KR20080093766A - Micro electro mechanical systems actuator and various applicable device using thereof - Google Patents

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KR20080093766A
KR20080093766A KR1020070037957A KR20070037957A KR20080093766A KR 20080093766 A KR20080093766 A KR 20080093766A KR 1020070037957 A KR1020070037957 A KR 1020070037957A KR 20070037957 A KR20070037957 A KR 20070037957A KR 20080093766 A KR20080093766 A KR 20080093766A
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actuator
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electric field
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윤준보
윤영준
이형석
권일웅
이희철
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Abstract

A MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) actuator and an application device using the same are provided to reduce resistance compositions due to the arrangement of electric wiring by driving third conductive layers using electric field distribution. A MEMS actuator comprises insulation substrates(210), first conductive layers(220) formed on the insulation substrates, second conductive layers(230) separated from the first conductive layers, third conductive layers(240), and power units(260). The third conductive layers are separated from the first and second conductive layers. The power units apply a voltage to the first and second conductive layers. The first and second conductive layers have different areas.

Description

마이크로 전자기계 시스템(MEMS) 액츄에이터 및 이를 이용한 응용 소자 {MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS ACTUATOR AND VARIOUS APPLICABLE DEVICE USING THEREOF}MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS ACTUATOR AND VARIOUS APPLICABLE DEVICE USING THEREOF

도1은 종래의 액츄에이터를 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view showing a conventional actuator.

도2는 종래의 액츄에이터를 A-A'기준으로 자른 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of a conventional actuator taken along the line A-A '.

도3은 종래의 액츄에이터를 이용한 가변 커패시터를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a variable capacitor using a conventional actuator.

도4 및 도5는 본 발명의 일 실시예에 따른 액츄에이터를 나타낸 도면이다.4 and 5 illustrate an actuator according to an embodiment of the present invention.

도6 및 도7은 본 발명의 일 실시예에 따른 액츄에이터의 전계분포를 나타낸 도면이다.6 and 7 are diagrams showing electric field distribution of an actuator according to an embodiment of the present invention.

도8 내지 도10은 본 발명의 일 실시예에 따른 액츄에이터를 이용한 커패시터를 나타낸 도면이다. 8 to 10 are diagrams illustrating a capacitor using an actuator according to an embodiment of the present invention.

도11 및 도12은 본 발명의 일 실시예에 따른 스위치를 나타낸 도면이다.11 and 12 illustrate a switch according to an embodiment of the present invention.

도13 및 도14는 본 발명의 일 실시예에 따른 스위치의 전계분포를 나타낸 도면이다.13 and 14 illustrate electric field distributions of a switch according to an exemplary embodiment of the present invention.

***** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*****       ***** Explanation of symbols for main parts of drawing *****

110, 210, 310 : 절연 기판110, 210, 310: insulated substrate

120, 220, 320 : 제1 도전층120, 220, 320: first conductive layer

130, 230, 330 : 제2 도전층130, 230, 330: second conductive layer

240, 340 : 제3 도전층240 and 340: third conductive layer

140, 250, 350 : 지지부140, 250, 350: support part

150, 260, 300 : 전원부150, 260, 300: power supply

160 : 커패시터160: capacitor

270 : 제1 커패시터270: first capacitor

280 : 제2 커패시터280: second capacitor

290 : 합성 커패시터290: Synthetic Capacitor

360 : 제1 신호 전송선 360: first signal transmission line

370 : 제2 신호 전송선370: second signal transmission line

380 : 딤플(dimple)380 dimple

390 : 절연층390: insulation layer

본 발명은 마이크로 전자기계 시스템(MEMS) 액츄에이터(Actuator)에 관한 것이다. The present invention relates to a micro electromechanical system (MEMS) actuator.

일반적으로 마이크로 전자기계 시스템(MEMS)은 정보 기기의 센서(Sensor)또는 인쇄기 헤드와 같은 중요 부분에 이용된다. 또한, 마이크로 전자기계 시스템은 반도체 집적회로의 구조 기술을 기본으로 하며, 실리콘 웨이퍼 위에 마이크로 가공 기술을 이용한다. 이렇게 미세 가공 기술을 이용한 마이크로 전자기계 시스템의 한 예로 액츄에이터를 들 수 있다.Microelectromechanical systems (MEMS) are typically used in critical parts such as sensors or printer heads of information equipment. In addition, microelectromechanical systems are based on the structure technology of semiconductor integrated circuits and employ microfabrication technology on silicon wafers. One example of a microelectromechanical system using such a microfabrication technique is an actuator.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 종래의 액츄에이터를 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a conventional actuator.

도1 및 도2는 종래의 액츄에이터의 구조를 나타낸 사시도이다.1 and 2 are perspective views showing the structure of a conventional actuator.

도1을 참조하면, 종래의 마이크로 전자기계 시스템 액츄에이터는 절연기판(110)과, 절연 기판(110) 상에 제1 도전층(120)이 있다. 이어서 절연 기판(110)에 대향하고, 이격되어 있는 제2 도전층(130)이 있다. 이어서 절연 기판(110)으로 부터 제2 도전층(130)을 지지해 주는 지지부(140)가 있다. 여기서 지지부(140)는 전기 전도성 물질이다. 또한, 지지부(140)는 절연 기판(110)과 연결된 기둥 및 기둥과 제2 도전층(130)을 연결하는 연결부로 구성될 수 있다. 이어서 제1 도전층(120) 및 지지부(140)에 전압을 인가하는 전원부(150)가 있다.Referring to FIG. 1, a conventional microelectromechanical system actuator includes an insulating substrate 110 and a first conductive layer 120 on the insulating substrate 110. Subsequently, there is a second conductive layer 130 facing and spaced apart from the insulating substrate 110. Subsequently, there is a support 140 that supports the second conductive layer 130 from the insulating substrate 110. Here, the support 140 is an electrically conductive material. In addition, the supporter 140 may be configured of a pillar and a pillar connected to the insulating substrate 110 and a connection portion connecting the second conductive layer 130. Subsequently, there is a power supply unit 150 that applies a voltage to the first conductive layer 120 and the supporter 140.

도2는 도1의 액츄에이터를 A-A'선 기준으로 자른 단면도이다. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of the actuator of FIG. 1. FIG.

도2를 참조하여 종래의 액츄에이터의 구동 방식을 설명하면, 먼저 절연 기판(110) 상에 형성된 제1 도전층(120) 및 지지부(140)에 각각 전압이 인가된다. 여기서 지지부(140)에 인가된 전압은 제2 도전층(130)으로 전달된다. 이후, 인가된 전압에 의해 제1 도전층(120) 및 제2 도전층(130) 사이에 전계분포가 형성된다. 여기서 전계 분포 내의 전하는 제1 도전층(120) 및 제2 도전층(130) 사이에 저장된다. 이것은 도3을 참조하여 후속으로 설명한다. 이어서 전계분포 내의 전하에 의해 제1 도전층(120) 및 제2 도전층(130)간에 정전인력이 작용한다. 이러한 정전인력에 의해 제2 도전층(130)은 제1 도전층(120)방향으로 움직인다. 이때, 절연 기판(110)으로부터 제2 도전층(130)을 지지하는 지지부(140)에 의해 복원력이 작용한다. 여기서 지지부(140)에 의한 복원력은 정전인력과 반대 방향으로 작용한다. 이에 따라 제2 도전층(130)은 정전인력과 복원력이 서로 평형을 이루는 지점까지 움직이게 된다. 따라서 종래의 액츄에이터는 인가된 전압에 의해 제2 도전층(130)에 정전인력 및 복원력이 작용함에 따라 정전 구동된다.Referring to FIG. 2, the driving method of the conventional actuator is first applied to the first conductive layer 120 and the supporter 140 formed on the insulating substrate 110, respectively. In this case, the voltage applied to the support 140 is transferred to the second conductive layer 130. Thereafter, an electric field distribution is formed between the first conductive layer 120 and the second conductive layer 130 by the applied voltage. The charge in the electric field distribution is stored between the first conductive layer 120 and the second conductive layer 130. This is described later with reference to FIG. Subsequently, electrostatic attraction acts between the first conductive layer 120 and the second conductive layer 130 by the charge in the electric field distribution. By the electrostatic attraction, the second conductive layer 130 moves in the direction of the first conductive layer 120. At this time, the restoring force acts by the support part 140 supporting the second conductive layer 130 from the insulating substrate 110. Here, the restoring force by the support 140 acts in the opposite direction to the electrostatic force. Accordingly, the second conductive layer 130 moves to a point where the electrostatic force and the restoring force are in equilibrium with each other. Therefore, the conventional actuator is electrostatically driven as the electrostatic force and the restoring force act on the second conductive layer 130 by the applied voltage.

이어서 전계분포에 의해 유기된 전하를 저장하는 액츄에이터에 대해 설명한다. Next, an actuator for storing electric charges induced by electric field distribution will be described.

앞에서 설명한 바와 같이, 액츄에이터의 제1 도전층(120) 및 제2 도전층(130) 사이에 전하가 저장된다. 이것을 도3에서 도시한 바와 같이 제1 도전층(120) 및 제2 도전층(130)을 전극 판으로 하는 커패시터(160)로 표현한다. 여기서 액츄에이터의 정전 구동에 의해 커패시터(160)의 전극을 이루는 제2 도전층(130)이 제1도전층(120) 방향으로 움직인다. 제2 도전층(130)의 이동에 따라 제1 도전층(120) 및 제2 도전층(130)의 간격이 조절된다. 이것은 제1 도전층(120) 및 제2 도전층(130)으로 이루어진 커패시터의 간격이 조절되는 것이다. 따라서 액츄에이터의 제1 도전층(120) 및 제2 도전층(130) 사이에 정전용량이 가변된다. As described above, charge is stored between the first conductive layer 120 and the second conductive layer 130 of the actuator. This is represented by a capacitor 160 having the first conductive layer 120 and the second conductive layer 130 as an electrode plate, as shown in FIG. Here, the second conductive layer 130 constituting the electrode of the capacitor 160 is moved toward the first conductive layer 120 by the electrostatic driving of the actuator. As the second conductive layer 130 moves, the distance between the first conductive layer 120 and the second conductive layer 130 is adjusted. This is to control the interval of the capacitor consisting of the first conductive layer 120 and the second conductive layer 130. Therefore, the capacitance varies between the first conductive layer 120 and the second conductive layer 130 of the actuator.

이러한 종래의 액츄에이터가 구동되기 위해서는 절연 기판(110) 상에 형성된 제1 도전층(120) 및 지지부(140)에 전압이 인가된다. 이때, 액츄에이터가 낮은 전 압에서 구동되기 위해서는 제2 도전층(130)과 연결된 연결부의 복원력이 약하도록 설계 되어야 한다. 또한, 연결부의 복원력이 약하게 설계되기 위해서는 지지부(140)의 두께 및 폭이 얇게 설계 되어야 한다. 이럴 경우, 지지부(140)는 필연적으로 큰 저항 값을 갖게 된다. 또한, 액츄에이터의 정전 구동을 위해 제2 도전층(130)에 추가적으로 전기 배선이 설치된다. 이럴 경우, 액츄에이터의 구동부는 제2 도전층(130)의 추가 전기 배선에 의해 등가 직렬 저항 값이 증가하게 된다. 따라서 이러한 저항 성분이 증가됨으로써, 액츄에이터의 성능이 전체적으로 저하되는 문제점을 갖게 된다.In order to drive such a conventional actuator, a voltage is applied to the first conductive layer 120 and the supporter 140 formed on the insulating substrate 110. In this case, in order for the actuator to be driven at a low voltage, the restoring force of the connection part connected to the second conductive layer 130 should be weak. In addition, in order for the restoring force of the connection to be weakly designed, the thickness and width of the support 140 must be thin. In this case, the support 140 inevitably has a large resistance value. In addition, an electrical wiring is additionally installed in the second conductive layer 130 for electrostatic driving of the actuator. In this case, the equivalent driving resistance of the actuator is increased by the additional electrical wiring of the second conductive layer 130. Therefore, as the resistance component is increased, there is a problem that the performance of the actuator is lowered as a whole.

이러한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 저항 성분이 감소된 마이크로 전자기계 시스템의 액츄에이터를 제공하는 것이다.An object of the present invention to solve this problem is to provide an actuator of a microelectromechanical system with a reduced resistance component.

또한, 저항 성분이 감소된 액츄에이터를 이용한 응용 소자를 제공하는 것이다.       In addition, to provide an application device using an actuator with a reduced resistance component.

이러한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 액츄에이터(Actuator)는 절연 기판, 상기 절연 기판 상에 형성된 제1 도전층, 상기 제1 도전층과 이격되어 형성된 제2 도전층, 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층과 대향되고, 이격되어 형성된 제3 도전층 및 상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층에 전압을 인가하는 전원부를 포함한다.An actuator according to the present invention for solving the technical problem is an insulating substrate, a first conductive layer formed on the insulating substrate, a second conductive layer formed to be spaced apart from the first conductive layer, the first conductive layer and And a third conductive layer facing the second conductive layer and spaced apart from each other, and a power supply unit applying a voltage to the first conductive layer and the second conductive layer.

상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층은 서로 다른 면적으로 형성되는 것이 바람직하다.       Preferably, the first conductive layer and the second conductive layer are formed in different areas.

상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층 상에 절연막이 형성되는 것이 바람직하다.       Preferably, an insulating film is formed on the first conductive layer and the second conductive layer.

상기 제3 도전층은 도펀트가 도핑 된 다결정 실리콘 또는 금속 중 하나를 포함하는 것이 바람직하다.       The third conductive layer preferably includes one of polycrystalline silicon or a metal doped with a dopant.

상기 제3 도전층과 상기 절연 기판 사이에 형성되어 상기 제3 도전층을 지지하는 지지부를 더 포함하는 것이 바람직하다.       It is preferable to further include a support portion formed between the third conductive layer and the insulating substrate to support the third conductive layer.

상기 인가된 전압에 의해 상기 제1 도전층, 상기 제2 도전층 및 상기 제3 도전층 사이에 전계분포가 형성되는 것이 바람직하다.       The electric field distribution is preferably formed between the first conductive layer, the second conductive layer, and the third conductive layer by the applied voltage.

상기 전계 분포에 의해 상기 제3 도전층이 상기 제1 도전층 및 제2 도전층 방향으로 이동하는 것이 바람직하다.       It is preferable that the said 3rd conductive layer moves to the said 1st conductive layer and the 2nd conductive layer direction by the said electric field distribution.

상기 전계 분포에 의해 상기 제1 도전층 및 상기 제3 도전층 사이와 상기 제2 도전층 및 상기 제3 도전층 사이에 커패시터가 형성되고, 상기 제3 도전층의 이동에 따라 정전용량이 가변되는 것이 바람직하다.       Capacitors are formed between the first conductive layer and the third conductive layer and between the second conductive layer and the third conductive layer by the electric field distribution, and the capacitance is changed according to the movement of the third conductive layer. It is preferable.

본 발명에 따른 스위치는 절연 기판, 상기 절연 기판 상에 형성된 제1 도전층, 상기 제1 도전층과 이격되어 형성된 제2 도전층, 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층과 대향되고 이격되어 형성된 제3 도전층, 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층에 전압을 인가하는 전원부, 상기 제3 도전층 하부에 설치된 딤플, 상기 절연 기판 상에 설치된 제1 신호 전송선 및 상기 제1 신호 전송선과 이격되어 설치된 제 2 신호 전송선을 포함한다.The switch according to the present invention is opposed to and spaced apart from an insulating substrate, a first conductive layer formed on the insulating substrate, a second conductive layer spaced apart from the first conductive layer, the first conductive layer and the second conductive layer. A third conductive layer formed, a power supply unit applying a voltage to the first conductive layer and the second conductive layer, a dimple disposed below the third conductive layer, a first signal transmission line and the first signal transmission line formed on the insulating substrate And a second signal transmission line spaced apart from the second signal transmission line.

상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층 상에 절연막이 형성되는 것이 바람직하다.       Preferably, an insulating film is formed on the first conductive layer and the second conductive layer.

상기 제3 도전층은 도펀트가 도핑 된 다결정 실리콘 또는 금속 중 하나를 포함하는 것이 바람직하다.       The third conductive layer preferably includes one of polycrystalline silicon or a metal doped with a dopant.

상기 제3 도전층과 상기 절연 기판 사이에 형성되어 상기 제3 도전층을 지지하는 지지부를 더 포함하는 것이 바람직하다.       It is preferable to further include a support portion formed between the third conductive layer and the insulating substrate to support the third conductive layer.

상기 인가된 전압에 의해 상기 제1 도전층, 상기 제2 도전층 및 상기 제3 도전층 사이에 전계분포가 형성되는 것이 바람직하다.       The electric field distribution is preferably formed between the first conductive layer, the second conductive layer, and the third conductive layer by the applied voltage.

상기 전계 분포에 의해 상기 제3 도전층이 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층 방향으로 이동하는 것이 바람직하다.       It is preferable that the said 3rd conductive layer moves to the said 1st conductive layer and the said 2nd conductive layer direction by the said electric field distribution.

상기 딤플이 상기 제3 도전층의 이동에 의해 상기 제1 신호 전송선과 상기 제2 신호 전송선에 전기적으로 연결되어 신호를 전달하는 것이 바람직하다.        Preferably, the dimple is electrically connected to the first signal transmission line and the second signal transmission line by the movement of the third conductive layer to transmit a signal.

이하에는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.       Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention;

[액츄에이터]       [Actuator]

도4 내지 도8은 본 발명에 따른 액츄에이터의 구조 및 전계분포를 나타낸 도면이다.        4 to 8 are diagrams showing the structure and electric field distribution of the actuator according to the present invention.

도4 및 도5는 본 발명의 일 실시예에 따른 액츄에이터의 구조를 나타낸 도 면이다.       4 and 5 are diagrams showing the structure of an actuator according to an embodiment of the present invention.

도4 및 도5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 액츄에이터는 절연 기판(210), 절연 기판 상에 형성된 제1 도전층(220), 제1 도전층과 이격되어 형성된 제2 도전층(230), 제1 도전층(220) 및 제2 도전층(230)과 대향되고 이격되어 형성된 제3 도전층(240) 및 제1 도전층(220)과 제2 도전층(230)에 전압을 인가하는 전원부(260)를 포함한다.       4 and 5, an actuator according to an embodiment of the present invention may include an insulating substrate 210, a first conductive layer 220 formed on the insulating substrate, and a second conductive layer spaced apart from the first conductive layer. Voltages on the third conductive layer 240 and the first conductive layer 220 and the second conductive layer 230 which are formed to face the first conductive layer 220 and the second conductive layer 230 and are spaced apart from each other. It includes a power supply unit 260 for applying.

도4 및 도5를 참조하여 액츄에이터의 구조를 상세히 설명한다.4 and 5, the structure of the actuator will be described in detail.

먼저, 액츄에이터의 절연기판(210)이 있다. 여기서 절연기판(210)은 절연성과 면 정밀도를 갖도록 유리 기판, 세라믹 기판, 실리콘 기판 및 폴리머(Polymer) 기판 중 하나로 형성할 수 있다. 여기서 폴리머(Polymer) 기판에는 플라스틱 기판이 있을 수 있다. 이어서 절연기판(210) 상에 제1 도전층(220) 및 제2 도전층(230)이 있다. 여기서, 제1 도전층(220) 및 제2 도전층(230)은 서로 이격되어 있다. 또한, 제1 도전층(220) 및 제2 도전층(230)은 서로 다른 면적을 가질 수 있다. 또한 제1 도전층(220) 및 제2 도전층(230) 상에 절연막이 있어서, 제3 도전층(240)의 접촉에 의한 방전이 차단된다. 이어서 제1 도전층(220) 및 제2 도전층(230)에 전압을 인가하는 전원부(260)가 연결되어 있다. 이어서 제1 도전층(220) 및 제2 도전층(230)에 대향하고, 이격되어 있는 제3 도전층(240)이 있다. 여기서 제3 도전층(240)은 절연 기판(210), 제1 도전층(220) 및 제2 도전층(230)과 전기적으로 플로팅(Floating)된 상태이다. 또한, 제3 도전층(240)은 도펀트(Dopant)가 도핑 된 다결정 실리콘 또는 금속 중 하나로 형성되는 것이 바람직하다. 이렇게 제3 도전 층(240)이 도펀트(Dopant)가 도핑 된 다결정 실리콘 또는 금속 중 하나로 형성됨으로써, 후속의 전계분포에 의해 구동될 수 있도록 전도성을 갖게 된다. 이어서 제3 도전층(240)과 절연 기판(210)을 연결하는 지지부(250)가 있다. 여기서 지지부(250)는 절연기판(210)으로부터 제3 도전층(240)을 지지하고, 떠있는 상태가 되도록 한다. 이러한 지지부(250)는 제3 도전층(240)과 수평 연결된 제1 수평부, 절연기판(210)으로부터 소정의 높이를 갖도록 형성된 기둥, 및 제1 수평부와 기둥을 연결하는 제2 수평부를 포함 할 수 있다. First, there is an insulating substrate 210 of the actuator. The insulating substrate 210 may be formed of one of a glass substrate, a ceramic substrate, a silicon substrate, and a polymer substrate to have insulation and surface precision. The polymer substrate may include a plastic substrate. Subsequently, a first conductive layer 220 and a second conductive layer 230 are formed on the insulating substrate 210. Here, the first conductive layer 220 and the second conductive layer 230 are spaced apart from each other. In addition, the first conductive layer 220 and the second conductive layer 230 may have different areas. In addition, an insulating film is formed on the first conductive layer 220 and the second conductive layer 230 to prevent discharge due to the contact of the third conductive layer 240. Subsequently, a power supply unit 260 for applying a voltage to the first conductive layer 220 and the second conductive layer 230 is connected. Subsequently, there is a third conductive layer 240 facing and spaced apart from the first conductive layer 220 and the second conductive layer 230. The third conductive layer 240 is in an electrically floating state with the insulating substrate 210, the first conductive layer 220, and the second conductive layer 230. In addition, the third conductive layer 240 may be formed of one of polycrystalline silicon or metal doped with a dopant. As such, the third conductive layer 240 is formed of one of polycrystalline silicon or metal doped with a dopant, so that the third conductive layer 240 can be driven by a subsequent electric field distribution. Subsequently, there is a support part 250 connecting the third conductive layer 240 and the insulating substrate 210. In this case, the support part 250 supports the third conductive layer 240 from the insulating substrate 210 to be in a floating state. The support part 250 includes a first horizontal part horizontally connected to the third conductive layer 240, a pillar formed to have a predetermined height from the insulating substrate 210, and a second horizontal part connecting the first horizontal part and the pillar. can do.

이어서 본 발명의 일 실시예에 따른 액츄에이터의 구동 방식을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.        Next, the driving method of the actuator according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 제1 도전층(220) 및 제2 도전층(230)에 각각 서로 다른 전압이 인가된다. 이에 따라 도6에서 도시한 바와 같이, 제1 도전층(220)과 제2 도전층(230)이 서로 인접하는 부근에 강한 전계분포가 형성된다. 이렇게 형성된 전계 분포는 전기적으로 플로팅(Floating)된 제3 도전층(240)에 의해 도7과 같이 형성된다. 여기서 전계분포는 도7에서 도시한 바와 같이 제3 도전층(240)을 기준으로 영역1 및 영역2로 나누어진다. 여기서 영역1의 전계분포 내의 전하는 제1 도전층(220) 및 제3 도전층(240)사이와, 제2도전층(230) 및 제3 도전층(240) 사이에 각각 저장된다. 이것은 도8을 참조하여 후속으로 설명한다. 이어서, 영역1 및 영역2에 형성된 전계분포는 전기적으로 플로팅(Floating)된 제3 도전층(240)에 의해 불균형을 이룬다. 이러한 영역1 및 영역2의 불균형적인 전계분포에 의해 제3 도전층(240)이 제1 도전 층(220) 및 제2 도전층(230) 방향으로 이동한다. 따라서 액츄에이터는 전계분포의 불균형에 의해 제3 도전층(240)이 이동함으로써 정전 구동된다.         First, different voltages are applied to the first conductive layer 220 and the second conductive layer 230, respectively. As a result, as shown in FIG. 6, a strong electric field distribution is formed in the vicinity of the first conductive layer 220 and the second conductive layer 230 adjacent to each other. The electric field distribution thus formed is formed as shown in FIG. 7 by the third conductive layer 240 which is electrically floating. The electric field distribution is divided into regions 1 and 2 based on the third conductive layer 240 as shown in FIG. 7. The charge in the electric field distribution of the region 1 is stored between the first conductive layer 220 and the third conductive layer 240 and between the second conductive layer 230 and the third conductive layer 240, respectively. This will be described later with reference to FIG. Subsequently, the electric field distributions formed in the regions 1 and 2 are unbalanced by the third conductive layer 240 which is electrically floating. Due to the unbalanced electric field distribution between the regions 1 and 2, the third conductive layer 240 moves in the direction of the first conductive layer 220 and the second conductive layer 230. Therefore, the actuator is electrostatically driven by the third conductive layer 240 being moved by the unbalance of the electric field distribution.

이어서, 전계분포에 의해 유기된 전하를 저장하는 액츄에이터를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.        Next, an actuator for storing charges induced by the electric field distribution will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

앞에서 설명한 바와 같이, 영역1의 전계 분포 내의 전하는 제1 도전층(220) 및 제3 도전층(240)과, 제2 도전층(230) 및 제3 도전층(240) 사이에 각각 저장된다. 이하에는 설명의 편의를 위해 도8에서 도시한 바와 같이, 제1 도전층(220) 및 제3 도전층(240)은 제1 커패시터(270)로, 제2 도전층(230) 및 제3 도전층(240)은 제2 커패시터(280)로 표현하기로 한다. 여기서, 제1 커패시터(270)와 제2 커패시터(280)는 제3 도전층(240)을 공통의 전극판으로 사용하기 때문에 직렬 접속된다. 또한, 앞서 설명한 액츄에이터의 정전 구동 방식에 의해 제1 커패시터(270) 및 제2 커패시터(280)의 공통의 전극판인 제3 도전층(240)이 제1 도전층(220) 및 제2 도전층(230) 방향으로 이동한다. 이렇게 제3 도전층(240)의 이동함에 따라 각 도전층들의 간격이 조절된다. 이것은 각 도전층들로 이루어진 커패시터의 정전용량이 조절되는 것이다. 따라서 액츄에이터의 제1 커패시터(270) 및 제2 커패시터(280)의 정전용량이 가변된다. 또한, 제1 커패시터(270)와 제2 커패시터(280)의 정전용량을 가변하기 위해 서로 다른 면적을 갖는 제1 도전층(220) 및 제2 도전층(230)이 액츄에이터에 설치될 수 있다.       As described above, charges in the electric field distribution of the region 1 are stored between the first conductive layer 220 and the third conductive layer 240, and the second conductive layer 230 and the third conductive layer 240, respectively. For convenience of explanation, as shown in FIG. 8, the first conductive layer 220 and the third conductive layer 240 are the first capacitor 270, and the second conductive layer 230 and the third conductive layer are illustrated in FIG. 8. Layer 240 will be referred to as a second capacitor 280. Here, since the first capacitor 270 and the second capacitor 280 use the third conductive layer 240 as a common electrode plate, they are connected in series. In addition, the third conductive layer 240, which is a common electrode plate of the first capacitor 270 and the second capacitor 280, may be formed by the first conductive layer 220 and the second conductive layer. Move in the direction (230). As the third conductive layer 240 moves as described above, the intervals of the respective conductive layers are adjusted. This is to control the capacitance of the capacitor consisting of each conductive layer. Therefore, the capacitance of the first capacitor 270 and the second capacitor 280 of the actuator is variable. In addition, the first conductive layer 220 and the second conductive layer 230 having different areas may be installed in the actuator in order to vary the capacitance of the first capacitor 270 and the second capacitor 280.

다음으로 도9는 제1 도전층(220) 및 제3 도전층(240)으로 이루어진 제1 커패 시터(270)와, 제2 도전층(230) 및 제3 도전층(240)으로 이루어진 제2 커패시터(280)의 등가회로를 나타낸다. 또한, 도9에서 도시된 합성 커패시터(290)는 도10과 같이 나타낸다. 여기서 합성 커패시터의 등가 합성 정전용량은 다음에 의해 구해진다.Next, FIG. 9 illustrates a first capacitor 270 including the first conductive layer 220 and the third conductive layer 240, and a second layer including the second conductive layer 230 and the third conductive layer 240. An equivalent circuit of the capacitor 280 is shown. In addition, the composite capacitor 290 illustrated in FIG. 9 is represented as shown in FIG. 10. Here, the equivalent synthetic capacitance of the synthetic capacitor is obtained by the following.

Figure 112007029484031-PAT00001
Figure 112007029484031-PAT00001

, c1은 제1 커패시터(270)의 정전 용량, c2는 제2 커패시터(280)의 정전 용량, C는 제1 커패시터와 제2 커패시터의 등가 합성 정전용량이다., c 1 is the capacitance of the first capacitor 270, c 2 is the capacitance of the second capacitor 280, C is the equivalent composite capacitance of the first capacitor and the second capacitor.

[스위치]       [switch]

도11 및 도12는 본 발명의 일 실시예에 따른 스위치를 나타낸 도면이다.11 and 12 illustrate a switch according to an embodiment of the present invention.

도11 및 도12를 참조하면, 본 발명에 따른 스위치는 절연 기판(310), 절연 기판 상에 형성된 제1 도전층(320), 제1 도전층(320)과 이격되어 형성된 제2 도전층(330), 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(330)과 대향하고 이격되어 형성된 제3 도전층(340), 제1 도전층(320)과 제2 도전층(330)에 전압을 인가하는 전원부(300), 제3 도전층(340) 하부에 설치된 딤플(Dimple)(380), 절연 기판(310) 상에 설치된 제1 신호 전송선(360) 및 제 1 신호 전송선(360)과 이격되어 설치된 제2 신호 전송선(370)을 포함한다. 11 and 12, the switch according to the present invention includes an insulating substrate 310, a first conductive layer 320 formed on the insulating substrate, and a second conductive layer formed to be spaced apart from the first conductive layer 320. 330, the third conductive layer 340, the first conductive layer 320, and the second conductive layer 330 which are formed to face the first conductive layer 320 and the second conductive layer 330, and are spaced apart from each other. Spaced apart from the power supply unit 300 to be applied, a dimple 380 disposed under the third conductive layer 340, the first signal transmission line 360 and the first signal transmission line 360 provided on the insulating substrate 310. And a second signal transmission line 370 provided.

이하에는 본 발명의 일 실시예에 따른 스위치의 구조를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.       Hereinafter, a structure of a switch according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도11 및 도12를 참조하면, 스위치의 절연기판(310)이 있다. 여기서 절연기판(310)은 절연성과 면 정밀도를 갖도록 유리 기판, 세라믹 기판, 실리콘 기판 및 폴리머 기판 중 하나로 형성할 수 있다. 여기서 폴리머 기판에는 플라스틱 기판이 있을 수 있다. 이어서 절연기판(310) 상에 전기 전도성 물질로 형성된 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(330)이 있다. 여기서, 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(330)은 서로 이격되어 있다. 이어서 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(330)에 전압을 인가하는 전원부(300)가 있다. 이어서 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(330) 사이에 제1 신호 전송선(360) 및 제2 전송선(370)이 이격되어 있다. 여기서 제1 신호 전송선(360) 및 제2 전송선(370)도 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(330)과 서로 이격되어 있다. 이어서 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(330)에 대향하고, 이격되어 있는 제3 도전층(340)이 있다. 여기서 제3 도전층(340)은 절연 기판(310)과, 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(330)과, 제1 신호 전송선(360) 및 제2 신호 전송선(370)과 서로 전기적으로 플로팅(floating)된 상태이다. 또한, 제3 도전층(340)은 도펀트(Dopant)가 도핑 된 다결정 실리콘 또는 금속 중 하나로 형성되는 것이 바람직하다. 이렇게 제3 도전층(340)이 도펀트(Dopant)가 도핑 된 다결정 실리콘 또는 금속 중 하나로 형성됨으로써, 후속의 전계분포에 의해 구동될 수 있도록 전도성을 갖게 된다. 이어서 제3 도전층(340)과 절연 기판(310)을 연결하는 지지부(350)가 있다. 여기서 지지부(350)는 절연기판(310)으로부터 제3 도전층(340)을 지지하고, 떠있는 상태가 되도록 한다. 이러한 지지부(350)는 제3 도전층(340)과 수평 연결된 제1 수평부, 절연기판(310)으로부터 소정의 높이를 갖도록 형성된 기둥, 및 제1 수평부와 기둥을 연결하는 제2 수평부를 포함 할 수 있다. 이어서 제3 도전층(340) 하부에는 제1 신호 전송선(360) 및 제2 전송선(370)의 신호를 전달하는 딤플(Dimple)(380)이 있다. 또한, 딤플(Dimple)(380)과 제3 도전층(340) 사이에는 절연층(390)이 설치되는 것이 바람직하다. 여기서 절연층(390)은 제3 도전층(340)과, 제1 신호 전송선(360) 및 제2 신호 전송선(370)을 전기적으로 절연시키는 역할을 한다.       11 and 12, there is an insulating substrate 310 of a switch. The insulating substrate 310 may be formed of one of a glass substrate, a ceramic substrate, a silicon substrate, and a polymer substrate to have insulation and surface precision. Here, the polymer substrate may be a plastic substrate. Subsequently, there is a first conductive layer 320 and a second conductive layer 330 formed of an electrically conductive material on the insulating substrate 310. Here, the first conductive layer 320 and the second conductive layer 330 are spaced apart from each other. Subsequently, there is a power supply unit 300 that applies a voltage to the first conductive layer 320 and the second conductive layer 330. Subsequently, the first signal transmission line 360 and the second transmission line 370 are spaced apart between the first conductive layer 320 and the second conductive layer 330. The first signal transmission line 360 and the second transmission line 370 are also spaced apart from the first conductive layer 320 and the second conductive layer 330. Subsequently, there is a third conductive layer 340 facing and spaced apart from the first conductive layer 320 and the second conductive layer 330. The third conductive layer 340 may be formed of an insulating substrate 310, a first conductive layer 320 and a second conductive layer 330, and a first signal transmission line 360 and a second signal transmission line 370. It is electrically floating. In addition, the third conductive layer 340 may be formed of one of polycrystalline silicon or metal doped with a dopant. As such, the third conductive layer 340 is formed of one of polycrystalline silicon or metal doped with a dopant, so that the third conductive layer 340 can be driven by a subsequent electric field distribution. Subsequently, there is a support part 350 connecting the third conductive layer 340 to the insulating substrate 310. In this case, the support part 350 supports the third conductive layer 340 from the insulating substrate 310 to be in a floating state. The support part 350 includes a first horizontal part horizontally connected to the third conductive layer 340, a pillar formed to have a predetermined height from the insulating substrate 310, and a second horizontal part connecting the first horizontal part and the pillar. can do. Subsequently, there is a dimple 380 that transmits signals of the first signal transmission line 360 and the second transmission line 370 under the third conductive layer 340. In addition, the insulating layer 390 is preferably provided between the dimple 380 and the third conductive layer 340. The insulating layer 390 electrically insulates the third conductive layer 340 from the first signal transmission line 360 and the second signal transmission line 370.

이어서 본 발명의 일 실시예에 따른 스위치의 구동 방식을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Next, a driving method of a switch according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

앞서 설명한 바와 같이, 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(330)에 각각 서로 다른 전압이 인가된다. 이후, 전압이 인가된 도13과 같이 제1 도전층(320)과 제2 도전층(330)이 서로 인접한 부근에 강한 전계가 형성된다. 이렇게 형성된 전계 분포는 전기적으로 플로팅(Floating)된 제3 도전층(340)에 의해 도14와 같이 형성된다. 여기서 전계분포는 도14에서 도시한 바와 같이 제3 도전층(340)을 기준으로 영역1 및 영역2로 나누어진다. 이렇게 영역1 및 영역2에 형성된 전계분포는 전기적으로 플로팅(Floating)된 제3 도전층(340)에 의해 불균형을 이룬다. 이렇게 영역 1 및 영역 2의 전계분포가 서로 불균형을 이룸에 따라, 도14에서 화살표로 표시한 바와 같이 제3 도전층(340)이 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(330) 방향으로 이동하 게 된다. 이에 따라, 제3 도전층(340) 하부에 설치된 딤플(380)도 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(330) 방향으로 이동하게 된다. 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(330) 방향으로 이동한 딤플(380)은 절연 기판(310) 상에 형성된 제1 신호 전송선(360) 및 제2 신호 전송선(370)에 접촉된다. 따라서 딤플(380)은 서로 이격되어있는 제1 신호 전송선(360)과 제2 신호 전송선(370)을 전기적으로 접속시키는 역할을 한다. 또한, 절연층(390)은 딤플(380)이 제1 신호 전송선(360) 및 제2 신호 전송선(370)과 접촉되어 신호를 전달 할 때, 제3 도전층(340)에 형성된 전위가 제1 신호 전송선(360) 및 제2 신호 전송선(370) 사이에 전달되는 신호에 영향을 주지 않도록 전기적인 절연 역할을 한다.      As described above, different voltages are applied to the first conductive layer 320 and the second conductive layer 330, respectively. Thereafter, as shown in FIG. 13 to which a voltage is applied, a strong electric field is formed in the vicinity of the first conductive layer 320 and the second conductive layer 330 adjacent to each other. The electric field distribution thus formed is formed as shown in FIG. 14 by the third conductive layer 340 electrically floating. The electric field distribution is divided into regions 1 and 2 based on the third conductive layer 340 as shown in FIG. The electric field distributions formed in the region 1 and the region 2 are unbalanced by the third conductive layer 340 electrically floating. As the electric field distributions of the regions 1 and 2 are unbalanced, the third conductive layer 340 is oriented in the direction of the first conductive layer 320 and the second conductive layer 330 as indicated by the arrows in FIG. Will move to. Accordingly, the dimple 380 disposed under the third conductive layer 340 also moves in the direction of the first conductive layer 320 and the second conductive layer 330. The dimple 380 moved in the direction of the first conductive layer 320 and the second conductive layer 330 is in contact with the first signal transmission line 360 and the second signal transmission line 370 formed on the insulating substrate 310. . Therefore, the dimple 380 serves to electrically connect the first signal transmission line 360 and the second signal transmission line 370 spaced apart from each other. In addition, when the dimple 380 contacts the first signal transmission line 360 and the second signal transmission line 370 to transmit a signal, the potential formed in the third conductive layer 340 may have a first potential. It serves as an electrical insulation so as not to affect the signal transmitted between the signal transmission line 360 and the second signal transmission line 370.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the above-described technical configuration of the present invention may be embodied in other specific forms by those skilled in the art to which the present invention pertains without changing its technical spirit or essential features. It will be appreciated that it may be practiced.

그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, the exemplary embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all respects, and the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description, and the meaning and scope of the claims and All changes or modifications derived from the equivalent concept should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

이상 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 액츄에이터 및 스위치는, 전계 분포를 이용하여 전기적으로 플로팅(Floating)된 제3 도전층이 구동됨으로써, 구동을 위한 전기 배선이 추가적으로 설치되지 않는다. 이에 따라 액츄에이터 및 스위치는 추가 전기 배선의 배치에 의한 저항성분이 감소된다.       As described above in detail, in the actuator and the switch according to the present invention, the third conductive layer electrically floating by using the electric field distribution is driven, so that electrical wiring for driving is not additionally installed. This reduces the resistance of the actuators and switches due to the placement of additional electrical wiring.

또한, 저항 성분이 감소됨으로써, 가변 커패시터의 큐-팩터(Q-Factor)가 증가되는 효과가 있다.        In addition, since the resistance component is reduced, there is an effect that the Q-Factor of the variable capacitor is increased.

Claims (16)

절연 기판; Insulating substrate; 상기 절연 기판 상에 형성된 제1 도전층; A first conductive layer formed on the insulating substrate; 상기 제1 도전층과 이격되어 형성된 제2 도전층; A second conductive layer spaced apart from the first conductive layer; 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층과 대향되고, 이격되어 형성된 제3 도전층; 및A third conductive layer facing and spaced apart from the first conductive layer and the second conductive layer; And 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층에 전압을 인가하는 전원부;       A power supply unit applying a voltage to the first conductive layer and the second conductive layer; 를 포함하는, 액츄에이터.Including, the actuator. 제1항에 있어서,       The method of claim 1, 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층이 서로 다른 면적으로 형성된, 액츄에이터.       And the first conductive layer and the second conductive layer are formed in different areas. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층 상에 절연막이 형성된 액츄에이터.An actuator having an insulating film formed on the first conductive layer and the second conductive layer. 제1항에 있어서,       The method of claim 1, 상기 제3 도전층은 도펀트가 도핑 된 다결정 실리콘 또는 금속 중 하나를 포함하는, 액츄에이터.       And the third conductive layer comprises one of polycrystalline silicon or metal doped with dopant. 제1항에 있어서,       The method of claim 1, 상기 제3 도전층과 상기 절연 기판 사이에 형성되어 상기 제3 도전층을 지지하는 지지부를 더 포함하는, 액츄에이터.       And a support formed between the third conductive layer and the insulating substrate to support the third conductive layer. 제1항에 있어서,       The method of claim 1, 상기 인가된 전압에 의해 상기 제1 도전층, 상기 제2 도전층 및 상기 제3 도전층 사이에 전계분포가 형성되는, 액츄에이터.       And an electric field distribution is formed between the first conductive layer, the second conductive layer, and the third conductive layer by the applied voltage. 제6항에 있어서,       The method of claim 6, 상기 전계 분포에 의해 상기 제3 도전층이 상기 제1 도전층 및 제2 도전층 방향으로 이동하는, 액츄에이터.       And the third conductive layer moves in the direction of the first conductive layer and the second conductive layer by the electric field distribution. 제6항에 있어서,       The method of claim 6, 상기 전계 분포에 의해 상기 제1 도전층 및 상기 제3 도전층 사이와 상기 제2 도전층 및 상기 제3 도전층 사이에 커패시터가 형성되고, 상기 제3 도전층의 이동에 따라 정전용량이 가변되는, 액츄에이터.       Capacitors are formed between the first conductive layer and the third conductive layer and between the second conductive layer and the third conductive layer by the electric field distribution, and the capacitance is changed according to the movement of the third conductive layer. , Actuator. 절연 기판; Insulating substrate; 상기 절연 기판 상에 형성된 제1 도전층; A first conductive layer formed on the insulating substrate; 상기 제1 도전층과 이격되어 형성된 제2 도전층; A second conductive layer spaced apart from the first conductive layer; 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층과 대향되고, 이격되어 형성된 제3 도전층;A third conductive layer facing and spaced apart from the first conductive layer and the second conductive layer; 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층에 전압을 인가하는 전원부;      A power supply unit applying a voltage to the first conductive layer and the second conductive layer; 상기 제3 도전층 하부에 설치된 딤플;      Dimples disposed under the third conductive layer; 상기 절연 기판 상에 설치된 제1 신호 전송선;      A first signal transmission line provided on the insulating substrate; 상기 제1 신호 전송선과 이격되어 설치된 제2 신호 전송선;      A second signal transmission line spaced apart from the first signal transmission line; 을 포함하는 스위치.      Switch comprising a. 제9항에 있어서,      The method of claim 9, 상기 제3 도전층과 상기 딤플 사이에 설치된 절연층을 더 포함하는, 스위치.      The switch further comprises an insulating layer provided between the third conductive layer and the dimple. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층 상에 절연막이 형성된, 스위치.And an insulating film is formed on the first conductive layer and the second conductive layer. 제9항에 있어서,       The method of claim 9, 상기 제3 도전층은 도펀트가 도핑 된 다결정 실리콘 또는 금속 중 하나를 포함하는, 스위치.       And the third conductive layer comprises one of doped polycrystalline silicon or metal doped. 제9항에 있어서,       The method of claim 9, 상기 제3 도전층과 상기 절연 기판 사이에 형성되어 상기 제3 도전층을 지지하는 지지부를 더 포함하는, 스위치.       And a support formed between the third conductive layer and the insulating substrate to support the third conductive layer. 제9항에 있어서,       The method of claim 9, 상기 인가된 전압에 의해 상기 제1 도전층, 상기 제2 도전층 및 상기 제3 도전층 사이에 전계분포가 형성되는, 스위치.       And a field distribution is formed between the first conductive layer, the second conductive layer, and the third conductive layer by the applied voltage. 제14항에 있어서,       The method of claim 14, 상기 전계 분포에 의해 상기 제3 도전층이 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층 방향으로 이동하는, 스위치.       And the third conductive layer moves in the direction of the first conductive layer and the second conductive layer by the electric field distribution. 제9항 또는 제15항에 있어서,       The method according to claim 9 or 15, 상기 딤플이 상기 제3 도전층의 이동에 의해 상기 제1 신호 전송선과 상기 제2 신호 전송선에 전기적으로 연결되어 신호를 전달하는, 스위치.        And the dimple is electrically connected to the first signal transmission line and the second signal transmission line by the movement of the third conductive layer to transmit a signal.
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KR20130092995A (en) * 2010-04-23 2013-08-21 에프코스 아게 Mems device having a membrane and method of manufacturing
KR101380604B1 (en) * 2012-12-06 2014-04-09 한국과학기술원 Mechanical switch
US10213082B2 (en) 2016-08-30 2019-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Robot cleaner

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