KR20080105920A - 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나 및 이의 제조방법 - Google Patents

수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR20080105920A
KR20080105920A KR1020070054102A KR20070054102A KR20080105920A KR 20080105920 A KR20080105920 A KR 20080105920A KR 1020070054102 A KR1020070054102 A KR 1020070054102A KR 20070054102 A KR20070054102 A KR 20070054102A KR 20080105920 A KR20080105920 A KR 20080105920A
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KR
South Korea
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conductor
patch antenna
supergain
microstrip patch
conductors
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KR1020070054102A
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English (en)
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니콜라이 시모노프
테레쉔코 유리
이상원
손영전
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세연테크놀로지 주식회사
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q13/00—Waveguide horns or mouths; Slot antennas; Leaky-waveguide antennas; Equivalent structures causing radiation along the transmission path of a guided wave
    • H01Q13/08—Radiating ends of two-conductor microwave transmission lines, e.g. of coaxial lines, of microstrip lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna

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Abstract

수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의한 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나는 제1 도전체 및 제2 도전체를 포함한다. 제1 및 제2 도전체들은 플레이트 형상을 갖고, 서로 마주보며, 자기 공진 주파수가 서로 상이하다. 제1 및 제2 도전체들의 전류 위상차는 근사적으로 π+ kd/3 내지 π+ kd 범위이다(단 k는 파수, d는 상기 상부도전체와 하부도전체 사이의 이격거리). 따라서, 지향성이 향상된다.

Description

수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나 및 이의 제조방법{SUPER GAIN MICROSTRIP PATCH ANTENNA AND METHOD OF MAKING THE SAME}
도1a는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나의 개략적인 사시도이다.
도1b는 도1a에 도시된 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나의 평면도이다.
도1c은 도1a에 도시된 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나의 배면도이다.
도2a는 비교예에 따른 패치 안테나의 개략적인 단면도이다.
도2b는 도2a에서 도시된 종래 패치 안테나의 개략적인 등가회로도이다.
도3은 본 발명의 일 실시예에 의한 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나의 개략적인 등가회로도이다.
도4는 도3의 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나의 θ가 0일 때 θ0값에 대한 지향성DAF을 플롯한 그래프이다.
도5는 Dcmax=1.5, β= π+kd/3, kd<<1 일 때의 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나의 방향성 DSGPA를 플롯한 그래프이다.
도6은 도3의 θ0으θ로부터 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나의 순방향 지향성(directivity)를 플롯한 그래프이다.
도7a 내지 7f는 도 3에 도시된 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나의 제1 도전체 또는 제2 도전체의 다양한 실시예들이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
100, 700: 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나 200: 패치 안테나
110, 210: 제 1도전체 120. 220: 제2 도전체
111: 제1 개구 121: 제2 개구
본 발명은 안테나 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게 설명하면 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
다양한 무선통신기기가 급격히 진보, 발달함에 따라 그 용도 및 사용 주파수의 범위도 매우 넓어지고 있다. 그리고, 통신의 목적에 따라 적합한 안테나를 유효하게 이용하기 위해 매우 많은 종류의 안테나가 개발되어 그 형상, 동작원리, 특성 등도 다양하다.
본 발명의 목적은 이득을 증가시킬 수 있는 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 상기 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나의 제조방법을 제공하는 것이다.
이러한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 수퍼게인수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나는 제1 도전체 및 제2 도전체를 포함한다. 상기 제1 및 제2 도전체들은 플레이트 형상을 갖고, 서로 마주보며, 자기 공진 주파수가 서로 상이하다.
바람직하게, 상기 제1 및 제2 도전체들의 전류 위상차는 π+ kd/3 내지 π+ kd 범위이며(단 k는 파수, d는 상기 상부도전체와 하부도전체 사이의 이격거리), 더욱 바람직하게, 상기 제1 및 제2 도전체들의 전류 위상차는 π+ kd/3이다.
예컨대, 상기 d값은 파장의 1/10보다 작은 것을 특징으로 하는 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나.
예컨대, 상기 제1 및 제2 도전체들의 외곽사이즈는 서로 동일하고, 각각 서로 다른 크기의 개구를 포함하여, 면적은 서로 상이할 수 있다.
예컨대, 상기 제1 도전체 또는 제2 도전체 중 적어도 하나는 사각형의 각 변에서 일부분이 제거된 형상, 사각형의 마주보는 두 변의 일부가 제거되어 형성되는 H-자 형상, 사각형의 마주보는 두 변에서 다수의 서로 마주보는 부분들이 제거된 형상, 사각형의 일 변 방향을 따라 중앙부가 절개된 사다리 형상, 사각형 내부에 다향한 크로스 형상의 절개부를 포함하는 형상, 프랙탈 구조의 개부를 포함하는 형상 중 어느 하나일 수 있다.
예컨대, 상기 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나의 유전체는 저손실 유전체이어야 하며, 예를 들면 세라믹(Ceramic), 테프론(Teflon), 노클래드(NorClad) 등이다. 본 발명에 따른 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나의 제조방법에 의하 면, 플레이트 형상의 제1 도전체를 배치하고, 플레이트 형상을 갖고 상기 제1 도전체와 다른 자기 공진 주파수를 갖는 제2 도전체를 상기 제1 도전체와 이격되도록 배치한다.
본 발명에 따르면, 안테나의 이득과 방향성을 극대화할 수 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다.　 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예를 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.　
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예들을 설명하기 위한 것으로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 본 명세서에서 사용되는 …를 포함한다(comprise), 및/또는, …를 포함하는(comprising) 등의 표현은 언급된 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자에 하나 이상의 다른 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한 본 명세서에서 사용되는 용어에 대해 다른 정의가 없다면, 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나안테나의 정의
추(Chu) 와 헤링턴(Harrington) (L.J. Chu, "Phisical Limitations of Omni-Directional Antenas," Journal of Applied Physics, 19, December 1948. 및R.F. Harrington, Time Harmonic Electromagnetic Fields, New York, McGraw-Hill, 196)에 따르면, 안테나의 이득(Gain)은 다음 식에 의해 제한된다.
Figure 112007040501753-PAT00001
,
여기서 α는 구의 반지름, λ는 파장이다.
안테나 게인 (또는 방향성: directivity) 가 상기 수식의 값을 넘을 때, 이를 수퍼게인 안테나라한다.
수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나안테나는 다른 일반적인 패치안테나와 같은 사이즈를 가졌지만, 방향성(Directivity)이 매우 높다. 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나안테나의 도전체는 유전체나 공기층에 의해 분리될 수 있다. 수퍼게인패치안테나는 선형 또는 구형태로 분극형태를 가질 수 있다.
도1a는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나의 개략적인 사시도이다. 도1b는 도1a에 도시된 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나의 평면도이고, 도1c은 도1a에 도시된 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나의 배면도이다.
도1a 내지 1c를 참조하면, 본 발명에 의한 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나(100)는 제1 도전체(110) 및 제2 도전체(120)를 포함한다. 상기 제1 도전체(110)와 제2 도전체(120)는 각각 플레이트 형상을 갖고, 서로 마주본다.
예컨대, 상기 제1 도전체(110)와 제2 도전체(120)는 외곽사이즈는 서로 동일하고, 각각 서로 다른 크기의 제1 개구(111) 및 제2 개구(121)를 포함하여, 면적은 서로 다르다.
예컨대, 상기 외곽사이즈는 85 mm x 85 mm 이고, 상기 제1 도전체(110)와 제2 도전체(120)의 이격거리 d는 10mm를 갖는다.
상기 제1 도전체(110)과 제2 도전체(120)의 외곽사이즈가 동일할 때, 더 강한 수퍼게인패치 성능을 보인다. 그러나, 제1 도전체(110)과 제2 도전체(120)의 공진 주파수의 차이를 위해서 각각 서로 다른 크기의 제1 개구(111) 및 제2 개구(121)를 포함한다.
도2a는 종래 패치 안테나의 개략적인 단면도이고, 도2b는 도2a에서 도시된 종래 패치 안테나의 개략적인 등가회로도이다.
도2a 및 2b를 참조하면, 종래 패치안테나의 경우, 아래의 수학식 1과 같은 임력임피던스 Zin, 공진주파수 f0 및 Q팩터를 갖는다.
Figure 112007040501753-PAT00002
상기 패치 안테나의 경우, I1과 I2는 항상 입력전류Iinc와 항상 동위상이나 다른 방향을 갖는다. 따라서, 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나 효과를 갖을 수없다. L1과 L2는 상하 도전체 각각의 등가인덕턴스이고, R1과 R2는 등가저항이며. Cp 는 패치안테나의 등가커패시터이다.
도3은 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나의 개략적인 등가회로도이다.
도1 및 3을 참조하면, 본 발명에 따른 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나는 아래 수학식2와 같은 임력임피던스 Zin을 갖는다.
Figure 112007040501753-PAT00003
여기서, f1과 f2는 각각 제1 도전체(110)과 제2 도전체(120)의 공진주파수이고, Q1과 Q2는 각각 제1 도전체(110)과 제2 도전체(120)의 Q팩터(quality factor)이 다.
이 경우, 저항 R1에 각각 대응하는 전류 I1과 Iinc 사이의 위상차
Figure 112007040501753-PAT00004
및 저항 R2에 각각 대응하는 전류 I2와 입력전류 Iinc 사이의 위상차
Figure 112007040501753-PAT00005
는 아래의 수학식 3으로 표현된다. 수식 3은
Figure 112007040501753-PAT00006
,
Figure 112007040501753-PAT00007
와 f1 , f2 사이의 관계이다. 이경우
Figure 112007040501753-PAT00008
은 I1 은 Iinc 사이의 위상차이고,
Figure 112007040501753-PAT00009
는 I2 와 Iinc 사이의 위상차이다.
Figure 112007040501753-PAT00010
본 발명에 따른 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나(100)의 제1 도전체(110)및 제2 도전체(120)은 각각 서로 다른 자기 공진 주파수를 갖는다
저항 R1에 각각 대응하는 전류 I1과 저항 R2에 각각 대응하는 전류 I2와의 위상차 β는 아래 수학식 4로 표현된다.
Figure 112007040501753-PAT00011
수식 4에서 I1 과 I2 차이 에 해당하는 π 만큼 위상을 더해준다.
수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나(100)의 방향성은 제1 도전체(110)의 상부 방향(상반구)이고,
Figure 112007040501753-PAT00012
<
Figure 112007040501753-PAT00013
인 조건을 만족하는 경우, 상기 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나(100)의 방향성은 제2 도전체(120)의 하부 방향(하반구)이 된다.
만일, f2가 f1보다 크고, f1이 f보다 큰 경우, 최대 방향성은 하반구이고, f1이 f2보다 크고, f2가 f보다 큰 경우, 최대 방향성은 상반구이다.
아래의 표1은 이러한 관계를 정리한 것이다
Figure 112007040501753-PAT00014
이러한 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나(100)는 상기 제1 도전체(110)과 제2 도전체(120)의 두개의 요소 엔드파이어 어레이(end fire array)로 근사화되어 도3에서와 같이 모델화 되어질 수 있다. 그러나, 어레이의 동작은 상기 엔드파이어 어레이와는 다르며, 통상의 엔드파이어 및 한센-우디아드(Hansen-woodyard) 엔드파이어 어레이와 같다.
상기 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나(100)의 주요 이점은 상기 제1 도전체(110)과 제2 도전체(120)의 이격거리 d에서 최대 방향성을 얻을 수 있으며, 대략적으로 파장의 1/10보다 작을 때 수학식 5에서 표현된 최대 방향성DSGPA를 얻을 수 있다.
Figure 112007040501753-PAT00015
여기서, Dc는 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나(100)의 1 도전체(110)과 제2 도전체(120)의 지향성이고, DAF는 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나(100)의 지향성이다. 안테나 도전체 사이즈 L 은 자유공간의 반파장 이하이고 모양은 다이폴 형태이다. 그러므로 Dcmax는 거의 1.5 이다.
DAF는 위상차이
Figure 112007040501753-PAT00016
를 의존하며,
Figure 112007040501753-PAT00017
-
Figure 112007040501753-PAT00018
은 아래의 수학식 6으로 표현될 수 있다.
Figure 112007040501753-PAT00019
여기서 k=2π/λ로 파수이고, λ는 자유공간의 파장이다.
상기 제1 및 제2 도전체에 의한 전기장(Et)은 아래의 수학식 7로 표현된다.
Figure 112007040501753-PAT00020
상기 수학식 7로부터
Figure 112007040501753-PAT00021
,
아래의 수학식 8을 구할 수 있다.
Figure 112007040501753-PAT00022
수식을 간단히 하기 위해서, kd<<1 의 조건을 대입하고, 규격화(normalize)하면, 아래의 수학식 9를 얻는다.
Figure 112007040501753-PAT00023
한편 DAF(θ)는 아래의 수학식 10으로 표현된다.
Figure 112007040501753-PAT00024
Figure 112007040501753-PAT00025
상기 수학식 9 및 수학식 11에서, 안테나 팩터 (AF)n은 지향성 DAF값은 kd값에 의존하지 않음을 볼 수 있다.
도4는 도3의 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나의 θ=0일 때 θ0값에 대한 지향성DAF을 상기 수학식 11을 이용하여 플롯한 그래프이다. 이 경우 β=π=kd/3, θ0=Arccos(-1/3)≒1.91이다
도 4를 참조하면, θ0값이 증가함에 따라 지향성DAF는 서서히 증가하기 시작해서, θ0값이 대략 1.91일 때 최대값 4를 갖으며, 다시 서서히 감소한다.
θ0값이 대략적으로 π/2 내지π 인 범위에서 지향성DAF값이 3 이상의 값을 갖는다.
θ0값이 대략적으로 π/2 인 경우, 제1 도전체(110)와 제2 도전체(120)의 전류 위상차 β값을 구하면, 수학식 4 및 수학식 6으로부터 π+ 7kd/100의 값을 얻 을 수 있으며, 또한 θ0값이 대략적으로 π 인 경우, 제1 도전체(110)와 제2 도전체(120)의 전류 위상차 β값을 구하면, 수학식 4 및 수학식 6으로부터 π+ kd의 값을 얻을 수 있다.
또한, θ0값이 최대인 1.91일 때, 제1 도전체(110)와 제2 도전체(120)의 전류 위상차 β값을 구하면 π+ kd/3을 갖는다. 달리 표현하면, β값을 구하면 π+ kd/3 일때, 지향성DAF값이 최대치 4를 갖는다.
아래의 표2는 본 발명에 의한 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나(100)와 기존 한센-우디아드(Hansen-woodyard) 엔드파이어 어레이 및 통상의 엔드파이어 어레이와의 비교표이다.
Figure 112007040501753-PAT00026
표 2에서 보이는 바와같이, 본 발명에 따른 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나(100)의 방향성 최대치는 4인 반면, 한센-우디아드(Hansen-woodyard) 엔드파이어 어레이의 방향성 최대치는 3.58, 통상의 엔드파이어 어레이의 방향성 최대치는 2.55를 갖는 것을 볼 수 있다.
아래의 표3, 표4 및 표5는 본 발명에 의한 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나와 종래 EMW 안테나의 테스트 결과이다.
Figure 112007040501753-PAT00027
Figure 112007040501753-PAT00028
Figure 112007040501753-PAT00029
표3 내지 표5에서 보이는 바와같이, 종래 EMW안테나에 비해, 본 발명에 의한 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나의 방향성(directivity) 효율(efficiency), 피크이득(Peak gain) 모두 우수한 성능을 나타내었다.
이러한 안테나팩터(AFn) 및 지향성(directivity)을 플롯한 그래프는 도 5 및 5에서 도시된 바와 같다.
도5는 수학식 7에 θ0값은 최대인 1.91에 가까운 2를 대입하여 θ값에 따라 플롯하였고, 도6은 수학식 8에 θ0값은 2를 대입하여 θ값에 따라 플롯하였다.
도7a 내지 7f는 도 3에 도시된 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나의 제1 도전체 또는 제2 도전체의 다양한 실시예들이다.
상기 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나(100)의 제1 도전체(110) 또는 제2 도전체(120)은 도 7a에서 보이는 바와같이, 사각형의 마주보는 두 변의 일부가 제거되어 형성되는 H-자 형상(도7a, 7b), 사각형의 마주보는 두 변에서 다수의 서로 마주보는 부분들이 제거된 형상(도7c), 사각형의 일 변 방향을 따라 중앙부가 절개된 사다리 형상(도7d), 사각형 내부에 다향한 크로스 형상의 절개부를 포함하는 형상(도7e), 프랙탈 구조의 개부(도7f)를 포함하는 형상과 같이 다양한 변형이 가능하다.
아래에 배치된 제2 도전체(120)의 공진 주파수 f2가 위에 배치된 제1 도전체(110)의 공진 주파수 f1보다 작을 때, 위쪽의 절반 공간, 즉 상반구로 방사가 이루어 지므로, 상반구로 방사가 이루어 지는 구조를 갖기 위해서는 아래에 배치된 상기 제2 도전체(120)의 제2 개구부의 크기가 더 크도록 한다. 이 경우, 상기 제1 도전체(110)은 제1 개구부(110)를 포함하지 않는 구조를 갖는 것도 무방하다
본 발명에 따른 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나는 지향성이 향상된다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (15)

  1. 플레이트 형상의 제1 도전체; 및
    플레이트 형상을 갖고, 1 도전체와 마주보도록 이격되며, 상기 제1 도전체의 자기 공진 주파수와 상이한 자기 공진 주파수를 갖는 제2 도전체를 포함하는 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전체들의 전류 위상차는 π + kd/3 내지 π + kd 범위 인 것을 특징으로 하는 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나(단 k는 파수, d는 상기 상부도전체와 하부도전체 사이의 이격거리)
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전체들의 전류 위상차는 π+ kd/3인 것을 특징으로 하는 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나.
  4. 제2항에 있어서, 상기 d값은 파장의 1/10보다 작은 것을 특징으로 하는 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전체들의 외곽사이즈는 서로 동일하고, 각각 서로 다른 크기의 개구를 포함하여, 면적은 서로 다른 것을 특징으로 하는 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 도전체 또는 제2 도전체 중 적어도 하나는 사각형의 각 변에서 일부분이 제거된 형상, 사각형의 마주보는 두 변의 일부가 제거되어 형성되는 H-자 형상, 사각형의 마주보는 두 변에서 다수의 서로 마주보는 부분들이 제거된 형상, 사각형의 일 변 방향을 따라 중앙부가 절개된 사다리 형상, 사각형 내부에 다향한 크로스 형상의 절개부를 포함하는 형상, 프랙탈 구조의 개부를 포함하는 형상 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전체들 사이에 넣어 이격시기키 위한 유전체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나.
  8. 제7항에 있어서, 상기 유전체의 유전율(dielectric contact)은 2.55인 것을 특징으로 하는 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나.
  9. 제7 항에 있어서 상기 유전체는 저손실 유전체이어야 하며, 예를 들면 세라믹(Ceramic), 테프론(Teflon), 노클래드(NorClad) 등이다
  10. 플레이트 형상의 제1 도전체를 배치하는 단계; 및
    플레이트 형상을 갖고, 상기 제1 도전체와 다른 자기 공진 주파수를 갖는 제2 도전체를 상기 제1 도전체와 이격되도록 배치하는 단계를 포함하는 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전체들의 전류 위상차는 π + kd/3 내지 π + kd 범위 인 것을 특징으로 하는 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나 제조방법(단 k는 파수, d는 상기 상부도전체와 하부도전체 사이의 이격거리).
  12. 제11 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전체들의 전류 위상차는 π + kd/3인 것을 특징으로 하는 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나 제조방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 d값은 파장의 1/10보다 작은 것을 특징으로 하는 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나 제조방법.
  14. 제11 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전체들의 외곽사이즈는 서로 동일하고, 각각 서로 다른 크기의 개구를 포함하여, 면적은 서로 다른 것을 특징으로 하는 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나 제조방법.
  15. 제14 항에 있어서, 상기 제1 도전체 또는 제2 도전체 중 적어도 하나는 사각형의 마주보는 두 변의 일부가 제거되어 형성되는 H-자 형상, 사각형의 마주보는 두 변에서 다수의 서로 마주보는 부분들이 제거된 형상,사각형의 일 변 방향을 따 라 중앙부가 절개된 사다리 형상, 사각형 내부에 다향한 크로스 형상의 절개부를 포함하는 형상, 프랙탈 구조의 개부를 포함하는 형상 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수퍼게인 마이크로스트립 패치 안테나 제조방법.
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