광산발생제가 있다.The photoacid generator (B) contained in the photosensitive resin composition of this invention is a compound which generate | occur | produces an acid by irradiation of a radiation (henceforth "exposure"). Examples of the (B) photoacid generator having such properties include photoacid generators of chemical amplification systems such as iodonium salt compounds, sulfonium salt compounds, sulfone compounds, sulfonic acid ester compounds, halogen-containing compounds, sulfonimide compounds and diazomethane compounds; Naphthoquinone diazide (NQD) type photoacid generators, such as a diazo ketone compound, are mentioned.

요오도늄염 화합물로서는 디페닐요오도늄 트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요오도늄 노나플루오로부탄술포네이트, 디페닐요오도늄 피렌술포네이트, 디페닐요오도늄 도데실벤젠술포네이트, 디페닐요오도늄 헥사플루오로안티모네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄 트리플루오로메탄술포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄 노나플루오로부탄술포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄 캄포술포네이트, 비 스(4-t-부틸페닐)요오도늄 p-톨루엔술포네이트 등을 들 수 있다. As the iodonium salt compound, diphenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyl iodonium nonafluorobutanesulfonate, diphenyl iodonium pyrenesulfonate, diphenyl iodonium dodecylbenzenesulfonate, diphenyl Phenyl iodonium hexafluoroantimonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium nonafluorobutanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium camphorsulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium p-toluenesulfonate, etc. are mentioned.

술포늄염 화합물로서는 트리페닐술포늄 트리플루오로메탄술포네이트, 트리페닐술포늄 노나플루오로부탄술포네이트, 트리페닐술포늄 캄포술포네이트, 트리페닐술포늄 나프탈렌술포네이트, 4-히드록시페닐·벤질·메틸술포늄 p-톨루엔술포네이트, 4-(페닐티오)페닐·디페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트, 4,7-디-n-히드록시-1-나프틸테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트, 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라히드로티오페늄헥사플루오로포스페이트, 4-n-부톡시-1-나프틸테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트 등을 들 수 있다. Examples of the sulfonium salt compound include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium nonafluorobutanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonate, triphenylsulfonium naphthalenesulfonate, and 4-hydroxyphenylbenzyl Methylsulfonium p-toluenesulfonate, 4- (phenylthio) phenyldiphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiopheniumtrifluoromethane Sulfonate, 4,7-di-n-hydroxy-1-naphthyltetrahydrothiopheniumtrifluoromethanesulfonate, 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium Hexafluoro phosphate, 4-n-butoxy-1- naphthyl tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, etc. are mentioned.

술폰 화합물로서는 β-케토술폰, β-술포닐술폰이나 이들의 α-디아조 화합물 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 페나실페닐술폰, 메시틸페나실술폰, 비스(페닐술포닐)메탄, 4-트리스페나실술폰 등을 들 수 있다. As a sulfone compound, (beta) -keto sulfone, (beta) -sulfonyl sulfone, these (alpha)-diazo compounds, etc. are mentioned. More specifically, phenacyl phenyl sulfone, mesityl phenacyl sulfone, bis (phenyl sulfonyl) methane, 4-trisphenacyl sulfone, etc. are mentioned.

술폰산에스테르 화합물로서는 알킬술폰산에스테르, 할로알킬술폰산에스테르, 아릴술폰산에스테르, 이미노술포네이트 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 벤조인토실레이트, 피로갈롤트리스트리플루오로메탄술포네이트, 피로갈롤메탄술폰산트리에스테르, 니트로벤질-9,10-디에톡시안트라센-2-술포네이트, α-메틸올벤조인토실레이트, α-메틸올벤조인옥탄술포네이트, α-메틸올벤조인트리플루오로메탄술포네이트, α-메틸올벤조인도데실술포네이트 등을 들 수 있다. Alkyl sulfonic acid ester, haloalkyl sulfonic acid ester, aryl sulfonic acid ester, imino sulfonate etc. are mentioned as a sulfonic acid ester compound. More specifically, benzointosylate, pyrogallol tristrifluoromethanesulfonate, pyrogallol methanesulfonic acid triester, nitrobenzyl-9,10- diethoxyanthracene-2-sulfonate, α-methylol benzo intosyl The rate, the (alpha)-methylol benzoin octane sulfonate, the (alpha)-methylol benzoin trifluoromethane sulfonate, the (alpha)-methylol benzo indodecyl sulfonate, etc. are mentioned.

할로겐 함유 화합물로서는 할로알킬기 함유 탄화수소 화합물, 할로알킬기 함유 복소환식 화합물 등을 들 수 있다. 바람직한 할로겐 함유 화합물의 구체예로서 는, 1,1-비스(4-클로로페닐)-2,2,2-트리클로로에탄, 페닐-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 4-메톡시페닐-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 스티릴-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 4-메톡시스티릴-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 나프틸-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진 등, 또는 하기 화학식 8로 표시되는 s-트리아진 유도체를 들 수 있다.As a halogen containing compound, a haloalkyl group containing hydrocarbon compound, a haloalkyl group containing heterocyclic compound, etc. are mentioned. Specific examples of the preferred halogen-containing compound include 1,1-bis (4-chlorophenyl) -2,2,2-trichloroethane, phenyl-bis (trichloromethyl) -s-triazine and 4-methoxy Phenyl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, styryl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 4-methoxystyryl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, naphthyl And s-triazine derivatives represented by the following general formula (8), such as -bis (trichloromethyl) -s-triazine and the like.

Figure 112008076111323-PCT00015
Figure 112008076111323-PCT00015

상기 화학식 8 중, R3은 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕실기를 나타내고, Y는 할로겐 원자를 나타내고, Q는 산소 원자, 또는 황 원자를 나타낸다. In said Formula (8), R <3> represents a hydrogen atom, a C1-C4 alkyl group, or a C1-C4 alkoxyl group, Y represents a halogen atom, Q represents an oxygen atom, or a sulfur atom.

상기 화학식 8로 표시되는 s-트리아진 유도체는 g선, h선, i선 영역에 넓은 흡수를 가지고 있고, 다른 트리아진 골격을 갖는 일반적인 감방사선성 산발생제에 비하여 산 발생 효율이 높고, 잔막률이 높은 절연성의 경화물을 얻을 수 있다. 또한, 상기 화학식 8 중, R3으로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, iso-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기 등을 들 수 있다. 또한, 탄소수 1 내지 4의 알콕실기로서는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, iso-부톡시기, sec-부톡시기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 화학식 8 중의 R3은 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기인 것이 바람직하고, 수소 원자, 메틸기, 또는 에틸기인 것이 더욱 바람직하다. The s-triazine derivative represented by the formula (8) has a wide absorption in the g-, h-, and i-ray regions, and has a higher acid generating efficiency than other radiation-sensitive acid generators having other triazine skeletons. Insulated hardened | cured material with a high film rate can be obtained. In the above formula (8), examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 3 are methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl And the like can be mentioned. Examples of the alkoxyl group having 1 to 4 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, iso-butoxy group, sec-butoxy group and the like. In addition, it is preferable that R <3> in the said Formula (8) is a hydrogen atom or a C1-C4 alkyl group, and it is more preferable that it is a hydrogen atom, a methyl group, or an ethyl group.

또한, 상기 화학식 8 중, Y로 표시되는 할로겐 원자는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 또는 요오드 원자인 것이 바람직하고, 염소 원자인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 화학식 8 중의 Q는 산소 원자인 것이 보다 바람직하다. In the above formula (8), the halogen atom represented by Y is preferably a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, or an iodine atom, and more preferably a chlorine atom. In addition, Q in the formula (8) is more preferably an oxygen atom.

상기 화학식 8로 표시되는 s-트리아진 유도체의 구체예로서는, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진(Q=O, R3=H, Y=Cl), 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진(Q=O, R3=CH3, Y=Cl) 등을 들 수 있다. 또한, 이들 s-트리아진 유도체는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. Specific examples of the s-triazine derivative represented by the formula (8) include 2- [2- (furan-2-yl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine (Q = O , R 3 = H, Y = Cl), 2- [2- (5-methylfuran-2-yl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine (Q = O, R 3 = CH 3 , Y = Cl). In addition, these s-triazine derivatives can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

술폰이미드 화합물로서는 N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)숙신이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)프탈이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵트-5-엔-2,3-디카르복시이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)나프틸이미드 등을 들 수 있다. As the sulfonimide compound, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenylmaleimide , N- (trifluoromethylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxyimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthylimide and the like Can be mentioned.

디아조메탄 화합물로서는 비스(트리플루오로메틸술포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(페닐술포닐)디아조메탄 등을 들 수 있다. Bis (trifluoromethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (phenylsulfonyl) diazomethane etc. are mentioned as a diazomethane compound.

또한, 디아조케톤 화합물로서는 1,3-디케토-2-디아조 화합물, 디아조벤조퀴 논 화합물, 디아조나프토퀴논 화합물 등을 들 수 있다. 바람직한 디아조케톤 화합물의 구체예로서는, 페놀류의 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산에스테르 화합물을 들 수 있다. Moreover, as a diazo ketone compound, a 1, 3- diketo-2- diazo compound, a diazo benzoquinone compound, a diazonaphthoquinone compound, etc. are mentioned. As a specific example of a preferable diazo ketone compound, the 1, 2- naphthoquinone diazide- 4-sulfonic acid ester compound of phenols is mentioned.

상술한 화합물 중에서도 술포늄염 화합물, 술폰 화합물, 할로겐 함유 화합물, 디아조케톤 화합물, 술폰이미드 화합물, 디아조메탄 화합물이 바람직하고, 술포늄염 화합물, 할로겐 함유 화합물이 더욱 바람직하다. 특히 바람직한 것은 4-(페닐티오)페닐·디페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트, 4,7-디-n-히드록시-1-나프틸테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트, 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라히드로티오페늄헥사플루오로포스페이트, 4-n-부톡시-1-나프틸테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-메톡시페닐-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 스티릴-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 4-메톡시스티릴-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진이다. 또한, 이들 (B) 광산발생제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. Among the above-mentioned compounds, sulfonium salt compounds, sulfone compounds, halogen-containing compounds, diazoketone compounds, sulfonimide compounds and diazomethane compounds are preferable, and sulfonium salt compounds and halogen-containing compounds are more preferable. Especially preferred are 4- (phenylthio) phenyldiphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4,7 -Di-n-hydroxy-1-naphthyltetrahydrothiopheniumtrifluoromethanesulfonate, 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium hexafluorophosphate, 4 -n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiopheniumtrifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, styryl-bis (trichloromethyl)- s-triazine, 4-methoxystyryl-bis (trichloromethyl) -s-triazine. In addition, these (B) photo-acid generators can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

(B) 광산발생제의 함유 비율은 (A) 중합체 100 질량부에 대하여(단, (A) 중합체 이외의 그 밖의 중합체를 추가로 함유시키는 경우에는 (A) 중합체와 그 밖의 중합체의 합계 100 질량부에 대하여) 통상 0.1 내지 20 질량부, 바람직하게는 0.5 내지 10 질량부이다. 0.1 질량부 미만이면, 노광에 의해 발생한 산의 촉매 작용에 의한 화학 변화를 충분히 일으키는 것이 곤란해질 우려가 있다. 한편, 20 질량부를 초과하면, 감광성 수지 조성물을 도포할 때에 도포 불균일이 생기거나, 경화 후 의 절연성이 저하될 우려가 있다.(B) The content rate of a photo-acid generator is 100 mass parts of (A) polymers (However, when it contains another polymer other than (A) polymers, the total of 100 masses of (A) polymers and other polymers) To parts), usually 0.1 to 20 parts by mass, preferably 0.5 to 10 parts by mass. If it is less than 0.1 mass part, there exists a possibility that it may become difficult to fully produce the chemical change by the catalysis of the acid generate | occur | produced by exposure. On the other hand, when it exceeds 20 mass parts, application | coating nonuniformity may arise at the time of apply | coating the photosensitive resin composition, and there exists a possibility that the insulation after hardening may fall.

((C) 가교제)((C) crosslinking agent)

(C) 가교제는 열이나 산의 작용에 의해 수지 등의 배합 조성물이나 다른 가교제 분자와의 결합을 형성하는 화합물이다. (C) 가교제의 구체예로서는, 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물, 에폭시 화합물, 히드록시메틸기 치환 페놀 화합물, 알콕시알킬화된 아미노기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서 알콕시알킬화된 아미노기를 갖는 화합물이 바람직하다. 또한, 이들 (C) 가교제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. (C) A crosslinking agent is a compound which forms the bond with compound composition and other crosslinking agent molecules, such as resin, by the action of a heat and an acid. As a specific example of (C) crosslinking agent, the polyfunctional (meth) acrylate compound, an epoxy compound, the hydroxymethyl group substituted phenol compound, the compound which has an alkoxyalkylated amino group, etc. are mentioned. Of these, compounds having an alkoxyalkylated amino group are preferred. In addition, these (C) crosslinking agents can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

다관능 (메트)아크릴레이트 화합물로서는 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 글리세린 트리(메트)아크릴레이트, 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트 트리(메트)아크릴레이트, 에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 1,3-부탄디올 디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 비스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트 디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. Examples of the polyfunctional (meth) acrylate compound include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, Dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, glycerin tri (meth) acrylate, tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate tri (meth) acrylate, ethylene Glycol di (meth) acrylate, 1,3-butanediol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentylglycol di ( Meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, dipropylene glycol di (meth) acrylate, bis (2-hydroxyethyl) isocy And the like can be press-rate di (meth) acrylate.

에폭시 화합물로서는 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다. As an epoxy compound, a novolak-type epoxy resin, a bisphenol-type epoxy resin, an alicyclic epoxy resin, an aliphatic epoxy resin, etc. are mentioned.

히드록시메틸기 치환 페놀 화합물로서는 2-히드록시메틸-4,6-디메틸페놀, 1,3,5-트리히드록시메틸벤젠, 3,5-디히드록시메틸-4-메톡시톨루엔[2,6-비스(히드록시메틸)-p-크레졸] 등을 들 수 있다. As the hydroxymethyl group-substituted phenolic compound, 2-hydroxymethyl-4,6-dimethylphenol, 1,3,5-trihydroxymethylbenzene, 3,5-dihydroxymethyl-4-methoxytoluene [2,6 -Bis (hydroxymethyl) -p-cresol].

알콕시알킬화된 아미노기를 갖는 화합물로서는 (폴리)메틸올화 멜라민, (폴리)메틸올화 글리콜우릴, (폴리)메틸올화 벤조구아나민, (폴리)메틸올화 우레아 등의, 1 분자 내에 복수개의 활성 메틸올기를 갖는 질소 함유 화합물로서, 그 메틸올기의 수산기의 수소 원자 중 하나 이상이 메틸기나 부틸기 등의 알킬기에 의해 치환된 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 알콕시알킬화된 아미노기를 갖는 화합물은 복수의 치환 화합물을 혼합한 혼합물일 수 있고, 일부 자기 축합하여 이루어지는 올리고머 성분을 포함하는 것도 존재하지만, 이들도 사용할 수 있다. Examples of the compound having an alkoxyalkylated amino group include a plurality of active methylol groups in one molecule such as (poly) methylolated melamine, (poly) methylolated glycoluril, (poly) methylolated benzoguanamine, and (poly) methylolated urea. As a nitrogen-containing compound which has, the compound etc. which one or more of the hydrogen atoms of the hydroxyl group of this methylol group were substituted by alkyl groups, such as a methyl group and a butyl group, etc. are mentioned. Moreover, although the compound which has the alkoxyalkylated amino group may be the mixture which mixed several substituted compounds, and the thing containing the oligomer component formed by partial self-condensation exists, these can also be used.

알콕시알킬화된 아미노기를 갖는 화합물의 보다 구체적인 예로서는 이하의 화학식 (9) 내지 (15)로 표시되는 화합물 등을 들 수 있다.More specific examples of the compound having an alkoxyalkylated amino group include compounds represented by the following formulas (9) to (15).

Figure 112008076111323-PCT00016
Figure 112008076111323-PCT00016

또한, 상기 화학식 (9)로 표시되는 화합물(헥사키스(메톡시메틸)멜라민)은 상품명 "사이멜 300"(사이텍 인더스트리즈사 제조)으로서 시판되고 있다. 또한, 상기 화학식 (11)로 표시되는 화합물(테트라키스(부톡시메틸)글리콜우릴)은 상품명 "사이멜 1170"(사이텍 인더스트리즈사 제조)로서 시판되고 있다. In addition, the compound represented by the said General formula (9) (hexakis (methoxymethyl) melamine) is marketed as a brand name "Cymel 300" (made by Cytec Industries). In addition, the compound (tetrakis (butoxymethyl) glycoluril) represented by the formula (11) is commercially available under the trade name "Cymel 1170" (manufactured by Cytec Industries, Inc.).

알콕시알킬화된 아미노기를 갖는 화합물로서는 헥사키스(메톡시메틸)멜라민(상기 화학식 (9)), 테트라키스(메톡시메틸)글리콜우릴(상기 화학식 (12)), 테트라키스(부톡시메틸)글리콜우릴(상기 화학식 (11))이 특히 바람직하고, 헥사키스(메톡시메틸)멜라민(상기 화학식 (9))이 가장 바람직하다. Examples of the compound having an alkoxyalkylated amino group include hexakis (methoxymethyl) melamine (formula (9)), tetrakis (methoxymethyl) glycoluril (formula (12)), and tetrakis (butoxymethyl) glycoluril (Formula 11) is particularly preferred, and hexakis (methoxymethyl) melamine (Formula 9) is most preferred.

(D) 가교제의 함유 비율은 감광성 수지 조성물에 의해 형성되는 막이 충분히 경화되는 양이 되도록 적절히 설정된다. 구체적으로는, (D) 가교제의 함유 비율은 (A) 중합체 100 질량부에 대하여(단, (A) 중합체 이외의 그 밖의 중합체를 추가로 함유시키는 경우에는 (A) 중합체와 그 밖의 중합체의 합계 100 질량부에 대하여) 통상 5 내지 50 질량부, 바람직하게는 10 내지 40 질량부이다. 5 질량부 미만이면, 얻어지는 절연층의 내용제성이나 내도금액성이 불충분해질 우려가 있다. 한편, 50 질량부를 초과하면, 감광성 수지 조성물에 의해 형성되는 박막의 현상성이 불충분해질 우려가 있다. The content rate of (D) crosslinking agent is suitably set so that the film formed by the photosensitive resin composition may become the quantity which hardens enough. Specifically, the content ratio of the crosslinking agent (D) is based on 100 parts by mass of the polymer (A), provided that the polymer (A) is polymer and the other polymer in total when other polymers other than the polymer (A) are further contained. It is 5-50 mass parts normally with respect to 100 mass parts), Preferably it is 10-40 mass parts. If it is less than 5 mass parts, there exists a possibility that the solvent resistance and plating liquid resistance of the insulating layer obtained may become inadequate. On the other hand, when it exceeds 50 mass parts, there exists a possibility that the developability of the thin film formed by the photosensitive resin composition may become inadequate.

(그 밖의 중합체(수지))(Other polymers (resin))

본 발명의 감광성 수지 조성물에는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 필요에 따라 상술한 (A) 중합체 이외의 그 밖의 중합체(수지)를 추가로 함유시킬 수 있다. 함유시킬 수 있는 "그 밖의 중합체(수지)"는 특별히 한정되지 않지만, 알칼리 가용성인 것이 바람직하고, 나아가 페놀성 수산기를 갖는 알칼리 가용성 수지(이하, "페놀 수지"라고도 함)를 함유시키는 것이 해상성이 양호해지기 때문에 보다 바람직하다. The photosensitive resin composition of this invention can further contain other polymers (resin) other than the above-mentioned (A) polymer as needed in the range which does not impair the effect of this invention. Although the "other polymer (resin)" which can be contained is not specifically limited, It is preferable that it is alkali-soluble, and also to contain alkali-soluble resin (henceforth "phenol resin") which has a phenolic hydroxyl group is resolvable. Since it becomes favorable, it is more preferable.

함유시킬 수 있는 페놀 수지로서는 노볼락 수지, 폴리히드록시스티렌 및 그의 공중합체, 페놀-크실릴렌글리콜디메틸에테르 축합 수지, 크레졸-크실릴렌글리콜 디메틸에테르 축합 수지, 페놀-디시클로펜타디엔 축합 수지 등을 들 수 있다. Examples of the phenol resin that may be contained include novolak resins, polyhydroxystyrenes and copolymers thereof, phenol-xylylene glycol dimethyl ether condensation resins, cresol-xylylene glycol dimethyl ether condensation resins and phenol-dicyclopentadiene condensation resins. Etc. can be mentioned.

노볼락 수지로서는, 구체적으로는 페놀/포름알데히드 축합 노볼락 수지, 크레졸/포름알데히드 축합 노볼락 수지, 페놀-나프톨/포름알데히드 축합 노볼락 수지 등을 들 수 있다. Specific examples of the novolak resins include phenol / formaldehyde condensation novolac resins, cresol / formaldehyde condensation novolac resins, and phenol-naphthol / formaldehyde condensation novolac resins.

노볼락 수지는 페놀류와 알데히드류를 촉매의 존재하에서 축합시킴으로써 얻을 수 있다. 이 때에 사용되는 페놀류로서는, 예를 들면 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, o-에틸페놀, m-에틸페놀, p-에틸페놀, o-부틸페놀, m-부틸페놀, p-부틸페놀, 2,3-크실레놀, 2,4-크실레놀, 2,5-크실레놀, 2,6-크실레놀, 3,4-크실레놀, 3,5-크실레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 3,4,5-트리메틸페놀, 카테콜, 레조르시놀, 피로갈롤, α-나프톨, β-나프톨 등을 들 수 있다. 또한, 알데히드류로서는 포름알데히드, 파라포름알데히드, 아세트알데히드, 벤즈알데히드 등을 들 수 있다. Novolak resin can be obtained by condensing phenols and aldehydes in the presence of a catalyst. As phenols used at this time, for example, phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethylphenol, m-ethylphenol, p-ethylphenol, o-butylphenol, m-butylphenol, p -Butylphenol, 2,3-xylenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, 2,6-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xyl Phenol, 2,3,5-trimethylphenol, 3,4,5-trimethylphenol, catechol, resorcinol, pyrogallol, α-naphthol, β-naphthol and the like. Examples of the aldehydes include formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, benzaldehyde and the like.

폴리히드록시스티렌의 공중합체를 구성하는 히드록시스티렌 이외의 단량체는 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는 스티렌, 인덴, p-메톡시스티렌, p-부톡시스티렌, p-아세톡시스티렌, p-히드록시-α-메틸스티렌 등의 스티렌 유도체; (메트)아크릴산, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, sec-부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산 유도체 등; 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르, n-부틸비닐에테르, t-부틸비닐에테르 등의 비닐에테르류; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 유도체를 들 수 있다. Although monomers other than hydroxystyrene which comprise the copolymer of polyhydroxy styrene are not specifically limited, Specifically, styrene, indene, p-methoxy styrene, p-butoxy styrene, p-acetoxy styrene, p-hydride Styrene derivatives such as oxy-α-methylstyrene; (Meth) acrylic acid, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth (Meth) acrylic acid derivatives such as) acrylate and t-butyl (meth) acrylate; Vinyl ethers such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, n-butyl vinyl ether and t-butyl vinyl ether; Acid anhydride derivatives, such as maleic anhydride and itaconic anhydride, are mentioned.

페놀 수지의 함유 비율은 (A) 중합체와 페놀 수지의 합계 100 질량부에 대하여 0 내지 90 질량부로 하는 것이 바람직하고, 5 내지 80 질량부로 하는 것이 더욱 바람직하고, 10 내지 70 질량부로 하는 것이 특히 바람직하다. 5 질량부 미만이면, 이 페놀 수지를 함유시키는 것의 효과가 발휘되기 어려워지는 경향이 있다. 한편, 90 질량부를 초과하면, 막의 기계적 강도가 저하되는 경향이 있다. The content ratio of the phenol resin is preferably 0 to 90 parts by mass, more preferably 5 to 80 parts by mass, and particularly preferably 10 to 70 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the (A) polymer and the phenol resin. Do. If it is less than 5 mass parts, there exists a tendency for the effect of containing this phenol resin to become difficult to be exhibited. On the other hand, when it exceeds 90 mass parts, there exists a tendency for the mechanical strength of a film | membrane to fall.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에는 상술한 페놀 수지 이외에 페놀성 저분자 화합물을 함유시킬 수 있다. 함유시킬 수 있는 페놀성 저분자 화합물의 구체예로서는, 4,4'-디히드록시디페닐메탄, 4,4'-디히드록시디페닐에테르, 트리스(4-히드록시페닐)메탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-1-페닐에탄, 트리스(4-히드록시페닐)에탄, 1,3-비스[1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸]벤젠, 1,4-비스[1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸]벤젠, 4,6-비스[1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸]-1,3-디히드록시벤젠, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-1-[4-{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}페닐]에탄, 1,1,2,2-테트라(4-히드록시페닐)에탄 등을 들 수 있다. In addition, the photosensitive resin composition of this invention can contain a phenolic low molecular weight compound other than the phenol resin mentioned above. As a specific example of the phenolic low molecular weight compound which can be contained, 4,4'- dihydroxy diphenylmethane, 4,4'- dihydroxy diphenyl ether, tris (4-hydroxyphenyl) methane, 1,1- Bis (4-hydroxyphenyl) -1-phenylethane, tris (4-hydroxyphenyl) ethane, 1,3-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] benzene, 1,4 -Bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] benzene, 4,6-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] -1,3-dihydroxybenzene , 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1- [4- {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} phenyl] ethane, 1,1,2,2-tetra (4 -Hydroxyphenyl) ethane and the like.

페놀성 저분자 화합물의 함유 비율은 (A) 중합체 100 질량부(단, (A) 중합체 이외의 그 밖의 중합체를 추가로 함유시키는 경우에는 (A) 중합체와 그 밖의 중합체의 합계 100 질량부)에 대하여 0 내지 100 질량부로 하는 것이 바람직하고, 1 내지 60 질량부로 하는 것이 더욱 바람직하고, 5 내지 40 질량부로 하는 것이 특히 바람직하다. 1 질량부 미만이면, 이 페놀성 저분자 화합물을 함유시키는 것의 효과가 발휘되기 어려워지는 경향이 있다. 한편, 100 질량부를 초과하면, 막의 기계적 강도가 저하되는 경향이 있다.The content rate of a phenolic low molecular weight compound is 100 mass parts of (A) polymers (However, when it contains another polymer other than (A) polymers, a total of 100 mass parts of (A) polymers and other polymers). It is preferable to use 0-100 mass parts, It is more preferable to use 1-60 mass parts, It is especially preferable to use 5-40 mass parts. If it is less than 1 mass part, there exists a tendency for the effect of containing this phenolic low molecular weight compound to become difficult to be exhibited. On the other hand, when it exceeds 100 mass parts, there exists a tendency for the mechanical strength of a film | membrane to fall.

(용제)(solvent)

본 발명의 감광성 수지 조성물에는 그의 취급성을 향상시키거나, 점도나 보존 안정성을 조절하기 위해, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 필요에 따라 유기계의 용제를 함유시킬 수 있다. 함유시킬 수 있는 용제의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메 틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, 디메틸술폭시드 등의 비양성자성 용제; 메타크레졸 등의 페놀성 양성자성 용제가 바람직하게 이용된다. In order that the photosensitive resin composition of this invention may improve the handleability, or to adjust a viscosity and storage stability, an organic solvent can be included as needed in the range which does not impair the effect of this invention. Although the kind of solvent which can be contained is not specifically limited, For example, N, N- dimethylformamide, N, N- dimethylacetamide, N-methyl- 2-pyrrolidone, (gamma) -butyrolactone, dimethyl Aprotic solvents such as sulfoxide; Phenolic protic solvents such as methacresol are preferably used.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에는 상기 용제 대신에 또는 상기 용제와 함께 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 지방족 알코올류, 락트산에스테르류, 지방족 카르복실산에스테르류, 알콕시 지방족 카르복실산에스테르류, 케톤류 등의 유기 용제를 함유시킬 수 있다. Further, the photosensitive resin composition of the present invention includes propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, aliphatic alcohols, lactic acid esters, and aliphatic carbons instead of or with the solvent. Organic solvents, such as acid ester, alkoxy aliphatic carboxylic acid ester, and ketone, can be contained.

프로필렌글리콜모노알킬에테르류로서는 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등을 들 수 있다. 프로필렌글리콜디알킬에테르류로서는 프로필렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디프로필에테르, 프로필렌글리콜디부틸에테르 등을 들 수 있다. As propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, etc. are mentioned. As propylene glycol dialkyl ether, propylene glycol diethyl ether, propylene glycol dipropyl ether, propylene glycol dibutyl ether, etc. are mentioned.

프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류로서는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등을 들 수 있다. 지방족 알코올류로서는 1-부탄올, 2-부탄올, 1-펜탄올, 2-펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 1-헥산올 등을 들 수 있다. As propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, etc. are mentioned. Examples of the aliphatic alcohols include 1-butanol, 2-butanol, 1-pentanol, 2-pentanol, 4-methyl-2-pentanol, 1-hexanol, and the like.

락트산에스테르류로서는 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산 n-프로필, 락트산이소프로필 등을 들 수 있다. 지방족 카르복실산에스테르류로서는 아세트산 n-프로필, 아세트산이소프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산 n-아밀, 아세트산이소아밀, 프로피온산이소프로필, 프로피온산 n-부틸, 프로피온산이소부틸 등을 들 수 있다. As lactic acid ester, methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactic acid, isopropyl lactate, etc. are mentioned. Examples of the aliphatic carboxylic acid esters include n-propyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl acetate, isoamyl acetate, isopropyl propionate, n-butyl propionate and isobutyl propionate. Can be.

알콕시 지방족 카르복실산에스테르류로서는 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸 등을 들 수 있다. 또한, 케톤류로서는 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 시클로펜타논, 시클로헥사논 등을 들 수 있다.Examples of the alkoxy aliphatic carboxylic acid esters include methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate and ethyl 3-ethoxypropionate. Moreover, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, cyclopentanone, cyclohexanone, etc. are mentioned as ketones.

이들 용제 중, 락트산에틸, 2-헵타논, 시클로헥사논, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 아세트산부틸이 바람직하고, 락트산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르가 특히 바람직하다. 이들 용제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 용제는 통상적으로 용제 이외의 성분의 합계의 함유 비율이 1 내지 60 질량%가 되도록 사용된다.Among these solvents, ethyl lactate, 2-heptanone, cyclohexanone, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate and butyl acetate are preferable, and ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether are particularly preferable. These solvents can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. In addition, a solvent is used normally so that the content rate of the sum total of components other than a solvent may be 1-60 mass%.

(그 밖의 첨가제)(Other additives)

본 발명의 감광성 수지 조성물에는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 필요에 따라 염기성 화합물, 밀착 보조제, 및 계면활성제 등의 그 밖의 첨가제를 함유시킬 수 있다. The photosensitive resin composition of this invention can contain other additives, such as a basic compound, an adhesion | attachment adjuvant, and surfactant, as needed in the range which does not impair the effect of this invention.

(염기성 화합물)(Basic compound)

상기 염기성 화합물로서는 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리-n-펜틸아민, 트리-n-헥실아민, 트리-n-헵틸아민, 트리-n-옥틸아민, 트리-n-노닐아민, 트리-n-데실아민, 트리-n-도데실아민, n-도데실디메틸아민 등의 트리알킬아민류나 피리딘, 피리다진, 이미다졸 등의 질소 함유 복소환 화합물 등을 들 수 있다. 염기성 화합물의 함유량은 (A) 중합체 100 질량부에 대하여 통상 5 질량부 이하, 바람직하게는 3 질량부 이하이다. 염기성 화합물의 함유량이 (A) 중합체 100 질량부에 대하여 5 질량부를 초과하면, 광산발생제가 충분히 기능하지 않게 될 우려가 있다.Examples of the basic compound include triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-heptylamine, tri-n-octylamine, Trialkylamines such as tri-n-nonylamine, tri-n-decylamine, tri-n-dodecylamine, n-dodecyldimethylamine and nitrogen-containing heterocyclic compounds such as pyridine, pyridazine and imidazole; Can be mentioned. Content of a basic compound is 5 mass parts or less normally with respect to 100 mass parts of (A) polymers, Preferably it is 3 mass parts or less. When content of a basic compound exceeds 5 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) polymers, there exists a possibility that a photo-acid generator may not fully function.

(밀착 보조제)(Adhesive aid)

본 발명의 감광성 수지 조성물에는 기판과의 밀착성을 향상시키기 위해 밀착 보조제를 함유시킬 수도 있다. 밀착 보조제로서는 관능성 실란 커플링제가 유효하다. 여기서, 관능성 실란 커플링제란 카르보닐기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 치환기를 갖는 실란 커플링제를 말한다. 구체예로서는, 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 밀착 보조제의 함유량은 (A) 중합체 100 질량부에 대하여 10 질량부 이하로 하는 것이 바람직하다. The photosensitive resin composition of this invention can also contain an adhesion | attachment adjuvant in order to improve adhesiveness with a board | substrate. As the adhesion aid, a functional silane coupling agent is effective. Here, a functional silane coupling agent means the silane coupling agent which has reactive substituents, such as a carbonyl group, methacryloyl group, an isocyanate group, and an epoxy group. Specific examples include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatepropyltriethoxysilane, and γ-glycidoxypropyltrimethoxy Silane, (beta)-(3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, etc. are mentioned. It is preferable to make content of an adhesion | attachment adjuvant into 10 mass parts or less with respect to 100 mass parts of (A) polymers.

(계면활성제)(Surfactants)

본 발명의 감광성 수지 조성물에는 도포성, 소포성, 레벨링성 등의 여러 특성을 향상시킬 목적으로 계면활성제를 함유시킬 수도 있다. 계면활성제로서는, 예를 들면 BM-1000, BM-1100(이상, BM 케미사 제조), 메가팩 F142D, 동 F172, 동 F173, 동 F183(이상, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교사 제조), 플로라드 FC-135, 동 FC-170C, 동 FC-430, 동 FC-431(이상, 스미또모 쓰리엠사 제조), 서플론 S-112, 동 S-113, 동 S-131, 동 S-141, 동 S-145(이상, 아사히 글래스사 제조), SH-28PA, 동-190, 동-193, SZ-6032, SF-8428(이상, 도레이 다우코닝 실리콘사 제조) 등의 상품명으로 시판되고 있는 불소계 계면활성제를 사용할 수 있다. 계면활성제의 함유량은 (A) 중합체 100 질량부에 대하여 5 질량부 이하로 하는 것이 바람직하다. The photosensitive resin composition of this invention can also contain surfactant for the purpose of improving various characteristics, such as applicability | paintability, antifoaming property, and leveling property. As surfactant, For example, BM-1000, BM-1100 (above, BM Chemi Corporation), Megapack F142D, East F172, East F173, East F183 (above, Dai Nippon Ink Chemical Industries, Ltd.), Florad FC-135, East FC-170C, East FC-430, East FC-431 (above, Sumitomo 3M Corporation), Suplon S-112, East S-113, East S-131, East S-141, East Fluorine-based interfaces sold under the trade names S-145 (above, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), SH-28PA, Copper-190, Copper-193, SZ-6032, SF-8428 (above, manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.). Active agents can be used. It is preferable to make content of surfactant into 5 mass parts or less with respect to 100 mass parts of (A) polymers.

본 발명의 실시 형태인 감광성 수지 조성물은 특히 반도체 소자의 표면 보호막이나 층간 절연막 재료 등으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 본 발명의 실시 형태의 감광성 수지 조성물을 지지체(수지 부착 동박, 구리 피복 적층판이나 금속 스퍼터막을 부착한 실리콘 웨이퍼나 알루미나 기판 등)에 도공하고, 건조하여 용제 등을 휘발시켜 도막을 형성한다. 그 후, 원하는 마스크 패턴을 통해 노광하고, 가열 처리(이하, 이 가열 처리를 "PEB"라 함)를 행하여 페놀환과 가교제와의 반응을 촉진시킨다. 이어서, 알칼리성 현상액에 의해 현상하여 미노광부를 용해, 제거함으로써 원하는 패턴을 얻을 수 있다. 또한, 절연막 특성을 발현시키기 위해 가열 처리를 행함으로써 경화막을 얻을 수 있다. The photosensitive resin composition which is embodiment of this invention can be used especially suitably as a surface protective film, an interlayer insulation film material, etc. of a semiconductor element. The photosensitive resin composition of embodiment of this invention is coated to a support body (copper foil with resin, a silicon wafer, an alumina substrate, etc. with a copper clad laminated board, a metal sputtering film, etc.), and it dries to volatilize a solvent etc., and forms a coating film. Then, it exposes through a desired mask pattern, and heat-processes (henceforth this heat-processing is called "PEB"), and promotes reaction of a phenol ring and a crosslinking agent. Subsequently, a desired pattern can be obtained by developing with alkaline developing solution and dissolving and removing an unexposed part. Moreover, a cured film can be obtained by heat processing in order to express insulating film characteristics.

감광성 수지 조성물을 지지체에 도공하는 방법으로서는, 예를 들면 침지법, 분무법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 또는 스핀 코팅법 등의 도포 방법을 사용할 수 있다. 또한, 도포 두께는 도포 수단, 조성물 용액의 고형분 농도나 점도를 조절함으로써 적절히 제어할 수 있다. 도공 후에는 용제를 휘발시키기 위해 통상 예비베이킹 처리를 행한다. 그 조건은 감광성 수지 조성물의 배합 조성이나 사용 막 두께 등에 따라 다르지만, 통상 70 내지 150℃, 바람직하게는 80 내지 140℃에서 1 내지 60분 정도이다. As a method of coating a photosensitive resin composition to a support body, coating methods, such as an immersion method, the spraying method, the bar coating method, the roll coating method, or the spin coating method, can be used, for example. In addition, application | coating thickness can be suitably controlled by adjusting solid content concentration and a viscosity of a coating means and a composition solution. After coating, a prebaking process is normally performed in order to volatilize a solvent. Although the conditions differ according to the compounding composition, film thickness, etc. of a photosensitive resin composition, they are about 70 to 150 degreeC normally, Preferably it is about 1 to 60 minutes at 80 to 140 degreeC.

노광에 이용되는 방사선으로서는, 예를 들면 저압 수은등, 고압 수은등, 메탈 할라이드 램프, g선, i선 등의 자외선이나 전자선, 레이저광선 등을 들 수 있다. 노광량은 사용하는 광원이나 수지 막 두께 등에 따라 적절히 선정되지만, 예를 들면 고압 수은등으로부터 자외선을 조사하는 경우, 수지 막 두께 10 내지 50 ㎛이면 통상 100 내지 5000 mJ/cm2 정도이다. As radiation used for exposure, a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, ultraviolet rays, such as g rays and i rays, an electron beam, a laser beam, etc. are mentioned, for example. Although the exposure amount is suitably selected according to the light source, resin film thickness, etc. to be used, For example, when irradiating an ultraviolet-ray from a high pressure mercury lamp, when the resin film thickness is 10-50 micrometers, it is about 100-5000 mJ / cm <2> normally.

노광 후에는 발생한 산에 의한 페놀환과 (C) 가교제의 경화 반응을 촉진시키기 위해 PEB를 행한다. PEB의 조건은 감광성 수지 조성물의 배합 조성이나 사용 막 두께 등에 따라 다르지만, 통상 70 내지 150℃, 바람직하게는 80 내지 140℃에서 1 내지 60분 정도이다. 그 후, 알칼리성 현상액에 의해 현상하여 미노광부를 용해, 제거함으로써 원하는 패턴을 형성한다. 이 경우의 현상 방법으로서는 샤워 현상법, 분무 현상법, 침지 현상법, 퍼들 현상법 등을 들 수 있다. 현상 조건은 통상 20 내지 40℃에서 1 내지 10분 정도이다. After exposure, PEB is performed to accelerate the curing reaction between the phenol ring and the crosslinking agent (C) caused by the generated acid. Although conditions of PEB differ according to the compounding composition, film thickness, etc. of a photosensitive resin composition, they are about 70 to 150 degreeC normally, Preferably it is about 1 to 60 minutes at 80 to 140 degreeC. Then, it develops with alkaline developing solution, and forms a desired pattern by melt | dissolving and removing an unexposed part. As a developing method in this case, the shower developing method, the spray developing method, the immersion developing method, the puddle developing method, etc. are mentioned. Developing conditions are about 1 to 10 minutes at 20-40 degreeC normally.

상기 알칼리성 현상액으로서는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 암모니아수, 테트라메틸암모늄히드록시드, 콜린 등의 알칼리성 화합물을, 농도가 1 내지 10 질량% 정도가 되도록 물에 용해시킨 알칼리성 수용액을 들 수 있다. 상기 알칼리성 수용액에는, 예를 들면 메탄올, 에탄올 등의 수용성의 유기 용제나 계면활성제 등을 적량 첨가할 수도 있다. 또한, 알칼리성 현상액으로 현상한 후에는 물로 세정하고, 건조한다. As said alkaline developing solution, the alkaline aqueous solution which melt | dissolved alkaline compounds, such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, aqueous ammonia, tetramethylammonium hydroxide, and choline, in water so that a density | concentration may be about 1-10 mass% is mentioned, for example. . A suitable amount of water-soluble organic solvents, such as methanol and ethanol, surfactant, etc. can also be added to the said alkaline aqueous solution, for example. After developing with an alkaline developer, the solution is washed with water and dried.

또한, 현상 후에 절연막으로서의 특성을 충분히 발현시키기 위해 가열 처리 를 행함으로써 충분히 경화시킬 수 있다. 이러한 경화 조건은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 경화물의 용도에 따라 100 내지 400℃의 온도에서 30분 내지 10 시간 정도 가열하면, 감광성 수지 조성물을 경화시킬 수 있다. 또한, 경화를 충분히 진행시키거나, 얻어진 패턴 형상의 변형을 방지하기 위해 다단계로 가열할 수도 있다. 예를 들면, 2 단계로 행하는 경우, 제1 단계에서는 50 내지 200℃의 온도에서 5 분 내지 2 시간 정도 가열하고, 또한 제2 단계에서는 100 내지 400℃의 온도에서 10 분 내지 10 시간 정도 가열하여 경화시킬 수도 있다. Moreover, it can fully harden by heat processing in order to fully express the characteristic as an insulating film after image development. Although such curing conditions are not particularly limited, the photosensitive resin composition can be cured by heating at a temperature of 100 to 400 ° C. for about 30 minutes to 10 hours depending on the use of the cured product. Moreover, in order to fully advance hardening or to prevent deformation | transformation of the obtained pattern shape, you may heat in multiple steps. For example, in the case of performing in two steps, in the first step, it is heated at a temperature of 50 to 200 ° C. for about 5 minutes to 2 hours, and in the second step, it is heated at a temperature of 100 to 400 ° C. for about 10 minutes to 10 hours. It can also harden.

이러한 경화 조건이면, 가열 설비로서 핫 플레이트, 오븐, 적외선로, 마이크로파 오븐 등을 사용할 수 있다. If it is such hardening conditions, a hotplate, oven, an infrared furnace, a microwave oven, etc. can be used as a heating installation.

다음으로, 본 발명의 실시 형태의 감광성 수지 조성물을 이용한 반도체 소자에 대하여 도면에 의해 설명한다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 패턴형의 금속 패드 (2)가 형성된 기판 (1) 상에, 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물을 이용하여 패턴형의 절연막 (3)을 형성한다. 이어서, 금속 패드 (2)와 접속하도록 금속 배선 (4)를 형성하면, 반도체 소자를 얻을 수 있다. Next, the semiconductor element using the photosensitive resin composition of embodiment of this invention is demonstrated by drawing. As shown in FIG. 1, the patterned insulating film 3 is formed on the board | substrate 1 in which the patterned metal pad 2 was formed using the photosensitive resin composition of this embodiment. Next, when the metal wiring 4 is formed so that it may connect with the metal pad 2, a semiconductor element can be obtained.

또한, 도 2에 나타낸 바와 같이, 이 금속 배선 (4) 상에 본 실시 형태의 감광성 수지 조성물을 이용하여 패턴형의 절연막 (5)를 형성할 수도 있다. 이와 같이 하여 본 실시 형태인 감광성 수지 조성물을 이용하면, 이 감광성 수지 조성물에 의해 형성된 절연 수지층을 갖는 반도체 소자를 얻을 수 있다. In addition, as shown in FIG. 2, the patterned insulating film 5 can also be formed on this metal wiring 4 using the photosensitive resin composition of this embodiment. Thus, when the photosensitive resin composition which is this embodiment is used, the semiconductor element which has the insulated resin layer formed by this photosensitive resin composition can be obtained.

이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 한편, 실시예, 비교예 중의 "부" 및 "%"는 특별히 언급하지 않는 한 질량 기준이다. 또한, 각종 물성치의 측정 방법 및 여러 특성의 평가 방법을 이하에 나타낸다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely based on an Example, this invention is not limited to these Examples. In addition, "part" and "%" in an Example and a comparative example are a mass reference | standard unless there is particular notice. In addition, the measuring method of various physical properties and the evaluation method of various characteristics are shown below.

[분자량(Mw)]: 도소사 제조의 GPC 컬럼(TSKgel α-M 1개, TSKgel α-2500 1개)을 이용하여 유량: 1.0 밀리리터/분, 용출 용매: N,N-디메틸포름아미드, 컬럼 온도: 35℃의 분석 조건으로, 단분산 폴리스티렌을 표준으로 하는 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정하였다. [Molecular weight (Mw)]: Flow rate: 1.0 ml / min, elution solvent: N, N-dimethylformamide, column using a GPC column (1 TSKgel α-M, 1 TSKgel α-2500) manufactured by Tosoh Corporation Temperature: It measured by the gel permeation chromatography (GPC) which makes monodisperse polystyrene the standard by the analysis conditions of 35 degreeC.

[혼합성]: 각 성분을 하기 표 3에 나타내는 조성비로 혼합했을 때에, 투명하고 균일한 용액이 된 경우를 "양호", 반투명 또는 불투명한 용액이 된 경우를 "불량"으로 하였다. [Mixability]: When each component was mixed at the composition ratio shown in Table 3 below, the case of becoming a "good", translucent or opaque solution was defined as "defect" when the solution became a transparent and uniform solution.

[도포성]: 6 인치의 실리콘 웨이퍼에 감광성 수지 조성물을 스핀 코팅하고, 핫 플레이트에서 110℃에서 3분간 가열하여 20 ㎛ 두께의 균일한 도막을 제조하였다. 도막에 균열 등의 결함이 발생한 것을 "불량", 균열 등의 결함이 발생하지 않은 것을 "양호"로 하였다.[Coating property]: The 6-inch silicon wafer was spin-coated with the photosensitive resin composition, and it heated at 110 degreeC for 3 minutes on the hotplate, and produced the 20 micrometer-thick uniform coating film. Defects such as cracks in the coating film were "good" and deficient defects such as cracks were "good".

[패터닝성]: 얼라이너(수스 마이크로텍(Suss Microtec)사 제조의 MA-150)를 이용하여, 패턴 마스크를 통해 고압 수은등으로부터의 자외선을, 파장 350 nm에서의 노광량이 1000 내지 5000 mJ/cm2가 되도록, 도포성 시험에서 얻어진 도막 부착 웨이퍼를 노광하였다. 이어서, 핫 플레이트에서 110℃에서 3분간 가열(PEB)하고, 2.38 질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 이용하여 23℃에서 60초간 침지 현상하였다. 마스크대로 패턴이 형성된 경우를 "양호", 마스크대로의 패턴이 형성되지 않는 경우는 "불량"으로 하였다.[Patternability]: Ultraviolet light from a high pressure mercury lamp through a pattern mask using an aligner (MA-150, manufactured by Suss Microtec), and an exposure amount of 1000 to 5000 mJ / cm 2 at a wavelength of 350 nm. The wafer with a coating film obtained by the coating test was exposed so that it might become. Subsequently, it heated (PEB) for 3 minutes at 110 degreeC on the hotplate, and immersion developed at 23 degreeC for 60 second using 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. The case where the pattern was formed according to the mask was "good", and the case where the pattern according to the mask was not formed was "bad".

(합성예 1)Synthesis Example 1

용량 500 mL의 분리 플라스크 내에 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판(단량체 "MA-1") 41.1 g, 1,10-데실렌디아민(단량체 "MB-1") 19.4 g, 및 N-메틸-2-피롤리돈(이하, "NMP"라 기재함) 195 g을 가하였다. 실온하에서 교반하여 각각의 단량체가 용해된 후, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 이무수물(단량체 "MC-2") 44.5 g을 투입하였다. 질소하에 120℃에서 5시간 교반한 후, 180℃로 승온시켜서 5 시간 탈수 반응을 행하였다. 반응 종료 후, 반응 혼합물을 수중에 투입하고, 생성물을 재침전, 여과, 진공 건조를 함으로써, 91 g의 중합체를 얻었다. 얻어진 중합체의 분자량 Mw는 23100이었다. 또한, IR 분석을 행하여, 이미드를 나타내는 1778 cm-1의 흡수가 있음을 확인하였다. 41.1 g of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane (monomer "MA-1") in a 500 mL separation flask , 19.4 g of 1,10-decylenediamine (monomer “MB-1”) and 195 g of N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter referred to as “NMP”) were added. After stirring at room temperature to dissolve each monomer, 44.5 g of 1,2,3,4-butanetetracarboxylic dianhydride (monomer "MC-2") was added thereto. After stirring for 5 hours at 120 degreeC under nitrogen, it heated up at 180 degreeC and dehydrated for 5 hours. After the reaction was completed, the reaction mixture was poured into water, and the product was reprecipitated, filtered, and vacuum dried to obtain 91 g of a polymer. The molecular weight Mw of the obtained polymer was 23100. In addition, IR analysis was carried out to confirm that there was absorption of 1778 cm -1 representing the imide.

(합성예 2 내지 7)Synthesis Examples 2 to 7

하기 표 1에 나타내는 몰비, 및 하기 표 2에 나타내는 질량으로 각각의 단량체 및 NMP를 배합한 것 이외에는 상술한 합성예 1과 동일하게 하여 중합체를 얻었다. 얻어진 중합체의 수득량(g), 및 분자량 Mw를 표 2에 나타내었다. 또한, 얻어진 어느 중합체에 대해서도, 이미드를 나타내는 1778 cm-1의 흡수가 있음을 IR 분석에 의해 확인하였다. 또한, 각각의 합성예에서 이용한 단량체의 구조를 이하에 나타내었다.A polymer was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 described above except that each monomer and NMP were mixed in a molar ratio shown in Table 1 below and the mass shown in Table 2 below. The yield (g) and molecular weight Mw of the obtained polymer are shown in Table 2. Moreover, IR analysis confirmed that there was absorption of 1778 cm <-1> which shows an imide also about any obtained polymer. In addition, the structure of the monomer used by each synthesis example is shown below.

Figure 112008076111323-PCT00017
Figure 112008076111323-PCT00017

Figure 112008076111323-PCT00018
Figure 112008076111323-PCT00018

Figure 112008076111323-PCT00019
Figure 112008076111323-PCT00019

Figure 112008076111323-PCT00020
Figure 112008076111323-PCT00020

Figure 112008076111323-PCT00021
Figure 112008076111323-PCT00021

(실시예 1)(Example 1)

합성예 1에서 얻어진 중합체 100 질량부, 용제(락트산에틸(EL)) 170 질량부, 광산발생제 (B-1) 1.5부, 및 가교제 (C-1) 15부를 혼합함으로써, 감광성 수지 조성물(실시예 1)을 얻었다. 얻어진 감광성 수지 조성물의 혼합성의 평가는 "양호", 도포성의 평가는 "양호", 및 패터닝성의 평가는 "양호"였다. The photosensitive resin composition (execution) by mixing 100 parts by mass of the polymer obtained in Synthesis Example 1, 170 parts by mass of the solvent (ethyl lactate (EL)), 1.5 parts of the photoacid generator (B-1), and 15 parts of the crosslinking agent (C-1). Example 1) was obtained. The evaluation of the blendability of the obtained photosensitive resin composition was "good", the applicability | paintability evaluation was "good", and the evaluation of patterning property was "good".

(실시예 2 내지 11, 비교예 1)(Examples 2 to 11, Comparative Example 1)

표 3에 나타내는 배합 처방으로 한 것 이외에는 상술한 실시예 1과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물(실시예 2 내지 11, 비교예 1)을 얻었다. 얻어진 감광성 수지 조성물의 혼합성, 도포성, 및 패터닝성의 평가를 하기 표 4에 나타내었다. 또한, 표 3 중의 약호의 의미는 이하에 나타낸 바와 같다.Photosensitive resin compositions (Examples 2-11 and Comparative Example 1) were obtained in the same manner as in Example 1, except that the formulations shown in Table 3 were used. Evaluation of the mixing property, applicability | paintability, and patterning property of the obtained photosensitive resin composition is shown in Table 4 below. In addition, the meaning of the symbol in Table 3 is as showing below.

(페놀 수지)(Phenolic resin)

P-1: m-크레졸/p-크레졸=60/40(몰비)으로 이루어지는 크레졸 노볼락 수지(폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량=8,700)P-1: cresol novolak resin (polystyrene conversion weight average molecular weight = 8,700) which consists of m-cresol / p-cresol = 60/40 (molar ratio)

P-2: 페놀·크실릴렌글리콜디메틸에테르 축합 수지(미쓰이 가가꾸사 제조, 상품명: 미렉스(등록상표) XLC-3L)P-2: Phenol xylylene glycol dimethyl ether condensation resin (Mitsui Chemical Industries, Ltd. make, brand name: Mirex (registered trademark) XLC-3L)

(용제)(solvent)

EL: 락트산에틸EL: ethyl lactate

(광산발생제)(Mine generator)

B-1: 스티릴-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진B-1: styryl-bis (trichloromethyl) -s-triazine

B-2: 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트B-2: 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiopheniumtrifluoromethanesulfonate

B-3: 2-2[-(푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진(산와 케미컬사 제조, 상품명: TFE-트리아진)B-3: 2-2 [-(furan-2-yl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd., brand name: TFE-triazine)

B-4: 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진(산와 케미컬사 제조, 상품명: TME-트리아진)B-4: 2- [2- (5-methylfuran-2-yl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd., trade name: TME-triazine )

(가교제)(Bridge)

C-1: 헥사메톡시메틸멜라민(사이텍 인더스트리즈사 제조, 상품명: 사이멜 300)C-1: hexamethoxymethyl melamine (manufactured by Cytec Industries, trade name: Cymel 300)

C-2: 테트라메톡시메틸글리콜우릴(사이텍 인더스트리즈사 제조, 상품명: 사이멜 1174)C-2: tetramethoxymethylglycoluril (manufactured by Cytec Industries, trade name: Cymel 1174)

C-3: 재팬 에폭시 레진사 제조, 상품명: 에피코트(등록상표) 828C-3: Japan epoxy resin company make, brand name: Epicoat (registered trademark) 828

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Figure 112008076111323-PCT00023
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본 발명의 중합체, 및 이를 함유하는 감광성 수지 조성물은 표면 보호막, 층간 절연막이나 고밀도 실장 기판용 절연막의 용도에 적합하여 산업상 매우 유익하다. The polymer of the present invention, and the photosensitive resin composition containing the same, are suitable for the use of a surface protective film, an interlayer insulating film, or an insulating film for a high-density mounting substrate, which is very advantageous industrially.

Claims (5)

하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위를 포함하는 중합체. A polymer comprising a repeating unit represented by the following formula (1), and a repeating unit represented by the following formula (3). <화학식 1><Formula 1>
Figure 112008076111323-PCT00024
Figure 112008076111323-PCT00024
(상기 화학식 1 중, X는 4가의 방향족 또는 지방족 탄화수소기를 나타내고, A는 하기 화학식 2로 표시되는 2가의 기를 나타냄)(In Formula 1, X represents a tetravalent aromatic or aliphatic hydrocarbon group, A represents a divalent group represented by the following formula (2)) <화학식 2><Formula 2>
Figure 112008076111323-PCT00025
Figure 112008076111323-PCT00025
(상기 화학식 2 중, R1은 2가의 기를 나타내고, R2는 서로 독립적으로 수소 원자, 아실기, 또는 알킬기를 나타내고, n1 및 n2는 0 내지 2의 정수를 나타내고, n1과 n2 중 적어도 한쪽은 1 이상이고, R2 중 하나 이상은 수소 원자임)(In Formula 2, R 1 represents a divalent group, R 2 independently of each other represents a hydrogen atom, an acyl group, or an alkyl group, n 1 and n 2 represent an integer of 0 to 2, n 1 and n 2 At least one is at least one, and at least one of R 2 is a hydrogen atom) <화학식 3><Formula 3>
Figure 112008076111323-PCT00026
Figure 112008076111323-PCT00026
(상기 화학식 3 중, X는 4가의 방향족 또는 지방족 탄화수소기를 나타내고, B는 탄소수 2 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 또는 하기 화학식 4로 표시되는 2가의 기를 나타냄)(In Formula 3, X represents a tetravalent aromatic or aliphatic hydrocarbon group, B represents a substituted or unsubstituted alkylene group having 2 to 20 carbon atoms, or a divalent group represented by the following Formula 4.) <화학식 4><Formula 4>
Figure 112008076111323-PCT00027
Figure 112008076111323-PCT00027
(상기 화학식 4 중, Z는 탄소수 2 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬렌기를 나타냄)(In Formula 4, Z represents a substituted or unsubstituted alkylene group having 2 to 20 carbon atoms)
제1항에 있어서, 상기 화학식 1 및 3 중의 X가 4가의 지방족 탄화수소기인 중합체. The polymer of claim 1 wherein X in Formulas 1 and 3 is a tetravalent aliphatic hydrocarbon group. (A) 제1항 또는 제2항에 기재된 중합체, (A) the polymer according to claim 1 or 2, (B) 광산발생제, 및 (B) photoacid generator, and (C) 가교제(C) crosslinking agent 를 함유하는 감광성 수지 조성물. Photosensitive resin composition containing. 제3항에 있어서, 페놀 수지를 더 함유하는 감광성 수지 조성물. The photosensitive resin composition of Claim 3 which further contains a phenol resin. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 (C) 가교제가 알콕시알킬화된 아미노기를 갖는 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition of Claim 3 or 4 in which the said (C) crosslinking agent has the alkoxyalkylated amino group.
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