KR20080062001A

KR20080062001A - Method for forming the phase shifting mask

Info

Publication number: KR20080062001A
Application number: KR1020060137231A
Authority: KR
Inventors: 하태중
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 2006-12-28
Filing date: 2006-12-28
Publication date: 2008-07-03

Abstract

A method for forming a phase shift mask is provided to remove a remaining phase shift material layer without a damage of a mask pattern and a mask substrate by a both-sided exposure method using a negative resist. A mask substrate(100) comprises mask patterns(150) which are made up of stacked phase shift patterns and light shielding pattern, and phase shift materials remaining between the mask patterns. A negative resist layer(140) is formed on the mask substrate. The negative resist layer is blocked by using a light shielding layer. A first exposure process is performed to the negative resist layer opened by the light shielding layer. A second exposure process is performed to the exposed negative resist layer. The unexposed first and second negative resist layers are developed. The phase shift material layers remaining between mask patterns are etched by using the first or second exposed negative resist layers(140', 140'') as an etch mask. The remaining negative resist layer is removed.

Description

Method for forming the phase reversal mask

도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 위상 반전 마스크의 제조 방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 단면도.1A to 1C are cross-sectional views sequentially shown to explain a method of manufacturing a phase reversal mask according to the prior art.

도 2는 종래 기술에 따라 제조된 위상 반전 마스크의 문제점을 나타낸 도면.2 illustrates a problem of a phase inversion mask manufactured according to the prior art.

도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 반전 마스크의 제조 방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 단면도.3A to 3H are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a phase inversion mask according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 포토마스크 제조에 관한 것으로, 보다 상세하게는 위상 반전 마스크의 제조 방법에서, 잔류된 위상 반전 물질층을 기판과 광 차단 패턴 및 위상 반전 패턴의 손상 없이 안전하게 제거할 수 있는 위상 반전 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to the manufacture of a photomask, and more particularly, in a method of manufacturing a phase inversion mask, a phase inversion mask capable of safely removing a residual phase inversion material layer without damaging a substrate, a light blocking pattern, and a phase inversion pattern. It relates to a manufacturing method.

최근 반도체 소자의 집적도가 높아짐에 따라, 0.13㎛ 이하의 최소치 수(critical dimension)를 실현하는 포토리소그래피 기술이 필요하게 되었다.With the recent increase in the degree of integration of semiconductor devices, there is a need for a photolithography technique that realizes a critical dimension of 0.13 μm or less.

상기와 같은 포토리소그래피 공정은 노광용 마스크와 노광 장치를 사용하여, 웨이퍼에 소정의 포토레지스트 패턴을 전사하는 기술로써, 위상 반전 마스크(PSM : Phase Shifting Mask)를 사용하는 포토리소그래피 공정은 일반적인 노광용 마스크를 사용한 경우에 비해 더 높은 해상도를 가진다. 이 때문에, 반도체 소자의 고집적화를 가능케 하는 초미세 패턴을 형성할 수 있어, 최근 들어 위상 반전 마스크에 대한 사용이 점차 증가하고 있다.The photolithography process is a technique of transferring a predetermined photoresist pattern onto a wafer using an exposure mask and an exposure apparatus. The photolithography process using a phase shifting mask (PSM) uses a general exposure mask. It has a higher resolution than when used. For this reason, it is possible to form an ultrafine pattern enabling high integration of semiconductor devices, and the use of phase inversion masks is gradually increasing in recent years.

그러면, 이하 도 1a 내지 도 1c를 참조하여 종래 기술에 따른 위상 반전 마스크의 제조 방법에 대하여 설명한다.Next, a method of manufacturing a phase inversion mask according to the prior art will be described with reference to FIGS. 1A to 1C.

우선, 도 1a에 도시된 바와 같이, 블랭크 마스크라 지칭되는 마스크 기판(100) 상에, 위상 반전 물질층(도시하지 않음)과 광 차단 물질층(도시하지 않음)을 순차 적층한 다음, 포토레지스트 등을 사용하여 상기 광 차단 물질층 및 위상 반전 물질층을 패터닝하여 광차단 패턴(110a) 및 위상 반전 패턴(120a)이 순차 적층된 마스크 패턴(150)을 형성한다.First, as shown in FIG. 1A, a phase inversion material layer (not shown) and a light blocking material layer (not shown) are sequentially stacked on a mask substrate 100 referred to as a blank mask, and then photoresist The light blocking material layer and the phase reversal material layer may be patterned using a light source to form a mask pattern 150 in which the light blocking pattern 110a and the phase reversal pattern 120a are sequentially stacked.

이 때, 상기 광 차단 패턴(110a)은 노광 장치의 빛을 차단함으로써, 비노광 부위에서 하부의 위상 반전 물질층 등을 보호하기 위한 것으로, 주로 크롬을 사용하여 형성한다. 또한, 상기 위상 반전 패턴(120a)은 위상을 반전시켜 웨이퍼 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 물질로써, 주로 MoSiON 등의 몰리브덴 함유 물질이 사용된다.In this case, the light blocking pattern 110a is to protect the lower phase reversal material layer or the like from the non-exposed part by blocking light of the exposure apparatus, and is mainly formed using chromium. In addition, the phase inversion pattern 120a is a material for forming a photoresist pattern on the wafer by inverting the phase, and a molybdenum-containing material such as MoSiON is mainly used.

한편, 상기 마스크 패턴(150)을 형성하기 위한 식각 공정 시, 공정 조건 및 식각 불량으로 인해 서로 이웃하는 마스크 패턴(150) 사이에 도면부호 110'와 같이 위상 반전 물질층이 잔류되는 문제가 있다.On the other hand, during the etching process for forming the mask pattern 150, there is a problem that the phase inversion material layer is left as shown by 110 'between the mask pattern 150 adjacent to each other due to the process conditions and the etching failure.

따라서, 종래에는 상기 잔류된 위상 반전 물질층(110')을 제거하기 위하여 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 잔류된 위상 반전 물질층(110')을 제외한 영역의 마스크 기판(100)을 광 차단막(200)을 이용하여 차단한 다음, 상기 광 차단막(200)에 의해 개방된 상기 잔류된 위상 반전 물질층(110')에만 이온 또는 레이저 등과 같은 수정빔(200)을 조사하였다.Therefore, in order to remove the residual phase inversion material layer 110 ', the mask substrate 100 in the region except for the residual phase inversion material layer 110' is conventionally light-blocked as shown in FIG. 1B. After blocking by using (200), the crystal beam 200 such as ions or laser was irradiated only to the remaining phase inversion material layer 110 ′ opened by the light blocking film 200.

그러나, 상기 광 차단막(200)의 위치가 상기 잔류된 위상 반전 물질층(110')의 위치와 오정렬되게 되면, 도 1c에 도시된 바와 같이, 잔류된 위상 반전 물질층(110')은 제거될지라도 그 아래 위치하는 마스크 기판(100)의 일부 및 오정렬로 인하여 상기 광 차단막(200)을 통해 개방된 정상적인 마스크 패턴(150)의 일부 또한 함께 제거되는 문제가 있다.However, when the position of the light blocking film 200 is misaligned with the position of the remaining phase inversion material layer 110 ′, as shown in FIG. 1C, the remaining phase inversion material layer 110 ′ may be removed. However, a portion of the mask pattern 100 that is opened through the light blocking layer 200 may also be removed due to a portion and misalignment of the mask substrate 100 positioned below it.

즉, 종래 기술에 따른 위상 반전 마스크의 제조 방법에 따르면, 도 2의 "A"에 도시된 바와 같이, 잔류된 위상 반전 물질층이 위치하는 부분이 불량하게 제조되어 위상 반전 마스크의 특성 및 신뢰성이 낮아지는 문제가 있다.That is, according to the manufacturing method of the phase inversion mask according to the prior art, as shown in " A " of FIG. There is a problem of being lowered.

본 발명의 목적은 잔류된 위상 반전 물질층을 기판과 광 차단 패턴 및 위상 반전 패턴의 손상 없이 안전하게 제거할 수 있는 위상 반전 마스크의 제조 방법을 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a phase inversion mask that can safely remove a residual phase inversion material layer without damaging the substrate, the light blocking pattern, and the phase inversion pattern.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 위상 반전 패턴과 광 차단 패턴이 순차 적층된 복수의 마스크 패턴과 상기 마스크 패턴 사이에 위상 반전 물질층이 잔류된 마스크 기판을 준비하는 단계와, 상기 위상 반전 물질층이 잔류된 마스크 기판 전면에 네거티브 레지스트막을 형성하는 단계와, 광 차단막을 이용하여 상기 위상 반전 물질층이 잔류된 마스크 기판과 대응하는 네거티브 레지스트막을 차단하는 단계와, 상기 광 차단막에 의해 개방된 네거티브 레지스트막을 제1 노광하는 단계와, 상기 노광된 네거티브 레지스트막을 상기 위상 반전 물질층이 잔류된 마스크 기판의 후면에서 전체적으로 제2 노광하는 단계와, 상기 제1 및 제2 노광되지 않은 네거티브 레지스트막을 현상하는 단계와, 상기 제1 또는 제2 노광된 네거티브 레지스트막을 식각 마스크로 상기 마스크 패턴 사이에 잔류된 위상 반전 물질층을 제거하는 단계 및 상기 잔류된 네거티브 레지스트막을 제거하는 단계;를 포함하는 위상 반전 마스크의 제조 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method of preparing a mask substrate including a plurality of mask patterns in which a phase inversion pattern and a light blocking pattern are sequentially stacked, and a mask substrate having a phase inversion material layer remaining between the mask patterns; Forming a negative resist film on the entire surface of the mask substrate having the remaining layer, using a light blocking film to block the negative resist film corresponding to the mask substrate having the phase reversal material layer remaining thereon, and the negative opening opened by the light blocking film Firstly exposing the resist film, secondly exposing the exposed negative resist film on the back surface of the mask substrate with the phase reversal material layer remaining, and developing the first and second unexposed negative resist films. And etching the first or second exposed negative resist film. Chroman wherein removing the phase shift layer of material remaining between the mask pattern and removing the residue with a negative resist film; provides a method of making a phase shift mask comprising a.

상기 목적을 달성하기 위하여, 다른 본 발명은 위상 반전 패턴과 광 차단 패턴이 순차 적층된 복수의 마스크 패턴과 상기 마스크 패턴 사이에 위상 반전 물질층이 잔류된 마스크 기판을 준비하는 단계와, 상기 위상 반전 물질층이 잔류된 마스크 기판 전면에 네거티브 레지스트막을 형성하는 단계와, 상기 네거티브 레지스트막을 상기 위상 반전 물질층이 잔류된 마스크 기판의 후면에서 전체적으로 제1 노광하는 단계와, 상기 위상 반전 물질층이 잔류된 마스크 기판과 대응하는 제1 노 광된 네거티브 레지스트막을 광 차단막을 이용하여 차단하는 단계와, 상기 광 차단막에 의해 개방된 네거티브 레지스트막을 제2 노광하는 단계와, 상기 제1 및 제2 노광되지 않은 네거티브 레지스트막을 현상하는 단계와, 상기 제1 또는 제2 노광된 네거티브 레지스트막을 식각 마스크로 상기 마스크 패턴 사이에 잔류된 위상 반전 물질층을 제거하는 단계 및 상기 잔류된 네거티브 레지스트막을 제거하는 단계를 포함하는 위상 반전 마스크의 제조 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, another embodiment of the present invention comprises the steps of preparing a mask substrate having a phase reversal material layer between the mask pattern and the plurality of mask pattern and the mask pattern is sequentially stacked phase reversal pattern and light blocking pattern; Forming a negative resist film on the entire surface of the mask substrate having the remaining material layer, exposing the negative resist film on the entire back surface of the mask substrate having the phase inverting material layer remaining therein; Blocking the first exposed negative resist film corresponding to the mask substrate using a light blocking film, second exposing the negative resist film opened by the light blocking film, and the first and second unexposed negative resists; Developing the film, and removing the first or second exposed negative resist film. A method of manufacturing a phase reversal mask comprising removing a phase reversal material layer remaining between the mask patterns with an etching mask and removing the remaining negative resist layer is provided.

또한, 상기 본 발명의 위상 반전 마스크의 제조 방법에서, 상기 마스크 패턴 사이에 잔류된 위상 반전 물질층을 제거하는 단계는, 이온빔 식각 방법과 레이져빔 식각 방법 및 플라즈마 건식 식각 방법 중 선택된 어느 하나를 이용하여 진행하는 것이 바람직하다.In the method of manufacturing a phase reversal mask of the present invention, the removing of the phase reversal material layer remaining between the mask patterns may be performed using any one selected from an ion beam etching method, a laser beam etching method, and a plasma dry etching method. It is preferable to proceed by.

이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 또한, 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. In addition, in order to clearly express the several layers and areas in the drawing, the thickness was enlarged, and the same code | symbol is attached | subjected about the similar part throughout the specification.

이제 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 반전 마스크의 제조 방법에 대하여 도 3a 내지 도 3h를 참고로 하여 상세하게 설명한다.A method of manufacturing a phase reversal mask according to an embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to FIGS. 3A to 3H.

도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 반전 마스크의 제조 방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 단면도이다.3A to 3H are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a phase inversion mask according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 석영으로 이루어진 마스크 기판(100) 위에 수 %의 광투과율을 갖는 MoSiN 등의 물질을 사용하여 위상 반전 물질층(110)을 형성한다. First, as shown in FIG. 3A, the phase inversion material layer 110 is formed on a mask substrate 100 made of quartz using a material such as MoSiN having a light transmittance of several percent.

상기 위상 반전 물질층(110) 상에 광차단 물질인 크롬(Cr) 등으로 광 차단 물질층(120)을 형성하고, 계속하여 그 위에 감광막(도시하지 않음)을 형성한다. The light blocking material layer 120 is formed on the phase reversal material layer 110 using chromium (Cr), which is a light blocking material, and a photoresist film (not shown) is formed thereon.

그리고, 상기 감광막에 대해 전자빔(e-beam) 노광 장치를 이용한 노광 및 현상 공정을 진행하여, 광투과 영역을 정의하는 포토레지스트 패턴(130)을 형성한다. 즉, 상기 포토레지스트 패턴(130)은 광투과 영역을 개방하고, 다른 영역은 차폐하고 있다. The photoresist is exposed to light and developed using an e-beam exposure apparatus to form a photoresist pattern 130 that defines a light transmission region. That is, the photoresist pattern 130 opens the light transmission region and shields the other region.

이후, 상기 포토레지스트 패턴(130)을 식각 마스크로 하여 광 차단 물질층(120) 및 위상 반전 물질층(110)을 순차 식각함으로서, 도 3b에 도시된 바와 같이 상기 마스크 기판(100) 상에 위상 반전 패턴(110a)과 광 차단 패턴(120a)이 순차 적층된 마스크 패턴(150)을 형성한다.Subsequently, the light blocking material layer 120 and the phase reversal material layer 110 are sequentially etched using the photoresist pattern 130 as an etch mask, thereby forming a phase on the mask substrate 100 as illustrated in FIG. 3B. The mask pattern 150 in which the inversion pattern 110a and the light blocking pattern 120a are sequentially stacked is formed.

한편, 상기 마스크 패턴(150)을 형성하기 위한 식각 공정 시, 공정 조건 및 식각 불량으로 인해 서로 이웃하는 상기 마스크 패턴(150) 사이에 도면 부호 100'과 같이 위상 반전 물질층이 잔류되는 문제가 있다.Meanwhile, in the etching process for forming the mask pattern 150, there is a problem in that a phase inversion material layer remains between the mask patterns 150 adjacent to each other due to process conditions and etching defects, as shown by reference numeral 100 ′. .

따라서, 본 발명은 상기와 같이 잔류된 위상 반전 물질층(110')을 마스크 기판(100) 및 정상적으로 형성된 마스크 패턴(150)의 손상 없이 제거하기 위하여 우선, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 위상 반전 물질층(110')이 위치하는 마스크 기판(100) 전면에 네거티브 레지스트막(140)을 형성한다.Therefore, in order to remove the remaining phase inversion material layer 110 ′ as described above without damaging the mask substrate 100 and the mask pattern 150 normally formed, first, as shown in FIG. The negative resist layer 140 is formed on the entire surface of the mask substrate 100 on which the inversion material layer 110 ′ is positioned.

그런 다음, 도 3d에 도시된 바와 같이, 광 차단막(200)을 이용하여 상기 마스크 기판(100) 상에 잔류된 위상 반전 물질층(110')과 대응하는 영역에 위치하는 네거티브 레지스트막(140)을 차단한 다음, 상기 광 차단막(200)에 의해 개방된 네거티브 레지스트막(140)을 노광하는 제1 노광 공정을 진행한다. 그러면, 상기 네거티브 레지스트막(140) 중 제1 노광된 부분이 광원에 의해 반응이 일어나게 된다. 상기 제1 노광에 의해 반응이 일어난 네거티브 레지스트막(140)을 이하 도면 부호 140'로 지칭한다.Next, as shown in FIG. 3D, the negative resist film 140 positioned in the region corresponding to the phase inversion material layer 110 ′ remaining on the mask substrate 100 using the light blocking film 200 is formed. After blocking, the first exposure process of exposing the negative resist film 140 opened by the light blocking film 200 is performed. Then, the first exposed portion of the negative resist film 140 is reacted by the light source. The negative resist film 140 reacted by the first exposure is referred to as 140 '.

이어서, 도 3e에 도시된 바와 같이, 상기 제1 노광 공정에 의해 노광된 네거티브 레지스트막(140, 140')을 상기 잔류된 위상 반전 물질층(110')이 위치하는 마스크 기판(100)의 후면에서 광 차단막 없이 전체적으로 노광하는 제2 노광 공정을 진행한다. 그러면, 상기 네거티브 레지스트막(140) 중 제2 노광된 부분, 즉 상기 잔류된 위상 반전 물질층(110')으로 가려지지 않은 네거티브 레지스트막(140, 140')은 광원에 의해 반응이 일어나게 된다. Subsequently, as shown in FIG. 3E, the negative resist films 140 and 140 ′ exposed by the first exposure process are disposed on the rear surface of the mask substrate 100 where the remaining phase inversion material layer 110 ′ is located. Proceeds to the second exposure process which exposes the whole without a light blocking film. Then, the second exposed portion of the negative resist film 140, that is, the negative resist films 140 and 140 ′ that are not covered by the remaining phase inversion material layer 110 ′, is reacted by the light source.

보다 상세하게, 상기 제2 노광 공정 시, 제1 노광에 의해 반응한 네거티브 레지스트막(140')은 그대로 이고, 제1 노광에서 반응하지 않고 잔류된 위상 반전 물질층(110')으로부터 차단되지 않은 네거티브 레지스트막(140)만 광원에 반응이 일어난다. 상기 제2 노광에 의해 반응이 일어난 네거티브 레지스트막(140)을 이하 도면 부호 140"로 지칭한다.More specifically, in the second exposure process, the negative resist film 140 'reacted by the first exposure remains as it is, and is not blocked from the remaining phase inversion material layer 110' that does not react in the first exposure. Only the negative resist film 140 reacts to the light source. The negative resist film 140 that reacted by the second exposure is referred to as 140 ″.

그런 다음, 도 3f에 도시된 바와 같이, 상기 잔류된 위상 반전 물질층(110') 상에 위치하는 네거티브 레지스트막(140) 즉, 제1 및 제2 노광되지 않은 네거티브 레지스트막(140)을 현상하여 제거한다.Then, as illustrated in FIG. 3F, the negative resist film 140, that is, the first and second unexposed negative resist films 140, positioned on the remaining phase inversion material layer 110 ′ is developed. To remove it.

이어서, 상기 제1 또는 제2 노광된 네거티브 레지스트막(140', 140")을 식각 마스크로 상기 마스크 패턴(150) 사이에 잔류된 위상 반전 물질층(110')을 도 3g에 도시된 바와 같이 제거한다. 이때, 상기 잔류된 위상 반전 물질층(110')은 이온빔 식각 방법과 레이져빔 식각 방법 및 플라즈마 건식 식각 방법 등으로 제거할 수 있다.Subsequently, a phase inversion material layer 110 ′ remaining between the mask patterns 150 using the first or second exposed negative resist layers 140 ′ and 140 ″ as an etch mask is illustrated in FIG. 3G. In this case, the remaining phase inversion material layer 110 ′ may be removed by an ion beam etching method, a laser beam etching method, a plasma dry etching method, or the like.

그 다음, 도 3h에 도시된 바와 같이, 상기 제1 또는 제2 노광된 네거티브 레지스트막(140', 140")을 제거하여 위상 반전 마스크를 형성한다.Next, as shown in FIG. 3H, the first or second exposed negative resist films 140 ′ and 140 ″ are removed to form a phase inversion mask.

한편, 본 실시예에서는 광 차단막을 이용하여 잔류된 위상 반전 물질층과 대응하는 영역에 위치하는 네거티브 레지스트막을 차단하는 제1 노광 공정을 먼저 진행한 다음, 상기 마스크 기판의 후면을 전체적으로 노광하는 제2 노광 공정을 진행하는 것을 예시하였으나, 이는 이에 한정되지 않고 상기 마스크 기판의 후면을 전체적으로 노광하는 제2 노광 공정이 제1 노광 공정 이전에 진행하여도 본 발명의 특징적인 구성 및 효과를 동일하게 얻을 수 있다.Meanwhile, in the present exemplary embodiment, a first exposure process of blocking a negative resist film positioned in a region corresponding to the remaining phase inversion material layer using a light blocking film is first performed, and then a second surface of the mask substrate is entirely exposed. Although the exposure process is exemplified, the present invention is not limited thereto, and even if the second exposure process of exposing the entire back surface of the mask substrate proceeds before the first exposure process, the characteristic features and effects of the present invention can be obtained in the same manner. have.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Accordingly, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention as defined in the following claims also fall within the scope of the present invention.

상기한 바와 같이, 본 발명은 네거티브 레지스트를 이용한 양면 노광법을 이용하여 잔류된 위상 반전 물질층을 마스크 기판과 정상적으로 형성된 마스크 패턴의 손상 없이 안전하게 제거할 수 있다.As described above, the present invention can safely remove the remaining phase inversion material layer without damaging the mask substrate and the mask pattern normally formed by using a double-sided exposure method using a negative resist.

따라서, 위상 반전 마스크의 특성 및 신뢰성을 향상시켜 위상 반전 마스크의 제조 수율을 향상 시킬 수 있다.Therefore, the yield and the yield of the phase inversion mask can be improved by improving the characteristics and reliability of the phase inversion mask.

Claims

Preparing a mask substrate in which a phase inversion material layer remains between the plurality of mask patterns in which the phase inversion pattern and the light blocking pattern are sequentially stacked and the mask pattern;

Forming a negative resist film on an entire surface of the mask substrate on which the phase reversal material layer remains;

Blocking a negative resist film corresponding to the mask substrate on which the phase reversal material layer remains using a light blocking film;

First exposing the negative resist film opened by the light blocking film;

Secondly exposing the first exposed negative resist film on a rear surface of the mask substrate on which the phase reversal material layer remains;

Developing the first and second unexposed negative resist films;

Removing the phase inversion material layer remaining between the mask patterns using the first or second exposed negative resist layer as an etching mask; And

Removing the remaining negative resist film.

Firstly exposing the negative resist film on a rear surface of a mask substrate having the phase reversal material layer remaining;

Blocking a first exposed negative resist film corresponding to the mask substrate on which the phase reversal material layer remains, using a light blocking film;

Second exposure of the negative resist film opened by the light blocking film;

Developing the first and second unexposed negative resist films;

Removing the remaining negative resist film.

The method according to claim 1 or 2,

The removing of the phase reversal material layer remaining between the mask patterns is performed using any one selected from an ion beam etching method, a laser beam etching method, and a plasma dry etching method.