KR20080073915A - A line type deposition system including a source chamber having multi shutters - Google Patents

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KR20080073915A
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Abstract

A line type deposition system including a source chamber having multi shutters is provided to correspond shutters through sensor parts which have 12 sensing parts for sensing deposition source gas accurately and obtaining sufficient work time. A line type deposition system(200) comprises a deposition chamber(210) and a source chamber(220). The source chamber has a plurality of shutters(225). Sensor parts correspond to the shutters. The sensor parts include 12 sensing ports. The shutters are formed at two sides of the source chamber.

Description

다수 개의 셔터를 가진 소스 챔버를 포함하는 선형 증착 시스템{A Line type Deposition System Including a Source Chamber having multi shutters}A line type deposition system including a source chamber having multiple shutters

도 1a는 종래 기술에 의한 선형 증착 시스템의 XZ 방향의 개략도이다.1A is a schematic diagram of the XZ direction of a linear deposition system according to the prior art.

도 1b는 종래 기술에 의한 선형 증착 시스템의 소스 챔버를 개략적으로 도시한 YZ 방향의 단면도이다.1B is a cross-sectional view in the YZ direction schematically illustrating a source chamber of a linear deposition system according to the prior art.

도 1c는 종래 기술에 의한 선형 증착 시스템(100)의 소스 챔버(120)를 개략적으로 도시한 XY 방향의 단면도이다.FIG. 1C is a cross-sectional view in the XY direction schematically showing the source chamber 120 of the linear deposition system 100 according to the prior art.

도 2a는 본 발명의 일 실시예에 의한 선형 증착 시스템의 XZ 방향의 개략도이다.2A is a schematic diagram of the XZ direction of a linear deposition system according to one embodiment of the invention.

도 2b는 본 발명의 일 실시예에 의한 선형 증착 시스템의 소스 챔버를 개략적으로 도시한 YZ 방향의 단면도이다.2B is a cross-sectional view in the YZ direction schematically illustrating a source chamber of a linear deposition system according to an embodiment of the present invention.

도 2c는 본 발명의 일 실시예에 의한 선형 증착 시스템의 소스 챔버를 개략적으로 도시한 XY 방향의 단면도이다.2C is a cross-sectional view in the XY direction schematically illustrating a source chamber of a linear deposition system according to an embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 설명** Description of the main parts of the drawings *

200: 선형 증착 시스템 210: 증착 챔버200: linear deposition system 210: deposition chamber

220: 소스 챔버 221: 선형 증착 소스220: source chamber 221: linear deposition source

223: 증착 소스 가스 225: 셔터223: deposition source gas 225: shutter

227: 증착 홀 230: 센서부227: deposition hole 230: sensor

본 발명은 선형(line type) 증착원(deposition source)을 사용하는 선형 증착 시스템에 관한 것으로서, 특히 선형 증착원의 길이 방향으로 다수 개의 센서를 부착하여 순차적으로 사용함으로써 증착 시스템의 워크 타임을 크게 한 선형 증착 시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a linear deposition system using a linear deposition source. In particular, a plurality of sensors are attached and sequentially used in the longitudinal direction of the linear deposition source to increase the working time of the deposition system. A linear deposition system.

최근 들어, 반도체, OLED 또는 LCD 등의 제조 공정에 사용되는 증착 시스템은 증착 균일도가 우수한 선형 증착원 증착 방식을 사용하고 있다. 이러한 선형 증착원을 사용하는 선형 증착 시스템은, 클러스터 타입과 인라인(in-line) 타입이 있다. 폐쇄적으로 운용되는 클러스터 타입보다, 오픈형으로 운용되는 인라인 타입이 생산성 및 증착 균일도 향상에 더 효과적이어서 특히 인라인 타입이 각광받고 있다.Recently, deposition systems used in manufacturing processes such as semiconductors, OLEDs, and LCDs use a linear deposition source deposition method with excellent deposition uniformity. Linear deposition systems using such linear deposition sources are of cluster type and in-line type. The inline type, which is operated in the open type, is more effective in improving productivity and deposition uniformity than the cluster type that is operated in the closed type, and thus the inline type is in the spotlight.

도면을 참조하여 종래 기술에 의한 인라인 타입의 선형 증착 시스템을 설명한다.An inline type linear deposition system according to the prior art will be described with reference to the drawings.

도 1a는 종래 기술에 의한 선형 증착 시스템의 XZ 방향의 개략도이다.1A is a schematic diagram of the XZ direction of a linear deposition system according to the prior art.

도 1a를 참조하면, 종래 기술에 의한 선형 증착 시스템(100)은, 증착 챔버(110), 소스 챔버(120) 및 센서부(130)를 구비한다.Referring to FIG. 1A, the linear deposition system 100 according to the related art includes a deposition chamber 110, a source chamber 120, and a sensor unit 130.

증착 챔버(110)는 가공물이 증착되기 위하여 안치되는 공간이며, 증착 공정 이 수행되는 공간이다.The deposition chamber 110 is a space in which a workpiece is deposited, and is a space in which a deposition process is performed.

소스 챔버(120)는 내부에 증착 소스가 장치되는 공간이며, 본 실시예에서는 선형 증착 소스를 사용하기 때문에 직육면체형 외관을 가진다.The source chamber 120 is a space in which a deposition source is installed. Since the source chamber 120 uses a linear deposition source, the source chamber 120 has a rectangular parallelepiped appearance.

센서부(130)는 소스 챔버(120)의 내부로부터 증발되는 증착 소스 가스를 화학적, 물리적으로 측정하여 선형 증착 소스의 소모 여부 등을 모티너링한다.The sensor unit 130 monitors whether the linear deposition source is consumed by measuring the deposition source gas evaporated from the inside of the source chamber 120 chemically and physically.

도 1b는 종래 기술에 의한 선형 증착 시스템의 소스 챔버를 개략적으로 도시한 YZ 방향의 단면도이다.1B is a cross-sectional view in the YZ direction schematically illustrating a source chamber of a linear deposition system according to the prior art.

도 1b를 참조하면, 종래 기술에 의한 선형 증착 시스템의 소스 챔버(120)에는, 내부에 선형 증착 소스(121)가 장치되며, 증착을 위한 소스 가스(123)를 증발시키고, 선형 증착 소스(121)의 소모도를 센싱하기 위한 센싱 홀(125)을 구비한다.Referring to FIG. 1B, a linear deposition source 121 is installed in a source chamber 120 of a linear deposition system according to the prior art, and evaporates a source gas 123 for deposition, and a linear deposition source 121. And a sensing hole 125 for sensing a degree of consumption.

센싱 홀(123)을 통하여 증착 소스 가스(123) 등이 센서부(123)에서 센싱되어 선형 증착 소스의 소모도를 측정하게 된다.The deposition source gas 123 and the like are sensed by the sensor unit 123 through the sensing hole 123 to measure the degree of consumption of the linear deposition source.

도 1c는 종래 기술에 의한 선형 증착 시스템(100)의 소스 챔버(120)를 개략적으로 도시한 XY 방향의 단면도이다.FIG. 1C is a cross-sectional view in the XY direction schematically showing the source chamber 120 of the linear deposition system 100 according to the prior art.

도 1c를 참조하면, 종래 기술에 의한 선형 증착 시스템(100)의 소스 챔버(120)는, 내부에 선형 증착 소스(121)를 장치하고 있으며, 증착 소스 가스(123)를 배출하는 증착 홀(127)을 구비한다. 센싱부(130)는 직육면체형의 외관을 가진 소스 챔버(120)의 장변 방향 끝에 각 선형 증착 소스(121)에 하나씩 대응되도록 구비된다.Referring to FIG. 1C, the source chamber 120 of the linear deposition system 100 according to the related art includes a linear deposition source 121 therein and a deposition hole 127 for discharging the deposition source gas 123. ). The sensing unit 130 is provided to correspond to each of the linear deposition sources 121 at the end of the long side direction of the source chamber 120 having a rectangular parallelepiped appearance.

이러한 종래 기술에 의한 선형 증착 시스템(100)은, 선형 증착 소스(121)에 서 발생되는 증착 소스 가스(123)를 전체적으로 감지하지 못하므로, 선형 증착 소스(121)의 상부와 전면부에서 발생되는 증착 소스 가스(123)의 차이를 센싱할 수 없다는 단점이 있다.Since the linear deposition system 100 according to the related art does not detect the deposition source gas 123 generated from the linear deposition source 121 as a whole, the linear deposition system 100 may be generated at the upper and front portions of the linear deposition source 121. There is a disadvantage in that the difference between the deposition source gases 123 cannot be sensed.

또한, 선형 증착 시스템(100)의 워크 타임에 비해 센싱부(130)의 워크 타임이 짧다는 단점이 있다. 즉, 생산성을 높이기 위하여 대용량의 선형 증착 소스(121)를 적용하여도, 센서부(130)가 워크 타임에 한계를 드러낼 수 밖에 없다는 것이다.In addition, the work time of the sensing unit 130 is shorter than the work time of the linear deposition system 100. That is, even if a large-scale linear deposition source 121 is applied to increase productivity, the sensor unit 130 has no choice but to reveal a limit in work time.

따라서, 센서부(130)의 센싱 능력을 보다 정확하고 균일하게 개선하고, 워크 타임을 늘리기 위한 방안이 필요하게 되었다.Therefore, there is a need for a method for improving the sensing capability of the sensor unit 130 more accurately and uniformly and to increase the work time.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 증착 소스 가스의 센싱이 정확하고, 워크 타임이 충분한 선형 증착 시스템을 제공함에 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a linear deposition system with accurate sensing of the deposition source gas and sufficient work time.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 증착 소스 가스의 센싱이 정확하고 워크 타임이 충분한 센싱부를 포함하는 선형 증착 시스템에 사용되는 소스 챔버를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a source chamber for use in a linear deposition system comprising a sensing unit for sensing the deposition source gas is accurate and the work time is sufficient.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 선형 증착 시스템은, 증착 챔버, 및 다수 개의 셔터를 가진 소스 챔버를 포함한다.The linear deposition system according to an embodiment of the present invention for achieving the above technical problem includes a deposition chamber, and a source chamber having a plurality of shutters.

본 발명의 일 실시예에 의한 선형 증착 시스템은, 셔터에 대응하는 센서부를 포함할 수 있다.The linear deposition system according to an embodiment of the present invention may include a sensor unit corresponding to the shutter.

본 발명의 일 실시예에 의한 선형 증착 시스템은, 센서부가 12개의 센싱 포인트를 포함할 수 있다.In the linear deposition system according to an embodiment of the present invention, the sensor unit may include 12 sensing points.

본 발명의 일 실시예에 의한 선형 증착 시스템은, 소스 챔버의 양측 방향에 셔터가 구비될 수 있다.In a linear deposition system according to an embodiment of the present invention, shutters may be provided at both sides of the source chamber.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 선형 증착 시스템에 사용되는 소스 챔버는, 내부에 선형 증착 소스가 안치되고, 양측 방향에 다수 개의 셔터가 형성될 수 있다.In the source chamber used in the linear deposition system according to an embodiment of the present invention for achieving the above another technical problem, a linear deposition source is placed therein, a plurality of shutters may be formed in both directions.

본 발명의 일 실시예에 의한 선형 증착 시스템에 사용되는 소스 챔버는, 셔터에 대응하는 센서부를 포함할 수 있다.The source chamber used in the linear deposition system according to an embodiment of the present invention may include a sensor unit corresponding to the shutter.

본 발명의 일 실시예에 의한 선형 증착 시스템에 사용되는 소스 챔버는, 센서부가 12개의 센싱 포인트를 포함할 수 있다.In the source chamber used in the linear deposition system according to an embodiment of the present invention, the sensor unit may include 12 sensing points.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a는 본 발명의 일 실시예에 의한 선형 증착 시스템의 XZ 방향의 개략도이다.2A is a schematic diagram of the XZ direction of a linear deposition system according to one embodiment of the invention.

도 2a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 선형 증착 시스템(200)은, 증착 챔버(210), 다수 개의 셔터(225)를 포함하는 소스 챔버(220)를 포함한다.Referring to FIG. 2A, the linear deposition system 200 according to an embodiment of the present invention includes a deposition chamber 210 and a source chamber 220 including a plurality of shutters 225.

증착 챔버(210)는 OLED 등의 가공물 상에 물질막이 증착되는 공정이 진행되는 공간이다. 증착 공정에 대한 기술은 잘 알려져 있으므로 더 상세한 설명을 생략한다.The deposition chamber 210 is a space where a process of depositing a material film on a workpiece such as an OLED is performed. Techniques for the deposition process are well known and therefore will not be described further.

소스 챔버(220)는 내부에 선형 증착 소스(221)가 안치되는 곳이다.The source chamber 220 is where the linear deposition source 221 is placed.

본 발명의 실시예에 의한 소스 챔버(220)는 다수 개의 셔터(225)를 포함한다. 셔터(225)는 각각 독립적으로 작동될 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 각 셔터(220)들은 하나씩 개방되어 사용되는 것이 바람직하다. 셔터(225)의 기능과 동작에 대한 더 상세한 설명은 후술된다.The source chamber 220 according to the embodiment of the present invention includes a plurality of shutters 225. The shutters 225 may be operated independently of each other. In the embodiment of the present invention, each shutter 220 is preferably used to open one. A more detailed description of the function and operation of the shutter 225 will be described later.

도 2b는 본 발명의 일 실시예에 의한 선형 증착 시스템의 소스 챔버를 개략적으로 도시한 YZ 방향의 단면도이다.2B is a cross-sectional view in the YZ direction schematically illustrating a source chamber of a linear deposition system according to an embodiment of the present invention.

도 2b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 선형 증착 시스템(200)의 소 스 챔버(220)는, 내부에 선형 증착 소스(221)를 안치하고 있으며, 다수 개의 증착 홀(227) 및 양 측면에 셔터(225) 및 센서부(230)들을 포함한다.Referring to FIG. 2B, the source chamber 220 of the linear deposition system 200 according to an embodiment of the present invention has a linear deposition source 221 disposed therein, and includes a plurality of deposition holes 227 and a plurality of deposition holes 227. The shutter 225 and the sensor unit 230 on both sides.

본 실시예에 의한 소스 챔버(220)에 포함되는 셔터(225)들은 예시적으로 한 쪽에 3개씩, 총 6개인 경우로 예시한다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다.Exemplary shutters 225 included in the source chamber 220 according to the present embodiment are exemplified as six cases, three on one side. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto.

셔터들(225)은 각각 독립적으로 작동되어, 하나씩 개방되어 사용될 수 있다. 즉, 종래 기술에 의한 선형 증착 시스템(100)에서, 하나의 센서부(130)로 하나의 선형 증착 소스(121)를 모니터링하였으나, 본 실시예에서는 다수 개의 센서부(230)로 하나의 선형 증착 소스(221)를 번갈아 가며 모니터링할 수 있다. 즉, 구비되는 센서부(230)의 수만큼 본 발명의 실시예에 의한 선형 증착 시스템(200)의 워크 타임이 늘어난다. 이때, 선형 증착 소스(221)로부터 발생되는 증착 소스 가스(223)와 센서부(230)의 연결을 이어주거나 차단하는 장치가 셔터(225)이다. 셔터가 닫혀 있으면 증착 소스 가스(223)가 센서부(230)에 도달하지 못하므로 센서부(230)는 사용되지 않는 것과 같은 상태를 유지한다. 반면에, 셔터(225)가 개방될 경우, 증착 소스 가스(223)가 센서부(230)에 도달될 수 있고, 따라서 센서부(230)에 의한 모니터링 공정이 진행될 수 있다.The shutters 225 are operated independently of each other, and can be used one by one. That is, in the linear deposition system 100 according to the related art, although one linear deposition source 121 is monitored by one sensor unit 130, in the present embodiment, one linear deposition is performed by a plurality of sensor units 230. The sources 221 can be monitored alternately. That is, the work time of the linear deposition system 200 according to the embodiment of the present invention increases by the number of sensor units 230 provided. In this case, the shutter 225 connects or blocks the connection between the deposition source gas 223 generated from the linear deposition source 221 and the sensor unit 230. When the shutter is closed, since the deposition source gas 223 does not reach the sensor unit 230, the sensor unit 230 maintains a state in which it is not used. On the other hand, when the shutter 225 is opened, the deposition source gas 223 may reach the sensor unit 230, and thus the monitoring process by the sensor unit 230 may proceed.

도 2c는 본 발명의 일 실시예에 의한 선형 증착 시스템의 소스 챔버를 개략적으로 도시한 XY 방향의 단면도이다.2C is a cross-sectional view in the XY direction schematically illustrating a source chamber of a linear deposition system according to an embodiment of the present invention.

도 2c를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 선형 증착 시스템(200)의 소스 챔버(220)는, 내부에 선형 증착 소스(221)가 안치되며, 양 측에 다수 개의 셔 터(220) 및 셔터(225)에 일대 일로 대응하는 센서부(230)를 포함한다.Referring to FIG. 2C, in the source chamber 220 of the linear deposition system 200 according to an embodiment of the present invention, a linear deposition source 221 is disposed therein, and a plurality of shutters 220 are disposed at both sides. And a sensor unit 230 corresponding to the shutter 225 one to one.

본 실시예에서, 셔터(225) 및 센서부(230)를 한 방향에 3개씩 구비되는 것으로 도시 및 설명하나, 본 발명의 기술적 사상의 범주가 이에 한정되지 않는다.In the present embodiment, the shutter 225 and the sensor unit 230 is shown and described as being provided with three in one direction, but the scope of the technical idea of the present invention is not limited thereto.

본 실시예에서, 센서부(230)는 여러 개의 센싱 포인트를 가진 센서부(230)일 수 있다. 센서부(230)가 하나의 센싱 포인트만을 가질 경우, 워크 타임이 매우 짧아질 수 밖에 없으므로, 하나의 센싱부(230)는 여러 개의 센싱 포인트, 예를 들어 12개의 센싱 포인트를 포함하며, 각 센싱 포인트들 중 하나만을 사용하는 방법으로 증착 공정을 진행할 수 있다.In this embodiment, the sensor unit 230 may be a sensor unit 230 having a plurality of sensing points. When the sensor unit 230 has only one sensing point, since the work time is inevitably shortened, one sensing unit 230 includes several sensing points, for example, 12 sensing points, and each sensing point. The deposition process may proceed by using only one of the points.

본 발명의 실시예에 의한 선형 증착 시스템(200)은, 종래 기술에 의한 선형 증착 시스템(100)에 비하여, 이론적으로 워크 타임이 36배로 늘어난다.The linear deposition system 200 according to the embodiment of the present invention theoretically increases the work time by 36 times compared to the linear deposition system 100 according to the prior art.

또, 본 발명의 실시예에 의한 선형 증착 시스템(200)은, 센싱부(230)가 선형 증착 소스(221)의 전면 또는 후면이 아니라 측면에 위치한다. 따라서, 본 발명의 실시예에 의한 센싱부(230)는 종래 기술에 의한 선형 증착 시스템(100)의 센싱부(130)보다 훨씬 정확하고 안정적인 모니터링 결과를 제공한다.In addition, in the linear deposition system 200 according to the embodiment of the present invention, the sensing unit 230 is located on the side of the linear deposition source 221, not the front or rear. Therefore, the sensing unit 230 according to the embodiment of the present invention provides a more accurate and stable monitoring result than the sensing unit 130 of the linear deposition system 100 according to the prior art.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지로 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains have various permutations, modifications, and modifications without departing from the spirit or essential features of the present invention. It is to be understood that modifications may be made and other embodiments may be embodied. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

본 발명의 실시예에 의한 선형 증착 시스템은, 다수 개의 센서부를 측면 부에 구비함으로써, 안정적인 센싱 및 모니터링 결과를 긴 워크 타임 동안 제공하므로 생산성 및 수율이 향상된다.In the linear deposition system according to the embodiment of the present invention, by providing a plurality of sensor units on the side portion, the productivity and the yield are improved because stable sensing and monitoring results are provided for a long work time.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

Claims (7)

증착 챔버, 및A deposition chamber, and 다수 개의 셔터를 가진 소스 챔버를 포함하는 선형 증착 시스템.A linear deposition system comprising a source chamber having a plurality of shutters. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 셔터에 대응하는 센서부를 포함하는 선형 증착 시스템.And a sensor unit corresponding to the shutter. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 센서부는 12개의 센싱 포인트를 포함하는 선형 증착 시스템.The sensor unit includes a linear sensing system comprising 12 sensing points. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 셔터는 상기 소스 챔버의 양측 방향에 형성되는 선형 증착 시스템.And the shutter is formed in both directions of the source chamber. 내부에 선형 증착 소스가 안치되고,A linear deposition source is placed inside, 양측 방향에 다수 개의 셔터가 형성되는 선형 증착 시스템에 사용되는 소스 챔버.Source chamber used in a linear deposition system in which a plurality of shutters are formed in both directions. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 셔터에 대응하는 센서부를 포한하는 선형 증착 시스템에 사용되는 소스 챔버.A source chamber for use in a linear deposition system including a sensor portion corresponding to the shutter. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 센서부는 각기 12개의 센싱 포인트를 포함하는 선형 증착 시스템에 사용되는 소스 챔버.The sensor unit is a source chamber for use in a linear deposition system comprising 12 sensing points each.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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