KR20080108931A - Vaccuum processing apparatus - Google Patents

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KR20080108931A KR1020080108594A KR20080108594A KR20080108931A KR 20080108931 A KR20080108931 A KR 20080108931A KR 1020080108594 A KR1020080108594 A KR 1020080108594A KR 20080108594 A KR20080108594 A KR 20080108594A KR 20080108931 A KR20080108931 A KR 20080108931A
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조생현
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Abstract

A vacuum processing device is provided to uniformly form the vacuum break environment within the process space by forming the edge delete portion on the edge of the process space side. A vacuum processing device comprises the chamber body(100) and the edge delete portion(151). The process space(S) for the vacuum break is formed inside the chamber body. The gate(150) through which the substrate can be loaded and unloaded is formed in one side of the chamber body. The edge delete portion removes the part or whole of the edge forming the gate at the process sides. The horizontal direction distance and the perpendicular direction distance of the edge delete portion are 10mm~100mm based on the edge.

Description

진공처리장치 {Vaccuum Processing Apparatus}Vacuum Processing Apparatus {Vaccuum Processing Apparatus}

본 발명은 진공처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 LCD 패널용 유리기판 또는 웨이퍼 등의 기판을 식각 또는 증착하기 위한 진공처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a vacuum processing apparatus, and more particularly, to a vacuum processing apparatus for etching or depositing a substrate such as a glass substrate for a LCD panel or a wafer.

진공처리장치는 처리공정을 수행하기 위하여 처리공간이 내부에 형성된 챔버본체 내에 전극을 설치하고, 진공상태에서 전극에 전원을 인가하여 플라즈마를 형성하여 전극 위에 안착된 기판의 표면을 증착, 식각하는 등 처리공정을 수행하는 장치를 말한다.In order to perform the treatment process, the vacuum processing apparatus installs electrodes in a chamber body in which a processing space is formed, and applies a power to the electrodes in a vacuum to form plasma to deposit and etch a surface of a substrate seated on the electrodes. Refers to a device that performs a treatment process.

도 1은 종래의 진공처리장치의 단면도이며, 도 2는 도 1의 진공처리장치의 기판에 대한 식각률을 보여주는 그래프이다.1 is a cross-sectional view of a conventional vacuum processing apparatus, and FIG. 2 is a graph showing an etching rate of a substrate of the vacuum processing apparatus of FIG. 1.

종래의 진공처리장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 내부에 처리공간(S)을 형성하는 챔버본체(10)를 포함하며, 챔버본체(10)의 일측에는 진공처리를 위한 기판(1)의 입출을 위한 게이트(15)가 형성된다. 그리고 상기 챔버본체(10) 내에는 처리공간(S) 내에서 플라즈마를 형성할 수 있도록 상부전극(13) 및 하부전극(14)이 설치된다.Conventional vacuum processing apparatus as shown in Figure 1, includes a chamber body 10 to form a processing space (S) therein, one side of the chamber body 10 of the substrate 1 for the vacuum treatment A gate 15 for entering and exiting is formed. In the chamber body 10, an upper electrode 13 and a lower electrode 14 are installed to form a plasma in the processing space S.

상기와 같은 종래의 진공처리장치는 상부전극(13) 또는 하부전극(14)에 전원이 인가되면 처리공간(S) 내에 플라즈마가 형성되고, 플라즈마를 이루는 라디칼 등에 의하여 기판(1)의 표면을 증착하거나, 식각하는 등 진공처리를 수행하게 된다.In the conventional vacuum processing apparatus as described above, when power is applied to the upper electrode 13 or the lower electrode 14, plasma is formed in the processing space S, and the surface of the substrate 1 is deposited by radicals or the like forming the plasma. Vacuum treatment is performed.

한편 도 1에서 컬러로 표시된 부분은 게이트(15) 부근에서 형성되는 전기장을 시뮬레이션 한 것으로서, 게이트(15) 부근에서 전기장이 불균일하게 발생됨을 알 수 있으며, 도 2는 종래의 진공처리장치에 의하여 진공처리된 기판(1)에 대한 식각률 분포를 나타낸 것으로서, 게이트(15) 부근에서 식각률이 상대적으로 높음을 알 수 있다.On the other hand, the portion shown in color in Figure 1 simulates the electric field formed in the vicinity of the gate 15, it can be seen that the electric field is generated unevenly around the gate 15, Figure 2 is a vacuum by a conventional vacuum processing apparatus As the etch rate distribution of the treated substrate 1 is shown, it can be seen that the etch rate is relatively high near the gate 15.

즉, 상기 챔버본체(10)의 일측에 형성된 게이트(15)는 공정가스의 압력분포, 가스, 이온, 레디칼 등의 배기 및 반응속도, 전기장의 밀도, 플라즈마의 밀도, 온도분포 등에 영향을 주게 되며, 결과적으로 식각 또는 증착 등이 불균일하게 형성되는 등 진공처리공정의 균일도에 큰 영향을 미치게 된다.That is, the gate 15 formed on one side of the chamber body 10 affects the pressure distribution of the process gas, the exhaust and reaction speed of the gas, ions, radicals, etc., the density of the electric field, the density of the plasma, the temperature distribution, and the like. As a result, the uniformity of the vacuum treatment process, such as etching or deposition, is formed unevenly.

특히 진공처리될 기판(1)이 대면적화되면서 종래의 진공처리장치는 정재파효과(Standing Wave Effect) 및 표면효과(Skin Effect), 높은 RF 또는 DC, AC Power를 갖게 되므로 게이트가 진공처리에 미치는 영향이 더 증대되며, 기판(1)은 게이트(15) 부근에서 다른 부분에 비하여 높은 식각율을 가짐으로서 불균일도가 증가되며, 진공처리의 성능개선에 어려움을 주고 있다.In particular, as the substrate 1 to be vacuumed becomes larger, the conventional vacuum processing apparatus has a standing wave effect, a skin effect, and a high RF, DC, or AC power. This is further increased, and the substrate 1 has a higher etching rate than other portions in the vicinity of the gate 15 so that the nonuniformity is increased, which makes it difficult to improve the performance of the vacuum treatment.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판에 대한 진공처리공정에 게이트가 미치는 영향을 최소화하여 안정적인 진공처리공정을 수행할 수 있는 진공처리장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus capable of performing a stable vacuum processing process by minimizing the influence of a gate on a vacuum processing process for a substrate in order to solve the above problems.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 내부에 진공처리를 위한 처리공간이 형성되며 적어도 일측에 기판이 입출될 수 있는 게이트가 형성된 챔버본체를 포함하며, 상기 게이트는 상기 처리공간 쪽의 모서리의 적어도 일부가 제거된 모서리제거부가 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치를 개시한다.The present invention was created in order to achieve the object of the present invention as described above, the present invention includes a chamber body in which a processing space for vacuum processing is formed therein and at least one side of which a gate is formed to enter and exit the substrate. The gate discloses a vacuum processing apparatus, characterized in that the corner removal portion formed by removing at least a portion of the edge of the processing space side.

상기 모서리제거부는 평면 또는 곡면을 이루도록 구성될 수 있으며, 상기 챔버본체의 재질과 동일한 재질의 라이너에 의하여 복개될 수 있다. 또한 상기 모서리제거부는 상기 챔버본체의 내벽에 설치되는 라이너에 형성될 수 있다.The edge removing portion may be configured to form a flat or curved surface, it may be covered by a liner of the same material as the material of the chamber body. In addition, the edge removing portion may be formed on a liner installed on the inner wall of the chamber body.

한편 상기 모서리제거부의 수평방향거리 및 수직방향거리는 10㎜~100㎜인 것이 바람직하다.On the other hand, the horizontal distance and the vertical distance of the edge removal portion is preferably 10mm ~ 100mm.

본 발명에 따른 진공처리장치는 게이트 부근에서 처리공간 쪽의 모서리에 적어도 일부가 모서리제거부가 형성됨으로써 전기장 에너지의 쏠림 또는 높은 에너지를 낮게 해줌으로써 게이트 부근의 플라즈마 쏠림을 해소하며, 높은 식각율을 완화 시켜 주고, 게이트가 형성된 측의 반대편과 비슷한 플라즈마 균일도를 갖게 해줌으로서 균일한 식각율을 가질 수 있는 이점이 있다.In the vacuum processing apparatus according to the present invention, at least a part of the edge removing portion is formed at the edge of the processing space in the vicinity of the gate, thereby reducing the concentration of the electric field energy or lowering the high energy, thereby eliminating the plasma tendency near the gate, and alleviating the high etching rate. It is possible to have a uniform etching rate by having a plasma uniformity similar to the opposite side of the gate formed side.

또한 본 발명에 따른 진공처리장치는 게이트에서 처리공간 쪽의 모서리에 모서리제거부를 형성함으로써 게이트의 형성에 의한 처리공간 내의 진공처리환경을 균일하게 형성할 수 있게 하는 이점이 있다.In addition, the vacuum processing apparatus according to the present invention has an advantage of uniformly forming the vacuum processing environment in the processing space by the formation of the gate by forming a corner removing portion in the corner of the processing space side in the gate.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above by way of example, the scope of the present invention is not limited to these specific embodiments, and may be appropriately changed within the scope described in the claims.

이하 본 발명에 따른 진공처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a vacuum processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 진공처리장치를 보여주는 단면도이고, 도 4a 내지 도 4c는 도 3에서의 모서리제거부의 변형례를 보여주는 단면도이다.Figure 3 is a cross-sectional view showing a vacuum processing apparatus according to the present invention, Figures 4a to 4c is a cross-sectional view showing a modification of the edge removing portion in FIG.

본 발명에 따른 진공처리장치는 도 3에 도시된 바와 같이, 내부에 진공처리를 위한 처리공간(S)이 형성되며 일측에 진공처리될 기판(1)이 입출될 수 있는 게이트(150)가 형성된 챔버본체(100)를 포함하여 구성된다.In the vacuum processing apparatus according to the present invention, as shown in FIG. 3, a processing space S for vacuum processing is formed therein and a gate 150 on which one side of the substrate 1 to be vacuumed is formed is formed. It is configured to include a chamber body (100).

상기 챔버본체(100)는 설계조건 및 디자인에 따라서 다양한 형상 및 구조를 가지도록 제작될 수 있으며, 서로 결합되어 처리공간(S)을 형성하는 상부챔버(110) 및 하부챔버(120)를 포함하여 구성될 수 있다.The chamber body 100 may be manufactured to have various shapes and structures according to design conditions and designs, including an upper chamber 110 and a lower chamber 120 coupled to each other to form a processing space S. Can be configured.

그리고 상기 챔버본체(100) 내에는 플라즈마를 형성하기 위한 상부전극(130) 및 하부전극(140), 처리공간(S)을 진공처리를 수행할 수 있는 압력조건(진공압)을 유지하기 위한 배기시스템(미도시), 진공처리를 수행할 수 있도록 처리공간(S) 내에 공정가스 등을 주입하기 위한 가스공급시스템(미도시)이 설치된다.In the chamber body 100, the upper electrode 130, the lower electrode 140, and the exhaust space for maintaining a pressure condition (vacuum pressure) for performing a vacuum treatment on the processing space S to form a plasma. A system (not shown) and a gas supply system (not shown) for injecting a process gas or the like into the processing space S to perform a vacuum treatment are installed.

이때 상기 상부전극(130)에는 가스공급시스템에 의하여 공급되는 공정가스등이 처리공간 내로 주입될 수 있도록 샤워헤드와 일체로 형성될 수 있으며, 상기 하부전극(140)은 진공처리될 기판(1)을 지지하는 기판지지대에 설치될 수 있다.In this case, the upper electrode 130 may be integrally formed with a shower head such that a process gas supplied by a gas supply system may be injected into a processing space, and the lower electrode 140 may be provided with a substrate 1 to be vacuumed. It may be installed on a supporting substrate support.

그리고 상기 처리공간(S) 내에서 진공처리 후에 기판(1)을 기판지지대로부터 외부로 배출하거나, 진공처리될 기판(1)을 외부로부터 기판지지대로 기판(1)을 이송할 수 있도록 챔버본체(100)의 측벽에는 게이트(150)가 형성된다. 이때 상기 게이트(150)의 외측에는 처리공간(S)을 밀폐시킬 수 있도록 게이트(150)를 개폐하기 위한 게이트밸브(미도시)가 설치된다.In the processing space S, the chamber body may be discharged to the outside from the substrate support after the vacuum treatment, or the substrate 1 may be transferred from the outside to the substrate support from the outside. The gate 150 is formed on the sidewall of the 100. At this time, a gate valve (not shown) for opening and closing the gate 150 is installed outside the gate 150 to seal the processing space S.

한편 상기 게이트(150)는 진공처리를 수행할 때 전기장의 밀도 등에 영향을 주는 것을 방지하기 위하여, 도 3에 도시된 바와 같이, 처리공간(S) 쪽의 모서리의 적어도 일부가 제거된 모서리제거부(151)가 형성된다. 물론 상기 모서리제거부(151)는 게이트(150)에서 처리공간(S) 쪽의 모서리 전부에 형성되는 것이 바람직하다.Meanwhile, in order to prevent the gate 150 from affecting the density of the electric field when performing the vacuum treatment, as shown in FIG. 3, at least a portion of the edge of the edge of the processing space S is removed. 151 is formed. Of course, the edge remover 151 may be formed at all edges of the processing space S side in the gate 150.

상기 모서리제거부(151)는 절삭가공 등 다양한 가공방법에 의하여 처리공간(S) 쪽의 모서리 중 적어도 일부가 제거되어 형성되며, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 평면 또는 곡면을 이루도록 형성될 수 있다.The edge removing unit 151 is formed by removing at least a part of the edge of the processing space (S) side by various processing methods such as cutting processing, as shown in Figure 4a and 4b, to form a flat or curved surface Can be.

그리고 상기 모서리제거부(151)는 챔버본체(100)의 내벽에 진공처리장치의 유지보수를 위하여 챔버본체(100)와 동일한 재질를 가지는 라이너(101)가 설치된 경우, 상기 모서리제거부(151)에도 라이너(101)와 동일한 재질의 라이너(151a)에 의하여 복개될 수 있다. 그리고 상기 모서리제거부(151) 또는 라이너(101, 151a)의 표면에는 양극산화처리피막(151b)이 형성되도록 애노다이징 처리될 수 있다.In addition, the edge removing unit 151 may be installed on the inner wall of the chamber body 100 when the liner 101 having the same material as the chamber body 100 is installed to maintain the vacuum processing apparatus. The liner 101 may be covered by the liner 151a of the same material. Anodization may be formed on the surface of the edge remover 151 or the liners 101 and 151a to form an anodized coating film 151b.

한편 상기 모서리제거부(151)는 도 4c에 도시된 바와 같이, 챔버본체(100)의 내벽에 설치되는 라이너(101)에 형성될 수도 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 4C, the edge removing unit 151 may be formed on the liner 101 installed on the inner wall of the chamber body 100.

상기 모서리제거부(151)는 도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같이, 모서리를 기준(O)으로 제거된 수평방향거리(ΔX) 및 수직방향거리(ΔY)가 10㎜ 이상이 바람직하며, 10㎜~100㎜인 것이 더욱 바람직하다. As shown in FIGS. 4A to 4C, the edge removing unit 151 may have a horizontal distance ΔX and a vertical distance ΔY of 10 mm or more removed with respect to the corners O, 10. It is more preferable that it is mm-100 mm.

한편 본 발명의 다른 실시예에서, 상기 모서리제거부(151)의 표면이 곡면을 이루는 경우, 곡률인 R 또한 10㎜ 이상으로 형성될 수 있으며, 10㎜~100㎜인 것이 더욱 바람직하다. Meanwhile, in another embodiment of the present invention, when the surface of the edge removing unit 151 forms a curved surface, the curvature R may also be formed to 10 mm or more, more preferably 10 mm to 100 mm.

상기 모서리제거부(151)의 ΔX, ΔY 및 R은 10㎜ 이하인 경우에는 모서리제거부(151)의 형성이 식각률 등에 미치는 영향이 미미하며, 100㎜ 이상인 경우에는 모서리제거부(151)의 가공 및 그 형성에 의하여 챔버본체(100)를 구조적으로 약화시킬 수 있는 문제점이 있다.When ΔX, ΔY and R of the edge removing unit 151 is 10 mm or less, the formation of the edge removing unit 151 has an insignificant effect on the etching rate, etc., and when the edge removing unit 151 is 100 mm or more, There is a problem that can be structurally weakened by the formation of the chamber body (100).

한편 상기와 같이 모서리제거부(151)가 형성된 게이트(150)를 가지는 본 발명에 따른 진공처리장치와 종래기술에 따른 진공처리장치를 비교하여 보면 다음과 같다.On the other hand, when comparing the vacuum processing apparatus according to the present invention with the vacuum processing apparatus according to the present invention having the gate 150, the edge removal portion 151 is formed as described above are as follows.

도 5는 도 3의 진공처리장치에서 모서리제거부의 수평방향거리 및 수직방향 거리에 따라서 전기장의 변화를 보여주는 그래프이고, 도 6은 도 3의 진공처리장치의 기판에 대한 식각률 분포를 보여주는 그래프이다.FIG. 5 is a graph showing a change in electric field according to a horizontal distance and a vertical distance of an edge removing portion of the vacuum processor of FIG. 3, and FIG. 6 is a graph showing an etch rate distribution of a substrate of the vacuum processor of FIG. 3. .

도 5를 보면 전기장의 변화는 챔버의 내벽 부근에서, 특히 게이트(150) 부근에서 급격하게 변하게 되는데 (이를 "에지 효과"라 한다; Edge Effect), 모서리제거부(151)의 ΔX 및 ΔY가 커짐에 따라서 전기장의 변화가 완화됨을 알 수 있다. 즉, 게이트(150)에서 처리공간(S) 쪽의 모서리에 모서리제거부(151)가 형성되면 전기장의 변화가 완화됨을 알 수 있으며, 모서리제거부(151)의 ΔX 및 ΔY 가 커질수록 그 완화효과가 커짐을 알 수 있다.5, the change in the electric field changes rapidly near the inner wall of the chamber, especially near the gate 150 (this is called an "edge effect"; edge effect), ΔX and ΔY of the edge removing portion 151 increases. As can be seen that the change in the electric field is alleviated. That is, when the edge remover 151 is formed at the edge of the processing space S side in the gate 150, it can be seen that the change in the electric field is alleviated. The larger the ΔX and ΔY of the edge remover 151, the more relaxed. It can be seen that the effect is increased.

또한 도 3에서 컬러로 표시된 부분은 게이트(150) 부근에서 형성되는 전기장을 시뮬레이션 한 것으로, 모서리제거부가 형성된 본 발명에 따른 진공처리장치는 도 1에 도시된 종래의 진공처리장치에서의 전기장 분포에 비하여 전기장의 분포가 균일함을 알 수 있다.In addition, the portion shown in color in Figure 3 simulates the electric field formed in the vicinity of the gate 150, the vacuum treatment apparatus according to the present invention with the corner removal portion is formed in the electric field distribution in the conventional vacuum treatment apparatus shown in FIG. In comparison, it can be seen that the distribution of the electric field is uniform.

또한 도 6은 모서리제거부(151)가 형성되었을 때의 기판(1)에 대한 식각률을 시뮬레이션 한 그래프로서, 게이트(150) 중 처리공간(S) 쪽의 모서리에 모서리제거부(151)가 형성된 경우 기판(1) 상의 식각률 편차가 상당히 감소됨을 알 수 있다. 여기서 ΔX 및 ΔY는 각각 30㎜이다.FIG. 6 is a graph simulating the etching rate of the substrate 1 when the edge removing unit 151 is formed. The edge removing unit 151 is formed at the corner of the processing space S of the gate 150. In this case, it can be seen that the etching rate deviation on the substrate 1 is significantly reduced. ΔX and ΔY are each 30 mm.

즉, 본 발명에 따른 진공처리장치는 게이트(150)에서 처리공간(S) 쪽의 모서리에 모서리제거부(151)를 형성함으로써, 게이트(150)의 형성에 의하여 처리공간(S)의 비대칭 효과를 상쇄시키고, 전기장을 균일하게 형성하는 등 진공처리 환경을 균일하게 형성할 수 있게 된다.That is, in the vacuum processing apparatus according to the present invention, the edge removing unit 151 is formed at the edge of the processing space S side in the gate 150, thereby forming an asymmetric effect of the processing space S by the formation of the gate 150. It is possible to uniformly form a vacuum processing environment by canceling out and uniformly forming an electric field.

도 1은 종래의 진공처리장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional vacuum processing apparatus.

도 2는 도 1의 진공처리장치의 기판에 대한 식각률 분포를 보여주는 그래프이다.FIG. 2 is a graph illustrating an etch rate distribution of a substrate of the vacuum processing apparatus of FIG. 1.

도 3은 본 발명에 따른 진공처리장치를 보여주는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a vacuum processing apparatus according to the present invention.

도 4a 내지 도 4c는 도 3에서의 모서리제거부의 변형례를 보여주는 단면도이다.4A to 4C are cross-sectional views illustrating modified examples of the edge removing unit of FIG. 3.

도 5는 도 3의 진공처리장치에서 모서리제거부의 수평방향거리 및 수직방향거리에 따라서 전기장의 변화를 보여주는 그래프이다.FIG. 5 is a graph showing a change in electric field according to the horizontal distance and the vertical distance of the edge removing portion of the vacuum processing apparatus of FIG. 3.

도 6은 도 3의 진공처리장치의 기판에 대한 식각률 분포를 보여주는 그래프이다.FIG. 6 is a graph illustrating an etch rate distribution of a substrate of the vacuum processing apparatus of FIG. 3.

***** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ********** Explanation of symbols for main parts of drawing *****

100 : 챔버본체 101 : 라이너100: chamber body 101: liner

110 : 상부챔버 120 : 하부챔버110: upper chamber 120: lower chamber

150 : 게이트 151 : 모서리제거부150: gate 151: corner removal unit

Claims (11)

내부에 진공처리를 위한 처리공간이 형성되며 적어도 일측에 기판이 입출될 수 있는 게이트가 형성된 챔버본체를 포함하며,A processing space is formed therein for the vacuum treatment and includes a chamber body having a gate on which at least one side of the substrate can enter and exit. 상기 게이트를 형성하는 모서리 중 상기 처리공간 쪽의 모서리의 일부 또는 전부가 제거된 모서리제거부가 형성되며,Of the corners forming the gate is formed corner elimination portion is removed part or all of the corner of the processing space side, 상기 모서리제거부는 모서리를 기준으로 수평방향거리 및 수직방향거리가 10㎜~100㎜인 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The edge removing unit is a vacuum processing apparatus, characterized in that the horizontal distance and the vertical distance is 10mm ~ 100mm relative to the corner. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 모서리제거부는 평면 또는 곡면을 이루는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The edge removing unit is a vacuum processing apparatus, characterized in that forming a flat or curved surface. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 모서리제거부는 상기 챔버본체의 재질과 동일한 재질의 라이너에 의하여 복개된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The edge removing unit is vacuum treatment apparatus characterized in that the cover by the liner of the same material as the material of the chamber body. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 모서리제거부는 상기 챔버본체의 내벽에 설치되는 라이너에 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The edge removing unit is a vacuum processing apparatus, characterized in that formed on the liner is installed on the inner wall of the chamber body. 내부에 진공처리를 위한 처리공간이 형성되며, 적어도 일측에 기판이 입출될 수 있는 게이트가 형성된 챔버본체와; 상기 챔버본체 내에 설치되어 상기 처리공간에서 플라즈마를 형성하기 위한 상부전극 및 하부전극과; 상기 처리공간에서 진공처리를 수행할 수 있는 압력조건을 유지하기 위한 배기시스템과; 진공처리를 수행할 수 있도록 상기 처리공간 내에 가스를 주입하기 위한 가스공급시스템을 포함하며,A chamber body in which a processing space for vacuum processing is formed, and in which at least one side of the substrate is formed a gate into which a substrate can be entered; An upper electrode and a lower electrode installed in the chamber body to form a plasma in the processing space; An exhaust system for maintaining a pressure condition capable of performing a vacuum treatment in said processing space; A gas supply system for injecting gas into the processing space to perform a vacuum treatment, 상기 게이트를 형성하는 모서리 중 상기 처리공간 쪽의 모서리의 일부 또는 전부가 제거된 모서리제거부가 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.Vacuum processing apparatus, characterized in that the edge removal portion is formed in which part or all of the edge of the processing space side of the edge forming the gate is removed. 내부에 처리공간이 형성되고 상기 처리공간 내에 전극을 포함하며 기판을 지지하는 기판지지대를 설치하여 상기 전극에 전원을 인가함으로써 진공처리를 수행하며 적어도 일측에 기판이 입출될 수 있는 게이트가 형성된 챔버본체를 포함하며,A chamber body having a processing space formed therein, including a electrode in the processing space, and installing a substrate support for supporting a substrate to perform vacuum processing by applying power to the electrode, and having a gate on which at least one side of the substrate can enter and exit. Including; 상기 게이트를 형성하는 모서리 중 상기 처리공간 쪽의 모서리의 일부 또는 전부가 제거된 모서리제거부가 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.Vacuum processing apparatus, characterized in that the edge removal portion is formed in which part or all of the edge of the processing space side of the edge forming the gate is removed. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,The method according to claim 5 or 6, 상기 모서리제거부는 모서리를 기준으로 수평방향거리 및 수직방향거리가 10㎜~100㎜인 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The edge removing unit is a vacuum processing apparatus, characterized in that the horizontal distance and the vertical distance is 10mm ~ 100mm relative to the corner. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 모서리제거부는 평면 또는 곡면을 이루는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The edge removing unit is a vacuum processing apparatus, characterized in that forming a flat or curved surface. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,The method according to claim 5 or 6, 상기 모서리제거부는 상기 챔버본체의 재질과 동일한 재질의 라이너에 의하여 복개된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The edge removing unit is vacuum treatment apparatus characterized in that the cover by the liner of the same material as the material of the chamber body. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,The method according to claim 5 or 6, 상기 모서리제거부는 상기 챔버본체의 내벽에 설치되는 라이너에 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The edge removing unit is a vacuum processing apparatus, characterized in that formed on the liner is installed on the inner wall of the chamber body. 제 1항, 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,The method according to claim 1, 5 or 6, 상기 모서리제거부는 절삭가공에 의하여 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The edge removing unit is a vacuum processing apparatus, characterized in that formed by cutting.
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