KR20080057004A - Metal deposition process of a backside of a semiconductor wafer - Google Patents

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Abstract

A metal deposition process of a backside of a semiconductor wafer is provided to improve the metallic property by eliminating organic contaminants such as residues generated when handling the wafer backside and a tape. A tape is attached on the entire surface of a wafer(S11). The backside of the wafer is grinded(S12). The tape is removed(S13). The wafer is cleaned by using an IPA(isopropyl alcohol) liquid(S14). The wafer is cleaned to remove organic contaminants remaining on the wafer(S15). The wafer is etched before depositing a metal to the wafer backside(S16). The metal is deposited on the wafer backside(S17).

Description

웨이퍼 백면의 메탈 증착공정{METAL DEPOSITION PROCESS OF A BACKSIDE OF A SEMICONDUCTOR WAFER}METAL DEPOSITION PROCESS OF A BACKSIDE OF A SEMICONDUCTOR WAFER}

도 1은 종래의 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정을 도시한 흐름도이고,1 is a flowchart illustrating a metal deposition process of a conventional wafer back surface;

도 2a 내지 도 2c는 종래의 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정의 문제점을 나타낸 도면이고,2a to 2c is a view showing a problem of the metal deposition process of the conventional wafer back surface,

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정을 도시한 흐름도이고,3 is a flowchart illustrating a metal deposition process of a back surface of a wafer according to a first embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정을 도시한 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a metal deposition process of a wafer back surface according to a second embodiment of the present invention.

본 발명은 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 백면에 메탈을 증착하기 전에 웨이퍼로부터 유기물성 오염물질을 제거함으로써 웨이퍼 백면에 대한 메탈 특성에 나쁜 영향을 미치지 않도록 하는 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a metal deposition process of a wafer back surface, and more particularly, to remove organic contaminants from a wafer before depositing metal on the wafer back surface so as not to adversely affect the metal properties of the wafer back surface. It relates to a metal deposition process.

일반적으로, 반도체 소자는 노광공정, 확산공정, 식각공정, 화학기상증착공 정, 세정공정 등 다양한 단위공정을 실시함으로써 제조된다. In general, semiconductor devices are manufactured by performing various unit processes such as an exposure process, a diffusion process, an etching process, a chemical vapor deposition process, and a cleaning process.

이러한 단위공정중 칩 자체가 구동력을 제공하는 소자인 파워 칩 제품의 제조시 웨이퍼 백면에 메탈을 증착시키는 공정이 있는데, 이러한 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정은 백그라인드(back grind) 공정이나 그 이후에 웨이퍼 백면에 존재하는 오염을 제거하기 위해서 세정공정이 함께 실시된다.Among these unit processes, there is a process of depositing a metal on the back surface of a wafer in the manufacture of a power chip product which is a device that provides a driving force. The metal deposition process of the back surface of a wafer is performed after a back grind process or a wafer after that. In order to remove the contamination present on the white surface, a cleaning process is performed together.

종래의 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정과 이에 함께 실시되는 세정공정을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, a conventional metal deposition process of the wafer back surface and the cleaning process performed therewith are as follows.

도 1은 종래의 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정을 도시한 흐름도이다. 도시된 바와 같이, 종래의 기술에 따른 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정은 웨이퍼 전면에 테이프 부착 단계(S1)와, 웨이퍼 백면의 그라인드 단계(S2)와, 웨이퍼 전면의 테이프 제거 단계(S3)와, IPA 세정 단계(S4)와, 메탈 증착전 에칭 단계(S5)와, 웨이퍼 백면의 메탈 증착 단계(S6)를 포함한다.1 is a flowchart illustrating a metal deposition process of a conventional wafer back surface. As shown in the drawing, the metal deposition process of the wafer back surface according to the related art includes a tape attaching step S1 on the wafer front surface, a grinding step S2 on the wafer back surface, a tape removing step S3 on the wafer front surface, and an IPA. The cleaning step S4, the etching step S5 before metal deposition, and the metal deposition step S6 on the wafer back surface are included.

웨이퍼 전면에 테이프 부착단계(S1)는 그라인딩시 웨이퍼 전면의 패턴 등에 나쁜 영향을 미치지 않도록 하기 위하여 웨이퍼 전면에 보호용 테이프를 부착하게 된다.In the tape attaching step S1 on the front surface of the wafer, a protective tape is attached to the front surface of the wafer so as not to adversely affect the pattern of the front surface of the wafer during grinding.

웨이퍼 백면의 그라인드단계(S2)는 메탈을 증착하고자 하는 웨이퍼 백면을 그라인딩하는 것이며, 웨이퍼 백면에 대한 그라인딩을 마치면 웨이퍼 전면에 부착된 테이프를 제거하게 된다(S3).The grinding step S2 of the wafer back surface is to grind the wafer back surface on which the metal is to be deposited, and when the grinding of the wafer back surface is finished, the tape attached to the front surface of the wafer is removed (S3).

IPA 세정단계(S4)는 웨이퍼의 그라인딩에 의해 발생되는 이물질을 제거하는 단계로서, IPA(isopropyl alcohol) 용액을 이용하여 웨이퍼를 세정한 다음 세정을 마친 웨이퍼를 초순수를 사용하여 린스한 후 건조시키게 된다.The IPA cleaning step (S4) is a step of removing foreign matters generated by grinding of the wafer. After cleaning the wafer using an IPA (isopropyl alcohol) solution, the cleaned wafer is rinsed with ultrapure water and dried. .

메탈 증착전 에칭단계(S5)는 웨이퍼 백면의 거칠기를 감소시키기 위하여 웨이퍼 백면에 대한 에칭을 실시한다.In the etching step S5 before the metal deposition, the wafer back surface is etched to reduce the roughness of the wafer back surface.

웨이퍼 백면의 메탈 증착단계(S6)는 에칭을 마친 웨이퍼의 백면에 메탈을 증착시키게 된다.In the metal deposition step S6 of the wafer back surface, metal is deposited on the back surface of the wafer which has been etched.

그러나, 이와 같은 종래의 기술에 따른 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정은 IPA 세정 후에도 웨이퍼 백면에 유기물성 이물질이 잔존하여 이로 인해 메탈 증착단계(S6) 이후에도 유기물이 잔존하게 된다. However, in the metal deposition process of the wafer back surface according to the related art, organic matter remains on the wafer back surface even after the IPA cleaning, and thus organic matter remains after the metal deposition step (S6).

이러한, 오염발생의 원인은 웨이퍼 백면에 대한 그라인드(S2) 완료 후 테이프 제거(S3)를 진행할 때 웨이퍼 백면을 핸들링하는 과정에서 잔존물이나 웨이퍼 앞면에 존재하는 테이프의 잔존물이 이후 IPA 세정단계(S4)에서 IPA 용액이나 린스 공정에서 웨이퍼 후면으로 이동하여 용해되고, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 세정하는 동안 웨이퍼(W) 백면에 대한 그라인드단계(S2)에서 발생한 마이크 크랙(C)안에 오염원(P1)으로 침투해 들어가 있다가 이 후 도 2c에 도시된 바와 같이, 에칭단계(S5)에서 스트레스 릴리프에 사용되는 D 케미컬 용액과 반응하여 오염원(P2)으로 작용하여 웨이퍼(W) 백면에 남게 된다. The cause of the contamination is that the residue or the residue of the tape present on the front surface of the wafer in the process of handling the wafer back surface when proceeding to remove the tape (S3) after the completion of the grinding (S2) for the wafer back surface after the IPA cleaning step (S4) In the microphone crack (C) generated in the grinding step (S2) to the wafer (W) back surface during cleaning, as it dissolves by moving to the wafer back side in the IPA solution or rinse process, as shown in FIGS. 2A and 2B. After penetrating into (P 1 ) and thereafter, as shown in FIG. 2C, the wafer (W) back surface reacts with the D chemical solution used for the stress relief in the etching step (S5) to act as a contaminant (P 2 ). Will remain.

그러므로, 웨이퍼(W) 백면에 오염원(P2)이 잔존하게 됨으로써 메탈의 부식을 가속화시키는 등 후속 패키지 공정에 영향을 주고, 외관 검사 불량을 유발시킨다. Therefore, the contaminant P 2 remains on the back surface of the wafer W, thereby accelerating the corrosion of the metal, thereby affecting subsequent package processes, and causing poor appearance inspection.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼 백면에 메탈을 증착하기 전에 웨이퍼 백면을 핸들링하는 과정에서 발생하는 잔존물이나 웨이퍼 전면에 존재하는 테이프의 잔존물과 같은 유기물성 오염물질을 제거함으로써 웨이퍼 백면에 대한 메탈 특성에 나쁜 영향을 미치지 않도록 하고, 검사시 불량 발생을 최소화하도록 하는 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정을 제공하는데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to maintain organic properties such as residues generated in the process of handling the wafer back surface before depositing metal on the wafer back surface or residues of a tape present on the front surface of the wafer. It is to provide a metal deposition process of the wafer back surface to remove contaminants so as not to adversely affect the metal properties on the wafer back surface, and to minimize the occurrence of defects during inspection.

이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은, 웨이퍼의 백면에 메탈을 증착하는 공정에 있어서, 웨이퍼 전면에 테이프를 부착하는 단계와, 웨이퍼 백면의 그라인드를 실시하는 단계와, 웨이퍼 전면의 테이프를 제거하는 단계와, 웨이퍼를 IPA 용액을 이용하여 세정하는 단계와, 웨이퍼에 존재하는 유기물 오염원을 제거하기 위해 세정하는 단계와, 웨이퍼의 백면에 메탈 증착전 에칭을 실시하는 단계와, 웨이퍼 백면에 메탈을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object, in the step of depositing a metal on the back surface of the wafer, the step of attaching the tape to the front surface of the wafer, performing the grinding of the back surface of the wafer, and removing the tape on the front surface of the wafer Cleaning the wafer using an IPA solution, cleaning to remove organic contaminants present on the wafer, etching prior to metal deposition on the backside of the wafer, and depositing metal on the backside of the wafer Characterized in that it comprises a step.

또한, 본 발명은 웨이퍼의 백면에 메탈을 증착하는 공정에 있어서, 웨이퍼 전면에 테이프를 부착하는 단계와, 웨이퍼 백면의 그라인드를 실시하는 단계와, 웨이퍼 전면의 테이프를 제거하는 단계와, 웨이퍼를 액화 기체에 의한 유기물 오염원을 산화 및 경화시키는 단계와, 웨이퍼를 불산으로 세정하는 단계와, 웨이퍼의 백면에 메탈 증착전 에칭을 실시하는 단계와, 웨이퍼 백면에 메탈을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is a step of depositing a metal on the back surface of the wafer, the step of attaching the tape to the front surface of the wafer, the grinding of the back surface of the wafer, the step of removing the tape on the front surface of the wafer, liquefying the wafer Oxidizing and curing the organic contaminant caused by gas, cleaning the wafer with hydrofluoric acid, performing etching before metal deposition on the back surface of the wafer, and depositing metal on the back surface of the wafer. do.

이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정을 도시한 흐름도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정은 웨이퍼 전면에 테이프 부착 단계(S11)와, 웨이퍼 백면의 그라인드 단계(S12)와, 웨이퍼 전면의 테이프 제거 단계(S13)와, 웨이퍼에 대한 IPA 세정 단계(S14)와, 유기물 오염원 제거 세정 단계(S15)와, 메탈 증착전 에칭 단계(S16)와, 웨이퍼 백면의 메탈 증착 단계(S17)를 포함한다.3 is a flowchart illustrating a metal deposition process of a wafer back surface according to a first embodiment of the present invention. As shown, in the metal deposition process of the wafer back surface according to the first embodiment of the present invention, the tape attaching step (S11) on the wafer front surface, the grinding step (S12) of the wafer back surface, and the tape removing step (S13) on the wafer front surface. ), An IPA cleaning step (S14) for the wafer, an organic material contamination removal cleaning step (S15), an etching step before the metal deposition (S16), and a metal deposition step (S17) on the wafer back surface.

웨이퍼 전면에 테이프 부착 단계(S11)는 웨이퍼의 백면에 대한 그라인드 단계(S12)에서 웨이퍼 전면의 패턴 등에 나쁜 영향을 미치지 않도록 보호용 테이프를 웨이퍼 전면에 부착한다.In the tape attaching step S11 on the front surface of the wafer, the protective tape is attached to the front surface of the wafer so as not to adversely affect the pattern of the front surface of the wafer in the grinding step S12 of the back surface of the wafer.

웨이퍼 백면의 그라인드 단계(S12)는 메탈을 증착하고자 하는 웨이퍼 백면을 그라인딩함으로써 메탈 증착이 가능하도록 하며, 웨이퍼 백면에 대한 그라인딩을 마치면 웨이퍼 전면에 부착된 테이프를 제거하는 단계(S13)를 실시한다.Grinding the wafer back surface (S12) enables metal deposition by grinding the wafer back surface to be deposited on the metal, and after grinding the wafer back surface, removing the tape attached to the front surface of the wafer (S13).

웨이퍼에 대한 IPA 세정 단계(S14)는 웨이퍼의 그라인딩에 의해 발생되는 이물질을 제거하기 위한 단계로서, 전면으로부터 테이프를 제거한 웨이퍼를 IPA(isopropyl alcohol) 용액을 이용하여 웨이퍼를 세정한 다음 세정을 마친 웨이퍼를 초순수를 사용하여 린스 후 건조시키게 된다.The IPA cleaning step (S14) for the wafer is a step for removing foreign matters generated by grinding of the wafer. The wafer from which the tape is removed from the front surface is cleaned using an IPA (isopropyl alcohol) solution, and then the wafer is cleaned. After rinsing with ultrapure water is dried.

유기물 오염원 제거 세정 단계(S15)는 IPA 세정 단계(S14)를 마친 웨이퍼에 존재하는 유기물 오염원을 제거하기 위한 것으로서, IPA 세정단계(S14)의 유기물 오염원 제거 한계를 극복하기 위해 실시된다.Organic contaminant removal cleaning step (S15) is to remove the organic contaminant present on the wafer after the IPA cleaning step (S14), is carried out to overcome the organic contaminant removal limit of the IPA cleaning step (S14).

유기물 오염원 제거 세정 단계(S15)는 질산(HNO3)을 이용하여 세정하는 것이 바람직한데, 이를 위해 질산을 함유하는 용액이 채워진 세정조에 웨이퍼를 일정 시간 잠기도록 함으로써 웨이퍼 백면을 핸들링하는 과정에서 발생하는 잔존물이나 웨이퍼 전면에 존재하는 테이프의 잔존물과 같은 유기물성 오염물질을 제거시키며, 세정조로부터 웨이퍼를 꺼내어서 초순수로 린스한 후 건조시킨다. 이 때, 질산으로 세정시 질산용액은 표면장력을 낮추게 됨으로써 웨이퍼에 그라인딩시 발생하는 마이크로 크랙(micro crack)안에 용이하게 침투하기 위하여 가열에 의해 고온 상태를 유지하도록 함이 바람직하다.It is preferable to clean the organic contaminant removing step (S15) using nitric acid (HNO 3 ), which is caused by handling the wafer back surface by immersing the wafer in a cleaning tank filled with a solution containing nitric acid for a predetermined time. Organic contaminants such as residue or tape residue present on the entire surface of the wafer are removed, and the wafer is removed from the cleaning bath, rinsed with ultrapure water, and dried. At this time, the nitric acid solution during the cleaning with nitric acid is preferably to lower the surface tension to maintain a high temperature state by heating in order to easily penetrate into the micro cracks generated during grinding on the wafer.

한편, 유기물 오염원 제거 세정 단계(S15)는 질소를 대신하여 오존수를 사용하여 세정할 수 있다. 이를 위해 초순수와 버블상태의 오존이 채워진 세정조에 웨이퍼를 일정 시간 잠기도록 함으로써 웨이퍼에 존재하는 유기물성 오염물질을 제거한 다음 세정조로부터 웨이퍼를 꺼내어 초순수로 린스후 건조시킨다. 이 때, 오존수를 질산용액에서처럼 가열할 필요가 없으며, 상온을 유지하여도 무방하다.On the other hand, the organic contaminant removal cleaning step (S15) may be cleaned using ozone water instead of nitrogen. To this end, the wafer is immersed in a cleaning tank filled with ultrapure water and bubble ozone for a predetermined time to remove organic contaminants present in the wafer, and then the wafer is taken out of the cleaning tank and rinsed with ultrapure water and dried. At this time, the ozone water does not need to be heated as in the nitric acid solution, and may be kept at room temperature.

메탈 증착전 에칭 단계(S16)는 웨이퍼 백면의 거칠기를 감소시키기 위하여 웨이퍼 백면에 대한 에칭을 실시한다.The etching step S16 before the metal deposition is performed to etch the wafer back surface to reduce the roughness of the wafer back surface.

웨이퍼 백면의 메탈 증착 단계(S17)는 에칭을 마친 웨이퍼의 백면에 메탈을 증착시키게 된다.In the metal deposition step (S17) of the wafer back surface, the metal is deposited on the back surface of the wafer which has been etched.

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정을 도시 한 흐름도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정은 웨이퍼 전면에 테이프 부착 단계(S21)와, 웨이퍼 백면의 그라인드 단계(S22)와, 웨이퍼 전면의 테이프 제거 단계(S23)와, 액화 기체에 의한 유기물 오염원을 산화 및 경화시키는 단계(S24)와, 웨이퍼를 불산으로 세정하는 단계(S25)와, 메탈 증착전 에칭 단계(S26)와, 웨이퍼 백면의 메탈 증착 단계(S27)를 실시한다.4 is a flowchart illustrating a metal deposition process of a wafer back surface according to a second embodiment of the present invention. As shown, the metal deposition process of the back surface of the wafer according to the second embodiment of the present invention, the tape attaching step (S21), the grinding step (S22) of the wafer back surface, and the tape removing step (S23) of the wafer front surface ), Oxidizing and curing the organic contaminant caused by the liquefied gas (S24), cleaning the wafer with hydrofluoric acid (S25), etching before metal deposition (S26), and depositing a metal on the wafer back surface (S27). ).

한편, 본 실시예에 따른 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정은 액화 기체에 의한 유기물 오염원을 산화 및 경화시키는 단계(S24) 및 웨이퍼를 불산으로 세정하는 단계(S25)를 제외한 단계(S21,S22,S23,S26,S27)들이 이전 실시예와 동일하므로 그 설명을 생략하기로 하겠다.On the other hand, the metal deposition process of the wafer back surface according to the present embodiment is a step (S21, S22, S23, except for the step (S24) of oxidizing and curing the organic contamination source by the liquefied gas and the step (S25) for cleaning the wafer with hydrofluoric acid) S26 and S27 are the same as in the previous embodiment, so a description thereof will be omitted.

액화 기체에 의한 유기물 오염원을 산화 및 경화시키는 단계(S24)는 바람직하게는 초저온의 액화 산소(O2) 또는 액화 질소(N2)를 사용하여 웨이퍼 전면의 테이프가 제거(S23)된 웨이퍼에 핸들링 과정이나 테이프의 잔존물 등과 같은 유기물성 오염물질을 웨이퍼 표면으로부터 분리되기 쉽도록 웨이퍼와 이들 오염원 사이에 자연산화막이 형성되도록 한다.The step (S24) of oxidizing and curing the organic contaminant caused by the liquefied gas is preferably handled to the wafer from which the tape on the front surface of the wafer is removed (S23) using cryogenic liquefied oxygen (O 2 ) or liquefied nitrogen (N 2 ). A natural oxide film is formed between the wafer and these contaminants to facilitate the separation of organic contaminants such as processes or residues from the tape from the wafer surface.

웨이퍼를 불산(HF)으로 세정하는 단계(S25)는 액화 기체에 의한 유기물 오염원을 산화 및 경화시키는 단계(S24)로 인해 웨이퍼 표면과 유기물성 오염원과의 사이에 형성된 자연산화막을 불산 세정으로 제거함으로써 웨이퍼 표면에 존재 내지 부착된 유기물성 오염원을 제거한다.The cleaning of the wafer with hydrofluoric acid (HF) (S25) is performed by removing the natural oxide film formed between the surface of the wafer and the organic contamination by hydrofluoric acid cleaning due to the step (S24) of oxidizing and curing the organic contaminant caused by the liquefied gas. Organic contaminants present or adhered to the wafer surface are removed.

이와 같은 구조로 이루어진 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정의 작용은 다음과 같이 이루어진다.The metal deposition process of the wafer back surface having such a structure is performed as follows.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정에서 웨이퍼 전면으로부터 테이프를 제거 후(S13) 웨이퍼에 대한 IPA 세정 단계(S14)와 질산 또는 오존수를 이용한 유기물 오염원 제거 세정 단계(S15)를 실시함으로써 IPA 세정 단계(S14)로도 제거가 힘든 웨이퍼 표면의 유기물성 오염원을 제거한다.In the metal deposition process of the wafer back surface according to the first embodiment of the present invention, after removing the tape from the front surface of the wafer (S13), the IPA cleaning step (S14) for the wafer and the organic material removal cleaning step (S15) using nitric acid or ozone water are performed. By doing so, organic contaminants on the wafer surface that are difficult to remove even in the IPA cleaning step S14 are removed.

또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정에서 웨이퍼 전면으로부터 테이프를 제거한(S23) 웨이퍼에 대하여 초저온의 액화 산소 또는 액화 질소에 의한 유기물 오염원을 산화 및 경화시키는 단계(S24) 및 웨이퍼를 불산으로 세정하는 단계(S25)를 실시함으로써 이전 실시예와 마찬가지로 웨이퍼(W) 표면에 존재 내지 부착되는 유기물성 오염원을 분리 및 제거시킨다. In addition, in the metal deposition process of the wafer back surface according to the second embodiment of the present invention, the tape is removed from the front surface of the wafer (S23), and the step of oxidizing and curing the organic contaminant caused by cryogenic liquefied oxygen or liquefied nitrogen with respect to the wafer (S24). And cleaning the wafer with hydrofluoric acid (S25) to separate and remove the organic pollutant present or attached to the surface of the wafer W as in the previous embodiment.

이러한 단계(S14,S15,S24,S25)들로 인해 후속 과정인 웨이퍼 백면의 메탈 증착 단계(S17,S27)에서 웨이퍼를 오염원으로부터 격리되도록 하고, 웨이퍼 백면에 대한 메탈 특성에 악영향을 미치지 않도록 하며, 이로 인해 검사시 불량 발생을 최소화한다.These steps (S14, S15, S24, S25) allow the wafer to be isolated from the contaminant in the subsequent metal deposition step (S17, S27) of the wafer back surface, so as not to adversely affect the metal properties of the wafer back surface, This minimizes the occurrence of defects during inspection.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정은 웨이퍼 백면에 메탈 증착하기 전에 웨이퍼 백면을 핸들링하는 과정에서 발생하는 잔존물이나 웨이퍼 전면에 존재하는 테이프의 잔존물과 같은 유기물성 오염물질을 제거함으로써 웨이퍼 백면에 대한 메탈 특성에 나쁜 영향을 미치지 않도록 하고, 검사시 불 량 발생을 최소화하도록 하는 효과를 가지고 있다. As described above, the metal deposition process of the wafer back surface according to the present invention removes organic contaminants such as residues generated during handling of the wafer back surface or residues of tape present on the front surface of the wafer before metal deposition on the wafer back surface. By doing so, it does not adversely affect the metal properties of the wafer back surface, and has an effect of minimizing defects during inspection.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is only one embodiment for carrying out the metal deposition process of the wafer back surface according to the present invention, the present invention is not limited to the above embodiment, as claimed in the following claims Without departing from the gist of the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains to the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

Claims (6)

웨이퍼의 백면에 메탈을 증착하는 공정에 있어서,In the process of depositing a metal on the back surface of the wafer, 웨이퍼 전면에 테이프를 부착하는 단계와,Attaching the tape to the front of the wafer, 상기 웨이퍼 백면의 그라인드를 실시하는 단계와,Performing grinding of the wafer back surface; 상기 웨이퍼 전면의 테이프를 제거하는 단계와,Removing the tape on the front surface of the wafer; 상기 웨이퍼를 IPA 용액을 이용하여 세정하는 단계와,Cleaning the wafer with an IPA solution, 상기 웨이퍼에 존재하는 유기물 오염원을 제거하기 위해 세정하는 단계와,Cleaning to remove organic contaminants present on the wafer; 상기 웨이퍼의 백면에 메탈 증착전 에칭을 실시하는 단계와,Etching the back surface of the wafer prior to metal deposition; 상기 웨이퍼 백면에 메탈을 증착하는 단계Depositing a metal on the wafer back surface 를 포함하는 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정.Metal deposition process of the wafer back surface comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 웨이퍼의 유기물 오염원 제거 세정단계는,The organic contaminant removal cleaning step of the wafer, 상기 웨이퍼를 질산을 이용하여 세정하는 것Cleaning the wafer with nitric acid 을 특징으로 하는 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정. Metal deposition process of the back surface of the wafer. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 웨이퍼의 유기물 오염원 제거 세정단계는,The organic contaminant removal cleaning step of the wafer, 상기 웨이퍼를 오존수를 사용하여 세정하는 것Cleaning the wafer with ozone water 을 특징으로 하는 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정.Metal deposition process of the back surface of the wafer. 웨이퍼의 백면에 메탈을 증착하는 공정에 있어서,In the process of depositing a metal on the back surface of the wafer, 웨이퍼 전면에 테이프를 부착하는 단계와,Attaching the tape to the front of the wafer, 상기 웨이퍼 백면의 그라인드를 실시하는 단계와,Performing grinding of the wafer back surface; 상기 웨이퍼 전면의 테이프를 제거하는 단계와,Removing the tape on the front surface of the wafer; 상기 웨이퍼를 액화 기체에 의한 유기물 오염원을 산화 및 경화시키는 단계와,Oxidizing and curing the organic contaminant by the liquefied gas; 상기 웨이퍼를 불산으로 세정하는 단계와,Cleaning the wafer with hydrofluoric acid, 상기 웨이퍼의 백면에 메탈 증착전 에칭을 실시하는 단계와,Etching the back surface of the wafer prior to metal deposition; 상기 웨이퍼 백면에 메탈을 증착하는 단계Depositing a metal on the back surface of the wafer 를 포함하는 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정.Metal deposition process of the wafer back surface comprising a. 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 유기물 오염원을 산화 및 경화시키는 단계는,The step of oxidizing and curing the organic pollutant, 상기 웨이퍼를 액화 산소를 이용하여 유기물 오염원을 산화 및 경화시키는 것Oxidizing and curing the organic contaminant using the liquefied oxygen on the wafer 을 특징으로 하는 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정.Metal deposition process of the back surface of the wafer. 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 유기물 오염원을 산화 및 경화시키는 단계는,The step of oxidizing and curing the organic pollutant, 상기 웨이퍼를 액화 질소를 이용하여 유기물 오염원을 산화 및 경화시키는 것Oxidizing and curing the organic contaminant using the wafer using liquefied nitrogen 을 특징으로 하는 웨이퍼 백면의 메탈 증착공정.Metal deposition process of the back surface of the wafer.
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