KR20080102488A - 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판은 박막 트랜지스터 어레이가 형성되는 제1 영역과 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역이 정의된 기판, 상기 제1 영역 내에 형성되어 있는 제1 신호선, 상기 제1 신호선과 교차하는 방향으로 상기 제1 영역 내에 형성되어 화소 영역을 정의하며 상기 제1 신호선과 절연되어 있는 제2 신호선, 상기 제1 신호선과 제2 신호선이 교차하는 영역에 형성되어 있으며 상기 제1 신호선 및 제2 신호선과 전기적 연결 관계를 가지는 박막 트랜지스터, 상기 화소 영역에 형성되어 있으며 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되어 있는 하부 전극과 상기 하부 전극 상부에 형성되어 있는 광 도전체층 및 상기 광 도전체층 상부에 형성되어 있는 상부 전극을 포함하는 광 다이오드, 상기 광 다이오드를 덮고 있는 보호막, 상기 보호막 상부에 형성되어 있으며, 상기 상부 전극과 연결되어 있는 바이어스 배선, 상기 제2 영역에 형성되어 있으며 상기 제1 영역을 둘러싸는 단락 배선 및 상기 제1 신호선과 제2 신호선 및 바이어스 배선을 상기 단락 배선에 각각 연결하는 단락 바를 포함한다.
X-ray, 박막 트랜지스터 기판, 정전기, 가드 링, 쇼트 링, PIN 광 다이오드
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 구조를 개략적으로 도시한 배치도이고,
도 2는 도 1의 박막 트랜지스터 어레이 기판에서 한 개의 화소 영역을 확대한 배치도이고,
도 3은 도 2에서 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 절단한 단면도이고,
도 4는 도 1에서 Ⅳ-Ⅳ'-Ⅳ"-Ⅳ'" 선을 따라 절단한 단면도이다.
<도면 부호의 설명>
70: 바이어스 배선 121: 게이트선
124: 게이트 전극 140: 게이트 절연막
160: 절연층 171: 데이터선
173: 소스 전극 175: 드레인 전극
180: 보호막 300: 단락 배선
310: 제1 단락 바 320: 제2 단락 바
330: 제3 단락 바 400: PIN 광 다이오드
410: 하부 전극 420: 광 도전체층
430: 상부 전극
본 발명은 박막 트랜지스터 어레이 기판에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 엑스레이(X-ray)를 검출하기 위해 사용되는 엑스레이 검출기의 한 기판인 박막 트랜지스터 어레이 기판에 관한 것이다.
현재 의학용으로 널리 사용되고 있는 진단용 엑스레이 검사 방법은 엑스레이 감지 필름을 사용하여 촬영하고, 그 결과를 알기 위해 소정의 필름 인화 시간을 거쳐야 했다.
그러나, 근래에 들어서 반도체 기술의 발전에 힘입어 박막 트랜지스터를 이용한 디지털 엑스레이 검출기가 연구/개발되었다.
엑스레이 검출기는 박막 트랜지스터 어레이 기판을 구비하며, 박막 트랜지스터 어레이 기판에는 복수의 박막 트랜지스터와 PIN 광 다이오드(photo diode)가 형성되어 있다.
PIN 광 다이오드는 광 도전체층과 이 도전체층의 양단에 전압을 인가하기 위한 두 전극을 포함하며, 상기 광 도전체층은 P형의 불순물을 포함하는 P형의 광 도전체층, 불순물을 함유하지 않는 광 도전체층 및 N형의 불순물을 포함하는 N형의 광 도전체층을 포함한다.
이러한 박막 트랜지스터 어레이 기판을 갖는 엑스레이 검출기는 외부로부터 조사되는 엑스레이에 의해 PIN 광 다이오드에서 전자가 생성되면, 바이어스 전압을 인가하여 상기 전자를 외부로 전달함으로써 빛을 전기적인 신호로 변환하는 기능을 가진다.
그런데, 상기한 엑스레이 디텍터는 복수 회의 사진 식각 공정 및 플라즈마 증착 공정을 거쳐서 제조되는 것이 일반적이다.
따라서, 상기한 제조 공정 중에 발생된 정전기나 아크 방전이 박막 트랜지스터 어레이 기판에 유입되어 국소적으로 존재하게 되면, 절연층이나 반도체층과 같은 기능성 박막의 절연 파괴에 의한 패널 손상이 발생될 위험이 있다. 이에, 종래에는 정전기 방지 회로를 포함하도록 박막 트랜지스터 어레이 기판을 구성하고 있다.
그러나, 종래의 정전기 방지 회로는 ITO 공정 이후에 형성되고 있다. 따라서, ITO 공정 전에 이루어지는 공정에 대해서는 정전기나 아크 방전에 무방비 상태가 된다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 제조 과정에서 발생하는 정전기를 효과적으로 분산시켜 정전기로 인한 손상을 방지한 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판을 제공하는 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판은 박막 트랜지스터 어레이가 형성되는 제1 영역과 상기 제1 영 역을 둘러싸는 제2 영역이 정의된 기판, 상기 제1 영역 내에 형성되어 있는 제1 신호선, 상기 제1 신호선과 교차하는 방향으로 상기 제1 영역 내에 형성되어 화소 영역을 정의하며 상기 제1 신호선과 절연되어 있는 제2 신호선, 상기 제1 신호선과 제2 신호선이 교차하는 영역에 형성되어 있으며 상기 제1 신호선 및 제2 신호선과 전기적 연결 관계를 가지는 박막 트랜지스터, 상기 화소 영역에 형성되어 있으며 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되어 있는 하부 전극과 상기 하부 전극 상부에 형성되어 있는 광 도전체층 및 상기 광 도전체층 상부에 형성되어 있는 상부 전극을 포함하는 광 다이오드, 상기 광 다이오드를 덮고 있는 보호막, 상기 보호막 상부에 형성되어 있으며, 상기 상부 전극과 연결되어 있는 바이어스 배선, 상기 제2 영역에 형성되어 있으며 상기 제1 영역을 둘러싸는 단락 배선 및 상기 제1 신호선과 제2 신호선 및 바이어스 배선을 상기 단락 배선에 각각 연결하는 단락 바를 포함한다.
상기 단락 배선은 상기 제1 신호선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 단락 바는 상기 제1 신호선을 상기 단락 배선에 연결하는 제1 단락 바, 상기 제2 신호선을 상기 단락 배선에 연결하는 제2 단락 바 및 상기 바이어스 배선을 상기 단락 배선에 연결하는 제3 단락 바를 포함한다.
상기 제1 단락 바는 상기 단락 배선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 단락 배선에 직접 연결되어 있다.
그리고, 상기 제1 신호선의 넓은 끝 부분은 상기 제1 단락 바 및 상기 단락 배선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 제1 단락 바에 직접 연결되어 있다.
그리고, 상기 제2 신호선의 넓은 끝 부분은 상기 제2 신호선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 제2 단락 바는 상기 제2 신호선의 넓은 끝 부분에서 연장되어 상기 단락 배선과 연결되어 있다.
그리고, 상기 바이어스 배선의 넓은 끝 부분은 상기 바이어스 배선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 제3 단락 바는 상기 바이어스 배선의 넓은 끝 부분에서 연장되어 상기 단락 배선과 연결되어 있다.
또한, 본 발명은 박막 트랜지스터 어레이가 형성되는 제1 영역과 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역이 정의된 기판, 상기 제1 영역 내에 형성되어 있는 게이트선 및 상기 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선, 상기 게이트 배선을 덮고 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체층, 상기 게이트선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선과 상기 데이터선과 연결되어 있으며 상기 반도체층 상부까지 연장되어 있는 소스 전극 및 상기 반도체층 상부에 위치하며 상기 소스 전극과 분리되어 있는 드레인 전극을 포함하고 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 데이터 배선, 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 하부 전극과 상기 하부 전극 상부에 형성되어 있는 광 도전체층 및 상기 광 도전체층 상부에 형성되어 있는 상부 전극을 포함하며 상기 화소 영역에 형성되어 있는 광 다이오드, 상기 데이터 배선 및 상기 광 다이오드를 덮고 있는 보호막, 상기 보호막 상부에 형성되어 있으며 상기 상부 전극과 연결되어 있는 바이어스 배선, 상기 제2 영역에 형성되어 있으며 상기 제1 영역을 둘러싸는 단락 배선, 상기 제1 신호선을 상기 단락 배선에 연결하는 제1 단락 바, 상기 제2 신호선 을 상기 단락 배선에 연결하는 제2 단락 바 및 상기 바이어스 배선을 상기 단락 배선에 연결하는 제3 단락 바를 포함하는 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판을 제공한다.
상기 단락 배선은 상기 게이트 배선과 동일한 층에 형성되어 있고, 상기 게이트선의 넓은 끝 부분은 상기 게이트선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 제1 단락 바는 상기 게이트선의 넓은 끝 부분에서 연장되어 상기 단락 배선에 직접 연결되어 있다.
그리고, 상기 데이터선의 넓은 끝 부분은 상기 데이터선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 제2 단락 바는 상기 데이터선의 넓은 끝 부분에서 연장되어 상기 단락 배선과 연결되어 있다.
그리고, 상기 바이어스 배선의 넓은 끝 부분은 상기 바이어스 배선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 제3 단락 바는 상기 바이어스 배선의 넓은 끝 부분에서 연장되어 상기 단락 배선과 연결되어 있다.
이하, 첨부한 도 1 내지 도 4를 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
< 실시예>
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 구조를 개략적으로 도시한 배치도이고, 도 2는 도 1의 박막 트랜지스터 어레이 기판에서 한 개의 화소 영역을 확대한 배치도이다.
그리고, 도 3은 도 2에서 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 절단한 단면도이고, 도 4는 도 1에서 Ⅳ-Ⅳ'-Ⅳ"-Ⅳ'" 선을 따라 절단한 단면도이다.
먼저, 도 1을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판의 개략적인 구조를 살펴 보면 다음과 같다.
박막 트랜지스터 어레이 기판을 구성하는 절연 기판(110)에는 TFT 어레이가 형성되는 제1 영역(A1)과 제1 영역(A1)을 둘러싸는 제2 영역(A2)이 정의되어 있다.
제1 영역(A1)에는 게이트선(121)이 가로 방향으로 형성되어 있고, 게이트선(121)의 종단에는 외부 회로와의 전기적 접속을 도모하는 넓은 끝 부분(129)이 형성되어 있으며, 게이트선(121) 및 넓은 끝 부분(129)은 게이트 절연막(140)으로 덮여 있다.
그리고, 게이트 절연막(140)의 위로 제1 영역(A1)에는 데이터선(171)이 세로 방향으로 형성되어 있고, 데이터선(171)의 종단에는 외부 회로와의 전기적 접속을 도모하는 넓은 끝 부분(179)이 형성되어 있다.
게이트선(121)과 데이터선(171)에 의해 정의되는 화소 영역에는 박막 트랜지스터가 형성되어 있고, 박막 트랜지스터의 드레인 전극(도 2 및 도 3의 175 참조)에는 PIN 광 다이오드(400)의 하부 전극(410)이 연결되어 있다.
PIN 광 다이오드(400)는 보호막(도 3의 180 참조)으로 덮여 있으며, 보호막(180) 위에는 데이터선(171)과 평행한 방향으로 바이어스 배선(70)이 화소 영역(PX)을 가로지르고 있다.
한편, 제2 영역(A2)에는 제1 영역(A1)을 둘러싸는 단락 배선(300)이 형성되어 있다. 단락 배선(300)에는 게이트선(121)의 넓은 끝 부분(129)에서 연장된 제1 단락 바(310), 데이터선(171)의 넓은 끝 부분(179)에서 연장된 제2 단락 바(320) 및 바이어스 배선(70)의 넓은 끝 부분(79)에서 연장된 제3 단락 바(330)가 연결되어 있다.
이러한 구성의 박막 트랜지스터 어레이 기판에 대해 도 2 내지 도 4를 참조로 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
절연 기판(110) 위에는 저저항을 가지는 알루미늄 계열의 금속 물질로 이루어진 게이트 배선이 형성되어 있다.
게이트 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 이중의 게이트선(121, 122) 및 게이트선(121)에 연결되어 있는 박막 트랜지스터의 게이트 전극(124)을 포함하며, 게이트선(121)의 종단에는 외부로부터의 게이트 신호를 인가받아 게이트선(121)으로 전달하는 넓은 끝 부분(129)이 형성되어 있다.
게이트선(121)의 넓은 끝 부분(129)은 제2 영역(A2)에 형성된 단락 배 선(300)을 향해 연장되어 있으며, 연장된 부분인 제1 단락 바(310)는 단락 배선(300)에 직접 연결되어 있다.
또한, 게이트 배선은 이중의 게이트선(121, 122)을 연결하는 게이트선 연결부(123)를 포함하며, 이 경우에는 게이트선(121, 122)이 단선되는 것을 방지할 수 있다. 물론, 게이트선(121, 122)은 단일 배선의 구조를 취할 수도 있다.
본 실시예에서는 게이트선(121)의 단부에 넓은 끝 부분(129)이 형성되는 것을 예로 들었지만, 넓은 끝 부분(129)이 형성되어 있는 영역에는 게이트 구동부가 직접 형성될 수 있다.
이 경우, 게이트 구동부는 게이트 라인들에 대응하는 N개의 스테이지들과 하나의 더미 스테이지를 포함할 수 있으며, 게이트 구동에 필요한 스캔 개시 신호(STV), 전원 전압(Von/Voff), 클럭(CKV) 등이 단락 배선()에 연결될 수도 있다.
기판(110) 위에는 질화 규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(140)이 게이트 배선(121, 122, 123, 124)을 덮고 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 비정질 규소 등의 반도체로 이루어진 반도체층(154)이 섬 모양으로 형성되어 있으며, 반도체층(154)의 상부에는 실리사이드 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 저항 접촉층(163, 165)이 각각 형성되어 있다.
이때, 반도체층(154)은 데이터선(171)과 게이트선(121, 122)이 교차하는 부분까지 연장하여 형성하는 것이 바람직하다.
저항 접촉층(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴-텅스텐(MoW) 합금, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 등의 금속으로 이루어진 데이터 배선(171, 173, 175)이 형성되어 있다.
데이터 배선은 세로 방향으로 형성되어 게이트선(121)과 교차하며 화소를 정의하는 데이터선(171), 데이터선(171)의 분지이며 저항 접촉층(163)의 상부까지 연장되어 있는 소스 전극(173) 및 소스 전극(173)과 분리되어 있으며 게이트 전극(124)에 대하여 소스 전극(173)의 반대쪽 저항 접촉층(165) 상부에 형성되어 있는 드레인 전극(175)을 포함한다.
그리고, 데이터 배선은 게이트 절연막(140) 상부의 화소에 형성되어 있으며, 드레인 전극(175)과 연결되어 있는 PIN 광 다이오드(400)의 하부 전극(410)을 포함한다.
여기서, 데이터 배선을 이중 층 이상으로 형성하는 경우에는 한 층은 저항이 작은 알루미늄 계열의 도전 물질로 형성하고 다른 층은 다른 물질과의 접촉 특성이 좋은 물질로 만드는 것이 바람직하다. 그 예로는 Cr/Al(또는 Al 합금) 또는 Al/Mo 등을 들 수 있다.
데이터선(171)의 종단에는 외부 회로와의 전기적 접속을 위한 넓은 끝 부분(179)이 형성되어 있고, 넓은 끝 부분(179)에서 연장된 제2 단락 바(320)는 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉 구멍(141)을 통해 단락 배선(300)과 연결되어 있다.
PIN 광 다이오드(400)의 하부 전극(410) 위에는 외부에서 조사되는 빛에 의해 전자나 전공을 생성하는 기능을 갖는 광 도전체층(420)이 형성되어 있다.
광 도전체층(420)은 N형의 불순물을 포함하는 비정질 규소층(421)과 불순물을 포함하지 않은 비정질 규소층(423) 및 P형의 불순물을 포함하는 비정질 규소층(425)으로 이루어져 있다.
광 도전체층(420)의 상부에는 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 따위의 투명한 도전 물질로 이루어진 PIN 광 다이오드의 상부 전극(430)이 형성되어 있다.
여기서, 하부 전극(410), 광 도전체층(420) 및 상부 전극(430)은 PIN 광 다이오드(400)를 이룬다.
데이터 배선(171, 173, 175), 반도체층(154) 및 상부 전극(430)의 위에는 평탄화 특성이 우수한 유기 물질로 이루어진 보호막(180)이 형성되어 있다.
평탄화된 보호막(180)은 광 도전체층(420)과 상부 전극(430) 및 하부 전극(410)으로 인하여 발생하는 단차를 흡수한다. 평탄화된 보호막(180)의 하부에는 질화 규소 등으로 이루어진 절연막(160)이 추가로 형성될 수 있다.
보호막(180)에는 데이터선(171) 및 상부 전극(430)을 각각 드러내는 접촉 구멍(183, 184)이 형성되어 있다.
보호막(180) 위에는 접촉 구멍(184)을 통하여 상부 전극(430)과 연결되어 있는 바이어스 배선(70)이 세로 방향으로 형성되어 있으며, 접촉 구멍(183)을 통하여 데이터선(171)과 연결되어 있는 보조 데이터선(178)이 데이터선(171)과 중첩하는 위치에 형성되어 있다.
바이어스 배선(70)은 광 도전체층(420)에 생성되어 있는 전자나 전공을 제어 할 수 있는 바이어스 전압을 상부 전극(430)에 전달하는 기능을 가지며, 바이어스 배선(70)의 종단에는 외부 회로와의 전기적 접속을 위한 넓은 끝 부분(79)이 형성되어 있다.
그리고, 바이어스 배선(70)의 넓은 끝 부분(79)은 단락 배선(300)을 향해 연장되며, 연장된 부분인 제3 단락 바(330)는 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉 구멍(185)을 통해 단락 배선(300)과 연결되어 있다.
보조 데이터선(178)은 데이터선(171)이 단선되는 것을 방지하는 기능을 가지는 동시에 박막 트랜지스터의 반도체층(154)으로 입사하는 빛을 차단하기 위한 돌출부(176)를 가진다.
또한, 보호막(180)에는 게이트선(121)의 넓은 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 넓은 끝 부분(179)을 노출하는 접촉 구멍(181, 182)이 형성되어 있으며, 접촉 구멍(181, 182)에는 접촉 보조 부재(81, 82)가 각각 형성되어 있다. 여기서, 접촉 보조 부재(81, 82)는 외부 회로와의 전기적 접속을 도모하기 위한 것이다.
이러한 구성의 박막 트랜지스터 어레이 기판에서는 바이어스 배선이 평탄화되어 있는 보호막의 상부에 형성되어 있어, PIN 광 다이오드의 하부 전극과 충분한 거리를 확보할 수 있다.
따라서, 바이어스 배선과 PIN 광 다이오드의 하부 전극 사이의 저항을 충분히 확보할 수 있어 이들 사이에서 발생하는 누설 전류를 최소화할 수 있다.
한편, 제1 단락 바, 제2 단락 바 및 제3 단락 바는 구동 회로를 부착하기 전에 레이저 트리밍(laser trimming)을 이용하여 절단함으로써, 게이트 배선, 데이터 배선 및 바이어스 배선을 각각 독립시킨다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판은 게이트 배선, 데이터 배선 및 바이어스 배선 등의 도전성 금속층이 제2 영역에 형성되어 있는 단락 배선에 모두 연결되어 있으며, 패키징(packing) 공정 전에 도전성 금속층과 단락 배선을 연결하는 단락 바가 레이저 트리밍에 의해 절단된다.
따라서, 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 공정 중에 발생하는 정전기를 효과적으로 분산할 수 있고, 이로 인해 정전기로 인한 손상을 방지할 수 있다.
Claims (12)
- 박막 트랜지스터 어레이가 형성되는 제1 영역과 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역이 정의된 기판,상기 제1 영역 내에 형성되어 있는 제1 신호선,상기 제1 신호선과 교차하는 방향으로 상기 제1 영역 내에 형성되어 화소 영역을 정의하며, 상기 제1 신호선과 절연되어 있는 제2 신호선,상기 제1 신호선과 제2 신호선이 교차하는 영역에 형성되어 있으며, 상기 제1 신호선 및 제2 신호선과 전기적 연결 관계를 가지는 박막 트랜지스터,상기 화소 영역에 형성되어 있으며, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되어 있는 하부 전극과 상기 하부 전극 상부에 형성되어 있는 광 도전체층 및 상기 광 도전체층 상부에 형성되어 있는 상부 전극을 포함하는 광 다이오드,상기 광 다이오드를 덮고 있는 보호막,상기 보호막 상부에 형성되어 있으며, 상기 상부 전극과 연결되어 있는 바이어스 배선,상기 제2 영역에 형성되어 있으며 상기 제1 영역을 둘러싸는 단락 배선 및상기 제1 신호선과 제2 신호선 및 바이어스 배선을 상기 단락 배선에 각각 연결하는 단락 바를 포함하는 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제1항에서,상기 단락 배선은 상기 제1 신호선과 동일한 층에 형성되어 있는 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제2항에서, 상기 단락 바는상기 제1 신호선을 상기 단락 배선에 연결하는 제1 단락 바,상기 제2 신호선을 상기 단락 배선에 연결하는 제2 단락 바 및상기 바이어스 배선을 상기 단락 배선에 연결하는 제3 단락 바를 포함하는 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제3항에서,상기 제1 단락 바는 상기 단락 배선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 단락 배선에 직접 연결되어 있는 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제4항에서,상기 제1 신호선의 넓은 끝 부분은 상기 제1 단락 바 및 상기 단락 배선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 제1 단락 바에 직접 연결되어 있는 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제5항에서,상기 제2 신호선의 넓은 끝 부분은 상기 제2 신호선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 제2 단락 바는 상기 제2 신호선의 넓은 끝 부분에서 연장되어 상기 단락 배선과 연결되어 있는 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제6항에서,상기 바이어스 배선의 넓은 끝 부분은 상기 바이어스 배선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 제3 단락 바는 상기 바이어스 배선의 넓은 끝 부분에서 연장되어 상기 단락 배선과 연결되어 있는 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 박막 트랜지스터 어레이가 형성되는 제1 영역과 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역이 정의된 기판,상기 제1 영역 내에 형성되어 있는 게이트선 및 상기 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선,상기 게이트 배선을 덮고 있는 게이트 절연막,상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체층,상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며, 상기 게이트선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선, 상기 데이터선과 연결되어 있으며 상기 반도체층 상부까지 연장되어 있는 소스 전극 및 상기 반도체층 상부에 위치하며 상기 소스 전극과 분리되어 있는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선,상기 화소 영역에 형성되어 있으며, 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 하부 전극과 상기 하부 전극 상부에 형성되어 있는 광 도전체층 및 상기 광 도전체층 상부에 형성되어 있는 상부 전극을 포함하는 광 다이오드,상기 데이터 배선 및 상기 광 다이오드를 덮고 있는 보호막,상기 보호막 상부에 형성되어 있으며, 상기 상부 전극과 연결되어 있는 바이어스 배선,상기 제2 영역에 형성되어 있으며 상기 제1 영역을 둘러싸는 단락 배선,상기 제1 신호선을 상기 단락 배선에 연결하는 제1 단락 바,상기 제2 신호선을 상기 단락 배선에 연결하는 제2 단락 바 및상기 바이어스 배선을 상기 단락 배선에 연결하는 제3 단락 바를 포함하는 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제8항에서,상기 단락 배선은 상기 게이트 배선과 동일한 층에 형성되어 있는 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제9항에서,상기 게이트선의 넓은 끝 부분은 상기 게이트선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 제1 단락 바는 상기 게이트선의 넓은 끝 부분에서 연장되어 상기 단락 배선에 직접 연결되어 있는 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제10항에서,상기 데이터선의 넓은 끝 부분은 상기 데이터선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 제2 단락 바는 상기 데이터선의 넓은 끝 부분에서 연장되어 상기 단락 배선과 연결되어 있는 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제11항에서,상기 바이어스 배선의 넓은 끝 부분은 상기 바이어스 배선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 제3 단락 바는 상기 바이어스 배선의 넓은 끝 부분에서 연장되어 상기 단락 배선과 연결되어 있는 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판.
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|---|---|---|---|---|
| KR20110062163A (ko) * | 2009-12-02 | 2011-06-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 엑스레이 검출기 |
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-
2007
- 2007-05-21 KR KR1020070049033A patent/KR20080102488A/ko not_active Application Discontinuation
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