KR20080074601A - Multifunctional die attach film and semiconductor packaging method using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되지 않아야 한다.The following drawings attached to this specification are illustrative of preferred embodiments of the present invention, and together with the detailed description of the invention to serve to further understand the technical spirit of the present invention, the present invention is a matter described in such drawings It should not be construed as limited to.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다이 접착 필름을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a die adhesive film according to a preferred embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자 패키징 방법을 설명하는 공정 흐름도이다.2 is a process flowchart illustrating a semiconductor device packaging method according to a preferred embodiment of the present invention.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자 패키징 과정을 도시한 공정 단면도들이다.3 to 6 are cross-sectional views illustrating a semiconductor device packaging process according to an exemplary embodiment of the present invention.
<도면의 주요 참조부호에 대한 설명><Description of main reference numerals in the drawings>
100 : 다이 접착 필름 10 : 제1다이 접착 필름100 die attach
11 : 보호필름 20 : 제2다이 접착 필름11: protective film 20: second die adhesive film
21 : 도전성 필러21: conductive filler
본 발명은 다기능 다이 접착 필름에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 소자 패키징 공정에서 백그라인딩 테이프의 기능을 수행할 수 있고 백그라인딩 작업 후 이를 제거하지않고 다시 피접속부재에 다이 칩을 접착하는데 사용될 수 있는 다기능 다이 접착 필름 및 이를 이용한 반도체 소자 패키징 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a multifunctional die adhesive film, and more particularly, to perform a function of a backgrinding tape in a semiconductor device packaging process and to be used to bond a die chip to a connected member again without removing it after the backgrinding operation. Multifunctional die adhesive film and a semiconductor device packaging method using the same.
일반적으로, 반도체 칩을 만드는 공정에는 소정 두께의 반도체 웨이퍼에 미세 회로 패턴을 형성하는 공정과, 웨이퍼의 배면을 백그라인딩 하는 공정과, 웨이퍼를 일정 소자의 규격에 맞도록 절단하여 다이 칩을 만든 후 각각의 다이 칩을 반도체 소자로 패키징(packaging)하는 공정이 수반된다.In general, a process of making a semiconductor chip includes a process of forming a fine circuit pattern on a semiconductor wafer of a predetermined thickness, a process of backgrinding the back surface of the wafer, and a die chip made by cutting the wafer to meet a predetermined device standard. There is a process of packaging each die chip into a semiconductor device.
위 공정들 중 웨이퍼의 배면을 연마하는 공정에서는 미세 회로 패턴이 형성된 웨이퍼의 표면에 백그라인딩 테이프를 부착한 후, 백그라인딩 테이프가 있는 쪽을 연마 척에 흡착시키고 웨이퍼의 배면을 연마 다이에 긴밀하게 접촉시킨 후 슬러리(slurry)를 투입하면서 150∼200㎛의 두께가 될 때까지 웨이퍼를 연마한다. 이러한 연마 과정에서 웨이퍼에 큰 압력 또는 기계적인 충격이 인가되는데, 이때 백그라인딩 테이프가 웨이퍼의 손상을 방지하는 기능을 수행하게 된다.In the above process of polishing the back surface of the wafer, the backgrinding tape is attached to the surface of the wafer on which the fine circuit pattern is formed, and then the backgrinding tape is adsorbed to the polishing chuck and the backside of the wafer is closely adhered to the polishing die. After contacting, the wafer is polished to a thickness of 150 to 200 µm while adding a slurry. In this polishing process, a large pressure or a mechanical impact is applied to the wafer, and the backgrinding tape serves to prevent damage to the wafer.
그런데 종래에는 반도체 웨이퍼의 백그라인딩 공정을 마친 후 웨이퍼의 상부로부터 백그라인딩 테이프를 벗겨내야 하는 번거로움이 있었다. 그리고 백그라인딩 테이프의 제거는, 연마 공정이 완료된 후 웨이퍼의 배면에 다이싱 필름을 부착하고 다이싱 필름을 이용하여 웨이퍼를 쏘잉(sawing) 다이에 안착시킨 상태에서 이루어지는데, 이 과정에서 백그라인딩 테이프가 부착된 반대편의 다이싱 테이프의 접착력이 백그라인딩 테이프의 접착력보다 약할 경우 웨이퍼가 뒤집히는 현상이 발생하는 문제점이 있었다.However, in the related art, the backgrinding tape has to be peeled off from the top of the wafer after finishing the backgrinding process of the semiconductor wafer. The backgrinding tape is removed after attaching a dicing film to the back surface of the wafer after the polishing process is completed, and placing the wafer on a sawing die using the dicing film. When the adhesive force of the other side of the dicing tape attached is weaker than the adhesive force of the backgrinding tape, there was a problem that the wafer is turned over.
한편, 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 시, 반도체 소자가 집적된 웨이퍼 표면에 쏘잉 버(sawing bur), 스크래치(scratch), 크랙(crack) 등의 불량이 유발될 수 있음에도 불구하고 종래에는 아무런 보호 수단의 강구 없이 다이싱 공정을 진행하고 있는 실정이다. 그리고 다이싱 공정을 마친 후에 각각의 다이 칩을 패키징 대상체(예컨대, 리드 프레임)에 실장시키기 위해 다이 칩을 픽업하는 과정에서 얇은 두께의 다이 칩을 들어올릴 때 픽업 핀에 의해 들어올리는 방향으로 다이 칩이 휠 수 있으며, 이때 다이 칩이 과도하게 휘는 경우 다이 칩에 예상치 못한 결점이 유발되어 반도체 소자의 신뢰성을 저하시키는 문제가 발생될 수 있다.On the other hand, in the dicing process of the semiconductor wafer, although a defect such as sawing bur, scratch, crack, etc. may be caused on the surface of the wafer on which the semiconductor element is integrated, conventional protection means The dicing process is in progress without steel balls. After the dicing process, the die chip is lifted by the pickup pin when the die chip is lifted in the process of picking up the die chip to mount each die chip on a packaging object (eg, a lead frame). If the die chip is excessively bent, an unexpected defect may be caused in the die chip, thereby causing a problem of deteriorating the reliability of the semiconductor device.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 반도체 소자 패키징 공정에 있어서, 다이 칩을 피접속부재에 접착하는 다이 접착 필름뿐만 아니라 다이 접착 공정 이전의 백그라인딩 공정에서 백그라인딩 테이프로의 역할도 수행하는 다기능 다이 접착 필름 및 이를 이용한 반도체 소자 패키징 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, in the semiconductor device packaging process, backgrinding in the backgrinding process before the die bonding process as well as the die adhesive film for bonding the die chip to the connected member. It is an object of the present invention to provide a multifunctional die adhesive film which also serves as a tape, and a method of packaging a semiconductor device using the same.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 다기능 다이 접착 필름 은, 반도체 소자 패키징 공정에 사용되는 다이 접착 필름에 있어서, 반도체 소자가 집적되고 솔더 범프 패턴이 형성된 웨이퍼 표면에 부착되고 제1접착력을 갖는 제1다이 접착 필름; 및 상기 제1다이 접착 필름 상에 부착되고 제2접착력을 갖는 제2다이 접착 필름;을 포함하되, 반도체 소자 패키징 공정에서 백그라인딩 테이프의 기능을 수행할 수 있고 백그라인딩 작업 후 이를 제거하지 않고 다시 피접속부재에 다이 칩을 접착하는데 사용되는 것을 특징으로 한다.Multi-functional die-bonding film according to the present invention for achieving the above object, in the die-bonding film used in the semiconductor device packaging process, the semiconductor device is integrated and attached to the surface of the wafer on which the solder bump pattern is formed, the first adhesive force A first die adhesive film having; And a second die adhesive film attached on the first die adhesive film and having a second adhesive force, wherein the second die adhesive film is capable of performing a function of a backgrinding tape in a semiconductor device packaging process and is not removed after the backgrinding operation. It is used for adhering a die chip to a to-be-connected member.
바람직하게, 상기 제1 및 제2다이 접착 필름은 투명 또는 반투명 재질로 이루어진다.Preferably, the first and second die adhesive films are made of a transparent or translucent material.
본 발명에 있어서, 상기 다기능 다이 접착 필름은, 상기 제1다이 접착 필름과 상기 제2다이 접착 필름이 상호 라미네이션된 적층구조를 가지며, 상기 제1 및 제2다이 접착 필름은 에폭시계, 아크릴계, 실리콘계, 고무계, 우레탄계, 및 엘라스토머계 중 선택된 하나의 수지재이다.In the present invention, the multi-functional die adhesive film has a laminated structure in which the first die adhesive film and the second die adhesive film are laminated to each other, and the first and second die adhesive films are epoxy-based, acrylic-based, and silicone-based. , Rubber, urethane, and elastomer.
바람직하게, 상기 제1접착력은, 실리콘 웨이퍼 표면부착 기준으로 25℃에서 10 내지 2000gf/㎝ 이고, 상기 제2접착력은, AUS308 표면부착 기준으로 25℃에서 10 내지 2000gf/㎝ 이다.Preferably, the first adhesive force is 10 to 2000 gf / cm at 25 ° C on the basis of silicon wafer surface adhesion, and the second adhesive force is 10 to 2000 gf / cm at 25 ° C on the basis of AUS308 surface adhesion.
바람직하게, 상기 제1 및 제2다이 접착 필름은, 85℃/60% 습도 7일 흡습 기준(Moisture Resistance Test; JL2)으로 수분 흡습율이 0 내지 2%wt 이다.Preferably, the first and second die adhesive films have a moisture absorption of 0 to 2% wt based on a humidity resistance test (JL2) of 85 ° C / 60% humidity for 7 days.
바람직하게, 상기 제1 및 제2다이 접착 필름은, 50℃ 기준 저장 탄성률이 104 내지 1010㎩ 이며, 보다 바람직하게는 상기 제2다이 접착 필름은, 50℃ 기준 저 장 탄성률이 106 내지 109㎩ 이다.Preferably, the first and second die adhesive films have a 50 ° C. reference storage modulus of 10 4 to 10 10 GPa, and more preferably, the second die adhesive film has a 50 ° C. reference storage modulus of 10 6 to 10 내지. 10 9 ㎩.
바람직하게, 상기 제1다이 접착 필름 또는 제2다이 접착 필름 중 적어도 어느 하나의 필름에 도전성 필러를 함유하고, 이 도전성 입자는 수지재 부피 대비 0.5 내지 70 부피% 로 포함된다.Preferably, the conductive filler is contained in at least one of the first die adhesive film and the second die adhesive film, and the conductive particles are contained in an amount of 0.5 to 70% by volume relative to the volume of the resin material.
또한, 상기 도전성 필러가 함유되는 필름과 함유되지않는 필름의 두께비는 10:1에서 0.1:1이며, 보다 바람직하게는 4:1에서 0.5:1이다.Further, the thickness ratio of the film containing the conductive filler to the film not containing is from 10: 1 to 0.1: 1, more preferably from 4: 1 to 0.5: 1.
본 발명에 있어서, 상기 도전성 필러는, 금, 은, 구리, 및 니켈 중 선택된 하나의 도전성 금속 또는 상기 도전성 금속이 코팅된 코어 쉘(Core-Shell) 구조의 유기물로 이루어진다.In the present invention, the conductive filler is made of a conductive metal selected from gold, silver, copper, and nickel, or an organic material having a core-shell structure coated with the conductive metal.
본 발명에 있어서, 상기 도전성 필러는, 입자 직경이 0.05 내지 50 ㎛ 이다.In the present invention, the conductive filler has a particle diameter of 0.05 to 50 µm.
바람직하게, 상기 제1 및 제2다이 접착 필름 사이에 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 비닐, 폴리프로필렌, 폴리스틸렌, 폴리탄산에스테르, 폴리염화비닐, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리아세탈, 폴리옥시메틸렌, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌, 및 에틸렌-비닐알콜 공중합체 중 선택된 하나 또는 둘 이상의 물질로 이루어진 중간층이 개재된 다층구조로 이루어진다.Preferably, polyester, polyethylene, polyethylene terephthalate, vinyl, polypropylene, polystyrene, polycarbonate, polyvinyl chloride, polymethylmethacrylate, polyacetal, polyoxymethylene , A polybutylene terephthalate, acrylonitrile-butadiene-styrene, and an ethylene-vinyl alcohol copolymer.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 다기능 다이 접착 필름을 이용한 반도체 소자 패키징 방법은, (a) 반도체 소자가 집적되고 솔더 범프 패턴이 형성된 웨이퍼 표면에 상기 다이 접착 필름의 제1다이 접착 필름 면을 대면시켜 다이 접착 필름을 접착하는 단계; (b) 상기 웨이퍼의 후면을 백그라인딩 후 다이싱 필름을 접착하는 단계; (c) 상기 다이 접착 필름이 부착된 상태로 상기 웨이퍼를 각각의 다이 칩으로 절단하는 단계; 및 (d) 상기 다이 칩으로부터 다이싱 필름을 제거한 후 상기 다이 접착 필름의 제2다이 접착 필름 면을 피접속부재에 대향시킨 상태에서 솔더 범프를 이용한 플립 칩 공정에 의해 다이 칩과 피접속부재를 전기적으로 결합시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.A semiconductor device packaging method using a multifunctional die adhesive film according to an aspect of the present invention for achieving the above technical problem, (a) the first die of the die adhesive film on the wafer surface in which the semiconductor device is integrated and the solder bump pattern is formed Adhering the die adhesive film by facing the adhesive film side; (b) attaching a dicing film after backgrinding the back surface of the wafer; (c) cutting the wafer into respective die chips with the die adhesive film attached thereto; And (d) removing the dicing film from the die chip, and then forming the die chip and the connected member by a flip chip process using solder bumps with the second die adhesive film surface of the die adhesive film facing the connected member. Electrically coupling; characterized in that it comprises a.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 다기능 다이 접착 필름을 이용한 반도체 소자 패키징 방법은 (a) 반도체 소자가 집적되고 솔더 범프 패턴이 형성된 웨이퍼 표면에 상기 다이 접착 필름의 제1다이 접착 필름 면을 대면시켜 다이 접착 필름을 접착하는 단계; (b) 상기 웨이퍼의 후면을 백그라인딩 후 다이싱 다이 접착 필름을 접착하는 단계; (c) 상기 다이 접착 필름이 부착된 상태로 상기 웨이퍼를 각각의 다이 칩으로 절단하는 단계; 및 (d) 상기 다이 칩으로부터 다이싱 다이 접착 필름의 다이싱 필름층을 제거한 후 피접속부재에 부착시킨 다음 상기 다이 접착 필름 면에 다시 다른 다이 칩을 대향시킨 상태에서 솔더 범프를 이용한 플립 칩 공정에 의해 상기 다이 칩과 다른 다이 칩을 전기적으로 결합시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of packaging a semiconductor device using a multi-functional die adhesive film, which comprises: (a) a first die of the die adhesive film on a wafer surface on which a semiconductor device is integrated and a solder bump pattern is formed; Adhering the die adhesive film by facing the adhesive film side; (b) attaching a dicing die adhesive film after backgrinding the back surface of the wafer; (c) cutting the wafer into respective die chips with the die adhesive film attached thereto; And (d) removing the dicing film layer of the dicing die adhesive film from the die chip and attaching it to the member to be connected, and then flip chip process using solder bumps with another die chip facing the die adhesive film surface again. By electrically coupling the die chip and the other die chip by; characterized in that it comprises a.
본 발명에 있어서, 상기 피접속부재는 PCB, 리드 프레임, 및 다이 칩 중 선택된 하나이다.In the present invention, the member to be connected is one selected from a PCB, a lead frame, and a die chip.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하 기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms or words used in the specification and claims should not be construed as having a conventional or dictionary meaning, and the inventors should properly explain the concept of terms in order to best explain their own invention. Based on the principle that can be defined, it should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다이 접착 필름을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a die adhesive film according to a preferred embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 다이 접착 필름(100)은 반도체 소자가 집적되고 솔더 범프 패턴(50)이 형성된 웨이퍼(30) 표면에 부착되는 제1다이 접착 필름(10), 상기 제1다이 접착 필름(10) 상에 부착된 제2다이 접착 필름(20), 및 상기 다이 접착 필름(100) 양면에 부착되어 다이 접착 필름(100)을 보호하는 보호필름(11)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the die
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 보호필름(11)은 다이 접착 필름(100)의 접착 면을 이물질 등으로부터 보호하는 것으로서, 폴리에틸렌 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 등을 사용할 수 있다. 하지만 본 발명이 이에 한하는 것은 아니다.As shown in FIG. 1, the
상기 다이 접착 필름(100)은 상기 제1다이 접착 필름(10)과 상기 제2다이 접착 필름(20)이 상호 라미네이션된 적층구조를 가진다. The die
여기서, 제1다이 접착 필름(10)은, 반도체 소자가 집적되고 솔더 범프 패턴(50)이 형성된 웨이퍼(30) 표면에 제1접착력으로 부착되고, 웨이퍼(30) 절단 편인 다이와의 높은 접착력이 요구되는 물질층이다. 그리고 상기 제2다이 접착 필름(20)은 제1다이 접착 필름(10) 상에 부착되고 백그라인딩 공정 시 웨이퍼(30)를 고정시켜 주는 연마 척에 부착되는 물질층이다. 이러한 점을 감안하여, 상기 제1접착력은 실리콘 웨이퍼 표면부착 기준으로 25℃에서 10 내지 2000gf/㎝ 이고, 상기 제2접착력은 AUS308 표면부착 기준으로 25℃에서 10 내지 2000gf/㎝의 접착력을 갖는다.Here, the first die
또한, 반도체 소자 패키징 공정 중, 웨이퍼(30)를 절단하는 다이싱 공정에서 웨이퍼(30)에 높은 열이 발생하고 이를 냉각하기 위해서 냉각수가 사용된다. 따라서, 다이 접착 필름(100)은 내습성이 있어 수분의 함습률이 낮아야한다. 이러한 점을 감안하여, 다이 접찰 필름(100)은 85℃/60% 습도 7일 흡습 기준(Moisture Resistance Test; JL2)으로 0 내지 2%wt의 수분 흡습율을 갖는다.In addition, during the semiconductor device packaging process, high heat is generated in the
한편, 반도체 소자 패키징 공정 중, 다이 칩의 픽업 공정 시에는 얇은 두께의 칩을 들어올릴 때 픽업 핀이 들어올리는 방향으로 워페이지가 발생할 수 있고, 다이를 리드 프레임에 접착시킬 때 칩 마운트 헤드 부분의 석션 툴에 의해 워페이지가 발생할 수 있다. 이러한 문제를 방지하기 위해서 다이 접착 필름(100)은 50℃ 기준 저장 탄성률이 104 내지 1010㎩이고, 보다 바람직하게는 상기 제2다이 접착 필 름은, 50℃ 기준 저장 탄성률이 106 내지 109㎩ 이다.On the other hand, during semiconductor device packaging, during the pick-up of the die chip, warpage may occur in a direction in which the pick-up pin is lifted when the chip is lifted, and when the die is bonded to the lead frame, The warpage can be generated by the suction tool. In order to prevent such a problem, the die
또한, 상기 다이 접착 필름(100)은 백그라인딩 테이프의 기능을 수행할 수 있으며 백그라인딩 작업 후 이를 제거하지 않고 다이 접착 필름(100)이 부착된 상태로 다이싱 공정으로 이어진다. 따라서 다이싱 공정 시 반도체 소자가 집적된 웨이퍼 표면이 보일 수 있도록 투명 또는 반투명 재질로 이루어진다. In addition, the die
상기 제1 및 제2다이 접착 필름(10,20)을 구성하는 수지재는 에폭시계, 아크릴계, 실리콘계, 고무계, 우레탄계, 엘라스토머계 등을 사용할 수 있다. 하지만 본 발명이 이에 한하는 것은 아니다.Epoxy type, acryl type, silicone type, rubber type, urethane type, elastomer type or the like may be used as the resin material constituting the first and second die
또한, 제1 및 제2다이 접착 필름(10,20) 사이에 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 비닐, 폴리프로필렌, 폴리스틸렌, 폴리탄산에스테르, 폴리염화비닐, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리아세탈, 폴리옥시메틸렌, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌, 에틸렌-비닐알콜 공중합체 등의 물질로 이루어진 중간층이 개재된 다층구조의 형태로 이루어진 필름이 사용될 수 있다. 하지만 본 발명이 이에 한하는 것은 아니다.In addition, polyester, polyethylene, polyethylene terephthalate, vinyl, polypropylene, polystyrene, polycarbonate ester, polyvinyl chloride, polymethyl methacrylate, polyacetal, A film in the form of a multi-layer structure in which an intermediate layer made of a material such as polyoxymethylene, polybutylene terephthalate, acrylonitrile-butadiene-styrene, ethylene-vinyl alcohol copolymer or the like may be used. However, the present invention is not limited thereto.
또한, 다이 접착 필름(100)의 제1 또는 제2다이 접착 필름(10,20) 중 적어도 어느 하나에는 다이 칩과 피접속부재와의 플립 칩 본딩 시 다이 칩과 피접속부재와의 전기적 결합 성능을 좋게 하기위해 도전성 필러(21)가 포함된다. 예를 들어, 도전성 필러(21)는 금, 은, 구리, 니켈 등의 도전성 금속 또는 도전성 금속이 코팅된 코어 쉘(Core-Shell) 구조의 유기물 중 선택된 어느 하나의 물질로 이루어 진다. 하지만 본 발명이 이에 한하는 것은 아니다. 또한 도전성 필러(21)는 상기 제2다이 접착 필름의 수지재 부피 대비 0.5 내지 70 부피%로 포함되며, 입자 직경은 0.05 ㎛ 내지 50 ㎛ 이다.In addition, at least one of the first or second die
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자 패키징 방법을 설명하는 공정 흐름도이며, 도 3 내지 도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자 패키징 과정을 도시한 공정 단면도들이다.FIG. 2 is a process flowchart illustrating a semiconductor device packaging method according to a preferred embodiment of the present invention, and FIGS. 3 to 6 are process cross-sectional views illustrating a semiconductor device packaging process according to a preferred embodiment of the present invention.
도면을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자 패키징 방법은 먼저, 도 3에 도시된 바와 같이 다이 접착 필름(100)에서 보호필름(11)을 제거하고 반도체 소자가 집적되고 솔더 범프 패턴(50)이 형성된 웨이퍼(30) 표면에 제1다이 접착 필름(10) 면을 대면시켜 접착한다(S100).Referring to the drawings, a semiconductor device packaging method according to a preferred embodiment of the present invention, first, as shown in Figure 3, the
이어서, 상기 웨이퍼(30)가 부착된 제1다이 접착 필름(10) 상에 구비된 제2다이 접착 필름(20) 면을 웨이퍼(30)를 고정시켜 주는 백그라인딩 연마 척에 부착하여 백그라인딩을 실시한다(S200).Subsequently, the surface of the second
그런 다음, 도 4에 도시된 바와 같이, 다이 접착 필름(100)이 부착된 웨이퍼(30)의 백그라인딩 된 배면에 다이싱 필름(40)을 접착한다(S300).Then, as shown in FIG. 4, the dicing
그리고 나서, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(30)의 배면에 부착된 다이싱 필름(40)을 다이싱 테이블에 부착하여 고정시킨 후 웨이퍼(30)를 다이싱 쏘우(70)로 각각의 다이 칩(110)으로 절단한다(S400).Then, as shown in FIG. 5, the dicing
그런 후, 상기 다이 칩(110)을 픽업하여 다이 칩(110)에서 다이싱 필름(40)을 제거한다. 그런 다음 도 6에 도시된 바와 같이, 다이 칩(110)을 뒤집어 도전성 필러(21)를 포함하는 제2다이 접착 필름(20)을 피접속부재(60)에 대향시킨 상태에서 솔더 범프(55)를 이용한 플립 칩 공정에 의해 다이 칩(110)과 피접속부재(60)를 전기적으로 결합시켜 플립 칩 본딩한다(S500). 이때, 도전성 필러(21)는 다이 칩(110)과 피접속부재(60)가 긴밀하게 전기적으로 연결될 수 있도록 돕는다.Thereafter, the
여기서, 상기 피접속부재(60)는 PCB, 리드 프레임, 및 다이 칩 중 어느 하나인 것으로 다이 칩과 전기적으로 결합시킬 수 있는 부재들이다. 하지만 본 발명이 피접속부재(60)의 종류에 의해 한정되는 것은 아니다.Here, the
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 다이 접착 필름(100)은 다이 칩(110)을 피접속부재(60)에 접착하는 다이 접착 필름(100)의 본래 기능뿐만 아니라 백그라인딩 공정 시 백그라인딩 테이프의 기능을 수행하고, 플립 칩 공정에서 다이 칩(110)과 피접속부재(60) 사이에서 언더필의 역할을 동시에 수행한다.As described above, the
한편, 상술된 본 발명의 실시예 이외에도 상기 S300단계에서 웨이퍼(30)의 배면에 부착된 다이싱 필름(40) 대신에 다이싱 다이 접착 필름(미도시)을 부착하여 다이 칩(110)의 다이싱 다이 접착 필름(미도시) 면을 피접속부재(60)에 접착하고 다이 칩(110)의 다이 접착 필름(100) 면에는 다른 다이 칩(미도시)을 부착시켜 서로 다른 2개의 다이 칩을 전기적으로 접속시킬 수도 있다.Meanwhile, in addition to the above-described embodiment of the present invention, the die of the
이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.Although the present invention has been described above by means of limited embodiments and drawings, the present invention is not limited thereto and will be described below by the person skilled in the art to which the present invention pertains. Of course, various modifications and variations are possible within the scope of the claims.
본 발명에 따르면 반도체 소자 패키징 공정에 있어서, 다이 칩을 피접속부재에 접착시키는 다이 접착 필름을 백그라인딩 공정에서 백그라인딩 테이프로 사용할 수 있고 다이싱 공정 시 웨이퍼를 보호하는 수단으로 활용함으로써, 웨이퍼 표면상에 쏘잉 버, 스크래치, 크랙 등이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 백그라인딩 공정 후 백그라인딩 테이프를 제거해야 하는 번거로움을 없앨 수 있다. 또한, 다이 접착 필름을 백그라인딩 테이프와 언더필 소재로 사용함으로써 반도체 소자 패키징 비용을 절감할 수 있다.According to the present invention, in the semiconductor device packaging process, the die adhesive film for adhering the die chip to the connected member can be used as a backgrinding tape in the backgrinding process and used as a means for protecting the wafer during the dicing process, thereby providing a wafer surface A sawing burr, a scratch, a crack, etc. can be prevented from generating on a surface. In addition, it is possible to eliminate the need to remove the backgrinding tape after the backgrinding process. In addition, the cost of semiconductor device packaging can be reduced by using the die adhesive film as the backgrinding tape and the underfill material.
Claims (21)
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