KR20080109516A - End station and ion implantation apparatus and method with the same - Google Patents

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KR20080109516A
KR20080109516A KR1020070057926A KR20070057926A KR20080109516A KR 20080109516 A KR20080109516 A KR 20080109516A KR 1020070057926 A KR1020070057926 A KR 1020070057926A KR 20070057926 A KR20070057926 A KR 20070057926A KR 20080109516 A KR20080109516 A KR 20080109516A
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김용권
반종상
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정의용
이용훈
백기영
김경태
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삼성전자주식회사
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Abstract

An end station and ion implantation equipment including the end station and method is provided to prevent wafer from being damaged as the queue of wafer is scattered due to vibration generated in a stage by monitoring the vibration generated in a process in the stage. An end station(200) equipped in the ion implantation equipment comprises a stage(210), a driving part(220), and a sensing member. The stage supports the wafer(W). The driving part runs the stage. The sensing member senses the vibration generated in the stage. The diving part positions the stage between a wafer loading position and a processing position for injecting ion to the loaded wafer. The sensing member detects vibration generated in the stage when the stage moves from the loading position to the processing position.

Description

엔드 스테이션, 그리고 상기 엔드 스테이션을 구비하는 이온 주입 장치 및 방법{END STATION AND ION IMPLANTATION APPARATUS AND METHOD WITH THE SAME}END STATION AND ION IMPLANTATION APPARATUS AND METHOD WITH THE SAME

도 1은 본 발명에 따른 이온 주입 장치를 보여주는 평면도이다.1 is a plan view showing an ion implantation apparatus according to the present invention.

도 2는 도 1의 기판 이송부, 로드락 챔버, 그리고 엔드 스테이션의 내부를 보여주는 측면도이다.FIG. 2 is a side view illustrating the interior of the substrate transfer unit, the load lock chamber, and the end station of FIG. 1.

도 3 및 도 4는 도 2에 도시된 엔드 스테이션의 주요 구성들을 보여주는 도면이다.3 and 4 show the main components of the end station shown in FIG.

도 5는 본 발명에 따른 제어기가 이온 주입 공정을 제어하는 과정을 설명하기 위한 순서도이다.5 is a flowchart illustrating a process of controlling an ion implantation process by a controller according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 이온 주입 장치 200 : 엔드 스테이션100: ion implantation device 200: end station

110 : 이온소스 210 : 스테이지110: ion source 210: stage

120 : 질량 분석기 220 : 구동부120: mass spectrometer 220: drive unit

130 : 가속기 230 : 스필오버컵130: accelerator 230: spillover cup

140 : 편항기 240 : 감지부재140: deflector 240: sensing member

150 : 웨이퍼 이송부 250 : 제어기150: wafer transfer unit 250: controller

160 : 로드락 챔버160: load lock chamber

본 발명은 이온 주입 공정이 수행되는 엔드 스테이션, 그리고 상기 엔드 스테이션을 구비하는 이온 주입 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an end station in which an ion implantation process is performed, and an ion implantation apparatus and method including the end station.

반도체 재료에서의 가장 중요한 특성 중의 하나인 전기 전도율은 불순물을 첨가하여 조절한다. 반도체에 불순물을 첨가하는 방법에는 확산(diffusion)에 의한 방법과 이온 주입(ion implantation)에 의한 방법이 있다.Electrical conductivity, one of the most important properties in semiconductor materials, is controlled by the addition of impurities. As a method of adding impurities to a semiconductor, there are a method by diffusion and a method by ion implantation.

그 중 이온 주입 방법은 도핑(dopping)시키고자 하는 불순물 물질을 이온화 시킨 후 가속 시킴으로서, 높은 운동 에너지의 불순물 원자를 웨이퍼 표면에 강제 주입시키는 기술이다. 반도체 제조 공정에서는 이온 주입 장치를 사용하여 웨이퍼에 불순물을 주입시킨다. 일반적인 이온 주입 장치는 이온소스, 분류기, 가속기, 집속기, 편향기, 그리고 엔드 스테이션(end station)을 가진다.The ion implantation method is a technique of forcibly implanting impurity atoms of high kinetic energy onto the wafer surface by ionizing and accelerating an impurity material to be doped. In a semiconductor manufacturing process, impurities are implanted into a wafer using an ion implantation apparatus. Typical ion implantation devices have ion sources, classifiers, accelerators, concentrators, deflectors, and end stations.

이 중 엔드 스테이션은 이온소스에서 발생된 이온빔을 웨이퍼에 주입시키는 공정이 수행되는 설비이다. 엔드 스테이션은 복수의 웨이퍼들을 지지하는 스테이지 및 상기 스테이지를 구동시키는 구동부를 가진다. 스테이지는 대체로 플레이트 형상을 가지며 웨이퍼들이 놓여지는 상부면을 가진다. 웨이퍼들은 스테이지의 상부면 중심을 기준으로 균등한 간격을 가지고 환형으로 배치된다. 구동부는 스테이지의 각도를 조절함으로써 스테이지에 놓여진 웨이퍼의 각도가 이온 주입을 위한 각도가 되도록 한다. 보통 이온 주입 공정시에는 스테이지의 각도가 상하로 수직한 상태를 이룬다. 또한, 구동부는 스테이지를 회전시켜 스테이지에 놓여진 웨이퍼들이 순차적으로 이온을 주입받도록 한다.Among these, the end station is a facility in which an ion beam generated from an ion source is injected into a wafer. The end station has a stage for supporting a plurality of wafers and a driver for driving the stage. The stage has a generally plate shape and has an upper surface on which wafers are placed. The wafers are annularly spaced evenly with respect to the center of the top surface of the stage. The drive unit adjusts the angle of the stage so that the angle of the wafer placed on the stage becomes the angle for ion implantation. Usually, in the ion implantation process, the stage angle is vertically up and down. In addition, the driver rotates the stage so that the wafers placed on the stage receive ions sequentially.

그러나, 일반적인 이온 주입 장치는 엔드 스테이션의 스테이지 구동시 발생되는 진동에 의해 이온 주입 공정의 효율이 저하되는 현상이 발생된다. 예컨대, 이온 주입 공정시 구동부에 의해 스테이지의 각도가 변환될 때, 구동부에서 발생되는 진동이 스테이지에 전달되고, 이러한 진동으로 인해 스테이지에 안착된 웨이퍼들의 지지상태가 불안정하게 되어 스테이지의 각도가 수직한 상태로 이루어질 때, 웨이퍼들이 스테이지로부터 떨어져나가 웨이퍼들이 손상되는 현상이 발생된다. 또한, 이러한 진동의 발생은 스테이지에 안착된 웨이퍼들의 정렬 상태를 불안정하게 함으로써, 이온 주입 공정의 정밀도를 저하시킬 수 있다.However, in the general ion implantation apparatus, a phenomenon in which the efficiency of the ion implantation process is lowered due to vibration generated during stage driving of the end station occurs. For example, when the angle of the stage is changed by the driving unit in the ion implantation process, vibration generated in the driving unit is transmitted to the stage, and the vibration of the wafers seated on the stage becomes unstable due to the vibration. In this state, the wafers are separated from the stage and the wafers are damaged. In addition, the occurrence of such vibration may destabilize the alignment of the wafers mounted on the stage, thereby lowering the precision of the ion implantation process.

본 발명은 공정시 이온 주입 공정의 효율을 향상시키는 엔드 스테이션, 그리고 상기 엔드 스테이션을 구비하는 이온 주입 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an end station for improving the efficiency of the ion implantation process during the process, and an ion implantation apparatus and method having the end station.

본 발명은 공정시 스테이지에서 발생되는 진동에 의해 웨이퍼가 손상되는 현상을 방지하는 엔드 스테이션, 그리고 상기 엔드 스테이션을 구비하는 이온 주입 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an end station for preventing a wafer from being damaged by vibration generated in a stage during processing, and an ion implantation apparatus and method including the end station.

본 발명은 공정시 스테이지에서 발생되는 진동에 의해 이온 주입 공정의 정밀도가 저하되는 것을 방지하는 엔드 스테이션, 그리고 상기 엔드 스테이션을 구비 하는 이온 주입 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an end station which prevents the precision of an ion implantation process from being lowered by the vibration generated at the stage during the process, and an ion implantation apparatus and method having the end station.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 엔드 스테이션은 웨이퍼를 지지하는 스테이지, 상기 스테이지를 구동시키는 구동부, 그리고 상기 스테이지에서 발생되는 진동을 감지하는 감지부재를 포함한다.An end station according to the present invention for achieving the above object includes a stage for supporting a wafer, a driving unit for driving the stage, and a sensing member for sensing the vibration generated in the stage.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 구동부는 상기 스테이지의 웨이퍼 로딩이 이루어지는 로딩위치와 상기 스테이지에 로딩된 웨이퍼로 이온을 주입시키기 위한 공정위치 상호간에 상기 스테이지를 위치시키며, 상기 감지부재는 상기 스테이지가 상기 로딩위치로부터 상기 공정위치로 이동될 때 상기 스테이지에서 발생되는 진동을 감지한다.According to an embodiment of the present invention, the driving unit positions the stage between a loading position at which wafer loading of the stage is performed and a process position for injecting ions into the wafer loaded on the stage, and the sensing member is disposed at the stage. The vibration generated in the stage is sensed when moving from the loading position to the process position.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 감지부재는 상기 스테이지가 상기 로딩위치 및 상기 공정위치 상호간에 이동될 때 발생되는 진동을 전달받는 탄성체 및 상기 탄성체의 진동을 감지하는 측정기를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the sensing member includes an elastic body receiving the vibration generated when the stage is moved between the loading position and the process position, and a measuring device for sensing the vibration of the elastic body.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 측정기는 상기 탄성체와 연결되며 상기 탄성체에 진동의 유무에 따라 온/오프되는 스위치를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the measuring device includes a switch connected to the elastic body and turned on / off according to the presence or absence of vibration in the elastic body.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 엔드 스테이션은 상기 스테이지에 결합되어 공정시 상기 웨이퍼로 공급되는 이온들 중 상기 웨이퍼로부터 벗어나는 이온들이 상기 엔드 스테이션의 내벽으로 이동되는 것을 차단하는 스필오버컵을 더 포함하고, 상기 탄성체는 상기 스필오버컵에 제공된다.According to an embodiment of the present invention, the end station further includes a spillover cup coupled to the stage to block movement of ions off the wafer from the ions supplied to the wafer during processing to the inner wall of the end station. The elastic body is provided to the spillover cup.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 엔드 스테이션은 상기 측정기가 측정한 온 /오프 횟수가 기설정된 온/오프 횟수 이상인 경우에 상기 구동부의 구동을 중지시키는 제어기를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the end station may further include a controller for stopping the driving of the driving unit when the on / off number of times measured by the measuring device is greater than or equal to a preset on / off number.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이온 주입 장치는 이온빔을 발생시키는 이온소스 및 상기 이온소스로부터 발생되는 이온빔을 공급받아 웨이퍼에 주입시키는 공정이 수행되는 엔드 스테이션을 포함하되, 상기 엔드 스테이션은 다수의 기판들을 지지하는 스테이지, 상기 스테이지의 각도가 조절되도록 상기 스테이지를 구동시키는 구동부, 그리고 상기 스테이지의 각도 조절로 인해 발생되는 진동을 측정하는 감지부재를 포함하고, 상기 감지부재는 상기 스테이지에서 발생되는 진동을 전달받는 탄성체 및 상기 탄성체에 발생되는 진동의 유무에 따라 온/오프되는 스위치를 가지는 측정기를 포함한다.The ion implantation apparatus according to the present invention for achieving the above object includes an ion source for generating an ion beam and an end station for receiving the ion beam generated from the ion source and injecting the ion beam into a wafer, the end station is A stage for supporting a plurality of substrates, a driving unit for driving the stage to adjust the angle of the stage, and a sensing member for measuring vibration generated by the angle adjustment of the stage, wherein the sensing member is generated in the stage. It includes a measuring instrument having an elastic body receiving the vibration to be switched on and off according to the presence or absence of vibration generated in the elastic body.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 이온 주입 장치는 상기 스위치의 온/오프 횟수를 판단하여 이온 주입 공정을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 감지부가 감지한 온/오프 횟수가 기설정된 온/오프 횟수 이상인 경우에는 상기 구동부의 구동을 중지시킨다.According to an embodiment of the present invention, the ion implantation apparatus includes a controller for controlling an ion implantation process by determining an on / off frequency of the switch, wherein the controller is configured to turn on / off the number of times detected by the sensing unit. If the number of times of turn-off / off is greater than that, the driving of the driving unit is stopped.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 엔드 스테이션은 상기 스테이지에 결합되어 공정시 상기 기판으로 공급되는 이온들 중 상기 기판으로부터 벗어나는 이온들을 차단시키는 스필오버컵을 더 포함하고, 상기 탄성체는 상기 스필오버컵에 제공된다.According to an embodiment of the present invention, the end station further includes a spillover cup coupled to the stage to block ions that are released from the substrate among the ions supplied to the substrate during the process, and the elastic body includes the spillover cup. Is provided.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 탄성체는 상기 스테이지의 각도 변환에 따라 그 위치가 조절되도록 상기 스필오버컵에 제공되는 스프링이다.According to an embodiment of the present invention, the elastic body is a spring provided to the spillover cup so that its position is adjusted according to the angle change of the stage.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이온 주입 방법은 상기 이온 주입 공정시 웨이퍼를 지지하는 스테이지에서 발생되는 진동을 측정하여, 측정된 진동에 의해 이온 주입 공정을 제어한다.The ion implantation method according to the present invention for achieving the above object is measured by the vibration generated in the stage for supporting the wafer during the ion implantation process, and controls the ion implantation process by the measured vibration.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 진동의 측정은 웨이퍼의 로딩이 이루어지는 로딩위치와 로딩된 웨이퍼에 상기 이온 주입 공정이 수행되는 공정위치 상호간에 상기 스테이지가 위치될 때 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, the vibration is measured when the stage is positioned between a loading position at which a wafer is loaded and a process position at which the ion implantation process is performed on the loaded wafer.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 진동의 측정은 상기 스테이지에 결합되어 이온 주입 공정시 웨이퍼로부터 벗어나는 이온빔이 상기 엔드 스테이션의 내벽으로 이동되는 것을 차단하는 스필오버컵에 사용되는 탄성체의 진동을 측정하여 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, the measurement of the vibration is measured by measuring the vibration of the elastic body used in the spillover cup coupled to the stage to block the ion beam deviating from the wafer during the ion implantation process to the inner wall of the end station Is done.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 진동의 측정은 상기 탄성체의 진동에 의해 온/오프되는 스위치의 온/오프 횟수가 기설정된 온/오프 횟수를 벗어나는지 여부를 판단하여 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, the vibration is measured by determining whether the on / off frequency of the switch on / off due to the vibration of the elastic body is out of a preset on / off frequency.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해지도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달되도록 하기 위해 제공되는 것이다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art.

또한, 본 실시예에서는 반도체 집적회로 칩 제조용 웨이퍼에 이온을 주입하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 다양한 종류의 기판을 처리하는 모 든 장치에 적용이 가능하다.In addition, in the present embodiment, a device for implanting ions into a wafer for manufacturing a semiconductor integrated circuit chip has been described as an example, but the present invention can be applied to all devices for processing various kinds of substrates.

(실시예)(Example)

도 1는 본 발명에 따른 이온 주입 장치의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 이온 주입 장치(100)는 이온소스(110), 질량 분석기(120), 가속기(130), 편향기(140), 웨이퍼 이송부(150), 로드락 챔버(160), 그리고 엔드 스테이션(200)을 포함한다.1 is a plan view schematically showing the configuration of an ion implantation apparatus according to the present invention. Referring to FIG. 1, the ion implantation apparatus 100 according to the present invention includes an ion source 110, a mass analyzer 120, an accelerator 130, a deflector 140, a wafer transfer unit 150, and a load lock chamber ( 160, and end station 200.

이온소스(110)는 웨이퍼에 주입하고자 하는 불순물을 이온 형태로 생성시킨다. 이온소스(110)에서 생성된 불순물 이온은 일차적으로 가속 및 축출되어 이온빔의 형태로 변화된다. 생성된 이온빔은 질량 분석기(120)에 의해 원하지 않는 이온들이 제거된다.The ion source 110 generates impurities in the form of ions to be injected into the wafer. Impurity ions generated in the ion source 110 are primarily accelerated and evicted to change into the form of an ion beam. The generated ion beam is freed of unwanted ions by the mass spectrometer 120.

질량 분석기(120)는 자기장 내에서 같은 에너지를 갖는 이온들이라도 질량이 다르면 휘어지는 효과가 다른 원리를 이용하여 원하는 이온빔만을 선택하여 통과시킨다. 일정 각도 범위로 휘어진 이온빔들은 매스 슬릿(미도시됨)을 통해 여과되어 원하는 불순물 이온빔을 얻는다. 이러한 이온빔은 가속기(130)를 거쳐 공정상 요구되는 속도로 가속된다. 편향기(140)는 가속된 이온빔을 전기장 혹은 자기장을 이용하여 웨이퍼의 원하는 위치에 이온빔을 주입하도록 편향시킨다.The mass spectrometer 120 selects and passes only a desired ion beam using different principles of bending effects when the masses are different even if ions having the same energy in the magnetic field are used. Ion beams bent in a range of angles are filtered through a mass slit (not shown) to obtain the desired impurity ion beam. The ion beam is accelerated through the accelerator 130 at a speed required for the process. The deflector 140 deflects the accelerated ion beam to inject the ion beam at a desired location on the wafer using an electric or magnetic field.

웨이퍼 이송부(150)는 로드락 챔버(160)와 엔드 스테이션(200) 상호간에 웨이퍼를 이송시킨다. 로드락 챔버(160)는 복수의 웨이퍼들을 수용하는 카세트(미도시됨)를 안착시킨다. 엔드 스테이션(200)은 웨이퍼들에 불순물 이온들을 주입시키 는 이온 주입 공정을 수행한다.The wafer transfer unit 150 transfers the wafer between the load lock chamber 160 and the end station 200. The load lock chamber 160 seats a cassette (not shown) containing a plurality of wafers. The end station 200 performs an ion implantation process for implanting impurity ions into the wafers.

계속해서, 본 발명에 따른 엔드 스테이션(200)의 구성들을 상세히 설명한다.Subsequently, the configurations of the end station 200 according to the present invention will be described in detail.

도 2는 도 1의 기판 이송부, 로드락 챔버, 그리고 엔드 스테이션을 보여주는 측면도이고, 도 3 및 도 4는 도 2에 도시된 엔드 스테이션의 구성들을 보여주는 도면이다.FIG. 2 is a side view illustrating the substrate transfer unit, the load lock chamber, and the end station of FIG. 1, and FIGS. 3 and 4 are views illustrating configurations of the end station shown in FIG. 2.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 엔드 스테이션(end station)(200)은 스테이지(stage)(210), 구동부(driving member)(220), 스필오버컵(spillover cup)(230), 감지부재(sensing member)(240), 그리고 제어기(controller)(250)를 포함한다.2 to 4, the end station 200 includes a stage 210, a driving member 220, a spillover cup 230, and a sensing member. sensing member 240, and controller 250.

스테이지(210)는 이온 주입 공정시 복수의 웨이퍼들(W)을 지지한다. 스테이지(210)는 대체로 원판 형상을 가진다. 스테이지(210)는 다수의 지지플레이트(support plates)(212)들이 제공된다. 지지플레이트(212)들은 스테이지(210)의 중심을 기준으로 균등한 간격을 가지고 환형으로 배치된다. 각각의 지지플레이트들(212)은 이온 주입 공정시 웨이퍼(W)를 지지한다.The stage 210 supports a plurality of wafers W in an ion implantation process. The stage 210 has a generally disc shape. The stage 210 is provided with a plurality of support plates 212. The support plates 212 are annularly disposed at equal intervals with respect to the center of the stage 210. Each of the support plates 212 supports the wafer W in the ion implantation process.

구동부(220)는 스테이지(210)를 구동한다. 즉, 구동부(220)는 스테이지(210)를 360°로 회전시킨다. 구동부(220)는 스테이지(210)를 회전시킴으로써, 이온 주입 공정시 지지플레이트들(212)에 놓여진 각각의 웨이퍼들(W)이 순차적으로 이온빔이 주입받을 수 있도록 한다. 또한, 구동부(220)는 스테이지(210)를 회전시켜, 엔드 스테이션(200)으로 이송되는 웨이퍼들(W)이 일정한 위치에 순차적으로 위치되는 지지플레이트(212)에 로딩되도록 한다.The driver 220 drives the stage 210. That is, the driving unit 220 rotates the stage 210 by 360 °. The driver 220 rotates the stage 210 so that each of the wafers W placed on the support plates 212 may be sequentially injected with the ion beam during the ion implantation process. In addition, the driver 220 rotates the stage 210 so that the wafers W transferred to the end station 200 are loaded on the support plate 212 sequentially positioned at a predetermined position.

또한, 구동부(220)는 스테이지(210)의 각도를 조절한다. 즉, 구동부(220)는 스테이지(210)가 로딩위치(loading location)(a1) 및 공정위치(process location)(a2) 상호간에 위치하도록 스테이지(210)를 구동한다. 로딩위치(a1)는 기판 이송부(150)와 스테이지(210) 상호간에 웨이퍼들(W)을 이송하기 위한 스테이지(210)의 위치이고, 공정위치(a2)는 스테이지(210)에 안착된 웨이퍼들(W)에 이온이 주입하기 위한 위치이다.In addition, the driving unit 220 adjusts the angle of the stage 210. That is, the driving unit 220 drives the stage 210 so that the stage 210 is located between the loading location a1 and the process location a2. The loading position a1 is a position of the stage 210 for transferring the wafers W between the substrate transfer unit 150 and the stage 210, and the process position a2 is the wafers seated on the stage 210. It is a position for implanting ions into (W).

스필오버컵(230)은 스테이지(210)가 공정위치(a2)에 위치될 때, 이온을 주입하고자 하는 웨이퍼(W)로 공급되는 이온빔 중 웨이퍼(W)를 벗어나는 이온빔이 엔드 스테이션(200)의 내벽을 향해 이동되는 것을 차단한다. When the stage 210 is positioned at the process position a2, the spillover cup 230 may have an ion beam out of the wafer W from among the ion beams supplied to the wafer W to be implanted with ions of the end station 200. Blocks movement towards the inner wall.

스필오버컵(230)은 차단판(231), 지지바(233), 지지체(235), 냉각수 공급라인(237a) 및 냉각수 회수라인(237b)을 가진다. 차단판(231)은 이온 주입 공정시 이온빔이 웨이퍼(W)로 주입되지 않고 엔드 스테이션(200)의 내벽으로 이동되는 것을 차단한다. 지지바(233)는 차단판(231)을 지지하며, 지지체(235)의 일측에서 일정각도로 회전가능하도록 제공된다. 지지체(235)는 스테이지(210)의 후면 일측에 결합된다. 냉각수 공급라인(237a) 및 냉각수 회수라인(237b)은 스필오버컵(230) 주변에 냉각수를 순환시켜 스필오버컵(230)의 온도가 일정온도를 유지하도록 한다.The spillover cup 230 has a blocking plate 231, a support bar 233, a support 235, a coolant supply line 237a, and a coolant recovery line 237b. The blocking plate 231 blocks the ion beam from being moved to the inner wall of the end station 200 without being injected into the wafer W during the ion implantation process. The support bar 233 supports the blocking plate 231 and is provided to be rotatable at an angle on one side of the support 235. The support 235 is coupled to one side of the rear surface of the stage 210. The cooling water supply line 237a and the cooling water recovery line 237b circulate the cooling water around the spillover cup 230 so that the temperature of the spillover cup 230 maintains a constant temperature.

감지부재(240)는 스테이지(210)에서 발생되는 진동을 감지한다. 감지부재(240)는 탄성체(elastic body)(242) 및 측정기(measuring part)(244)를 가진다. 탄성체(242)는 진동에 민감하게 반응하도록 탄성을 가지는 구성으로 이루어진다. 예컨대, 탄성체(242)로는 용수철 또는 스프링이 사용될 수 있다.The sensing member 240 detects vibration generated in the stage 210. The sensing member 240 has an elastic body 242 and a measuring part 244. The elastic body 242 is made of a configuration having elasticity to react sensitively to vibration. For example, a spring or a spring may be used as the elastic body 242.

측정기(244)는 탄성체(242)에서 발생되는 진동을 측정한다. 일 실시예로서, 측정기(244)로는 탄성체(242)에서 발생되는 진동에 유무에 따라 온(on)/오프(off)되는 스위치(switch)(244)가 사용된다. 스위치(244)는 평상시 오프(off) 상태를 유지하며, 탄성체(242)에 진동이 발생되면 탄성체(242)의 양 끝단과 연결되는 라인(line)으로부터 진동을 전달받아 온(on) 상태가 된다.The measuring device 244 measures the vibration generated in the elastic body 242. In one embodiment, the measuring device 244 is a switch 244 that is turned (on) / off (off) depending on the presence or absence of vibration generated in the elastic body 242. The switch 244 normally maintains an off state, and when vibration is generated in the elastic body 242, the switch 244 is turned on by receiving vibration from a line connected to both ends of the elastic body 242. .

여기서, 감지부재(240)는 스테이지(210)로 전달된 진동의 크기를 측정하기 위한 것이므로, 스테이지(210)의 진동을 전달받는 탄성체(242)는 구동부(220)에 의해 스테이지(210)로 전달되는 진동을 가장 효율적으로 전달받을 수 있는 위치에 제공되는 것을 바람직하다. 일 실시예로서, 탄성체(242)는 스필오버컵(230)에 사용되는 스프링으로 제공될 수 있다. 즉, 스필오버컵(230)은 스테이지(210)와 직접적으로 결합되어 있어 스테이지(210)에서 발생되는 진동을 직접적으로 전달받는다. 따라서, 탄성체(242)는 스필오버컵(230)에 구비되어 지지바(233)의 회전을 위해 사용되는 스프링으로 제공된다. 특히, 스필오버컵(230)은 스테이지(210)가 로딩위치(a1)에 위치하였을 경우에는 수평한 상태로 놓여지다가 스테이지(210)가 공정위치(a2)에 위치되면 수직한 상태로 변환된다. 이러한 스필오버컵(230)의 위치 변환에 탄성체(244)가 관여하므로, 탄성체(242)는 스테이지(210)의 각도 변환시에 효율적으로 스테이지(210)의 진동을 전달받는다. 따라서, 감지부재(240)는 탄성체(242)가 스테이지(210)의 각도 조절에 따라 스필오버컵(230)의 위치가 변환되기 위한 스프링으로 제공됨으로써, 스테이지(210)에서 발생되는 진동을 효과적으로 감지할 수 있다.Here, the sensing member 240 is for measuring the magnitude of the vibration transmitted to the stage 210, the elastic body 242 receiving the vibration of the stage 210 is transmitted to the stage 210 by the drive unit 220. It is desirable to be provided at a position where the vibration to be delivered is most efficiently transmitted. In one embodiment, the elastic body 242 may be provided as a spring used for the spillover cup 230. That is, the spillover cup 230 is directly coupled to the stage 210 to receive the vibration generated in the stage 210 directly. Thus, the elastic body 242 is provided in the spillover cup 230 is provided as a spring used for the rotation of the support bar 233. In particular, the spillover cup 230 is placed in a horizontal state when the stage 210 is located at the loading position a1, and is converted to a vertical state when the stage 210 is positioned at the process position a2. Since the elastic body 244 is involved in the positional change of the spillover cup 230, the elastic body 242 receives the vibration of the stage 210 efficiently during the angle change of the stage 210. Accordingly, the sensing member 240 is provided with a spring for the position of the spillover cup 230 to be changed according to the angle of the stage 210, the elastic body 242, thereby effectively detecting the vibration generated in the stage 210 can do.

제어기(250)는 감지부재(240)와 전기적으로 연결되어 측정기(244)에 의해 측 정된 진동의 횟수를 판단하여 이온 주입 장치(100)를 제어한다. 제어기(250)는 기설정된 진동 횟수가 기설정된다. 상기 기설정된 진동 횟수는 이온 주입 공정시 스테이지(210)에서 발생되는 진동에 의해 공정 효율이 저하될 수 있는 스테이지(210)의 진동 발생 횟수의 최소값일 수 있다. 따라서, 제어기(250)는 상기 기설정된 진동 횟수 이상으로 진동이 발생되면 이온 주입 공정이 비정상적으로 진행되는 것으로 판단하여 이온 주입 장치(100)의 공정을 제어한다. 제어기(250)의 이온 주입 장치(100)의 제어과정에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.The controller 250 is electrically connected to the sensing member 240 to determine the number of vibrations measured by the measuring device 244 to control the ion implantation apparatus 100. The controller 250 has a preset number of vibrations. The predetermined number of vibrations may be a minimum value of the number of vibrations generated in the stage 210 in which process efficiency may be reduced by vibration generated in the stage 210 during the ion implantation process. Therefore, the controller 250 determines that the ion implantation process is abnormally progressed when the vibration is generated more than the predetermined number of vibrations, thereby controlling the process of the ion implantation apparatus 100. A detailed description of the control process of the ion implantation device 100 of the controller 250 will be described later.

본 실시예에서는 탄성체(242)가 스필오버컵(230)에 사용되는 스프링으로 제공되는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 탄성체(242)는 스테이지(210)의 진동을 효율적으로 전달받기 위해 제공되는 것이므로, 스테이지(210)의 진동을 효과적으로 전달받을 수 있는 다양한 위치에 설치될 수 있다. 예컨대, 본 발명의 다른 실시예로서 탄성체(242)는 스테이지(210) 또는 구동부(230)에 설치될 수 있다.In this embodiment, the elastic body 242 is described as an example provided as a spring used in the spillover cup 230, but the elastic body 242 is provided to receive the vibration of the stage 210 efficiently, The vibration of the stage 210 may be installed in various locations that can be effectively transmitted. For example, as another embodiment of the present invention, the elastic body 242 may be installed on the stage 210 or the driving unit 230.

또한, 본 실시예에서는 측정기(244)로 탄성체(242)의 진동의 유무에 따라 온/오프되는 스위치(switch)가 사용되는 경우를 예로 들었으나, 측정기(244)의 탄성체(242)의 진동 측정은 다양한 측정 기구들을 사용하여 이루어질 수 있다.In addition, in the present embodiment, a case in which a switch that is turned on / off according to the presence or absence of vibration of the elastic body 242 is used as the measuring device 244, but the vibration measurement of the elastic body 242 of the measuring device 244 is used. This can be done using various measuring instruments.

이하, 본 발명에 따른 이온 주입 장치(100)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, a process of the ion implantation apparatus 100 according to the present invention will be described in detail. Here, the same reference numerals for the same components as the above-described components are the same, and detailed description of the components is omitted.

이온주입장치(100)의 공정이 개시되면, 이온소스(110)에서 생성된 이온은 이 온빔의 형태로 변화한 후 가속기(130)에 의해 원하는 속도로 가속된다. 그리고, 편향기(140)에 의해 이온빔은 원하는 각도로 조절된 후 엔드 스테이션(200)의 스테이지(210)에 안착된 웨이퍼(W)에 주입된다. 이때, 엔드 스테이션(200)으로 주입되는 이온빔은 패러데이컵(미도시됨)에 의해 공급이 조절된다.When the process of the ion implantation apparatus 100 is started, the ions generated in the ion source 110 is changed into the form of the on beam and then accelerated by the accelerator 130 at a desired speed. The ion beam is adjusted to a desired angle by the deflector 140 and then injected into the wafer W seated on the stage 210 of the end station 200. At this time, the ion beam injected into the end station 200 is controlled by a Faraday cup (not shown).

여기서, 기판 이송부(150)는 로드락 챔버(160)에 안착된 카세트(미도시됨)으로부터 엔드 스테이션(200)으로 웨이퍼들(W)을 이송한다. 엔드 스테이션(200)으로 이송된 웨이퍼들(W)은 순차적으로 스테이지(210)의 지지플레이트들(212) 각각에 로딩된다. 각각의 지지플레이트들(210) 모두에 웨이퍼(W)가 로딩되면, 구동부(230)는 스테이지(210)를 로딩위치(a1)로부터 공정위치(a2)에 스테이지(210)의 각도를 변환한다.Here, the substrate transfer unit 150 transfers the wafers W from the cassette (not shown) seated in the load lock chamber 160 to the end station 200. The wafers W transferred to the end station 200 are sequentially loaded on each of the support plates 212 of the stage 210. When the wafer W is loaded on each of the support plates 210, the driving unit 230 converts the stage 210 from the loading position a1 to the process position a2.

스테이지(210)가 공정위치(a2)에 위치되면, 구동부(220)는 스테이지(210)를 일정 속도로 회전시킨다. 스테이지(210)가 회전되면, 이온소스(110)에서 발생된 이온빔이 스테이지(210)에 안착된 웨이퍼들(W)로 공급된다. 여기서, 웨이퍼(W) 전체 영역에 균일하게 이온빔을 주입하기 위해 웨이퍼(W)의 상하 높이가 조절된다. 즉, 이온 주입 공정시 웨이퍼(W)는 스테이지(210)의 업(up)/다운(down) 동작에 의해 높이가 조절되며, 스테이지(210)의 높이가 조절될 때(특히 스테이지(210)가 다운될 때), 웨이퍼(W)로 공급되는 이온빔들 중 웨이퍼(W)의 처리면을 벗어나는 경우가 발생된다. 웨이퍼(W)를 벗어나는 이온빔은 스필오버컵(230)의 차단판(231)에 의해 엔드스테이션(200)의 내벽으로 이동되는 것이 방지된다.When the stage 210 is located at the process position a2, the driving unit 220 rotates the stage 210 at a constant speed. When the stage 210 is rotated, the ion beam generated by the ion source 110 is supplied to the wafers W mounted on the stage 210. Here, the vertical height of the wafer W is adjusted to uniformly inject the ion beam into the entire region of the wafer W. That is, during the ion implantation process, the wafer W is height-adjusted by the up / down operation of the stage 210, and when the height of the stage 210 is adjusted (particularly, the stage 210 is When down), a case occurs out of the processing surface of the wafer W among the ion beams supplied to the wafer W. The ion beam leaving the wafer W is prevented from moving to the inner wall of the end station 200 by the blocking plate 231 of the spillover cup 230.

스테이지(210)에 안착된 모든 웨이퍼들(W)에 이온 주입 공정이 완료되면, 구 동부(220)는 스테이지(210)를 공정위치(a2)로부터 로딩위치(a1)로 이동시키고, 기판 이송부(150)는 스테이지(210)에 놓여진 웨이퍼들(W)을 순차적으로 로드락 챔버(160)의 카세트(C)로 반출한다. 이온 주입 공정이 완료된 웨이퍼들(W)이 모두 카세트(C)에 반입되면, 카세트(C)는 후속 공정이 수행되는 장비로 반송된다.When the ion implantation process is completed on all the wafers W seated on the stage 210, the eastern part 220 moves the stage 210 from the process position a2 to the loading position a1, and transfers the substrate transfer unit ( 150 sequentially transports the wafers W placed on the stage 210 to the cassette C of the load lock chamber 160. When all of the wafers W in which the ion implantation process is completed are loaded into the cassette C, the cassette C is returned to the equipment on which the subsequent process is performed.

계속해서, 본 발명에 따른 제어기(250)가 이온 주입 공정을 제어하는 과정을 상세히 설명한다. 도 5는 본 발명에 따른 이온 주입 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 순서도이다. Subsequently, a process of controlling the ion implantation process by the controller 250 according to the present invention will be described in detail. 5 is a flowchart illustrating a process of the ion implantation apparatus according to the present invention.

도 5를 참조하면, 상술한 이온 주입 공정이 진행되는 동안 제어기(250)는 감지부재(240)로부터 측정된 데이터를 전송받아 이온 주입 공정을 제어한다. 먼저, 이온 주입 공정시 측정기(244)는 탄성체(242)에서 발생되는 진동을 측정한다(S110). 즉, 측정기(244)로 사용되는 스위치(244)는 탄성체(242)에서 발생되는 진동의 유무에 따라 온/오프되며, 이러한 스위치(244)의 온/오프 상태는 제어기(250)에 의해 판단된다. 특히, 측정기(244)는 구동부(220)에 의해 스테이지(210)가 로딩위치(a1)로부터 공정위치(a2)로 이동될 때 탄성체(242)의 진동 여부를 측정한다. 이는 스테이지(210)에서의 진동 발생은 스테이지(210)의 각도가 변환될 때, 즉 로딩위치(a1)로부터 공정위치(a2)로 이동될 때 가장 크게 발생되며, 또한 이때의 진동 발생이 이온 주입 공정에 큰 영향을 미치기 때문이다. 측정기(244)가 측정한 탄성체(242)의 진동 여부에 대한 데이터는 제어기(250)로 전송된다. Referring to FIG. 5, during the above-described ion implantation process, the controller 250 receives the measured data from the sensing member 240 and controls the ion implantation process. First, the measuring device 244 during the ion implantation process measures the vibration generated in the elastic body 242 (S110). That is, the switch 244 used as the measuring device 244 is turned on / off according to the presence or absence of vibration generated in the elastic body 242, and the on / off state of the switch 244 is determined by the controller 250. . In particular, the measuring device 244 measures whether the elastic body 242 vibrates when the stage 210 is moved from the loading position a1 to the process position a2 by the driving unit 220. This is the greatest occurrence of vibration in the stage 210 when the angle of the stage 210 is changed, that is, moved from the loading position (a1) to the process position (a2), and the generation of vibration at this time is ion implantation This is because it greatly affects the process. Data on whether the elastic body 242 is measured by the measuring device 244 is transmitted to the controller 250.

제어기(250)는 전송받은 데이터를 통해 탄성체(242)의 진동 여부를 판단한 후 그 판단 결과에 따라 이온 주입 공정을 제어한다(S120, S130). 예컨대, 제어기(250)는 스위치(244)의 온/오프 동작이 기설정된 회수 이하이면 공정이 정상적으로 진행되는 것으로 판단하고 이온 주입 공정을 진행한다. 그러나, 탄성체(242)에 진동이 발생되어 스위치(244)의 온/오프 동작이 기설정된 횟수 이상이면, 제어기(250)는 이온 주입 공정에 이상이 발생된 것으로 판단하여 이온 주입 공정을 중지시킨다(S140). 즉, 제어기(250)는 구동부(220)를 제어하여 구동부(220)의 스테이지(210) 구동을 중지시킨 후 작업자가 이를 인지할 수 있도록 경보를 울리거나 설비 외부에 표시한다.The controller 250 determines whether the elastic body 242 vibrates based on the received data and then controls the ion implantation process according to the determination result (S120, S130). For example, the controller 250 determines that the process proceeds normally when the on / off operation of the switch 244 is less than or equal to a predetermined number of times, and proceeds with the ion implantation process. However, if vibration occurs in the elastic body 242 and the on / off operation of the switch 244 is more than a predetermined number of times, the controller 250 determines that an abnormality has occurred in the ion implantation process and stops the ion implantation process ( S140). That is, the controller 250 controls the driving unit 220 to stop driving the stage 210 of the driving unit 220 and then sounds an alarm or displays the outside of the facility so that an operator can recognize it.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 이온 주입 장치(100)는 공정시 스테이지(210)에서 발생되는 진동을 모니터링함으로써 스테이지(210)에서 발생되는 진동으로 인해 이온 주입 공정 효율이 저하되는 것을 방지한다.As described above, the ion implantation apparatus 100 according to the present invention prevents the ion implantation process efficiency from being lowered due to the vibration generated in the stage 210 by monitoring the vibration generated in the stage 210 during the process.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the invention. Various changes required are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 엔드 스테이션 및 이를 구비하는 이온 주입 장치는 공정시 스테이지에서 발생되는 진동으로 인해 이온 주입 공정의 효율이 저하되는 것을 방지한다.As described above, the end station and the ion implantation apparatus including the same according to the present invention prevent the efficiency of the ion implantation process from being lowered due to vibration generated in the stage during the process.

또한, 본 발명에 따른 엔드 스테이션 및 이를 구비하는 이온 주입 장치는 공정시 스테이지에서 발생되는 진동을 모니터링함으로써, 종래의 스테이지에서 발생되는 진동으로 인해 웨이퍼의 정렬이 흐트러져 웨이퍼가 손상되는 것을 방지한다.In addition, the end station and the ion implantation apparatus having the same according to the present invention monitor the vibration generated in the stage during the process, thereby preventing the wafer from being damaged due to the vibration generated in the conventional stage.

Claims (15)

이온 주입 장치에 구비되는 엔드 스테이션에 있어서,In the end station provided in the ion implantation device, 웨이퍼를 지지하는 스테이지와,A stage supporting the wafer, 상기 스테이지를 구동시키는 구동부와,A driving unit for driving the stage; 상기 스테이지에서 발생되는 진동을 감지하는 감지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 엔드 스테이션.And a sensing member for sensing vibration generated in the stage. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 구동부는,The driving unit, 상기 스테이지의 웨이퍼 로딩이 이루어지는 로딩위치와 상기 스테이지에 로딩된 웨이퍼로 이온을 주입시키기 위한 공정위치 상호간에 상기 스테이지를 위치시키며,Positioning the stage between a loading position at which the wafer loading of the stage is performed and a process position for implanting ions into the wafer loaded on the stage, 상기 감지부재는,The sensing member, 상기 스테이지가 상기 로딩위치로부터 상기 공정위치로 이동될 때 상기 스테이지에서 발생되는 진동을 감지하는 것을 특징으로 하는 엔드 스테이션.And end vibration sensing generated in the stage when the stage is moved from the loading position to the process position. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 감지부재는,The sensing member, 상기 스테이지가 상기 로딩위치 및 상기 공정위치 상호간에 이동될 때 발생 되는 진동을 전달받는 탄성체와,An elastic body that receives vibration generated when the stage is moved between the loading position and the process position; 상기 탄성체의 진동을 감지하는 측정기를 포함하는 것을 특징으로 하는 엔드 스테이션.And a measuring device for detecting vibration of the elastic body. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 측정기는,The measuring device, 상기 탄성체와 연결되며 상기 탄성체에 진동의 유무에 따라 온/오프되는 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 엔드 스테이션.And a switch connected to the elastic body and switched on / off according to the presence or absence of vibration in the elastic body. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 엔드 스테이션은,The end station, 상기 스테이지에 결합되어 공정시 상기 웨이퍼로 공급되는 이온들 중 상기 웨이퍼로부터 벗어나는 이온들이 상기 엔드 스테이션의 내벽으로 이동되는 것을 차단하는 스필오버컵을 더 포함하고,And a spillover cup coupled to the stage to block ions from the wafer, which are supplied to the wafer during the process, from moving to the inner wall of the end station. 상기 탄성체는,The elastic body, 상기 스필오버컵에 제공되는 것을 특징으로 하는 엔드 스테이션.An end station provided to said spillover cup. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 탄성체는,The elastic body, 상기 스테이지의 각도 조절에 따라 그 위치가 조절되도록 상기 스필오버컵에 제공되는 스프링인 것을 특징으로 하는 엔드 스테이션.And a spring provided to the spillover cup so that its position is adjusted according to the angle adjustment of the stage. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 엔드 스테이션은,The end station, 상기 측정기가 측정한 온/오프 횟수가 기설정된 온/오프 횟수 이상인 경우에 상기 구동부의 구동을 중지시키는 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엔드 스테이션.And a controller for stopping driving of the driving unit when the number of on / off times measured by the measuring device is greater than or equal to a preset number of on / off times. 이온 주입 장치에 있어서,In the ion implantation device, 이온빔을 발생시키는 이온소스와,An ion source for generating an ion beam, 상기 이온소스로부터 발생되는 이온빔을 공급받아 웨이퍼에 주입시키는 공정이 수행되는 엔드 스테이션을 포함하되,And an end station receiving a ion beam generated from the ion source and injecting the ion beam into a wafer. 상기 엔드 스테이션은,The end station, 다수의 기판들을 지지하는 스테이지와,A stage for supporting a plurality of substrates, 상기 스테이지의 각도가 조절되도록 상기 스테이지를 구동시키는 구동부와,A driving unit for driving the stage so that the angle of the stage is adjusted; 상기 스테이지의 각도 조절로 인해 발생되는 진동을 측정하는 감지부재를 포함하고,It includes a sensing member for measuring the vibration generated by the angle adjustment of the stage, 상기 감지부재는,The sensing member, 상기 스테이지에서 발생되는 진동을 전달받는 탄성체와,An elastic body that receives the vibration generated in the stage; 상기 탄성체에 발생되는 진동의 유무에 따라 온/오프되는 스위치를 가지는 측정기를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.And a measuring device having a switch that is turned on / off in accordance with the presence or absence of vibration generated in the elastic body. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 이온 주입 장치는,The ion implantation device, 상기 스위치의 온/오프 횟수를 판단하여 이온 주입 공정을 제어하는 제어기를 포함하되.And a controller for controlling an ion implantation process by determining an on / off frequency of the switch. 상기 제어기는,The controller, 상기 감지부가 감지한 온/오프 횟수가 기설정된 온/오프 횟수 이상인 경우에는 상기 구동부의 구동을 중지시키는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.And the driving unit stops driving when the number of on / off times detected by the detector is equal to or greater than a preset number of on / off times. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,The method according to claim 8 or 9, 상기 엔드 스테이션은,The end station, 상기 스테이지에 결합되어 공정시 상기 기판으로 공급되는 이온들 중 상기 기판으로부터 벗어나는 이온들을 차단시키는 스필오버컵을 더 포함하고,And a spillover cup coupled to the stage to block ions which are released from the substrate among the ions supplied to the substrate during the process. 상기 탄성체는,The elastic body, 상기 스필오버컵에 제공되는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.And an ion implantation device provided in the spillover cup. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 탄성체는,The elastic body, 상기 스테이지의 각도 변환에 따라 그 위치가 조절되도록 상기 스필오버컵에 제공되는 스프링인 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.And a spring provided to the spillover cup so that its position is adjusted according to the angle change of the stage. 웨이퍼에 이온을 주입시키는 공정을 수행하는 방법에 있어서,In the method of performing the process of implanting ions into the wafer, 상기 이온 주입 공정시 웨이퍼를 지지하는 스테이지에서 발생되는 진동을 측정하여, 측정된 진동에 의해 이온 주입 공정을 제어하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 방법.And measuring vibrations generated in the stage supporting the wafer during the ion implantation process to control the ion implantation process by the measured vibrations. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 진동의 측정은,The measurement of the vibration, 웨이퍼의 로딩이 이루어지는 로딩위치와 로딩된 웨이퍼에 상기 이온 주입 공정이 수행되는 공정위치 상호간에 상기 스테이지가 위치될 때 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온 주입 방법.And the stage is positioned between a loading position at which a wafer is loaded and a process position at which the ion implantation process is performed on the loaded wafer. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,The method according to claim 12 or 13, 상기 진동의 측정은,The measurement of the vibration, 상기 스테이지에 결합되어 이온 주입 공정시 웨이퍼로부터 벗어나는 이온빔이 상기 엔드 스테이션의 내벽으로 이동되는 것을 차단하는 스필오버컵에 사용되는 탄성체의 진동을 측정하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온 주입 방법.And an oscillation of the elastic body used in the spillover cup coupled to the stage to block the ion beam leaving the wafer during the ion implantation process from moving to the inner wall of the end station. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,The method according to claim 12 or 13, 상기 진동의 측정은,The measurement of the vibration, 상기 탄성체의 진동에 의해 온/오프되는 스위치의 온/오프 횟수가 기설정된 온/오프 횟수를 벗어나는지 여부를 판단하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온 주입 방법.And determining whether the on / off frequency of the switch on / off by the vibration of the elastic body is outside the preset on / off frequency.
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